JP2000150394A - 基板処理装置及び基板位置合わせ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チャンバ内部においてパーティクルの除去を
行うことが可能な成膜装置を提供すること。 【解決手段】 チャンバ２１内部に搬送された基板２７
をプラズマ処理するプラズマ処理装置２０において、基
板２７を保持する回転テーブル２４と、回転テーブル２
４に保持された基板２７の所定温度への加熱を行うヒー
タ３３と、回転テーブル２４の回転駆動を行う回転モー
タ２６と、基板２７をプラズマ処理するに先立ってチャ
ンバ２１内部にガスを供給し基板２７に付着したパーテ
ィクルを除去するガス供給ノズル２２と、チャンバ２１
内部を排気する排気口３４と、を具備することを特徴と
している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置等の基板
処理装置に関し、特にＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体成膜装置においては、半導体ウエ
ハ等の基板上に付着したダストが半導体装置製造の歩留
まりに影響を与えるため、成膜を行う前に別途設けられ
た、例えば枚葉式の洗浄処理装置を用いて基板表面の洗
浄を行い、基板表面からパーティクルの除去を行うと共
に、この基板をダスト管理されたクリーンルーム内に保
管管理し、次工程であるＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖ
ａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理等の成膜処理や
エッチング処理を行っている。

【０００３】しかしながら、基板の洗浄を行ってから成
膜を行うまでの間が長いと、その間に基板表面にパーテ
ィクルが付着する確率が高くなるため、前工程で行った
洗浄処理が無駄になってしまい、このまま成膜処理等を
行うと、パーティクルが付着している上に成膜が為され
て回路パターンが形成されるため、不良発生の原因とな
ってしまう。

【０００４】そこで、このような不良発生を防止するた
め、基板の成膜直前に洗浄することで、その間にパーテ
ィクルが付着するのを防止している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、清浄に
洗浄された基板でも、クリーンルームの大気に触れた場
合には多少のパーティクルの付着は避けられないものと
なっている。これは、いくら清浄に管理されたクリーン
ルーム内部とはいえ、パーティクルを完全に除去するこ
とはできないためである。

【０００６】このようなパーティクルの基板表面への付
着は、基板上に成膜するＣＶＤ装置等では上述の如く不
良の原因となるため、半導体装置製造の歩留まりに大き
く影響を与えるものとなっている。

【０００７】ここで、従来のＣＶＤ装置等においては、
例えば枚葉式の洗浄処理装置等を用いてこの洗浄処理装
置のみで洗浄処理が為されてパーティクルが除去される
構成であり、成膜処理の直前であるＣＶＤ装置等のチャ
ンバ内部においてパーティクルの除去を行う構成は存在
しなく、そのような装置が存在すれば、より歩留まりの
向上が図られるため実現が望まれている。

【０００８】本発明は上記の事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、チャンバ内部において
パーティクルの除去を行うことが可能な基板処理装置及
び基板位置合わせ装置を提供しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、処理室内部に搬送された基
板を処理する基板処理装置において、上記基板を保持す
る保持手段と、上記保持手段に保持された基板の加熱を
行う加熱手段と、上記保持手段の回転駆動を行う駆動手
段と、上記基板を処理するための処理ガスを供給する処
理ガス供給手段と、上記基板に付着したパーティクルを
除去するクリーニングガスを供給するクリーニングガス
供給手段と、上記処理室内部を真空吸引する吸引手段
と、を具備することを特徴とする基板処理装置である。

【００１０】請求項２記載の発明は、上記保持手段は上
記基板に対して上下方向の振動を付与する振動機構を備
えたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置であ
る。

【００１１】請求項３記載の発明は、上記基板処理装置
は成膜装置であることを特徴とする請求項１または請求
項２記載の基板処理装置である。

【００１２】請求項４記載の発明は、上記基板処理装置
はエッチング装置であることを特徴とする請求項１また
は請求項２記載の基板装置である。

【００１３】請求項５記載の発明は、処理室内部で基板
の位置合わせを行う基板位置合わせ装置において、上記
基板を保持する保持手段と、上記保持手段を回転駆動さ
せる駆動手段と、上記駆動手段により回転駆動される基
板の位置ずれを検出する検出手段と、上記処理室内部に
クリーニングガスを供給して上記基板に付着したパーテ
ィクルを除去するクリーニングガス供給手段と、上記処
理室内部を真空吸引する吸引手段と、を具備しているこ
とを特徴とする基板位置合わせ装置である。

【００１４】請求項６記載の発明は、上記保持手段に保
持された基板の所定温度への加熱を行う加熱手段が設け
られていることを特徴とする請求項５記載の基板位置合
わせ装置である。

【００１５】請求項１の発明によると、保持手段の回転
駆動を行う駆動手段が設けられたため、この保持手段に
保持された基板を回転駆動させることで、基板の上面に
付着したパーティクルに遠心力を作用させてこのパーテ
ィクルを除去することが可能となる。

【００１６】また、基板を処理するに先立って処理室内
部にクリーニングガスを供給し基板に付着したパーティ
クルを除去するクリーニングガス供給手段と、この処理
室内部を真空吸引する吸引手段が設けられた構成である
ため、基板を回転させることでクリーニングガスに基板
に向かうガス流れを作り基板上面に付着したパーティク
ルを吹き流すことが可能となる。更に、吸引手段により
このチャンバ内部に供給されたガスを真空吸引により排
気することで、一層基板の上面にガスの流れが形成され
易くなり、それによって基板上面に付着したパーティク
ルの除去を一層行い易い状態にすることが可能となる。

【００１７】また、保持手段に保持された基板の所定温
度への加熱を行う加熱手段が設けられているので、この
基板の上面に付着したパーティクルに伴う水分を蒸発さ
せることが可能となり、それによって水分により基板に
吸着しているパーティクルを除去し易くなる。

【００１８】請求項２の発明によると、上記保持手段に
は上下方向に振動可能な振動機構が備えられており、こ
の振動機構により保持手段に保持された基板に対して上
下方向の振動が与えられるので、基板の上面に付着した
パーティクルは上述の振動機構で振動が与えられること
で、一層パーティクルの除去が行い易くなる。

【００１９】請求項３の発明によると、上記基板処理装
置は成膜装置であるため、成膜前に基板の上面に付着し
ているパーティクルを除去することで、この基板に対し
ての成膜が精度良く行うことが可能となり、それによっ
て不良の発生を低減することができる。このため、製品
の歩留まりを向上させることが可能となる。

【００２０】請求項４の発明によると、上記基板処理装
置はエッチング装置であるため、エッチング処理するに
先立って基板の上面に付着したパーティクルを除去すれ
ば、基板に対するエッチング処理を精度良く行うことが
できる。それによって、成膜などの次工程において不良
の原因が除かれ、基板の上面に回路パターンを形成する
場合でも、この回路パターン形成の精度が向上する。

【００２１】請求項５の発明によると、基板の位置合わ
せを行う基板位置合わせ装置において、基板を保持する
保持手段と、保持手段を回転駆動させる駆動手段と、駆
動手段により回転駆動されることで基板の位置ずれを検
出する検出手段と、処理室内部にクリーニングガスを供
給して基板に付着したパーティクルを除去するクリーニ
ングガス供給手段と、チャンバ内部を真空吸引する吸引
手段を具備しているため、基板の位置ずれを検出手段に
より検出しながら、上述のガス供給手段及び吸引手段で
基板の上面に付着したパーティクルを除去することが可
能となる。それによって、例えばマルチチャンバシステ
ムなどにおいては、基板の位置ずれを検出すると共に基
板の上面に付着したパーティクルの除去を行うことがで
き、その後にロボットなどによって基板処理室に導入す
れば、基板の処理が良好に行える。

【００２２】請求項６の発明によると、保持手段に保持
された基板の所定温度への加熱を行う加熱手段が設けら
れているため、基板位置合わせ装置においても水分によ
って基板の上面に吸着しているパーティクルを除去する
ことが可能となる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図１及び図２に基づいて説明する。基板処理装置
の一種である成膜装置としてのＣＶＤ装置２０は、内部
に反応ガスを導入して成膜処理を行うためのチャンバ２
１を有している。このチャンバ２１の上端面には、内部
に窒素ガス等の不活性ガスを供給するためのガス供給ノ
ズル２２が取り付けられており、外部に設けられたガス
の供給源よりチャンバ２１内部に、例えば窒素などの不
活性ガスを供給できる構成となっている。

【００２４】上記チャンバ２１内部に導入された不活性
ガスは、このチャンバ２１内部を仕切るガス整流板２３
に導入される。ガス整流板２３は、ガス供給ノズル２２
より導入された不活性ガスを均一化して下方に導入し、
それによって下方に設けられた基板２７への不活性ガス
の導入の均一化を図るものである。

【００２５】ガス整流板２３の下方には、回転テーブル
２４が位置している。回転テーブル２４には、下面側に
回転軸２５が取り付けられている。この回転軸２５の下
端側は、チャンバ２１外方に設けられた回転モータ２６
に連結されている。それによって、回転モータ２６の回
転駆動が直接回転テーブル２４に伝達されるようになっ
ている。

【００２６】回転モータ２６には図２に示すような磁気
軸受モータ２６ａが用いられる。磁気軸受モータ２６ａ
は、上記回転テーブル２４と連結された回転軸２５を中
央に有している。この回転軸２５は、外周面の軸線方向
に沿って９０度間隔で突出形成された突起部２８を有し
ており、この突起部２８がコイル（A1，A2）…と近接対
向するように設けられている。

【００２７】上記コイル（A1，A2）…は、上記突起部２
８と同様に回転軸２５の周囲に４組程配置されている。
すなわち、図２（ｂ）に示すようにコイル（A1，A2），
（B1，B2），（C1，C2），（D1，D2）が、夫々９０度の
間隔毎に配置されている。

【００２８】また、図２（ａ）に示すように、同角度に
配置されているコイル（A1，A2）…においても、（A1，
B1，C1，D1）に対して（A2，B2，C2，D2）は、所定の距
離だけ離間して配置されている。

【００２９】上記コイル（A1，A2）…は、互いに配線２
９により電気的に接続されている。これにより、コイル
A1とコイルA2は同電位となるように設けられている。ま
た、この配線２９は、回転制御回路３０と電気的に接続
されており、コイル（A1，A2）に導通させる電流を制御
している。なお、他のコイル（B1，B2），（C1，C2），
（D1，D2）においても、同様の構成であり、また夫々コ
イル（A1，A2）…が独立に回転制御回路３０に電気的に
接続されている。

【００３０】回転制御回路３０には、電源回路３１が接
続されている。この電源回路３１は、外部から供給され
る交流電源を直流に変換するものであり、ここから回転
制御回路３０及び振動付与制御回路３２に電力が供給さ
れる。

【００３１】この回転制御回路からコイル（A1，A2），
（B1，B2），（C1，C2），（D1，D2）に対して順次電流
を切り替えながら導通させることにより、回転軸２５に
回転力を付与することが可能な構成である。

【００３２】また、回転軸２５の回転テーブル２４が取
り付けられている部位とは反対側の他端（図では下端）
には、この回転軸２５の端部と近接対向するようにコイ
ルＥが設けられている。コイルＥは、回転軸２５に対し
てこの軸線方向（上下方向）に振動を付与するものであ
り、振動付与手段にこのコイルＥが配線３３を介して接
続されている。このコイルＥには高周波電流が付与され
る構成であり、それによって回転軸２５を上下方向に振
動させることを可能としている。この磁気軸受モータ２
６ａを用いると、回転軸２５が完全に浮いた状態、すな
わち非接触状態を保ちながら回転駆動を行うことが可能
となる。

【００３３】また、コイルＥが設けられ、このコイルＥ
に高周波を付与すると回転軸２５が上下方向に振動する
構成であるため、回転軸２５に付与する振動によって基
板２７に付着しているパーティクルの除去を一層行い易
い構成としている。

【００３４】上記回転テーブル２４は、その上面で基板
２７を保持可能とするために、外周部分に係止手段２７
ａが設けられている。この係止手段２７ａは、例えば上
方に所定の高さだけ突出して設けられたピン状部材等で
あり、このピン状部材が回転テーブル２４の外周部分に
沿って所定間隔で配置されている。それによって、基板
２７の係止が良好に為される構成となっている。

【００３５】回転テーブル２４の下方には、ヒータ３３
が取付けられている。このヒータ３３は、回転テーブル
２４上に載置された基板２７を所定の温度に加熱して成
膜処理に適した温度に温度調節するものであり、それに
よってｐｏｌｙ−Ｓｉ成膜の開発を良好に行えるように
している。

【００３６】チャンバ２１の底部には、チャンバ２１内
部の排気を行うための排気口３４が設けられている。こ
の排気口３４は、不図示の吸引手段に接続されており、
この吸引手段が作動することでチャンバ２１内部の真空
吸引を行えるようになっている。

【００３７】なお、上述のガス供給ノズル２２は、チャ
ンバ２１内部に不活性ガスを導入できる構成であるが、
このガス供給ノズル２２は、不活性ガスを導入した後に
は成膜処理のための処理ガスをも導入できる構成であ
る。このため、ガス供給ノズル２２は不図示の処理ガス
供給源にも連結されており、この不活性ガスの供給と処
理ガスの供給との切り替えは、例えば切替弁などによっ
て為される構成となっている。

【００３８】また、処理ガス供給のための他のガス供給
ノズルを、上述のガス供給ノズル２２とは別個に設ける
構成であっても構わない。

【００３９】以上のような構成を有するＣＶＤ装置２０
の作用について、以下に説明する。基板２７の成膜を行
う場合には、上記チャンバ２１の上端に取り付けられた
ガス供給ノズル２２よりチャンバ２１内部に不活性ガス
を供給する。この場合、上記チャンバ２１内部への不活
性ガスの供給は、例えば不活性ガスとしての窒素ガスを
３０〜５０ｓｌｍ程度の範囲で供給している。これと共
に、このチャンバ２１内部の真空吸引を行い、このチャ
ンバ２１内部の圧力を数ｔｏｒｒ〜２００ｔｏｒｒの範
囲内に設定する。

【００４０】このチャンバ２１内部の圧力設定と共に、
上記回転テーブル２４に保持された基板２７の回転駆動
を行う。この基板２７の回転は、パーティクルを除去す
る必要性から速ければ速いほど好ましいが、その一例と
しては略３０００ｒｐｍ程度で回転テーブル２４の回転
駆動を行っている。

【００４１】上記回転テーブル２４の回転駆動を行うと
共に、上記基板２７の上面に付着した水分を蒸発させる
べく、上記基板２７をヒータ３３で加熱する。このヒー
タ３３は、上記基板２７のＰｏｌｙ−Ｓｉ成膜の開発を
行うべく６５０〜７５０度程度に加熱されるが、ＣＶＤ
装置２０においては４００〜１２００度程度が実用範囲
であり、また温度は高ければ高い程水分が蒸発されるの
で、このような範囲において適宜の温度を設定すること
が可能である。

【００４２】すると、不活性ガス（クリーニングガス）
は基板２７に対してその流れが整えられて吹き付けら
れ、また基板２７は回転駆動されているため、回転によ
る吸引効果でウエハ面へのガス流れがより均一になる。
それに伴って不活性ガスは基板２７外周側に向かう流れ
を生じる。この不活性ガスの流れにより、基板２７の上
面に付着しているパーティクルが吹き飛ばされてこの基
板２７表面の洗浄が図られる。なお、この不活性ガスの
基板２７外周側へ向かう流れは、上記排気口３４からの
不活性ガスの吸引排気によってもより流れが生じ易いも
のとなっている。

【００４３】なお、上記回転テーブル２４の回転数は、
この基板２７の上面に付着したパーティクルを動き易く
するために、回転数は高ければ高いほど好ましい。一例
として、回転テーブル２４は、略３０００ｒｐｍ程度に
設定され、成膜が行われている。

【００４４】なお、回転テーブル２４の回転駆動を行う
に際しては、回転モータ２６である磁気軸受モータ２６
ａを作動させてこの回転テーブル２４に上下方向への振
動を与えても構わない。すると、この振動の付与によっ
て基板２７の表面に付着しているパーティクルの除去を
行える。

【００４５】これらの基板２７表面からのパーティクル
の除去が終了した後に、ガス供給ノズル２２から処理ガ
スの供給を行う。それによって、清浄化が為された基板
２７の表面にＣＶＤ処理が為される。

【００４６】このような構成のＣＶＤ装置２０による
と、ガス供給ノズル２２により基板２７の表面に不活性
ガスを導入してこの基板２７の表面に不活性ガスの流れ
を与える構成であるため、基板２７の表面に付着したパ
ーティクルを吹き流すことが可能となる。このため、基
板２７表面の清浄化が為された後に、基板２７の表面に
成膜処理を行えば、この基板２７への成膜処理が良好に
行うことができ、また半導体製造装置の歩留まりが向上
したものとなる。

【００４７】また、回転テーブル２４の下方にはヒータ
３３が設けられており、このヒータ３３を作動させて基
板２７を適宜の温度に加熱することで、パーティクルと
共に基板２７の表面に付着している水分を蒸発させるこ
とが可能となる。それによって、パーティクルの付着に
粘着力を与えている水分をなくすることができ、一層基
板２７の表面からのパーティクルの除去を行うことが可
能となる。

【００４８】更に、回転モータ２６は磁気軸受モータ２
６ａであり、基板２７に上下方向の振動を与えることが
可能な構成であるため、この基板２７への振動の付与に
よって、一層基板２７の表面からのパーティクルの除去
を行うことが可能となっている。

【００４９】以上、本発明の一実施の形態について説明
したが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となってい
る。以下それについて述べる。

【００５０】上記実施の形態では、基板２７に対して不
活性ガスの供給、真空吸引による基板２７表面への気流
の形成、回転テーブル２４の回転駆動、ヒータ３３での
加熱、磁気軸受モータ２６ａによる上下方向の振動の付
与を夫々実現できる構成となっているが、これらのうち
いずれかを組み合わせてパーティクルの除去を行う構成
としても構わない。

【００５１】また、本発明はＣＶＤ装置２０に限られ
ず、例えばエッチング処理装置等の各種処理装置におい
ても本発明の構成を適用可能である。特に、エッチング
装置においては、その構成が上述のＣＶＤ装置２０とほ
ぼ同等の構成となる。また、エッチング処理装置以外の
プラズマ処理装置にも適用することが可能となってい
る。

【００５２】さらに、基板２７に対するオリフラ５１や
ノッチ合わせを行う基板位置合わせ装置４７にも本発明
を適用可能である。これは、例えば図３に示すようなマ
ルチチャンバシステム４０においては、通常中央に略六
角形状に形成された搬送室４１を有しており、この搬送
室４１に搬送ロボット４２を具備している。また、基板
２７が他の洗浄処理装置等から搬送されるロードロック
室４３、及びＣＶＤ装置２０等のプロセス室４４と共
に、基板２７に対するオリフラやノッチ合わせを行う図
４に示す基板位置合わせ装置４７が存する基板位置合わ
せ室４５が設けられてマルチチャンバシステム４０を構
成している。また、プロセスの終了した基板２７を冷却
するための冷却室４６も有している。

【００５３】この場合、基板位置合わせ装置４７には、
基板２７を保持するターンテーブル４８が設けられてお
り、このターンテーブル４８が回転機構４９によって回
転駆動される構成である。そして、ターンテーブル４８
上に載置された基板４７の外周部分を検出すべくセンサ
５０が設けられており、このセンサ５０でオリフラ５１
の検出を可能としている。

【００５４】この場合、回転機構４９を利用してセンサ
５０で基板２７の表面に付着したパーティクルの除去を
行うことが可能である。

【００５５】また、基板位置合わせ装置４７の基板位置
合わせ室４５に上述の実施の形態で述べたガス供給ノズ
ルや排気口、或いはヒータ、磁気軸受モータを具備する
構成とすることで、より一層パーティクルの除去を良好
に行い得る構成となっている。その他、本発明の要旨を
変更しない範囲において、種々変形可能となっている。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
保持手段に保持された基板を回転駆動させることで、基
板の上面に付着したパーティクルを、基板の回転による
クリーニングガスの吸引効果で基板上への均一なガス流
れを形成し、この流れと遠心力を作用させてこのパーテ
ィクルを除去することが可能となる。

【００５７】また、ガス供給手段によるガスの上面への
供給で基板上面に付着したパーティクルを吹き流すこと
が可能となる。さらにチャンバ内部に供給されたガスを
真空吸引により排気することで、一層基板の上面にガス
の流れが形成され易くなり、それによって基板上面に付
着したパーティクルの除去を一層行い易い状態にするこ
とが可能となる。

【００５８】また、加熱手段により基板の上面に付着し
たパーティクルに伴う水分を蒸発させることが可能とな
り、それによって水分により基板に吸着しているパーテ
ィクルを除去し易くなる。

【００５９】また、振動機構を具備すれば、保持手段に
保持された基板に対して上下方向の振動が与えられるた
め、基板の上面に付着したパーティクルの除去を一層良
好に行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係わるＣＶＤ装置の構
成を示す側断面図。

【図２】同実施の形態に係わる磁気軸受モータの構成を
示す図であり、（ａ）は磁気軸受モータの側面からの構
成を示す図、（ｂ）は磁気軸受モータの上面から見た構
成を示す図。

【図３】本発明の変形例に係わるマルチチャンバシステ
ム及び基板位置合わせ装置の構成を示す平面図。

【図４】本発明の変形例に係わる基板位置合わせ装置及
び搬送ロボットの構成を示す図。

【符号の説明】

２０…ＣＶＤ装置 ２１…チャンバ ２２…ガス供給ノズル ２４…回転テーブル ２５…回転軸 ２６…回転モータ ２７…基板 ３３…ヒータ ３４…排気口 ４０…マルチチャンバシステム ４７…基板位置合わせ装置

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 DA06 EA03 EA11 GA04 GA06 KA12 KA23 KA28 4M104 DD44 HH20 5F004 AA14 BA19 BB18 BB21 BB26 BC06 BC08 BD04 CA09 5F031 HA37 JA27 KA13 KA14 LA07 MA04 MA28 MA32 NA02 NA04 NA16 PA26 5F045 AB03 AD10 AD11 BB14 DP03 DP28 DQ17 EB08 EB13 EE20 EF05 EF14 EK07 EM10 EN04 EN06 HA25

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室内部に搬送された基板を処理する
   基板処理装置において、 上記基板を保持する保持手段と、 上記保持手段に保持された基板の加熱を行う加熱手段
   と、 上記保持手段の回転駆動を行う駆動手段と、 上記基板を処理するための処理ガスを供給する処理ガス
   供給手段と、 上記基板に付着したパーティクルを除去するクリーニン
   グガスを供給するクリーニングガス供給手段と、 上記処理室内部を真空吸引する吸引手段と、 を具備することを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 上記保持手段は上記基板に対して上下方
   向の振動を付与する振動機構を備えたことを特徴とする
   請求項１記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 上記基板処理装置は成膜装置であること
   を特徴とする請求項１または請求項２記載の基板処理装
   置。
4. 【請求項４】 上記基板処理装置はエッチング装置であ
   ることを特徴とする請求項１または請求項２記載の基板
   装置。
5. 【請求項５】 処理室内部で基板の位置合わせを行う基
   板位置合わせ装置において、 上記基板を保持する保持手段と、 上記保持手段を回転駆動させる駆動手段と、 上記駆動手段により回転駆動される基板の位置ずれを検
   出する検出手段と、 上記処理室内部にクリーニングガスを供給して上記基板
   に付着したパーティクルを除去するクリーニングガス供
   給手段と、 上記処理室内部を真空吸引する吸引手段と、 を具備していることを特徴とする基板位置合わせ装置。
6. 【請求項６】 上記保持手段に保持された基板の所定温
   度への加熱を行う加熱手段が設けられていることを特徴
   とする請求項５記載の基板位置合わせ装置。