TWI670143B

TWI670143B - 拋光機器晶圓固持件

Info

Publication number: TWI670143B
Application number: TW106141917A
Authority: TW
Inventors: 大衛 M. 休頓; 蓋瑞 W. 威默爾斯伯格爾; 瑪拉 L. 帕加諾
Original assignee: 美商ＰＲ霍夫曼機械產品股份有限公司
Priority date: 2016-03-03
Filing date: 2017-11-30
Publication date: 2019-09-01
Also published as: JP2020097107A; JP7105817B2; TW201841714A; JP6649933B2; JP2018144222A; US20170252893A1

Abstract

本發明提供一種在一拋光機器中使用之晶圓固持件。該晶圓固持件具有由一熱固性材料及/或一熱塑性材料構成之一框架。該框架具有用以收納及支持欲在該拋光機器中拋光之一晶圓的至少一空腔。一聚合物薄膜墊永久地附接在該至少一空腔中。

Description

拋光機器晶圓固持件

本發明係有關於拋光機器之領域，包括但不限於拋光機器晶圓固持件。

拋光機器使用晶圓固持件固持及支持平坦晶圓，例如在電子工業中使用之矽晶圓。

因此，需要允許製造具有較佳精密度及具有較佳使用壽命之晶圓的晶圓固持件。

在一實施例中，提供一種在一拋光機器中使用之晶圓固持件。該晶圓固持件包括由一熱固性材料及/或一熱塑性材料構成之一框架。該晶圓包括一框架，該框架具有可收納及支持欲在該拋光機器中拋光的由一單晶塊成長之一晶圓的至少一空腔，及永久地附接在該至少一空腔中之一聚合物薄膜墊。該晶圓固持件包括該至少一空腔，且該至少一空腔具有至少與該晶圓之一橫截面覆蓋區相等的一橫截面覆蓋區。該晶圓固持件包括具有一等於或小於0.001之厚度對橫截面積比率的晶圓。

在另一實施例中，提供一種在一拋光機器中使用之晶圓固持件。該晶圓固持件包括由一熱固性材料及/或一熱塑性材料構成之一框架，該框架具有可收納及支持欲在該拋光機器中拋光之一晶圓的至少一空腔，及永久地附接在該至少一空腔中之一聚合物薄膜墊。該晶圓固持件包括該至少一空腔，該至少一空腔具有至少與該晶圓之一橫截面覆蓋區相等之一橫截面覆蓋區。該晶圓固持件包括具有一等於或小於0.001之厚度對橫截面積比率的晶圓。該框架包含一第一框架部份及一第二框架部份，該第一框架部份中形成有至少一貫穿孔。

在又一實施例中，提供一種製造晶圓固持件之方法，該晶圓固持件具有一框架，該框架具有可收納及支持欲在該拋光機器中拋光的由一單晶塊成長之一晶圓的至少一空腔，該至少一空腔具有至少與該晶圓之一橫截面覆蓋區相等的一橫截面覆蓋區，該晶圓具有一等於或小於0.001之厚度對橫截面積比率，且一聚合物薄膜墊永久地附接在該至少一空腔中，該方法包括由具有一第一厚度公差之一第一層熱固性及/或熱塑性材料切割多數第一框架部份。該方法更包括由具有一第二厚度公差之一第二層熱固性及/或熱塑性材料切割多數第二框架部份。該方法更包括由具有一第三厚度公差之一第三層熱固性及/或熱塑性材料切割多數第三框架部份。該方法更包括在各第一框架部份上之至少一位置測量各第一框架部份之一厚度，及在各第二框架部份上之至少一位置測量各第二框架部份之一厚度。該方法更包括分選及組合在該第一厚度公差之一第一範圍具有一第一厚度的各第一框架部份及在該第二厚度公差之一第二範圍具有一第二厚度的一對應第二框架部份，其中該第一厚度公差之該第一範圍與該第二厚度公差之該第二範圍相對。該方法更包括互相固定各個所分選及組合之第一框架部份及第二框架部份。該方法更包括在各個所分選及組合之第一框架部份及第二框架部份中形成一周緣及多數對齊形貌體。該方法更包括在各第三框架部份中形成一周緣及多數對齊形貌體及在各個所分選及組合且固定之第一框架部份及第二框架部份中形成至少一孔。該方法更包括與一對應第三框架部份對齊地配置各個所分選及組合且固定之第二框架部份的該對應第二框架部份。該方法更包括互相固定各個所分選及組合且固定之第一框架部份及第二框架部份與對應第三框架部份，藉此形成具有至少一空腔之一框架。該方法更包括將一聚合物薄膜墊永久地附接在該至少一空腔中。

在再一實施例中，提供一種製造晶圓固持件之方法，該晶圓固持件具有一框架，該框架具有可收納及支持欲在該拋光機器中拋光的由一單晶塊成長之一晶圓的至少一空腔，該至少一空腔具有至少與該晶圓之一橫截面覆蓋區相等的一橫截面覆蓋區，該晶圓具有一等於或小於0.001之厚度對橫截面積比率，且一聚合物薄膜墊永久地附接在該至少一空腔中，該方法包括由具有一厚度公差之一層熱固性及/或熱塑性材料切割一框架。該方法更包括在該框架上之至少一位置測量該框架之一厚度。該方法更包括在該框架中形成具有一預定深度之空腔。該方法更包括將一聚合物薄膜墊永久地附接在該空腔中。

示範實施例之一優點係該等晶圓固持件允許製備具有較佳精密度之晶圓及具有較佳使用壽命之晶圓固持件。

本發明之其他特徵及優點可配合舉例顯示本發明之原理的附圖，由以下更詳細說明了解。

本發明之晶圓固持件配置成在一拋光機器中與多數晶圓一起使用，且該等晶圓係由一單晶塊成長並具有一等於或小於0.001之厚度對橫截面積。這包括，但不是要限制於具有2英吋、4英吋、6英吋、12英吋及18英吋直徑且(通常，但不限於)分別具有0.002英吋、0.008英吋、0.018英吋、0.032英吋及0.045英吋厚度的晶圓。此外，因為沿該等晶圓之周邊施加向內壓力之較小空腔橫截面覆蓋區幾乎一定會使該等脆弱之晶圓破碎，所以用於收納及支持該等晶圓之晶圓固持件的空腔具有至少與該等晶圓之橫截面覆蓋區相等的橫截面覆蓋區，以防止該等晶圓在操作該拋光機器前、時或後破碎。

請參閱圖1至3，一平坦模板或晶圓固持件10包括藉由一黏著層14可分離地固定在一載具12上的一框架11。在另一實施例中，(多數)載具及(多數)框架部份可在不需黏著劑之情形下，例如藉由分子熔合或超音波焊接來互相固定。晶圓固持件10可由一熱固性材料及/或一熱塑性材料構成。在一實施例中，一熱固性材料可黏結在一熱塑性材料上及/或被該熱塑性材料包圍或反之亦然，以使晶圓固持件10之效能達到最大。如圖2與3所示，框架11具有單一構造或為單件式或單組件式部件。晶圓固持件10之框架11具有多數孔16，例如部份地延伸通過晶圓固持件10至一表面19之埋頭孔。埋頭孔16之表面19具有一深度17。各孔16及對應表面19界定一空腔23。

如圖2進一步所示，晶圓固持件10包括一填隙片或一墊或薄膜層或薄膜，例如一聚合物薄膜18，該聚合物薄膜18具有用以將聚合物薄膜18永久地附接在埋頭孔16之一對應表面19上的一黏著層21。一晶圓20 (圖2)可分離地黏在聚合物薄膜18上，使得晶圓20可分離地固定在空腔23中且被空腔23支持(圖3)。黏著層21、聚合物薄膜18及晶圓20之總厚度超過晶圓固持件10之空腔23深度17的厚度。因此，晶圓20突出超過晶圓固持件10之相鄰暴露主要面。載具12配置成環繞心軸24上之軸承22旋轉，以便對突出超過該晶圓固持件10之相鄰暴露主要面的暴露表面進行拋光。

由於聚合物膜永久地附接在該晶圓固持件上之這晶圓固持件配置，可改善該晶圓之固持及支持。

在一實施例中，框架11係由一(多數)熱塑性環氧及/或熱塑性材料構成。在一實施例中，框架11為目視透明，因此允許一操作者確認該黏著層14施加在該載具12上未被碎屑或陷入氣泡破壞。該薄膜之透明度亦允許該目視確認。習知晶圓固持件不可能具有這目視確認適當晶圓固持件安裝之能力。

在此使用之「目視透明」係欲表示一組件的一材料性質足以允許光通過，使得因該組件沿直線地設置在一觀察者之有利點與一物體間，一觀察者可穿過該組件而看到該組件。該用語「目視透明」係欲包括完全地目視透明、部份地目視透明或半透明或其組合。

請參閱圖4與5，除了下述者以外，一平坦模板或晶圓固持件100類似於晶圓固持件10。晶圓固持件100包括亦稱為一基底之一框架部份110，該框架部份110藉由一黏著層14可分離地固定在一載具12上。在另一實施例中，(多數)載具及(多數)框架部份可在沒有黏著劑之情形下，例如藉由分子熔合或超音波焊接來互相固定。晶圓固持件100可由一熱固性材料及/或一熱塑性材料構成。在一實施例中，一熱固性材料可黏結在一熱塑性材料上及/或被該熱塑性材料包圍或反之亦然，以使晶圓固持件100之效能達到最大。晶圓固持件100之框架部份110藉由一黏著層114永久地固定在框架部份112上。框架部份112具有延伸穿過其中之多數孔16。在組裝框架部份110、112與黏著層114時，多數孔16具有對應於該框架部份110之接觸表面的一封閉端。各孔16及框架部份110之對應接觸表面，即，該孔16之封閉端界定一空腔23，例如具有一深度17之一埋頭空腔。在一實施例中，該晶圓固持件可包括不同數目之框架部份。

如圖5進一步所示，晶圓固持件100包括一填隙片或一墊或薄膜層或薄膜，例如一聚合物薄膜18，該聚合物薄膜18具有用以將聚合物薄膜18永久地附接在埋頭孔16之框架部份110之一對應覆面(facing)表面上的一黏著層21。一晶圓20 (圖4)可分離地黏在聚合物薄膜18上，使得晶圓20可分離地固定在框架部份110、112之空腔23中且被該空腔23支持。如圖4所示，黏著層21、聚合物薄膜18及晶圓20之總厚度超過晶圓固持件100之空腔23深度17的厚度。因此，晶圓20突出超過晶圓固持件100之相鄰暴露主要面。載具12配置成環繞心軸24上之軸承22旋轉，以便對突出超過該晶圓固持件100之相鄰暴露主要面的暴露表面進行拋光。

請參閱圖6與7，除了下述者以外，一平坦模板或晶圓固持件200類似於晶圓固持件10。晶圓固持件200包括亦稱為一基底之一第三框架部份210，該第三框架部份210藉由一黏著層14可分離地固定在一載具12上。在另一實施例中，(多數)載具及(多數)框架部份可在沒有黏著劑之情形下，例如藉由分子熔合或超音波焊接來互相固定。晶圓固持件200可由一熱固性材料及/或一熱塑性材料構成。在一實施例中，一熱固性材料可黏結在一熱塑性材料上及/或被該熱塑性材料包圍或反之亦然，以使晶圓固持件200之效能達到最大。晶圓固持件200之第三框架部份210藉由一黏著層212永久地附接在第二框架部份214上。第二框架部份214具有延伸穿過其中之多數孔16。第二框架部份214藉由一黏著層216永久地附接在第一框架部份218上。如圖所示，第一框架部份218具有延伸穿過其中之多數孔16。在組裝框架部份210、214、218與各黏著層212、216時，多數孔16具有對應於該第三框架部份210之接觸表面的一封閉端。各孔16及第三框架部份210之對應接觸表面，即，該孔16之封閉端界定一空腔23，例如具有一深度17之一埋頭空腔。在一實施例中，該晶圓固持件可包括不同數目之框架部份。

如圖7進一步所示，晶圓固持件200包括一填隙片或一墊或薄膜層或薄膜，例如一聚合物薄膜18，該聚合物薄膜18具有用以將聚合物薄膜18永久地附接在埋頭孔16之第三框架部份210的一對應接觸表面上的一黏著層21。一晶圓20 (圖6)可分離地黏在聚合物薄膜18上，使得晶圓20可分離地固定在框架部份210、214、218之空腔23中且被該空腔23支持。如圖6所示，黏著層21、聚合物薄膜18及晶圓20之總厚度超過晶圓固持件200之空腔23深度17的厚度。因此，晶圓20突出超過晶圓固持件200之相鄰暴露主要面。載具12配置成環繞心軸24上之軸承22旋轉，以便對突出超過該晶圓固持件100之相鄰暴露主要面的暴露表面進行拋光。

這結構之一優點係提供一非常嚴密地控制之空腔深度，而該空腔深度在該晶圓固持件中一次處理且在各拋光機器循環中處理之所有晶圓間提供較佳之拋光一致性。

聚合物薄膜之例子包括熱塑性聚合物聚芳基醚酮(PAEK)、聚醚醚酮(PEEK)及聚氯乙烯(PVC)、聚胺基甲酸酯、聚乙烯，及一示範熱固性聚合物G10，以及強化電路板材料，例如G10/G11/FR4。

使用聚合物薄膜之另一優點係不同聚合物薄膜可具有對應的晶圓固持件，因此具有修改該晶圓固持件以提供與不同晶圓材料及其對應化學試劑之相容性的能力，該等對應化學試劑通常是拋光製程之一部分且包括酸性工作或操作環境(例如，pH＜5)及鹼性工作或操作環境(例如，pH＞9)並包括例如過錳酸鉀(KMnO₄ )。

因為對所使用之化學試劑具有耐化學性，所以使用永久地附接在一晶圓固持件之空腔中的一聚合物薄膜墊提供大致在大約兩倍與大約五倍間之較佳晶圓品質及較長使用壽命。換言之，不僅可達成更嚴密地控制之真平度公差，而且可在需要修正措施(即，維修)前達成這些更嚴密地控制之真平度公差更長時間。

在示範實施例中，該聚合物層可具有一嚴密地控制之高品質末端使用者特定拋光程序所需的特定或預定耐熱、耐化學性及物理柔順性。此外，使用聚合物薄膜可在該拋光程序中避免會在使用其墊材料由PolyurethaneÒ或以毛氈為主之材料構成的目前可用設計時回沾(back staining)。

在示範實施例中，該聚合物層可藉由削片、擠壓、模製或鑄造產生。

吾人已發現提供具有提供給具有拋光機器之使用者的永久地附接聚合物層或薄膜的晶圓固持件，相較於由如揭露在美國專利第4,512,113號中之會產生操作者引發之尺寸變化的具有現場安裝及***墊的晶圓固持件達成的深度公差，可產生一較緊密袋深度公差。

可用於構成晶圓固持件之市面上可取得熱固性及/或熱塑性材料片的當前最新技術厚度公差係±百分之十，且大部分片材製造商仍無法在一般生產中達成該等公差。為達成在此之目的，「市面上可取得」係欲表示可用適合作為晶圓固持件使用之一代價維持的材料厚度公差。不幸地，一晶圓固持件之一示範0.035英吋厚度框架的一±百分之十厚度變化(大約0.004英吋)過大，因為加入該空腔深度之厚度變化無法提供該晶圓之暴露表面自該晶圓固持件之暴露主要面突出的一可接受量。

如圖8所示，以下說明用於製造一晶圓固持件之一方法300。如圖8進一步所示，方塊302包括由一層熱固性及/或熱塑性材料切割一框架11 (圖3)。例如，對一48英吋寬之一層熱固性及/或熱塑性材料而言，若欲製造具有20英吋直徑之框架部份，可由該層切割大約21英吋之多數並列正方形。在一實施例中，該層可由一適當金屬構成。該方法更包括方塊304，其包括在框架部份11上之至少一位置測量框架部份11之一厚度28 (圖2)。若進行一次以上厚度測量，則平均該等厚度測量值。具有在二厚度測量間之一不需要厚度測量值或厚度變化的框架部份可捨棄。該方法更包括方塊306，其包括在框架部份11中形成一空腔23 (圖2與3)。該空腔具有透過習知車削或3D列印相對該框架11之測量厚度28的一預定深度17。該方法更包括方塊308，其包括將針對空腔23定尺寸之一聚合物薄膜墊18 (圖3)永久地附接在空腔23中。應了解的是若欲在該框架中形成一個以上之空腔，則重複該方法之方塊306至308。

如圖9A至9B所示，以下說明用於製造一晶圓固持件之一方法500。如圖9A進一步所示，步驟或方塊502包括由具有一第一厚度公差之一第一層熱固性及/或熱塑性材料切割多數第一框架部份218 (圖6)。例如，對一48英吋寬之一層熱固性及/或熱塑性材料而言，若欲製造具有20英吋直徑之框架部份，可由該層切割大約21英吋之多數並列正方形。該方法更包括方塊504，其類似於方塊502包括由具有一第二厚度公差之一第二層熱固性及/或熱塑性材料切割多數第二框架部份214 (圖6)。該方法更包括方塊506，其類似於方塊502、504包括由具有一第三厚度公差之一第三層熱固性及/或熱塑性材料切割亦稱為基底的多數第三框架部份210。該方法更包括方塊508，其包括在該等多數第一框架部份218之各第一框架部份218上之至少一位置測量各第一框架部份218的一厚度222。在進行多次厚度測量之一實施例中，平均該等測量值。該方法更包括方塊510，其包括在該等多數第一框架部份214之各第二框架部份214上之至少一位置測量各第二框架部份214的一厚度220。在進行多次厚度測量之一實施例中，平均該等測量值。選擇地，該方法包括方塊511，其包括在該等多數第三框架部份210之各第三框架部份210上之至少一位置測量各第三框架部份210的一厚度228。在進行多次厚度測量之一實施例中，平均該等測量值。

方法500更包括步驟或方塊513，其包含分選及組合在該第一厚度公差之一第一範圍具有一第一厚度222的各第一框架部份218及在該第二厚度公差之一第二範圍具有一第二厚度220的一對應第二框架部份214，其中該第一厚度公差之該第一範圍與該第二厚度公差之該第二範圍相對。例如，在其厚度公差之一上範圍具有一厚度222的一第一框架部份218與在其厚度公差之一下範圍具有一厚度220的一第二框架部份214成對或組合。因此，由於該配置之框架部份218、214的上與下公差範圍產生的不精密度減少，較佳地使得該等厚度公差大致互相抵消，因此該等框架部份218、214之厚度和的合成公差減少，即，增加厚度精密度。

如圖9B所示，方法500更包括方塊514，其包括例如藉由如前所述之黏著或非黏著技術互相固定方塊513之各個所分選及組合的第一框架部份218及第二框架部份214。如圖7所示，使用黏著層互相固定該等框架部份，但在另一實施例中可使用非黏著技術。該方法更包括方塊515，其包括在各個所分選及組合之第一框架部份218及第二框架部份214中形成一周緣(例如，形成如圖7所示之一圓形)及如配置形成一個三角形之三孔的亦稱為工具孔之多數對齊形貌體224 (圖7)。該方法更包括方塊516，其包括如在方塊515中在各個所分選及組合之第一框架部份218及第二框架部份214中形成地，在各第三框架部份210中形成一類似周緣及多數對齊形貌體224。在一實施例中，一對以上之經分選及組合的第一框架部份218及第二框架部份214與第三框架部份210可在各方塊514、516中形成該框架部份之各周緣及對齊形貌體前互相上下堆疊。

方法500更包括方塊526，其包括在方塊514之分選及組合且固定之框架部份218、214中形成至少一孔16 (圖7)。該方法更包括方塊528，其包括與一對應第三框架部份210對齊地配置(即，對齊多數對齊形貌體224 (圖7))方塊514之先前分選及組合且固定之第一框架部份218及第二框架部份214中的對應第二框架部份214。該等對應框架部份218、214、210在方塊528中已對齊地配置後，它們在方塊530中互相固定，藉此形成具有至少一空腔23之框架100。即，面向第二框架部份214之第三框架部份210的表面19 (圖6)形成至少一空腔23之底表面。該方法更包括方塊532，其中尺寸作成用於空腔23之聚合物薄膜墊18 (圖7)永久地附接在各空腔23中。

應了解的是該方法之順序可與上述者不同。在一實施例中，該等框架部份之厚度可相同。

在圖9A至9B所示之方法的一示範實施例中，對如圖7所示之框架部份200而言，一第一層熱固性及/或熱塑性材料係為具有一±0.0015英吋之厚度公差的0.015英吋，一第二層熱固性及/或熱塑性材料係為具有一±0.0020英吋之厚度公差的0.020英吋，且一第三層熱固性及/或熱塑性材料係為具有一±0.001英吋之厚度公差的0.010英吋。第一框架部份218係由該第一層切割，第二框架部份214係由該第二層切割，而第三框架部份210係由該第三層切割。各框架部份218、214、210之厚度係至少在一位置測量，且平均複數厚度測量值。測量後，在其厚度公差之上範圍具有一厚度的第一框架部份218與在其厚度公差之下範圍具有一厚度的對應第二框架部份214配置在一起。因此，由於該配置之第一與第二框架部份210、212的公差範圍產生的不精密度減少，較佳地使得該等厚度公差大致互相抵消，使由經配置之第一與第二框架部份218、214形成的框架200具有.035英吋之總厚度，其可比以前可能之當前最新技術的市面上可取得框架材料層更精確地控制。黏著層216、212之厚度公差可忽略，而墊18之厚度公差通常在±0.0005英吋與0.001英吋之間。

藉由使用上述方法，申請人可使用當前最新技術之市面上可取得框架材料層來提供包括具有一致較佳厚度精密度的多數空腔，且該等空腔通常具有一大約等於或小於0.002英吋之空腔深度變化。該等精密度使所有空腔實質地對稱，或換言之，該等空腔具有實質相同公差。藉由允許可儘可能相同地處理晶圓，這改良之精密度在該晶圓固持件中處理一次且在各拋光機器循環中處理之全部晶圓間提供較佳拋光一致性。

相較於由具有與外殼相等之直徑的一薄膜構成的目前流行設計，由圖7可知這共同設計之原料可全部具有相同直徑。即，墊18具有與第一、第二與第三框架部份218、214與210相同之直徑且***第二框架部份214與第三框架部份210之間。與使用聚合物薄膜材料相關之其他優點係有時稱為墊材料或墊之材料族群可加入一「固定」模板或晶圓固持件而不必擔心會影響在晶圓固持件空腔間之變化及在該拋光程序中達成之整體晶圓品質的墊孔隙度與黏著劑體積之比值。墊孔隙度主要與必須填充以產生足以控制漿液侵入之一密封的該墊之開口容積有關。漿液侵入最後產生難以移除且欲處理之工作件或晶圓不需要的回沾。

雖然本發明已參照一較佳實施例說明過了，所屬技術領域中具有通常知識者可了解的是在不偏離本發明之範疇的情形下可進行各種變化且等效物可取代其元件。此外，在不偏離本發明之實質範疇的情形下，可進行許多修改以使一特定情形或材料適合於本發明之教示。因此，意圖是本發明不限於揭露作為用於實施本發明之最佳實施模式而揭露的特定實施例，而是本發明包括落在以下申請專利範圍之範疇內的全部實施例。

10‧‧‧晶圓固持件

11‧‧‧框架(部份)

12‧‧‧載具

14,21,114,212,216‧‧‧黏著層

16‧‧‧(埋頭)孔

17‧‧‧深度

18‧‧‧聚合物薄膜(墊)；墊

19‧‧‧表面

20‧‧‧晶圓

22‧‧‧軸承

23‧‧‧空腔

24‧‧‧心軸

28,228‧‧‧厚度

100‧‧‧晶圓固持件；框架

110,112‧‧‧框架部份

200‧‧‧晶圓固持件；框架(部份)

210‧‧‧(第三)框架部份

214‧‧‧(第二)框架部份

218‧‧‧(第一)框架部份

220‧‧‧(第二)厚度

222‧‧‧(第一)厚度

224‧‧‧對齊形貌體

300,500‧‧‧方法

302,304,306,308,502,504,506,508,510,511,513,514,515,516,526,528,530,532‧‧‧方塊

圖1係依據本揭示之一實施例的一晶圓固持件。

圖2係本揭示之沿圖1中的線2-2所截取的截面圖。

圖3係本揭示之圖1的晶圓固持件的分解圖。

圖4係本揭示之沿圖1中的線2-2所截取的一晶圓固持件之一示範實施例的截面圖。

圖5係本揭示之圖4的晶圓固持件的分解圖。

圖6係本揭示之沿圖1中的線2-2所截取的一晶圓固持件之一示範實施例的截面圖。

圖7係本揭示之圖6的晶圓固持件的分解圖。

圖8係本揭示之製造一示範晶圓固持件的一方法的流程圖。

圖9A至9B係本揭示之製造一示範晶圓固持件的一方法的流程圖。

只要可能，在全部圖中使用相同符號來表示相同部件。

Claims

一種在拋光機器中使用之晶圓固持件，該晶圓固持件具有由一熱固性材料及/或一熱塑性材料構成之一框架，該框架具有至少一空腔，該至少一空腔可收納及支持欲在該拋光機器中拋光之由一單晶塊成長的一晶圓，且一聚合物薄膜墊係永久地附接在該至少一空腔中；其中該至少一空腔具有至少與該晶圓之一橫截面覆蓋區相等的一橫截面覆蓋區；其中該晶圓具有一等於或小於0.001之厚度對橫截面積比率；其中該框架包含一第一框架部份及一第二框架部份，該第一框架部份及該第二框架部份具有形成於其中之至少一貫穿孔，該第一框架部份之一第一厚度公差之一第一範圍係與該第二框架部份之一第二厚度公差之一第二範圍相對。
如請求項1之晶圓固持件，其中該聚合物薄膜墊係藉由削片、擠壓、模塑或鑄造來產生。
如請求項1之晶圓固持件，其中該等聚合物薄膜墊及框架適合耐受具有pH<5及pH>9之一操作環境。
如請求項1之晶圓固持件，其中該聚合物薄膜墊避免在該拋光機器之操作期間的回沾。
如請求項1之晶圓固持件，其中該框架為目視透明。
如請求項1之晶圓固持件，其中該至少一空腔具有一開口端及一封閉端，該聚合物薄膜墊係永久地附接在該封閉端上。
如請求項6之晶圓固持件，其中該至少一空腔界定一埋頭孔。
如請求項1之晶圓固持件，其中該聚合物薄膜墊係由聚胺基甲酸酯或聚乙烯構成。
一種在拋光機器中使用之晶圓固持件，該晶圓固持件具有由一熱固性材料及/或一熱塑性材料構成之一框架，該框架具有至少一空腔，該至少一空腔可收納及支持欲在該拋光機器中拋光之一晶圓，且一聚合物薄膜墊係永久地附接在該至少一空腔中；其中該至少一空腔具有至少與該晶圓之一橫截面覆蓋區相等的一橫截面覆蓋區；其中該晶圓具有一等於或小於0.001之厚度對橫截面積比率；其中該框架包含一第一框架部份、一第二框架部份和一第三框架部份，該第一框架部份和該第二框架部份具有形成於其中之至少一貫穿孔，該第一框架部份之一第一厚度公差之一第一範圍係與該第二框架部份之一第二厚度公差之一第二範圍相對。
如請求項9之晶圓固持件，其中該聚合物薄膜墊及框架適合耐受具有pH<5及pH>9之一操作環境。
如請求項9之晶圓固持件，其中該聚合物薄膜墊避免在該拋光機器之操作期間的回沾。
如請求項9之晶圓固持件，其中該框架為目視透明。
如請求項9之晶圓固持件，其中該至少一空腔具有一開口端及一封閉端，該聚合物薄膜墊係永久地附接在該封閉端上。
如請求項12之晶圓固持件，其中該至少一空腔界定一埋頭孔。
一種製造晶圓固持件之方法，該晶圓固持件具有一框架，該框架具有可收納及支持欲在該拋光機器中拋光的由一單晶塊成長之一晶圓的至少一空腔，該至少一空腔具有至少與該晶圓之一橫截面覆蓋區相等的一橫截面覆蓋區，該晶圓具有一等於或小於0.001之厚度對橫截面積比率，且一聚合物薄膜墊係永久地附接在該至少一空腔中，該方法包含以下步驟：由具有一第一厚度公差之一第一層熱固性及/或熱塑性材料切割多數第一框架部份；由具有一第二厚度公差之一第二層熱固性及/或熱塑性材料切割多數第二框架部份；由具有一第三厚度公差之一第三層熱固性及/或熱塑性材料切割多數第三框架部份；在各第一框架部份上之至少一位置測量各第一框架部份之一厚度；在各第二框架部份上之至少一位置測量各第二框架部份之一厚度；分選及組合在該第一厚度公差之一第一範圍具有一第一厚度的各第一框架部份及在該第二厚度公差之一第二範圍具有一第二厚度的一對應第二框架部份，其中該第一厚度公差之該第一範圍係與該第二厚度公差之該第二範圍相對；互相固定各個所分選及組合之第一框架部份及第二框架部份；在各個所分選及組合之第一框架部份及第二框架部份中形成一周緣及多數對齊形貌體；在各第三框架部份中形成一周緣及多數對齊形貌體；在各個所分選及組合且固定之第一框架部份及第二框架部份中形成至少一孔；與一對應第三框架部份對齊地配置各個所分選及組合且固定之第二框架部份的該對應第二框架部份；互相固定各個所分選及組合且固定之第一框架部份及第二框架部份與對應第三框架部份，藉此形成具有至少一空腔之一框架；及將一聚合物薄膜墊永久地附接在該至少一空腔中。
如請求項15之方法，其中至少該第一層熱固性及/或熱塑性材料及該第二層熱固性及/或熱塑性材料係相同層。
如請求項15或16之方法，更包含用於欲形成在該框架中之各另外之空腔之重複形成/永久地附接的步驟。