TWI669188B - 用於化學機械研磨的系統、控制方法以及設備 - Google Patents

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Abstract

本發明實施例提供一種用於化學機械研磨的系統、控制方法以及設備。化學機械研磨設備包括研磨墊、第一感測器、研磨頭以及調節器。所述研磨墊包括位於其上的多個凹槽。第一感測器用於測量所述研磨墊的墊輪廓，其中所述研磨墊的所述墊輪廓包括所述多個凹槽的深度。研磨頭位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓研磨推向所述研磨墊的晶圓。調節器位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓修復所述研磨墊。根據至少一個研磨條件操作所述研磨頭以及所述調節器，且根據所述研磨墊的所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。

Description

用於化學機械研磨的系統、控制方法以及設備
本發明實施例是有關於一種用於化學機械研磨的系統、控制方法以及設備。
在半導體製程中，可以對基底(例如半導體晶圓)進行一次或多次研磨或平面化以除去晶圓的頂面上的一部分。典型的研磨製程是一種化學機械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)，其通過將晶圓放在研磨墊上以及以晶圓面朝下的方式被研磨墊按壓來進行研磨。在研磨製程期間，研磨墊的特性可能會發生變化(如研磨墊可能被磨損)，從而降低了研磨率和被研磨的晶圓的品質。因此，通過調節器進行墊調節以修復(recondition)研磨墊的表面。
然而，現有方法無法有效地監控研磨條件或研磨墊輪廓以及對CMP設備進行適當的調整。
本發明實施例的一種化學機械研磨設備包括研磨墊、第一感測器、研磨頭以及調節器。所述研磨墊包括位於其上的多個凹槽。第一感測器用於測量所述研磨墊的墊輪廓，其中所述研磨墊的所述墊輪廓包括所述多個凹槽的深度。研磨頭位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓研磨推向所述研磨墊的晶圓。調節器位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓修復所述研磨墊。根據至少一個研磨條件操作所述研磨頭以及所述調節器，且根據所述研磨墊的所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。
本發明實施例的一種化學機械研磨設備的控制方法包括以下步驟，所述化學機械研磨設備具有研磨墊、第一感測器、研磨頭以及調節器。由所述第一感測器測量所述研磨墊的墊輪廓，其中所述研磨墊的所述墊輪廓包括所述研磨墊的多個凹槽的深度。根據所述墊輪廓調整至少一個研磨條件。根據所述至少一個研磨條件，通過所述研磨頭研磨推向所述研磨墊的晶圓。根據所述至少一個研磨條件，通過所述調節器修復所述研磨墊。
本發明實施例的一種化學機械研磨系統包括化學機械研磨設備、記憶體以及控制器。化學機械研磨設備包括研磨墊、第一感測器、研磨頭以及調節器。所述研磨墊包括位於其上的多個凹槽。第一感測器用於測量所述研磨墊的墊輪廓，其中所述研磨墊的所述墊輪廓包括所述多個凹槽的深度。研磨頭位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓研磨推向所述研磨墊的晶圓。調節器位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓修復所述 研磨墊。根據至少一個研磨條件操作所述研磨頭以及所述調節器，且根據所述研磨墊的所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。記憶體用於存儲程式指令。控制器，耦合到所述記憶體以及所述化學機械研磨設備，並用於執行存儲在所述記憶體中的所述程式指令以：根據所述研磨墊的所述墊輪廓調整至少一個研磨條件；以及根據所述至少一個研磨條件控制所述研磨頭以及所述調節器。
110、210、300‧‧‧CMP設備
111、211、311、411、511、611‧‧‧研磨墊
112、212、312‧‧‧第一感測器
113、213、313‧‧‧研磨頭
114、214、314‧‧‧調節器
215、216、217‧‧‧感測器
300‧‧‧系統
320‧‧‧處理器
330‧‧‧記憶體
402、602、604‧‧‧凹槽
701、703、705、707‧‧‧步驟
D、D’‧‧‧深度
W、W’‧‧‧寬度
Z1、Z2、Z3‧‧‧區域
結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本發明的各個方面。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特徵並非按比例繪製。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1繪示根據本公開的實施例的化學機械研磨(CMP)設備的示意圖。
圖2繪示根據本公開的另一實施例的CMP設備的示意圖。
圖3繪示根據本公開的實施例的包括CMP設備的系統。
圖4A至圖4C繪示根據本公開的實施例的研磨墊的不同凹槽圖案的俯視圖。
圖5繪示根據本公開的實施例的研磨墊的不同區域。
圖6A至圖6B繪示根據本公開的實施例的研磨墊的剖視圖。
圖7繪示根據本公開的實施例的CMP設備的控制方法的流程圖。
以下公開內容提供用於實施所提供主題的不同特徵的許多不同的實施例或實例。以下闡述元件及排列的具體實例以簡化本公開。當然，這些僅為實例且不旨在執行限制。舉例來說，以下說明中將第一特徵形成在第二特徵“之上”或第二特徵“上”可包括其中第一特徵與第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且也可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵、從而使得所述第一特徵與所述第二特徵可能不直接接觸的實施例。另外，本公開可能在各種實例中重複使用參考編號及/或字母。這種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。
此外，為易於說明，本文中可能使用例如“位於...之下(beneath)”、“位於...下面(below)”、“下部的(lower)”、“位於...上方(above)”、“上部的(upper)”等空間相對性用語來闡述圖中所示一個元件或特徵與另一(其他)元件或特徵的關係。所述空間相對性用語旨在除圖中所繪示的取向外還囊括裝置在使用或操作中的不同取向。設備可具有其他取向(旋轉90度或其他取向)，且本文中所用的空間相對性描述語可同樣相應地執行解釋。
參考圖1，其為繪示CMP設備110的示意圖。CMP設備110包括研磨墊111、第一感測器112、研磨頭113以及調節器114。研磨墊111可以具有隨機排列或以特定凹槽圖案排列的多個凹槽。
第一感測器112位於研磨墊111的上方，用於測量研磨墊111的墊輪廓(profile)。在一實施例中，墊輪廓可以包括研磨墊111上的每個凹槽的深度。在另一實施例中，墊輪廓可以包括研磨墊111上的每個凹槽的深度和寬度。然而，本公開不限於此，用以定義研磨墊111上的凹槽的形狀或外觀的任何其他參數都可以包含在本公開的墊輪廓中。
在一實施例中，第一感測器112可以包括一個或多個相同類型或不同類型的感測器。第一感測器112可以包括光感測器、聲波感測器、影像感測器以及任何其他類型的感測器中的至少一個。例如，第一感測器112可以包括用於測量研磨墊111的三維形貌(例如，形狀)的三維雷射照相機。第一感測器112可以先產生雷射光束到位於雷射路徑中的研磨墊111，接著接收從研磨墊111反射的反射雷射光束。根據反射雷射光束的接收，第一感測器112可以獲得研磨墊111的墊輪廓。在另一實例中，第一感測器112可以包括三維影像照相機或三維聲波照相機或其任何組合。
只要可以測量墊輪廓即可，第一感測器112可以是接觸式感測器或非接觸式感測器。本公開未對第一感測器112的類型和第一感測器112的數量加以限制。
在本公開的實施例中，第一感測器112可以位於研磨墊 111的上方，以測量研磨墊111的墊輪廓。舉例來說，第一感測器112可以附接到CMP設備110的研磨頭113或調節器114或嵌入CMP設備110的研磨頭113或調節器114。然而，本公開不限於此，第一感測器112可以通過接觸或非接觸研磨墊111的方式放置在研磨墊111上方的任何位置處。
研磨頭113位於研磨墊111的上方，且用於對基底(如半導體晶圓)進行研磨製程。研磨頭113可以保持(hold)半導體晶圓(也稱為晶圓)，使半導體晶圓以面朝下的方式面向研磨墊111。在研磨製程期間，通過施加向下力將晶圓壓向研磨墊111，從而在研磨頭113上產生壓力。研磨墊111可劃分為多個區域(例如，同心區域)，當研磨頭113位於研磨墊111的不同區域時，研磨頭113上的區域壓力(zone pressure)可以不同。研磨頭113可以以特定的或可調節的向下力旋轉並移動穿過研磨墊111的表面以研磨晶圓。根據至少一個研磨條件(例如，研磨參數)來操作研磨頭113，其中研磨條件可以包括研磨頭113的區域壓力及/或研磨頭113的旋轉速度。根據由第一感測器112測量的研磨墊111的墊輪廓來調整所述至少一個研磨條件。值得注意的是，根據多個不同的參數來操作研磨頭113，並且可以根據研磨墊111的墊輪廓調整這些參數本身或些參數的組合。
調節器114用於修復研磨墊111以恢復研磨墊111的特性。調節器114可以由嵌有金剛石顆粒的金屬製成，但是本公開不限於此。根據多個不同的參數或研磨條件來操作調節器114，所 述參數或研磨條件例如為調節器的掃描範圍、調節器的掃描頻率、調節器的旋轉速度、將調節器推向研磨墊的向下力等。調節器114通常會旋轉，並且在研磨墊111的表面上以如圖1中所示的雙向箭頭的掃描方式移動。
一旦研磨墊111的墊輪廓由第一感測器112測量，可以根據所測量的墊輪廓來調整調節器114的所述至少一個研磨條件(參數)。在一實施例中，根據研磨墊111的墊輪廓調整調節器114的掃描範圍、調節器114的掃描頻率、調節器114的旋轉速度以及將調節器114推向研磨墊的向下力中的至少一個。然而，本公開不限於此，可以根據研磨墊111的墊輪廓調整調節器114的任何其他參數。
CMP設備110更可以包括流體輸送臂(未繪示)，流體輸送臂用於在研磨製程期間將研磨漿液提供到研磨墊111上。流體傳送臂可以進一步用於控制研磨漿液的流速。在本公開的一實施例中，可以根據研磨墊111的墊輪廓在研磨製程期間調整研磨漿液的流速。
圖2繪示根據本公開的實施例的CMP設備210。CMP設備200可以包括保持晶圓的研磨墊211、第一感測器212、研磨頭213、調節器214、第二感測器216、第三感測器217以及第四感測器215。研磨墊211、第一感測器212、研磨頭213以及調節器214類似於圖1所示的研磨墊111、第一感測器112、研磨頭113以及調節器114，因此在這裡省略這些元件的詳細描述。
第二感測器216用於測量調節器214的向下力，以及第三感測器217用於測量調節器214的切割速度。第二感測器216和第三感測器217可以位於調節器214的上方或下方或集成至調節器214中。第二感測器216和第三感測器217可位於調節器214附近的位置。
第四感測器215用於測量晶圓的厚度。第四感測器215可以位於研磨頭213上，或者集成到研磨頭213中，或者位於CMP設備210附近的任何位置。感測器215、216及217可以通過接觸或非接觸的方式操作，且本公開未限制感測器的類型、數量和位置。
在本公開的實施例中，根據至少一個研磨條件或研磨參數操作研磨頭213和調節器214。研磨參數可以根據由第一感測器212測量的墊輪廓及/或由第二感測器216測量的調節器214的向下力及/或由第三感測器217測量的調節器214的切割速度及/或由第四感測器215測量的晶圓的厚度調整。
圖3繪示系統300的示意圖，其包括CMP設備310、處理器320以及記憶體330。CMP設備310可以包括研磨墊311、第一感測器312、研磨頭313以及調節器314。研磨墊311、第一感測器312、研磨頭313以及調節器314類似於圖1中的研磨墊111、第一感測器112、研磨頭113以及調節器114，因此在這裡省略這些元件的詳細描述。
第一感測器312可耦合至處理器320，以將研磨墊311的 測量的墊輪廓傳送至處理器320。進而，處理器320可接收來自第一感測器的墊輪廓，並使用所接收的墊輪廓來調整CMP設備310的所述至少一個研磨條件。舉例來說，處理器320可調整控制研磨頭313和調節器314的操作的所述至少一個研磨條件。
在本公開的一實施例中，處理器320可以接收從第一感測器312發送的資料，並且根據從第一感測器312接收到的資料產生研磨墊311的墊輪廓。
在一實施例中，系統300更可以包括一個或多個感測器，其用於測量與CMP設備310的操作有關的不同參數。舉例來說，系統300可以包括感測器，其用於測量晶圓的厚度、調節器314的向下力、調節器314的切割速度、調節器314的旋轉速度、研磨頭313的旋轉速度、研磨頭313的向下力或區域壓力等。感測器可以耦合到處理器320以將測量的資料傳送到處理器320。處理器320可以使用由感測器測量的資料和由第一感測器312測量的墊輪廓來調整CMP設備310的研磨條件。
現參考圖4A至圖4C，其繪示CMP設備中的研磨墊411的不同凹槽圖案的俯視圖。研磨墊411包括隨機形成或形成特定圖案的多個凹槽，只要凹槽能夠提供期望的功能即可。圖4A繪示同心圓凹槽圖案的實例，其中研磨墊411的多個凹槽402以同心圓方式排列。圖4B繪示笛卡爾格槽(Cartesian grid grooved)圖案的實例，以及圖4C繪示旋轉(rotated)笛卡爾格槽圖案的實例。需要說明的是，圖4A至圖4C所示的凹槽圖案僅用於說明目的， 本公開的凹槽圖案不限於此。凹槽圖案可以包括同心圓圖案、徑向圖案、笛卡爾格圖案、螺旋圖案、旋轉笛卡爾格圖案以及它們的任意組合。
CMP設備中的研磨墊可劃分為不同區域，圖5繪示根據本公開的實施例的研磨墊511的不同區域Z1、Z2及Z3的實例。研磨墊511的墊輪廓可以根據研磨墊511的不同區域中的凹槽產生。舉例來說，用於測量研磨墊的墊輪廓的第一感測器可以是三維雷射照相機，所述三維雷射照相機根據研磨墊上的雷射路徑測量每個凹槽的深度和寬度。雷射路徑可以穿過研磨墊的區域，使得三維雷射照相機可以測量每個區域中的每個凹槽的深度和寬度。可以使用單個區域或多個區域的凹槽的深度和寬度來產生研磨墊的墊輪廓。
在一實施例中，研磨頭推向研磨墊的一個區域的壓力(例如區域壓力)與研磨頭推向研磨墊的另一個區域的壓力不同。舉例來說，區域Z1上的研磨頭的區域壓力可能不同於區域Z2上的研磨頭的區域壓力。在本公開的一實施例中，將研磨頭的區域壓力視為研磨參數之一，並根據研磨墊的墊輪廓調整研磨頭的區域壓力。
圖6A繪示包括多個凹槽602的研磨墊611的剖視圖。如圖6A所示，所述多個凹槽可以形成為特定圖案，但是本公開不限於此。圖6A中所示的每個凹槽602具有深度D和寬度W，並且可以由第一感測器測量每個凹槽602的深度D和寬度W，以產生 墊輪廓。
圖6B繪示包括多個凹槽602和多個凹槽604的研磨墊611的剖視圖。凹槽602具有深度D和寬度W，以及凹槽604具有深度D’和寬度W’。深度D’小於深度D，以及寬度W’可以與寬度W相同或不同。
因此，在研磨製程中，凹槽602可以變為凹槽604。由於圖6B所示的研磨墊611的表面是不均勻的，所以可能會給研磨製程帶來各種問題，例如縮短研磨墊的使用壽命、影響研磨製程的品質等。
參考圖7，繪示CMP設備的控制方法的流程圖。在步驟701中，由第一感測器測量研磨墊的墊輪廓，其中研磨墊的墊輪廓包括研磨墊的多個凹槽的深度。
在步驟703中，根據墊輪廓調整至少一個研磨條件。在一實施例中，所述至少一個研磨條件可以包括調節器的掃描範圍、調節器的掃描頻率、調節器的旋轉速度、將調節器推向研磨墊的向下力以及研磨頭的區域壓力。然而，在一實施例中，可以採用額外的感測器來測量調節器的切割速度、調節器的向下力以及晶圓的厚度。根據墊輪廓及/或所測量的切割速度及/或所測量的向下力及/或晶圓的厚度來調整所述至少一個研磨條件。
在步驟705中，根據所述至少一個研磨條件控制研磨頭，以對推向研磨墊的晶圓進行研磨。在步驟707中，根據所述至少一個研磨條件控制調節器，以修復研磨墊。
根據本公開的一些實施例，介紹了一種化學機械研磨(CMP)設備。CMP設備可以包括具有隨機排列或以特定圖案排列的多個凹槽的研磨墊。CMP設備更包括第一感測器，用於測量研磨墊的墊輪廓，其中所述墊輪廓包括研磨墊上的每個凹槽的深度。CMP設備更包括研磨頭和調節器，根據至少一個研磨條件操作所述研磨頭和所述調節器，其中根據第一感測器測量的研磨墊的墊輪廓調整所述研磨條件。通過第一感測器測量研磨墊的墊輪廓，CMP設備可以根據墊輪廓調整調節器的研磨條件，以更有效地修復研磨墊。此外，CMP設備更可以根據墊輪廓調整研磨頭的研磨條件，從而提高研磨製程的性能。因此，增加了研磨墊的使用壽命並減少了研磨製程中的缺陷和問題，且提高了研磨製程的性能。
在一實施例中，提供一種化學機械研磨設備。化學機械研磨設備包括研磨墊、第一感測器、研磨頭以及調節器。所述研磨墊包括位於其上的多個凹槽。第一感測器用於測量所述研磨墊的墊輪廓，其中所述研磨墊的所述墊輪廓包括所述多個凹槽的深度。研磨頭位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓研磨推向所述研磨墊的晶圓。調節器位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓修復所述研磨墊。根據至少一個研磨條件操作所述研磨頭以及所述調節器，且根據所述研磨墊的所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。
根據本公開的一些實施例，所述第一感測器用於測量所 述多個凹槽中的每一個的深度以及所述多個凹槽中的每一個的寬度，以得到所述研磨墊的所述墊輪廓。
在一些實施例中，所述第一感測器包括光感測器、聲波感測器以及影像感測器中的至少一個。
在一些實施例中，所述第一感測器包括三維雷射感測器。
在一些實施例中，所述至少一個研磨條件包括所述調節器的掃描範圍、所述調節器的掃描頻率、所述調節器的旋轉速度、將所述調節器推向所述研磨墊的向下力以及所述研磨頭的區域壓力中的至少一個。
在一些實施例中，所述化學機械研磨設備更包括第二感測器以及第三感測器。所述第二感測器用於測量將所述調節器推向所述研磨墊的向下力。所述第三感測器用於測量所述調節器的切割速度。根據所述向下力和所述調節器的所述切割速度中的至少一個以及所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。
在一些實施例中，所述化學機械研磨設備更包括第四感測器。所述第四感測器用於測量所述晶圓的厚度。根據所述向下力、所述調節器的所述切割速度以及所述晶圓的所述厚度中的至少一個以及所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。
在一些實施例中，所述化學機械研磨設備更包括第五感測器。所述第五感測器用於測量所述晶圓的厚度。根據所述墊輪廓以及所述晶圓的所述厚度調整所述至少一個研磨條件。
在一實施例中，提供一種化學機械研磨設備的控制方 法，所述化學機械研磨設備具有研磨墊、第一感測器、研磨頭以及調節器。所述控制方法包括：由所述第一感測器測量所述研磨墊的墊輪廓，其中所述研磨墊的所述墊輪廓包括所述研磨墊的多個凹槽的深度；根據所述墊輪廓調整至少一個研磨條件；根據所述至少一個研磨條件，通過所述研磨頭研磨推向所述研磨墊的晶圓；以及根據所述至少一個研磨條件，通過所述調節器修復所述研磨墊。
在一些實施例中，所述測量所述研磨墊的所述墊輪廓的步驟包括：測量所述研磨墊的所述多個凹槽中的每一個的深度；以及測量所述研磨墊的所述多個凹槽中的每一個的寬度。
在一些實施例中，所述第一感測器包括光感測器、聲波感測器以及影像感測器中的至少一個。
在一些實施例中，所述第一感測器包括三維雷射感測器。
在一些實施例中，所述至少一個研磨條件包括所述調節器的掃描範圍、所述調節器的掃描頻率、所述調節器的旋轉速度、將所述調節器推向所述研磨墊的向下力以及所述研磨頭的區域壓力中的至少一個。
在一些實施例中，所述控制方法更包括：測量將所述調節器推向所述研磨墊的向下力；以及測量所述調節器的切割速度。所述根據所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件的步驟包括：根據所述向下力和所述調節器的所述切割速度中的至少一個以及所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。
在一些實施例中，所述控制方法更包括：測量所述晶圓的厚度。所述根據所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件的步驟包括：根據所述向下力、所述調節器的所述切割速度以及所述晶圓的所述厚度中的至少一個以及所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。
在一些實施例中，所述控制方法更包括：測量所述晶圓的厚度。所述根據所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件的步驟包括：根據所述墊輪廓以及所述晶圓的所述厚度調整所述至少一個研磨條件。
在一實施例中，提供一種系統。所述系統包括化學機械研磨設備、記憶體以及控制器。所述化學機械研磨設備包括研磨墊、第一感測器、研磨頭以及調節器。所述研磨墊包括位於其上的多個凹槽。第一感測器用於測量所述研磨墊的墊輪廓，其中所述研磨墊的所述墊輪廓包括所述多個凹槽的深度。研磨頭位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓研磨推向所述研磨墊的晶圓。調節器位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓修復所述研磨墊。記憶體用於存儲程式指令。控制器耦合到所述記憶體以及所述化學機械研磨設備，並用於執行存儲在所述記憶體中的所述程式指令以：根據所述研磨墊的所述墊輪廓調整至少一個研磨條件；以及根據所述至少一個研磨條件控制所述研磨頭以及所述調節器。
在一些實施例中，所述第一感測器用於測量所述多個凹 槽中的每一個的深度以及所述多個凹槽中的每一個的寬度。
在一些實施例中，所述至少一個研磨條件包括所述調節器的掃描範圍、所述調節器的掃描頻率、所述調節器的旋轉速度、將所述調節器推向所述研磨墊的向下力以及所述研磨頭的區域壓力中的至少一個。
在一些實施例中，所述系統更包括第二感測器、第三感測器以及第四感測器。所述第二感測器用於測量將所述調節器推向所述研磨墊的向下力。所述第三感測器用於測量所述調節器的切割速度。所述第四感測器用於測量所述晶圓的厚度。根據所述向下力、所述調節器的所述切割速度以及所述晶圓的所述厚度中的至少一個以及所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。
以上概述了若干實施例的特徵，以使所屬領域中的技術人員可更好地理解本公開的各個方面。所屬領域中的技術人員應知，他們可容易地使用本公開作為設計或修改其他過程及結構的基礎來施行與本文中所介紹的實施例相同的目的及/或實現與本文中所介紹的實施例相同的優點。所屬領域中的技術人員還應認識到，這些等效構造並不背離本公開的精神及範圍，而且他們可在不背離本公開的精神及範圍的條件下對其作出各種改變、替代及變更。

Claims (10)

  1. 一種化學機械研磨設備，包括：研磨墊，其中所述研磨墊包括位於其上的多個凹槽；第一感測器，用於測量所述研磨墊的墊輪廓，其中所述研磨墊的所述墊輪廓包括所述多個凹槽的深度；第二感測器，用於測量將所述調節器推向所述研磨墊的向下力；第三感測器，用於測量所述調節器的切割速度；研磨頭，位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓研磨推向所述研磨墊的晶圓；以及調節器，位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓修復所述研磨墊，其中根據至少一個研磨條件操作所述研磨頭以及所述調節器，且根據所述向下力和所述調節器的所述切割速度中的至少一個以及所述研磨墊的所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的化學機械研磨設備，其中所述至少一個研磨條件包括所述調節器的掃描範圍、所述調節器的掃描頻率、所述調節器的旋轉速度、將所述調節器推向所述研磨墊的向下力以及所述研磨頭的區域壓力中的至少一個。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的化學機械研磨設備，更包括第四感測器，所述第四感測器用於測量所述晶圓的厚度，其中根據所述向下力和所述調節器的所述切割速度中的至少一個、所述晶圓的所述厚度以及所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。
  4. 一種化學機械研磨設備的控制方法，所述化學機械研磨設備具有研磨墊、第一感測器、研磨頭以及調節器，所述控制方法包括：由所述第一感測器測量所述研磨墊的墊輪廓，其中所述研磨墊的所述墊輪廓包括所述研磨墊的多個凹槽的深度；測量將所述調節器推向所述研磨墊的向下力；測量所述調節器的切割速度；根據所述向下力和所述調節器的所述切割速度中的至少一個以及所述墊輪廓調整至少一個研磨條件；根據所述至少一個研磨條件，通過所述研磨頭研磨推向所述研磨墊的晶圓；以及根據所述至少一個研磨條件，通過所述調節器修復所述研磨墊。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的控制方法，其中所述測量所述研磨墊的所述墊輪廓的步驟包括：測量所述研磨墊的所述多個凹槽中的每一個的深度；以及測量所述研磨墊的所述多個凹槽中的每一個的寬度。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的控制方法，其中所述第一感測器包括光感測器、聲波感測器以及影像感測器中的至少一個。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的控制方法，其中所述第一感測器包括三維雷射感測器。
  8. 如申請專利範圍第4項所述的控制方法，其中所述至少一個研磨條件包括所述調節器的掃描範圍、所述調節器的掃描頻率、所述調節器的旋轉速度、將所述調節器推向所述研磨墊的向下力以及所述研磨頭的區域壓力中的至少一個。
  9. 如申請專利範圍第4項所述的控制方法，更包括：測量所述晶圓的厚度，其中所述根據所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件的步驟包括：根據所述向下力、所述調節器的所述切割速度以及所述晶圓的所述厚度中的至少一個以及所述墊輪廓調整所述至少一個研磨條件。
  10. 一種化學機械研磨系統，包括：化學機械研磨設備，包括：研磨墊，其中所述研磨墊包括位於其上的多個凹槽；第一感測器，用於測量所述研磨墊的墊輪廓，其中所述研磨墊的所述墊輪廓包括所述多個凹槽的深度；第二感測器，用於測量將所述調節器推向所述研磨墊的向下力；第三感測器，用於測量所述調節器的切割速度；第四感測器，用於測量所述晶圓的厚度；研磨頭，位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓研磨推向所述研磨墊的晶圓；以及調節器，位於所述研磨墊的上方，且用於根據所述墊輪廓修復所述研磨墊；記憶體，用於存儲程式指令；以及控制器，耦合到所述記憶體以及所述化學機械研磨設備，並用於執行存儲在所述記憶體中的所述程式指令以：根據所述向下力、所述調節器的所述切割速度以及所述晶圓的所述厚度中的至少一個以及所述研磨墊的所述墊輪廓調整至少一個研磨條件；以及根據所述至少一個研磨條件控制所述研磨頭以及所述調節器。
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