TWI649963B - Crystal vibration element - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供一種具備三明治結構的晶體諧振器的晶體振動元件。作為晶體振動元件的晶體振盪器中，晶體諧振器和IC晶片被氣密密封在封裝體內。晶體諧振器具備，一個主面上形成有第一激勵電極、另一個主面上形成有與第一激勵電極成對的第二激勵電極的晶體振動片；將晶體振動片的第一激勵電極覆蓋的第一密封構件；及將晶體振動片的第二激勵電極覆蓋的第二密封構件，第一密封構件與晶體振動片相接合，第二密封構件與晶體振動片相接合，包含第一激勵電極和第二激勵電極的晶體振動片的振動部被氣密密封。基於該結構，能抑制外部環境變化所引起的特性變動等，使可靠性提高。

Description

晶體振動元件
本發明涉及一種晶體振動元件。
近年，各種電子設備朝著工作頻率高頻化、封裝體小型化及低矮化(薄型化)方向發展。因此，隨著高頻化、封裝體小型化及低矮化，要求晶體振動元件(例如，晶體諧振器、晶體振盪器等)也能應對高頻化、封裝體小型化及低矮化。
上述晶體振動元件的殼體由近似長方體形狀的封裝體構成。該封裝體包括，由玻璃或石英晶體構成的第一密封構件及第二密封構件、和由石英晶體構成並在兩個主面上形成有激勵電極的晶體振動片。並且，第一密封構件與第二密封構件間通過晶體振動片而層疊結合，從而將配置在封裝體內部(內部空間)的晶體振動片的振動部氣密密封(例如，專利文獻1)。以下，將採用上述層疊方式的晶體振動元件的結構稱為三明治結構。
如上所述，現有技術中具有三明治結構的晶體振動元件被構成為，晶體振動片的振動部被氣密密封，晶體振動片的振動部與外部隔絕。然而，隨著封裝體的小型化及低矮化，需要將晶體振動片、第一密封構件、及第二密封構件加工得較薄。因而，晶體諧振器的振動部容易受到諸如溫度、氣壓等的外部環境變化的影響。另外，這些外部環境的變化還可能導致晶體振動元件的特性 (例如，晶體諧振器的壓電振動特性、晶體振盪器的振盪特性)變動，使晶體振動元件的特性中出現雜訊成分。
(專利文獻1)：日本特開2010-252051號公報
鑒於上述情況，本發明的目的在於，提供一種具備三明治結構的晶體諧振器，且能抑制外部環境變化所引起的特性變動等，使可靠性提高的晶體振動元件。
作為解決上述技術問題的技術方案，本發明採用以下結構。即，本發明的晶體振動元件是一種將晶體諧振器氣密密封在由絕緣性材料構成的封裝體內而構成的晶體振動元件，其特徵在於：所述晶體諧振器具備，一個主面上形成有第一激勵電極、另一個主面上形成有與所述第一激勵電極成對的第二激勵電極的晶體振動片；將所述晶體振動片的所述第一激勵電極覆蓋的第一密封構件；及將所述晶體振動片的所述第二激勵電極覆蓋的第二密封構件，所述第一密封構件與所述晶體振動片相接合，所述第二密封構件與所述晶體振動片相接合，包含所述第一激勵電極和所述第二激勵電極的所述晶體振動片的振動部被氣密密封。其中，被氣密密封在封裝體內的晶體諧振器可以是單個的晶體諧振器，也可以是在晶體諧振器上一體地設置有感測器元件及/或構成振盪電路的電路元件的元件。
基於上述結構，由於晶體諧振器的振動部被雙重氣密密封，所以能將外部環境(例如溫度、氣壓等)的變化對晶體諧振器的振動部的 影響抑制到最小限度。由此，即便外部環境變化，也能抑制晶體振動元件的特性變動，另外，能防止晶體振動元件的特性中出現雜訊成分。因而，能使晶體振動元件的可靠性提高。
具有上述結構的晶體振動元件中，較佳為，所述晶體諧振器被構成為，俯視呈近似矩形，該晶體諧振器只在長邊方向的一端被所述封裝體的內壁支撐，所述晶體諧振器的所述晶體振動片具有所述振動部、包圍所述振動部的外周的外框部、及將所述振動部與所述外框部連結的連結部，所述連結部只被設置在所述晶體諧振器的長邊方向的另一端。在此，封裝體的內壁是指，除了封裝體的內側壁、內底壁以外，還包括形成在內側壁、內底壁上的臺階部。
基於上述結構，封裝體中，晶體諧振器被支撐的位置位於晶體諧振器的長邊方向的一端，而晶體振動片的振動部被連結的位置位於晶體諧振器的長邊方向的另一端，因而能確保從封裝體到晶體振動片的振動部為止的熱傳導路徑足夠長。由此，即便外部溫度急劇變化，也能防止晶體振動片的振動部的溫度急劇變化，從而能抑制外部溫度變化所引起的晶體振動元件的特性變動，防止雜訊成分產生。
或者，具有上述結構的晶體振動元件中，也可以為，所述晶體諧振器被構成為，俯視呈近似矩形，該晶體諧振器在長邊方向的兩端分別被所述封裝體的內壁支撐，所述晶體諧振器的所述晶體振 動片具有所述振動部、包圍所述振動部的外周的外框部、及將所述振動部與所述外框部連結的連結部。
基於上述結構，由於晶體諧振器在長邊方向的兩端得到支撐，所以能提高晶體諧振器被封裝體支撐的支撐穩定性。因而，能使晶體振動元件的耐衝擊性及抗振性得到提高。
在此情況下，較佳為，所述晶體諧振器在該晶體諧振器的四個角落的區域被所述封裝體的內壁支撐。
基於上述結構，作為封裝體支撐晶體諧振器的支撐方式，採用了四點支撐的結構，因而能進一步提高晶體振動元件的耐衝擊性及抗振性。
另外，在此情況下，較佳為，所述晶體諧振器通過導電性黏合劑而被所述封裝體的內壁支撐，所述導電性黏合劑被配置為，從所述晶體諧振器的底面經由側面而到達頂面。
基於上述結構，利用導電性黏合劑能進一步提高晶體諧振器被封裝體支撐的支撐穩定性，從而能進一步提高晶體振動元件的耐衝擊性及抗振性。
在此，具有上述結構的晶體振動元件中，較佳為，所述晶體諧振器和感測器元件或構成振盪電路的電路元件被容置在所述封裝體中形成的同一空間內，並被氣密密封。或者也可以為，所述晶體諧振器被容置在所述封裝體的一個主面側形成的第一凹部中，並被氣密密封，感測器元件或構成振盪電路的電路元件被容置在所述封裝體的另一個主面側形成的第二凹部中。在此情況下，由於 將晶體諧振器容置在封裝體的一個主面側形成的第一凹部中；將電路元件容置在封裝體的另一個主面側形成的第二凹部中，所以電路元件放射出的熱量和電磁波等至少能被封裝體遮罩一部分。 因此，能抑制電路元件的熱量、電磁波等對晶體諧振器的振動部所造成的影響。
具有上述結構的晶體振動元件中，較佳為，容置所述晶體諧振器的所述封裝體的封裝體主體由陶瓷構成。
基於上述結構，由於晶體諧振器的晶體振動片的熱傳導率小於封裝體的封裝體主體的熱傳導率，所以能抑制晶體振動片的振動部的溫度急劇變化，從而能抑制外部溫度變化所引起的晶體振動元件的特性變動。
基於本發明，對於具備三明治結構的晶體諧振器的晶體振動元件，即便是例如溫度、氣壓等外部環境發生變化，也能抑制晶體振動元件的特性變動，從而能使晶體振動元件的可靠性提高。
100、100A、100B、100C、100D、100E‧‧‧晶體振盪器
101‧‧‧晶體諧振器
101a、22a‧‧‧角部
101b‧‧‧長邊
101c‧‧‧短邊
102‧‧‧IC芯片
103‧‧‧封裝體
104‧‧‧封裝體主體
104a‧‧‧底壁部
104b‧‧‧第一側壁部
104c‧‧‧第二側壁部
104d‧‧‧凹部
104e‧‧‧臺階部
104f‧‧‧底面
104g‧‧‧第二凹部
105‧‧‧蓋體
106‧‧‧外部連接端子
107‧‧‧導電性黏合劑
108‧‧‧凸點
109‧‧‧屏蔽構件
11、11a、14‧‧‧接合材料
110a~110d‧‧‧電極墊
111a、111b‧‧‧通孔
12‧‧‧晶體諧振器封裝體
13‧‧‧內部空間
2‧‧‧晶體振動片
211、212、311、312、411、412‧‧‧主面
22‧‧‧振動部
22b‧‧‧空隙
221‧‧‧第一激勵電極
222‧‧‧第二激勵電極
223‧‧‧第一引出電極
224‧‧‧第二引出電極
23‧‧‧外框部
24‧‧‧連結部
25‧‧‧振動側密封部
251‧‧‧振動側第一接合電極
252‧‧‧振動側第二接合電極
26‧‧‧第一通孔
261、451、461‧‧‧貫穿電極
262、452、462‧‧‧貫穿部分
264、265、27、28、35、36、453、463‧‧‧連接用接合電極
3‧‧‧第一密封構件
32‧‧‧密封側第一密封部
321‧‧‧密封側第一接合圖案
33‧‧‧佈線圖案
4‧‧‧第二密封構件
42‧‧‧密封側第二密封部
421‧‧‧密封側第二接合圖案
431、432、433、434‧‧‧外部電極端子
45‧‧‧第二通孔
46‧‧‧第三通孔
圖1是表示本發明的實施方式所涉及的晶體振盪器的概要結構圖。
圖2是表示圖1的晶體振盪器所具備的晶體諧振器的概要結構圖。
圖3是圖2中的晶體諧振器的第一密封構件的概要俯視圖。
圖4是圖2中的晶體諧振器的第一密封構件的概要仰視圖。
圖5是圖2中的晶體諧振器的晶體振動片的概要俯視圖。
圖6是圖2中的晶體諧振器的晶體振動片的概要仰視圖。
圖7是圖2中的晶體諧振器的第二密封構件的概要俯視圖。
圖8是圖2中的晶體諧振器的第二密封構件的概要仰視圖。
圖9是表示第一變形例所涉及的晶體振盪器的概要結構圖。
圖10是表示第二變形例所涉及的晶體振盪器的概要結構圖。
圖11是表示第三變形例所涉及的晶體諧振器單元的概要結構圖。
圖12是圖11中的C1-C1線上的截面圖。
圖13是表示圖11中的晶體諧振器單元的晶體諧振器的第二密封構件的、與圖8相當的圖。
圖14是表示第四變形例所涉及的晶體諧振器單元的、與圖12相當的圖。
圖15是表示第五變形例所涉及的晶體諧振器單元的、與圖12相當的圖。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在此，作為晶體振動元件的一例，對晶體振盪器進行說明。
如圖1所示，本實施方式所涉及的晶體振盪器100具備晶體諧振器101、與該晶體諧振器101一起構成振盪電路的IC晶片(積體電路元件)102、及容置這些晶體諧振器101及IC晶片102的封裝體103。其中，晶體諧振器101具有進行壓電振動的晶體振動片2。
封裝體103具備封裝體主體104、及用於將該封裝體主體104中容置的晶體諧振器101及IC晶片102氣密密封的蓋體105。其中，封裝體主體104具有容置晶體諧振器101及IC晶片102的凹部104d。
封裝體主體104例如由陶瓷等絕緣性材料構成，包括底壁部104a、該底壁部104a的周緣上形成的第一側壁部104b、及該第一側壁部104b的周緣上形成的第二側壁部104c。底壁部104a、第一側壁部104b、及第二側壁部104c被形成為一體。底壁部104a、第一側壁部104b、及第二側壁部104c例如是通過將三層陶瓷基板層疊後燒結而形成為一體的。另外，也可以利用單層陶瓷基板或四層以上的陶瓷基板來形成封裝體主體104。
封裝體主體104中，由底壁部104a、第一側壁部104b、及第二側壁部104c構成頂面開口的凹部104d。另外，由第一側壁部104b及第二側壁部104c構成俯視呈環形的臺階部104e。
封裝體主體104的凹部104d中容置有晶體諧振器101及IC晶片102。晶體諧振器101被安裝為，由封裝體主體104的臺階部104e(第一側壁部104b的頂面)單側支撐的狀態。IC晶片102被安裝在封裝體主體104的底部表面(底壁部104a的頂面)。在封裝體主體104的底面，形成有多個外部連接端子106。在封裝體主體104的頂面(第二側壁部104c的頂面)，通過作為密封構件的金屬製密封環、硬焊材料等(未圖示)而一體地安裝有平板狀的蓋體105。由此，封裝體103成為具有近似長方體形狀，且將容置在凹部104d中的晶體諧振器101及IC晶片102氣密密封的結構。封裝體103內例如為氣壓低於大氣氣壓的真空狀態(例如，氣壓在100Pa以下)。另外，蓋體105也可以是在平板狀構件的周緣部設有環形壁部的蓋狀構件。另外，也可 以不將封裝體103內減壓成真空狀態，而將惰性氣體封入封裝體103內，使封裝體103內保持惰性氣氛。
晶體諧振器101被構成為俯視呈近似矩形(將參照圖2~圖8在後述中詳細說明)。晶體諧振器101只在長邊方向(俯視時的長邊方向)的一端被封裝體主體104的臺階部104e支撐。晶體諧振器101的長邊方向的另一端與封裝體主體104的臺階部104e之間存在間隙。晶體諧振器101的底面上形成的一對外部電極端子431、432(參照圖8)各自通過導電性黏合劑107與封裝體主體104的臺階部104e上設置的一對電極墊(省略圖示)連接。一對電極墊沿著與圖1的W1方向垂直的方向排列。在此情況下，一對電極墊被設置為，在與圖1的紙面垂直的方向上一前一後地隔開規定間隔。另外，一對電極墊只設置在圖1的W1方向的一端的臺階部104e上，而未設置在W1方向的另一端的臺階部104e上。
IC晶片102例如通過倒裝晶片鍵合，經由多個凸點108而與封裝體主體104的底部表面上形成的佈線圖案(省略圖示)連接。IC晶片102經由未圖示的佈線，與封裝體主體104的臺階部104e上設置的一對電極墊、及封裝體主體104的底面上設置的多個外部連接端子106連接。另外，也可以通過引線鍵合而將IC晶片102安裝在封裝體主體104上。
下面，參照圖2~圖8，對晶體振盪器100所具備的晶體諧振器101進行說明。
如圖2~圖8所示，晶體諧振器101具備晶體振動片2、第一密封構件3、及第二密封構件4。第一密封構件3覆蓋形成在晶體振動片2的一個主面211上的第一激勵電極221，並將該第一激勵電極221氣密密封。第二密封構件4覆蓋形成在晶體振動片2的另一個主面212上的與第一激勵電極221成對的第二激勵電極222，並將該第二激勵電極222氣密密封。該晶體諧振器101中，晶體振動片2與第一密封構件3相接合，晶體振動片2與第二密封構件4相接合，從而構成三明治結構的晶體諧振器封裝體12。
並且，由於第一密封構件3與第二密封構件4間通過晶體振動片2相接合，所以形成了晶體諧振器封裝體12的內部空間13，在該晶體諧振器封裝體12的內部空間13中，包含晶體振動片2的兩個主面211、212上分別形成的第一激勵電極221、第二激勵電極222的振動部22被氣密密封。晶體諧振器封裝體12內為真空度高於上述封裝體103內的真空度的高真空狀態(例如，大約0.1mPa的壓力)。晶體諧振器封裝體12例如採用1.0×0.8mm的封裝體尺寸，從而實現了小型化和低矮化。另外，由於小型化，晶體諧振器封裝體12中未形成雉堞牆，利用通孔(第一~第三通孔)實現電極的導通。
下面，對晶體諧振器101的各構成部分進行說明。在此是對晶體振動片2未與第一密封構件3和第二密封構件4接合，各自為單體結構的狀態下的各個構件進行說明。
晶體振動片2如圖5、圖6所示，由作為壓電材料的石英晶體構成，其兩個主面(一個主面211、另一個主面212)被加工(鏡面加工)成平 坦平滑面。在此，作為晶體振動片2，採用實現厚度剪切振動的AT切石英晶體片。
圖5、圖6所示的晶體振動片2中，晶體振動片2的兩個主面211、212在XZ′平面上。該XZ′平面中，與晶體振動片2的短邊方向平行的方向為X軸方向；與晶體振動片2的長邊方向平行的方向為Z′軸方向。另外，AT切是指，人工石英晶體的三個晶軸，即電軸(X軸)、機械軸(Y軸)、及光軸(Z軸)中，以相對Z軸繞X軸轉動35度15分的傾斜角度進行切割的加工手法。AT切石英晶體片中，X軸與石英晶體的晶軸一致。Y′軸及Z′軸與相對石英晶體的晶軸的Y軸及Z軸分別傾斜了35度15分的軸一致。Y′軸方向及Z′軸方向相當於將AT切石英晶體片切割時的切割方向。另外，在晶體諧振器101被安裝在晶體振盪器100的封裝體103內的狀態下，Z′軸方向與圖1的W1方向一致。
晶體振動片2的兩個主面211、212上形成有一對激勵電極(第一激勵電極221、第二激勵電極222)。晶體振動片2具有被形成為近似矩形的振動部22、包圍該振動部22的外周的外框部23、及將振動部22與外框部23連結的連結部(保持部)24，振動部22、連結部24、及外框部23被構成為一體。連結部24只被設置在振動部22與外框部23之間的一個部位，未設置連結部24的部位成為空隙22b。另外，雖未圖示，但振動部22和連結部24被構成為比外框部23更薄。如此，由於外框部23與連結部24厚度不同，所以外框部23的 固有振動頻率與連結部24的壓電振動頻率不同，從而外框部23不容易與連結部24的壓電振動產生共振。
連結部24只從位於振動部22的+X方向及-Z′方向的一個角部22a朝著-Z′方向延伸(突出)到外框部23。如此，振動部22的外周端部中，由於在壓電振動的位移較小的角部22a設置有連結部24，所以與將連結部24設置在角部22a以外的部分(邊的中間部分)的情況相比，能防止壓電振動經由連結部24而洩露到外框部23，從而能使振動部22高效地進行壓電振動。另外，與設置有兩個連結部24的情況相比，能減小作用于振動部22的應力，從而能減小該應力引起的壓電振動的頻移，使壓電振動的穩定性提高。
振動部22的一個主面側設置有第一激勵電極221，振動部22的另一個主面側設置有第二激勵電極222。第一激勵電極221、第二激勵電極222分別與用於連接外部電極端子431、432的第一引出電極223、第二引出電極224連接。從第一激勵電極221引出的第一引出電極223從連結部24經過而與外框部23上形成的連接用接合圖案27相連。從第二激勵電極222引出的第二引出電極224從連結部24經過而與外框部23上形成的連接用接合圖案28相連。即，第一引出電極223形成在連結部24的一個主面側，第二引出電極224形成在連結部24的另一個主面側。第一激勵電極221及第一引出電極223由在一個主面211上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。第二激勵電極222及第二引出電極224由在另一個主面212上進 行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
在晶體振動片2的兩個主面211、212上，分別設置有用於將晶體振動片2與第一密封構件3及第二密封構件4接合的振動側密封部25。在晶體振動片2的一個主面211的振動側密封部25，形成有用於與第一密封構件3接合的振動側第一接合圖案251。另外，在晶體振動片2的另一個主面212的振動側密封部25，形成有用於與第二密封構件4接合的振動側第二接合圖案252。振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252被設置在外框部23上，俯視呈環形，其外緣形狀及內緣形狀被形成為近似矩形。振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252被設置為，靠近晶體振動片2的兩個主面211、212的外周緣。晶體振動片2的第一激勵電極221和第二激勵電極222未與振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252電連接。
振動側第一接合圖案251由在一個主面211上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。振動側第二接合圖案252由在另一個主面212上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。因而，振動側第一接合圖案251與振動側第二接合圖案252結構相同，均由多個層在兩個主面211、212的振動側密封部25疊層而構成，從其最下層側起依次蒸鍍形成有鈦層(或鉻層)和金層。如此，振動側第 一接合圖案251和振動側第二接合圖案252中，基底PVD膜由單一材料(鈦或鉻)構成，電極PVD膜由單一材料(金)構成，與基底PVD膜相比電極PVD膜更厚。另外，晶體振動片2的一個主面211上形成的第一激勵電極221與振動側第一接合圖案251厚度相同，第一激勵電極221的表面和振動側第一接合圖案251的表面由同一金屬構成。晶體振動片2的另一個主面212上形成的第二激勵電極222與振動側第二接合圖案252厚度相同，第二激勵電極222的表面和振動側第二接合圖案252的表面由同一金屬構成。另外，振動側第一接合圖案251與振動側第二接合圖案252為非錫圖案。
在此，可對第一激勵電極221、第一引出電極223、及振動側第一接合圖案251採用相同結構，在此情況下，可通過同一工序一併形成第一激勵電極221、第一引出電極223、及振動側第一接合圖案251。同樣，可對第二激勵電極222、第二引出電極224、及振動側第二接合圖案252採用相同結構，在此情況下，可通過同一工序一併形成第二激勵電極222、第二引出電極224、及振動側第二接合圖案252。詳細而言，可通過用真空蒸鍍或濺鍍、離子鍍、分子束外延、雷射燒蝕等的PVD法(例如，光刻等加工中的圖案化用的膜形成法)形成基底PVD膜或電極PVD膜，而一併進行膜形成。如此，能縮短製造工時，有利於降低成本。
另外，如圖5、圖6所示，在晶體振動片2上形成有將一個主面211與另一個主面212之間貫通的一個通孔(第一通孔26)。第一通孔26 被設置在晶體振動片2的外框部23。第一通孔26用於與第二密封構件4的連接用接合圖案453相連。
如圖2、圖5、圖6所示，在第一通孔26中，沿著第一通孔26的內壁面形成有用於使一個主面211上形成的電極與另一個主面212上形成的電極導通的貫通電極261。第一通孔26的中間部分成為將一個主面211與另一個主面212之間貫通的中空狀態的貫通部分262。在第一通孔26的週邊，形成有連接用接合圖案264、265。連接用接合圖案264、265分別被設置在晶體振動片2的兩個主面211、212上。
晶體振動片2的一個主面211上形成的第一通孔26的連接用接合圖案264在外框部23中沿X軸方向延伸。另外，晶體振動片2的一個主面211上形成有與第一引出電極223相連的連接用接合圖案27，該連接用接合圖案27也是在外框部23中沿著X軸方向延伸。連接用接合圖案27被設置在連接用接合圖案264的Z′軸方向的相反側，連接用接合圖案27與連接用接合圖案264之間夾著振動部22(第一激勵電極221)。換言之，在振動部22的Z′軸方向的兩側，分別設置有連接用接合圖案27和連接用接合圖案264。
同樣，晶體振動片2的另一個主面212上形成的第一通孔26的連接用接合圖案265在外框部23中沿著X軸方向延伸。另外，晶體振動片2的另一個主面212上形成有與第二引出電極224相連的連接用接合圖案28，該連接用接合圖案28也是在外框部23中沿著X軸方向延伸。連接用接合圖案28被設置在連接用接合圖案265的Z′方向的 相反側，連接用接合圖案28與連接用接合圖案265之間夾著振動部22(第二激勵電極222)。換言之，在振動部22的Z′方向的兩側分別設置有連接用接合圖案28和連接用接合圖案265。
連接用接合圖案27、28、264、265採用與振動側第一接合圖案251、振動側第二接合圖案252相同的結構，可通過同一工序形成振動側第一接合圖案251、振動側第二接合圖案252和連接用接合圖案27、28、264、265。具體而言，連接用接合圖案27、28、264、265由在晶體振動片2的兩個主面211、212上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
晶體諧振器101中，俯視時，第一通孔26及連接用接合圖案27、28、264、265被形成在內部空間13的內側(接合材料11的內周面的內側)。俯視時，內部空間13被形成在振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252的內側。內部空間13的內側是指，不包含後述的接合材料11的上側，嚴格說是接合材料11的內周面的內側。第一通孔26及連接用接合圖案27、28、264、265未與振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252電連接。
對第一密封構件3採用彎曲剛度(截面二階矩×楊氏模數)在1000[N．mm2]以下的材料。具體而言，如圖3、圖4所示，第一密封構件3是由石英晶體構成的近似長方體的基板，該第一密封構件3的另一個主面312(與晶體振動片2接合的面)被加工(鏡面加工)成平坦平滑面。
該第一密封構件3的另一個主面312上設置有用於與晶體振動片2接合的密封側第一密封部32。在密封側第一密封部32形成有用於與晶體振動片2接合的密封側第一接合圖案321。密封側第一接合圖案321被形成為俯視呈環形，其外緣形狀及內緣形狀被形成為近似矩形。密封側第一接合圖案321被設置為靠近第一密封構件3的另一個主面312的外周緣。密封側第一接合圖案321在第一密封構件3的密封側第一密封部32的所有部位上具有相同寬度。
該密封側第一接合圖案321由在第一密封構件3上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。另外，對基底PVD膜採用鈦或鉻，對電極PVD膜採用金。另外，密封側第一接合圖案321是非錫圖案。具體而言，密封側第一接合圖案321是由多個層在另一個主面312的密封側第一密封部32疊層而構成的，從其最下層側起依次蒸鍍形成有鈦層(或鉻層)和金層。
在第一密封構件3的另一個主面312(即，與晶體振動片2相向的面)上，形成有用於與晶體振動片2的連接用接合圖案264、27接合的連接用接合圖案35、36。連接用接合圖案35、36沿著第一密封構件3的短邊方向(圖4的A1方向)延伸。連接用接合圖案35和連接用接合圖案36被設置為，在第一密封構件3的長邊方向(圖4的A2方向)相隔規定間隔，連接用接合圖案35與連接用接合圖案36在A2方向的間隔與晶體振動片2的連接用接合圖案264與連接用接合圖案27在Z′軸方向的間隔(參照圖5)大致相同。連接用接合圖案35與連 接用接合圖案36通過佈線圖案33相連。佈線圖案33被設置在連接用接合圖案35與連接用接合圖案36之間。佈線圖案33沿著A2方向延伸。佈線圖案33未與晶體振動片2的連接用接合圖案264、27接合。
連接用接合圖案35、36及佈線圖案33採用與密封側第一接合圖案321相同的結構，可通過同一工序形成密封側第一接合圖案321和連接用接合圖案35、36及佈線圖案33。具體而言，連接用接合圖案35、36及佈線圖案33由在第一密封構件3的另一個主面312上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
晶體諧振器101中，俯視時，連接用接合圖案35、36及佈線圖案33被形成在內部空間13的內側(接合材料11的內周面的內側)。連接用接合圖案35、36及佈線圖案33未與密封側第一接合圖案321電連接。另外，晶體諧振器101中，圖4的A1方向與圖5的X軸方向一致，圖4的A2方向與圖5的Z′軸方向一致。
對第二密封構件4採用彎曲剛度(截面二階矩×楊氏模數)在1000[N．mm2]以下的材料。具體而言，如圖7、圖8所示，第二密封構件4是由石英晶體構成的近似長方體基板，該第二密封構件4的一個主面411(與晶體振動片2接合的面)被加工(鏡面加工)成平坦平滑面。
該第二密封構件4的一個主面411上設置有用於與晶體振動片2接合的密封側第二密封部42。在密封側第二密封部42形成有用於與晶體振動片2接合的密封側第二接合圖案421。密封側第二接合圖案 421被形成為俯視呈環形，其外緣形狀及內緣形狀被形成為近似矩形。密封側第二接合圖案421被設置為，靠近第二密封構件4的一個主面411的外周緣。密封側第二接合圖案421在第二密封構件4的密封側第二密封部42的所有部位上寬度相同。
該密封側第二接合圖案421由在第二密封構件4上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。另外，對基底PVD膜採用鈦或鉻，對電極PVD膜採用金。另外，密封側第二接合圖案421為非錫圖案。具體而言，密封側第二接合圖案421由多個層在另一個主面412的密封側第二密封部42疊層而構成，從其最下層側起依次蒸鍍形成有鈦層(或鉻層)和金層。
另外，第二密封構件4的另一個主面412(不與晶體振動片2相向的外側的主面)上設置有與外部電連接的一對外部電極端子431、432。如圖8所示，仰視時，一對外部電極端子431、432被形成為沿著第二密封構件4的另一個主面412的長邊方向延伸。這一對外部電極端子431、432由在另一個主面412上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在這些基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
如圖2、圖7、圖8所示，在第二密封構件4上形成有將一個主面411與另一個主面412之間貫通的兩個通孔(第二通孔45、第三通孔46)。第二通孔45與外部電極端子431及晶體振動片2的連接用接合 圖案265相連。第三通孔46與外部電極端子432及晶體振動片2的連接用接合圖案28相連。
如圖2、圖7、圖8所示，在第二通孔45、第三通孔46中，沿著第二通孔45、第三通孔46各自的內壁面分別形成有，用於使一個主面411上形成的電極與另一個主面412上形成的電極導通的貫通電極451、461。並且，第二通孔45、第三通孔46的中間部分成為將一個主面411與另一個主面412之間貫通的中空狀態的貫通部分452、462。在第二通孔45、第三通孔46各自的週邊，形成有連接用接合圖案453、463。
連接用接合圖案453、463被設置在第二密封構件4的一個主面411上，用於與晶體振動片2的連接用接合圖案265、28接合。連接用接合圖案453、463沿著第二密封構件4的短邊方向(圖7的B1方向)延伸。連接用接合圖案453和連接用接合圖案463被設置為，在第二密封構件4的長邊方向(圖7的B2方向)相隔規定間隔，連接用接合圖案453與連接用接合圖案463在B2方向的間隔與晶體振動片2的連接用接合圖案265與連接用接合圖案28在Z′軸方向的間隔(參照圖6)大致相同。
連接用接合圖案453、463採用與密封側第二接合圖案421相同的結構，可通過與密封側第二接合圖案421相同的工序形成。具體而言，連接用接合圖案453、463由在第二密封構件4的一個主面411上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
晶體諧振器101中，俯視時，第二通孔45、第三通孔46及連接用接合圖案453、463被形成在內部空間13的內側。第二通孔45、第三通孔46及連接用接合圖案453、463未與密封側第二接合圖案421電連接。另外，外部電極端子431、432也未與密封側第二接合圖案421電連接。而且，晶體諧振器101中，圖7的B1方向與圖6的X軸方向一致，圖7的B2方向與圖6的Z′軸方向一致。
包含上述晶體振動片2、第一密封構件3、及第二密封構件4的晶體諧振器101中，不需要像現有技術那樣另外使用黏合劑等接合專用材料，而是通過使晶體振動片2與第一密封構件3在振動側第一接合圖案251和密封側第一接合圖案321相疊合的狀態下進行擴散接合；使晶體振動片2與第二密封構件4在振動側第二接合圖案252和密封側第二接合圖案421相疊合的狀態下進行擴散接合，而製成圖2所示的三明治結構的晶體諧振器封裝體12。由此，晶體諧振器封裝體12的內部空間13，即振動部22的容置空間被氣密密封。
並且，振動側第一接合圖案251和密封側第一接合圖案321本身成為擴散接合後生成的接合材料11，通過該接合材料11，晶體振動片2與第一密封構件3相接合。振動側第二接合圖案252和密封側第二接合圖案421本身成為擴散接合後生成的接合材料11，通過該接合材料11，晶體振動片2與第二密封構件4相接合。兩個接合材料11被形成為俯視呈環形，其外緣形狀及內緣形狀被形成為近似矩形。俯視時，兩個接合材料11被設置在大致一致的位置上。換言之，兩個接合材料11彼此的內周緣位於大致一致的位置；兩個接 合材料11彼此的外周緣位於大致一致的位置。另外，各接合圖案的接合在加壓狀態下進行，從而能提高接合材料11的接合強度。
俯視時，從晶體振動片2的第一激勵電極221、第二激勵電極222至外部電極端子431、432為止的佈線均被設置在作為密封部的接合材料11的內側。兩個接合材料11被形成為俯視時外緣形狀及內緣形狀為近似矩形，並靠近晶體諧振器封裝體12的外周緣。由此，可以將晶體振動片2的振動部22的尺寸設定得較大。另外，兩個接合材料11的內周緣與振動部22及外框部23之間的空隙22b間的距離為，晶體諧振器封裝體12的短邊側比長邊側更大。
另外，上述連接用接合圖案彼此也以疊合的狀態擴散接合。具體而言，晶體振動片2的連接用接合圖案264和第一密封構件3的連接用接合圖案35擴散接合。晶體振動片2的連接用接合圖案27和第一密封構件3的連接用接合圖案36擴散接合。另外，晶體振動片2的連接用接合圖案265和第二密封構件4的連接用接合圖案453擴散接合。晶體振動片2的連接用接合圖案28和第二密封構件4的連接用接合圖案463擴散接合。
並且，連接用接合圖案264和連接用接合圖案35本身成為擴散接合後生成的接合材料14，通過該接合材料14，晶體振動片2與第一密封構件3相接合。連接用接合圖案27和連接用接合圖案36本身成為擴散接合後生成的接合材料14，通過該接合材料14，晶體振動片2與第一密封構件3相接合。另外，連接用接合圖案265和連接用接合圖案453本身成為擴散接合後生成的接合材料14，通過該接合材 料14，晶體振動片2與第二密封構件4相接合。連接用接合圖案28和連接用接合圖案463本身成為擴散接合後生成的接合材料14，通過該接合材料14，晶體振動片2與第二密封構件4相接合。這些接合材料14發揮使通孔的貫通電極與接合材料14導通的作用，及將接合部位氣密密封的作用。另外，如圖2中的虛線所示，俯視時，接合材料14被設置為比作為密封部的接合材料11更靠內方。另一方面，由於佈線圖案33未與晶體振動片2的連接用接合圖案264、27接合，所以沒有成為接合材料14，而作為佈線留在第一密封構件3的另一個主面312上。
另外，如上所述製造的三明治結構的晶體諧振器封裝體12中，第一密封構件3與晶體振動片2之間存在1.00μm以下的間隙；第二密封構件4與晶體振動片2之間存在1.00μm以下的間隙。換言之，第一密封構件3與晶體振動片2之間的接合材料11的厚度在1.00μm以下；第二密封構件4與晶體振動片2之間的接合材料11的厚度在1.00μm以下(具體而言，金-金接合的情況下為0.15μm~1.00μm)。與此相比，使用了錫的現有技術的金屬膏密封材料的情況下為5μm~20μm。
本實施方式所涉及的晶體振盪器100具備如上所述構成的三明治結構的晶體諧振器101。該三明治結構的晶體諧振器101能應對小型化、低矮化(薄型化)，因而，本實施方式所涉及的晶體振盪器100也能應對小型化、低矮化。
另外，本實施方式中，在晶體振盪器100中，三明治結構的晶體諧振器101和IC晶片102被氣密密封在封裝體103內。如此，晶體諧振器101的振動部22被雙重氣密密封，從而能將外部環境(例如，溫度、氣壓等)的變化對晶體諧振器101的振動部22造成的影響抑制到最小限度。由此，即便外部環境發生變化，也能抑制晶體振盪器100的振盪特性的變動，另外，還能防止晶體振盪器100的振盪特性中出現雜訊成分。因而，既能滿足晶體振盪器100的小型化和低矮化的要求，又能提高晶體振盪器100的可靠性。
另外，本實施方式中，晶體諧振器101被形成為俯視呈近似矩形，該晶體諧振器101只在長邊方向(俯視為長邊方向)的一端被封裝體103的內壁(封裝體主體104的臺階部104e)支撐。另一方面，晶體諧振器101的晶體振動片2被構成為，振動部22只在晶體諧振器101的長邊方向(俯視為長邊方向)的另一端與外框部23連結。如此，封裝體103中的晶體諧振器101的支撐位置和晶體振動片2中的振動部22的連結位置被分開到晶體諧振器101的長邊方向(俯視為長邊方向)的兩端，從而能確保從封裝體103至晶體振動片2的振動部22為止的熱傳導路徑較長。由此，即便外部的溫度急劇變化，也能抑制晶體振動片2的振動部22的溫度急劇變化，從而能抑制外部溫度變化所引起的晶體振盪器100的振盪特性的變動、及雜訊成分的產生。
另外，本實施方式中，容置晶體諧振器101及IC晶片102的封裝體103的封裝體主體104由陶瓷構成，晶體諧振器101的晶體振動片 2、第一密封構件3、及第二密封構件4由石英晶體構成。如此，晶體諧振器101的晶體振動片2等的熱傳導率小於封裝體103的封裝體主體104的熱傳導率，從而能抑制晶體振動片2的振動部22的溫度急劇變化，並抑制外部溫度變化所引起的晶體振盪器100的振盪特性的變動。
本發明在不超出其技術構思和主旨及主要特徵的範圍內可以通過其它各種方式實施。上述實施方式只是對本發明的各方面的示例，不構成對本發明進行限定性的解釋的依據。本發明的範圍是申請專利範圍所公開的範圍，說明書本文中不存在任何限定。另外，屬於與申請專利範圍的範圍同等的範圍內的變形或變更均包括在本發明的範圍內。
上述實施方式中，對晶體振動片2採用了AT切石英晶體，但不局限於此，也可以採用AT切石英晶體以外的石英晶體。另外，對第一密封構件3及第二密封構件4採用了石英晶體，但不局限於此，也可以採用例如玻璃等的絕緣性材料。
上述實施方式中，對將本發明應用於晶體振盪器的例子進行了說明，但不局限於此，本發明也適用於晶體諧振器等其它振動元件。將本發明應用於晶體諧振器的情況下，圖1中例如可省略IC晶片102等，只要將封裝體主體104的臺階部104e上形成的一對電極墊與封裝體主體104的底面上形成的一對外部連接端子106直接(不通過IC晶片102)連接即可。基於這樣的晶體諧振器，能利用晶體諧振器封裝體12及封裝體103，將晶體振動片2的振動部22雙重氣 密密封，因而，即便外部環境發生變化，也能抑制晶體諧振器的壓電振動特性的變動，並能防止晶體諧振器的壓電振動特性中出現雜訊成分。
上述實施方式中，公開了將晶體諧振器101和IC晶片102容置在封裝體103的同一空間內的結構。但不局限於此，也可將晶體諧振器101和IC晶片102容置在封裝體103的不同空間內。例如，可採用圖9所示的晶體振盪器100A(第一變形例)的結構。即，將晶體諧振器101容置在封裝體主體104的一個主面側形成的凹部104d中；將IC晶片102容置在封裝體主體104的另一個主面側形成的第二凹部104g中。基於圖9所示的晶體振盪器100A，封裝體主體104能將IC晶片102放射(輻射)出的熱量、電磁波等遮罩至少一部分。因此，能抑制IC晶片102的熱量、電磁波等對晶體諧振器101的振動部22造成的影響。另外，在圖9的例中，IC晶片102被安裝在第二凹部104g的底面上，但也可以將IC晶片102安裝在未圖示的安裝基板上。
另外，上述實施方式中，公開了將晶體諧振器101和IC晶片102上下配置在封裝體103內的結構。但不局限於此，也可以採用將晶體諧振器101和IC晶片102左右(或前後)配置在封裝體103內的橫置配置結構。在此情況下，可將晶體諧振器101和IC晶片102配置在封裝體103的同一空間內或不同空間內。通過對晶體諧振器101和IC晶片102的配置採用上述橫置配置，能使從安裝基板至晶體諧振器101的振動部22為止的距離與從安裝基板至IC晶片102為止的距離 大致相同。換言之，能使從安裝基板至晶體諧振器101的振動部22為止的熱量傳導路徑的長度與從安裝基板至IC晶片102為止的熱量傳導路徑的長度大致相同，由此，能抑制晶體諧振器101的振動部22與IC晶片102間的溫度差引起的頻率漂移。
另外，例如也可採用圖10所示的晶體振盪器100B(第二變形例)的結構。即，在封裝體主體104中設置遮罩構件109。圖10所示的晶體振盪器100B中，遮罩構件109被設置在封裝體主體104的底壁部104a的內部。在此情況下，例如底壁部104a由雙層的陶瓷基板構成，遮罩構件109夾在陶瓷基板之間即可。基於圖10所示的晶體振盪器100B，能利用遮罩構件109抑制晶體振盪器100B安裝前後的特性變動，並能利用遮罩構件109提高晶體振盪器100B的電磁遮罩(EMC)性能。
上述實施方式中，將晶體諧振器101及IC晶片102安裝在封裝體103內，但不局限於此，也可以取代IC晶片102而將感測器元件安裝在封裝體103內。例如，將作為感測器元件的熱敏電阻器裝載于封裝體103的情況下，可構成帶有溫度感測器的晶體諧振器。
另外，上述實施方式中，公開了俯視呈近似矩形的晶體諧振器101只在長邊方向的一端被封裝體103的內壁支撐的結構。但不局限於此，也可採用晶體諧振器101在長邊方向的兩端均被封裝體103的內壁支撐的結構。例如，可採用圖11~圖13所示的晶體諧振器單元100C(第三變形例)的結構，即，在晶體諧振器101的四個角落的區域(四個部位)，將晶體諧振器101固定在封裝體103的內壁上。如 此，通過在長邊方向的兩端支撐晶體諧振器101，能提高晶體諧振器101被封裝體103支撐的支撐穩定性。由此，能使晶體諧振器單元100C的耐衝擊性提高，另外，還能使抗振性(例如，抵抗FCB接合時的超音波振動等的性能)提高。在此情況下，作為晶體諧振器101被封裝體103支撐的支撐方式，通過採用四點支撐結構，能進一步提高晶體諧振器單元100C的耐衝擊性及抗振性。
圖11~圖13所示的晶體諧振器單元100C中，晶體諧振器101通過導電性黏合劑107被固定連接在作為封裝體103內壁的封裝體主體104的底面104f上。作為導電性黏合劑107，例如可採用矽膠系、聚醯亞胺系、環氧系等合成樹脂，但不局限於此，例如，也可採用硬焊材料、焊料等。
圖11~圖13所示的晶體諧振器單元100C中，與上述實施方式的情況(參照圖1)不同，封裝體主體104的凹部104d中沒有容置IC晶片，只容置有晶體諧振器101。另外，封裝體主體104的凹部104d的底部表面104f上沒有形成臺階部，底部表面104f被形成為平坦面。在封裝體主體104的凹部104d的底部表面104f的四個角落的區域，分別形成有電極墊110a~110d。四個電極墊110a~110d中，對角線上配置的兩個(一對)電極墊110a、110b經由在封裝體主體104的內部設置的通孔(通過孔)111a、111b，與封裝體主體104的底面(背面)上形成的外部連接端子106、106電連接。四個電極墊110a~110d中，其餘的兩個電極墊110c、110d被設置為無電連接的虛設端子(NC端子)。另外，也可以取代通孔，而在封裝體主體104的側面設 雉堞牆來實現電極墊110a、110b與外部連接端子106、106間的電連接。
另外，兩個電極墊110a、110b經由導電性黏合劑107，與第二密封構件4的另一個主面412上形成的外部電極端子431、432電連接。在此情況下，如圖13所示，第二密封構件4的另一個主面412上形成的外部電極端子431、432與上述實施方式的情況(參照圖8)不同，被設置在第二密封構件4的另一個主面412的四個角落的區域中位於對角線上的兩個區域。另外，第二密封構件4的另一個主面412的四個角落的區域中的其餘兩個區域上也設置有外部電極端子433、434，但外部電極端子433、434被設置為無電連接的虛設端子(NC端子)。另外，封裝體主體104的外部連接端子106也同樣被設置在封裝體主體104的底面的四個角落的區域，位於對角線上的兩個外部連接端子106用於電連接，其餘兩個外部連接端子106為無電連接的虛設端子(NC端子)。但是，也可以不設虛設端子，只設置兩個端子作為封裝體主體104的外部連接端子106。
由此，晶體諧振器101的振動部22的第一激勵電極221與封裝體主體104的底面的外部連接端子106間經由第一引出電極223、佈線圖案33、第一通孔26、第二通孔45、外部電極端子431、電極墊110a、通孔111a而電連接。同樣，晶體諧振器101的振動部22的第二激勵電極222與封裝體主體104的底面的外部連接端子106間經由第二引出電極224、第三通孔46、外部電極端子432、電極墊110b、通孔111b而電連接。
另外，晶體諧振器單元100C中，如圖11所示，導電性黏合劑107被配置為，從晶體諧振器101的底面(第二密封構件4的另一個主面412)經由晶體諧振器101的側面到達晶體諧振器101的頂面(第一密封構件3的一個主面311)。換言之，導電性黏合劑107以面塗的狀態被塗覆在晶體諧振器101上。由此，通過導電性黏合劑107，能使晶體諧振器101被封裝體103支撐的支撐穩定性進一步提高，並能使晶體諧振器單元100C的耐衝擊性及抗振性進一步提高。但是，也可以不將導電性黏合劑107配置在晶體諧振器101的頂面，而是將導電性黏合劑107配置為到達晶體諧振器101的頂面附近(例如第一密封構件3的側面)，這樣會有利於晶體諧振器單元100C的低矮化。
另外，在圖11~圖13所示的結構中，也可以在封裝體主體104的凹部104d中容置晶體諧振器101及IC晶片而構成晶體振盪器。在此情況下，利用設置為虛設端子(NC端子)的上述封裝體主體104的外部連接端子106；電極墊110c、110d；及第二密封構件4的外部電極端子433、434，來實現與晶體諧振器101的第一激勵電極221、第二激勵電極222、IC晶片的電連接即可。
另外，只要在晶體諧振器101的四個角落的區域中配置導電性黏合劑107即可，可以避開晶體諧振器101的四個角部(頂點)101a地配置導電性黏合劑107。例如，可採用圖14所示的晶體諧振器單元100D(第四變形例)的結構，即，將導電性黏合劑107配置在晶體諧振器101的一對長邊101b上。或者，也可採用圖15所示的晶體諧振 器單元100E(第五變形例)的結構，即，將導電性黏合劑107配置在晶體諧振器101的一對短邊101c上。
另外，圖11~圖15所示的第三變形例~第五變形例中，以四點支撐的方式將晶體諧振器101裝設在封裝體103的內壁上，但不局限於此，作為晶體諧振器101在長邊方向的兩端分別被封裝體103的內壁支撐的結構，也可以採用在晶體諧振器101的四個角落的區域中的至少兩個區域中，將晶體諧振器101支撐在封裝體103的內壁上的結構。換言之，可以用兩點支撐、三點支撐、或五點以上的支撐的方式，來將晶體諧振器101裝設在封裝體103的內壁上。
另外，圖11~圖15所示的第三變形例~第五三變形例中，將晶體諧振器101配置在封裝體主體104的凹部104d的大致中間位置上，但不局限於此，也可以將晶體諧振器101配置為偏離封裝體主體104的凹部104d的大致中央位置。
以上說明中，被氣密密封在封裝體103內的晶體諧振器被當作晶體諧振器單體，但不局限於此，可以將晶體諧振器上一體地設置有感測器元件(例如熱敏電阻器)的帶感測器的晶體諧振器氣密密封在封裝體103內，或者，也可以將晶體諧振器上一體地設置有構成振盪電路的IC晶片的晶體振盪器氣密密封在封裝體103內。
工業實用性
本發明能應用於具備三明治結構的晶體諧振器的晶體振動元件。

Claims (8)

  1. 一種晶體振動元件，是將一晶體諧振器氣密密封在由絕緣性材料構成的封裝體內而構成的晶體振動元件，其特徵在於：該晶體諧振具備，一晶體振動片，其一個主面上形成有一第一激勵電極、其另一個主面上形成有與該第一激勵電極成對的一第二激勵電極；一第一密封構件，將該晶體振動片的該第一激勵電極覆蓋；及一第二密封構件，將該晶體振動片的該第二激勵電極覆蓋，該第一密封構件與該晶體振動片相接合，該第二密封構件與該晶體振動片相接合，包含該第一激勵電極和該第二激勵電極的該晶體振動片的一振動部被氣密密封；該晶體諧振器被構成為，俯視呈近似矩形，該晶體諧振器只在長邊方向的一端被該封裝體的內壁支撐，該晶體諧振器的該晶體振動片具有該振動部、包圍該振動部的外周的一外框部、及將該振動部與該外框部連結的一連結部，該連結部只被設置在該晶體諧振器的長邊方向的另一端。
  2. 一種晶體振動元件，是將一晶體諧振器氣密密封在由絕緣性材料構成的封裝體內而構成的晶體振動元件，其特徵在於：該晶體諧振具備，一晶體振動片，其一個主面上形成有一第一激勵電極、其另一個主面上形成有與該第一激勵電極成對的一第二激勵電極；一第一密封構件，將該晶體振動片的該第一激勵電極覆蓋；及 一第二密封構件，將該晶體振動片的該第二激勵電極覆蓋，該第一密封構件與該晶體振動片相接合，該第二密封構件與該晶體振動片相接合，包含該第一激勵電極和該第二激勵電極的該晶體振動片的一振動部被氣密密封；該晶體諧振器被構成為，俯視呈近似矩形，該晶體諧振器在長邊方向的兩端分別被該封裝體的內壁支撐，該晶體諧振器的該晶體振動片具有該振動部、包圍該振動部的外周的一外框部、及將該振動部與該外框部連結的連結部。
  3. 如請求項第2項所述的晶體振動元件，其特徵在於：該晶體諧振器在該晶體諧振器的四個角落的區域被該封裝體的內壁支撐。
  4. 如請求項第1至3項中任一項所述的晶體振動元件，其特徵在於：該晶體諧振器通過一導電性黏合劑而被該封裝體的內壁支撐，該導電性黏合劑被配置為，從該晶體諧振器的底面經由側面而到達頂面。
  5. 如請求項第1至3項中任一項所述的晶體振動元件，其特徵在於：該晶體諧振器上一體地設置有感測器元件或構成振盪電路的電路元件。
  6. 如請求項第1至3項中任一項所述的晶體振動元件，其特徵在於：該晶體諧振器和感測器元件或構成振盪電路的電路元件被容置在該封裝體中形成的同一空間內，並被氣密密封。
  7. 如請求項第1至3項中任一項所述的晶體振動元件，其特徵在於：該晶體諧振器被容置在該封裝體的一個主面側形成的一第一凹部中，並 被氣密密封；感測器元件或構成振盪電路的電路元件被容置在該封裝體的另一個主面側形成的一第二凹部中。
  8. 如請求項第1至3項中任一項所述的晶體振動元件，其特徵在於：容置該晶體諧振器的該封裝體的一封裝體主體由陶瓷構成。
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