TWI677537B - 用於壓紋微影之壓紋材料及其組合和用途 - Google Patents

用於壓紋微影之壓紋材料及其組合和用途 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種可硬化且用於壓紋微影之壓紋材料，其係由以下之混合物組成：至少一種可聚合主要組分，及至少一種次要組分。
此外，本發明係關於一種如技術方案中任一項之壓紋材料於初步形成壓紋形式(4、4’、4”、4'''、4IV)之用途。

Description

用於壓紋微影之壓紋材料及其組合和用途
本發明係關於如技術方案1之壓紋材料及如技術方案7之用途。
在半導體產業中，壓紋微影法越來越多地用以補充或替代標準光學微影法。藉由使用微米結構及/或奈米結構壓紋模，得到一種使黏性壓紋材料結構化之機械選擇(並不限於光繞射現象)。該結構化黏性壓紋材料在壓印製程之前及/或期間交聯/硬化，以保持尺寸穩定性。在此情形下，該交聯特定言之係經由電磁輻射，較佳UV光及/或藉助加熱(亦即以熱學方式)完成。交聯後，該壓紋模可自硬化壓紋材料移除。剩餘的硬化壓紋材料業已具有功能形狀或在後續製程步驟中經進一步處理。大量主要基於無機分子之壓紋材料在脫模步驟後還要在極高溫度下進行熱處理。該熱處理確保該壓紋材料進行不可逆硬化。當使用具有有機及無機分子之壓紋材料時，熱處理主要確保移除該壓紋材料之有機部份並使無機分子相互交聯。因此，可藉由沖模法使由有機及無機分子組成之壓紋材料結構化，並在沖模法後將其轉化為完全無機材料。
為使壓紋材料結構化，需要特殊的壓紋模。該等壓紋模必須滿足極高要求，以使得其微米-及/或奈米-尺寸結構可作為陰模完美地轉移至該壓紋材料中。在當前技術水平下，存在許多不同類型之模具。硬模及軟模間 原則上存在區別。
硬模係由金屬、玻璃或陶瓷組成。其可變形性較差、耐腐蝕、耐磨且生產極為昂貴。在大多數情形下，硬模之表面經電子束微影或雷射束微影處理。此等生產方法通常極為昂貴。硬模之優勢主要在於耐磨性高。決定性劣勢在於抗彎強度高，其不允許該壓紋模如軟模一樣一塊一塊地自壓紋材料剝離。硬模僅可藉由其整個表面上之法向力抬離壓紋材料。
軟模通常係形成作為硬模之陰模。在大多數情形下，其係由聚合物組成，且其具有高彈性及低彎曲強度。在大多數情形下，其具有熵彈性。原因主要在於壓紋材料與軟模間之高水平黏著力及/或軟模之膨脹。軟模可藉由各種化學、物理及技術參數與硬模區分開。可想到基於彈性性質之區別。軟模具有主要基於熵彈性之變形性能，且硬模具有主要基於能量彈性之變形性質。此外，該等兩類模具可依據(例如)其硬度進行區分。硬度係材料抵抗滲透主體之阻力。由於硬模主要係由金屬或陶瓷組成，故其具有相應高硬度值。有各種指示固體硬度之方法。極其常見的方法係根據維式硬度(Vickers)指示硬度。若不作詳細敘述，大致可說硬模具有大於500HV之維式硬度值。理論上，此等軟模當可極簡單地自壓紋材料移除，然而情況通常並非如此。因此，當前壓紋技術之最大問題主要在於脫模步驟，亦即自壓紋材料分離壓紋模，特定言之軟模。
因此，本發明之目標係提供可更好地自壓紋模分離之壓紋材料。
該目標係由技術方案1之特徵實現。附屬請求項中指示本發明之其他有利進展。說明書、技術方案及/或圖式中指示之特徵之至少兩者之所有組合亦落於本發明範圍內。在所指示數值範圍中，位於上述極限內之數值 亦應視作揭示為邊界值，且可主張任何組合。
1‧‧‧基板
1’‧‧‧蝕刻基板
2、2’‧‧‧壓紋材料
3‧‧‧功能單元
4、4’、4”、4'''、4IV、4V、4VI、4VII‧‧‧壓紋形式
5‧‧‧層
5o‧‧‧表面
6‧‧‧光學元件
7‧‧‧貫穿觸點
8、8’‧‧‧模具
9‧‧‧壓紋結構
10‧‧‧接點
11、11’‧‧‧接觸接入點
由申請專利範圍及隨後關於圖式中圖之描述推斷出本發明之其他特徵及實施例。圖式顯示：圖1 本發明壓紋材料之本發明第一用途之橫截面示意圖，圖2 本發明壓紋材料之本發明第二用途之橫截面示意圖，圖3 本發明壓紋材料之本發明第三用途之橫截面示意圖，圖4 由壓紋材料製成之蝕刻遮罩之本發明第四用途之橫截面示意圖，圖5 本發明壓紋材料作為壓紋模之本發明第五用途之橫截面示意圖，圖6 本發明壓紋材料在接觸式微影術中之本發明第六用途之橫截面示意圖，圖7 本發明壓紋材料作為局部有限貫穿蝕刻絕緣層之本發明第七用途之橫截面示意圖，及圖8 本發明壓紋材料作為轉移蝕刻遮罩之本發明第八用途之橫截面示意圖。
圖1顯示本發明壓紋材料2藉由初步形成第一壓紋形式4而封裝或保護基板1上之功能單元3之第一用途。
圖2顯示本發明壓紋材料2藉由初步形成第二壓紋形式4’而作為基本材料及構造材料之第二用途。
圖3顯示本發明壓紋材料2經由功能單元3而產生光學元件6之第三用途。在此情形下，該光學元件6較佳可直接經由功能單元3藉由初步形成第 三壓紋形式4”形成壓紋。
圖4顯示本發明壓紋材料2藉由初步形成第四壓紋形式4'''與業已存在的貫穿觸點7作為蝕刻遮罩之第四用途。貫穿觸點7高達待蝕刻之層5之表面50。
圖5顯示本發明壓紋材料2藉由初步形成第五壓紋形式4IV作為模具8之第五用途。
圖6顯示本發明壓紋材料2以第六壓紋形式4V作為模具8’之壓紋結構9上之壓紋材料之第六用途。
圖7顯示本發明壓紋材料2之第七用途。在第一製程步驟(壓紋步驟)中，施加於基板1上之壓紋材料2之結構化方式為壓紋材料2具有經由導電觸點10之仍未開放接觸接入點11。接點10係連接至(例如)功能單元3。在第二製程步驟(蝕刻步驟)中，蝕刻壓紋材料2，直至仍未開放接觸接入點11完全蝕刻，以形成接觸接入點11’。接觸接入點11’達到接點10。在其他製程步驟(未顯示)中，然後可用導電材料塗覆壓紋材料2’，其使接點10與壓紋材料2’表面接觸，或形成至個別接點之可行連接。
圖8顯示本發明壓紋材料2作為轉移蝕刻遮罩之第八用途。在第一製程步驟中，使本發明壓紋材料2結構化。在圖8中，舉例言之，可看到呈若干個透鏡6形式之結構。結構化的本發明壓紋材料2位於實質上待蝕刻之基板1上。藉由蝕刻法使基板1形成蝕刻基板1’，未顯示。將本發明壓紋材料2之形狀以使得該形狀完全消失的方式轉移至基板1中。在所示實例中，壓紋材料2與基板1之蝕刻速率相同。若後者之蝕刻速率不同，則在透鏡6之具體實例中，該結構之形狀將在轉移過程中發生變化。
本發明描述用於壓紋微影之壓紋材料及本發明壓紋材料之應用/用途。該壓紋材料係以至少一種較佳由無機及/或有機部份組成之主要組分及至少一種適合/用於(特定言之)設定該壓紋材料與水之相互作用性質之次要組分(較佳為有機組分)之混合物為特徵。將主要組分定義為在主要程度上有助於產生最終壓紋形狀之組分。將次要組分定義為與該主要組分混合之所有其他組分；此等組分主要包括彼等藉以設定/影響本發明親水性或疏水性之有機組分、引發劑及溶劑。根據本發明，該壓紋材料因此亦可由若干種主要組分及/或若干種次要組分組成。在下文中，雖然舉例時提及不超過一種主要組分及一種次要組分，但本發明壓紋材料中可提供根據本發明之若干種主要組分及/或若干種次要組分。
根據本發明，因此存在第一組分(主要組分)。第二組分係實質上有助於設定本發明親水性或疏水性之組分，較佳為有機化合物。第三組分為溶劑。第四組分為啟動主要組分間之聚合作用之引發劑，較佳為光引發劑。藉由塗覆方法將該由至少四種組分組成之混合物沉積於基板上。就重量百分比而言，溶劑至少在初步形成壓紋材料之前遠遠重於主要組分之重量百分比。該主要組分之比例以重量百分比計係小於10%，較佳小於8%，更佳小於6%，甚至更佳小於4%，及最佳小於3%。實質上負責設定親水性或疏水性之第二組分之比例以重量百分比計係小於2%，較佳小於1.5%，更佳小於1.0%，甚至更佳小於0.5%，及最佳小於0.1%。所用引發劑(較佳為光引發劑)之比例以重量百分比計係小於2%，較佳小於1.5%，更佳小於1.0%，甚至更佳小於0.5%，及最佳小於0.2%。所用溶劑之比例以重量百分比計係小於98%，較佳小於96%，更佳小於94%，甚至更佳小於92%，及最佳小於90%。移除該混合物之該溶劑或使其揮發後，本發明壓紋材料 之重量百分比相應地發生變化。
聚合性、收縮性及/或黏著性可特地設定或至少可受到尤其係有機物之次要組分之影響。較佳地，有機次要組分之選擇方式為：使得壓紋材料與壓紋模間之黏著力儘可能小，且使得該壓紋模可簡單地自該壓紋材料脫模。特定言之，就儘可能簡單的脫模而言，當壓紋模表面係親水時，該壓紋材料應選擇疏水表面，且反之亦然。
根據本發明之一有利實施例，疏水模表面及壓紋材料之疏水表面之組合對脫模而言係尤為理想。可以經驗方式根據本發明確定理想組合。
將親水性定義為某一物質表面與水相互作用之高能力。親水表面主要係極性，且相應地與流體分子之永久偶極子(較佳與水)具有良好相互作用。表面之親水性係藉助接觸角測量裝置定量。在此情形下，親水表面具有極小接觸角。若本發明壓紋材料必須具有親水表面方能儘可能容易地自模具脫模，則應考量根據本發明之以下數值範圍：根據本發明，親水表面特定言之具有小於90°，較佳小於60°，更佳小於40°，甚至更佳小於20°及最佳小於1°之接觸角。
相應地將疏水性定義為某一物質表面與水相互作用之低能力。
疏水表面主要係非極性，且幾乎不與流體分子之永久偶極子相互作用。在本發明之一實施例中，若本發明壓紋材料具有疏水表面方能儘可能容易地自模具脫模，則應考量根據本發明之以下數值範圍：根據本發明，疏水表面具有大於90°，較佳大於100°，更佳大於120°，甚至更佳大於140°及最佳大於160°之接觸角。根據本發明之另一尤其獨立態樣，提供壓紋材料，其中主要組分與至少一種次要組分間之混合比例之設定方式為：在壓印製程後，由此所產生之壓紋材料可在不損傷壓紋結構下藉由壓紋模 松開，因為該壓紋材料對該壓紋模之低黏著力性質。在此情形下，主要組分較佳係有機/無機化合物。在此情形下，次要組分較佳係有機化合物。
本發明另外係基於自特殊混合物生產壓紋材料之尤其獨立理念。該混合物係由至少一種主要組分及至少一種次要組分組成。該主要組分較佳係倍半矽氧烷。根據本發明，此外，可想到以下材料：
●多面體低聚倍半矽氧烷(POSS)
●聚二甲基矽氧烷(PDMS)
●原矽酸四乙酯(TEOS)
●聚(有機)矽氧烷(矽酮)
●全氟聚醚(PFPE)
該次要組分可由任何有機及/或無機化合物組成。該等次要組分主要負責設定本發明親水性或疏水性，其容許促進該模具自本發明壓紋材料脫模。特佳地，該等次要組分具有影響親水性或疏水性之相應官能團。此等次要組分可具有任何複雜(較佳有機)設計。由於無法列出所有可影響本發明壓紋材料之本發明親水性或疏水性之潛在化合物，取而代之地，提及化學物質及/或官能團之一些集合名稱。因此，化合物可由以下列表之成份之組合組成。所有出現在該列表中之化合物均可用作單體或聚合物。該等次要組分中之至少一者較佳為有機化合物，特定言之係以下化合物中之一者：
●丙烯酸系物質或(聚)丙烯酸酯
●環氧化物
●環氧樹脂
●酚類
●烷烴
●烯烴
●炔烴
●苯
●醚
●酯
●羧酸
●酮
●醇。
在一相當特殊實施例中，該次要組分之官能團可屬於與主要組分之有機官能團相同之官能團。
溶劑始終用於溶解根據本發明之主要組分、引發劑及有機組分，藉此設定及/或影響親水性或疏水性。較佳地，將該等溶劑移出本發明壓紋材料或在生產實際結構過程中依靠自身逸出。較佳地，使用以下溶劑中之一者：
●丙酮
●乙腈
●苯胺
●環己烷
●正戊烷
●三乙二醇二甲醚(三甘醇二甲醚)
●二甲基乙醯胺
●二甲基甲醯胺
●二甲基亞碸
●1,4-二噁烷
●冰醋酸
●乙酸酐
●乙酸乙酯
●乙醇
●二氯乙烷
●乙二醇
●苯甲醚
●苯
●苯甲腈
●乙二醇二甲醚
●石油醚/輕汽油
●哌啶
●丙醇
●碳酸丙烯酯(4-甲基-1,3-二氧雜環戊烯-2-酮)
●吡啶
●γ-丁內酯
●喹啉
●氯苯
●氯仿
●正庚烷
●2-丙醇(異丙醇)
●甲醇
●3-甲基-1-丁醇(異戊醇)
●2-甲基-2-丙醇(第三丁醇)
●二氯甲烷
●甲基乙基酮(丁酮)
●N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)
●N-甲基甲醯胺
●四氫呋喃
●乳酸乙酯
●甲苯
●二丁醚
●二乙二醇
●***
●溴苯
●1-丁醇
●第三丁基甲醚(TBME)
●三乙胺
●三乙二醇
●甲醯胺
●正己烷
●硝基苯
●硝基甲烷
●1,1,1-三氯乙烷
●三氯乙烯
●二硫化碳
●環丁碸
●四氯乙烯
●四氯化碳
●丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)
●水。
以相應化學計量正確比將該等主要組分及該等次要組分與引發劑(其啟動鏈式反應)混合在一起。由於主要組分與次要組分及引發劑的混合，在該引發劑活化的情況下，其特別或至少主要導致該等主要組分之有機部份間發生聚合反應。原因可能在於該等次要組分部份參與該聚合反應。特定言之，僅有主要組分彼此聚合。在聚合期間，長鏈分子及/或完整的2D-及/或3D-網絡較佳係用數量專門可調節之單體製成。在此情形下，單體數量大於1，較佳大於10，更佳大於100及最佳大於1,000，且最佳情形係單體聚合形成完整的2D-及/或3D-網絡。
本發明壓紋材料之親水性(或疏水性)可藉由主要組分及次要組分間之數量比設定。由於該主要組分較佳至少主要(特定言之完全)係主要無機材料，較佳係倍半矽氧烷，故親水性較佳係由次要組分之類型及數量決定。親水性主要取決於該(等)次要組分之有機及/或無機化合物之極性。較佳地，親水性及疏水性在本發明壓紋材料及壓紋模間交錯開。若壓紋模係疏水，則壓紋材料較佳係親水，且反之亦然。所用壓紋模之表面較佳選擇疏水性表面。極為理想組合可為使用本發明疏水壓紋材料及疏水模具。
有利地，特定言之親水壓紋材料具有對壓紋模之儘可能低之黏著 力。兩個表面間之黏著能力最好可藉由每單位表面之能量(亦即能量表面密度)描述。此係指沿著單位表面再次彼此分離兩個彼此連接之表面所必需之能量。根據本發明，將壓紋材料與壓紋模間之黏著力特定言之設定為小於2.5J/m2，較佳小於1J/m2，更佳小於0.1J/m2，甚至更佳小於0.01J/m2，最佳小於0.001J/m2，最佳小於0.0001J/m2，及最佳小於0.00001J/m2。在第一特殊實施例中，該壓紋材料係由至少(特定言之確切地)四種組分組成。主要組分係基於二氧化矽之任何化合物，較佳為倍半矽氧烷，而次要組分較佳係尤其純淨的有機化合物。第三組分特定言之係溶劑。第四組分特定言之係啟動主要組分間之聚合反應之引發劑，較佳係光引發劑。藉由塗覆方法將該由至少四種組分組成之混合物沉積於基板上。就其重量百分比而言，溶劑遠遠重於主要組分、次要組分及引發劑之重量百分比。該主要組分之比例以重量百分比計係小於10%，較佳小於8%，更佳小於6%，甚至更佳小於4%，及最佳小於3%。該實質上負責設定親水性或疏水性之次要組分之比例以重量百分比計係小於2%，較佳小於1.5%，更佳小於1.0%，甚至更佳小於0.5%，及最佳小於0.1%。所使用的引發劑(較佳光引發劑)之比例以重量百分比計係小於2%，較佳小於1.5%，更佳小於1.0%，甚至更佳小於0.5%，及最佳小於0.2%。所用溶劑之比例以重量百分比計係小於98%，較佳小於96%，更佳小於94%，甚至更佳小於92%，及最佳小於90%。移除該混合物之該溶劑或使其揮發後，本發明壓紋材料之重量百分比相應地發生變化。
在第二特別實施例中，該壓紋材料亦係由至少(特定言之確切地)四種組分組成。主要組分係基於原子矽及氧之任何化合物，較佳為TEOS化合物。第二組分較佳係有機化合物。第三組分特定言之係溶劑。第四組分特 定言之係啟動主要組分間之聚合反應之引發劑，較佳係光引發劑。藉由塗覆方法將該由至少四種組分組成之混合物沉積於基板上。就其重量百分比而言，溶劑遠遠重於主要組分、次要組分及引發劑之重量百分比。該主要組分之比例以重量百分比計係小於10%，較佳小於8%，更佳小於6%，甚至更佳小於4%，及最佳小於3%。該實質上負責設定親水性或疏水性之次要組分之比例以重量百分比計係小於2%，較佳小於1.5%，更佳小於1.0%，甚至更佳小於0.5%，及最佳小於0.1%。所使用的引發劑(較佳光引發劑)之比例以重量百分比計係小於2%，較佳小於1.5%，更佳小於1.0%，甚至更佳小於0.5%，及最佳小於0.2%。所用溶劑之比例以重量百分比計係小於98%，較佳小於96%，更佳小於94%，甚至更佳小於92%，及最佳小於90%。移除該混合物之該溶劑或使其揮發後，本發明壓紋材料之重量百分比相應地發生變化。
特定言之，將熱引發劑及/或光引發劑添加至壓紋材料，以使該壓紋材料固化或交聯，並以尤其不可逆方式使其變成硬化形式。本發明之較佳光引發劑在100nm與1,000nm間，較佳在200nm與500nm間及更佳在300nm與400nm間之範圍內發生靈敏反應。熱引發劑在25℃與400℃間，較佳在50℃與300℃間及更佳在100℃與200℃間啟動交聯。
交聯過程後，將壓紋模移出壓紋材料。本發明壓紋材料並非唯一適用於但係主要適用於壓印製程，其中壓紋模並非用純法向力作用於整個表面上而是藉由剝離或輥壓法自壓紋材料移除。就軟模而言，常見作法係自壓紋材料剝離軟模而非使其抬升。在此類脫模中，力必須沿著僅為分離壓紋模與壓紋材料而發生分離之分離線/分離前緣(separating front)施加。
在根據本發明之另一可選製程步驟中，將壓紋材料饋至高溫製程， 以使其燒結。在燒結過程中，該壓紋材料中之所有有機基較佳被氧化，並自該壓紋材料移除，以留下較佳純淨的無機結構，最佳係SiO2結構。特定言之在高於50℃下，較佳在高於200℃下，更佳在高於400℃下，最佳在高於600℃下，最佳在高於800℃下及最佳在1,000℃下進行燒結。
該壓紋材料中之有機基之氧化在具有高比例氧氣之氣氛中進行時尤其高效。氧氣之比例特定言之係大於20%，較佳大於60%，更佳大於80%及最佳係100%。亦可想到由高氧化組分(諸如氧氣)及惰性氣體組分(諸如氮氣、氬氣、氦氣或二氧化碳)組成之特殊燒結氣氛。
本發明壓紋材料可用於各種應用，特佳用於以下用途：在根據本發明之第一尤其獨立實施例中，將本發明壓紋材料用作保護材料或用作封裝材料。為此，將該壓紋材料施加於欲在本發明第一步驟中受到保護之結構上。然後，較佳進行壓紋材料之藉由非結構化平坦壓紋模之平坦化或藉由結構化壓紋模之結構化。本發明壓紋材料之平坦化係用於特定言之另一需要平坦表面之製程步驟中。本發明壓紋材料之結構化容許實際上僅作為保護材料提供之壓紋材料之功能化。根據本發明，可想到經由待保護或封裝之結構壓印透鏡、微流體裝置之一或多個通道、MEM之空腔或另一功能組件之結構之用途。該保護材料可作為保護層完成各種任務。若該保護層係光學透明，則其容許與下伏組件電及/或磁絕緣，而不會使針對電磁波束之透明性限制在特定波長範圍內。因此，特定言之，亦可想到兩個光電子組件間經由該保護材料之通訊。根據本發明，組件組可於環境電絕緣及/或磁絕緣，但仍然進行通訊。該保護材料特定言之係電絕緣。電絕緣係介電質之性質。主要SiO2-基材料因其結合結構及其頻帶結構而特別適用於電絕緣組件。因此，與環境進行電流阻斷。該等保護 材料較佳極具熱穩定性。由於主要無機材料(特定言之氧化物陶瓷)具有極高熔點，故本發明實施例可提供對極高溫度穩定之保護殼。此外，本發明壓紋材料根本上具有化學惰性。此使得其等耐酸、鹼、氧化及還原。在該等組件之進一步處理期間或後續使用中可出現此等上述化學缺陷。
在本發明之一相當較佳尤其獨立的實施例中，藉由沉積法施加壓紋材料，且相應分配物留在表面上，而不會因平坦化製程或壓紋製程而發生變化。壓紋材料可藉由(例如)噴射-上釉(spray-enameling)法以極小厚度施加於欲保護之結構上。該特殊實施例之優勢在於該壓紋材料仍順從表面構形，且不會完全覆蓋後者。另一可行應用將係藉由離心上釉法使壓紋材料分配，較佳施加於中央。此變體將主要適用於必須保護之平坦結構。若本發明壓紋材料之厚度比欲保護結構大數倍，則離心上釉亦可成功地用於沉積。上述製程步驟後，藉由業已提及的方法中之至少一者進行壓紋材料之不可逆硬化。
在根據本發明之第二尤其獨立實施例中，將本發明壓紋材料用作各種功能單元之基本材料。在此情形下，本發明壓紋材料本身係起始材料，且不會如先前所述本發明實施例中一樣保護結構，而是充當建築原料。可想到MEMS總成(英文：MEMS裝置)、微流體總成(英文：微流體裝置)或光子晶體之壓紋。在此情形下，較佳將本發明壓紋材料施加於基板上。雖然依次可在較佳完全平坦基板上進行任何已知沉積方法以施加本發明壓紋材料，但離心上釉係首要適用於本發明之該實施例。在第一製程步驟中，較佳將一團本發明壓紋材料施加於基板上某一位置之中央。然後，離心上釉法將本發明壓紋材料均勻地分佈於該基板之整個表面上。在此情形下，本發明實施例之層厚度較佳完全均勻。在根據本發明之第二製程步驟中， 本發明壓紋材料藉助壓紋模形成壓紋。在此情形下，該壓紋模之結構作為陰模轉移至本發明壓紋材料。例如，可想到生產生產微流體組件基本所需之處理腔室、通道、混合腔室、一般空腔等。此外，可想到生產用於MEMS總成或LED總成之空腔。特定言之，總成之一部份係藉由根據本發明之該實施例生產，該等總成本身並不完全有效。一般而言，揭示本發明壓紋材料之結構化。緊接著上述製程步驟後，藉由業已提及的方法中之至少一者進行壓紋材料之不可逆硬化。本發明之該實施例之優勢主要可見於微流體總成之生產中。
微流體總成係以通道、反應腔室、混合腔室、泵室及/或分析腔室為特徵。各種腔室係經由通道彼此連接。微流體總成將流體、氣體及/或液體自該微流體組件上之一位置轉運至第二位置，流體藉此穿過該等腔室中之一或多者。在該等腔室中，特定言之發生物理及/或化學過程。此等過程改變流體或容許生成物理測量訊號，藉此獲得對流體之評估。典型化學過程將係混合腔室中第一流體與第二流體間之混合過程。另一化學過程特定言之將係第一流體及第二流體在反應腔室中反應形成第三流體。典型物理過程將係用雷射衝擊流體，其激發該流體產生螢光。然後，可相應檢測到所發出的輻射，並容許評估該流體。本發明微流體總成之一最重要的用途係確定大分子，較佳DNA片段，特佳完整DNA股之序列。在此情形下，以下過程較佳發生在微流體總成中。將具有待定序之大分子之溶液引入微流體總成中。在第一反應腔室中，該等待定序之大分子之一部份結合至該反應腔室表面。該等待定序之大分子較佳以其兩端結合至該表面，以使得其等形成分子「拱道(archway)」，亦即彎成弓形。在另一步驟中，由此結合的大分子藉由將具有相應基本成份(building block)之溶液引入微流 體總成中來複製。成功複製大分子後，藉由指定標記分子連續確定後者之序列，該等指定標記分子的官能團可停泊在該等待定序之大分子之一部份上，或者流過該微流體總成。若標記分子停泊在該等待定序之大分子上，則可檢測微流體總成中所放射之電磁輻射與該等標記分子之相互作用之相應感測器(較佳係光學感測器)可檢測並以數位方式儲存該停泊過程。藉由反復流過各種標記分子，可根據本發明測定整個大分子之序列。本發明壓紋材料及由此產生之壓紋產品決定性地改良此等微流體總成之生產、結構化及效率。
根據本發明之第三尤其獨立實施例，將本發明壓紋材料用於生產光學元件，其等本身業已完全有效且可完成針對其等所設定之任務。此等元件主要包括凹面透鏡及凸面透鏡、繞射光學元件(英文：diffractive optical elements,DOE)，諸如，例如，菲涅耳(Fresnel)透鏡、繞射光柵及相位光柵。特佳地，藉由壓紋步驟所生產之光學元件可經由功能單元(諸如，例如，圖像感測器、照相機、CCD感測器、LED、雷射二極體、光電二級體或溫度感測器)配置。由根據本發明所生產之光學元件所達成之光學效應(亦即強度、相位及入射方向或離去電磁波束之變化)因此與分析單元(光電二級體、圖像感測器等)或生產單元(LED、雷射二極體等)直接組合。
在根據本發明之第四尤其獨立實施例中，將本發明壓紋材料用作蝕刻遮罩。在此情形下，在根據本發明之第一步驟中將本發明壓紋材料施加於待蝕刻表面上。然後，在根據本發明之第二步驟中，藉由壓紋模使本發明壓紋材料結構化。在此情形下，該結構化之操作方式為自本發明壓紋材料完全移除基板表面上欲被所用蝕刻流體觸及之位置。本發明一類較佳蝕 刻遮罩生產在於基板表面上欲被所用蝕刻流體觸及之位置仍然至少部份為本發明壓紋材料覆蓋。
在第三個製程步驟中，然後進行本發明壓紋材料之硬化，接著蝕刻本發明壓紋材料。在此情形下，具體言之，攻擊全部的本發明壓紋材料，但蝕刻化學品到達實際上待蝕刻基板表面之相應正確結構化位置上之速度更快，因為本發明壓紋材料在此處之厚度特定言之要小數倍。藉由相應化學品蝕刻本發明壓紋材料後，然後用大體上不同於第一蝕刻化學品之第二蝕刻化學品蝕刻實際表面。成功蝕刻後，藉由第一蝕刻化學品自待蝕刻基板表面完全移除本發明壓紋材料。
在根據本發明之一相當特殊尤其獨立實施例中，可使用僅在一些位置經對電磁波束不透明之材料塗覆之壓紋模。若藉由壓紋模照亮本發明壓紋材料，則經對電磁波束不透明之材料塗覆之位置阻斷該電磁輻射，並因此防止本發明下臥壓紋材料硬化。因為此特製壓紋模，故在大多數理想情形下，不必藉由侵蝕性化學品蝕刻硬化的壓紋材料，因為可藉由侵蝕性較差的化學品移除本發明壓紋材料之未硬化位置。自本發明壓紋材料產生蝕刻遮罩後，轉而可用相應化學品蝕刻基板表面。在最後一個製程步驟中，藉由相應化學品移除蝕刻遮罩。
在根據本發明之第五尤其獨立實施例中，將本發明壓紋材料用於壓制/生產壓紋模。基於本發明壓紋材料之壓紋模具有所有上述優勢。
在根據本發明之第六尤其獨立實施例中，藉由接觸式微影法轉移本發明壓紋材料。在此情形下，一方面，利用本發明壓紋材料與固定本發明壓紋材料之壓紋模間之黏著力足以使得本發明壓紋材料黏著至該壓紋模之事實之優勢。另一方面，本發明壓紋材料與待壓印之基板表面間之黏著力 大於本發明壓紋材料與壓紋模間之黏著力，所以可想到本發明壓紋材料之單側轉移。較佳地，轉移該壓紋材料之超過50%。特佳地，在此情形下，經由正確選擇該(等)次要組分、其化學結構、用量及化學及/或物理結合性質採用可在本發明壓紋材料中設定之黏著力。
在根據本發明之第七尤其獨立實施例中，將本發明壓紋材料用作具有貫穿接點之保護層。在此情形下，本發明壓紋材料經由藉由蝕刻法形成之相應接點開放。然後，將本發明壓紋材料用作具有開放接觸接入點之介電層。
在根據本發明之第八尤其獨立實施例中，可想到將本發明壓紋材料用作轉移蝕刻法之遮罩。此首先係指以下事實，將壓紋材料壓印於實際上待結構化為後來該基板將結構化/具有之形狀之基板上。特定言之，可想到用本發明壓紋材料在矽基板上壓印透鏡。藉由化學及/或物理蝕刻法連續蝕刻掉本發明壓紋材料。由於本發明壓紋材料之層厚度並不均勻，故在具有較少本發明壓紋材料之位置上，蝕刻化學品更早到達該待蝕刻基板，或在物理蝕刻法中濺射原子及/或濺射分子更早到達該待蝕刻基板。因此，在一些位置上蝕刻過程比其他位置開始得更早。顯示，在本發明壓紋材料之蝕刻各向同性(由於本發明壓紋材料具有非晶性質，其實質上總是存在)中，壓印於本發明壓紋材料中之形狀可直接轉移至下臥基板中。該壓紋材料中之結構有別於欲以不同蝕刻速率在壓紋材料與待蝕刻材料間之基板中產生之結構。轉移蝕刻法主要適用於無法以習知方式形成之材料之結構化。例如，在紅外光學元件中生產矽透鏡係極為重要。在紅外輻射波長範圍中，矽具有大於3.5之折射率，而石英玻璃在相同波長範圍中之折射率僅為1.45左右。
可藉由本發明實施例生產且具有相應高折射率之其他可想到的材料為CaF、ZnS、藍寶石、鍺、BaF及ZnSe。所用波長越短且數值孔徑越大，透鏡之解析能力越好。數值孔徑係接收角正弦及折射率之乘積。材料之折射率越大，恆定接收角及恆定波長之可能解析度越大。因此，與石英玻璃相比，矽係更適合紅外範圍之材料。遺憾的是，其無法簡單藉由相應濕化學法製得，而是作為單晶或或多晶矽(亦即作為多晶體)使用。在相對簡單的方法中，矽之結構化將藉助所揭示的轉移蝕刻法組態。根據本發明，轉移蝕刻法亦可成功地用於生產圖案化藍寶石基板(PSS)或奈米圖案化藍寶石基板(nPSS)。在此情形下，此等基板主要係用於生產高效LED之結構化藍寶石基板。

Claims (9)

  1. 一種具有疏水模表面之模與壓紋材料之組合，該壓紋材料可用於壓紋微影且可硬化並具有親水表面，該壓紋材料係由以下之混合物組成：至少一種可聚合主要組分，至少一種用於設定親水性或疏水性之次要組分，引發劑，及溶劑，其中在該引發劑之活化期間僅有至少一種可聚合主要組分參與聚合，且其中該可聚合主要組分係由選自以下組成之群之材料中之至少一者形成：多面體低聚倍半矽氧烷(POSS)，原矽酸四乙酯(TEOS)，聚(有機)矽氧烷(矽酮)，及全氟聚醚(PFPE)。
  2. 如請求項1之組合，其中該次要組分係由選自以下組成之群之化合物中之至少一者組成：丙烯酸系物質，環氧樹脂，酚類，烷烴，烯烴，炔烴，苯，及醚。
  3. 如請求項1或2之組合，其中該壓紋材料係由一連串鏈長度為至少兩個單體之聚合單體組成。
  4. 如請求項1或2之組合，其中該可聚合主要組分係由選自以下組成之群之材料中之至少一者形成：多面體低聚倍半矽氧烷(POSS)，及聚(有機)矽氧烷(矽酮)。
  5. 一種如請求項1至4中任一項之組合之用途，其係用於初步形成壓紋形式(4、4’、4”、4'''、4IV)。
  6. 一種壓紋材料，其可硬化且用於壓紋微影，係由以下之混合物組成：至少一種可聚合主要組分，至少一種次要組分，引發劑，及溶劑，其中在該引發劑之活化期間僅有至少一種可聚合主要組分參與聚合，且其中該可聚合主要組分係由選自以下組成之群之材料中之至少一者形成：多面體低聚倍半矽氧烷(POSS)，原矽酸四乙酯(TEOS)，聚(有機)矽氧烷(矽酮)，及全氟聚醚(PFPE)。
  7. 如請求項6之壓紋材料，其中該次要組分係由選自以下組成之群之化合物中之至少一者組成：丙烯酸系物質，環氧樹脂，酚類，烷烴，烯烴，炔烴，及苯。
  8. 如請求項6或7之壓紋材料，其係由一連串鏈長度為至少兩個單體之聚合單體組成。
  9. 一種如請求項6至8中任一項之壓紋材料之用途，其係用於初步形成壓紋形式(4、4’、4”、4'''、4IV)。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201510349TA (en) * 2013-06-19 2016-01-28 Ev Group E Thallner Gmbh Embossing Material For Embossing Lithography
DE102014113854A1 (de) 2014-09-24 2016-03-24 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Glaselements
JP6484493B2 (ja) * 2015-04-15 2019-03-13 東京応化工業株式会社 ナノインプリント用組成物及びナノインプリントパターン形成方法
JP7408587B2 (ja) 2018-07-20 2024-01-05 イルミナ インコーポレイテッド 樹脂組成物およびそれを組み込んだフローセル
KR20210033446A (ko) 2018-07-20 2021-03-26 일루미나, 인코포레이티드 수지 조성물 및 이를 혼입한 유동셀
US20230150180A1 (en) 2020-04-01 2023-05-18 Ev Group E. Thallner Gmbh Device and method for injection molding
DE102020118733B4 (de) 2020-07-15 2022-11-24 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zur Aufbringung eines Schutzschichtmaterials

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101842745A (zh) * 2007-10-29 2010-09-22 陶氏康宁公司 极性聚二甲基硅氧烷模型、模型制造方法以及使用该模型用于图案转印的方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04289865A (ja) * 1991-03-19 1992-10-14 Fujitsu Ltd 配線構造の製造方法
US8603386B2 (en) 1995-11-15 2013-12-10 Stephen Y. Chou Compositions and processes for nanoimprinting
US6673287B2 (en) * 2001-05-16 2004-01-06 International Business Machines Corporation Vapor phase surface modification of composite substrates to form a molecularly thin release layer
DE10217089A1 (de) 2002-04-17 2003-10-30 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Transferverfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Substrate
WO2004044654A2 (en) * 2002-11-12 2004-05-27 Princeton University Compositions and processes for nanoimprinting
KR101117437B1 (ko) 2003-12-27 2012-02-29 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법 및 장치
US7435074B2 (en) * 2004-03-13 2008-10-14 International Business Machines Corporation Method for fabricating dual damascence structures using photo-imprint lithography, methods for fabricating imprint lithography molds for dual damascene structures, materials for imprintable dielectrics and equipment for photo-imprint lithography used in dual damascence patterning
KR100667134B1 (ko) 2004-11-12 2007-01-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 평판표시소자의 제조방법 및 장치
KR20090031349A (ko) * 2006-04-28 2009-03-25 폴리셋 컴파니, 인코퍼레이티드 재분배층 적용을 위한 실록산 에폭시 중합체
KR101345280B1 (ko) * 2006-05-24 2013-12-26 엘지디스플레이 주식회사 패턴형성용 레진 조성물 및 이를 이용하는 인-플레인프린팅 공정방법
JP2007329276A (ja) 2006-06-07 2007-12-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ナノインプリントリソグラフィによるレジストパターンの形成方法
KR101358255B1 (ko) * 2006-06-27 2014-02-05 엘지디스플레이 주식회사 광경화 타입 소수성 몰드 및 그 제조방법
KR101319325B1 (ko) * 2006-12-29 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 패턴의 형성 방법
FR2926162B1 (fr) * 2008-01-03 2017-09-01 Centre Nat De La Rech Scient - Cnrs Procede de modification localisee de l'energie de surface d'un substrat
US8029716B2 (en) 2008-02-01 2011-10-04 International Business Machines Corporation Amorphous nitride release layers for imprint lithography, and method of use
US8293354B2 (en) * 2008-04-09 2012-10-23 The Regents Of The University Of Michigan UV curable silsesquioxane resins for nanoprint lithography
JP2010006870A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Fujifilm Corp ナノインプリント用硬化性組成物、硬化物およびその製造方法
CN101477304B (zh) * 2008-11-04 2011-08-17 南京大学 在复杂形状表面复制高分辨率纳米结构的压印方法
JP5215833B2 (ja) * 2008-12-11 2013-06-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細パターン転写用スタンパ及びその製造方法
EP2199855B1 (en) * 2008-12-19 2016-07-20 Obducat Methods and processes for modifying polymer material surface interactions
JP5052534B2 (ja) * 2009-01-08 2012-10-17 株式会社ブリヂストン 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法
JP2010280159A (ja) 2009-06-05 2010-12-16 Osaka Univ ナノインプリントリソグラフィー用の高耐久性レプリカモールドおよびその作製方法
US8168109B2 (en) * 2009-08-21 2012-05-01 International Business Machines Corporation Stabilizers for vinyl ether resist formulations for imprint lithography
JP2011216684A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Toshiba Corp テンプレートの表面処理方法及び半導体装置の製造方法
WO2011155582A1 (ja) * 2010-06-11 2011-12-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造転写用スタンパ及び微細構造転写装置
KR101597880B1 (ko) * 2010-10-20 2016-02-25 가부시끼가이샤 도꾸야마 광경화성 나노임프린트용 조성물, 상기 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법 및 상기 조성물의 경화체를 갖는 나노임프린트용 복제 금형
CN103476804B (zh) * 2011-04-15 2016-01-06 三菱丽阳株式会社 活性能量射线固化型树脂组合物、成形品、微细凹凸结构体、拒水性物品、模具以及微细凹凸结构体的制造方法
JP5829177B2 (ja) * 2011-07-12 2015-12-09 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
CN103087087B (zh) 2011-10-27 2015-11-25 上海交通大学 含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其组合物和压印的软模板
SG11201510349TA (en) * 2013-06-19 2016-01-28 Ev Group E Thallner Gmbh Embossing Material For Embossing Lithography

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101842745A (zh) * 2007-10-29 2010-09-22 陶氏康宁公司 极性聚二甲基硅氧烷模型、模型制造方法以及使用该模型用于图案转印的方法

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