TWI674326B - 銅鋯合金散熱元件及銅鋯合金殼體的製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種銅鋯合金散熱元件,包括一銅鋯合金殼體以及設於銅鋯合金殼體內壁的一毛細結構層,所述銅鋯合金殼體包括含有15-20原子百分比的鋯之奈米銅鋯析出物。本發明還提供銅鋯合金散熱元件的製造方法,包括混合銅粉與鋯粉,經球磨後進行真空熱壓再施以滾壓處理,而製得銅鋯合金殼體。所述銅鋯合金散熱元件之殼體具有高抗拉強度、高延展性及導熱性,當散熱元件小型化時仍不造成元件破損、變形或扭曲,同時沒有喪失散熱的功效。
Description
本發明係關於一種銅鋯合金散熱元件及銅鋯合金殼體的製造方法。
因應全球通訊技術的快速發展,由於運算晶片能力的大幅提升,許多功能性的電子產品如隨身聽、電子辭典等已被行動裝置如智慧型手機或平板電腦所取代。為配合消費者對於輕薄短小的產品需求,行動裝置產品的散熱技術,一直是產業界面臨的難題。例如在5G高速傳輸之微型基地台及高速手持裝置之內部熱量極需超薄散熱元件,當散熱元件的厚度變小時會因壓力差的變化在結構脆弱處易造成破裂或變型。
習知以純銅為材料的散熱元件例如薄型或超薄熱管,因為強度不足,在彎折處極易破裂或變型,阻礙蒸氣通道;若熱管運作時受大氣壓力壓扁,或因內部壓力過大而會導致爆管。
因此,開發一超薄且具有高熱傳導能力同時具有高機械強度的散熱元件,乃是現階段相關技術領域的重要課題。
本發明提供一種銅鋯合金散熱元件,特別是薄型散熱元件,具有高強度的機械特性同時維持其高導熱性質。
本發明另提供一種銅鋯合金殼體的製造方法,能製做出具有高強度的機械特性同時具有高導熱性質的銅鋯合金殼體。
本發明提出一種銅鋯合金散熱元件,包括一銅鋯合金殼體、一設於銅鋯合金殼體內壁的毛細結構層,其中,該銅鋯合金殼體包括含有15-20原子百分比(at%)的鋯之奈米銅鋯析出物。
在本發明的一實施例中,上述銅鋯合金殼體中鋯的添加量大於0.5wt%且小於5.0wt%。
本發明另一實施例提出一種銅鋯合金殼體的製造方法,包括混合銅粉與鋯粉並球磨至少20小時,以形成合金化粉末;對合金化的粉末進行真空熱壓,以形成一塊材,接著對該塊材進行熱處理及時效處理,再對該塊材進行滾壓處理。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依照本發明的一實施例的一種銅鋯合金散熱元件的剖面示意圖。在圖1中,本實施例提出一種銅鋯合金散熱元件100,包括:一銅鋯合金殼體102以及一毛細結構層104,其設於銅鋯合金殼體102的內壁102a,其中銅鋯合金殼體102含有奈米銅鋯析出物,且該銅鋯析出物含有15 at%-20 at%的鋯;換句話說,該銅鋯析出物含有80 at%-85 at%的銅。在一實施例中,銅鋯合金殼體102中鋯的添加量例如大於0.5wt%且小於5.0wt%,且所謂的「添加量」是指製作銅鋯合金殼體102時的添加物的重量百分比。
在本發明一實施例中,銅鋯合金散熱元件100的厚度T1≦0.4mm。而且,銅鋯合金散熱元件100若是如圖1所示為管狀結構,則厚度T1是指其截面的短軸長度。
在本發明一實施例中,銅鋯合金殼體102的厚度T2≦0.1mm。
圖2是依照本發明的另一實施例的一種銅鋯合金殼體的製造流程步驟圖,且可製作出上一實施例的銅鋯合金殼體102。
請參照圖2,本實施例的方法,包括先進行步驟S200,混合銅粉與鋯粉並球磨至少20小時,其中該鋯粉的粒徑例如小於銅粉的粒徑,該鋯粉的添加量例如大於0.5wt%且小於5.0wt%,並可於氬氣氣氛中進經球磨使鋯熱擴散至銅中,並固溶形成合金化粉末。
然後,進行步驟S202,對上述合金化粉末進行真空熱壓成形,以形成一塊材。在本實施例中,真空熱壓成形的製程參數例如:以溫度930℃-960℃,壓力30MPa進行真空熱壓燒結2-4小時,而使合金化粉末成形為塊材。
而後,再進行步驟S204,對該塊材進行熱處理和時效處理,其中熱處理的溫度例如930℃-960℃,時間例如1-2小時,接著可先進行水冷,再以例如450℃-550℃的溫度進行時效處理。之後,可選擇持溫2-4小時後空冷。
然後,進行步驟S206,對該塊材進行滾壓處理。滾壓處理後可得到一薄片材,此薄片材可作為形成熱管或其他的散熱元件用之殼體結構。
如果要製作如圖1所示的銅鋯合金散熱元件,可在步驟S206之後,取上述滾壓處理後之薄片材,先製成例如一管狀或其他形狀之殼體,再以此殼體為基材製作毛細結構層。該毛細結構層的製作方式包含但不限於下列幾種:1.粉體隨機燒結在殼體內壁;2.銅網或銅線燒結在殼體內壁;3.殼體結構之內側加工溝槽;或4.殼體結構之內側進行蝕刻。
為了讓本揭露之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂,下文特舉數實施例及比較實施例,作詳細說明如下:
<實施例>
<金屬粉末球磨>
實施例1
將97克粒徑大小為100 mesh、純度為99.5 %的銅粉與3克粒徑大小為325 mesh、純度為99.9 %的鋯粉在手套箱中放入球磨罐中,在氬氣氣氛中以轉速350 rpm、20分鐘正反轉的方式進行球磨10小時,其結果得到Cu-3wt%Zr樣品1,以能量散射X射線光譜 (EDS,場效發射式掃瞄電子顯微鏡JEOL, FE-SEM)進行成份分析如表1。經電子顯微鏡觀察粒徑變化的情形,並做X光繞射(XRD)分析,鋯(Zr) 已開始擴散固溶至銅(Cu)表面,但仍有鋯未與銅反應。
實施例2
與實施例1相同,不同的是球磨的時間為20小時,其結果得到Cu-3wt%Zr樣品2,以EDS進行成份分析如表1。經電子顯微鏡觀察粒徑變化的情形,並做X光繞射(XRD)分析,可知尚有微量鋯(Zr)未與銅(Cu)固溶。
實施例3
與實施例1相同,不同的是球磨的時間為30小時,其結果得到Cu-3wt%Zr樣品3,以EDS進行成份分析如表1。經電子顯微鏡觀察粒徑變化的情形,並做X光繞射(XRD)分析可觀察出鋯(Zr)與銅(Cu)已經固溶,另外已並無鋯殘留。
表1
Cu-3wt. %Zr | 球磨時間(hours) | Cu wt. % | Zr wt. % |
樣品1 | 10 | 99.7 | 0.3 |
樣品2 | 20 | 99.5 | 0.5 |
樣品3 | 30 | 99.3 | 0.7 |
如表1所示,銅粉與鋯粉經球磨後,隨著球磨的時間增加,鋯擴散至銅表面的含量也隨之增加,也就是說,鋯含量擴散至銅中之趨勢,隨著球磨時間的增加而增加。
此外,依據SEM的結果分析球磨時間與晶粒的關係可知,球磨時間愈長,粒徑變小,且均勻度增加,例如在球磨後之10小時粒徑尺寸有大有小不均勻,隨著球磨時間愈長粒徑隨之慢慢變小,且其粒徑趨於均勻,至少球磨30小時,粒徑在500-600微米。
實施例4
將99.85克粒徑大小為100 mesh、純度為99.5 %的銅粉與0.15克粒徑大小為325 mesh、純度為99.9 %的鋯粉在手套箱中放入球磨罐中,在氬氣氣氛中以轉速350 rpm、20分鐘正反轉的方式進行球磨30小時,其結果得到Cu-0.15wt%Zr樣品4,經電子顯微鏡觀察並做X光繞射(XRD)分析,並無鋯存在,表示鋯已固溶於銅中。
實施例5
將99.5克粒徑大小為100 mesh、純度為99.5 %的銅粉與0.5克粒徑大小為325 mesh、純度為99.9 %的鋯粉在手套箱中放入球磨罐中,在氬氣氣氛中以轉速350 rpm、20分鐘正反轉的方式進行球磨30小時,其結果得到Cu-0.5wt%Zr樣品5,經電子顯微鏡觀察並做X光繞射(XRD)分析,並無鋯存在,表示鋯已固溶於銅中。
實施例6
將95克粒徑大小為100 mesh、純度為99.5 %的銅粉與5克粒徑大小為325 mesh、純度為99.9 %的鋯粉在手套箱中放入球磨罐中,在氬氣氣氛中以轉速350 rpm、20分鐘正反轉的方式進行球磨30小時,其結果得到Cu-5wt%Zr樣品6, 經X光繞射(XRD)分析,得知仍有鋯殘留,代表鋯固溶於銅中有含量的限制,並不會隨著鋯添加量增加而無限制的增加其固溶含量。
實施例7
將99.2克粒徑大小為100 mesh、純度為99.5 %的銅粉與0.8克粒徑大小為325 mesh、純度為99.9 %的鋯粉在手套箱中放入球磨罐中,在氬氣氣氛中以轉速350 rpm、20分鐘正反轉的方式進行球磨30小時,其結果得到Cu-0.8wt%Zr樣品7。經以X光繞射(XRD)分析可觀察出鋯(Zr)與銅(Cu)已經固溶。
實施例8
將98.3克粒徑大小為100 mesh、純度為99.5 %的銅粉與1.7克粒徑大小為325 mesh、純度為99.9 %的鋯粉在手套箱中放入球磨罐中,在氬氣氣氛中以轉速350 rpm、20分鐘正反轉的方式進行球磨30小時,其結果得到Cu-1.7wt%Zr樣品8。經以X光繞射(XRD)分析可觀察出鋯(Zr)與銅(Cu)已經固溶。。
<真空粉末熱壓及銅鋯析出物分析>
實施例9
以鎢鋼模具對樣品1以950 ℃,30 MPa的壓力進行真空熱壓4小時及熱處理和時效處理,得到樣品9。將樣品9的奈米析出物進行EDS成份分析,得到Cu 80.98at%,Zr 19.02at%。
實施例10
以鎢鋼模具對樣品2以950 ℃,30 MPa 的壓力進行真空熱壓4小時及熱處理和時效處理,得到樣品10。將樣品10的奈米析出物進行EDS成份分析,得到Cu 83.37at%,Zr 16.63at%。
實施例11
以鎢鋼模具對樣品3以950 ℃,30 MPa 的壓力進行真空熱壓4小時及熱處理和時效處理,得到樣品11。將樣品11的奈米析出物進行EDS成份分析,得到Cu 82.73at%,Zr 17.27at%。
實施例12
以鎢鋼模具對樣品4以950 ℃,30 MPa 的壓力進行真空熱壓4小時及熱處理和時效處理,得到樣品12。藉由SEM微結構分析,鋯已固溶在銅中,但並沒有析出奈米析出物。
實施例13
以鎢鋼模具對樣品5以950 ℃,30 MPa 的壓力進行真空熱壓4小時及熱處理和時效處理,得到樣品13。將樣品13的奈米析出物進行EDS成份分析,得到Cu 84.02 at%,Zr 15.98 at%。
實施例14
以鎢鋼模具對樣品6以950 ℃,30 MPa 的壓力進行真空熱壓4小時及熱處理和時效處理,得到樣品14。由電子顯微鏡和EDS分析結果得知,不容易均勻分佈析出奈米粒子,且鋯集中在特定的局部區域,成份的均均度不佳。
實施例15
以鎢鋼模具對樣品7以950 ℃,30 MPa 的壓力進行真空熱壓4小時及熱處理和時效處理,得到樣品15,並且可見銅鋯奈米析出物。
實施例16
以鎢鋼模具對樣品8以950 ℃,30 MPa 的壓力進行真空熱壓4小時及熱處理和時效處理,得到樣品16,並且可見銅鋯奈米析出物。
比較例1
將97克粒徑大小為100 mesh、純度為99.5 %的銅粉與3克粒徑大小為325 mesh、純度為99.9 %的鋯粉混合後,以鎢鋼模具在950 ℃,30 MPa 的壓力下進行真空熱壓4小時及熱處理和時效處理,得到比較樣品1。將比較樣品1的奈米析出物進行EDS成份分析,得到Cu 80.76at%,Zr 19.24at%。對此未經球磨之比較樣品1試片進行EDS成份分析,可知有嚴重之成份分佈不均之問題,且奈米析出物集中於局部地區。
<成份均勻度實驗>
成份均勻度實驗係於直徑約3公分的熱壓後,熱處理及時效處理後的樣品上取四邊及中央各一點進行EDS成份分析,經由在不同位置銅、鋯含量的分布以確認金屬含量在整體樣品的均勻度。
實施例17
取樣品9進行EDS成份分析做均勻度實驗,結果請見表2,銅鋯成份在樣品中的均勻度不佳。
表2
取樣位置編號 | Cu wt.% | Zr wt.% |
1 | 96.37 | 3.63 |
2 | 93.40 | 6.60 |
3 | 89.67 | 10.34 |
4 | 94.43 | 5.57 |
5 | 92.87 | 7.13 |
實施例18
取樣品10進行EDS成份分析做均勻度實驗,結果請見表3,銅鋯成份在樣品中的成份分布均勻。
表3
取樣位置編號 | Cu wt.% | Zr wt.% |
1 | 97.44 | 2.56 |
2 | 97.50 | 2.50 |
3 | 96.76 | 3.24 |
4 | 96.87 | 3.13 |
5 | 97.20 | 2.80 |
實施例19
取樣品11進行EDS成份分析做均勻度實驗,結果請見表4,銅鋯成份在樣品中的成份分布均勻。
表4
取樣位置編號 | Cu wt.% | Zr wt.% |
1 | 97.40 | 2.60 |
2 | 97.82 | 2.18 |
3 | 96.48 | 3.52 |
4 | 96.80 | 3.20 |
5 | 97.45 | 2.54 |
比較例2
取比較樣品1進行EDS成份分析做均勻度實驗,結果請見表5,銅鋯成份在樣品中的成份分布不均勻。
表5
取樣位置編號 | Cu wt.% | Zr wt.% |
1 | 99.43 | 0.57 |
2 | 93.80 | 6.20 |
3 | 97.12 | 2.87 |
4 | 95.82 | 4.17 |
5 | 95.65 | 4.34 |
請參考表2~表5,依據本發明以上之實施例結果,未經過球磨熱壓後熱處理及時效處理後的樣品,其均勻度遠低於經過球磨後的樣品。而當球磨時間小於20小時,經熱壓後熱處理及時效處理後也會存在有成份不均勻的問題。
<物性及機械性質測量>
抗拉強度係由5頓靜態材料試驗機(英士特Instron公司製造)所測。
實施例20
取樣品9-11及比較樣品1進行電導率、硬度以及抗拉強度的測試,結果如表6。經球磨20小時以後並經熱壓熱處理及時效處理的樣品可得到高的抗拉強度及硬度。
表6
比較樣品1 | 樣品9 | 樣品10 | 樣品11 | |
球磨時間(hrs) 物理性質 | 0 | 10 | 20 | 30 |
電導率(104 s/cm) | 2.9 | 9.7 | 11.0 | 11.8 |
硬度(HV) | 64 | 114 | 131 | 144 |
抗拉強度(N/mm2) | X | 370 | 415 | 465 |
實施例21
取樣品11-13與樣品15-16進行熱傳導係數、硬度及抗拉強度的量測,結果如表7。隨著鋯含量之添加,因奈米析出物之析出量增加,合金材料之抗拉強度及硬度也隨之提高,此並未降低熱傳導的功能,其熱傳導係數仍在產業應用範圍之內。
表7
<滾壓實驗>
實施例22
取樣品11進行滾壓得到片材的厚度為0.09 mm。
實施例23
取樣品15進行滾壓得到片材的厚度為0.05 mm。
由滾壓實驗及表7的結果可以了解,本發明之銅鋯合金散熱元件可以在厚度極小的情況下不但能有好的散熱效果,其抗拉強度亦有顯著的提高。
綜上所述,依據本發明所提出的銅鋯合金散熱元件的製造方法所得到的銅鋯合金,其硬度高,同時具有高導熱性、高抗拉強度與高延展性,利於加工作為散熱元件,當散熱元件小型化時仍不造成元件破損、變形或扭曲同時依然仍具良好的散熱功效。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本揭露,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本揭露的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧銅鋯合金散熱元件
102‧‧‧銅鋯合金殼體
102a‧‧‧內壁
104‧‧‧毛細結構層
S200、S202、S204、S206‧‧‧步驟
T1‧‧‧銅鋯合金散熱元件的厚度
T2‧‧‧銅鋯合金殼體的厚度
圖1是依照本發明的一實施例的一種銅鋯合金散熱元件的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的另一實施例的一種銅鋯合金殼體的製造流程步驟圖。
Claims (8)
- 一種銅鋯合金散熱元件,包括:一銅鋯合金殼體;以及一毛細結構層,設於該銅鋯合金殼體的內壁,其中,該銅鋯合金殼體含有奈米銅鋯析出物,其析出物含有15-20原子百分比的鋯。
- 如申請專利範圍第1項所述的銅鋯合金散熱元件,其中,該銅鋯合金殼體中鋯的添加量大於0.5wt%且小於5.0wt%。
- 如申請專利範圍第1項所述的銅鋯合金散熱元件,其中,該銅鋯合金散熱元件的厚度≦0.4mm。
- 如申請專利範圍第1-3項中任一項所述的銅鋯合金散熱元件,其中該銅鋯合金殼體之厚度≦0.1mm。
- 一種銅鋯合金殼體的製造方法,包括:混合銅粉與鋯粉並於氬氣氣氛中進行球磨至少20小時,以形成合金化粉末,其中該鋯粉的粒徑小於該銅粉的粒徑;對該合金化粉末進行真空熱壓成形,以形成一塊材;對該塊材進行熱處理和時效處理;及對該塊材進行滾壓處理。
- 如申請專利範圍第5項所述之製造方法,其中,該球磨的時間至少30小時。
- 如申請專利範圍第5項所述之製造方法,其中該滾壓處理後該塊材之厚度≦0.1mm。
- 如申請專利範圍第5項所述之製造方法,其中以該銅粉與該鋯粉的總重量計,該鋯粉的添加量大於0.5wt%且小於5.0wt%。
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