TWI673888B - 發光元件的製作方法 - Google Patents
發光元件的製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI673888B TWI673888B TW108106218A TW108106218A TWI673888B TW I673888 B TWI673888 B TW I673888B TW 108106218 A TW108106218 A TW 108106218A TW 108106218 A TW108106218 A TW 108106218A TW I673888 B TWI673888 B TW I673888B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- bonding
- patterned semiconductor
- light
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 217
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一種發光元件的製作方法，包括以下步驟。於生長基板上
依序形成第一半導體層、發光層及第二半導體層。形成犧牲層於第二半導體層上。於犧牲層形成開口以暴露出第二半導體層之一部分，其中開口之側壁與第二半導體層構成傾斜角，且傾斜角的角度範圍位於45°至90°之間。形成第一鍵結層且其凸部重疊開口。提供承載基板。形成第二鍵結層並接合第二鍵結層及第一鍵結層。形成第一圖案化半導體層以及第二圖案化半導體層。移除犧牲層以露出凸部及接觸凸部的第一絕緣層的部分形成之接合部。接合部接觸第二圖案化半導體層。
Description
本發明是有關於一種發光元件的製作方法，且特別是有關於一種垂直堆疊於接合部的發光元件的製作方法。
發光二極體(light emitting diode；LED)具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。
一般而言，發光二極體是先製作於晶圓上，再透過巨量轉移(mass transfer)技術，將發光二極體轉置於顯示面板上。因此，如何在同一晶圓上，提供更多可供轉置的發光二極體的數量，以降低製作成本及節省製作時間，為目前亟欲解決的課題。
本發明的發光元件的製作方法，包括以下步驟。首先，於生長基板上依序形成第一半導體層、發光層及第二半導體層。形成犧牲層於第二半導體層上。於犧牲層形成開口以暴露出第二半導體層之一部分，其中開口之側壁與第二半導體層構成傾斜角，且傾斜角的角度範圍位於45°至90°之間。形成第一絕緣層於犧牲層上且藉由開口接觸第二半導體層。形成第一鍵結層於第一絕緣層上，第一鍵結層具有平坦部以及凸部並覆蓋第一絕緣層。提供承載基板。形成第二鍵結層於承載基板上。接合第二鍵結層及第一鍵結層。以雷射剝離的方式移除生長基板。去除部分第一半導體層以及部分第二半導體層以分別形成第一圖案化半導體層以及第二圖案化半導體層。形成第二絕緣層並覆蓋第一及第二半導體層。第二絕緣層具有第一接觸洞及第二接觸洞。形成第一電極並透過第一接觸洞電性連接第一圖案化半導體層。形成第二電極並透過第二接觸洞電性連接第二圖案化半導體層。以及，移除犧牲層，以使凸部及接觸凸部的第一絕緣層的部分形成接合部，且接合部接觸第二圖案化半導體層。
本發明的發光元件的製作方法，包括以下步驟。首先，於生長基板上依序形成第一半導體層、發光層及第二半導體層。去除部分第一半導體層以及部分第二半導體層以分別形成第一圖案化半導體層以及第二圖案化半導體層。形成第二絕緣層並覆蓋第一及第二半導體層。第二絕緣層具有第一接觸洞及第二接觸洞。形成第一電極並透過第一接觸洞電性連接第一圖案化半導體層。形成
第二電極並透過第二接觸洞電性連接第二圖案化半導體層。形成犧牲層於生長基板上，覆蓋第二圖案化半導體層。於犧牲層形成開口以暴露出第二圖案化半導體層之一部分，其中開口之側壁與第二圖案化半導體層構成傾斜角，且傾斜角的角度範圍位於45°至90°之間。形成第一絕緣層於犧牲層上且藉由開口接觸第二圖案化半導體層。形成第一鍵結層於第一絕緣層上，第一鍵結層具有平坦部以及凸部並覆蓋第一絕緣層。提供承載基板。形成第二鍵結層於承載基板上。接合第二及第一鍵結層。移除生長基板。以及，移除犧牲層，以使凸部及接觸凸部的第一絕緣層的部分形成接合部，且接合部接觸第二圖案化半導體層。
基於上述，在本發明一實施例的發光元件的製作方法中，由於發光元件可垂直堆疊於接合部上，因此接合部不會佔用承載基板的表面，以於承載基板上提升發光元件的數量及密度。當同一張承載基板上可固定的發光元件的數量提升時，除了可以降低製作成本，還可以減少於轉置製程中換片的時間以及減少所需對位的次數，以減少對位校正所產生的誤差。整體而言，可以降低製作成本並達成節省製作時間。此外，由於接合部是直接製作於第二圖案化半導體層上。因此，在將形成發光元件的材料轉置於承載基板上時，不需對準於承載基板上的錨點。因此，本發明可以降低進行對位校正的次數，減少對位校正所產生的誤差。此外，由於開口可以定義接合部接觸發光元件的尺寸，因此可以提升發光元件與接合部的連接可靠度。
本發明之目的之一係為於承載基板上，提升發光元件的數量。
本發明之目的之一係為於承載基板上，提升發光元件的密度。
本發明之目的之一係為減少對位校正所產生的誤差。
本發明之目的之一係為提升發光元件與接合部的連接可靠度。
本發明之目的之一係為降低製作成本。
本發明之目的之一係為節省製作時間。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、10’、10A、10A’‧‧‧發光元件
100‧‧‧生長基板
110、110A‧‧‧第一圖案化半導體層
110’、110A’‧‧‧第一半導體層
120、120A‧‧‧發光圖案層
120’、120A’‧‧‧發光層
130、130A‧‧‧第二圖案化半導體層
130’、130A’‧‧‧第二半導體層
140、140A‧‧‧犧牲層
141、141A‧‧‧側壁
142、142A‧‧‧開口
150‧‧‧第一絕緣層
152‧‧‧第二絕緣層
154‧‧‧接觸凸部的第一絕緣層的部分
160‧‧‧第一鍵結層
162‧‧‧平坦部
164‧‧‧凸部
170、170A‧‧‧第一電極
172、172A、182、182A‧‧‧金屬接墊
180、180A‧‧‧第二電極
190‧‧‧接合部
200‧‧‧承載基板
220‧‧‧第二鍵結層
240‧‧‧鍵結結構
A1‧‧‧第一面積
A2‧‧‧第二面積
O1‧‧‧第一接觸洞
O2‧‧‧第二接觸洞
θ‧‧‧傾斜角
圖1A至圖1K為本發明的一實施例的發光元件的製造流程的剖面示意圖。
圖2為本發明的另一實施例的發光元件的剖面示意圖。
圖3A至圖3K為本發明的再一實施例的發光元件的製造流程的剖面示意圖。
圖4為本發明的又一實施例的發光元件的剖面示意圖。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。如本領域技術人員將認識到的，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例，而不脫離本發明的精神或範圍。
在附圖中，為了清楚起見，放大了各元件等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在“另一元件上”、或“連接到另一元件”、“重疊於另一元件”時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電連接。
應當理解，儘管術語“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、“層”、或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式“一”、“一個”和“該”旨在包括複數形式，包括“至少一個”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，術語“及/或”包
括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語“包括”及/或“包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其他特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的“下”側的元件將被定向在其他元件的“上”側。因此，示例性術語“下”可以包括“下”和“上”的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件“下方”或“下方”的元件將被定向為在其他元件“上方”。因此，示例性術語“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“約”、“實質上”、“基本上”、或“近似”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含
義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1A至圖1K為本發明的一實施例的發光元件的製造流程的剖面示意圖。以下將以一實施例說明發光元件10(繪示於圖1K)的製作方法。請參考圖1A，首先，提供生長基板100。在本實施例中，生長基板100例如為藍寶石基板(Sapphire)，但本發明不以此為限。
接著，於生長基板100上依序形成第一半導體層110’、發光層120’及第二半導體層130’。舉例而言，在本實施例中，第一半導體層110’包括N型半導體層，第二半導體層130’包括P型半導體層，發光層120’包括為多重量子井結構(multiple quantum well，MQW)，但本發明不以此為限。N型(N-type)半導體層的
材料例如是具有IVA族元素(如：矽)摻雜的N型氮化鎵(n-GaN)，P型半導體層的材料例如是具有IIA族元素(如：鎂)摻雜的P型氮化鎵(p-GaN)。多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子井層(Well)和多個量子阻障層(Barrier)。進一步來說，發光層120’的材料例如是包括交替堆疊的多層氮化銦鎵以及多層氮化鎵(InGaN/GaN)，藉由設計發光層120’中銦或鎵的比例，可使發光層120’發出不同的發光波長範圍。第一半導體層110’、發光層120’及第二半導體層130’例如可以有機金屬氣相沉積法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)形成。值得注意的是，關於上述的第一半導體層110’、發光層120’及第二半導體層130’的材質或形成方式僅為舉例，本發明並不以此為限。
請參考圖1B，接著，形成犧牲層140於第二半導體層130’上。在本實施例中，犧牲層140的材料包括光阻材料或有機膠材。上述有機膠材包括，環氧樹脂、聚胺酯或丙烯酸系樹脂，但本發明不以此為限。在本實施例中，犧牲層140的厚度例如為1微米至3微米，但本發明不以此為限。
請參考圖1C，然後，於犧牲層140形成開口142以暴露出第二半導體層130’之一部分。形成上述開口142的方法包括透過黃光微影蝕刻法、雷射移除法或刀具切割法，移除犧牲層140的一部分以形成開口142，但本發明不以此為限。在本實施例中，開口142定義為穿透犧牲層140且具有在犧牲層140與第二半導體層130’之界面的空間。另外，開口142的直徑與第二半導體層130’
於犧牲層140之界面上所暴露出之一部分的直徑相同。開口142的直徑為2微米至4微米，但不以此為限。在本實施例中，開口142的剖面形狀例如為錐形(taper)，但不以此為限。開口142之側壁141與第二半導體層130’構成傾斜角θ。傾斜角θ的角度範圍位於45°至90°，但不以此為限。在上述的設置下，後續透過開口142所定義出的接合部190(繪示於圖1K)，可具有適當的尺寸，以穩固地接合至發光元件10，且不影響發光元件10上的其它元件。
請參考圖1D，接著，形成第一絕緣層150於犧牲層140上。在本實施例中，第一絕緣層150藉由開口142接觸第二半導體層130’。換句話說，於垂直生長基板100的方向上，開口142可定義出第一絕緣層150接觸第二半導體層130’的正投影面積。舉例而言，以開口142的直徑為4微米進行說明，第一絕緣層150接觸第二半導體層130’的面積為16平方微米，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一絕緣層150的材質例如為無機材料，包括氧化矽或氮化矽或其組合，但本發明不以此為限。形成第一絕緣層150方法包括化學氣相沉積法(chemical vapor deposition，CVD)，但不以此為限。
請參考圖1E，然後，形成第一鍵結層160於第一絕緣層150上。第一鍵結層160覆蓋第一絕緣層150及開口142。具體而言，第一鍵結層160具有平坦部162以及凸部164。凸部164定義為第一鍵結層160重疊開口142的部分。平坦部162定義為凸部
164以外的第一鍵結層160。從另一角度而言，平坦部162覆蓋第一絕緣層150不重疊開口142的部分，凸部164覆蓋第一絕緣層150重疊開口142的部分。在本實施例中，由於開口142可為錐形，因此填入開口142中的凸部164可以具有對應開口142的錐形，但本發明不以此為限。第一鍵結層160的平坦部162的厚度例如為1微米，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一鍵結層160的材質例如為有機材料。上述有機材料包括苯並環丁烯(Benzocyclobutene，BCB)，但不以此為限。在一些實施例中，第一鍵結層160的材質也可以是非絕緣的材質，例如為金屬或金屬合金。
請參考圖1F，接著，提供承載基板200。承載基板200之材質可包括玻璃、石英、塑膠、不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其他可適用的材料)或是其他可適用的材料。由於發光元件10例如是以發光二極體為例，因此承載基板200可選用晶圓，但本發明不以此為限。
然後，形成第二鍵結層220於承載基板200上。第二鍵結層220的厚度例如為1微米，但本發明不以此為限。第二鍵結層220的材質可類似於第一鍵結層160的材質，例如為有機材料。上述有機材料包括苯並環丁烯(Benzocyclobutene，BCB)，但不以此為限。在一些實施例中，第二鍵結層220的材質也可以包括金屬或金屬合金。
請參考圖1G，接著，接合第二鍵結層220及第一鍵結層
160。在進行上述的接合步驟之前，先倒置生長基板100，以將第一鍵結層160面向承載基板200上的第二鍵結層220。接著，將第一鍵結層160壓至第二鍵結層220上。上述接合的方式包括加壓法、加熱法或加壓加熱法，但不以此為限。在本實施例中，在加壓及加熱後，第一鍵結層160與第二鍵結層220可以壓合成一體的鍵結結構240。換句話說，於接合前，第一鍵結層160與第二鍵結層220為兩個分離的膜層。於接合後，第一鍵結層160與第二鍵結層220可以融合成一個膜層的鍵結結構240。
請參考圖1G及圖1H，然後，在進行去除部分的第一半導體層110’及第二半導體層130’的步驟之前，移除生長基板100。上述移除生長基板100的方法包括透過雷射剝離法(laser lift off)，將生長基板100與第一半導體層110’分離，但本發明不以此為限。
請參考圖1H及圖1I，接著，於第一半導體層110’及第二半導體層130’上進行蝕刻製程(蝕刻製程)，以去除部分第一半導體層110’以及部分第二半導體層130’。舉例而言，可以藉由等離子蝕刻(plasma etching)的方式去除部分第一半導體層110’、部分第二半導體層130’以及部分發光層120’。在一些實施例中，也可以是以三氯化硼(BCl3)及/或氯氣(Cl2)做為蝕刻反應氣體，藉由反應離子蝕刻(Reactive-Ion Etching，RIE)的方式對第一半導體層110’、第二半導體層130’以及發光層120’進行蝕刻，但本發明不以此為限。
在本實施例中，去除部分第一半導體層110’以及部分第
二半導體層130’後，可以分別形成第一圖案化半導體層110以及第二圖案化半導體層130。換句話說，第一半導體層110’於蝕刻後形成第一圖案化半導體層110。第二半導體層130’於蝕刻後形成第二圖案化半導體層130。此外，發光層120’於蝕刻後形成發光圖案層120，且位於第一圖案化半導體層110與第二圖案化半導體層130之間。在本實施例中，於垂直承載基板200的方向上，第一圖案化半導體層110的正投影會小於第二圖案化半導體層130的正投影。舉例而言，第一圖案化半導體層110與第二圖案化半導體層130的剖面可呈階梯狀，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一圖案化半導體層110為N型半導體層，且第二圖案化半導體層130為P型半導體層，但不以此為限。
如圖1I所示，將第二絕緣層152形成於第一圖案化半導體層110以及第二圖案化半導體層130上。第二絕緣層152覆蓋第一圖案化半導體層110以及第二圖案化半導體層130。在本實施例中，第二絕緣層152的材質可以包括氧化矽、氮化矽或其他合適的材料。
接著，利用黃光微影的方式對第二絕緣層152進行圖案化以及顯影製程。再以蝕刻的方式形成多個接觸洞(Via holes)於第二絕緣層152中。接觸洞係做為圖案化半導體層110、130電性連接至電極的窗口。上述蝕刻方式可以為乾式蝕刻(Dry etch)或為濕式蝕刻(Wet etch)，但本發明不以此為限。在本實施例中，多個接觸洞包括第一接觸洞O1及第二接觸洞O2。第一接觸洞O1位
於第一圖案化半導體層110上。第二接觸洞O2位於第二圖案化半導體層130上。
請參考圖1J，然後，形成第一電極170於第二絕緣層152上。第一電極170透過第一接觸洞O1電性連接第一圖案化半導體層110。接著，形成第二電極180於第二絕緣層152上。第二電極180透過第二接觸洞O2電性連接第二圖案化半導體層130。在本實施例中，第一電極170與第二電極180例如是先以物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)等方法形成導電層後，再以微影(photolithography)及蝕刻製程所形成，但不以此為限。第一電極170可為透明電極、反射電極或其組合。舉例而言，透明電極的材質可為金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層；反射電極的材質可為金屬或其他適當材料，但本發明不以此為限。第二電極180的材質為金屬，但本發明不限於此，在其他實施例中，第二電極180也可以使用其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、石墨稀、金屬材料的堆疊層或是其它導電材料的堆疊層。
在本實施例中，發光元件10包括第一電極170、第一圖案化半導體層110、發光圖案層120、第二圖案化半導體層130、第二電極180及第二絕緣層152。其中，第二圖案化半導體層130位於第一電極170與第二電極180及承載基板200之間。舉例而
言，第一電極170與第二電極180均面向遠離承載基板200的一側。在上述的設置下，發光元件10可稱為發光二極體(light-emitting diode，LED)。舉例而言，發光元件10是橫向結構的發光二極體晶片(lateral LED chip)。
在本實施例中，承載基板200例如為晶圓，用以承載多個發光元件10。本發明為了圖示清楚及說明方便，因此僅例示一個發光元件10於承載基板200上。本技術領域的通常知識者應能知曉，承載基板200上能承載數千個發光元件10，以應用於習知的巨量轉移技術。
請參考圖1J及圖1K，接著，移除犧牲層140。上述移除犧牲層140的方法包括蝕刻法，但不以此為限。在本實施例中，於移除犧牲層140後，凸部164及接觸凸部164的第一絕緣層150的部分154可以形成接合部190。詳細而言，於移除犧牲層140後，重疊開口142的凸部164以及於開口142中接觸第二圖案化半導體層130與凸部164的第一絕緣層150可被定義為接合部190。從另一角度而言，接合部190包括凸部164以及接觸凸部164的第一絕緣層150的部分154。其中，接觸凸部164的第一絕緣層150的部分154可以抵接並接觸第二圖案化半導體層130。也就是說，接合部190接觸第二圖案化半導體層130。在本實施例中，接合部190可應用為將發光元件10固定於承載基板200上的錨點(anchor)。其中，第一絕緣層150及/或第一絕緣層150的部分154可作為分離層，以於後續巨量轉置的製程中，減少對發光元件10
造成損傷的機率。
值得注意的是，在本實施例中，由於在垂直承載基板200的方向上，做為錨點的接合部190可以重疊第二圖案化半導體層130。換句話說，第二圖案化半導體層130是垂直地堆疊於接合部190上。在上述的設置下，相較於習知的連繫結構(tether)，其將錨點設置於發光元件的側邊以固定至晶圓的表面上，本實施例的接合部190是固定在發光元件10的底部並重疊第二圖案化半導體層130。如此，接合部190不會佔用承載基板200的額外表面。因此，省去的額外表面可以用於承載更多的發光元件10。藉此，本發明可以在承載基板200上，提升發光元件10的數量並提升發光元件10的密度。
此外，由於接合部190的第一絕緣層150的部分154及第一鍵結層160的凸部164是直接製作於第二半導體層130’上(如圖1E所示)。因此，在將第二半導體層130’、發光層120’及第一半導體層110’轉置於承載基板200上時(如圖1G所示)，不需對準於承載基板200上的錨點。另外，也不需於上述的轉置程序後進行對位校正，以形成錨點於發光元件10的側邊。因此，本發明可以降低進行對位校正的次數，減少對位校正所產生的誤差。
另外，請參考圖1J及圖1K，由於本實施例的開口142的直徑定義為與開口142所暴露出的第二圖案化半導體層130(蝕刻後的第二半導體層130’)的部分表面的直徑相同。此外，接合部190可由開口142所定義。因此，接合部190接觸第二圖案化半導
體層130的界面之部分的直徑相同於開口142的直徑。換句話說，於垂直承載基板200的方向上，接合部190接觸第二圖案化半導體層130的界面之正投影面積相同於開口142的正投影面積。接著，開口142於承載基板200的正投影面積(例如為第一面積A1)與第二圖案化半導體層130於承載基板200的正投影面積(例如為第二面積A2)的比值範圍位於1：2至1：625之間。也就是說，接合部190接觸發光元件10的正投影面積小於發光元件10的正投影面積。舉例而言，第一面積A1小於第二面積A2。在上述的設置下，接合部190可以固定至發光元件10且不影響發光元件10上電極170、180或其他元件的配置。此外，在上述的比值範圍內，接合部190更可以達成與發光元件10之間具有小於1千克力(kgw)的拉力。藉此，除了可以提升發光元件10與接合部190的連接可靠度，還不會影響後續進行的巨量轉移製程。
此外，於一些實施例中，上述的多個發光元件10可接著應用於顯示面板(未繪示)的製造中。舉例而言，上述的多個發光元件10可透過多個接合部190固定於承載基板200上。接著，透過巨量轉移製程，將多個發光元件10轉置於陣列基板(未繪示)上，以製作發光二極體顯示面板(LED display panel)。上述巨量轉移製程可以包括取放技術(pick and place)，以將發光元件10透過接頭提取，再經對位後放置於陣列基板上。
值得注意的是，由於本發明的發光元件10可垂直堆疊於接合部190上，因此可以提升單一張承載基板200(例如：晶圓)
上，可設置發光元件10的數量及密度。當同一張承載基板200上可固定的發光元件10的數量提升時，除了可以降低製作成本，還可以減少於轉置製程中換片的時間以及減少所需對位的次數，以減少對位校正所產生的誤差。整體而言，可以降低製作成本並達成節省製作時間。此外，由於發光元件10是垂直堆疊於接合部190上，因此承載基板200上所省下的空間可讓發光元件10的排列方式更有裕度。舉例而言，發光元件10的排列圖案可以依照顯示面板的畫素之需求而設計。藉此，進一步節省應用發光元件10的顯示面板的製作時間，更提升顯示品質。
簡言之，由於發光元件10可垂直堆疊於接合部190上，因此接合部190不會佔用承載基板200的表面，以於承載基板200上提升發光元件10的數量及密度。當同一張承載基板200上可固定的發光元件10的數量提升時，除了可以降低製作成本，還可以減少於轉置製程中換片的時間以及減少所需對位的次數，以減少對位校正所產生的誤差。整體而言，可以降低製作成本並達成節省製作時間。此外，由於接合部190是直接製作於第二圖案化半導體層130上。因此，在將形成發光元件10的材料轉置於承載基板200上時，不需對準於承載基板200上的錨點。另外，也不需於上述的轉置程序後進行對位校正，以形成錨點於發光元件10的側邊。因此，本發明可以降低進行對位校正的次數，減少對位校正所產生的誤差。另外，接合部190與發光元件10之間的連接可靠度可以提升，不影響後續進行的巨量轉移製程。
下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，關於省略了相同技術內容的部分說明可參考前述實施例，下述實施例中不再重複贅述。
圖2為本發明的另一實施例的發光元件的剖面示意圖。請參考圖1K及圖2，本實施例的發光元件10’與圖1K的發光元件10相似，主要的差異在於：發光元件10’的製作方法更包括，於移除犧牲層140的步驟之前，形成多個金屬接墊172、182分別電性連接第一電極170及第二電極180。在本實施例中，金屬接墊172設置於第一圖案化半導體層110上，並覆蓋第一電極170。金屬接墊182設置於第二圖案化半導體層130上，並覆蓋第二電極180。金屬接墊172的頂面與金屬接墊182的頂面切齊，但不以此為限。金屬接墊172、182的材質為金屬，但本發明不限於此，在其他實施例中，金屬接墊172、182也可以使用其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、石墨稀、金屬材料的堆疊層或是其它導電材料的堆疊層。如此，發光元件10’可進一步提升電性品質。此外，發光元件10’還可獲致與上述實施例類似的技術功效。
圖3A至圖3K為本發明的再一實施例的發光元件的製造流程的剖面示意圖。圖3A至圖3K所說明的發光元件10A與圖1A至圖1K所說明的發光元件10相似，其中相同或類似的膜層的材料與形成方法可以相似，故不再贅述。以下實施例中，發光元件
10A是以覆晶結構的發光二極體晶片(flip-chip LED chip)，簡單進行說明。
請先參考圖3A，首先提供生長基板100。接著，於生長基板100上依序形成第一半導體110A’、發光層120A’及第二半導體層130A’。在本實施例中，第一半導體層110A’包括N型半導體層，第二半導體層130A’包括P型半導體層，發光層120A’包括為多重量子井結構(multiple quantum well，MQW)，但本發明不以此為限。
請參考圖3B，然後，於第一半導體層110A’及第二半導體層130A’上進行蝕刻製程(蝕刻製程)，以去除部分第一半導體層110A’以及部分第二半導體層130A’。此外，也對發光層120A’進行蝕刻，但本發明不以此為限。
在本實施例中，去除部分第一半導體層110A’以及部分第二半導體層130A’後，可以分別形成第一圖案化半導體層110A以及第二圖案化半導體層130A。換句話說，第一半導體層110A’於蝕刻後形成第一圖案化半導體層110A。第二半導體層130A’於蝕刻後形成第二圖案化半導體層130A。此外，發光層120A’於蝕刻後形成發光圖案層120A，且位於第一圖案化半導體層110A與第二圖案化半導體層130A之間。在本實施例中，於垂直生長基板100的方向上，第二圖案化半導體層130A的正投影會小於第一圖案化半導體層110A的正投影。舉例而言，第一圖案化半導體層110A與第二圖案化半導體層130A的剖面可呈階梯狀，但本發明
不以此為限。在本實施例中，第一圖案化半導體層110A為N型半導體層，且第二圖案化半導體層130A為P型半導體層，但不以此為限。
如圖3B所示，將第二絕緣層152形成於第一圖案化半導體層110A以及第二圖案化半導體層130A上。第二絕緣層152覆蓋第一圖案化半導體層110A以及第二圖案化半導體層130A。在本實施例中，第二絕緣層152的材質可以包括氧化矽、氮化矽或其他合適的材料。
接著，利用黃光微影的方式對第二絕緣層152進行圖案化以及顯影製程。再以蝕刻的方式形成多個接觸洞於第二絕緣層152中。在本實施例中，多個接觸洞包括第一接觸洞O1及第二接觸洞O2。第一接觸洞O1位於第二圖案化半導體層130A上。第二接觸洞O2位於第一圖案化半導體層110A上。
請參考圖3C，接著，形成第一電極170A於第二絕緣層152上。第一電極170A透過第二接觸洞O2電性連接第一圖案化半導體層110A。接著，形成第二電極180A於第二絕緣層152上。第二電極180透過第一接觸洞O1電性連接第二圖案化半導體層130A。在本實施例中，第二電極180A可為透明電極、反射電極或其組合。第一電極170A的材質為金屬，但本發明不限於此。第一電極170A的頂面與第二電極180A的頂面切齊，但本發明不以此為限。
在本實施例中，發光元件10A包括第一電極170A、第一
圖案化半導體層110A、發光圖案層120A、第二圖案化半導體層130A、第二電極180A及第二絕緣層152。第一電極170A與第二電極180A均面向遠離生長基板100的一側。在上述的設置下，發光元件10A為覆晶結構的發光二極體晶片。
請參考圖1D，然後，形成犧牲層140A於生長基板100上，且犧牲層140A覆蓋第二圖案化半導體130A及第一圖案化半導體110A。在本實施例中，犧牲層140A的厚度例如為1微米至3微米，但本發明不以此為限。
請參考圖1E，接著，於犧牲層140A形成開口142A以暴露出第二圖案化半導體層130A’之一部分。在本實施例中，開口142A定義為穿透犧牲層140A且具有在犧牲層140A與第二圖案化半導體層130A’之界面的空間。另外，開口142A的直徑與第二圖案化半導體層130A’於犧牲層140A之界面上所暴露出之一部分的直徑相同。開口142A的直徑為2微米至4微米，但不以此為限。在本實施例中，開口142A的剖面形狀例如為錐形(taper)，但不以此為限。開口142A之側壁141A與第二圖案化半導體層130A’構成傾斜角θ。傾斜角θ的角度範圍位於45°至90°，但不以此為限。在上述的設置下，後續透過開口142A所定義出的接合部190(繪示於圖3K)，可具有適當的尺寸，以穩固地接合至發光元件10A，且不影響發光元件10A上的其它元件。
請參考圖3F，然後，形成第一絕緣層150於犧牲層140A上。在本實施例中，第一絕緣層150藉由開口142A接觸第二圖案
化半導體層130A’。換句話說，於垂直生長基板100的方向上，開口142A可定義出第一絕緣層150接觸第二圖案化半導體層130A’的正投影面積。從另一方面來說，第一絕緣層150接觸第二圖案化半導體層130A’的正投影面積，相同於開口142A的正投影面積。
請參考圖3G，接著，形成第一鍵結層160於第一絕緣層150上。第一鍵結層160覆蓋第一絕緣層150及開口142A。具體而言，第一鍵結層160具有平坦部162以及凸部164。凸部164定義為第一鍵結層160重疊開口142A的部分。平坦部162定義為凸部164以外的第一鍵結層160。從另一角度而言，平坦部162覆蓋第一絕緣層150不重疊開口142A的部分，凸部164覆蓋第一絕緣層150重疊開口142A的部分。在本實施例中，由於開口142A可為錐形，因此填入開口142A中的凸部164可以具有對應開口142A的錐形，但本發明不以此為限。第一鍵結層160的平坦部162的厚度例如為1微米，但本發明不以此為限。
請參考圖3H，然後，提供承載基板200。接著，形成第二鍵結層220於承載基板200上。第二鍵結層220的厚度例如為1微米，但本發明不以此為限。
請參考圖3I，接著，接合第二鍵結層220及第一鍵結層160。在進行上述的接合步驟之前，先倒置生長基板100，以將第一鍵結層160面向承載基板200上的第二鍵結層220。接著，將第一鍵結層160壓至第二鍵結層220上。在本實施例中，於接合前，第一鍵結層160與第二鍵結層220為兩個分離的膜層。於接合後，
第一鍵結層160與第二鍵結層220可以融合成一個膜層的鍵結結構240，但不以此為限。
請參考圖3I及圖3J，然後，移除生長基板100。上述移除生長基板100的方法包括透過雷射剝離法(laser lift off)，將生長基板100與第一圖案化半導體層110A分離，但本發明不以此為限。
請參考圖3J及圖3K，接著，移除犧牲層140A。在本實施例中，於移除犧牲層140A後，凸部164及接觸凸部164的第一絕緣層150的部分154可以形成接合部190。詳細而言，於移除犧牲層140A後，重疊開口142A的凸部164以及於開口142A中接觸第二圖案化半導體層130A與凸部164的第一絕緣層150可被定義為接合部190。從另一角度而言，接合部190包括凸部164以及接觸凸部164的第一絕緣層150的部分154。其中，接觸凸部164的第一絕緣層150的部分154可以抵接並接觸第二圖案化半導體層130A。也就是說，接合部190接觸第二圖案化半導體層130A。在本實施例中，接合部190可應用為將發光元件10A固定於承載基板200上的錨點(anchor)。其中，第一絕緣層150及/或第一絕緣層150的部分154可作為分離層，以於後續巨量轉置的製程中，減少對發光元件10A造成損傷的機率。在本實施例中，發光元件10A可垂直堆疊於接合部190上。因此，發光元件10A可獲致與上述實施例類似的技術功效。
在本實施例中，開口142A於承載基板200的正投影面積
(例如為第一面積A1)與第二圖案化半導體層130A於承載基板200的正投影面積(例如為第二面積A2)的比值範圍位於1：2至1：625之間。也就是說，接合部190接觸發光元件10A的正投影面積小於發光元件10A的正投影面積。舉例而言，第一面積A1小於第二面積A2。在上述的設置下，接合部190可以固定至發光元件10A且不影響發光元件10A上電極170A、180A或其他元件的配置。此外，在上述的比值範圍內，接合部190更可以達成與發光元件10A之間具有小於1千克力(kgw)的拉力。藉此，可以提升發光元件10A與接合部190的連接可靠度。
此外，在本實施例中，第一電極170A與第二電極180A位於第一圖案化半導體層110A與承載基板200之間。換句話說，發光元件10A是以覆晶結構的方式固定於接合部190上。如此，於後續巨量轉移製程中，可透過取放技術直接設置於陣列基板(未繪示)上，以應用於顯示面板的製作中。藉此，不需透過額外的打線連接製程，進一步降低製作成本、節省製作時間。
圖4為本發明的又一實施例的發光元件的剖面示意圖。請參考圖3K及圖4，本實施例的發光元件10A’與圖3K的發光元件10A相似，主要的差異在於：發光元件10A’的製作方法更包括，於形成犧牲層140A的步驟之前，形成多個金屬接墊172A、182A分別電性連接第一電極170A及第二電極180A。在本實施例中，金屬接墊172A設置於第一圖案化半導體層110A上，並覆蓋第一電極170A。金屬接墊182A設置於第二圖案化半導體層130A上，
並覆蓋第二電極180A。金屬接墊172A的頂面與金屬接墊182A的頂面切齊，但不以此為限。金屬接墊172A、182A的材質為金屬，但本發明不限於此，在其他實施例中，金屬接墊172A、182A也可以使用其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、石墨稀、金屬材料的堆疊層或是其它導電材料的堆疊層。如此，發光元件10A’可進一步提升電性品質。此外，發光元件10A’還可獲致與上述實施例類似的技術功效。
綜上所述，本發明一實施例的發光元件的製作方法，由於發光元件可垂直堆疊於接合部上，因此接合部不會佔用承載基板的表面，以於承載基板上提升發光元件的數量及密度。當同一張承載基板上可固定的發光元件的數量提升時，除了可以降低製作成本，還可以減少於轉置製程中換片的時間以及減少所需對位的次數，以減少對位校正所產生的誤差。整體而言，可以降低製作成本並達成節省製作時間。此外，由於接合部是直接製作於第二圖案化半導體層上。因此，在將形成發光元件的材料轉置於承載基板上時，不需對準於承載基板上的錨點。因此，本發明可以降低進行對位校正的次數，減少對位校正所產生的誤差。此外，由於開口可以定義接合部接觸發光元件的面積，且開口的正投影面積與發光元件的正投影面積的比值範圍可以使接合部與發光元件之間具有小於1千克力(kgw)的拉力。因此，可以提升發光元件與接合部的連接可靠度，且不會影響後續進行的巨量轉移製程。此外，承載基
板上所省下的空間更可讓發光元件的排列方式更有裕度，以進一步節省應用發光元件的顯示面板的製作時間，更提升顯示品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
Claims (10)
- 一種發光元件的製作方法，包括：於一生長基板上依序形成一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層；形成一犧牲層於該第二半導體層上；於該犧牲層形成一開口以暴露出該第二半導體層之一部分，其中該開口之側壁與該第二半導體層構成一傾斜角，該傾斜角的角度範圍位於45°至90°之間；形成一第一絕緣層於該犧牲層上且藉由該開口接觸該第二半導體層；形成一第一鍵結層於該第一絕緣層上，該第一鍵結層具有一平坦部以及一凸部，其中該平坦部覆蓋該第一絕緣層，且該凸部重疊該開口；提供一承載基板；形成一第二鍵結層於該承載基板上；接合該第二鍵結層及該第一鍵結層；去除部分該第一半導體層以及部份該第二半導體層以分別形成一第一圖案化半導體層以及一第二圖案化半導體層；形成一第二絕緣層覆蓋該第一圖案化半導體層及該第二圖案化半導體層，該第二絕緣層具有一第一接觸洞及一第二接觸洞；形成一第一電極並透過該第一接觸洞電性連接該第一圖案化半導體層；形成一第二電極並透過該第二接觸洞電性連接該第二圖案化半導體層；以及移除該犧牲層，以使該凸部及接觸該凸部的該第一絕緣層的部分形成一接合部，該接合部接觸該第二圖案化半導體層。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的製作方法，其中於去除部分該第一半導體層以及部份該第二半導體層的步驟之前，移除該生長基板。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的製作方法，其中該第二圖案化半導體層位於該第一電極與該第二電極及該承載基板之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的製作方法，其中該第一圖案化半導體層為N型半導體層，且該第二圖案化半導體層為P型半導體層。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的製作方法，其中於垂直該承載基板的方向上，該開口於該承載基板的正投影面積與該第二圖案化半導體層於該承載基板的正投影面積的比值範圍位於1：2至1：625之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的製作方法，更包括於移除該犧牲層的步驟之前，形成多個金屬接墊分別電性連接該第一電極及該第二電極。
- 一種發光元件的製作方法，包括：於一生長基板上依序形成一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層；去除部分該第一半導體層以及部份該第二半導體層以分別形成一第一圖案化半導體層以及一第二圖案化半導體層；形成一第二絕緣層覆蓋該第一圖案化半導體層及該第二圖案化半導體層，該第二絕緣層具有一第一接觸洞及一第二接觸洞；形成一第一電極並透過該第一接觸洞電性連接該第一圖案化半導體層；形成一第二電極並透過該第二接觸洞電性連接該第二圖案化半導體層；形成一犧牲層於該生長基板上，覆蓋該第二圖案化半導體層；於該犧牲層形成一開口以暴露出該該第二圖案化半導體層之一部分，其中該開口之側壁與該該第二圖案化半導體層構成一傾斜角，該傾斜角的角度範圍位於45°至90°之間；形成一第一絕緣層於該犧牲層上且藉由該開口接觸該第二圖案化半導體層；形成一第一鍵結層於該第一絕緣層上，該第一鍵結層具有一平坦部以及一凸部，其中該平坦部覆蓋該第一絕緣層，且該凸部重疊該開口；提供一承載基板；形成一第二鍵結層於該承載基板上；接合該第二鍵結層及該第一鍵結層；移除該生長基板；以及移除該犧牲層，以使該凸部及接觸該凸部的該第一絕緣層的部分形成一接合部，該接合部接觸該第二圖案化半導體層。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光元件的製作方法，其中該第一電極與該第二電極位於該第一圖案化半導體層及該承載基板之間。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光元件的製作方法，其中該第一圖案化半導體層為N型半導體層，且該第二圖案化半導體層為P型半導體層。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光元件的製作方法，更包括於形成該犧牲層的步驟之前，形成多個金屬接墊分別電性連接該第一電極及該第二電極。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108106218A TWI673888B (zh) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | 發光元件的製作方法 |
| CN201910870352.5A CN110676355B (zh) | 2019-02-25 | 2019-09-16 | 发光元件的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108106218A TWI673888B (zh) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | 發光元件的製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI673888B true TWI673888B (zh) | 2019-10-01 |
| TW202032808A TW202032808A (zh) | 2020-09-01 |
Family
ID=69023596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108106218A TWI673888B (zh) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | 發光元件的製作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110676355B (zh) |
| TW (1) | TWI673888B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112750851A (zh) * | 2019-10-31 | 2021-05-04 | 成都辰显光电有限公司 | 微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI789764B (zh) | 2021-05-21 | 2023-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法與發光裝置的製造方法 |
| TWI802192B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-05-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光元件、包含其之發光組件及顯示裝置、及顯示裝置之製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201417239A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-05-01 | Luxvue Technology Corp | 微型元件穩定柱 |
| TW201807840A (zh) * | 2016-08-18 | 2018-03-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 微型發光二極體及其製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5679628B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2015-03-04 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． | 半導体装置及びその製造方法 |
| US9035279B2 (en) * | 2013-07-08 | 2015-05-19 | LuxVue Technology Corporation | Micro device with stabilization post |
| JP6106120B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2017-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| US10050081B2 (en) * | 2015-04-22 | 2018-08-14 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| CN107818931B (zh) * | 2017-09-30 | 2021-10-19 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 半导体微元件的转移方法及转移装置 |
| CN108417682B (zh) * | 2018-03-22 | 2020-03-20 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种微型发光元件及其制作方法 |
-
2019
- 2019-02-25 TW TW108106218A patent/TWI673888B/zh active
- 2019-09-16 CN CN201910870352.5A patent/CN110676355B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201417239A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-05-01 | Luxvue Technology Corp | 微型元件穩定柱 |
| TW201807840A (zh) * | 2016-08-18 | 2018-03-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 微型發光二極體及其製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112750851A (zh) * | 2019-10-31 | 2021-05-04 | 成都辰显光电有限公司 | 微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法 |
| CN112750851B (zh) * | 2019-10-31 | 2023-01-20 | 成都辰显光电有限公司 | 微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110676355B (zh) | 2021-02-26 |
| TW202032808A (zh) | 2020-09-01 |
| CN110676355A (zh) | 2020-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20200203565A1 (en) | Micro light emitting diode and manufacturing method thereof | |
| TWI673888B (zh) | 發光元件的製作方法 | |
| TWI557934B (zh) | 半導體光電元件 | |
| TWI644420B (zh) | 元件基板及其製造方法 | |
| TWI527267B (zh) | 微發光二極體 | |
| CN105789122B (zh) | 光电元件的转移方法 | |
| TWI565382B (zh) | 電子元件的轉移方法、電子模組及光電裝置 | |
| US10727210B2 (en) | Light emitting device with small size and large density | |
| US10847677B2 (en) | High brightness light emitting device with small size | |
| TWI679762B (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
| TWI427829B (zh) | 一種半導體光電元件及其製作方法 | |
| TW201342657A (zh) | 半導體發光裝置、發光二極體陣列與其製法 | |
| TWI750650B (zh) | 用於表面貼裝微型led流體組裝的發光顯示基板及製備方法 | |
| WO2021115473A1 (zh) | 衬底及其制造方法、led及其制造方法 | |
| WO2012062016A1 (zh) | 发光二极管及其制造方法、发光装置 | |
| CN113725333A (zh) | 红光发光二极管芯片及其制备方法 | |
| WO2012040978A1 (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| TWI646377B (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
| TWI740488B (zh) | 用於流體組裝的平面表面貼裝微型led及其製備方法 | |
| US20140374698A1 (en) | Light emitting diode chip and method for manufacturing same | |
| JP7243899B1 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| TWI773322B (zh) | 發光二極體 | |
| CN216288493U (zh) | 发光二极管 | |
| CN107591393A (zh) | 一种led面板及其制作方法 | |
| TWI330417B (zh) |