TWI659264B - 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用其的抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件 - Google Patents

感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用其的抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件 Download PDF

Info

Publication number
TWI659264B
TWI659264B TW103111148A TW103111148A TWI659264B TW I659264 B TWI659264 B TW I659264B TW 103111148 A TW103111148 A TW 103111148A TW 103111148 A TW103111148 A TW 103111148A TW I659264 B TWI659264 B TW I659264B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
general formula
ring
alkyl
examples
Prior art date
Application number
TW103111148A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW201447482A (zh
Inventor
横川夏海
滝沢裕雄
平野修史
椿英明
二橋亘
Original Assignee
日商富士軟片股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商富士軟片股份有限公司 filed Critical 日商富士軟片股份有限公司
Publication of TW201447482A publication Critical patent/TW201447482A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI659264B publication Critical patent/TWI659264B/zh

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
TW103111148A 2013-03-29 2014-03-26 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用其的抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件 TWI659264B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013075197A JP5799050B2 (ja) 2013-03-29 2013-03-29 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2013-075197 2013-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201447482A TW201447482A (zh) 2014-12-16
TWI659264B true TWI659264B (zh) 2019-05-11

Family

ID=52356298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103111148A TWI659264B (zh) 2013-03-29 2014-03-26 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用其的抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5799050B2 (ja)
TW (1) TWI659264B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6336136B2 (ja) * 2015-01-27 2018-06-06 富士フイルム株式会社 感放射線性又は感活性光線性組成物、並びに、それを用いた膜、マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP7109178B2 (ja) * 2016-11-29 2022-07-29 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤
JP7183756B2 (ja) * 2017-12-22 2022-12-06 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
CN113366081B (zh) * 2019-01-28 2024-03-08 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
CN117136334A (zh) * 2021-04-16 2023-11-28 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法及化合物
CN113801042B (zh) * 2021-08-25 2022-09-27 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂
CN113816885B (zh) * 2021-08-25 2022-12-30 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003167345A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Nec Electronics Corp 化学増幅型フォトレジスト組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体基板
WO2010035905A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern with the composition
JP2012027436A (ja) * 2010-06-25 2012-02-09 Fujifilm Corp パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
TW201302815A (zh) * 2011-04-20 2013-01-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化合物、高分子化合物、酸產生劑、光阻組成物、光阻圖型之形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003167345A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Nec Electronics Corp 化学増幅型フォトレジスト組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体基板
WO2010035905A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern with the composition
JP2012027436A (ja) * 2010-06-25 2012-02-09 Fujifilm Corp パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
TW201302815A (zh) * 2011-04-20 2013-01-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化合物、高分子化合物、酸產生劑、光阻組成物、光阻圖型之形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201447482A (zh) 2014-12-16
JP5799050B2 (ja) 2015-10-21
JP2014199358A (ja) 2014-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI627660B (zh) 圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件、以及感光化射線性或感放射線性樹脂組成物及抗蝕劑膜
US9291897B2 (en) Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using the same, and electronic device
KR101776048B1 (ko) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 그것을 사용한 레지스트 막, 패턴형성방법, 전자 디바이스의 제조방법, 및 전자 디바이스
JP5894953B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP5965855B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法、並びに樹脂
TWI659264B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用其的抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件
TWI624721B (zh) 圖案形成方法、感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、及抗蝕劑膜、以及使用其的電子元件的製造方法及電子元件
US10394127B2 (en) Pattern forming method and method for manufacturing electronic device
TWI589996B (zh) 圖案形成方法、感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜及使用其的電子元件的製造方法
TWI677753B (zh) 圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件
JP6476276B2 (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及び電子デバイスの製造方法
TWI612380B (zh) 圖案形成方法、組成物套組、抗蝕劑膜、及使用它們的電子元件的製造方法及電子元件
WO2014132703A1 (ja) パターン形成方法、感電子線又は感極紫外線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
WO2016056418A1 (ja) 感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP2015138232A (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及び、パターン形成方法、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
TW201642050A (zh) 反轉圖案形成方法、圖像反轉用組成物以及電子元件的製造方法