TWI676864B - 正型感光性樹脂組成物、圖案化膜及凸塊的製造方法 - Google Patents

正型感光性樹脂組成物、圖案化膜及凸塊的製造方法 Download PDF

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Abstract

一種正型感光性樹脂組成物，包含酚醛系樹脂組分(A)、鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)、甘油酯系組分(C)及溶劑(D)。該甘油酯系組分(C)包括結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)，結構式(1) R1 、R2 及R3 係如說明書與申請專利範圍中所定義者。

Description

正型感光性樹脂組成物、圖案化膜及凸塊的製造方法
本發明是有關於一種正型感光性樹脂組成物及使用該感光性樹脂組成物製作凸塊的製造方法，特別是指一種可於鹼液顯影的厚膜用正型感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物形成的圖案化膜及使用該感光性樹脂組成物製作凸塊的形成方法，適用在印刷電路基板的製造及將電子零件封裝於印刷電路基板時，所進行的感光蝕刻加工。
近年來，隨著電子裝置微小化，大型積體電路(large-scale integration，簡稱LSI)的高密度化及特殊用途積體電路(application-specific integrated circuit，簡稱ASIC)化是急速地發展。因此，搭配電子裝置的大型積體電路有必要安裝多針腳(multi-pin)薄膜，而該多針腳薄膜的安裝方式是採用例如捲帶式自動接合(tape automated bonding，簡稱TAB)方式或覆晶(Flip-Chip)方式的裸晶(bare chip)封裝方式。在該多針腳薄膜的安裝中，基板表面上設置有被稱為凸塊的突起電極的連接端子需以高精密的方式配置，而因應該凸塊的高精密化及線寬窄小化，該大型積體電路的微小化更為必要。
以往用來形成凸塊的材料為一包含酚醛清漆樹脂、含有萘醌二疊氮基的化合物及添加劑的感光性樹脂組成物。但該感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜存在有裂紋易脆的問題。
日本公開特許第2010-145604號專利案揭示一種用來形成上述圖案化膜以利該等凸塊形成的感光性樹脂組成物，包含鹼溶性酚醛清漆樹脂、由具有碳數4至100的不飽合烴基的化合物所形成的改質酚樹脂、光酸產生劑及溶劑，其中，以該鹼溶性酚醛清漆樹脂及改質酚樹脂的總量和為100wt%計，該改質酚樹脂的含量範圍為5wt%至50wt%。在該電鍍處理過程中，由該正型感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜具有優異的耐電鍍液性而不會產生裂紋(crack)。
雖該專利案的正型感光性樹脂組成物所形成的感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜具有耐電鍍液性，然而，該圖案化膜與電鍍液間的親和性不佳，繼而使得該凸塊存在有形狀不佳的問題。
因此，本發明的第一目的，即在提供一種能克服以往正型感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜與電鍍液間的親和性不佳的缺點的正型感光性樹脂組成物。
於是，本發明正型感光性樹脂組成物，包含酚醛系樹脂組分(A)、鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)、甘油酯系組分(C)及溶劑(D)。該甘油酯系組分(C)包括結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)，結構式(1) R1 表示碳數為1至10的烷基、碳數為2至10的烯基，或碳數為2至10的炔基； R2 及R3 各自表示碳數為1至10的烷基、碳數為2至10的烯基、碳數為2至10的炔基，或，且條件是R2 及R3 中一者為，q為0至3，n為10至20，m為2n-q、2n-2-q、2n-4-q或2n-6-q，R4 表示碳數為1至21的烷基、碳數為2至21的烯基，或碳數為2至21的炔基，R5 表示羥基或，R6 表示碳數為1至21的烷基、碳數為2至21的烯基，或碳數為2至21的炔基，當R4 、R5 及R6 為複數個時，該等R4 為相同或不同、該等R5 為相同或不同，該等R6 為相同或不同。
本發明的第二目的，即在提供一種圖案化膜。
本發明圖案化膜，是由一如上所述的正型感光性樹脂組成物經微影處理所形成，且該微影處理包括烘烤步驟、曝光步驟及顯影步驟。
本發明的功效在於：透過該結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)與其它成分的搭配使用，使得由該正型感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜與電鍍液間的親和性得以被提升。
本發明的第三目的，即在提供一種凸塊的製造方法。
本發明凸塊的製造方法，包含以下步驟：將上述的圖案化膜形成於一基板上，接著，浸泡於一電鍍液中進行一電鍍處理，然後施予一剝離處理，以使該圖案化膜自該基板上剝離，而在該基板上形成複數凸塊。
以下將就本發明內容進行詳細說明。
本發明的正型感光性樹脂組成物的製備方法採用一般的混合方式，舉例來說，將該酚醛系樹脂組分(A)、該鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)、該甘油酯系組分(C)及該溶劑(D)置於一攪拌器中進行攪拌，形成均勻混合的溶液狀態，即可獲得該正型感光性樹脂組成物，並可視需求加入添加劑(E)。
＜酚醛系樹脂組分(A)＞
為使由該正型感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜與電鍍液間具有更佳的親和性，較佳地，該酚醛系樹脂組分(A)包括二甲酚型酚醛系樹脂(A-1)。
＜＜二甲酚型酚醛系樹脂(A-1)＞＞
該二甲酚型酚醛系樹脂(A-1)是由一包括醛類化合物與二甲酚(xylenol)類化合物的反應組分經縮合聚合反應所製得。為使由該正型感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜與電鍍液間具有更佳的親和性，較佳地，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該二甲酚型酚醛系樹脂(A-1)的使用量範圍為50重量份至100重量份。
該醛類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該醛類化合物例如但不限於甲醛、多聚甲醛(paraformaldehyde)、三聚甲醛(trioxane)、乙醛、丙醛、丁醛、三甲基乙醛、丙烯醛(acrolein)、丁烯醛(crotonaldehyde)、環己醛(cyclo hexanealdehyde)、呋喃甲醛(furfural)、呋喃基丙烯醛(furylacrolein)、苯甲醛、對苯二甲醛(terephthal aldehyde)、苯乙醛、α-苯基丙醛、β-苯基丙醛、鄰-甲基苯甲醛、間-甲基苯甲醛、對-甲基苯甲醛、鄰-氯苯甲醛、間-氯苯甲醛、對-氯苯甲醛，或肉桂醛等。較佳地，該醛類化合物選自於甲醛、苯甲醛，或上述任意組合。
該二甲酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該二甲酚類化合物例如但不限於2,3-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚，或3,4-二甲苯酚等。較佳地，該二甲酚類化合物選自於3,5-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚，或上述任意組合。
為促使該縮合聚合反應進行，可加入觸媒於該反應組分中。該觸媒例如但不限於酸性觸媒。該酸性觸媒可單獨一種使用或混合多種使用，且該酸性觸媒例如但不限於鹽酸、硫酸、甲酸、醋酸、草酸，或對甲苯磺酸等。
該反應組分還包括羥基芳香族化合物，且該羥基芳香族化合物不包含二甲酚類化合物。該羥基芳香族化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該羥基芳香族化合物例如但不限於苯酚(phenol)類化合物或甲酚(cresol)類化合物等。該苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該苯酚類化合物例如但不限於苯酚、烷基苯酚(alkyl phenol)類化合物、烷氧基苯酚(alkoxy phenol)類化合物、異丙烯基苯酚(isopropenyl phenol)類化合物、芳基苯酚(aryl phenol)類化合物，或多羥基苯酚(polyhydroxyphenol)類化合物等。該烷基苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該烷基苯酚類化合物例如但不限於間-乙基苯酚、對-乙基苯酚、鄰-乙基苯酚、2,3,5-三甲基苯酚、2,3,5-三乙基苯酚、4-第三丁基苯酚、3-第三丁基苯酚、2-第三丁基苯酚、2-第三丁基-4-甲基苯酚、2-第三丁基-5-甲基苯酚，或6-第三丁基-3-甲基苯酚等。該烷氧基苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該烷氧基苯酚類化合物例如但不限於對-甲氧基苯酚、間-甲氧基苯酚、對-乙氧基苯酚、間-乙氧基苯酚、對-丙氧基苯酚、間-丙氧基苯酚。該異丙烯基苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該異丙烯基苯酚類化合物例如但不限於鄰-異丙烯基苯酚、對-異丙烯基苯酚、2-甲基-4-異丙烯基苯酚，或2-乙基-4-異丙烯基苯酚等。該芳基苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該芳基苯酚類化合物例如但不限於苯基苯酚(phenyl phenol)。該多羥基苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該多羥基苯酚類化合物例如但不限於4,4'-二羥基聯苯、雙酚A、間-苯二酚(resorcinol)、對-苯二酚(hydroquinone)，或1,2,3-苯三酚(pyrogallol)等。該甲酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該甲酚類化合物例如但不限於間-甲酚(m-cresol)、對-甲酚(p-cresol)，或鄰-甲酚(o-cresol)等。
該酚醛系樹脂組分(A)還包括其它酚醛系樹脂(A-2)。
＜＜其它酚醛系樹脂(A-2)＞＞
該其它酚醛系樹脂(A-2)是由一包括醛類化合物及羥基芳香族化合物的反應組分經縮合聚合反應所製得，但該羥基芳香族化合物不包含二甲酚類化合物。
該醛類化合物如製備該二甲酚型酚醛系樹脂(A-1)所使用的醛類化合物，故不再贅述。
該羥基芳香族化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該羥基芳香族化合物例如但不限於苯酚類化合物或甲酚類化合物等。該苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該苯酚類化合物例如但不限於苯酚、烷基苯酚類化合物、烷氧基苯酚類化合物、異丙烯基苯酚類化合物、芳基苯酚類化合物，或多羥基苯酚類化合物等。該烷基苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該烷基苯酚類化合物例如但不限於間-乙基苯酚、對-乙基苯酚、鄰-乙基苯酚、2,3,5-三甲基苯酚、2,3,5-三乙基苯酚、4-第三丁基苯酚、3-第三丁基苯酚、2-第三丁基苯酚、2-第三丁基-4-甲基苯酚、2-第三丁基-5-甲基苯酚，或6-第三丁基-3-甲基苯酚等。該烷氧基苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該烷氧基苯酚類化合物例如但不限於對-甲氧基苯酚、間-甲氧基苯酚、對-乙氧基苯酚、間-乙氧基苯酚、對-丙氧基苯酚、間-丙氧基苯酚。該異丙烯基苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該異丙烯基苯酚類化合物例如但不限於鄰-異丙烯基苯酚、對-異丙烯基苯酚、2-甲基-4-異丙烯基苯酚，或2-乙基-4-異丙烯基苯酚等。該芳基苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該芳基苯酚類化合物例如但不限於苯基苯酚。該多羥基苯酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該多羥基苯酚類化合物例如但不限於4,4'-二羥基聯苯、雙酚A、間-苯二酚、對-苯二酚，或1,2,3-苯三酚等。該甲酚類化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該甲酚類化合物例如但不限於間-甲酚、對-甲酚，或鄰-甲酚等。
較佳地，該羥基芳香族化合物選自於鄰-甲酚、間-甲酚、對-甲酚，或上述任意組合。
為促使該縮合聚合反應進行，可加入觸媒於該反應組分中。該觸媒如製備該二甲酚型酚醛系樹脂(A-1)所使用的觸媒，故不再贅述。
＜鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)＞
該鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)是由一包含鄰萘醌二疊氮磺酸系材料與具有至少一個羥基的化合物的反應組分經酯化反應所製得，其中，該鄰萘醌二疊氮磺酸系材料選自於鄰萘醌二疊氮磺酸(o-naphthoquinonediazidesulfonic acid)、鄰萘醌二疊氮磺酸鹽，或上述任意組合。較佳地，該具有至少一個羥基的化合物為多元羥基化合物(polyhydroxy compound)。
該鄰萘醌二疊氮磺酸可單獨一種使用或混合多種使用，且該鄰萘醌二疊氮磺酸例如但不限於鄰萘醌二疊氮-4-磺酸、鄰萘醌二疊氮-5-磺酸，或鄰萘醌二疊氮-6-磺酸等。該鄰萘醌二疊氮磺酸鹽可單獨一種使用或混合多種使用，且該鄰萘醌二疊氮磺酸鹽例如但不限於鄰萘醌二疊氮磺醯基鹵化物(diazonaphthoquinone sulfonyl halide)。
該具有至少一個羥基的化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該具有至少一個羥基的化合物例如但不限於羥基二苯甲酮系化合物(hydroxybenzophenone-based compound)、 羥基芳基系化合物(hydroxyaryl-based compound)、(羥基苯基)烴基化合物[(hydroxyphenyl)hydrocarbon compound]，或其它羥基芳香族化合物等。
該羥基二苯甲酮系化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該羥基二苯甲酮系化合物例如但不限於2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,4,4'-三羥基二苯甲酮、2,4,6-三羥基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮、2,4,2',4'-四羥基二苯甲酮、2,4,6,3',4'-五羥基二苯甲酮、2,3,4,2',4'-五羥基二苯甲酮、2,3,4,2',5'-五羥基二苯甲酮、2,4,5,3',5'-五羥基二苯甲酮，或2,3,4,3',4',5'-六羥基二苯甲酮等。
該羥基芳基系化合物例如結構式(3)所示的羥基芳基系化合物：結構式(3) 於結構式(3)中，R10 與R11 各自表示氫、鹵素或碳數為1至6的烷基；R12 、R13 與R16 各自表示氫或碳數為1至6的烷基；R14 、R15 、R17 、R18 、R19 與R20 各自表示氫、鹵素、碳數為1至6的烷基、碳數為1至6的烷氧基、碳數為1至6的烯基或環烷基(cycloalkyl)；a、d與c各自表示1至3的整數；b表示0或1。
該結構式(3)所示的羥基芳基系化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該結構式(3)所示的羥基芳基系化合物例如但不限於三(4-羥基苯基)甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-2,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-2,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-羥基苯基)-3-甲氧基-4-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基-6-甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基-6-甲基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基-6-甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基-6-甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基-4-甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基-4-甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基-4-甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷、1-[1-(4-羥基苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(4-羥基苯基)乙基]苯，或1-[1-(3-甲基-4-羥基苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(3-甲基-4-羥基苯基)乙基]苯等。
該(羥基苯基)烴基系化合物例如但不限於結構式(4)所示的(羥基苯基)烴基系化合物：結構式(4) 於結構式(4)中，R21 及R22 各自表示氫或碳數為1至6的烷基；e與f各自表示1至3的整數。
該結構式(4)所示的(羥基苯基)烴基系化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該結構式(4)所示的(羥基苯基)烴基系化合物例如但不限於2-(2,3,4-三羥基苯基)-2-(2',3',4'-三羥基苯基)丙烷、2-(2,4-二羥基苯基)-2-(2',4'-二羥基苯基)丙烷、2-(4-羥基苯基)-2-(4'-羥基苯基)丙烷、雙(2,3,4-三羥基苯基)甲烷，或雙(2,4-二羥基苯基)甲烷等。
該其它羥基芳香族化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該其它羥基芳香族化合物例如但不限於苯酚、對-甲氧基苯酚、二甲基苯酚、對苯二酚、雙酚A、萘酚、鄰苯二酚、1,2,3-苯三酚甲醚、1,2,3-苯三酚-1,3-二甲基醚、3,4,5-三羥基苯甲酸、部分酯化或部分醚化(etherify)的3,4,5-三羥基苯甲酸等。
較佳地，該具有至少一個羥基的化合物選自於1-[1-(4-羥基苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(4-羥基苯基)乙基]苯、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮，或上述任意組合。
該反應組分通常在二氧雜環己烷(dioxane)、氮-吡咯烷酮(N-pyrrolidone)或乙醯胺(acetamide)等有機溶劑中進行酯化反應。較佳地，該反應組分在三乙醇胺、鹼金屬碳酸鹽或鹼金屬碳酸氫鹽等鹼性縮合劑(condensing agent)中進行酯化反應。
較佳地，該鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)的酯化度(degree of esterification)為50%以上，亦即，以該具有至少一個羥基的化合物中的羥基總量為100 mol%計，該具有至少一個羥基的化合物中有50 mol%以上的羥基與該鄰萘醌二疊氮磺酸系材料進行酯化反應。更佳地，該鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)的酯化度為60%以上。
較佳地，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)的使用量範圍為5重量份至30重量份。更佳地，該鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)的使用量範圍為8重量份至28重量份。
＜甘油酯系組分(C)＞
為使由該正型感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜與電鍍液間具有更佳的親和性，較佳地，以該酚醛系樹脂(A)組分的總量為100重量份計，該甘油酯系組分(C)的使用量範圍為1重量份至10重量份。更佳地，該甘油酯系組分(C)的使用量範圍為1.5重量份至9.5重量份。該甘油酯系組分(C)包括結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)。該正型感光性樹脂組成物中的該甘油酯系組分(C)未包括結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)時，由該正型感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜與電鍍液間的親和性不佳。
＜＜結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)＞＞結構式(1) R1 表示碳數為1至10的烷基、碳數為2至10的烯基，或碳數為2至10的炔基； R2 及R3 各自表示碳數為1至10的烷基、碳數為2至10的烯基、碳數為2至10的炔基，或，且條件是R2 及R3 中一者為，q為0至3，n為10至20，m為2n-q、2n-2-q、2n-4-q或2n-6-q，R4 表示碳數為1至21的烷基、碳數為2至21的烯基，或碳數為2至21的炔基，R5 表示羥基或，R6 表示碳數為1至21的烷基、碳數為2至21的烯基，或碳數為2至21的炔基，當R4 、R5 及R6 為複數個時，該等R4 為相同或不同、該等R5 為相同或不同，該等R6 為相同或不同。
在R1 中，該烷基為直鏈烷基或支鏈烷基，該烯基為直鏈烯基或支鏈烯基，該炔基為直鏈炔基或支鏈炔基。較佳地，在R1 中，該烷基為直鏈烷基，該烯基為直鏈烯基，該炔基為直鏈炔基。在R2 及R3 中，該烷基為直鏈烷基或支鏈烷基，該烯基為直鏈烯基或支鏈烯基，該炔基為直鏈炔基或支鏈炔基。較佳地，在R2 及R3 中，該烷基為直鏈烷基，該烯基為直鏈烯基，該炔基為直鏈炔基。
較佳地，該R1 與該R2 相同或R1 與該R3 相同。
較佳地，該R1 表示碳數為1至8的烷基、碳數為2至8的烯基，或碳數為2至8的炔基。更佳地，該R1 表示碳數為1至5的烷基、碳數為2至5的烯基，或碳數為2至5的炔基。又更佳地，該R1 表示碳數為1至3的烷基、碳數為2至3的烯基，或碳數為2至3的炔基。
較佳地，該R2 及R3 各自表示碳數為1至8的烷基、碳數為2至8的烯基，或碳數為2至8的炔基。更佳地，該R2 及R3 各自表示碳數為1至5的烷基、碳數為2至5的烯基，或碳數為2至5的炔基。又更佳地，該R2 及R3 各自表示碳數為1至3的烷基、碳數為2至3的烯基，或碳數為2至3的炔基。
其中，該R2 及R3 中一者為，q為0至3，n為10至20，m為2n-q、2n-2-q、2n-4-q或2n-6-q，R4 表示碳數為1至21的烷基、碳數為2至21的烯基，或碳數為2至21的炔基，R5 表示羥基或，R6 表示碳數為1至21的烷基、碳數為2至21的烯基，或碳數為2至21的炔基，當R4 、R5 及R6 為複數個時，該等R4 為相同或不同、該等R5 為相同或不同，該等R6 為相同或不同，且該與該R5 鍵結在同碳上或不同碳上。
較佳地，該R4 表示碳數為1至17的烷基、碳數為2至17的烯基，或碳數為2至17的炔基。更佳地，該R4 表示碳數為1至15的烷基、碳數為2至15的烯基，或碳數為2至15的炔基。又更佳地，該R4 表示碳數為1至13的烷基、碳數為2至13的烯基，或碳數為2至13的炔基。
較佳地，該R6 表示碳數為1至17的烷基、碳數為2至17的烯基，或碳數為2至17的炔基。更佳地，該R6 表示碳數為1至15的烷基、碳數為2至15的烯基，或碳數為2至15的炔基。又更佳地，該R6 表示碳數為1至13的烷基、碳數為2至13的烯基，或碳數為2至13的炔基。
較佳地，該n為16至20。更佳地，該n為16至18。又更佳地，該n為17。
m為2n-q(飽和)、2n-2-q(不飽和度為1)、2n-4-q(不飽和度為2)或2n-6-q(不飽和度為3)。較佳地，該m為2n-q或2n-2-q。
較佳地，該q為0。當該q為0時，該為，該m為2n、2n-2、2n-4或2n-6。
較佳地，該q為0且m為2n-q或2n-2-q時，m=2n或2n-2，故該為。
較佳地，該為，v表示7至10，w表示2v或2v-2，p表示0至19。較佳地，v表示10。較佳地，該p為0至14。
當R2 及R3 中一者為式時，會存有下列的異構物：及。
該結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)可單獨一種或混合多種使用，且該結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)例如但不限於式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-4)，式(1-5)等。
較佳地，該結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)為式(1-1)。較佳地，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)的使用量範圍為0.8重量份至9.8重量份。更佳地，該結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)的使用量範圍為1重量份至9重量份。
該甘油酯系組分(C)還包括結構式(2)所示的甘油酯系化合物(C-2)。
＜＜結構式(2)所示的甘油酯系化合物(C-2)＞＞結構式(2) R7 、R8 及R9 各自表示氫或碳數為2至18的醯基(acyl group)，條件是R7 、R8 及R9 中至少兩者是碳數為2至18的醯基，且至少一者是碳數為5至18的醯基。
該碳數為2至18的醯基例如但不限於，該X1 表示碳數為1至17的烷基、碳數為2至17的含有烯基的基團或碳數為6至17的含有芳香基的基團。
該結構式(2)所示的甘油酯系化合物(C-2)可單獨一種使用或混合多種使用，且該結構式(2)所示的甘油酯系化合物(C-2)例如但不限於式(2-1)、式(2-2)、式(2-3)、式(2-4)、式(2-5)、式(2-6)、式(2-7)、式(2-8)，或式(2-9)等。較佳地，該結構式(2)所示的甘油酯系化合物(C-2)選自於式(2-1)、式(2-2)、式(2-5)、式(2-8)，或上述任意組合。為使由該正型感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜與電鍍液間具有更佳的親和性，較佳地，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該結構式(2)所示的甘油酯系化合物(C-2)的使用量範圍為0.2重量份至8重量份。更佳地，該結構式(2)所示的甘油酯系化合物(C-2)的使用量範圍為0.5重量份至7.5重量份。
＜溶劑(D)＞
該溶劑(D)可單獨一種使用或混合多種使用，且該溶劑(D)例如但不限於(聚)亞烷基二醇單烷醚類、(聚)亞烷基二醇單烷醚醋酸酯類、其他醚類、酮類、乳酸烷酯類、其他酯類、芳香族烴類，或羧酸胺類等。
該(聚)亞烷基二醇單烷醚類例如但不限於乙二醇單甲醚、乙二醇單***、二乙二醇單***、二乙二醇單正丙醚、二乙二醇單正丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單***、丙二醇單甲醚、丙二醇單***、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單***、二丙二醇單正丙醚、二丙二醇單正丁醚、三丙二醇單甲醚，或三丙二醇單***等。
該(聚)亞烷基二醇單烷醚醋酸酯類例如但不限於乙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇***醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯(簡稱PGMEA， propylene glycol monomethyl ether acetate)，或丙二醇***醋酸酯等。該其他醚類例如但不限於二乙二醇二甲醚、二乙二醇甲基***、二乙二醇二***，或四氫呋喃等。
該酮類例如但不限於甲乙酮、環己酮、2-庚酮、3-庚酮，或4-羥基-4-甲基-2-戊酮等。該乳酸烷酯類例如但不限於2-羥基丙酸甲酯或2-羥基丙酸乙酯(又稱乳酸乙酯，ethyl lactate)等。
該其他酯類例如但不限於2-羥基-2-甲基丙酸甲酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙氧基醋酸乙酯、羥基醋酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲基-3-甲氧基丁基醋酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丙酸酯、醋酸乙酯、醋酸正丙酯、醋酸異丙酯、醋酸正丁酯、醋酸異丁酯、醋酸正戊酯、醋酸異戊酯、丙酸正丁酯、丁酸乙酯、丁酸正丙酯、丁酸異丙酯、丁酸正丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸正丙酯、乙醯醋酸甲酯、乙醯醋酸乙酯，或2-氧基丁酸乙酯等。
該芳香族烴類例如但不限於甲苯或二甲苯等。該羧酸胺類例如但不限於N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺，或N,N-二甲基乙醯胺等。較佳地，該溶劑(D)選自於丙二醇單***、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯，或上述任意組合。
較佳地，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該溶劑(D)的使用量範圍為100重量份至800重量份。更佳地，該溶劑(D)的使用量範圍為150重量份至750重量份。
＜添加劑(E)＞
本發明正型感光性樹脂組成物還包含添加劑(E)。該添加劑(E)可單獨一種使用或混合多種使用，且該添加劑(E)例如但不限於溶解促進劑、溶解抑制劑、偶合劑、界面活性劑、調平劑、密著助劑、稀釋劑、增感劑、可塑劑或安定劑等。較佳地，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該添加劑(E)的使用量範圍為0重量份至20重量份。
該溶解促進劑用來提升該正型感光性樹脂組成物的顯影速度，以使感度及解析度提高。該溶解促進劑可使用一種或混合多種使用，且該溶解促進劑例如但不限於具有羧基(carboxyl)的化合物、具有磺酸基(sulfonic acid group)的化合物，或具有磺醯胺基(sulfonamide group)的化合物等。
該溶解抑制劑是一用來抑制該酚醛系樹脂組分(A)在鹼性水溶液中的溶解性的化合物，以控制殘膜厚、對比度或該正型感光性樹脂組成物的顯影時間。該溶解抑制劑可使用一種或混合多種使用，且該溶解抑制劑例如但不限於硝酸二苯基錪(diphenyliodonium nitrate)、硝酸雙(對-第三丁基苯基)錪[bis(p-tert-butylphenyl)iodonium nitrate)、溴化二苯基錪(diphenyliodonium bromide)、氯化二苯基錪(diphenyliodonium chloride)，或碘化二苯基錪(diphenyliodonium iodide)等。
該界面活性劑或調平劑用來提升該正型感光性樹脂組成物的塗佈性及顯影性。該塗佈性例如防止因膜厚不均產生條紋的狀況。該界面活性劑或調平劑可使用一種或混合多種使用，且該界面活性劑或調平劑例如但不限於聚氧乙烯月桂基醚(polyoxyethylene lauryl ether)、聚氧乙烯硬脂基醚(polyoxyethylene stearyl ether)、聚氧乙烯油基醚(polyoxyethylene oleyl ether)、聚氧乙烯辛基苯酚醚(polyoxyethylene octyl phenol ether)、大日本油墨化學工業股份有限公司製造、大日本油墨化學工業股份有限公司製造、住友3M股份有限公司，或信越化學工業股份有限公司製造等。該大日本油墨化學工業股份有限公司製造的市售品例如商品名Megafac F171、F773或R-08。該住友3M股份有限公司的市售品例如商品名Fluorad FC430或FC431。該信越化學工業股份有限公司製造的市售品例如商品名organosiloxane polymer KP341、KBM303、KBM403或KBM803等。
較佳地，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該界面活性劑或調平劑的使用量範圍為大於0重量份至1.2重量份。更佳地，該界面活性劑或調平劑的使用量範圍為0.025重量份至1.0重量份。又更佳地，該界面活性劑或調平劑的使用量範圍為0.050重量份至0.8重量份。
該密著助劑用來提升該正型感光性樹脂組成物與一基板間的密著性。該密著助劑例如但不限於三聚氰胺(melamine)化合物、矽烷系(silane)化合物或鋁螯合化合物等。該三聚氰胺化合物可單獨一種或混合多種使用，且該三聚氰胺化合物例如但不限於CYTEC公司製造且型號為Cymel-300或Cymel-303的商品，或三和化學製造且型號為MW-30MH、MW-30、MS-11、MS-001、MX-750或MX-706的商品。該矽烷系化合物可單獨一種使用或混合多種使用，且該矽烷系化合物例如但不限於乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基二甲基甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-氯丙基甲基二甲氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷或雙-1,2-(三甲氧基矽基)乙烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷(γ-glycidoxypropyl triethoxy silane)、脲丙基三乙氧基矽烷(urea propyl triethoxysilane)、甲基苯基矽烷二醇(methylphenyl silanediol)、乙基苯基矽烷二醇(ethylphenyl silanediol)、正丙基苯基矽烷二醇(n-propylphenyl silanediol)、異丙基苯基矽烷二醇(isopropylphenyl silane diol)、正丁基苯基矽烷二醇(n-butyl phenyl silane diol)、異丁基苯基矽烷二醇(iso-butyl phenyl silane diol)、第三丁基苯基矽烷二醇(tert-butyl phenyl silane diol)、二苯基矽烷二醇(diphenylsilanediol)、乙基甲基苯基矽烷醇(ethyl methyl phenyl silanol)、正丙基甲基苯基矽烷醇(n-propyl methyl phenyl silanol)、異丙基甲基苯基矽烷醇(isopropyl methyl phenyl silanol)、正丁基甲基苯基矽烷醇(n-butyl methyl phenyl silanol)、異丁基甲基苯基矽烷醇(isobutyl methyl phenyl silanol)、第三丁基甲基苯基矽烷醇(tert-butyl methyl phenyl silanol)、乙基正丙基苯基矽烷醇(ethyl n-propyl phenyl silanol)、乙基異丙基苯基矽烷醇(ethyl isopropyl phenyl silanol)、正丁基乙基苯基矽烷醇(n-butyl ethyl phenyl silanol)、異丁基乙基苯基矽烷醇(iso-butyl ethyl phenyl silanol)、第三丁基乙基苯基矽烷醇(tert-butyl ethyl phenyl silanol)、甲基二苯基矽烷醇(methyl diphenyl silanol)、乙基二苯基矽烷醇(ethyl diphenyl silanol)、正丙基二苯基矽烷醇(n- propyl diphenyl silanol)、異丙基二苯基矽烷醇(isopropyl diphenyl silanol)、正丁基二苯基矽烷醇(n-butyl diphenyl silanol)、異丁基二苯基矽烷醇(isobutyl diphenyl silanol)、第三丁基二苯基矽烷醇(tert-butyl diphenyl silanol)、苯基矽烷三醇(phenyl silane triol)、1,4-雙(三羥基矽烷基)苯[1,4-bis (trihydroxysilyl)benzene]、1,4-雙(甲基二羥基矽烷基)苯[1,4-bis(methyl dihydroxy silyl)benzene]、1,4-雙(乙基二羥基矽烷基)苯[1,4-bis(ethyl dihydroxy silyl)benzene]、1,4-雙(丙基二羥基矽烷基)苯[1,4-bis(propyl dihydroxy silyl) benzene]、1,4-雙(丁基二羥基矽烷基)苯[1,4-bis (butyl dihydroxy silyl)benzene]、1,4-雙(二甲基羥基矽烷基)苯[1,4-bis(dimethylhydroxysilyl)benzene]、1,4-雙(二乙基羥基矽烷基)苯[1,4-bis(diethylhydroxysilyl)benzene]、1,4-雙(二丙基羥基矽烷基)苯[1,4-bis(dipropylhydroxysilyl)benzene]，或1,4-雙(二丁基羥基矽烷基)苯[1,4-bis(di-butyl hydroxy silyl) benzene]等。
較佳地，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該密著助劑的使用量範圍為大於0重量份至20重量份。更佳地，該密著助劑的使用量範圍為0.5重量份至18重量份。又更佳地，該密著助劑的使用量範圍為1.0重量份至15重量份。
該稀釋劑可單獨一種使用或混合多種使用，且該稀釋劑例如但不限於帝國INK製造且型號為RE801或RE802的商品。
該增感劑可單獨一種使用或混合多種使用，且該增感劑例如但不限於日本本州化學工業製造且型號為TPPA-1000P、TPPA-100-2C、TPPA-1100-3C、TPPA-1100-4C、TPPA-1200-24X、TPPA-1200-26X、TPPA-1300-235T、TPPA-1600-3M6C，或TPPA-MF的商品。較佳地，該增感劑為TPPA-1600-3M6C或TPPA-MF。
較佳地，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該增感劑的使用量範圍為大於0重量份至20重量份。更佳地，該增感劑的使用量範圍為0.5重量份至18重量份。又更佳地，該增感劑的使用量範圍為1.0重量份至15重量份。
＜圖案化膜＞
本發明圖案化膜是由上所述的正型感光性樹脂組成物經微影處理所形成，且該微影處理包括烘烤步驟、曝光步驟及顯影步驟。
該烘烤步驟包括一對該正型感光性樹脂組成物進行烘烤程序以移除該溶劑(D)。
該圖案化膜的形成方法可採一般形成圖案化膜的方法。舉例來說，將該正型感光性樹脂組成物塗佈於一基板上，其中，該塗佈方法例如但不限於旋轉塗佈法、流延塗佈法或輥式塗佈法等。接著，於塗佈後，進行該烘烤步驟的烘烤程序，而形成一烘烤塗膜。該烘烤程序的操作溫度及時間依據該正型感光性樹脂組成物中的各成分的種類與比例而異。該烘烤程序的操作溫度通常在70℃至130℃。該烘烤程序的操作時間通常在0.5分鐘至20分鐘。
在該烘烤程序後，將該烘烤塗膜於指定的光罩下進行該曝光步驟。該曝光步驟所使用的光線並無特別的限制，較佳地，該光線為紫外光。該紫外光的波長例如g線、h線，或i線等。該產生紫外光的設備例如但不限於(超)高壓水銀燈或金屬鹵素燈等。
在該曝光步驟後，浸漬於一顯影劑中，以將該烘烤塗膜中經光照射的部分去除，而形成一預定圖案。該顯影劑的溫度在21℃至25℃。該浸漬時間為15秒至5分鐘。該顯影劑例如但不限於鹼性化合物等。該鹼性化合物例如但不限於氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀、碳酸氫鉀、矽酸鈉、甲基矽酸鈉、氨水、乙胺、二乙胺、三乙胺、三乙醇胺、二甲基乙醇胺、氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、膽鹼、吡咯、哌啶，或1,8-二氮雜二環-[5,4,0]-7-十一烯等。較佳地，以該顯影劑為100wt%計，該鹼性化合物的含量範圍為0.001wt%至10 wt%。更佳地，該鹼性化合物的含量範圍為0.005wt%至5 wt%。又更佳地，該鹼性化合物的含量範圍為0.01wt%至1wt%。當該顯影劑為鹼性化合物時，通常於該顯影步驟後，以水洗淨，並以壓縮空氣或壓縮氮氣風乾。於該顯影步驟後，即可於該基板上形成該圖案化膜。
＜凸塊的製造方法＞
在一基板上以上述形成圖案化膜的方法形成圖案化膜，接著，浸泡於一電鍍液中進行電鍍處理，待該電鍍處理結束後，進行一將圖案化膜自該基板上剝離的剝離處理。
該電鍍液例如但不限於金電鍍液、錫電鍍液、銅電鍍液或銀電鍍液。該電鍍處理可採用化學電鍍、通電電鍍，或上述方式之組合。
該剝離處理是將該載有圖案化膜的基板與一剝離用成分接觸，透過該剝離用成分與該圖案化膜作用，而使該圖案化膜自該基板上剝離。該剝離用成分可使用一種或混合多種使用，且該剝離用成分例如但不限於乙二醇烷基醚(ethylene glycol alkyl ethers)類化合物、乙二醇二烷基醚(ethylene glycol dialkyl ether)類化合物、乙二醇烷基乙酸酯(ethylene glycol alkyl acetate)類化合物、丙二醇烷基醚乙酸酯(propylene glycol alkyl ether acetate)類化合物、酮類化合物、芳香族碳氫類化合物、環醚(cyclic ether)類化合物，或醚類化合物等。
該乙二醇烷基醚類化合物可使用一種或混合多種使用，且該乙二醇烷基醚類化合物例如但不限於乙二醇單甲基醚(ethylene glycol monomethyl ether)、乙二醇單乙基醚(ethylene glycol monoethyl ether)、乙二醇單丙基醚(ethylene glycol monopropyl ether)，或乙二醇單丁基醚(ethylene glycol monobutyl ether)等。該乙二醇二烷基醚類化合物可使用一種或混合多種使用，且該乙二醇二烷基醚類化合物例如但不限於二乙二醇二甲基醚(diethylene glycol dimethyl ether)、二乙二醇二乙基醚(diethylene glycol diethyl ether)、二乙二醇二丙基醚(diethylene glycol dipropyl ether)，或二乙二醇二丁基醚(diethylene glycol dibutyl ether)等。
該乙二醇烷基乙酸酯類化合物可使用一種或混合多種使用，且該乙二醇烷基乙酸酯類化合物例如但不限於乙酸2-甲氧乙酯(methyl cellosolve acetate)或乙酸2-乙氧乙酯(ethyl cellosolve acetate)等。該丙二醇烷基醚乙酸酯類化合物可使用一種或混合多種使用，且該丙二醇烷基醚乙酸酯類化合物例如但不限於丙二醇單甲基醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate)、丙二醇單乙基醚乙酸酯(propylene glycol monoethyl ether acetate)、或丙二醇單丙基醚乙酸酯(propylene glycol monopropyl ether acetate)等。
該酮類化合物可使用一種或混合多種使用，且該酮類化合物例如但不限於丙酮、甲乙酮(methyl ethyl ketone)、環己酮(cyclohexanone)，或甲基戊基酮(methyl amyl ketone)等。該芳香族碳氫類化合物可使用一種或混合多種使用，且該芳香族碳氫類化合物例如但不限於甲苯或二甲苯等。該環醚(cyclic ether)類化合物例如但不限於二噁烷(dioxane)。該酯類化合物可使用一種或混合多種使用，且該酯類化合物例如但不限於2-羥基丙酸甲酯(2-hydroxypropionic acid methyl ester)、2-羥基丙酸乙酯(2-hydroxypropionic acid ethyl ester)、 3-乙氧基丙酸乙酯(3-ethoxypropionic acid ethyl ester)、乙氧基乙酸乙酯(ethoxyacetic acid ethyl ester)、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯(2-hydroxy-3-methylbutanoic acid methyl ester)、3-甲氧基丁基乙酸酯(3-methoxybutylacetate)、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯(3-methyl-3-methoxybutylacetate)、甲酸乙酯(ethyl formate)、乙酸丁酯(butyl acetate)、乙醯乙酸甲酯(methyl acetoacetate)，或乙醯乙酸乙酯(ethyl acetoacetate)等。
本發明將就以下實施例來作進一步說明，但應瞭解的是，該實施例僅為例示說明之用，而不應被解釋為本發明實施之限制。
＜製備例A-1-1＞
在一容積1000毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、加熱器、冷凝管及溫度計，導入氮氣後置入0.40莫耳的間-甲酚、0.50莫耳的對-甲酚、0.10莫耳的3,4-二甲苯酚、0.65莫耳的甲醛及0.200莫耳的草酸，形成一混合溶液。緩慢攪拌使該混合溶液升溫至100℃，並於該溫度下進行6小時的縮合聚合反應。然後，升溫至180℃，並以10mmHg的壓力進行減壓乾燥，將水等縮合聚合反應的副產物進行脫輝後，即可得二甲酚型酚醛清漆樹脂。
＜製備例A-1-2至製備例A-1-4＞
製備例A-1-2至A-1-4是以與製備例A-1-1相同的步驟來製備該酚醛系樹脂組分，不同的地方在於：改變原料的種類及其使用量，該原料的種類及其使用量如表1。
＜製備例A-2-1＞
在一容積1000毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、加熱器、冷凝管及溫度計，導入氮氣後置入0.70莫耳的間-甲酚、0.30莫耳的對-甲酚、0.70莫耳的甲醛及0.015莫耳的草酸，形成 一混合溶液。緩慢攪拌使該混合溶液升溫至100℃，並於該溫度下進行6小時的縮合聚合反應。然後，升溫至180℃，並以10mmHg的壓力進行減壓乾燥，將水等縮合聚合反應的副產物進行脫揮後，即可得羥基型酚醛清漆樹脂。
＜製備例A-2-2至製備例A-2-3＞
製備例A-2-2至A-2-3是以與製備例A-2-1相同的步驟來製備該酚醛系樹脂組分，不同的地方在於：改變原料的種類及其使用量，該原料的種類及其使用量如表1。
表1
＜實施例1＞
將100重量份的製備例A-1-1的二甲酚型酚醛清漆樹脂、5重量份的2,3,4-三羥基二苯甲酮與1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸反應的酯化物、1重量份的式(1-4)所示的甘油酯系化合物，及100重量份的丙二醇甲醚醋酸酯置入一容器中，並以搖動式攪拌器攪拌，即可製得本發明的正型感光性樹脂組成物。
＜實施例2至10及比較例1至3＞
實施例2至10及比較例1至3是以與實施例1相同的步驟來製備該正型感光性樹脂組成物，不同的地方在於：改變原料的種類及其使用量，該原料的種類及其使用量如表2及表3。該等感光性樹脂組成物以下記評價項目進行評價，所得結果如表2及表3所示。
評價項目
電鍍液親和性：將實施例1至10與比較例1至3所製備的正型感光性樹脂組成物以旋轉塗佈的方式，塗佈於空白玻璃基板上，其中，該空白玻璃基板的尺寸為100公釐×100公釐×0.7公釐。塗佈後，於100℃下烘烤2分鐘，以得到厚度約10μm的烘烤塗膜。接著，取0.05 毫升的電鍍液(型號： ST2000，Enthone製)，滴於該烘烤塗膜的中心上，並用接觸角測量機(型號：CAM100，KSV製)，測量接觸角。評價標準：◎：接觸角≦50度；○：50度＜接觸角≦60度；X：接觸角＞60度。
表2
表3
參閱表2及表3，相較於比較例1至3的正型感光性樹脂組成物皆未包含有該甘油酯系組分(C)，本發明實施例1至10的正型感光性樹脂組成物皆包含有該甘油酯系組分(C)，使得由該正型感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜與電鍍液間的接觸角變小，此表示該圖案化膜與該電鍍液間的親和性被提升。
綜上所述，本發明透過該結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)與其它成分的搭配使用，使得由該正型感光性樹脂組成物所形成的圖案化膜與電鍍液間的親和性得以被提升，故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。

Claims (7)

  1. 一種正型感光性樹脂組成物，包含：酚醛系樹脂組分(A)；鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)；溶劑(D)；甘油酯系組分(C)，包括結構式(1)所示的甘油酯系化合物(C-1)，R1表示碳數為1至10的烷基、碳數為2至10的烯基，或碳數為2至10的炔基；R2及R3各自表示碳數為1至10的烷基、碳數為2至10的烯基、碳數為2至10的炔基，或，且條件是R2及R3中一者為，q為0至3，n為10至20，m為2n-q、2n-2-q、2n-4-q或2n-6-q，R4表示碳數為1至21的烷基、碳數為2至21的烯基，或碳數為2至21的炔基，R5表示羥基或，R6表示碳數為1至21的烷基、碳數為2至21的烯基，或碳數為2至21的炔基，當R4、R5及R6為複數個時，該等R4為相同或不同、該等R5為相同或不同，該等R6為相同或不同；以該酚醛系樹脂(A)組分的總量為100重量份計，該鄰萘醌二疊氮磺酸酯系化合物(B)的使用量範圍為5重量份至30重量份，該甘油酯系組分(C)的使用量範圍為1重量份至10重量份，以及該溶劑(D)的使用量範圍為100重量份至800重量份。
  2. 如請求項1所述的正型感光性樹脂組成物，其中，該酚醛系樹脂組分(A)包含二甲酚型酚醛系樹脂(A-1)，且該二甲酚型酚醛系樹脂(A-1)是由一包括醛類化合物與二甲酚類化合物的反應組分經縮合聚合反應所製得。
  3. 如請求項2所述的正型感光性樹脂組成物，其中，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該二甲酚型酚醛系樹脂(A-1)的使用量範圍為50重量份至100重量份。
  4. 如請求項1所述的正型感光性樹脂組成物，其中，該甘油酯系組分(C)還包括結構式(2)所示的甘油酯系化合物(C-2)，R7、R8及R9各自表示氫或碳數為2至18的醯基，條件是R7、R8及R9中至少兩者是碳數為2至18的醯基，且至少一者是碳數為5至18的醯基。
  5. 如請求項4所述的正型感光性樹脂組成物，其中，以該酚醛系樹脂組分(A)的總量為100重量份計，該結構式(2)所示的甘油酯系化合物(C-2)的使用量範圍為0.2重量份至8重量份。
  6. 一種圖案化膜，是由一如請求項1至5中任一項所述的正型感光性樹脂組成物經微影處理所形成，且該微影處理包括烘烤步驟、曝光步驟及顯影步驟。
  7. 一種凸塊的製造方法，包含以下步驟：將一如請求項6所述的圖案化膜形成於一基板上，接著，浸泡於一電鍍液中進行一電鍍處理，然後施予一剝離處理，以使該圖案化膜自該基板上剝離，而在該基板上形成複數凸塊。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1513035A (zh) * 2001-06-06 2004-07-14 组合物
TW201433884A (zh) * 2013-02-22 2014-09-01 Chi Mei Corp 正型感光性樹脂組成物及其圖案形成方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001042531A (ja) * 1999-07-26 2001-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP4343800B2 (ja) * 2004-08-30 2009-10-14 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP4882656B2 (ja) * 2006-10-11 2012-02-22 Ｊｎｃ株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれからなる有機膜
JP5090833B2 (ja) * 2007-09-11 2012-12-05 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物、及びそれを用いた感光性膜付基板
TWI474112B (zh) * 2012-09-27 2015-02-21 Chi Mei Corp 感光性樹脂組成物、保護膜及具有保護膜的元件
JP2016040577A (ja) * 2014-08-12 2016-03-24 東京応化工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及び硬化膜

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1513035A (zh) * 2001-06-06 2004-07-14 组合物
TW201433884A (zh) * 2013-02-22 2014-09-01 Chi Mei Corp 正型感光性樹脂組成物及其圖案形成方法

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