JP2016524330A - インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 - Google Patents
インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016524330A JP2016524330A JP2016520293A JP2016520293A JP2016524330A JP 2016524330 A JP2016524330 A JP 2016524330A JP 2016520293 A JP2016520293 A JP 2016520293A JP 2016520293 A JP2016520293 A JP 2016520293A JP 2016524330 A JP2016524330 A JP 2016524330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imprint
- imprint material
- material according
- stamp
- main component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 200
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 10
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- -1 Polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 4
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 claims description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 15
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPUWDDMFYRNEFX-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethane Chemical compound COCCOCCOCCOC.COCCOCCOCCOC YPUWDDMFYRNEFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALRXDIKPRCRYAU-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(C)O.CC(C)(C)O ALRXDIKPRCRYAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical compound ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- RFAZFSACZIVZDV-UHFFFAOYSA-N butan-2-one Chemical compound CCC(C)=O.CCC(C)=O RFAZFSACZIVZDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DXHPZXWIPWDXHJ-UHFFFAOYSA-N carbon monosulfide Chemical compound [S+]#[C-] DXHPZXWIPWDXHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 210000000567 greater sac Anatomy 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 229960002415 trichloroethylene Drugs 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/005—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor characterised by the choice of material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2083/00—Use of polymers having silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only, in the main chain, as moulding material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2085/00—Use of polymers having elements other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only in the main chain, as moulding material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Description
・多面体オリゴマーシルセスキオキサン(POSS)
・ポリジメチルシロキサン(PDMS)
・テトラエチルオルトケイ酸塩(TEOS)
・ポリ(オルガノ)シロキサン(シリコーン)
・ペルフルオロポリエーテル(PFPE)。
・アクリル及び/又は(ポリ)アクリレート
・エポキシド
・エポキシ樹脂
・フェノール
・アルカン
・アルケン
・アルキン
・ベンゼン
・エーテル
・エステル
・カルボン酸
・ケトン
・アルコール。
・アセトン
・アセトニトリル
・アニリン
・シクロヘキサン
・n−ペンタン
・トリエチレングリコールジメチルエーテル(Triglyme)
・ジメチルアセトアミド
・ジメチルホルムアミド
・ジメチルスルホキシド
・1,4−ジオキサン
・氷酢酸
・無水酢酸
・酢酸エチルエステル
・エタノール
・エチレンジクロリド
・エチレングリコール
・アニソール
・ベンゼン
・ベンゾニトリル
・エチレングリコールジメチルエーテル
・石油エーテル/軽ベンジン
・ピペリジン
・プロパノール
・プロピレンカーボネート(4−メチル−1,3−ジオキソール−2−オン)
・ピリジン
・γ−ブチロラクトン
・キノリン
・クロロベンゼン
・クロロホルム
・n−ヘプタン
・2−プロパノール(イソプロピルアルコール)
・メタノール
・3−メチル−1−ブタノール(イソアミルアルコール)
・2−メチル−2−プロパノール(t−ブタノール)
・メチレンクロリド
・メチルエチルケトン(ブタノン)
・N−メチル−2−ピロリドン(NMP)
・N−メチルホルムアミド
・テトラヒドロフラン
・乳酸エチルエステル
・トルエン
・ジブチルエーテル
・ジエチレングリコール
・ジエチルエーテル
・ブロモベンゼン
・1−ブタノール
・t−ブチルメチルエーテル(TBME)
・トリエチルアミン
・トリエチレングリコール
・ホルムアミド
・n−ヘキサン
・ニトロベンゼン
・ニトロメタン
・1,1,1−トリクロロエタン
・トリクロロエテン
・硫化炭素
・スルホラン
・テトラクロロエテン
・四塩化炭素
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
・水。
第一の本発明による、特に独自の実施態様では、本発明によるインプリント材料を保護材料として、又はカプセル材料として使用する。このためにインプリント材料を、第一の方法による工程で、保護すべき構造にわたって施与する。その後、好適には構造化されていない平らなインプリントスタンプによるインプリント材料の平坦化、又は構造化されたインプリントスタンプによる構造化を行う。本発明によるインプリント材料の平坦化は特に、平坦面を前提とするさらなる加工工程に役立つ。本発明によるインプリント材料の構造化により、本来は保護材料としてのみ備えられているインプリント材料の機能化が可能になる。本発明による使用として考えられるのは、レンズ、マイクロ流体装置のための1つ以上の流路若しくはMEMS用キャビティをインプリントするための使用、又は保護若しくは封入すべき構造によるさらなる機能性部材のために構造化するための使用である。保護材料は保護層として、様々な課題を満たすことができる。保護層が光学的に透明であれば、特定の波長領域における電磁線に対する透明性を制限することなく、その下にある部材を電気的及び/又は磁性的に絶縁することが可能になる。これによって特に、保護材料を通じて、2つのオプトエレクトリック部材の間で連通させることが考えられる。デバイスは、本発明によれば周辺と電気的及び/又は磁性的に絶縁可能であり、それにも拘わらず連通可能である。保護材料は特に、電気的に絶縁性である。電気的な絶縁は、誘電体の特性である。特にSiO2系材料は、その結合構造と帯状構造に基づき、部材を電気的に絶縁するために特に適している。こうして周囲と電気的に分離される。保護材料は好適には、非常に熱安定性である。とりわけ無機材料、特に酸化セラミックは、融点が非常に高いため、本発明による実施態様によって、ある温度から非常に高温まで安定的な保護カバーが作製できる。さらに、本発明によるインプリント材料は、特に化学的に不活性である。これによって、インプリント材料は酸、塩基、酸化、還元に対して抵抗性となる。これらの化学的な妨害は、部材のさらなる加工、又は後の使用時に現れることがある。
Claims (7)
- インプリントリソグラフィーに使用可能で、硬化可能なインプリント材料であって、
・重合可能な主成分少なくとも1種、及び
・副成分少なくとも1種
から構成される混合物から成る、前記インプリント材料。 - 特に無機の、好適には二酸化ケイ素系の主成分が、以下の材料少なくとも1種:
・多面体オリゴマーシルセスキオキサン(POSS)
・ポリジメチルシロキサン(PDMS)
・テトラエチルオルトケイ酸塩(TEOS)
・ポリ(オルガノ)シロキサン(シリコーン)
・ペルフルオロポリエーテル(PFPE)
から形成されている、請求項1に記載のインプリント材料。 - 特に有機の副成分が、以下の化合物少なくとも1種:
・アクリル
・エポキシド
・エポキシ樹脂
・フェノール
・アルカン
・アルケン
・アルキン
・ベンゼン
から成る、
請求項1又は2に記載のインプリント材料。 - 重合されたモノマーの鎖から成る、特に少なくとも2個のモノマー、好適には少なくとも10個のモノマー、さらに好適には少なくとも100個のモノマー、さらに好適には少なくとも1000個のモノマーの鎖長を有する、重合されたモノマーの鎖から成る、請求項1から3までのいずれか1項に記載のインプリント材料。
- 前記インプリント材料が、インプリント面で親水性のインプリントスタンプに当たる場合には疎水性に、インプリント面で疎水性のインプリントスタンプに当たる場合には、親水性に形成されている、請求項1から4までのいずれか1項に記載のインプリント材料。
- 前記インプリント材料は、主成分の質量割合が、50%〜100%未満、好適には52%〜90%、さらに好適には54%〜80%、特に好適には56%〜70%、とりわけ好適にはちょうど60%であり、副成分は、100%から前記主成分の質量割合を引いた割合である、請求項1から5までのいずれか1項に記載のインプリント材料。
- 請求項1から6までのいずれか1項に記載のインプリント材料の使用であって、(4,4’,4”,4''',4IV)というインプリント形状を成形するための、前記使用。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2013/062711 WO2014202127A1 (de) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | Prägemasse für die prägelithographie |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018089325A Division JP6608997B2 (ja) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016524330A true JP2016524330A (ja) | 2016-08-12 |
JP6338657B2 JP6338657B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=48699750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016520293A Active JP6338657B2 (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9981419B2 (ja) |
EP (2) | EP3011390B1 (ja) |
JP (1) | JP6338657B2 (ja) |
KR (2) | KR102233597B1 (ja) |
CN (3) | CN110764365B (ja) |
SG (1) | SG11201510349TA (ja) |
TW (4) | TWI684510B (ja) |
WO (1) | WO2014202127A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016207685A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリント用組成物及びナノインプリントパターン形成方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG11201510349TA (en) * | 2013-06-19 | 2016-01-28 | Ev Group E Thallner Gmbh | Embossing Material For Embossing Lithography |
DE102014113854A1 (de) | 2014-09-24 | 2016-03-24 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optischen Glaselements |
JP7408587B2 (ja) | 2018-07-20 | 2024-01-05 | イルミナ インコーポレイテッド | 樹脂組成物およびそれを組み込んだフローセル |
KR20210033446A (ko) | 2018-07-20 | 2021-03-26 | 일루미나, 인코포레이티드 | 수지 조성물 및 이를 혼입한 유동셀 |
US20230150180A1 (en) | 2020-04-01 | 2023-05-18 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for injection molding |
DE102020118733B4 (de) | 2020-07-15 | 2022-11-24 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zur Aufbringung eines Schutzschichtmaterials |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04289865A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-14 | Fujitsu Ltd | 配線構造の製造方法 |
JP2005196168A (ja) * | 2003-12-27 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 平板表示素子の製造方法及び装置 |
JP2008006820A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Lg Philips Lcd Co Ltd | ソフトモールド及びその製造方法 |
US20090194502A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | International Business Machines Corporation | Amorphous nitride release layers for imprint lithography, and method of use |
JP2010006870A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Fujifilm Corp | ナノインプリント用硬化性組成物、硬化物およびその製造方法 |
WO2010079820A1 (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | 株式会社ブリヂストン | 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法 |
JP2010183064A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-08-19 | Obducat Ab | ポリマー材料表面相互作用を変えるための方法及びプロセス |
JP2010280159A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Osaka Univ | ナノインプリントリソグラフィー用の高耐久性レプリカモールドおよびその作製方法 |
JP2011216684A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toshiba Corp | テンプレートの表面処理方法及び半導体装置の製造方法 |
WO2011155582A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細構造転写用スタンパ及び微細構造転写装置 |
WO2012141238A1 (ja) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | 三菱レイヨン株式会社 | 活性エネルギー線硬化性樹脂組成物、成形品、微細凹凸構造体、撥水性物品、モールド、及び微細凹凸構造体の製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8603386B2 (en) | 1995-11-15 | 2013-12-10 | Stephen Y. Chou | Compositions and processes for nanoimprinting |
US6673287B2 (en) * | 2001-05-16 | 2004-01-06 | International Business Machines Corporation | Vapor phase surface modification of composite substrates to form a molecularly thin release layer |
DE10217089A1 (de) | 2002-04-17 | 2003-10-30 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Transferverfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Substrate |
WO2004044654A2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Princeton University | Compositions and processes for nanoimprinting |
US7435074B2 (en) * | 2004-03-13 | 2008-10-14 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating dual damascence structures using photo-imprint lithography, methods for fabricating imprint lithography molds for dual damascene structures, materials for imprintable dielectrics and equipment for photo-imprint lithography used in dual damascence patterning |
KR100667134B1 (ko) | 2004-11-12 | 2007-01-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 평판표시소자의 제조방법 및 장치 |
KR20090031349A (ko) * | 2006-04-28 | 2009-03-25 | 폴리셋 컴파니, 인코퍼레이티드 | 재분배층 적용을 위한 실록산 에폭시 중합체 |
KR101345280B1 (ko) * | 2006-05-24 | 2013-12-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴형성용 레진 조성물 및 이를 이용하는 인-플레인프린팅 공정방법 |
JP2007329276A (ja) | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ナノインプリントリソグラフィによるレジストパターンの形成方法 |
KR101319325B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2013-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴의 형성 방법 |
EP2206015A2 (en) | 2007-10-29 | 2010-07-14 | Dow Corning Corporation | Polar polydimethylsiloxane molds, methods of making the molds, and methods of using the molds for pattern transfer |
FR2926162B1 (fr) * | 2008-01-03 | 2017-09-01 | Centre Nat De La Rech Scient - Cnrs | Procede de modification localisee de l'energie de surface d'un substrat |
US8293354B2 (en) * | 2008-04-09 | 2012-10-23 | The Regents Of The University Of Michigan | UV curable silsesquioxane resins for nanoprint lithography |
CN101477304B (zh) * | 2008-11-04 | 2011-08-17 | 南京大学 | 在复杂形状表面复制高分辨率纳米结构的压印方法 |
JP5215833B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2013-06-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細パターン転写用スタンパ及びその製造方法 |
US8168109B2 (en) * | 2009-08-21 | 2012-05-01 | International Business Machines Corporation | Stabilizers for vinyl ether resist formulations for imprint lithography |
KR101597880B1 (ko) * | 2010-10-20 | 2016-02-25 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 광경화성 나노임프린트용 조성물, 상기 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법 및 상기 조성물의 경화체를 갖는 나노임프린트용 복제 금형 |
JP5829177B2 (ja) * | 2011-07-12 | 2015-12-09 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
CN103087087B (zh) | 2011-10-27 | 2015-11-25 | 上海交通大学 | 含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其组合物和压印的软模板 |
SG11201510349TA (en) * | 2013-06-19 | 2016-01-28 | Ev Group E Thallner Gmbh | Embossing Material For Embossing Lithography |
-
2013
- 2013-06-19 SG SG11201510349TA patent/SG11201510349TA/en unknown
- 2013-06-19 CN CN201911094280.6A patent/CN110764365B/zh active Active
- 2013-06-19 JP JP2016520293A patent/JP6338657B2/ja active Active
- 2013-06-19 US US14/897,366 patent/US9981419B2/en active Active
- 2013-06-19 KR KR1020207006351A patent/KR102233597B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-19 CN CN201911093950.2A patent/CN110713722B/zh active Active
- 2013-06-19 EP EP13731723.6A patent/EP3011390B1/de active Active
- 2013-06-19 WO PCT/EP2013/062711 patent/WO2014202127A1/de active Application Filing
- 2013-06-19 KR KR1020157036149A patent/KR102087472B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-19 CN CN201380077583.1A patent/CN105283805B/zh active Active
- 2013-06-19 EP EP17209605.9A patent/EP3324236B1/de active Active
-
2014
- 2014-04-25 TW TW107137028A patent/TWI684510B/zh active
- 2014-04-25 TW TW107137029A patent/TWI675883B/zh active
- 2014-04-25 TW TW103115076A patent/TWI655246B/zh active
- 2014-04-25 TW TW107137027A patent/TWI677537B/zh active
-
2018
- 2018-04-13 US US15/952,795 patent/US10589457B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04289865A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-14 | Fujitsu Ltd | 配線構造の製造方法 |
JP2005196168A (ja) * | 2003-12-27 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 平板表示素子の製造方法及び装置 |
JP2008006820A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Lg Philips Lcd Co Ltd | ソフトモールド及びその製造方法 |
US20090194502A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | International Business Machines Corporation | Amorphous nitride release layers for imprint lithography, and method of use |
JP2010006870A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Fujifilm Corp | ナノインプリント用硬化性組成物、硬化物およびその製造方法 |
JP2010183064A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-08-19 | Obducat Ab | ポリマー材料表面相互作用を変えるための方法及びプロセス |
WO2010079820A1 (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | 株式会社ブリヂストン | 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法 |
JP2010280159A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Osaka Univ | ナノインプリントリソグラフィー用の高耐久性レプリカモールドおよびその作製方法 |
JP2011216684A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toshiba Corp | テンプレートの表面処理方法及び半導体装置の製造方法 |
WO2011155582A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細構造転写用スタンパ及び微細構造転写装置 |
WO2012141238A1 (ja) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | 三菱レイヨン株式会社 | 活性エネルギー線硬化性樹脂組成物、成形品、微細凹凸構造体、撥水性物品、モールド、及び微細凹凸構造体の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
田島誠太郎: "シルセスキオキサン誘導体「SQシリーズ」", 東亞合成研究年報, vol. 7号, JPN7017003368, 1 January 2004 (2004-01-01), JP, pages 37 - 41, ISSN: 0003667895 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016207685A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリント用組成物及びナノインプリントパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI677537B (zh) | 2019-11-21 |
EP3011390B1 (de) | 2018-02-21 |
KR102233597B1 (ko) | 2021-03-30 |
TW201903054A (zh) | 2019-01-16 |
TW201918523A (zh) | 2019-05-16 |
CN110764365B (zh) | 2023-10-27 |
EP3324236B1 (de) | 2024-01-03 |
CN105283805B (zh) | 2019-12-17 |
TWI684510B (zh) | 2020-02-11 |
CN110713722A (zh) | 2020-01-21 |
TWI655246B (zh) | 2019-04-01 |
US9981419B2 (en) | 2018-05-29 |
CN110764365A (zh) | 2020-02-07 |
US20180229419A1 (en) | 2018-08-16 |
KR102087472B1 (ko) | 2020-03-11 |
JP6338657B2 (ja) | 2018-06-06 |
CN110713722B (zh) | 2022-03-29 |
CN105283805A (zh) | 2016-01-27 |
SG11201510349TA (en) | 2016-01-28 |
KR20160022311A (ko) | 2016-02-29 |
TW201502206A (zh) | 2015-01-16 |
US20160136873A1 (en) | 2016-05-19 |
US10589457B2 (en) | 2020-03-17 |
TW201903053A (zh) | 2019-01-16 |
KR20200027057A (ko) | 2020-03-11 |
EP3324236A1 (de) | 2018-05-23 |
WO2014202127A1 (de) | 2014-12-24 |
TWI675883B (zh) | 2019-11-01 |
EP3011390A1 (de) | 2016-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6338657B2 (ja) | インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 | |
US9298089B1 (en) | Composition for resist patterning and method of manufacturing optical structures using imprint lithography | |
Xuan et al. | Crack-free controlled wrinkling of a bilayer film with a gradient interface | |
Balčas et al. | Fabrication of glass‐ceramic 3D micro‐optics by combining laser lithography and calcination | |
JP6608997B2 (ja) | インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 | |
JP2020097521A (ja) | 光学ガラス素子を製造するための方法 | |
De Marco et al. | Organic Light‐Emitting Nanofibers by Solvent‐Resistant Nanofluidics | |
Gvishi et al. | UV-curable glassy material for the manufacture of bulk and nano-structured elements | |
Chaudhuri et al. | Thin-film optical grating transfer process using surface modulated film delamination | |
Baracu et al. | Silicon Metalens Fabrication from Electron Beam to UV-Nanoimprint Lithography. Nanomaterials 2021, 11, 2329 | |
Wan et al. | Micro-patterning replication of planar optical elements on silicone LED encapsulant film using imprinting technique | |
Vogler et al. | Low-viscosity and fast-curing polymer system for UV-based nanoimprint lithography and its processing | |
Shin | Wire Grid Polarizer by Angled Evaporation Method Using Nanoimprint Lithography. | |
Lee et al. | Guided-mode resonance elements fabricated by microcontact printing method | |
Choi et al. | P‐60: Surface Modifications of Flexible Gas Barrier Films by Mimicking Structures of Nature |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170306 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20170516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171030 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180319 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180410 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6338657 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |