KR20190032212A - 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법 - Google Patents

투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법은, 투명 기재 상에 동박을 합지하는 단계; 상기 동박을 식각하여, 동박 패턴을 형성하는 단계; 상기 투명 기재 및 동박 패턴 상의 전면에 투명 감광성 수지 조성물층을 형성하는 단계; 및 상기 동박 패턴 상에 구비된 투명 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 제거하여, 동박 패턴의 적어도 일부를 노출시키는 단계를 포함한다.

Description

투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법{ELECTRODE SUBSTRATE FOR TRANSPARENT LIGHT EMITTING DEVICE DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
본 출원은 2017년 9월 19일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2017-0120348호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 우리나라는 첨단 ICT 기술과 LED 기술의 융합을 통해 화려한 간판뿐만 아니라 공원 및 도심지 내에 다양한 경관 조명을 연출하여 도시민에게 정보 및 볼거리를 제공하고 있다. 특히, ITO 투명 전극 소재를 사용한 투명 LED 디스플레이는 Glass와 Glass 사이에 LED를 적용하거나 LED가 적용된 투명 필름을 Glass의 일면에 부착한 것으로써, 전선이 보이지 않아 고급스러운 연출이 가능한 장점이 있다. 이로 인해 호텔, 백화점 등의 실내 인테리어에 활용되고 있으며, 건물 외벽의 미디어 파사드 구현에 있어 그 중요성이 커지고 있다.
투명하면서도 전기가 흘러 터치스크린 등에 사용되는 투명 전극은 스마트기기가 보급되면서 그 수요가 폭발적으로 늘어났으며, 그 중 가장 많이 사용하는 투명 전극은 인듐과 주석의 산화물인 ITO(Indium Tin Oxide) 이다. 그러나, ITO 투명 전극 소재의 주원료인 인듐은 전 세계적으로 매장량이 많지 않고, 중국 등 일부 국가에서만 생산되고 있으며 생산비용이 고가이다. 또한, 저항값이 일정하게 적용되지 않아 표출되는 LED 불빛이 일정하지 않다는 단점을 갖고 있다. 이로 인해 ITO를 활용한 투명 LED는 고성능 저비용의 투명 전극 소재로 활용하기에는 한계가 있다.
투명 전극 소재로서 ITO가 가장 많은 비중을 차지하며 사용되어 온 것은 사실이나, 경제성, 제한적 성능 등 한계로 인하여 새로운 소재를 활용한 연구와 기술개발이 지속적으로 이루어지고 있다. 차세대 신소재로 주목받고 있는 투명 전극 소재로는 메탈메쉬(Metal Mesh), 나노 와이어(Ag Nanowire), 탄소나노튜브(CNT), 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등이 있다. 그 중 메탈메쉬는 ITO를 대체한 물질의 85%를 차지하는 신소재로서 저비용 고전도도를 갖고 있어 그 활용도 측면에서 시장이 확대되고 있다.
메탈메쉬를 활용한 투명 LED 디스플레이는 기존 ITO 투명 디스플레이보다 유지보수가 용이하고, 자원절약, 환경오염방지를 대폭 줄일 수 있을 뿐만 아니라 제조원가 절감으로 경제적이다. 또한, 다양한 용도로 확대 적용이 가능하여 새로운 투명전극 소재로서 다양한 제품에 적용 및 활용에 가능성을 갖고 있다.
대한민국 특허공개공보 제10-2015-0033169호
본 출원은 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태는,
투명 기재 상에 동박(copper foil)을 합지하는 단계;
상기 동박을 식각하여, 동박 패턴을 형성하는 단계;
상기 투명 기재 및 동박 패턴 상의 전면에 투명 감광성 수지층을 형성하는 단계; 및
상기 동박 패턴 상에 구비된 투명 감광성 수지층의 적어도 일부를 제거하여, 동박 패턴의 적어도 일부를 노출시키는 단계
를 포함하는 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 출원의 일 실시상태는,
투명 기재;
상기 투명 기재 상에 구비된 접착층;
상기 접착층 상에 구비된 동박 패턴; 및
상기 접착층 및 동박 패턴 상에 구비된 투명 감광성 수지 조성물층을 포함하는 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판이고,
상기 동박 패턴 상의 적어도 일부 영역에는 상기 투명 감광성 수지 조성물층이 구비되지 않으며,
상기 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 동박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈가 5% 이하인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판을 제공한다.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는, 상기 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판을 포함하는 투명 발광소자 디스플레이를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 저가의 동박을 이용하여 금속 패턴을 형성하므로 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조시 원재료비가 절감될 수 있는 특징이 있다. 특히, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 투명 기재 및 동박 패턴 상에 투명 감광성 수지 조성물층을 형성함으로써, 동박 표면의 조도에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 헤이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 상기 투명 감광성 수지 조성물층의 굴절율을 조절하여 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 헤이즈를 감소시킬 수 있는 특징이 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 동박 패턴 상에 구비된 투명 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 제거하여, 동박 패턴의 적어도 일부를 노출시킴으로써, 외부 단자와 연결되거나 발광소자가 실장되는 전극 패드부 패턴을 형성할 수 있다.
도 1 및 도 2는 각각 본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 4는 투명 감광성 수지 조성물층의 적용 여부에 따른 헤이즈 평가결과를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 5는 투명 감광성 수지 조성물층의 적용 여부에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 6은 투명 발광소자 디스플레이의 솔더 페이스트 공정시, 전극 간 쇼트 여부를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 7은 실시예 1의 동박의 접착층과 접하는 면, 동박 패턴 형성 후에 동박이 제거된 접착층의 표면, 및 투명 감광성 수지 조성물층의 표면을 나타낸 도이다.
도 8은 실시예 1의 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 구조, SEM 이미지 및 투과도 사진을 나타낸 도이다.
도 9는 비교예 1의 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 구조, SEM 이미지 및 투과도 사진을 나타낸 도이다.
이하 본 출원에 대하여 상세히 설명한다.
본 출원에 있어서, "투명"은 가시광선 영역(400nm 내지 700nm)에서 약 80% 이상의 투과율 특성을 갖는 것을 의미하기로 한다.
통상적으로, 투명 LED 디스플레이에 적용되는 투명 전극 기판은 1 ohm/sq 이하의 저저항 특성이 확보되어야 하고, 저저항 및 높은 투과도를 확보하기 위해서는 2㎛ 이상의 Cu층과 같은 금속층이 요구된다. 종래에는 상기 금속층을 형성하기 위하여 스퍼터링 방법을 이용하였으나, 상기 스퍼터링 방법을 이용하는 경우에는 투명 기재와 금속층의 부착력 확보가 어렵고, 과도한 증착시간 증가에 따라 투명 전극 기판의 가격이 급격하게 상승하는 문제가 있다.
이에 본 출원에서는, 가격 경쟁력을 확보하기 위하여, 금속층으로써 초저가의 동박을 이용하는 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법은, 투명 기재 상에 동박을 합지하는 단계; 상기 동박을 식각하여, 동박 패턴을 형성하는 단계; 상기 투명 기재 및 동박 패턴 상의 전면에 투명 감광성 수지 조성물층을 형성하는 단계; 및 상기 동박 패턴 상에 구비된 투명 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 제거하여, 동박 패턴의 적어도 일부를 노출시키는 단계를 포함한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법은 투명 기재 상에 동박을 합지하는 단계를 포함한다.
상기 투명 기재는 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기재 또는 투명 플라스틱 기재가 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자 소자에 통상적으로 사용되는 투명 기재이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 투명 기재로는 유리; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다.
상기 동박은 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있고, 상기 동박의 두께는 2㎛ 내지 15㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 투명 기재 상에 동박을 합지하는 단계는 접착층을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 투명 기재 상에 동박을 합지하는 단계는, 투명 기재 상에 접착층을 형성하는 단계, 및 상기 접착층 상에 동박을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 접착층은 투명 기재와 동박 사이에 위치하여 접착력을 제공하는 것으로서, 굴절율이 1.45 내지 1.55 일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 접착층은 굴절율이 1.45 내지 1.55인 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지 등을 이용하고, 콤마 코팅, 슬롯다이 코팅 등의 방법으로 5㎛ 내지 30㎛의 두께범위로 형성할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법은 상기 동박을 식각하여, 동박 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 동박을 식각하는 방법은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 동박을 식각하는 방법은 동박 상에 레지스트 패턴을 형성한 후 상기 동박을 식각하는 단계, 및 상기 레지스트 패턴을 박리하는 단계를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 동박 패턴은 서로 선폭이 상이한 2종 이상의 동박 패턴을 포함할 수 있다. 또한, 상기 동박 패턴은 서로 선폭이 상이한 2종의 동박 패턴을 포함하고, 1종의 동박 패턴의 선폭은 3㎛ 내지 30㎛ 이고, 다른 1종의 동박 패턴의 선폭은 50㎛ 이상일 수 있다. 상기 선폭이 3㎛ 내지 30㎛인 동박 패턴은 전극 패턴의 역할을 수행할 수 있고, 상기 선폭이 50㎛ 이상인 동박 패턴은 외부 단자를 연결하기 위한 전극 패드부 패턴의 역할을 수행할 수 있다. 즉, 상기 동박 패턴은 전극 패턴 및 전극 패드부 패턴을 포함할 수 있다. 또한, 상기 전극 패드부 패턴 상에는 발광소자가 실장될 수 있다.
상기 전극 패턴의 선폭은 3㎛ 내지 30㎛ 일 수 있고, 3㎛ 내지 20㎛ 일 수 있으며, 3㎛ 내지 10㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 전극 패드부 패턴의 선폭은 50㎛ 이상일 수 있고, 50㎛ 내지 100㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 전극 패턴은 메탈메쉬 패턴을 포함할 수 있다. 상기 전극 패턴을 구성하는 메탈메쉬 패턴은 선폭 및 선고가 동일할 수 있다. 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 메탈메쉬 패턴의 선폭이 동일하다는 것은 선폭의 표준편차가 20% 이하, 바람직하게는 10% 이하, 더욱 바람직하게는 5% 이하인 것을 의미한다. 또한, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 메탈메쉬 패턴의 선고가 동일하다는 것은 선고의 표준편차가 10% 이하, 바람직하게는 5% 이하, 더욱 바람직하게는 2% 이하인 것을 의미한다.
또한, 상기 메탈메쉬 패턴은 상기 전극 패드부 패턴을 제외한 투명 기재 상의 유효화면부 전체 영역에 구비될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 메탈메쉬 패턴은 상기 투명 기재 상의 전체 면적 대비 80% 이상의 면적의 영역에 구비될 수 있고, 99.5% 이하의 면적에 구비될 수 있다. 또한, 상기 메탈메쉬 패턴은 상기 투명 기재 상의 전체 면적을 기준으로, 투명 기재 상에 구비되는 FPCB 패드부 영역과 전극 패드부 패턴 영역을 제외한 면적의 80% 이상의 면적의 영역에 구비될 수 있고, 99.5% 이하의 면적에 구비될 수 있다. 본 출원에 있어서, 상기 FPCB 패드부 영역은 외부 전원을 인가하는 FPCB 패드부를 포함하고, 그 면적은 FPCB 패드부의 전체 면적 이상, FPCB 패드부의 전체 면적의 3배 이하일 수 있다.
상기 메탈메쉬 패턴은 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 메탈메쉬 패턴은 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형 및 팔각형 중 하나 이상의 형태를 포함하는 다각형 패턴을 포함할 수 있다. 상기 메탈메쉬 패턴은 직선, 곡선, 또는 직선이나 곡선으로 이루어진 폐곡선을 포함할 수 있다.
또한, 상기 전극 패턴 상에는 상기 투명 감광성 수지 조성물층이 구비되고, 상기 전극 패드부 패턴 상의 적어도 일부에는 상기 투명 감광성 수지 조성물층이 구비되지 않을 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법은, 상기 투명 기재 및 동박 패턴 상의 전면에 투명 감광성 수지 조성물층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 투명 감광성 수지 조성물층은 상기 투명 기재 및 동박 패턴 상의 전면에 투명 감광성 수지 조성물을 도포함으로써 형성할 수 있다.
투명 기재 상에 접착층을 구비시킨 후 저가의 동박을 합지하는 경우에는, 동박의 표면 조도가 접착층 표면에 전사되어 최종 제품의 헤이즈가 증가되는 문제가 발생할 수 있다. 상기 접착층 표면의 조도를 감소시키기 위하여 접착층과 유사한 굴절율을 갖는 투명 수지를 접착층 상부에 추가로 도포시키는 방법을 고려할 수 있으나, 이러한 경우에는 외부 단자를 연결하거나 발광소자를 실장하기 위한 전극 패드부 패턴이 투명 수지층에 의하여 절연되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 본 출원에서는 감광성을 갖는 투명 감광성 수지 조성물층을 상기 투명 기재 및 동박 패턴 상의 전면에 형성함으로써, 접착층 표면의 조도를 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 후술하는 바와 같이 상기 투명 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 배면 노광 및 현상방법을 통하여 제거함으로써 외부 단자를 연결하거나 발광소자를 실장하기 위한 전극 패드부 패턴을 노출시킬 수 있는 특징이 있다.
상기 투명 감광성 수지 조성물은 네거티브(negative) 타입의 투명 감광성 수지 조성물이며, 투명 기재 상에 구비되어 있는 접착층과의 굴절률 차이가 0.05 이내, 바람직하게는 0.02 이내인 것을 특징으로 한다. 보다 구체적으로, 상기 투명 감광성 수지 조성물은 굴절율이 1.45 내지 1.52인 아크릴계 UV 경화형 수지를 사용할 수 있다.
상기 투명 감광성 수지 조성물층의 두께는 상기 접착층 상에 구비되어 있는 동박 패턴의 두께에 따라 상이할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 투명 감광성 수지 조성물층의 두께는 LED 실장 및 FPCB 본딩 등의 후공정 용이성을 고려하였을 때, 동박 패턴과의 두께 차이가 10㎛ 이내인 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 동박 패턴의 두께가 5㎛ 이하인 경우에는, 상기 투명 감광성 수지 조성물층의 두께는 15㎛ 이하일 수 있다. 상기 동박 패턴과 투명 감광성 수지 조성물층의 두께 차이가 10㎛를 초과하는 경우에는, LED 실장 공정 중 공차 발생시 LED 파손 가능성이 높고, FPCB 본딩에서도 과도한 단차 발생시 도전볼이 압력이 전달되지 않아 통전이 불가능하게 되는 문제점이 발생할 수 있다.
투명 감광성 수지 조성물층의 적용 여부에 따른 헤이즈 평가결과를 하기 도 4에 개략적으로 나타내었다. 하기 도 4와 같이 투명 감광성 수지 조성물층을 적용하지 않은 경우에는 동박 표면의 조도가 접착층에 전사되어 헤이즈가 증가함을 알 수 있고, 본 출원과 같이 투명 감광성 수지 조성물층을 적용한 경우에는 접착층과의 굴절율 매칭을 통하여 헤이즈가 감소함을 알 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법은, 상기 동박 패턴 상에 구비된 투명 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 제거하여, 동박 패턴의 적어도 일부를 노출시키는 단계를 포함한다.
상기 동박 패턴 상에 구비된 투명 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 제거하는 단계는, 상기 투명 기재의 하부면으로 배면 노광 및 현상하는 단계를 포함할 수 있다.
상기와 같이, 투명 기재의 하부면으로 배면 노광을 수행하는 경우에는, 접착층 상에 구비되어 있는 동박 패턴이 포토 마스크 역할을 수행하여 별도의 포토 마스크가 불필요하게 되며, 얼라인 오류로 인한 불량발생을 근본적으로 제거할 수 있는 장점이 있다.
상기 배면 노광은 평행광 노광 또는 산란광 노광을 진행할 수 있다. 상기 배면 노광시 평행광 노광을 진행하는 경우에는 전극 패턴 및 전극 패드부 패턴 모두가 노출될 수 있으며, 이를 하기 도 1에 개략적으로 나타내었다. 또한, 상기 배면 노광시 산란광 노광을 진행하는 경우에는 전극 패드부 패턴이 노출될 수 있으며, 이를 하기 도 2에 개략적으로 나타내었다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법을 하기 도 3에 개략적으로 나타내었다.
또한, 본 출원의 일 실시상태는, 투명 기재; 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층; 상기 접착층 상에 구비된 동박 패턴; 및 상기 접착층 및 동박 패턴 상에 구비된 투명 감광성 수지 조성물층을 포함하는 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판이고, 상기 동박 패턴 상의 적어도 일부 영역에는 상기 투명 감광성 수지 조성물층이 구비되지 않으며, 상기 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 동박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈가 5% 이하인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판을 제공한다.
상기 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 동박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈는 2% 이하일 수 있고, 1% 이하일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판에 있어서, 상기 투명 기재, 접착층, 동박 패턴, 투명 감광성 수지 조성물층 등에 대한 내용은 전술한 내용과 동일하므로, 이의 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
상기 투명 감광성 수지 조성물층의 적용 여부에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판을 하기 도 5에 개략적으로 나타내었다. 도 5와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 투명 기재 및 동박 패턴 상에 투명 감광성 수지 조성물층을 형성함으로써, 동박 표면의 조도에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 헤이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 상기 투명 감광성 수지 조성물층의 굴절율을 조절하여 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 헤이즈를 감소시킬 수 있는 특징이 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판은 투명 발광소자 디스플레이의 투명 전극으로 적용될 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태는 상기 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판을 포함하는 투명 발광소자 디스플레이를 제공한다.
하기 도 6과 같이, 종래의 투명 발광소자 디스플레이에서는 전극 패드부 패턴 상에 발광소자를 실장하기 위한 솔더 페이스트 공정시, 전극 간 쇼트가 발생할 수 있었다. 그러나, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 전극 패드부 패턴 상에 발광소자를 실장하기 위한 솔더 페이스트 공정시, 투명 감광성 수지 조성물층에 의하여 전극 간 쇼트를 방지할 수 있는 특징이 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 명세서에 기재된 실시상태를 예시한다. 그러나, 이하의 실시예에 의하여 상기 실시상태들의 범위가 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.
< 실시예 >
< 실시예 1>
250㎛ 두께의 PET 필름 상에 콤마 코터를 이용하여 우레탄 아크릴계 투명 접착제를 도포한 후 100℃에서 5분간 열풍 건조하여 10㎛ 두께의 접착층을 형성하였다. 상기 투명 접착층이 구비된 PET 필름과 3㎛ 두께의 동박을 120℃, 1.4mpm(meter per minute) 조건으로 핫롤(Hot Roll) 합지하였다.
상기 동박 합지 필름의 동박 면에 DFR(Dry Film Resist)를 합지한 후 노광 및 현상 공정을 통해 20㎛ 선폭의 Voronoi 형태의 DFR 패턴을 형성하였다.
염화제2철계 구리 식각액을 이용하여 노출된 동박을 제거하고 DFR 패턴을 박리하여 Voronoi 형태의 동박 패턴을 형성하였다. 이 때, 동박 패턴이 구비되어 있지 않은 영역의 헤이즈는 40% 였다.
상기 동박 패턴이 구비되어 있는 기재 상부에 네거티브 투명 감광성 수지 조성물을 콤마 코터를 이용하여 도포한 후 120℃에서 5분간 건조하여 5㎛ 두께의 네거티브 투명 감광성 수지 조성물층을 형성하였다.
상기 투명 감광성 수지 조성물은 중량 평균 분자량이 10,100 g/mol, 산가 77 mgKOH/g, 아크릴반응기 비율이 30 mol%인 아크릴레이트 수지 16g, 디펜타에리쓰리톨 헥사아크릴레이트 7.5g, 광개시제로서 BASF사 OXE-02 1g, Glide-410 계면활성제 0.5g을 PGMEA(Propylene Glycol Mnomethyl Ether Acetate) 75g에 용해한 후 0.1㎛ 크기의 필터로 여과하여 투명 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
상기 투명 감광성 수지 조성물층이 구비되어 있는 면의 배면에서 평행광 노광기(Karl Suss MA-8)를 활용하여 100 mJ/cm2의 광량을 조사한 후 현상하여 동박 패턴 상에 도포되어 있는 투명 감광성 투명 수지 조성물층을 선택적으로 제거하였다. 이 때, 동박 패턴이 구비되어 있지 않은 영역의 헤이즈는 0.8% 였다.
상기 실시예 1의 동박의 접착층과 접하는 면, 동박 패턴 형성 후에 동박이 제거된 접착층의 표면, 및 투명 감광성 수지 조성물층의 표면을 하기 도 7에 나타내었다. 하기 도 7과 같이, 동박의 접착층과 접하는 면은 접착층과의 밀착력을 극대화시키기 위하여 표면에 노둘(nodule)이 형성되어 있다. 또한, 상기 동박 패턴 형성 후에 동박이 제거된 접착층의 표면은 노둘(nodule)이 접착층에 반영되어 접착층의 표면 조도가 증가하였다. 또한, 상기 투명 감광성 수지 조성물층을 형성한 후에는 투명 감광성 수지 조성물층에 따라 표면 조도가 감소하였음을 확인할 수 있다.
또한, 상기 실시예 1의 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 구조, SEM 이미지 및 투과도 사진을 하기 도 8에 나타내었다.
< 비교예 1>
실시예 1에서 투명 감광성 수지 조성물층을 형성하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하였다. 이 때, 동박 패턴이 구비되어 있지 않은 영역의 헤이즈는 88.4% 였다.
상기 비교예 1의 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 구조, SEM 이미지 및 투과도 사진을 하기 도 9에 나타내었다.
상기 결과와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 저가의 동박을 이용하여 금속 패턴을 형성하므로 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조시 원재료비가 절감될 수 있는 특징이 있다. 특히, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 투명 기재 및 동박 패턴 상에 투명 감광성 수지 조성물층을 형성함으로써, 동박 표면의 조도에 따른 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 헤이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 상기 투명 감광성 수지 조성물층의 굴절율을 조절하여 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 헤이즈를 감소시킬 수 있는 특징이 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 동박 패턴 상에 구비된 투명 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 제거하여, 동박 패턴의 적어도 일부를 노출시킴으로써, 외부 단자와 연결되거나 발광소자가 실장되는 전극 패드부 패턴을 형성할 수 있다.
10: 투명 기재
20: 동박
30: 동박 패턴
40: 투명 감광성 수지층
50: 접착층
60: 레지스트 패턴

Claims (21)

  1. 투명 기재 상에 동박(copper foil)을 합지하는 단계;
    상기 동박을 식각하여, 동박 패턴을 형성하는 단계;
    상기 투명 기재 및 동박 패턴 상의 전면에 투명 감광성 수지 조성물층을 형성하는 단계; 및
    상기 동박 패턴 상에 형성된 투명 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 제거하여, 동박 패턴의 적어도 일부를 노출시키는 단계
    를 포함하는 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 동박의 두께는 2㎛ 내지 15㎛인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 기재 상에 동박을 합지하는 단계는 접착층을 이용하는 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 접착층의 굴절율은 1.45 내지 1.55인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  5. 청구항 3에 있어서, 상기 접착층의 두께는 5㎛ 내지 30㎛인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 감광성 수지 조성물층의 굴절율은 1.45 내지 1.55인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  7. 청구항 3에 있어서, 상기 접착층과 투명 감광성 수지 조성물층의 굴절율 차이는 0.05 이내인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 감광성 수지 조성물층과 동박 패턴과의 두께 차이는 10㎛ 이내인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 동박 패턴 상에 형성된 투명 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 제거하는 단계는,
    상기 투명 기재의 하부면으로 배면 노광 및 현상하는 단계를 포함하는 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 동박 패턴은 서로 선폭이 상이한 2종 이상의 동박 패턴을 포함하는 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 동박 패턴은 전극 패턴 및 전극 패드부 패턴을 포함하고,
    상기 전극 패턴의 선폭은 3㎛ 내지 30㎛ 이고,
    상기 전극 패드부 패턴의 선폭은 50㎛ 이상인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 전극 패턴은 메탈메쉬 패턴을 포함하고,
    상기 메탈메쉬 패턴은 상기 전극 패드부 패턴을 제외한 투명 기재 상의 유효화면부 전체 영역에 구비되는 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  13. 청구항 11에 있어서, 상기 전극 패턴 상에는 상기 투명 감광성 수지 조성물층이 구비되고,
    상기 전극 패드부 패턴 상의 적어도 일부에는 상기 투명 감광성 수지 조성물층이 구비되지 않는 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 제조방법.
  14. 투명 기재;
    상기 투명 기재 상에 구비된 접착층;
    상기 접착층 상에 구비된 동박 패턴; 및
    상기 접착층 및 동박 패턴 상에 구비된 투명 감광성 수지 조성물층을 포함하는 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판이고,
    상기 동박 패턴 상의 적어도 일부 영역에는 상기 투명 감광성 수지 조성물층이 구비되지 않으며,
    상기 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 동박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈가 5% 이하인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 접착층과 투명 감광성 수지 조성물층의 굴절율 차이는 0.05 이내인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판.
  16. 청구항 14에 있어서, 상기 투명 감광성 수지 조성물층과 동박 패턴과의 두께 차이는 10㎛ 이내인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판.
  17. 청구항 14에 있어서, 상기 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판의 동박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈는 2% 이하인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판.
  18. 청구항 14에 있어서, 상기 동박 패턴은 전극 패턴 및 전극 패드부 패턴을 포함하고,
    상기 전극 패턴의 선폭은 3㎛ 내지 30㎛ 이고,
    상기 전극 패드부 패턴의 선폭은 50㎛ 이상인 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판.
  19. 청구항 18에 있어서, 상기 전극 패턴은 메탈메쉬 패턴을 포함하고,
    상기 메탈메쉬 패턴은 상기 전극 패드부 패턴을 제외한 투명 기재 상의 유효화면부 전체 영역에 구비되는 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판.
  20. 청구항 18에 있어서, 상기 전극 패턴 상에는 상기 투명 감광성 수지 조성물층이 구비되고,
    상기 전극 패드부 패턴 상의 적어도 일부에는 상기 투명 감광성 수지 조성물층이 구비되지 않는 것인 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판.
  21. 청구항 14 내지 20 중 어느 한 항의 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판을 포함하는 투명 발광소자 디스플레이.
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