TWI675244B - 用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法 - Google Patents
用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI675244B TWI675244B TW107132717A TW107132717A TWI675244B TW I675244 B TWI675244 B TW I675244B TW 107132717 A TW107132717 A TW 107132717A TW 107132717 A TW107132717 A TW 107132717A TW I675244 B TWI675244 B TW I675244B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- transparent
- copper foil
- pattern
- emitting device
- device display
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 119
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 65
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
- H05K3/287—Photosensitive compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0108—Transparent
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0183—Dielectric layers
- H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09681—Mesh conductors, e.g. as a ground plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/099—Coating over pads, e.g. solder resist partly over pads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10128—Display
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
- H05K2201/2072—Anchoring, i.e. one structure gripping into another
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本發明提供一種根據本申請案的例示性實施例的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,包括:將銅箔層壓於透明基底材料上;藉由對銅箔進行蝕刻來形成銅箔圖案;在透明基底材料及銅箔圖案的前表面上形成透明感光性樹脂組成物層;以及藉由移除提供於銅箔圖案上的透明感光性樹脂組成物層的至少一部分來暴露銅箔圖案的至少一部分。
Description
本申請案主張2017年9月19日在韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2017-0120348號之優先權及權益,其全部內容以引用的方式併入本文中。
本申請案是關於一種用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法。
近來,韓國在公園及城鎮中心建立各種外部照明以及彩色指示牌,且經由高技術資訊與通訊技術(information and communication technology;ICT)及發光二極體(light emitting diode;LED)技術的彙聚為城市居民提供資訊及吸引力。特定言之,在使用氧化銦錫(indium tin oxide;ITO)透明電極材料的應用LED的透明LED顯示器中,LED應用於玻璃或透明膜之間、附著至玻璃的一個表面且具有看不到線的優勢,因此有可能顯示高品質的光。因此,在旅館、百貨商店以及類似者的內部利用透明LED顯示器,且透明LED顯示器在實施建築外牆的媒體外觀
(façade)中的重要性正在增加。
根據智慧型裝置的傳播,對透明電極的需求為爆發性的,透明電極為透明的、電引導且用於觸控螢幕以及類似者,且透明電極當中使用最廣泛的透明電極為氧化銦錫(ITO),即銦與錫的氧化物。然而,銦(此為ITO透明電極的材料的主原料)的儲量在全球範圍內並非在很大程度上可用,且銦僅在諸如中國的一些國家中生產,且銦的生產成本較高。另外,銦的不足之處在於所施加的電阻值並不恆定,因此LED的表現光束並不均一。因此,利用ITO的透明LED在用作高效能及低成本的透明電極材料上具有限制性。
事實為,ITO已最主要地用作透明電極材料,但歸因於經濟可行性、受限效能以及類似者的限制,利用新材料的研究及技術開發在持續進行。作為以下一代新材料吸引注意的透明電極材料,存在金屬網格、Ag奈米線、碳奈米管(carbon nano tube;CNT)、導電聚合物、石墨烯以及類似者。其中,金屬網格為佔據取代ITO的材料的85%的新材料,成本較低且具有高導電性,因此金屬網格的市場在金屬網格的利用率方面擴展了。
與現有ITO透明顯示器相比,利用金屬網格的透明LED顯示器易於修理及維護,能夠節省資源,能夠顯著防止環境污染,且由於製造成本降低而為經濟的。另外,利用金屬網格的透明LED顯示器可廣泛應用於各種用途,且可作為新的透明電極材料應用及利用於各種產品。
本申請案旨在提供一種用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法。
本申請案的例示性實施例提供一種製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,所述方法包括:將銅箔層壓於透明基底材料上;藉由對銅箔進行蝕刻來形成銅箔圖案;在透明基底材料及銅箔圖案的前表面上形成透明感光性樹脂組成物層;以及藉由移除提供於銅箔圖案上的透明感光性樹脂組成物層的至少一部分來暴露銅箔圖案的至少一部分。
本申請案的另一例示性實施例提供一種用於透明發光裝置顯示器的電極基板,所述電極基板包括:透明基底材料;黏著層,設置於透明基底材料上;銅箔圖案,設置於黏著層上;以及透明感光性樹脂組成物層,設置於黏著層及銅箔圖案上,其中透明感光性樹脂組成物層未設置於銅箔圖案的至少一部分區域中,且在用於透明發光裝置顯示器的電極基板中,未於其中設置銅箔圖案的區域的混濁度為5%或小於5%。
本申請案的又一例示性實施例提供一種透明發光裝置顯示器,所述透明發光裝置顯示器包括用於透明發光裝置顯示器的電極基板。
根據本申請案的例示性實施例,藉由使用低價銅箔形成金屬圖案,因此有可能在製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板時降低原料成本。特定言之,根據本申請案的例示性實施例,其
特徵在於,透明感光性樹脂組成物層形成於透明基底材料及銅箔圖案上,因此有可能防止用於透明發光裝置顯示器的電極基板的混濁度因銅箔的表面粗糙度而增大,以及調節透明感光性樹脂組成物層的折射率,因此有可能降低用於透明發光裝置顯示器的電極基板的混濁度。
另外,根據本申請案的例示性實施例,藉由移除提供於銅箔圖案上的透明感光性樹脂組成物層的至少一部分來暴露銅箔圖案的至少一部分,因此有可能形成電極墊單元圖案,所述電極墊單元圖案與外部終端連接或於其中安裝發光裝置。
10‧‧‧透明基底材料
20‧‧‧銅箔
30‧‧‧銅箔圖案
40‧‧‧透明感光性樹脂組成物層
50‧‧‧黏著層
60‧‧‧抗蝕劑圖案
圖1及圖2為示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板的圖。
圖3為示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法的圖。
圖4為示意性地示出根據透明感光性樹脂組成物層的塗覆的混濁度評估結果的圖。
圖5為示意性地示出根據透明感光性樹脂組成物層的塗覆的用於透明發光裝置顯示器的電極基板的圖。
圖6為示意性地示出在透明發光裝置顯示器的焊錫膏製程期間電極之間的短路的圖。
圖7為示出實例1的與銅箔的黏著層接觸的表面、在形成銅箔圖案之後自其中移除銅箔的黏著層的表面以及透明感光性樹脂
組成物層的表面的圖。
圖8為示出實例1的用於透明發光裝置顯示器的電極基板的結構、SEM影像以及透射率圖像的圖。
圖9為示出比較例1的用於透明發光裝置顯示器的電極基板的結構、SEM影像以及透射率圖像的圖。
[進行本發明的最佳模式]
在下文中,將詳細地描述本申請案。
在本申請案中,「透明」定義為在可見光線區域(400奈米至700奈米)中具有為約80%或大於80%的透射率特性。
一般而言,應用於透明發光二極體(LED)顯示器的透明電極基板需要確保1歐姆/平方或小於1歐姆/平方(ohm/sq)的低電阻特性,且為了確保低電阻及高透射率,要求2微米或大於2微米的金屬層,諸如Cu層。在先前技術中,使用濺鍍法來形成金屬層,但在使用濺鍍法時,存在以下問題:難以確保透明基底材料與金屬層之間的附著力,且透明電極基板的價格因過度沉積時間的增加而急劇提高。
就此而言,為確保價格競爭力,本申請案旨在提供一種用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法,所述電極基板使用極低成本的銅箔作為金屬層。
一種根據本申請案的例示性實施例的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法包括:將銅箔20層壓於透明基底材料10上;藉由對銅箔20進行蝕刻來形成銅箔圖案30;在透明基
底材料10及銅箔圖案30的上部部分的整個表面上形成透明感光性樹脂組成物層40;以及藉由移除提供於銅箔圖案30上的透明感光性樹脂組成物層40的至少一部分來暴露銅箔圖案30的至少一部分(如圖3所示)。
根據本申請案的例示性實施例的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法包括將銅箔層壓於透明基底材料上。
透明基底材料可為具有極佳透明度、表面光滑度、處理容易度以及防水性質的玻璃基底材料或透明塑膠基底材料,但不限於此,且只要透明基底材料通常用於電子裝置,透明基板不受限制。特定言之,透明基底材料可為由玻璃、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、(甲基)丙烯酸酯類聚合物樹脂、諸如聚乙烯或聚丙烯的聚烯烴類樹脂以及類似者形成的基底材料。
可將所屬領域中已知的材料用作銅箔,且銅箔的厚度可為2微米至15微米,但不限於此。
在將銅箔層壓於透明基底材料上時,可使用黏著層。更具體來說,如圖3所示,將銅箔20層壓於透明基底材料10上可包括在透明基底材料10上形成黏著層50,以及在黏著層50上形成銅箔20。
黏著層定位於透明基底材料與銅箔之間且提供附著力,且黏著層的折射率可為1.45至1.55。更特定言之,作為黏著層,使用丙烯酸樹脂、矽類樹脂、環氧類樹脂、聚醯亞胺類樹脂以及具有1.45至1.55的折射率的類似者,且黏著層可藉由諸如刮刀式塗佈(comma coating)及狹縫式塗佈的方法形成於5微米至30微米的厚度範圍中,但黏著層的厚度不限於此。
根據本申請案的例示性實施例的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法包括藉由對銅箔進行蝕刻來形成銅箔圖案。
作為對銅箔進行蝕刻的方法,可使用所屬領域中已知的方法。更具體來說,如圖3所示,對銅箔進行蝕刻的方法可包括在銅箔20上形成抗蝕劑圖案60且接著對銅箔20進行蝕刻,且剝離抗蝕劑圖案60,但不限於此。
銅箔圖案可包括兩個或大於兩個種類的具有不同線寬的銅箔圖案。另外,銅箔圖案可包括兩個種類的具有不同線寬的銅箔圖案,以及一個種類的銅箔圖案的線寬為3微米至30微米,且另一種類的銅箔圖案的線寬為50微米或大於50微米。具有3微米至30微米線寬的銅箔圖案可充當電極圖案,且具有50微米或大於50微米線寬的銅箔圖案可充當用於與外部終端連接的電極墊單元圖案。亦即,銅箔圖案可包括電極圖案及電極墊單元圖案。另外,發光裝置可安裝於電極墊單元圖案上。
電極圖案的線寬可為3微米至30微米、可為3微米至20微米,或可為3微米至10微米,但不限於此。另外,電極墊單元圖案的線寬可為50微米或大於50微米,以及50微米至100微米,但不限於此。
在本申請案的例示性實施例中,電極圖案可包括金屬網格圖案。對電極圖案進行組態的金屬網格圖案可具有相同線寬及相同線高。在本申請案的例示性實施例中,金屬網格圖案的相同線寬意謂線寬的標準偏差為20%或小於20%,較佳地為10%或小於10%,且更佳地為5%或小於5%。另外,在本申請案的例示性實施
例中,金屬網格圖案的相同線高意謂線高的標準偏差為10%或小於10%,較佳地為5%或小於5%,且更佳地為2%或小於2%。
另外,除電極墊單元圖案以外,金屬網格圖案可提供於透明基底材料上的有效螢幕單元的整個區域中。更特定言之,金屬網格圖案可提供於具有透明基底材料的上部表面的整個面積的80%或大於80%的面積的區域中,且可提供於具有99.5%或小於99.5%的面積的區域中。另外,金屬網格圖案可提供於具有基於透明基底材料的上部表面的整個面積的面積的80%或大於80%的面積的區域中,其中不包含提供於透明基底材料上的可撓性電路板(FPCB)墊單元區域及電極墊單元圖案區域,且所述金屬網格圖案可提供於具有99.5%或小於99.5%的面積的區域中。在本申請案中,FPCB墊單元區域包括施加外部功率的FPCB墊單元,且FPCB墊單元區域的面積可等於或大於FPCB墊單元的整個面積,且等於或小於FPCB墊單元的整個面積的三倍。
可將所屬領域中的圖案形式用作金屬網格圖案。更特定言之,金屬網格圖案可包括多邊形圖案,所述多邊形圖案包括三角形、四邊形、五邊形、六邊形以及八邊形當中的一或多種形式。金屬網格圖案可包括直線、曲線或由直線或曲線形成的閉合曲線。
另外,透明感光性樹脂組成物層可提供於電極圖案上,且透明感光性樹脂組成物層可能未提供於電極墊單元圖案的至少一部分上。
根據本申請案的例示性實施例的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法包括在透明基底材料及銅箔圖案的上部表面的整個表面上形成透明感光性樹脂組成物層。透明感光性樹
脂組成物層可藉由在透明基底材料及銅箔圖案的上部表面的整個表面上塗覆透明感光性樹脂組成物來形成。
當將黏著層提供於透明基底材料上且接著對低價銅箔進行層壓時,銅箔的表面粗糙度轉印至黏著層的表面,因此可存在最終產物的混濁度增大的問題。為降低黏著層的表面粗糙度,可考慮將與黏著層具有類似折射率的透明樹脂額外塗覆至黏著層上的方法,但在此情況下,可存在以下問題:用於與外部終端連接或用於安裝發光裝置的電極墊單元圖案藉由透明樹脂層絕緣。因此,在本申請案中,在透明基底材料及銅箔圖案的上部部分的整個表面上形成具有感光性的透明感光性樹脂組成物層,因此有可能降低黏著層的表面粗糙度,且存在以下特性:可藉由使用背面曝光及顯影方法來移除透明感光性樹脂組成物層的至少一部分,以暴露用於與外部終端連接或用於安裝發光裝置的電極墊單元圖案,此將在下文描述。
透明感光性樹脂組成物為負型透明感光性樹脂組成物,且透明感光性樹脂組成物與提供於透明基底材料上的黏著層之間的折射率的差可在0.05內,且較佳地在0.02內。更特定言之,作為透明感光性樹脂組成物,可使用具有1.45至1.52的折射率的丙烯酸類UV硬化樹脂。
透明感光性樹脂組成物層的厚度可根據提供於黏著層上的銅箔圖案的厚度而不同。更特定言之,考慮到諸如LED安裝及FPCB黏合的後製程的容易度,透明感光性樹脂組成物層的厚度可與銅箔圖案的厚度具有10微米內的差。舉例而言,當銅箔圖案的厚度為5微米或小於5微米時,透明感光性樹脂組成物層的厚度
可為15微米或小於15微米。當銅箔圖案與透明感光性樹脂組成物層之間的厚度的差大於10微米時,在安裝LED的製程期間產生間隙(clearance)時,LED損壞的可能性較高,且在FPCB黏合期間過度產生階梯(step)時,壓力未傳輸至導電球,因此可存在無法承載電流的問題。
圖4中示意性地示出根據透明感光性樹脂組成物層的塗覆的混濁度評估結果。當未塗覆如圖4中所示出的透明感光性樹脂組成物層時,可看出,銅箔的表面粗糙度轉印至黏著層,因此混濁度增大,且當塗覆透明感光性樹脂組成物層(如同本申請案)時,可看出,混濁度經由透明感光性樹脂組成物與黏著層的折射率的匹配而減小。
根據本申請案的例示性實施例的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法包括藉由移除提供於銅箔圖案上的透明感光性樹脂組成物層的至少一部分來暴露銅箔圖案的至少一部分。
移除提供於銅箔圖案上的透明感光性樹脂組成物層的至少一部分可包括在透明基底材料的下部表面上進行背面曝光及顯影。
當在透明基底材料的下部表面上進行背面曝光時,提供於黏著層上的銅箔圖案充當光罩,因此單獨的光罩不是必需的,且有可能從根本上消除因對準誤差所致的故障產生。
在背面曝光中,可進行平行光曝光或散射光曝光。當在背面曝光期間進行平行光曝光時,可曝光所有電極圖案及電極墊單元圖案,此在圖1中示意性地示出。另外,當在背面曝光期間進行
散射光曝光時,可曝光電極墊單元圖案,此在圖2中示意性地示出。
另外,圖3中示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法。
另外,本申請案的例示性實施例提供一種用於透明發光裝置顯示器的電極基板,所述電極基板包括:透明基底材料;黏著層,設置於透明基底材料上;銅箔圖案,設置於黏著層上;以及透明感光性樹脂組成物層,設置於黏著層及銅箔圖案上,其中透明感光性樹脂組成物層未設置於銅箔圖案上的至少一部分區域中,且在用於透明發光裝置顯示器的電極基板中,未於其中設置銅箔圖案的區域的混濁度為5%或小於5%。
在用於透明發光裝置顯示器的電極基板中,未於其中設置銅箔圖案的區域的混濁度可為2%或小於2%,且可為1%或小於1%。
在根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板中,透明基底材料、黏著層、銅箔圖案、透明感光性樹脂組成物層以及類似者的內容與上文所描述的彼等相同,因此將省略對其的詳細描述。
圖5中示意性地示出根據透明感光性樹脂組成物層的塗覆的用於透明發光裝置顯示器的電極基板。如圖5中所示出,根據本申請案的例示性實施例,其特徵在於,透明感光性樹脂組成物層形成於透明基底材料及銅箔圖案上,因此有可能防止用於透明發光裝置顯示器的電極基板的混濁度因銅箔的表面粗糙度而增大,以及調節透明感光性樹脂組成物層的折射率,因此有可能降低
用於透明發光裝置顯示器的電極基板的混濁度。
根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板可應用為透明發光裝置顯示器的透明電極。
另外,本申請案的例示性實施例提供一種透明發光裝置顯示器,所述透明發光裝置顯示器包括用於透明發光裝置顯示器的電極基板。
如圖6中所示出,在先前技術的透明發光裝置顯示器中,在用於將發光裝置安裝於電極墊單元圖案上的焊錫膏製程期間,電極之間可產生短路。然而,根據本申請案的例示性實施例,存在以下特性:有可能在用於將發光裝置安裝於電極墊單元圖案上的焊錫膏製程期間藉由透明感光性樹脂組成物層防止電極之間短路。
[進行本發明的模式]
在下文中,將經由實例來例示本說明書中所描述的例示性實施例。然而,此不意欲藉由實例限制例示性實施例的範圍。
<實例>
<實例1>
藉由使用刮刀式塗佈機將胺基甲酸酯丙烯酸類透明黏著劑塗覆於具有250微米厚度的PET膜上,且接著在100℃下用熱風乾燥五分鐘,以形成具有10微米厚度的黏著層。在120℃及1.4公尺/分鐘(meter per minute;mpm)的條件下對具有透明黏著層的PET膜及具有3微米厚度的銅箔進行熱軋(hot-roll)層壓。
將乾膜抗蝕劑(dry film resist;DFR)層壓於銅箔層壓膜的銅箔表面上且接著藉由曝光及顯影製程形成呈沃羅諾伊
(Voronoi)形式的具有20微米線寬的DFR圖案。
藉由使用氯化鐵類銅蝕刻劑移除經曝光銅箔且剝離DFR圖案以形成呈沃羅諾伊形式的銅箔圖案。在此情況下,未於其中提供銅箔圖案的區域的混濁度為40%。
藉由使用刮刀式塗佈機將負透明感光性樹脂組成物塗覆於在其上提供銅箔圖案的基底材料上,且在120℃下將所述負透明感光性樹脂組成物乾燥五分鐘,以形成具有5微米厚度的負透明感光性樹脂組成物層。
藉由以下步驟來製備透明感光性樹脂組成物:將16公克丙烯酸酯樹脂(其重量平均分子量為10,100公克/莫耳,酸值為77毫公克氫氧化鉀/公克(mgKOH/g),丙烯酸反應器的比率為30莫耳%)、7.5公克二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)、作為光起始劑的巴斯夫公司(BASF Company)的1公克OXE-02以及0.5公克Glide-410(即75公克丙二醇單甲醚乙酸酯(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate;PGMEA)中的表面活性劑)進行溶解,且接著藉由使用具有0.1微米尺寸的濾紙來過濾經溶解材料。
藉由使用平行曝光裝置(Karl Suss MA-8)以100毫焦/平方公分的光量對具有透明感光性樹脂組成物層的表面的背面進行輻射,且接著使所述背面顯影,以選擇性地移除塗覆於銅箔圖案上的透明感光性透明樹脂組成物層。在此情況下,未於其中提供銅箔圖案的區域的混濁度為0.8%。
圖7中示出與銅箔的黏著層接觸的表面、在形成銅箔圖案之後自其中移除銅箔的黏著層的表面以及實例1的透明感光性
樹脂組成物層的表面。如圖7中所示出,與銅箔的黏著層接觸的表面形成有團塊以便使與黏著層的黏著力最大化。另外,團塊(nodule)經反射至在形成銅箔圖案之後,自其中移除銅箔的黏著層的表面,因此黏著層的表面粗糙度增大。另外,可看出,在形成透明感光性樹脂組成物層之後,表面粗糙度因透明感光性樹脂組成物層而降低了。
另外,圖8中示出實例1的用於透明發光裝置顯示器的電極基板的結構、SEM影像以及透射率圖像。
<比較例1>
除未於實例1中形成透明感光性樹脂組成物層以外,與實例1相同地進行方法。在此情況下,未於其中提供銅箔圖案的區域的混濁度為88.4%。
另外,圖9中示出比較例1的用於透明發光裝置顯示器的電極基板的結構、SEM影像以及透射率圖像。
如可在結果中看出,根據本申請案的例示性實施例,藉由使用低價銅箔形成金屬圖案,因此有可能在製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板時降低原料成本。特定言之,根據本申請案的例示性實施例,其特徵在於,透明感光性樹脂組成物層形成於透明基底材料及銅箔圖案上,因此有可能防止用於透明發光裝置顯示器的電極基板的混濁度因銅箔的表面粗糙度而增大,以及調節透明感光性樹脂組成物層的折射率,因此有可能降低用於透明發光裝置顯示器的電極基板的混濁度。
另外,根據本申請案的例示性實施例,藉由移除提供於銅箔圖案上的透明感光性樹脂組成物層的至少一部分來暴露銅箔圖
案的至少一部分,因此有可能形成電極墊單元圖案,所述電極墊單元圖案與外部終端連接或於其中安裝發光裝置。
Claims (20)
- 一種製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,所述方法包括:將銅箔層壓於透明基底材料上;藉由對所述銅箔進行蝕刻來形成銅箔圖案;在所述透明基底材料及所述銅箔圖案的上部部分的整個表面上形成透明感光性樹脂組成物層;以及藉由移除提供於所述銅箔圖案上的所述透明感光性樹脂組成物層的至少一部分來暴露所述銅箔圖案的至少一部分,其中將所述銅箔層壓於所述透明基底材料上使用黏著層。
- 如申請專利範圍第1項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述銅箔的厚度為2微米至15微米。
- 如申請專利範圍第1項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述黏著層的折射率為1.45至1.55。
- 如申請專利範圍第1項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述黏著層的厚度為5微米至30微米。
- 如申請專利範圍第1項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述透明感光性樹脂組成物層的折射率為1.45至1.55。
- 如申請專利範圍第1項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述黏著層與所述透明感光性樹脂組成物層之間的折射率的差在0.05內。
- 如申請專利範圍第1項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述透明感光性樹脂組成物層與所述銅箔圖案之間的厚度的差在10微米內。
- 如申請專利範圍第1項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中移除提供於所述銅箔圖案上的所述透明感光性樹脂組成物層的所述至少一部分包括在所述透明基底材料的下部表面上進行背面曝光及顯影。
- 如申請專利範圍第1項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述銅箔圖案包括兩個或大於兩個種類的具有不同線寬的銅箔圖案。
- 如申請專利範圍第9項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述銅箔圖案包括電極圖案及電極墊單元圖案,所述電極圖案的線寬為3微米至30微米,且所述電極墊單元圖案的線寬為50微米或大於50微米。
- 如申請專利範圍第10項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述電極圖案包括金屬網格圖案,且除所述電極墊單元圖案以外,所述金屬網格圖案提供於所述透明基底材料上的有效螢幕單元的整個區域上。
- 如申請專利範圍第10項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述透明感光性樹脂組成物層提供於所述電極圖案上,且所述透明感光性樹脂組成物層未提供於所述電極墊單元圖案的至少一部分上。
- 一種用於透明發光裝置顯示器的電極基板,所述電極基板包括:透明基底材料;黏著層,設置於所述透明基底材料上;銅箔圖案,設置於所述黏著層上;以及透明感光性樹脂組成物層,設置於所述黏著層及所述銅箔圖案上,其中所述透明感光性樹脂組成物層未設置於所述銅箔圖案的至少一部分區域中,且在用於所述透明發光裝置顯示器的所述電極基板中,未於其中設置所述銅箔圖案的區域的混濁度為5%或小於5%。
- 如申請專利範圍第13項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中所述黏著層與所述透明感光性樹脂組成物層之間的折射率的差在0.05內。
- 如申請專利範圍第13項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中所述透明感光性樹脂組成物層與所述銅箔圖案之間的厚度的差在10微米內。
- 如申請專利範圍第13項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中在用於所述透明發光裝置顯示器的所述電極基板中,未於其中設置所述銅箔圖案的所述區域的混濁度為2%或小於2%。
- 如申請專利範圍第13項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中所述銅箔圖案包括電極圖案及電極墊單元圖案,所述電極圖案的線寬為3微米至30微米,且所述電極墊單元圖案的線寬為50微米或大於50微米。
- 如申請專利範圍第17項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中所述電極圖案包括金屬網格圖案,且除所述電極墊單元圖案以外,所述金屬網格圖案設置於所述透明基底材料上的有效螢幕單元的整個區域上。
- 如申請專利範圍第17項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中所述透明感光性樹脂組成物層設置於所述電極圖案上,且所述透明感光性樹脂組成物層未設置於所述電極墊單元圖案的至少一部分上。
- 一種透明發光裝置顯示器,包括如申請專利範圍第13項至第19項中任一項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0120348 | 2017-09-19 | ||
??10-2017-0120348 | 2017-09-19 | ||
KR20170120348 | 2017-09-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201921066A TW201921066A (zh) | 2019-06-01 |
TWI675244B true TWI675244B (zh) | 2019-10-21 |
Family
ID=65811347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107132717A TWI675244B (zh) | 2017-09-19 | 2018-09-18 | 用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10868229B2 (zh) |
EP (1) | EP3686905A4 (zh) |
JP (1) | JP6821060B2 (zh) |
KR (1) | KR102129675B1 (zh) |
CN (1) | CN110637345B (zh) |
TW (1) | TWI675244B (zh) |
WO (1) | WO2019059589A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11063525B2 (en) * | 2019-01-07 | 2021-07-13 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Power supply module and manufacture method for same |
CN113630982A (zh) * | 2020-05-07 | 2021-11-09 | 深圳市晶泓科技有限公司 | 一种透明led电路板及透明led显示屏的制备方法 |
CN112752413B (zh) * | 2020-12-03 | 2022-05-31 | 深圳市晶泓科技有限公司 | 一种透明led电路板及透明led显示屏的制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200831547A (en) * | 2006-10-31 | 2008-08-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Resin composition for optical use, resin material for optical use using the same, optical filter for image display device, and image display device |
CN106660309A (zh) * | 2014-08-12 | 2017-05-10 | 富士胶片株式会社 | 转印膜、转印膜的制造方法、层叠体、层叠体的制造方法、静电电容型输入装置及图像显示装置 |
TW201728463A (zh) * | 2015-11-27 | 2017-08-16 | 三井金屬鑛業股份有限公司 | 附配線圖案之樹脂積層體之製造方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2653458B2 (ja) * | 1988-03-26 | 1997-09-17 | 旭化成工業株式会社 | 凸版印刷版用感光性樹脂組成物 |
JPH09270573A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Cmk Corp | プリント配線板及びその製造方法 |
JPH10282513A (ja) | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Sharp Corp | 電極基板の製造方法及び液晶表示素子 |
JPH10335064A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-18 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
KR100326535B1 (ko) | 1999-02-09 | 2002-03-25 | 구자홍 | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 및 그 제조방법 |
GB2341477B (en) * | 1998-09-10 | 2002-12-24 | Sharp Kk | Electrode substrate, manufacturing method thereof, and liquid crystal display element |
JP2009200432A (ja) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | フレキシブル配線基板およびその製造方法 |
KR100992187B1 (ko) | 2008-08-28 | 2010-11-04 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
JP2011114194A (ja) | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Alps Electric Co Ltd | 透明電極パターンの形成方法 |
GB201105364D0 (en) | 2011-03-30 | 2011-05-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Surface planarisation |
KR20120138287A (ko) | 2011-06-14 | 2012-12-26 | 삼성전기주식회사 | 터치패널 및 그 제조방법 |
CN102315290B (zh) * | 2011-09-23 | 2013-01-30 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种全光谱吸收增强的氢化非晶硅薄膜太阳能电池 |
US10446772B2 (en) * | 2013-06-14 | 2019-10-15 | Lg Chem, Ltd. | Organic solar cell and method of manufacturing the same |
US9557856B2 (en) * | 2013-08-19 | 2017-01-31 | Basf Se | Optical detector |
KR20150033169A (ko) | 2013-09-23 | 2015-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치 |
KR101624834B1 (ko) | 2014-02-13 | 2016-06-07 | 주식회사 엘지화학 | 마스터 몰드의 제조방법, 이로 제조된 마스터 몰드, 투명포토마스크의 제조방법, 이로 제조된 투명포토마스크 및 상기 투명포토마스크를 이용한 전도성 메쉬패턴의 제조방법 |
JP2015157392A (ja) | 2014-02-24 | 2015-09-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 透視型電極用積層体とその製造方法、透視型電極素材とデバイス |
KR101791299B1 (ko) | 2014-09-29 | 2017-10-27 | 주식회사 엘지화학 | 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 전극 및 이를 포함하는 전자소자 |
WO2016088609A1 (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | 富士フイルム株式会社 | 転写フィルム、フィルムセンサーの製造方法、フィルムセンサー、前面板一体型センサーおよび画像表示装置 |
JP6230559B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2017-11-15 | 富士フイルム株式会社 | 転写フィルム、フィルムセンサーの製造方法、フィルムセンサー、前面板一体型センサーおよび画像表示装置 |
EP3035122B1 (en) * | 2014-12-16 | 2019-03-20 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for fine line manufacturing |
KR20160126192A (ko) | 2015-04-23 | 2016-11-02 | 대덕지디에스 주식회사 | 투명 인쇄회로기판 제조방법 |
JP6620464B2 (ja) | 2015-08-26 | 2019-12-18 | 大日本印刷株式会社 | フレキシブル透明基板及びそれを用いたシースルー型のled表示装置 |
KR20170029838A (ko) | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 재단법인대구경북과학기술원 | 전도성 필름, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전극 |
CN107001885B (zh) * | 2015-11-05 | 2019-03-08 | 株式会社Lg化学 | 光学用途用粘合剂组合物和光学用途用粘合剂膜 |
KR20170120348A (ko) | 2016-04-21 | 2017-10-31 | 주식회사 씨엔플러스 | 플러그 커넥터 조립체 |
JP2018017996A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 日東電工株式会社 | 位相差層付偏光板および有機el表示装置 |
-
2018
- 2018-09-14 EP EP18857644.1A patent/EP3686905A4/en active Pending
- 2018-09-14 US US16/619,056 patent/US10868229B2/en active Active
- 2018-09-14 JP JP2019563208A patent/JP6821060B2/ja active Active
- 2018-09-14 WO PCT/KR2018/010830 patent/WO2019059589A1/ko unknown
- 2018-09-14 KR KR1020180110118A patent/KR102129675B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-14 CN CN201880031975.7A patent/CN110637345B/zh active Active
- 2018-09-18 TW TW107132717A patent/TWI675244B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200831547A (en) * | 2006-10-31 | 2008-08-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Resin composition for optical use, resin material for optical use using the same, optical filter for image display device, and image display device |
CN106660309A (zh) * | 2014-08-12 | 2017-05-10 | 富士胶片株式会社 | 转印膜、转印膜的制造方法、层叠体、层叠体的制造方法、静电电容型输入装置及图像显示装置 |
TW201728463A (zh) * | 2015-11-27 | 2017-08-16 | 三井金屬鑛業股份有限公司 | 附配線圖案之樹脂積層體之製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110637345B (zh) | 2021-10-29 |
TW201921066A (zh) | 2019-06-01 |
CN110637345A (zh) | 2019-12-31 |
KR20190032212A (ko) | 2019-03-27 |
EP3686905A1 (en) | 2020-07-29 |
US20200091392A1 (en) | 2020-03-19 |
US10868229B2 (en) | 2020-12-15 |
JP2020523623A (ja) | 2020-08-06 |
EP3686905A4 (en) | 2020-11-04 |
KR102129675B1 (ko) | 2020-07-02 |
WO2019059589A1 (ko) | 2019-03-28 |
JP6821060B2 (ja) | 2021-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI703748B (zh) | 用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法 | |
TWI675244B (zh) | 用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法 | |
CN102290506B (zh) | 具有图形化透明薄膜电极的led模块制造工艺 | |
KR102216418B1 (ko) | 투명 발광소자 디스플레이용 매립형 전극 기판 및 이의 제조방법 | |
CN111837237A (zh) | 用于透明发光二极管显示器件的电极基板和包括其的透明发光二极管显示器件 | |
CN103389846A (zh) | 一种石墨烯触摸屏电极及其制作方法 | |
US11716818B2 (en) | Embedded-type transparent electrode substrate and method for manufacturing same | |
TW202040809A (zh) | 透明發光裝置顯示器 | |
TWI687747B (zh) | 透明發光裝置顯示器 | |
KR102361783B1 (ko) | 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법 |