TWI667683B - 用以產生高能中性粒子之系統及方法 - Google Patents
用以產生高能中性粒子之系統及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI667683B TWI667683B TW104122478A TW104122478A TWI667683B TW I667683 B TWI667683 B TW I667683B TW 104122478 A TW104122478 A TW 104122478A TW 104122478 A TW104122478 A TW 104122478A TW I667683 B TWI667683 B TW I667683B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- high energy
- neutral particles
- electrode
- energy neutral
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
用以產生高能中性粒子之系統及方法,包含一遠程電漿產生器,其用以在電漿區域內產生電漿。一離子提取器係用以從該電漿提取高能離子。一基板支座係配置在處理腔室內且係用以支撐基板。一中性粒子提取器與氣體散布裝置係配置在該電漿區域與該基板支座之間。該中性粒子提取器與氣體散布裝置係用以從該等高能離子提取高能中性粒子,以供應該等高能中性粒子至該基板且散布前驅物氣體進入該處理腔室。
Description
相關申請案的交互參照:本專利申請案主張於西元2014年7月14日申請之美國暫時專利申請案第62/024,080號的優先權。上述提及之申請案的全部揭露內容於此藉由參照納入本案揭示內容。
本揭露內容關於基板處理系統,且更具體而言,關於基板處理系統用以產生高能中性粒子之系統及方法。
在此提供的背景介紹係為了一般地呈現本揭露內容之背景的目的。目前列名發明者的工作成果,在此背景章節中所述之範圍,以及可能未在申請時以其他方式適格作為先前技術之說明的實施態樣,係未明示或暗示承認為對於本揭露內容之先前技術。
半導體工業使用遠程電漿源以產生用於奈米技術應用的自由基。該遠程電漿源可包含感應耦合式電漿(ICP)產生器、變壓器耦合式電漿(TCP)產生器、電容耦合式電漿(CCP)產生器及/或微波電漿產生器。
在一些應用中,噴淋頭或電漿網格係用以中和電漿且僅允許中性粒子通過。使用這些方法產生的自由基通常具有低能量(~ 0.01 eV)。因此,自由基對於原子層沉積(ALD)或原子層蝕刻(ALE)製程具有膜緻密作用之限制的活化能。
當使用原位電漿緻密方法時,離子能量常常太高。高離子能量可能造成基板內的元件損壞。離子的定向性亦降低側壁膜緻密化的效率。就高能中性粒子之產生而言,現有的方法僅可處理有限的基板面積,且對於較大的面積(諸如300 mm 或450 mm直徑的晶圓)係通常無用的。
一種用以產生高能中性粒子之系統,包含一遠程電漿產生器,其用以在電漿區域內產生電漿。一離子提取器係用以從該電漿提取高能離子。一基板支座係配置在處理腔室內且係用以支撐基板。一中性粒子提取器與氣體散布裝置係配置在該電漿區域與該基板支座之間。該中性粒子提取器與氣體散布裝置係用以從高能離子提取高能中性粒子,以供應高能中性粒子至該基板且散布前驅物氣體進入該處理腔室。
在其他的特徵部中,一加熱器係用以加熱該基板至一預定的溫度。該中性粒子提取器與氣體散布裝置包含一噴淋頭。該噴淋頭定義在該噴淋頭內用於接收前驅物氣體的第一充氣部。該噴淋頭包含在其面向基板的表面之中的第一複數個孔,該第一複數個孔係與該第一充氣部流體連通。
在其他的特徵部中,噴淋頭和基板之間的距離係加以選擇以在高能中性粒子之生命期內。該噴淋頭進一步包含第二複數個孔,該第二複數個孔從噴淋頭之面向離子提取器的表面延伸至該噴淋頭之面向基板的表面。
在其他的特徵部中,噴淋頭係由陶瓷製成。一電極係配置成毗鄰該噴淋頭之面向離子提取器的表面。該電極係以接地參考電位加以偏壓。該電極包含第三複數個孔,該第三複數個孔對準該第二複數個孔。
在其他的特徵部中,電漿產生器包含一電極,該電極配置成與該中性粒子提取器與氣體散布裝置間隔開。電漿區域係位於該電極及該中性粒子提取器與氣體散布裝置之間。一氣體遞送系統係用以供應電漿氣體至該電漿區域。一RF功率產生器選擇性地輸出RF功率至該電極以產生電漿。
在其他的特徵部中,離子提取器包含一DC功率產生器,該DC功率產生器選擇性地輸出DC電壓至電極。該DC電壓係不變的正DC電壓或脈衝的正DC電壓。噴淋頭係建構成與高能中性粒子獨立地遞送前驅物氣體至基板。在其他的特徵部中,噴淋頭係由金屬製成。該噴淋頭包含一介電層,該介電層配置在該噴淋頭的至少一表面上。
在其他的特徵部中,高能中性粒子具有範圍從1 eV至100 eV之間的能量。該等高能中性粒子具有範圍從5 eV至10 eV之間的能量。
在其他的特徵部中,一控制器係建構成:控制一氣體遞送系統以供應電漿氣體至電漿區域及供應前驅物氣體;控制一RF產生器以在該電漿區域內點燃電漿;及控制一DC功率產生器以輸出DC電壓至離子提取器。
一種用以產生高能中性粒子之方法包含在電漿區域內遠程地產生電漿;從該電漿提取高能離子;從該等高能離子提取高能中性粒子;供應該等高能中性粒子至在處理腔室內的基板;及供應前驅物氣體至該處理腔室。
在其他的特徵部中,該方法包含加熱基板至一預定的溫度。該方法包含使用噴淋頭提取高能中性粒子及供應前驅物氣體。噴淋頭和基板之間的距離係加以選擇以在該等高能中性粒子之生命期內。
在其他的特徵部中,該方法包含定義在噴淋頭內用於接收前驅物氣體的第一充氣部。該噴淋頭內的第一複數個孔與該第一充氣部連通,且該第一複數個孔係配置在該噴淋頭之面向基板的表面上。噴淋頭進一步包含第二複數個孔,該第二複數個孔從該噴淋頭之面向離子提取器的表面通至該噴淋頭之面向基板的表面。在其他的特徵部中,噴淋頭係由陶瓷製成。該方法包含配置一電極,該電極毗鄰該噴淋頭之面向離子提取器的表面。
在其他的特徵部中,遠程地產生電漿的步驟進一步包含:在電漿區域內設置一電極;供應電漿氣體至該電漿區域;及選擇性地輸出RF功率至該電極以產生電漿。
在其他的特徵部中,該方法包含選擇性地輸出DC電壓至電極以提取高能中性粒子。DC電壓係不變的正DC電壓或脈衝的正DC電壓。
在其他的特徵部中,該方法包含與高能中性粒子獨立地遞送前驅物氣體至處理腔室。噴淋頭係由金屬製成。該噴淋頭包含一介電層,該介電層配置在該噴淋頭的至少一表面上。
在其他的特徵部中,高能中性粒子具有範圍從1 eV至100 eV之間的能量。該等高能中性粒子具有範圍從5 eV至10 eV之間的能量。
本揭露內容之進一步的可應用領域將從詳細說明、申請專利範圍及圖式中變得明顯。詳細說明和具體的例子係意圖為僅供說明的目的,而非意欲限制本揭露內容的範圍。
根據本揭露內容的系統和方法允許高能中性粒子在相對大的表面積生產。該等系統和方法可被使用於諸如原子層沉積(ALD)、原子層蝕刻(ALE)、或奈米技術處理的製程中。根據本揭露內容的系統和方法減少與先前方法相關連的問題,諸如僅生產低能量中性粒子(諸如少於0.5 eV的中性粒子),或用於非常小的表面積(諸如具有小於100mm直徑的表面積)之中性射束。
根據本揭露內容的系統和方法提供高密度之高能中性粒子(自由基)以增進用於ALD/ALE的側壁緻密化效率。由於該等中性粒子的等向性本質,沉積(及蝕刻)可更符合具高深寬比的溝之小奈米尺度的特徵部,其對某些基板處理可為期望的條件。根據本揭露內容的系統和方法亦提供在大面積(諸如具有300mm、450mm或較大直徑的基板)之高能中性粒子之均勻來源。
現參照圖1,顯示基板處理系統10的一個例子。電漿產生器11係位於處理腔室12的上游。在一些例子中,電漿產生器11產生電漿13以產生高密度的離子。電漿產生器11可包含電容耦合式電漿(CCP)產生器、感應耦合式電漿(ICP)產生器、微波電漿產生器或其他適合的電漿產生器11。
離子提取器14從電漿13提取高能離子15。例如:僅對於CCP產生器的構造而言,離子提取器14可包含由RF功率與高的正DC偏壓(例如:高達數千伏特範圍)加以偏壓之電極(參看如圖2A)。高的正DC偏壓可為不變的或脈衝的DC電壓。
中性粒子提取器與氣體散布裝置16從離子提取器14接收高能離子15與來自氣體遞送系統18的一或多種前驅物氣體17。該中性粒子提取器與氣體散布裝置16從該等高能離子15提取高能中性粒子19。該中性粒子提取器與氣體散布裝置16在配置於基板支座22上之基板20的整個曝露表面分布該等高能中性粒子19與該前驅物氣體17。例如:基板支座22可包含基座、靜電卡盤、卡盤、平板或其他適合的基板支座。
由離子提取器14施加至電極之不變的DC電壓偏壓提升電漿電位且形成大離子鞘,以朝中性粒子提取器與氣體散布裝置16加速離子,且同時電子係受排斥而遠離該中性粒子提取器與氣體散布裝置16。中性粒子提取器與氣體散布裝置16曝露於該等加速離子的表面可包含被選擇以承受可能之離子濺鍍的材料。
由離子提取器14施加之不變的DC偏壓可以脈衝的DC電壓偏壓取代。該脈衝的DC電壓偏壓可允許施加較高峰值的DC電壓且因此允許較高的離子能量。在一些例子中,平均DC電流消耗可維持在合理之低數值以避免熄滅RF電漿。
基板支座22的溫度可使用加熱器26控制以提供反應增強效果。基板支座22係配置於中性粒子提取器與氣體散布裝置16的正下方,在依據處理腔室12內的壓力之該等中性粒子的生命期內。
現參照圖2A,基板處理系統28的一個例子係加以顯示且包含處理腔室30。基板支座34係配置在處理腔室30內以對基板38(諸如半導體晶圓)提供支撐。噴淋頭39定義第一充氣部40,其接收包含一或多種前驅物的氣體混合物。該第一充氣部40包含在其下表面的複數個孔42,以在基板38之整個面向上的表面均質地散布氣體混合物。該噴淋頭39進一步包含孔46,該等孔46從該噴淋頭39的第一表面(諸如頂壁)通至與第一表面為相反側之該噴淋頭39的第二表面(諸如底壁)。該等孔46提供從上電漿區域至下游區域的流體連通通道,但不與該第一充氣部40或該等孔42流體連通。
在一些例子中,電極52係加以提供且係配置成毗鄰噴淋頭39的第一表面。若被提供,該電極52可由導電材料(諸如金屬)製成,且可為接地的。該電極52包含複數個孔56,該複數個孔56對準噴淋頭39的該等孔46。
加熱器67可加以提供以控制基板支座34和基板38的溫度。電極66可相對於噴淋頭39與電極52以一間隔關係加以配置以定義上游電漿區域69。該電極66可由導電材料(諸如金屬)製成。
在此例子中,電容耦合式電漿(CCP)係藉由施加射頻(RF)功率而產生,該射頻(RF)功率由RF功率產生器70透過匹配網路72供應至電極66。此外,不變的或脈衝的DC電壓係由DC功率產生器76供應至電極66。
提供至噴淋頭39的第一氣體混合物可藉由氣體遞送系統78加以供應,該氣體遞送系統78包含一或多個氣體源80、一或多個質流控制器(MFC)82、一或多個閥84及一或多條歧管86。第二氣體混合物可由氣體遞送系統88加以供應至上游電漿區域,該氣體遞送系統88包含一或多個氣體源92、一或多個質流控制器(MFC)94、一或多個閥96及一或多條歧管98。
控制器100可加以提供以控制製程。例如:該控制器100控制相關於氣體遞送系統78與88的閥與MFC。此外,該控制器100可藉由RF功率產生器70與來自DC功率產生器76之不變的或脈衝的DC電壓控制RF功率的產生。該控制器100亦可控制加熱器67。此外,該控制器100可使用溫度感測器、壓力感測器或其他類型的感測器監測在噴淋頭39下游的區域或上游電漿區域69內的一或多個製程參數。
在操作中,氣體遞送系統88供應第二氣體混合物至位於電極66和噴淋頭39之間的上游電漿區域69。RF功率產生器70供應RF功率至電極66。電漿係在上游電漿區域69內加以點燃。DC功率產生器76可供應不變的或脈衝的DC電壓至電極66以執行離子提取。
高能離子可在噴淋頭39的該等孔46的表面上部分地中和以變成快速的中性粒子,且電荷交換可發生於當該等離子通過目標氣態介質時。該目標氣態介質的成分係加以選擇以最佳化電荷交換效率。電荷交換可在噴淋頭39的該等孔46內及通過噴淋頭39之後發生。
噴淋頭39內之孔46的數目與該等孔的大小係加以最佳化以對中性粒子/自由基具有大的通透性與低的重組損失。由於高能中性粒子係以較高的速度被提取,其碰撞的橫剖面係通常較低;因此可發生較少的重組與較多的提取進入該處理區域。該高能中性粒子係以高能量遞送至基板。
在一些例子中,噴淋頭39係雙區(充氣部)的噴淋頭,其具有獨立於高能中性粒子遞送前驅物至處理區的能力。中性粒子與自由基係透過孔46加以過濾。孔42遞送前驅物至下游處理區。若噴淋頭39係由導電材料(諸如金屬)製成,該噴淋頭39可為接地的且電極52可被省略。若噴淋頭係由非導電的材料(諸如陶瓷)製成,電極52可加以提供且可為接地的。
對於ICP和微波電漿,DC偏壓的電極亦可被納入而以相似的方式提高電漿電位。
若噴淋頭係由金屬製成,則噴淋頭39面向上游電漿區域的表面可以一層具有對準孔46的開口之介電材料部分地覆蓋。因此,必要的電極表面積係加以減少。此方法可在噴淋頭39感應一較高的RF鞘電壓以在DC偏壓效果之外進一步協助離子加速。若噴淋頭係由陶瓷製成,則電極52可被設計成達到同樣的效果。
現參照圖2B,噴淋頭39包含週邊側壁120與複數個內壁124。該等週邊側壁120與該複數個內壁124從面向上游電漿區域之噴淋頭39的頂壁130或表面(圖2A)延伸至面向基板38之噴淋頭39的底壁126或表面。孔46穿過該頂壁130、該等內壁124及該底壁126。噴淋頭39的底壁126表面包含複數個孔42以允許氣流從充氣部40通過底壁126至基板38。
現參照圖3,顯示用於處理基板之方法200的一個例子。在204中,電漿係於上游電漿區域內產生。在208中,高能離子係從電漿加以提取。在212中,高能中性粒子係從該等高能離子加以產生且係遞送至下游區域。在216中,一或多種前驅物係供應至下游區域。在220中,基板係曝露於該等高能中性粒子與一或多種前驅物。
在傳統的系統中,遠端電漿源係以接地的充氣部一起使用且具有低能量的中性粒子(~ 0.01 eV)。相比之下,在此描述的系統和方法使用電漿源、離子提取器、雙充氣部及中性粒子提取器。在此描述的系統和方法提供具有高活化能之高能中性粒子(從~ 1 eV 至 100 eV),且無電荷損壞。該等高能中性粒子可在大面積中加以提供以支持均勻的製程。例如:可適用於諸如那些具有300mm、450mm及更大直徑的基板面積。該等系統和方法係適合高壓(~Torr)且係可應用於廣泛製程。
僅作為例子,在5-10eV等級的中性粒子能量可為適當的,因為低很多的能量可能不驅動期望的反應而高很多的能量可能造成損壞。壓力應夠高以在晶圓上產生中性粒子的等向性空間分佈(亦即非高度定向性),但不高到使得在該晶圓上之中性粒子的通量由於與背景氣體散射而係不可接受地低。
以上所述在本質上僅為說明且係決非意欲限制本揭露內容、其應用、或使用。本揭露內容的廣泛教示可以多種方式執行。因此,雖然此揭露內容包含特殊的例子,但本揭露內容的真實範圍應不被如此限制,因為其他的變化將在研讀圖示、說明書和以下申請專利範圍後變為顯而易見。應理解方法中的一或多個步驟可以不同的順序(或同時)執行而不改變本揭露內容的原理。此外,雖然各個實施例係如上所述為具有某些特徵部,但關於本揭露內容之任何實施例描述的這些特徵部之其中任何一者以上可結合任何其餘實施例的特徵部而執行,即使結合係未明確地描述。換句話說,描述的實施例係非互斥,且一或多個實施例彼此的置換仍然是在此揭露內容的範圍內。
元件之間(例如:模組、電路元件、半導體層等之間)的空間與功能關係係使用各種術語加以描述,包含:「連接」、「接合」、「耦接」、「毗鄰」、「旁邊」、「在上方」、「上方」、「下方」、及「配置」。當第一和第二元件之間的關係係在以上的揭露內容中加以描述時,除非明確地描述為「直接」,該關係可為直接的關係,其中沒有其他中介元件係存在於該第一和第二元件之間,但亦可為間接的關係,其中一或多個中介元件係(空間地或功能地)存在於該第一和第二元件之間。當在此使用時,片語「A、B、及C的其中至少一者」應被理解為表示使用非排他邏輯「或」之邏輯(A 或 B 或 C),且不應理解為表示「A的其中至少一者、B的其中至少一者、及C的其中至少一者」。
在一些實施方式中,控制器為系統的一部分,其可為上述例子的一部分。此等系統可包括半導體處理設備,包含一個以上處理工具、一個以上腔室、用於處理的一個以上平臺、及/或特定處理元件(晶圓基座、氣流系統等)。這些系統可與電子設備整合,該等電子設備用於在半導體晶圓或基板處理之前、期間、及之後控制這些系統的操作。電子設備可稱作為「控制器」,其可控制該一個以上系統之各種不同的元件或子部分。依據系統的處理需求及/或類型,控制器可被編程以控制任何在此揭露的製程,包括:處理氣體的運送、溫度設定(例如:加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體遞送設定、位置及操作設定、出入一工具及其他轉移工具及/或與特定系統連接或介接的裝載鎖定部之晶圓轉移。
廣義地說,控制器可定義為電子設備,其具有各種不同的積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體,其接收指令、發布指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用端點量測等。積體電路可包含儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSP)、定義為特殊應用積體電路(ASIC)的晶片、及/或執行程式指令(例如軟體)的一或多個微處理器或微控制器。程式指令可為以各種個別設定(或程式檔案)的形式與控制器通訊的指令,該等設定定義對於半導體晶圓或系統執行特殊製程的操作參數。在一些實施例中,該操作參數可為由製程工程師定義之配方的部分,以在一或多個層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒製造期間完成一或多個製程步驟。
在一些實施方式中,控制器可為電腦的一部分或耦接至電腦,該電腦係與系統整合、耦接至系統、以其他方式網路連至系統、或其組合。例如:控制器可為在「雲端」或晶圓廠主機電腦系統的整體或部分,可允許晶圓處理的遠端存取。該電腦可允許針對系統的遠端存取以監測製造操作的當前進度、檢查過往製造操作的歷史、檢查來自複數個製造操作的趨勢或性能度量,以改變目前處理的參數、以設定目前操作之後的處理步驟、或啟動新的製程。在一些例子中,遠程電腦(例如:伺服器)可經由網路提供製程配方給系統,該網路可包括區域網路或網際網路。遠程電腦可包含使用者介面,其允許參數及/或設定的輸入或編程,這些參數及/或設定係接著從遠程電腦被傳遞至系統。在一些例子中,控制器接收數據形式的指令,該數據明確指定於一或多個操作期間將被執行之各個處理步驟的參數。應理解參數可專門用於將執行之製程的類型及配置控制器以介接或控制之工具的類型。因此,如上所述,控制器可為分散式的,諸如藉由包含一或多個分散的控制器,其由網路連在一起且朝共同的目標(諸如在此描述的製程和控制)作業。一個用於此目的之分散式控制器的例子將為腔室上的一或多個積體電路,連通位於遠端(諸如在平台級或作為遠程電腦的一部分)的一或多個積體電路,其結合以控制腔室中之製程。
示例系統可不受限制地包含電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉-潤洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清潔腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、及任何其他可關聯或使用於半導體晶圓的製造及/或生產中的半導體處理系統。
如上所述,依據將由工具執行的一個以上製程步驟,控制器可與下述通訊:一或多個其他工具電路或模組、其他工具元件、群組工具、其他工具介面、毗鄰工具、相鄰工具、位於工廠各處的工具、主電腦、另一個控制器、或用於材料傳送的工具,該用於材料傳送的工具將晶圓的容器攜帶進出半導體生產工廠內的工具位置及/或負載端。
10‧‧‧基板處理系統
11‧‧‧電漿產生器
12‧‧‧處理腔室
13‧‧‧電漿
14‧‧‧離子提取器
15‧‧‧高能離子
16‧‧‧中性粒子提取器與氣體散布裝置
17‧‧‧前驅物氣體
18‧‧‧氣體遞送系統
19‧‧‧高能中性粒子
20‧‧‧基板
22‧‧‧基板支座
26‧‧‧加熱器
28‧‧‧基板處理系統
30‧‧‧處理腔室
34‧‧‧基板支座
38‧‧‧基板
39‧‧‧噴淋頭
40‧‧‧充氣部
42‧‧‧孔
46‧‧‧孔
52‧‧‧電極
56‧‧‧孔
66‧‧‧電極
67‧‧‧加熱器
69‧‧‧上游電漿區域
70‧‧‧RF功率產生器
72‧‧‧匹配網路
76‧‧‧DC功率產生器
78‧‧‧氣體遞送系統
80‧‧‧氣體源
82‧‧‧質流控制器
84‧‧‧閥
86‧‧‧歧管
88‧‧‧氣體遞送系統
92‧‧‧氣體源
94‧‧‧質流控制器
96‧‧‧閥
98‧‧‧歧管
100‧‧‧控制器
120‧‧‧週邊側壁
124‧‧‧內壁
126‧‧‧底壁
130‧‧‧頂壁
200‧‧‧方法
本揭露內容從詳細說明和隨附圖式可更完全了解,其中:
圖1係根據本揭露內容之基板處理系統之一個例子的功能方塊圖。
圖2A係根據本揭露內容之基板處理系統之另一個例子的功能方塊圖。
圖2B係圖2A之噴淋頭的橫剖面圖;以及
圖3說明根據本揭露內容用於處理基板之方法的一個例子。
在圖示中,參考數字可被再次使用以識別相似及/或相同的元件。
Claims (20)
- 一種用以產生高能中性粒子之系統,包含:一第一電極,接收一RF電位與一DC電位;一第二電極,與一接地電位連接,其中,在該第一與第二電極之間導入一電漿氣體,在該第一與第二電極之間產生電漿,且該第二電極從該電漿提取高能離子;一處理腔室;一基板支座,配置在該處理腔室內且用以支撐一基板;一噴淋頭,配置在該第二電極與該基板支座之間,其中,該噴淋頭係鄰接該第二電極,該噴淋頭接收來自該第二電極的該等高能離子、從該等高能離子提取高能中性粒子、供應該等高能中性粒子至該基板以及散布一前驅物氣體進入該處理腔室,且其中,一第一氣體遞送系統將該前驅物氣體供應至該噴淋頭,其中:該噴淋頭係由陶瓷製成;該噴淋頭定義在該噴淋頭內用於接收該前驅物氣體的一第一充氣部;該噴淋頭包含在其面向基板的表面之中的第一複數個孔,該第一複數個孔係與該第一充氣部流體連通;該噴淋頭包含第二複數個孔,該第二複數個孔從該噴淋頭之一面向第二電極的表面延伸至該噴淋頭之該面向基板的表面;以及該第二電極包含與該第二複數個孔同軸的第三複數個孔。
- 如申請專利範圍第1項之用以產生高能中性粒子之系統,進一步包含一加熱器,建構成加熱該基板至一預定的溫度。
- 如申請專利範圍第1項之用以產生高能中性粒子之系統,其中,該噴淋頭與該基板之間的距離係加以選擇以在該等高能中性粒子之生命期內。
- 如申請專利範圍第1項之用以產生高能中性粒子之系統,進一步包含:一第二氣體遞送系統,建構成供應該電漿氣體;以及一RF功率產生器,供應該RF電位至該第一電極。
- 如申請專利範圍第1項之用以產生高能中性粒子之系統,其中,一DC功率產生器選擇性地輸出該DC電位至該第一電極。
- 如申請專利範圍第1項之用以產生高能中性粒子之系統,其中,該DC電位係一不變的正DC電位。
- 如申請專利範圍第1項之用以產生高能中性粒子之系統,其中,該DC電位係一脈衝的正DC電位。
- 如申請專利範圍第1項之用以產生高能中性粒子之系統,其中,該噴淋頭係建構成與該等高能中性粒子獨立地遞送該前驅物氣體至該基板。
- 如申請專利範圍第1項之用以產生高能中性粒子之系統,其中,該等高能中性粒子具有範圍從1eV至100eV之間的能量。
- 如申請專利範圍第1項之用以產生高能中性粒子之系統,其中,該等高能中性粒子具有範圍從5eV至10eV之間的能量。
- 如申請專利範圍第1項之用以產生高能中性粒子之系統,進一步包含一控制器,建構以:控制該第一氣體遞送系統以及一第二氣體遞送系統之其中至少一者,以供應該電漿氣體及該前驅物氣體;控制一RF產生器以點燃該電漿;以及控制一DC功率產生器以輸出該DC電位。
- 一種用以產生高能中性粒子之方法,包含:藉由一第一電極,接收一射頻(RF)電位與一直流(DC)電位;藉由一第二電極,接收一接地電位;在該第一與第二電極之間導入一電漿氣體,並且在該第一與第二電極之間產生電漿;藉由該第二電極,從該電漿提取高能離子; 藉由鄰接該第二電極的一噴淋頭,接收來自該第二電極的高能離子並且從該等高能離子提取高能中性粒子;藉由該噴淋頭,供應該等高能中性粒子至在一處理腔室內的一基板;藉由該噴淋頭,散布前驅物氣體至該處理腔室,其中:該噴淋頭係由陶瓷製成;該噴淋頭定義在該噴淋頭內用於接收該前驅物氣體的一第一充氣部;該噴淋頭包含在其面向基板的表面之中的第一複數個孔,該第一複數個孔係與該第一充氣部流體連通;該噴淋頭包含第二複數個孔,該第二複數個孔從該噴淋頭之一面向第二電極的表面延伸至該噴淋頭之該面向基板的表面;以及該第二電極包含與該第二複數個孔同軸的第三複數個孔。
- 如申請專利範圍第12項之用以產生高能中性粒子之方法,進一步包含加熱該基板至一預定的溫度。
- 如申請專利範圍第12項之用以產生高能中性粒子之方法,其中,該噴淋頭與該基板之間的距離係加以選擇以在該等高能中性粒子之生命期內。
- 如申請專利範圍第12項之用以產生高能中性粒子之方法,其中,該DC電位係一不變的正DC電位。
- 如申請專利範圍第12項之用以產生高能中性粒子之方法,其中,該DC電位係一脈衝的正DC電位。
- 如申請專利範圍第13項之用以產生高能中性粒子之方法,進一步包含與該等高能中性粒子獨立地遞送該前驅物氣體至該處理腔室。
- 如申請專利範圍第12項之用以產生高能中性粒子之方法,其中,該噴淋頭包含一介電層,該介電層配置在該噴淋頭的至少一表面上。
- 如申請專利範圍第13項之用以產生高能中性粒子之方法,其中,該等高能中性粒子具有範圍從1eV至100eV之間的能量。
- 如申請專利範圍第13項之用以產生高能中性粒子之方法,其中,該等高能中性粒子具有範圍從5eV至10eV之間的能量。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462024080P | 2014-07-14 | 2014-07-14 | |
US62/024,080 | 2014-07-14 | ||
US14/740,469 US20160013020A1 (en) | 2014-07-14 | 2015-06-16 | Systems and methods for producing energetic neutrals |
US14/740,469 | 2015-06-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201614709A TW201614709A (en) | 2016-04-16 |
TWI667683B true TWI667683B (zh) | 2019-08-01 |
Family
ID=55068099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104122478A TWI667683B (zh) | 2014-07-14 | 2015-07-13 | 用以產生高能中性粒子之系統及方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160013020A1 (zh) |
KR (1) | KR102414852B1 (zh) |
CN (1) | CN105261546A (zh) |
TW (1) | TWI667683B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10141161B2 (en) * | 2016-09-12 | 2018-11-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Angle control for radicals and reactive neutral ion beams |
US10457622B2 (en) * | 2017-03-08 | 2019-10-29 | Daicel Corporation | Method for producing acetic acid |
US10714301B1 (en) * | 2018-02-21 | 2020-07-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter |
KR20210115861A (ko) * | 2020-03-16 | 2021-09-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11282711B2 (en) * | 2020-07-31 | 2022-03-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Plasma-assisted etching of metal oxides |
KR102577288B1 (ko) * | 2020-11-23 | 2023-09-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20230119592A (ko) * | 2020-12-17 | 2023-08-16 | 램 리써치 코포레이션 | 다운스트림 플라즈마 챔버에서 에지 라디칼 플럭스 최적화 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6083363A (en) * | 1997-07-02 | 2000-07-04 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for uniform, low-damage anisotropic plasma processing |
US20030168011A1 (en) * | 2000-05-02 | 2003-09-11 | Bong-Ju Lee | Apparatus for treating the surface wit neutral particle beams |
US6663715B1 (en) * | 1999-11-10 | 2003-12-16 | Nec Corporation | Plasma CVD apparatus for large area CVD film |
US20060196425A1 (en) * | 2005-03-07 | 2006-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflectors, substrate processing apparatuses and methods for the same |
US20080178805A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-07-31 | Applied Materials, Inc. | Mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode |
US20090275207A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and computer readable storage medium |
US20090289179A1 (en) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Limited | Multi-plasma neutral beam source and method of operating |
US20090320756A1 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-31 | Tokyo Electron Limited | Microwave plasma processing apparatus |
US20140272179A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and techniques for energetic neutral beam processing |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2611732B2 (ja) * | 1993-12-13 | 1997-05-21 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4073204B2 (ja) * | 2001-11-19 | 2008-04-09 | 株式会社荏原製作所 | エッチング方法 |
US7740737B2 (en) * | 2004-06-21 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
KR20080111627A (ko) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 공정장치 및 그 방법 |
US9520275B2 (en) * | 2008-03-21 | 2016-12-13 | Tokyo Electron Limited | Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using |
JP5578782B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
-
2015
- 2015-06-16 US US14/740,469 patent/US20160013020A1/en not_active Abandoned
- 2015-07-03 KR KR1020150095480A patent/KR102414852B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-13 TW TW104122478A patent/TWI667683B/zh active
- 2015-07-14 CN CN201510413175.XA patent/CN105261546A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6083363A (en) * | 1997-07-02 | 2000-07-04 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for uniform, low-damage anisotropic plasma processing |
US6663715B1 (en) * | 1999-11-10 | 2003-12-16 | Nec Corporation | Plasma CVD apparatus for large area CVD film |
US20030168011A1 (en) * | 2000-05-02 | 2003-09-11 | Bong-Ju Lee | Apparatus for treating the surface wit neutral particle beams |
US20060196425A1 (en) * | 2005-03-07 | 2006-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflectors, substrate processing apparatuses and methods for the same |
US20080178805A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-07-31 | Applied Materials, Inc. | Mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode |
US20090275207A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and computer readable storage medium |
US20090289179A1 (en) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Limited | Multi-plasma neutral beam source and method of operating |
US20090320756A1 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-31 | Tokyo Electron Limited | Microwave plasma processing apparatus |
US20140272179A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and techniques for energetic neutral beam processing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160008460A (ko) | 2016-01-22 |
US20160013020A1 (en) | 2016-01-14 |
TW201614709A (en) | 2016-04-16 |
CN105261546A (zh) | 2016-01-20 |
KR102414852B1 (ko) | 2022-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI667683B (zh) | 用以產生高能中性粒子之系統及方法 | |
TWI731078B (zh) | 下游反應器中之邊緣蝕刻率控制用可調整側邊氣體充氣部 | |
TWI761337B (zh) | 基板處理系統 | |
KR102488729B1 (ko) | 이동 가능한 에지 링 및 가스 주입 조정을 사용하여 웨이퍼 상 cd 균일성의 제어 | |
TWI731031B (zh) | 用以提高基板處理系統之電漿中的電子密度位準之系統及方法 | |
TWI710415B (zh) | 使用基於電漿的程序消除基板處理腔室中的氟殘留物之方法 | |
CN107017147B (zh) | 包括多个注气点和双注射器的衬底处理室 | |
KR102556603B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 시스템들을 위한 고순도 sp3 결합들을 가진 화학적 기상 증착 (cvd) 다이아몬드 코팅을 포함한 에지 링들과 같은 컴포넌트들 | |
TW201631654A (zh) | 為求均勻處理半導體基板處理設備中之半導體基板而採用之氣體噴射方法 | |
KR102521717B1 (ko) | 아킹 (arcing) 을 감소시키기 위한 헬륨 플러그 설계 | |
TWI721196B (zh) | 用以蝕刻複合三維結構之壓力排淨蝕刻方法 | |
KR102598863B1 (ko) | 동시에 발생하는 인시츄 플라즈마 소스 및 리모트 플라즈마 소스를 사용한 신속한 챔버 세정 | |
KR102453999B1 (ko) | 능동적으로 냉각된 그리드를 갖는 가스 분배 디바이스 | |
TWI735530B (zh) | 用於選擇性蝕刻膜的系統與方法 | |
KR102261127B1 (ko) | Rf 플라즈마 생성기 및 리모트 플라즈마 생성기에 공급하는 rf 신호 소스 | |
TW202215485A (zh) | 用於離子損傷減輕及蝕刻均勻度改善之脈動遠程電漿 | |
KR20240093865A (ko) | 라디칼 종 전달을 위한 구멍 크기를 갖는 샤워헤드 | |
KR20210127259A (ko) | 플라즈마 챔버들을 세정하기 위한 장치 |