TWI681070B - 氣相成長方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是一種氣相成長方法，將基板載置於反應室內設置的旋轉部上，自基板的上方於基板的上表面供給不含原料氣體的第一製程氣體，並且一面以300 rpm以上使基板旋轉，一面使壁面的溫度變動，於使基板的溫度上升後，將基板控制為規定的成膜溫度，自基板的上方於基板的上表面供給包含原料氣體的第二製程氣體而使SiC膜於基板上成長。

Description

氣相成長方法
本發明是有關於一種氣相成長方法。
作為下一代半導體元件用材料，期待SiC(碳化矽)。與Si(矽)相比，SiC具有如下優異的物性：帶隙(band gap)為3倍，破壞電場強度為約10倍，熱傳導係數為約3倍。若活用所述特性，則可實現低損失且可高溫動作的半導體元件。
於使用化學氣相成長(Chemical Vapor Deposition，CVD)的SiC磊晶成長膜的成長步驟中，SiC堆積於自反應室內的氣體供給部至SiC基板為止的路徑上的高溫部，尤其是熱壁。所述堆積的SiC剝離而成為塌陷(Downfall)(Particle：異物)。
塌陷藉由在SiC磊晶膜的成長前或成長過程中落下至SiC基板上而埋入至SiC磊晶膜的內部，或者發生以塌陷為起點的三角缺陷等，因而塌陷有成為元件致命缺陷之虞。
本發明提供一種能以高生產性成長高品質且高均勻的磊晶膜的氣相成長方法。
本發明的一種形態的氣相成長方法是將基板載置於反應室內設置的旋轉部上，自基板的上方於基板的上表面供給不含 原料氣體的第一製程氣體，並且一面以300rpm以上使基板旋轉，一面使壁面的溫度變動，於使基板的溫度上升後，將基板控制為規定的成膜溫度，自基板的上方於基板的上表面供給包含原料氣體的第二製程氣體而使SiC膜於基板上成長。
於所述形態的氣相成長方法中，較佳為於基板上使所需的SiC膜成長後，使基板的溫度下降，自基板的上方於基板的上表面供給第一製程氣體，並且一面以300rpm以上使基板旋轉，一面使壁面的溫度變動。
於所述形態的氣相成長方法中，較佳為一面以300rpm以上使基板旋轉，一面藉由使第一製程氣體自惰性氣體變化為氫氣或者自氫氣變化為惰性氣體，而使壁面的溫度變化。
於所述形態的氣相成長方法中，較佳為於基板的溫度為1300℃以下的狀態下，使壁面的溫度變化。
於所述形態的氣相成長方法中，較佳為於將基板自旋轉部取出的狀態下，以100rpm以上使旋轉部旋轉。
根據本發明的一種形態，可提供一種能以高生產性成長高品質且高均勻的磊晶膜的氣相成長方法。
2‧‧‧反應室
2a‧‧‧側壁(內壁)
4‧‧‧旋轉部
6‧‧‧旋轉軸
8‧‧‧軸
10‧‧‧反射器
12、20‧‧‧隔熱材
14‧‧‧第一加熱器
16‧‧‧基座保持器
16a‧‧‧基座載置部
22‧‧‧排氣部
24‧‧‧熱壁(壁面)
26‧‧‧第二加熱器
30‧‧‧氣體供給部
32、34、36‧‧‧氣體流路
54‧‧‧排氣機構
56‧‧‧真空泵
58‧‧‧調整閥
100‧‧‧氣相成長裝置
A~M‧‧‧時刻
AP、EP、HP、LP‧‧‧投入電力
AS、HS、TS‧‧‧旋轉速度
ET‧‧‧成長溫度
RU1、RU2‧‧‧反射器單元
S‧‧‧基座
S1‧‧‧外周基座
S2‧‧‧內部基座
S10~S40‧‧‧步驟
TT‧‧‧搬入搬出溫度
W‧‧‧基板
圖1為實施形態的氣相成長裝置的示意剖面圖。
圖2為表示實施形態的氣相成長方法中的SiC基板的溫度、對第二加熱器的投入電力、導入的氣體種及基座保持器旋轉速度 的時間變化的示意圖。
圖3(a)~圖3(l)為表示實施形態的氣相成長方法中的氣相成長裝置內的塌陷的落下的方式的示意圖。
圖4是實施形態的氣相成長方法的流程圖。
以下，參照圖式對本發明的實施形態進行說明。
在本說明書中，將氣相成長裝置設置成可成膜的狀態下的重力方向定義為「下」，將其相反方向定義為「上」。因此，所謂「下部」，是指相對於基準為重力方向的位置，所謂「下方」，是指相對於基準為重力的方向。另外，所謂「上部」，是指相對於基準為與重力方向相反的方向的位置，所謂「上方」，是指相對於基準為與重力的方向相反的方向。
實施形態的氣相成長方法是將基板載置於反應室內設置的旋轉部上，自基板的上方於基板的上表面供給不含原料氣體的第一製程氣體，並且一面以300rpm以上使基板旋轉，一面使壁面的溫度變動，於使基板的溫度上升後，將基板控制為規定的成膜溫度，自基板的上方於基板的上表面供給包含原料氣體的第二製程氣體，而使SiC膜於基板上成長。
圖1是實施形態的氣相成長裝置100的示意剖面圖。本實施形態的氣相成長裝置100是使用CVD法(化學氣相成長法)的磊晶成長裝置。以下，主要以使SiC膜磊晶成長於SiC基板W上的情況為例，進行說明。
於基座S上載置有SiC基板W。對SiC基板W供給製程氣體，使於基板W上反應而進行成膜。此處，所謂製程氣體是作為SiC源氣體的Si系氣體(例如單矽烷(SiH4)氣體)、C系氣體(例如丙烷(C3H8)氣體)、用以促進SiC的成長的Cl系氣體(例如氯化氫(HCl)氣體)、作為吹掃氣體(purge gas)的氬(Ar)氣、作為載氣的氫(H2)氣等。再者，亦可將如二氯矽烷(H2SiCl2)氣體、三氯矽烷(HSiCl3)等包含Si原子與Cl原子的氣體，用作為Si系氣體。
氣相成長裝置100具有反應室2，作為於基板W上進行SiC磊晶膜的成膜的成膜室。
基座S設置於旋轉部4的上方。基座S具有：外周基座S1，具有環狀的形狀，環狀的形狀具有開口部而構成；以及內部基座S2，於外周基座S1的內側以堵塞開口部的方式設置。於外周基座S1的內周側設置有支座。而且，於所述支座內設置有收容並支持基板W的外周部的凹部。基座S的材料較佳為使用碳、SiC、TaC。或者，亦可使用在碳的表面被覆有TaC的材料。另外，基座S中的凹部的結構可為對圓盤狀構件進行支座加工而成者、或者於圓盤狀構件載置環狀構件而成者、進而該些的組合中的任一者。
旋轉部4於上部具有基座保持器16，於下部具有旋轉軸6。基座保持器16利用其上部(圖3中的基座載置部16a)支持基座S。旋轉軸6藉由利用未圖示的馬達進行旋轉而基座保持器16旋轉。經由基座保持器16的旋轉，基座S旋轉。如此，可使載置 於基座S上的SiC基板W沿SiC基板W的周方向旋轉。
基座保持器16具有上部開口的結構。於旋轉部4內設置有第一加熱器14。第一加熱器14例如使用碳(C)材的電阻加熱器。第一加熱器14藉由通過設置在旋轉軸6內大致圓筒狀的石英製的軸(shaft)8內部的電極(未圖示)而供電，自SiC基板W的背面對該基板W加熱。
另外，於旋轉部4內，為了有效率地進行利用第一加熱器14的加熱，於第一加熱器14的下方設置有反射器10。反射器10使用碳、SiC或被覆SiC的碳等耐熱性高的材料。另外，於反射器10的下方設置有隔熱材12。藉由設置隔熱材12，可防止來自第一加熱器14的熱傳遞至軸8或其設置部分等，抑制加熱時的加熱器電力。
於反應室2的下部，設置有用以排出剩餘的製程氣體或包含反應副產物的氣體的排氣部22。排氣部22連接於包含調整閥58及真空泵56的排氣機構54。排氣機構54將自反應室2排出的氣體排出至外部，且將反應室2內調整為規定的壓力。
另外，於反應室2內設置有將進行成膜處理的成膜區域，以及與反應室2的側壁(內壁)2a隔開的圓筒型的熱壁(壁面)24。熱壁24使用碳或被覆SiC的碳、SiC等耐熱性高的材料。再者，理想的是於旋轉部4與側壁(內壁)2a之間亦設置有將旋轉部4與側壁(內壁)2a隔開的未圖示的圓筒構件，防止對側壁(內壁)2a的覆膜。
於熱壁24與側壁2a之間，設置有自上方對基板W進行加熱的第二加熱器26。SiC基板W載置於第二加熱器26的下端的更下方。熱壁24由第二加熱器26進行加熱。第二加熱器26例如為電阻加熱型的加熱器。另外，於第二加熱器26與側壁2a之間設置有隔熱材20，防止來自第二加熱器26的熱傳遞至側壁2a。藉由設置隔熱材20，可抑制加熱時的加熱器電力。第二加熱器26亦可為非一體，被分割且能夠分別獨立地控制。
再者，熱壁24亦可藉由設置於熱壁24的外部的高頻線圈而受到感應加熱。
於反應室2的上部，為了提高熱效率，設置有對來自第一加熱器14或第二加熱器26的輻射進行反射的反射器單元RU1、反射器單元RU2。反射器單元RU2設置於反射器單元RU1的下方。
反射器單元RU1、反射器單元RU2包含使用了碳、SiC或被覆SiC的碳的薄板。反射器單元RU1、反射器單元RU2可包含一枚薄板，亦可積層多枚薄板。
於反應室2的上部，設置有氣體供給部30。氣體供給部30經由氣體流路(氣體管道)32、34、36，供給吹掃氣體或SiC源氣體等製程氣體至成膜區域。例如，經由氣體流路32，供給作為吹掃氣體的氬氣或氫氣至基板W上。另外，經由氣體流路34、36，供給矽烷氣體或丙烷氣體作為SiC源氣體至基板W上。再者，圖1中，對於各氣體設置有一條氣體流路，但亦可設置多條氣體 流路。另外，氣體供給部30的結構亦可設為噴灑頭(shower head)型。
再者，於反應室2的上部設置有放射溫度計(未圖示)，可測定基板W的溫度。該情況下，於反應室2的一部分設置未圖示的石英玻璃窗，經由石英玻璃窗利用放射溫度計測定基板W的溫度。
圖2為表示實施形態的氣相成長方法中的SiC基板W的溫度、對第二加熱器26的投入電力、於反應室2內導入的氣體、及基座保持器旋轉速度的時間變化的示意圖。
圖2中，符號ET為SiC磊晶膜的成長溫度。以下，僅記載為成長溫度ET。成長溫度ET例如為1550℃以上且1650℃以下。符號TT為SiC基板W的搬入搬出溫度。以下，僅記載為搬入搬出溫度TT。搬入搬出溫度TT例如為1000℃左右。
另外，圖2中，符號HP表示於SiC基板W的升溫時施加至第二加熱器26的投入電力，符號EP表示於SiC磊晶成長時施加至第二加熱器26的投入電力，符號AP表示於空載運轉中施加至第二加熱器26的投入電力，符號LP表示於SiC基板W的降溫時施加至第二加熱器26的投入電力。
另外，於圖2中，符號HS為SiC磊晶膜的成長時使用的基座保持器16的旋轉速度，且為300rpm(每分鐘轉速(rotation per minute))以上。符號AS為空載運轉中的基座保持器16的旋轉速度，符號TS為SiC基板W及基座S的搬入或搬出時的基座 保持器16的旋轉速度。實施形態的氣相成長方法中，符號TS表示的旋轉速度為0rpm。
再者，基座保持器16的旋轉速度，於載置有基座S及SiC基板W時，與基座S的旋轉速度及SiC基板W的旋轉速度相等。
圖2中，符號A是使基座保持器16的旋轉速度自AS至TS開始減少的時刻，符號B為搬入SiC基板W及基座S的時刻，符號C是使基座保持器16的旋轉速度自TS至AS開始上升的時刻，符號D是使基座保持器16的旋轉速度自AS至HS開始上升的時刻。
另外，圖2中，符號E是使反應室2內導入的氣體自氬氣變化為氫氣的時刻，符號F是使對第二加熱器26的投入電力開始增大至HP的時刻，符號G是使SiC磊晶膜開始成長的時刻，符號H是使對第二加熱器26的投入電力開始減少至LP的時刻，符號I是使對第二加熱器26的投入電力開始增大至AP的時刻。
另外，圖2中，符號J是使反應室2內導入的氣體自氫氣變化為氬氣的時刻，符號K是使基座保持器16的旋轉速度開始減少至TS的時刻，符號L為搬出SiC基板W及基座S的時刻，符號M是使基座保持器16的旋轉速度開始上升至AS的時刻。
圖3(a)~圖3(l)為表示實施形態的氣相成長方法中的氣相成長裝置內的塌陷的落下的方式的示意圖。圖4是實施形態的氣相成長方法的流程圖。
首先，於將SiC基板W及基座S載置於基座保持器16上之前(於圖2的時刻A之前及圖3(a))，即自基座保持器16取出基座S的狀態下，以空載運轉時的基座保持器16的旋轉速度AS所表述的第一旋轉速度，使基座保持器16旋轉(S10)。
第一旋轉速度為100rpm以上。另外，對第一加熱器14投入一定的電力，進而對第二加熱器26投入一定的電力AP，使搬入SiC基板W時的SiC基板W的溫度成為1000℃左右(S12)。
關於此時反應室2的內部導入的氣體，為了使包含氣相成長裝置100的裝置系統安全動作，較佳為惰性氣體。此處，惰性氣體例如為氬(Ar)氣或氦(He)氣。再者，亦可使用氫氣(H2)(S14)。另外，S14亦可於S10前實施。
另外，若對第二加熱器26的投入電力AP發生變化，則熱壁24的溫度發生變化。因此，對第二加熱器26的投入電力較佳為AP且為一定。
另外，若反應室2的內部導入的氣體的種類發生變化，則熱壁24的冷卻效率發生變化，因此熱壁24的溫度發生變化。因此，反應室2的內部導入的氣體的種類較佳為一定且不發生變化。
接著，於圖2的時刻B，使基座保持器16的旋轉速度下降為TS。於所述狀態下，於基座保持器16的基座載置部16a上載置基座S，所述基座S載置有SiC基板W。此處，SiC基板W的溫度較佳為保持為TT(SiC基板搬入搬出溫度)。再者，於搬入 前的SiC基板W的溫度與TT不同的情況下，剛搬入後的SiC基板W的溫度亦與TT不同，於經過一定時間後到達TT，但於圖2中省略SiC基板W的剛搬入後的過渡性的溫度變化(S16)。
接著，於圖2的時刻C及圖3(b)中，使基座保持器16的旋轉速度上升為以AS表述的第一旋轉速度，確認到伴隨著基座保持器16的旋轉的SiC基板W及基座S的偏移(S18)。
接著，於圖2的時刻D及圖3(c)中，使基座保持器16的旋轉速度上升為HS(第二旋轉速度)。再者，若無需所述偏移的確認，則亦可於時刻C使基座保持器16的旋轉速度不經由AS而自TS上升為HS。此處，HS(第二旋轉速度)為300rpm以上。另一方面，上限依存於裝置能力，但只要為可穩定地保持SiC基板W的轉速即可，例如可設為2000rpm。如此，藉由使用高旋轉速度，即便塌陷落下至SiC基板W上，亦可藉由離心力去除。另外，即便為無法利用離心力去除的小的塌陷，亦可容易藉由伴隨著高旋轉速度生成的自基板W上的中心側朝向外周側的高速的氣流而去除(S20)。
接著，圖2的時刻E及圖3(d)中，將反應室2的內部導入的氣體，自惰性氣體(氬氣)切換為SiC成膜中使用的氫氣。此時的SiC基板的溫度較佳為1300℃以下(S22)。
接著，圖2的時刻F及圖3(e)中，使對第二加熱器26的投入電力自AP增大至HP。另外，對第一加熱器14的投入電力亦增大。此時的SiC基板的溫度較佳為1300℃以下(S24)。
另外，關於投入至第二加熱器26的電力HP，為了提高SiC基板W的升溫速度，較佳為大於後述的SiC磊晶膜成長時的投入電力EP。
接著，圖2的時刻F與時刻G之間及圖3(f)中，進而使SiC基板W的溫度上升，使SiC基板W的溫度到達成長溫度ET(S26)。
其後，使對第二加熱器26的投入電力下降為EP，將Si系氣體、C系氣體、用以促進SiC的成長的Cl系氣體等與氫氣一起作為製程氣體，導入至反應室2內而使SiC磊晶膜於SiC基板W上成長(圖2的時刻G及圖3(g))。此時，SiC膜堆積於熱壁24的表面上。再者，亦可以SiC基板W的溫度成為一定的方式，一面利用高溫計(pyrometer)等測定SiC基板W的溫度，一面控制對第一加熱器14及第二加熱器26的投入電力(S28)。
再者，可使SiC磊晶膜成長時的旋轉速度自HS變動，例如亦可一面以100rpm以上且2000rpm以下旋轉，一面使SiC磊晶膜成長。
接著，圖2的時刻H及圖3(h)中，停止製程氣體的導入，導入氫氣，於SiC磊晶膜的成長完成後，使對第二加熱器26的投入電力開始減少至LP。而且，使SiC基板W的溫度減少至TT。再者，在此期間雖將基座保持器16的旋轉速度預先設為HS，但可利用離心力去除塌陷，因此較佳(S30)。
再者，投入至第二加熱器26的電力LP並無特別限定， 為了提高SiC基板W的降溫速度，較佳為低於投入電力AP。例如，投入電力LP較佳為0。
接著，圖2的時刻I及圖3(i)中，若SiC基板W的溫度接近TT，則使投入至第二加熱器26的電力自LP增大至AP而使熱壁24的溫度穩定(S32)。
其後，圖2的時刻J及圖3(j)中，將反應室2的內部導入的氣體自氫氣切換為氬氣(惰性氣體)(S34)。
其後，圖2的時刻K及圖3(k)中，使基座保持器16的旋轉速度下降至TS(S36)。
接著，於圖2的時刻L，將SiC基板W及基座S自反應室2內搬出(S38)。
接著，圖2的時刻M及圖3(l)中，使基座保持器16的旋轉速度增大為AS(S40)。
接著，對本實施形態的氣相成長方法的作用效果進行記載。
通常，使用了SiC的功率元件中，可較佳地使用膜厚為10μm以上的SiC磊晶膜。若使所述厚度的膜厚的SiC磊晶膜成長，則於僅幾次的SiC磊晶膜成長中大量的SiC堆積於熱壁24表面，因此塌陷的發生頻率變高。塌陷有成為元件致命缺陷之虞。
為了抑制塌陷，較佳為頻繁地對反應室2內進行大氣開放而進行氣相成長裝置100的維護。但是，若頻繁地進行維護，則SiC磊晶膜的生產性下降。
認為塌陷尤其於熱壁24的溫度發生變化時容易產生。熱壁24的溫度的變化，於為了使SiC基板的溫度變化而使對第二加熱器26的投入電力變化的情況下，以及使反應室的內部導入的氣體自惰性氣體變化為氫氣或者自氫氣變化為惰性氣體的情況下產生。
為了避免氣相成長裝置的頻繁的維護且使品質高的SiC磊晶膜成長，較佳為藉由於SiC膜成長時的前後有意圖地使塌陷的發生頻率提高，而減少堆積於熱壁表面上的SiC的量。進而，較佳為即便所述塌陷落下至SiC基板上，亦可自SiC基板上去除。
圖2的時刻F及圖3(e)中記載的方法中，藉由使投入至第二加熱器26中的電力增加為HP，熱壁24的溫度上升，因此SiC基板W的溫度上升，且堆積於熱壁24的表面上的SiC產生歪曲，塌陷的發生頻率變高。再者，其後圖3(f)中於SiC基板溫度到達ET時，即使投入至第二加熱器26的電力以HP持續升溫，塌陷發生概率亦下降。
於圖2的時刻E及圖3(d)中記載的方法中，於將導入的氣體自惰性氣體(氬氣)切換為氫氣時，藉由冷卻效率更高的氫氣，熱壁24的溫度下降。因此，堆積於熱壁24的表面上的SiC產生歪曲，因此塌陷的發生頻率變高。
圖2的時刻J中，溫度與SiC磊晶膜成長時相比大幅下降。因此，堆積於熱壁24表面上的SiC產生大的應力。圖2的時刻J及圖3(j)中記載的方法中，藉由將導入的氣體自氫氣切換 為冷卻效率低的惰性氣體(氬氣)，堆積於熱壁24的表面上的SiC發生的應力的平衡急劇變化，因此發生大量的塌陷。
圖2的時刻I中，溫度與SiC磊晶膜成長時相比大幅下降。因此，堆積於熱壁24表面上的SiC產生大的應力。圖2的時刻I及圖3(i)中記載的方法中，若欲使投入至第二加熱器26的電力自LP增大至AP而使熱壁24的溫度穩定，則堆積於熱壁24表面上的SiC發生的應力的平衡急劇變化，因此發生大量的塌陷。再者，於欲使溫度穩定時，亦可使熱壁24的溫度暫時自低溫變化為高溫。
SiC基板的旋轉速度高至300rpm以上，因此即便所述發生頻率變高的塌陷落下至SiC基板W上，亦可藉由離心力去除至SiC基板W外。另外，即便為無法利用離心力去除的小的塌陷，亦可藉由伴隨著高旋轉速度生成的自基板W上的中心側朝向外周側的高速的氣流而容易地去除。因此，可抑制元件致命缺陷的生成，且以高生產性使SiC磊晶膜成長。
較佳為於SiC基板W的溫度為1300℃以下的狀態下，使熱壁24的溫度變化。若SiC基板W的溫度超過1300℃，則有時塌陷於SiC基板W表面固定化。
另外，較佳為於自基座保持器16取出基座S的狀態下，以作為第一旋轉速度的100rpm以上使基座保持器16旋轉。其為於圖2的時刻A之前及圖3(a)、以及圖2的時刻M及圖3(l)中記載的方法。
於較大的塌陷殘留於基座保持器16上的基座載置部16a的情況下，在將SiC基板W及基座S載置於基座保持器16上時，塌陷容易夾入基座載置部16a與基座S之間。因此，難以使基座S及基座S上的SiC基板W保持水平旋轉。
藉由以第一旋轉速度使基座保持器16預先旋轉，即便塌陷落下至基座載置部16a上，藉由伴隨著基座保持器16的旋轉的離心力，可將較大的塌陷、典型而言為具有125000μm3以上的體積的塌陷自基座保持器16上容易地清除。
另外，較佳為於將SiC基板W及基座S載置於基座保持器16上之前，將熱壁24的溫度保持為一定。原因在於：藉由熱壁24的溫度的變化，由於熱壁24的熱膨脹係數與堆積於熱壁24的表面上的SiC的熱膨脹係數的差異，堆積的SiC容易產生歪曲，塌陷的發生頻率變高。
以上，參照具體例對本發明的實施形態進行了說明。所述實施形態只不過是作為示例而列舉，並不限定本發明。另外，當然亦可適當組合各實施形態的構成要素。
例如於本說明書中，主要對使SiC膜於SiC基板W上磊晶成長的情況進行記載。但是，亦可較佳地使用其他Si基板等。
實施形態中，關於裝置構成或製造方法等對於本發明的說明而言並非直接必要的部分等省略了記載，但可適當選擇使用必要的裝置構成或製造方法等。此外，具備本發明的要素且本領域技術人員可適當進行設計變更的所有檢查方法均包含於本發明 的範圍內。本發明的範圍是由申請專利範圍及其均等物的範圍來定義的。
2‧‧‧反應室
2a‧‧‧側壁(內壁)
4‧‧‧旋轉部
6‧‧‧旋轉軸
8‧‧‧軸
10‧‧‧反射器
12、20‧‧‧隔熱材
14‧‧‧第一加熱器
16‧‧‧基座保持器
22‧‧‧排氣部
24‧‧‧熱壁(壁面)
26‧‧‧第二加熱器
30‧‧‧氣體供給部
32、34、36‧‧‧氣體流路
54‧‧‧排氣機構
56‧‧‧真空泵
58‧‧‧調整閥
100‧‧‧氣相成長裝置
RU1、RU2‧‧‧反射器單元
S‧‧‧基座
S1‧‧‧外周基座
S2‧‧‧內部基座
W‧‧‧基板

Claims (10)

  1. 一種氣相成長方法，包括：將基板載置於反應室內設置的旋轉部上；自所述基板的上方於所述基板的上表面供給不含原料氣體的第一製程氣體，並且一面以300rpm以上使所述基板旋轉，一面藉由製程氣體的氣體種的變更及對加熱器的投入電力的變更的至少其中一者使壁面的溫度變動；於使所述基板的溫度上升後，將所述基板控制為規定的成膜溫度，自所述基板的上方於所述基板的所述上表面供給包含原料氣體的第二製程氣體，而使SiC膜於所述基板上成長。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的氣相成長方法，其中於所述基板上使所需的所述SiC膜成長後，使所述基板的溫度下降，自所述基板的上方於所述基板的所述上表面供給所述第一製程氣體，並且一面以300rpm以上使所述基板旋轉，一面使所述壁面的溫度變動。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的氣相成長方法，其中於使所述基板的溫度下降後，自所述基板的上方於所述基板的所述上表面供給所述第一製程氣體，並且一面以300rpm以上使所述基板旋轉，一面於使所述壁面的溫度變動前使所述壁面的溫度穩定。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的氣相成長方法，其中 一面以300rpm以上使所述基板旋轉，一面藉由使所述第一製程氣體自惰性氣體變化為氫氣或者自氫氣變化為所述惰性氣體，而使所述壁面的溫度變化。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的氣相成長方法，其中所述惰性氣體為氬氣或氦氣。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的氣相成長方法，其中於所述基板的溫度為1300℃以下的狀態下，使所述壁面的溫度變化。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的氣相成長方法，其中於將所述基板載置於所述旋轉部上之前、及將所述基板自所述旋轉部上取出之後的至少其中一者的時間點，以100rpm以上使所述旋轉部旋轉。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的氣相成長方法，其中於使所述SiC膜於所述基板上成長後，將所述基板自所述反應室內搬出，使所述旋轉部的旋轉速度增加。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的氣相成長方法，其中一面以100rpm以上且2000rpm以下使所述基板旋轉，一面使所述SiC膜於所述基板上成長。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的氣相成長方法，其中所述壁面設置於所述反應室內，是將進行成膜處理的成膜區域與所述反應室的側壁隔開的熱壁。
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