TWI665758B - 用於半導體後處理步驟的吸盤、具有吸盤的吸盤結構、和具有吸盤結構的芯片分離裝置 - Google Patents

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Abstract

一種吸盤結構，包括具有通過外部電源產生熱的加熱元件的加熱板；以及延伸到吸盤結構的上表面以提供真空吸力的第一真空管線；吸盤放置在加熱板上以支撐具有多個芯片的晶片，芯片接合到吸盤結構的上表面上的切割帶，吸盤被配置為把加熱板中產生的熱傳遞到晶片，讓芯片與切割帶分離，並將第二真空管線與第一真空管線連通以吸附切割帶。 因此，與切割帶分離時，芯片會損壞。

Description

用於半導體後處理步驟的吸盤、具有吸盤的吸盤結構、和具有吸盤結構的芯片分離裝置
本發明涉及一種用於半導體後處理步驟的吸盤、具有吸盤的吸盤結構、以及具有吸盤結構的芯片分離裝置，更具體地說，涉及一種吸盤，吸盤用於支撐切割成多個具有切割帶的芯片的晶片、具有吸盤的吸盤結構、以及具有吸盤結構的芯片分離裝置。
通常，半導體製造過程可以分為預處理步驟和後處理步驟。
預處理步驟可以包括沉積程序、光刻膠塗覆程序、曝光程序、顯影程序、蝕刻程序、清潔程序、檢驗程序等。
後處理步驟對應於通過預處理步驟針對有多個芯片形成的晶片進行的切割程序，使每個芯片成為一個獨立的半導體裝置。
後處理步驟可以包括切割程序、包裝程序、組裝程序、清潔程序等。
為了在後處理步驟中執行包裝程序，在吸盤夾持安裝在切割帶上的晶片的狀態下而輸送芯片使多個芯片各自獨立。在吸盤下部設置彈出銷，彈出銷推擠切割帶的背面並將每個芯片與切割帶分離。
然而，即使將芯片輕量化或薄型化，彈出銷穿過切割膠帶的力量仍有可能造成芯片的損壞。
本發明提供了用於半導體後處理步驟的吸盤，吸盤能從切割帶上將芯片分離而不致損壞芯片。
本發明還提供了具有使用於半導體後處理步驟的吸盤的吸盤結構。
本發明還提供了一種芯片分離裝置。
根據示例性實施例，用於半導體後處理步驟的吸盤包括貫穿過其中的多個真空孔，真空孔使用真空吸力吸附切割帶，其中放置在加熱板上的吸盤支撐著包括附著在切割帶上的多個芯片的晶片，並加熱板中產生的熱轉移到晶片上，從而將芯片與切割帶熱分離。
在一個示例性實施例中，吸盤還可以包括真空槽圖樣，真空槽圖樣與形成在吸盤下表面的真空孔連通。
在一個示例性實施例中，吸盤的下表面平坦度約10μm或更小。
根據示例性實施例，吸盤結構包括加熱板，加熱板具有通過外部電源產生熱的加熱元件，以及延伸到加熱板上表面以提供真空吸力的第一真空管線，以及放置在加熱板上的吸盤，吸盤用來支撐包括多個芯片的晶片，芯片附接到加熱板上表面上的切割帶，吸盤被設計成將加熱板中產生的熱轉移到晶片，將芯片與切割帶分離，並且吸盤具有與第一真空管線連通的第二真空管線，用來吸附切割帶。
在一個示例性實施例中，第二真空管線包括與第一真空管線連通的真空槽圖樣，真空槽圖樣形成在吸盤的下表面，真空槽圖樣、吸盤的下表面和加熱板的上表面一起界定真空空間，以及多個真空孔，真空孔延伸貫穿過吸盤並從吸盤的下表面延伸到上表面。
在一個示例性實施例中，第一真空管線可以包括與第二真空管線連通的真空槽圖樣，真空槽圖樣形成在加熱板的上表面，真空槽圖樣、吸盤的下表面和加熱板的上表面一起界定真空空間，以及多個真空孔，真空孔延伸穿過加熱板並從加熱板的下表面延伸到上表面。
在一個示例性實施例中，吸盤結構還可以包括設置在加熱板中的上表面和吸盤的下表面中之一的校準銷，以及形成在加熱板中的上表面和吸盤的下表面中另一個的容設槽，容設槽用來容設校準銷。
在一個示例性實施例中，加熱板和吸盤可以由氮化鋁(AlN)製成，用來將加熱板產生的熱均勻傳遞，使得吸盤在內部的溫度均勻分佈。
在一個示例性實施例中，吸盤結構還可以包括引導環，將引導環懸掛在沿著加熱板的上表面的邊緣部形成的槽中以引導加熱板的周緣，夾持部固定到引導環的同時覆蓋吸盤上表面的邊緣部，使吸盤與加熱板接觸，將吸盤固定到加熱板。
在一個示例性實施例中，夾持部可以懸掛在沿著吸盤的周緣部形成的槽中，使得夾持部的上表面與吸盤的上表面為共面。
在一個示例性實施例中，引導環和夾持部可以由氧化鋁製成，以防止加熱板中產生的熱通過加熱板和吸盤而損失。
在一個示例性實施例中，每個加熱板的上表面和吸盤的下表面中的平坦度可以為約10μm或更小，以防止從加熱板和吸盤之間間隙洩漏真空吸力。
根據一個示例性實施例，芯片分離裝置包括吸盤構造，吸盤構造包括加熱板，加熱板具有藉由外部電源產生熱的加熱元件和延伸到加熱板上表面用來 提供真空吸力第一真空管線，吸盤被放置在加熱板上以支撐包括多個芯片的晶片，芯片與在吸盤上表面的切割帶接合，吸盤被設計成將加熱板中產生的熱傳遞到晶片，使芯片與切割帶分離，並且吸盤具有第二真空管線，第二真空管線與用來吸附切割帶的第一真空管線連通，以及拾取器，拾取器用來從切割帶依序拾取芯片並將芯片轉移而用於後續切割程序。
在一個示例性實施例中，拾取器可以包括用於加熱芯片的加熱器。
在一個示例性實施例中，拾取器處於用於分離芯片的待機狀態時，加熱板產生熱使芯片與切割帶分離。
根據本發明的示例性實施例的吸盤可以利用吸附晶片的真空吸力與加熱板緊密接觸。因此，不需要額外的緊固件就可以將吸盤固定在加熱板上。
根據本發明的示例性實施例的吸盤結構可以利用吸附晶片的真空吸力使加熱板和吸盤彼此緊密接觸。因此，固定加熱板和吸盤不需要額外的緊固件。
此外，當僅僅釋放真空吸力時，可以分離和更換加熱板和吸盤。因此，可以快速進行吸盤結構的維護。
吸盤結構藉由吸盤將加熱板中產生的熱傳遞到晶片。由於熱，切割帶施加到晶片上的粘合力因而降低，可以藉由吸盤傳遞的熱讓芯片與切割帶分離。因此，可以分離芯片而不致損壞。
根據本發明的芯片分離裝置可以將芯片分離和轉移，而非使用吸盤結構使芯片損壞。
10‧‧‧晶片
12‧‧‧芯片
14‧‧‧切割帶
100‧‧‧吸盤結構
110‧‧‧加熱板
112‧‧‧加熱元件
114‧‧‧第一真空管線
116‧‧‧校準銷
118‧‧‧槽
120‧‧‧吸盤
122‧‧‧第二真空管線
122a‧‧‧真空槽圖樣
122b‧‧‧真空孔
124‧‧‧容設槽
126‧‧‧槽
130‧‧‧引導環
132‧‧‧鎖固突起部
140‧‧‧夾持部
142‧‧‧緊固螺絲
144‧‧‧鎖固突起部
150‧‧‧電源線
160‧‧‧溫度感測器
170‧‧‧軸
200‧‧‧拾取器
210‧‧‧加熱器
300‧‧‧芯片分離裝置
圖1示出本發明示例性實施例的半導體後處理程序的吸盤結構的剖面圖。
圖2示出圖1中吸盤結構的平面圖。
圖3示出圖1中吸盤的底視圖。
圖4示出本發明示例性實施例的半導體後處理程序的吸盤的底視圖。
圖5示出圖1中區域“A”的放大剖面圖。
圖6示出本發明示例性實施例的芯片分離裝置的剖面圖。
在下文中，將參照附圖詳細描述特定實施例的電漿處理裝置的內部構件及其製造方法。然而，本發明可用不同的形式實施，並且不應被解釋為限制在本文所闡述的實施例內，而是提供這些實施例讓本發明徹底完整，並且對於本領域技術人員充分地傳達本發明的範圍。相同的附圖標號表示相同的元件。為了清楚說明，在附圖中會將層和區域的尺寸放大。
諸如第一、第二等等的術語可以用於描述各種元件，但是上述元件不應被上述術語所限制。以上這些術語僅用於將一個元件與另一元件做區分。例如，在不脫離本發明第一部件到第二部件的範圍，可用類似方式命名，也可命名為第二部件到第一部件。
本文使用的術語僅用於描述特定示例性實施例的目的，而不是限制本發明的構思。除非上下文另有明確指出，如本文所使用的單數形式“a”、“an”和“the”也意味包括複數形式。可進一步理解，在本說明書中使用的術語“包括”和/或“包含”，是指出所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不是排除其存在或添加一個以上的其它特徵、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)的含意與本發明構思所屬領域的一般技術人員通常理解的含意相同。可進一步理解，諸如 常用詞典中定義的術語應被解釋為具有與相關領域背景一致的含意，並且不會以理想化或過度正式的方式解釋，除非有明確的定義。
圖1是示出根據本發明的示例性實施例的半導體後處理步驟的吸盤結構的截面圖。圖2是圖1中的吸盤結構的平面圖。圖3是圖1中的吸盤的底視圖。圖4是示出根據本發明的示例性實施例的用於半導體後處理步驟的吸盤的底視圖。圖5是圖1中的區域“A”的放大剖視圖。
如圖1至圖5所示，根據示例性實施例的吸盤結構100支撐包括藉由切割程序而切割的多個芯片12並接合到切割帶14的晶片10。由於吸盤結構100是用於半導體後處理步驟，不同於在半導體真空狀態以及惰性氣體氣壓下用於半導體預處理步驟的陶瓷加熱器，吸盤結構100可在大氣壓力狀態和氧氣氣壓下使用。
吸盤結構100包括加熱板110、吸盤120、引導環130、夾持部140、電源線150、溫度感測器160、和軸170。
加熱板110大致為圓盤形狀。加熱板110包括可藉由外部施加的電源產生熱的加熱元件112。
加熱元件112設置在具有預定圖樣的加熱板110的內部。加熱元件112的實例包括電極層、加熱線圈等等。
加熱板110具有延伸到其上表面的第一真空管線114。第一真空管線114可以從加熱板110的下表面或側面延伸到加熱板110的上表面。第一真空管線114連接到真空泵(未示出)，並且提供轉移真空吸力以吸附晶片10的路徑。
加熱板110包括形成在其上表面上的至少一個校準銷116。校準銷116被配置成可將吸盤120對準加熱板110。此外，可以設置多個校準銷116。校準銷116設置在加熱板110的上表面的邊緣部。
此外，加熱板110具有沿其上表面的邊緣部形成的槽118。槽118用於固定圍繞加熱板110的側壁的引導環130。
吸盤120大致為圓盤形狀。吸盤位於加熱板110上。此外，吸盤120的上表面可支撐晶片10。
吸盤120具有連接到第一真空管線114的第二真空管線122，第二真空管線122使用真空吸力吸附切割帶14，在切割帶14上粘附晶片10。
第二真空管線122具有真空槽圖樣122a和多個真空孔122b。
真空槽圖樣122a形成於吸盤120的下表面。如圖3所示，真空槽圖樣122a包括相對於吸盤120的下表面的中心而同心地形成的多個第一槽和從吸盤的下表面的中心而放射狀延伸的多個第二槽。第一和第二槽彼此連通。
或者，真空槽圖樣122a也可以是圓形槽的形狀。真空槽圖樣122a不沿水平方向往吸盤120的下邊緣延伸，以防止洩漏真空吸力。
如圖5所示，吸盤120定位在加熱板110上，且真空槽圖樣122a和加熱板110的上表面一起形成真空空間。此外，真空槽圖樣122a與第一真空管線114連通。
真空孔122b從形成真空槽圖樣122a的吸盤120的下表面延伸到吸盤120的上表面。真空孔122b設置為彼此隔開。例如，可以同心地或放射狀地設置真空孔122b。
第二真空管線122與第一真空管線114連通，可藉由第一真空管線114所提供的真空吸力來吸附晶片10的切割帶14。
根據本發明的另一個實施例，儘管圖上未示出，第二真空管線122由貫穿吸盤120的真空孔所構成，第一真空管線114包括形成在加熱板110上的真空槽圖樣以及貫穿加熱板110的多個真空孔。
真空槽圖樣與第二真空管線122連通。真空槽圖樣被加熱板110的上表面和吸盤120的下表面限制而界定出真空空間。真空孔延伸穿過加熱板110的下表面並延伸到形成真空槽圖樣的上表面。對真空槽圖樣的形狀和真空孔配置的描 述基本上和參照圖3對真空槽圖樣122a的形狀和真空孔122b配置的詳細描述相同。
根據本發明的另一實施例，儘管圖未示出，但是第一真空管線114和第二真空管線122可以只包括多個沒有真空槽圖樣的真空孔。也就是說，第一真空管線114包括從加熱板110的下表面貫穿到上表面的多個第一真空孔，並且第二真空管線122包括從加熱板110的下表面貫穿到上表面的多個第二真空孔。每個第一真空孔和第二真空孔都可以彼此直接連通而不需真空槽圖樣。
根據本發明的另一個實施例，儘管圖未示出，但是第一真空管線114和第二真空管線122都可分別具有真空槽圖樣和真空孔。也就是說，第一真空管線114可以具有真空槽圖樣和多個真空孔，並且第二真空管線122也可以具有真空槽圖樣122a和多個真空孔122b。第一真空管線114的真空槽圖樣和第二真空管線122的真空槽圖樣122a可以彼此連通。
在加熱板110的上表面和吸盤120的下表面各自的平坦度大約為超過10μm的情況下，加熱板110和吸盤120之間可能會存在間隙。因此，真空吸力可由加熱板110和吸盤120之間的細小間隙洩漏。
每個加熱板110的上表面和每個吸盤120的下表面中的平坦度可大約為10μm或更小，最佳的是7μm或更小。在這種情況下，加熱板110和吸盤120可彼此緊密接觸，並且可以防止真空吸力由加熱板110和吸盤120之間的間隙洩漏。
加熱板110和吸盤120可以藉由第一真空管線114和第二真空管線122提供的真空吸力保持緊密接觸。因此，不需要連接構件將加熱板110固定到吸盤120。
此外，只有當真空吸力被釋放時，可將加熱板110和吸盤120彼此分離，並且更換加熱板110和吸盤120中的一個。因此，能夠快速容易地進行吸盤結構100的維護。
吸盤120可以將加熱板110中產生的熱轉移到晶片10中。因此，由於熱而使附著有芯片的切割帶14的粘合力減弱，可以藉由吸盤120所傳遞的熱而讓芯片12與切割帶14容易分離。因此，芯片12可僅僅與切割帶分離而不會使芯片12機械性地損壞。
加熱板110和吸盤120可分別由氮化鋁(AlN)製成。由於氮化鋁具有相對較高的導熱性，因此加熱元件112產生的熱可通過加熱板110和吸盤120均勻地傳遞。另外，吸盤120的溫度分佈可保持均勻，並可均勻地加熱晶片10和切割帶14。
吸盤120具有用於容設校準銷116的容設槽124。容設槽124可以形成在對應於加熱板110的校準銷116的位置。例如，容設槽124也可設置在吸盤120的邊緣部。
當吸盤120放置在加熱板110的上表面上時，加熱板110的校準銷116可***吸盤120的容設槽124中。因此，加熱板110可精確對準吸盤120。
雖然校準銷116設置在加熱板110中，而容設槽124形成在吸盤120中，但是根據另一示例性實施例，容設槽124也可形成在加熱板110中，而校準銷116設置於吸盤120。
吸盤120還具有沿其上邊緣部形成的槽126。槽126可提供用來定位夾持部140的空間。
將引導環固定在沿著加熱板110的上邊緣部形成的槽118，以引導加熱板110的周緣。
具體而言，引導環130具有鎖固突起部132，並且當鎖固突起部132懸掛在槽118時，引導環130安裝在加熱板110。
同時，引導環130的上表面可與加熱板110的上表面共面。因此，可易於將吸盤120放置在加熱板110的上表面，將引導環130安裝在加熱板110。
把引導環130的上表面定位高於加熱板110的上表面的情況下，將吸盤120放置在加熱板110的上表面時，引導環130可作為對齊加熱板110的基準。
夾持部140在覆蓋吸盤120上表面的邊緣部的同時被固定到引導環130上。可以藉由緊固螺絲142將夾持部140固定到導向環130。
在一個示例中，可以設置多個夾持部140部分地覆蓋吸盤120的邊緣部。在另一示例中，夾持部140可為大致環形並且可完全覆蓋吸盤120的邊緣部。
夾持部140可在覆蓋吸盤120的上表面的邊緣部的同時被固定到引導環130，使得夾持部140可以向下按壓吸盤120。因此，夾持部140能夠使吸盤120與加熱板110更接近。因此，能夠進一步防止真空吸力從加熱板110和吸盤120之間的間隙洩漏。
夾持部140可以包括鎖固突起部144。形成在吸盤120的上邊緣部的槽126可放置鎖固突起部144。因此，夾持部140的上表面可與吸盤120的上表面共面。因此，晶片10能夠穩定地輸送到吸盤120的上表面，而不會被夾持部140干擾。
引導環130和夾持部140可由氧化鋁(Al2O3)製成。由於氧化鋁具有隔熱性能，所以引導環130和夾持部140可以防止通過加熱板110和吸盤120的側表面散失熱。
電源線150延伸到加熱板110的內部並且與加熱元件112連接。電源線150可提供加熱元件112產生熱的功率。
溫度感測器160(參見圖1)從加熱板110外部延伸到加熱板110內部。溫度感測器160測量加熱元件112的溫度，用來控制加熱元件112的溫度。
溫度感測器160的一個實例是熱電偶。
軸170設置在加熱板110的下表面以支撐加熱板110。例如，可用螺栓將軸170連接到加熱板110。
可以藉由軸170將電源線150和溫度感測器160安裝在加熱板110上，使得電源線150和溫度感測器160可利用軸170而固定在一起。
製成軸170與製成加熱板110的材料不同。因此，可以防止加熱板110中產生的熱從軸170而喪失。
特別來說，軸170可由具有隔熱性能的氧化鋁(Al2O3)材料製成。因此，可以進一步抑制加熱板110中產生的熱從軸170而喪失。
吸盤結構100可以藉由用來吸附晶片10的真空吸力使加熱板110和吸盤120彼此更緊密地接觸。因此，不需要將加熱板110和吸盤120固定的額外緊固件。
此外，當僅僅釋放真空吸力時，可更容易地將加熱板110和吸盤120分離和更換。因此，可以快速地進行吸盤結構100的維護。
吸盤結構110藉由吸盤120將加熱板110中產生的熱轉移到晶片10。由於熱，減弱了切割帶14的粘合力，使得芯片12可利用由吸盤120傳遞而來的熱輕易地與切割帶14分離。因此，芯片12可以與切割帶14熱分離，而芯片12不會被機械地損壞。
圖6示出本發明示例性實施例的芯片分離裝置的剖面圖。
如圖6所示，根據示例性實施例，芯片分離裝置300包括吸盤結構100和拾取器200。
吸盤結構100包括加熱板110、吸盤120、引導環130、夾持部140、電源線150、和溫度感測器160。由於與參照圖1至5的描述基本上都相同，因此將省略其詳細描述。
在拾取器200拾取芯片12之前的等待狀態下，吸盤結構100可由加熱板110產生熱。熱通過吸盤120轉移到晶片10用來分離芯片12，而不需要花費將芯片12與帶14分離的時間，因此拾取器200可以毫無延遲地拾取芯片12。
拾取器200被設置為能夠在吸盤結構100上方的水平方向和垂直方向上移動。拾取器200按按順序拾取與切割帶14分離的芯片12，並將芯片進給以用於後續處理。拾取器200可以通過使用真空吸力吸附芯片12。
例如，拾取器200可以將芯片12傳送到阻尼放大器，或者可以將芯片12直接與基板接合。
當拾取器200與芯片12接合，拾取器200內可包含加熱器210。
加熱器210將芯片12加熱，使得芯片12可穩固地與基板接合。
芯片分離裝置300利用吸盤結構110中產生的熱將芯片12與切割帶14分離，並使用拾取器200傳送已分離的芯片12。因此，芯片分離裝置300不會機械性的損壞芯片12。
如上所述，用於半導體後處理步驟的吸盤、具有吸盤的吸盤結構、和具有根據本發明吸盤結構的芯片分離裝置可利用吸附晶片的真空吸力，讓加熱板和吸盤彼此接觸閉合。藉由僅僅釋放真空吸力，加熱板和吸盤可容易地彼此分離，因此可快速地進行吸盤結構的維護或更換。
前述是本教導的說明內容，而不應被解釋為對本發明做出限制。雖然已描述了幾個示例性實施例，但是本領域的技術人員易於從前述說明理解到，對於示例性實施例可進行許多修改，而不脫離本發明的新穎教導和優點。因此，所有修改都包括在本教導的範圍內。在本發明專利範圍中，裝置附加功能條款意旨在覆蓋本文所述的結構如同執行所述之功能，不僅僅是結構等同物，也是具有相同功能的結構。

Claims (13)

  1. 一種用於半導體後處理步驟的吸盤，包括：貫穿過吸盤的多個真空孔，該真空孔使用真空吸力吸附切割帶以及與該真空孔連通的真空槽圖樣形成在該吸盤下表面，該真空槽圖樣和加熱板的上表面一起形成真空空間；其中該吸盤被放置在該加熱板上，該吸盤支撐著包括附著在該切割帶上的多個芯片的晶片並將藉由該加熱板所產生的熱轉移到該晶片上，從而將該芯片與該切割帶分離。
  2. 根據申請專利範圍第1所述的吸盤，其中該吸盤的下表面平坦度為約10μm或更小。
  3. 一種吸盤結構，包括：具有通過外部電源產生熱的加熱元件的加熱板和延伸到該加熱板上表面以提供真空吸力的第一真空管線；以及放置在該加熱板上的吸盤，該吸盤支撐包括附著到切割帶的上表面的多個芯片的晶片，該吸盤被設計成將該加熱板產生的熱轉移到該晶片，使得該芯片與該切割帶分離，並且該加熱板具有與該第一真空管線連通的第二真空管線，用於吸附該切割帶；設置在該加熱板的上表面和該吸盤的下表面其中一方的校準銷；以及形成在該加熱板的上表面和該吸盤的下表面其中的另一方的容設槽，該容設槽用於容設該校準銷。
  4. 根據申請專利範圍第3所述的吸盤結構，其中該第二真空管線包括：與該第一真空管線連通的真空槽圖樣，該真空槽圖樣形成在該吸盤的下表面，該真空槽圖樣、該吸盤的下表面和該加熱板的上表面一起界定真空空間；以及多個真空孔，該真空孔延伸穿過該吸盤並從該吸盤的下表面延伸到上表面。
  5. 根據申請專利範圍第3所述的吸盤結構，其中該第一真空管線包括：與該第二真空管線連通的真空槽圖樣，該真空槽圖樣形成在加熱板的上表面，該真空槽圖樣、該吸盤的下表面和該加熱板的上表面一起界定真空空間；以及多個真空孔，該真空孔延伸穿過該加熱板並從該加熱板的下表面延伸到上表面。
  6. 根據申請專利範圍第3所述的吸盤結構，其中該加熱板和該吸盤由氮化鋁(AlN)製成，將該加熱板產生的熱均勻傳遞，使得該吸盤在內部的溫度均勻分佈。
  7. 根據申請專利範圍第3所述的吸盤結構，還包括：引導環，在沿著該加熱板的上表面的邊緣部形成的槽懸掛該引導環，以引導該加熱板的周緣；以及夾持部，該夾持部固定在該引導環上並同時覆蓋該吸盤的上表面的邊緣部，使該吸盤與該加熱板接觸，將該吸盤固定在該加熱板上。
  8. 根據申請專利範圍第7所述的吸盤結構，其中，該夾持部懸掛在沿著該吸盤的周緣部形成的凹槽上，使得該夾持部的上表面與該吸盤的上表面共面。
  9. 根據申請專利範圍第7所述的吸盤結構，其中，該引導環和該夾持部由氧化鋁製成，以抑制該加熱板中產生的熱通過該加熱板和該吸盤而喪失。
  10. 根據申請專利範圍第3所述的吸盤結構，其中，每個該加熱板的上表面和該吸盤的下表面的平坦度為約10μm或更小，以防止該真空吸力從該加熱板與該吸盤之間的間隙洩漏。
  11. 一種芯片分離裝置，包括：包括具有加熱元件的加熱板的吸盤結構，該加熱板具有通過外部電源產生熱的加熱元件和延伸到該加熱板上表面用於提供真空吸力的第一真空管線；吸盤，該吸盤被放置在該加熱板以支撐包括多個芯片的晶片，該晶片附接到切割帶的上表面上，該吸盤被設計成將該加熱板產生的熱傳遞到該晶片，使得該芯片與該切割帶分離，並且該吸盤具有第二真空管線，該第二真空管線與用於吸附切割帶的第一真空管線連通；以及用於拾取已與該切割帶分離的該芯片的拾取器，並將該芯片傳送以用於後續程序。
  12. 根據申請專利範圍第11所述的芯片分離裝置，其中該拾取器包括用於加熱該芯片的加熱器。
  13. 根據申請專利範圍第11所述的芯片分離裝置，其中，該拾取器處於用於分離該芯片的待機狀態時，該加熱板產生熱使該芯片與該切割帶分離。
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