JP6756325B2 - 圧電振動デバイス - Google Patents

Description

本発明は、圧電振動デバイスに関する。

近年、各種電子機器の動作周波数の高周波化や、パッケージの小型化（特に低背化）が進んでいる。そのため、高周波化やパッケージの小型化にともなって、圧電振動デバイス（例えば水晶振動子、水晶発振器等）も高周波化やパッケージの小型化への対応が求められている。

この種の圧電振動デバイスでは、その筐体が略直方体のパッケージで構成されている。このパッケージは、ガラスや水晶からなる第１封止部材及び第２封止部材と、水晶からなり両主面に励振電極が形成された水晶振動板とから構成され、第１封止部材と第２封止部材とが水晶振動板を介して積層して接合され、パッケージの内部（内部空間）に配された水晶振動板の励振電極が気密封止されている（例えば、特許文献１参照）。なお、このような圧電振動デバイスの積層形態をサンドイッチ構造という。

特開２０１０−２５２０５１号公報

従来では、温度センサが一体に設けられた温度センサ付きの圧電振動デバイスも開発されている。このような温度センサとしては、例えば焼結体から成るチップサーミスタ（ＮＴＣサーミスタ等）が用いられる。チップサーミスタは、Ｂ定数が大きいといった利点を有するが、次のような問題点が懸念される。すなわち、温度センサとしてチップサーミスタが設けられた圧電振動デバイスでは、チップサーミスタを収容するための所定のスペースが必要になり、パッケージの低背化への対応が困難になることが懸念される。

本発明は上述したような実情を考慮してなされたもので、パッケージの低背化を図ることが可能な温度センサ付きの圧電振動デバイスを提供することを目的とする。

本発明は、上述の課題を解決するための手段を以下のように構成している。すなわち、本発明は、基板の一主面に第１励振電極が形成され、前記基板の他主面に前記第１励振電極と対になる第２励振電極が形成された圧電振動板と、前記圧電振動板の前記第１励振電極を覆う第１封止部材と、前記圧電振動板の前記第２励振電極を覆う第２封止部材とを備え、前記第１封止部材と前記圧電振動板とが接合され、前記第２封止部材と前記圧電振動板とが接合されて、前記第１励振電極及び前記第２励振電極を含む前記圧電振動板の振動部が気密封止された圧電振動デバイスにおいて、前記第１封止部材の一主面であって前記圧電振動板に面しない方の主面には、薄膜サーミスタを有する温度センサ部が設けられており、前記第２封止部材の他主面であって前記圧電振動板に面しない方の主面には、サーミスタ用外部端子と、励振電極用外部端子とが形成されていることを特徴としている。

上記構成によれば、第１封止部材及び第２封止部材によって振動部を気密封止する内部側に温度センサ部が配置される構成では、温度センサ付きの圧電振動デバイスのパッケージの低背化を図ることができる。また、温度センサ部が振動部と同じ空間内に設けられるため、より振動部の温度に近い温度を検出でき、温度センサ部による温度検出の精度向上を図ることができる。

一方、第１封止部材及び第２封止部材によって振動部を気密封止する空間の外部側に温度センサ部が配置される構成においても、温度センサ部が薄膜サーミスタを有する構成とされるため、温度センサ付きの圧電振動デバイスのパッケージの低背化を図ることができる。特に、第１封止部材の一主面（圧電振動板に面しない方の主面）にのみ温度センサ部が配置される構成では、第１封止部材の一主面における温度センサ部の占有面積を最大限確保することができる。つまり、第１封止部材の一主面には、外部基板と接合するための接続端子（外部端子）を形成する必要が無いため、温度センサ部の形成領域をより広く確保することができる。さらに、第２封止部材の一主面にのみ温度センサ部が配置される構成に比べて、第１封止部材の一主面にのみ温度センサ部が配置される構成では、外部基板等からの熱が温度センサ部に伝導しにくくなるので、より振動部の温度に近い温度を検出でき、温度センサ部による温度検出の精度向上を図ることができる。

上記構成の圧電振動デバイスにおいて、前記サーミスタ用外部端子と前記薄膜サーミスタとの間の電気的経路と、前記励振電極用外部端子と前記励振電極との間の電気的経路とが、互いに独立になっていることが好ましい。

上記構成によれば、サーミスタ用外部端子から出力される温度センサ部からの温度情報を、外部基板に搭載された他の電子部品等で利用することが可能になる。例えば、サーミスタ用外部端子から出力された温度センサ部の抵抗値データと、励振電極用外部端子から出力された励振電極の周波数データとを用いて、外部基板に搭載されたＩＣによって温度補償等を行うことが可能になる。

上記構成の圧電振動デバイスにおいて、前記薄膜サーミスタへの前記電気的経路は、前記第２封止部材に形成されたスルーホール、前記圧電振動板に形成されたスルーホール、及び、前記第１封止部材に形成されたスルーホールを含む構成になっていることが好ましい。

上記構成によれば、薄膜サーミスタへの電気的経路が、第２封止部材、圧電振動板、及び第１封止部材にそれぞれ形成されたスルーホールを含んで構成されているため、電気的経路（配線）を圧電振動デバイスの外部に露出することなく形成することができる。これにより、電気的経路（配線）が大気中に晒されることに起因する酸化や腐食等を防止することができ、圧電振動デバイスの耐環境性能を向上させることができる。

また、第１封止部材の一主面に温度センサ部が配置される構成では、第１封止部材の一主面における温度センサ部の占有面積を最大限確保することができる。さらに、第２封止部材の一主面にのみ温度センサ部が配置される構成に比べて、第１封止部材の一主面にのみ温度センサ部が配置される構成では、外部基板等からの熱が温度センサ部に伝導しにくくなるので、より振動部の温度に近い温度を検出でき、温度センサ部による温度検出の精度向上を図ることができる。

上記構成の圧電振動デバイスにおいて、前記第１封止部材と前記薄膜サーミスタとの間には、絶縁部材が介在されていることが好ましい。

上記構成によれば、第１封止部材と薄膜サーミスタとの間に絶縁部材が介在していることによって、当該絶縁部材を介した電気伝導が薄膜サーミスタの特性に影響を及ぼすことを抑制できる。

上記構成の圧電振動デバイスにおいて、前記薄膜サーミスタは、一対の櫛形電極と、当該一対の櫛形電極に挟まれた抵抗膜を含む構成になっていることが好ましい。

上記構成によれば、一対の櫛形電極に挟まれた抵抗膜の経路長をより長く確保することができ、これにより、微小なサイズの薄膜サーミスタであっても、より大きなＢ定数を得ることができる。

上記構成の圧電振動デバイスにおいて、前記温度センサ部は、並列に接続された複数の薄膜サーミスタを備えていることが好ましい。

上記構成によれば、温度センサ部が、並列に接続された複数の薄膜サーミスタを備えているため、温度センサ部の合成抵抗値を低下させることができ、これにより、温度センサ部の抵抗値を実用的なレベルまで低下させることができる。

本発明によれば、温度センサ付きの圧電振動デバイスにおいて、パッケージの低背化を図ることができる。

図１は、本実施の形態にかかる水晶振動子の各構成を模式的に示す概略構成図である。 図２は、水晶振動子の第１封止部材の第１主面側の概略平面図である。 図３は、水晶振動子の第１封止部材の第２主面側の概略平面図である。 図４は、水晶振動子の水晶振動板の第１主面側の概略平面図である。 図５は、水晶振動子の水晶振動板の第２主面側の概略平面図である。 図６は、水晶振動子の第２封止部材の第１主面側の概略平面図である。 図７は、水晶振動子の第２封止部材の第２主面側の概略平面図である。 図８は、薄膜サーミスタを示す概略平面図である。 図９は、図８のＸ１−Ｘ１線で切断した概略断面図である。 図１０は、変形例１にかかる水晶振動子の図１相当図である。 図１１は、変形例２にかかる水晶振動子の図１相当図である。 図１２は、変形例３にかかる水晶振動子の図１相当図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の実施の形態では、圧電振動デバイスとして水晶振動子に本発明を適用した場合について説明する。

本実施の形態にかかる水晶振動子１０１は、図１に示すように、水晶振動板２、第１封止部材３、及び第２封止部材４を備えて構成されている。この水晶振動子１０１では、水晶振動板２と第１封止部材３とが接合され、水晶振動板２と第２封止部材４とが接合されることによって、略直方体のサンドイッチ構造のパッケージ１２が構成される。

水晶振動板２では、一方の主面である第１主面２１１に第１励振電極２２１が形成され、他方の主面である第２主面２１２に第２励振電極２２２が形成されている。そして、水晶振動子１０１においては、水晶振動板２の両主面（第１主面２１１、第２主面２１２）のそれぞれに第１封止部材３及び第２封止部材４が接合されることで、パッケージ１２の内部空間１３が形成され、内部空間１３に第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２を含む振動部２２（図４、図５参照）が気密封止されている。

本実施の形態にかかる水晶振動子１０１は、例えば、１．０×０．８ｍｍのパッケージサイズであり、小型化と低背化とを図ったものである。また、小型化に伴い、パッケージ１２では、キャスタレーションを形成せずに、後述するスルーホール（貫通孔）を用いて電極の導通を図っている。また、水晶振動子１０１は、温度センサ付きの水晶振動子として構成されており、水晶振動子１０１のパッケージ１２に、振動部２２の温度（内部空間１３の温度）を検知するための温度センサ部５が備えられている。温度センサ部５は、本実施の形態では、第１封止部材３の第１主面３１１（第１封止部材３における水晶振動板２との接合面と反対側の主面）に設けられている。

次に、上記した水晶振動子１０１における水晶振動板２、第１封止部材３、及び第２封止部材４の各部材について、図１〜図７を用いて説明する。なお、ここでは、接合されていないそれぞれ単体として構成されている各部材について説明を行う。

水晶振動板２は、図４、図５に示すように、水晶からなる圧電基板であって、その両主面（第１主面２１１、第２主面２１２）が平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。本実施の形態では、水晶振動板２として、厚みすべり振動を行うＡＴカット水晶板が用いられている。図４、図５に示す水晶振動板２では、水晶振動板２の両主面２１１，２１２が、ＸＺ´平面とされている。このＸＺ´平面において、水晶振動板２の短手方向（短辺方向）に平行な方向がＸ軸方向とされ、水晶振動板２の長手方向（長辺方向）に平行な方向がＺ´軸方向とされている。なお、ＡＴカットは、人工水晶の３つの結晶軸である電気軸（Ｘ軸）、機械軸（Ｙ軸）、及び光学軸（Ｚ軸）のうち、Ｚ軸に対してＸ軸周りに３５°１５′だけ傾いた角度で切り出す加工手法である。ＡＴカット水晶板では、Ｘ軸は水晶の結晶軸に一致する。Ｙ´軸及びＺ´軸は、水晶の結晶軸のＹ軸及びＺ軸からそれぞれ３５°１５′傾いた軸に一致する。Ｙ´軸方向及びＺ´軸方向は、ＡＴカット水晶板を切り出すときの切り出し方向に相当する。

水晶振動板２の両主面２１１，２１２には、一対の励振電極（第１励振電極２２１、第２励振電極２２２）が形成されている。水晶振動板２は、略矩形に形成された振動部２２と、この振動部２２の外周を取り囲む外枠部２３と、振動部２２と外枠部２３とを連結することで振動部２２を保持する保持部２４とを有している。すなわち、水晶振動板２は、振動部２２、外枠部２３及び保持部２４が一体的に設けられた構成となっている。

本実施の形態では、保持部２４は、振動部２２と外枠部２３との間の１箇所のみに設けられている。また、振動部２２及び保持部２４は、基本的には外枠部２３よりも薄く形成されている。このような外枠部２３と保持部２４との厚みの違いにより、外枠部２３と保持部２４の圧電振動の固有振動数が異なることになり、保持部２４の圧電振動に外枠部２３が共鳴しにくくなる。なお、保持部２４の形成箇所は１か所に限定されるものではなく、保持部２４は、振動部２２と外枠部２３との間の２箇所（例えば、−Ｚ´軸方向の両側）に設けられていてもよい。

保持部２４は、振動部２２の＋Ｘ方向且つ−Ｚ´方向に位置する１つの角部のみから、−Ｚ´方向に向けて外枠部２３まで延びている（突出している）。このように、振動部２２の外周端部のうち、圧電振動の変位が比較的小さい角部に保持部２４が設けられているので、保持部２４を角部以外の部分（辺の中央部）に設けた場合に比べて、保持部２４を介して圧電振動が外枠部２３に漏れることを抑制することができ、より効率的に振動部２２を圧電振動させることができる。また、保持部２４を２つ以上設けた場合に比べて、振動部２２に作用する応力を低減することができ、そのような応力に起因する圧電振動の周波数シフトを低減して圧電振動の安定性を向上させることができる。

第１励振電極２２１は振動部２２の第１主面２１１側に設けられ、第２励振電極２２２は振動部２２の第２主面２１２側に設けられている。第１励振電極２２１、第２励振電極２２２には、これらの励振電極を外部電極端子に接続するための引出配線（第１引出配線２２３、第２引出配線２２４）が接続されている。第１引出配線２２３は、第１励振電極２２１から引き出され、保持部２４を経由して、外枠部２３に形成された接続用接合パターン２７に繋がっている。第２引出配線２２４は、第２励振電極２２２から引き出され、保持部２４を経由して、外枠部２３に形成された接続用接合パターン２８に繋がっている。このように、保持部２４の第１主面２１１側に第１引出配線２２３が形成され、保持部２４の第２主面２１２側に第２引出配線２２４が形成されている。

水晶振動板２の両主面（第１主面２１１、第２主面２１２）には、水晶振動板２を第１封止部材３及び第２封止部材４に接合するための振動側封止部がそれぞれ設けられている。第１主面２１１の振動側封止部としては、第１封止部材３に接合するための振動側第１接合パターン２５１が形成されている。また、第２主面２１２の振動側封止部としては、第２封止部材４に接合するための振動側第２接合パターン２５２が形成されている。振動側第１接合パターン２５１及び振動側第２接合パターン２５２は、外枠部２３に設けられており、平面視で環状に形成されている。第１励振電極２２１、第２励振電極２２２は、振動側第１接合パターン２５１及び振動側第２接合パターン２５２とは電気的に接続されていない。

また、水晶振動板２には、図４、図５に示すように、第１主面２１１と第２主面２１２との間を貫通する５つのスルーホール（貫通孔）が形成されている。具体的には、４つの第１貫通孔２６１は、外枠部２３の４隅（角部）の領域にそれぞれ設けられている。第２貫通孔２６２は、外枠部２３であって、振動部２２のＺ´軸方向の一方側（図４、図５では、−Ｚ´方向側）に設けられている。第１貫通孔２６１の周囲には、それぞれ接続用接合パターン２５３が形成されている。また、第２貫通孔２６２の周囲には、第１主面２１１側では接続用接合パターン２５４が、第２主面２１２側では接続用接合パターン２８が形成されている。振動側第１接合パターン２５１及び振動側第２接合パターン２５２の外側に第１貫通孔２６１が形成され、振動側第１接合パターン２５１及び振動側第２接合パターン２５２の内側に第２貫通孔２６２が形成されている。

第１貫通孔２６１及び第２貫通孔２６２には、第１主面２１１と第２主面２１２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、貫通孔それぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第１貫通孔２６１及び第２貫通孔２６２それぞれの中央部分は、第１主面２１１と第２主面２１２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。なお、貫通電極は、貫通部分を有するものに限らず、貫通部分のない中実の状態で形成されていてもよい。

水晶振動板２において、第１励振電極２２１、第２励振電極２２２、第１引出配線２２３、第２引出配線２２４、第１接合パターン２５１、振動側第２接合パターン２５２、及び接続用接合パターン２５３，２５４，２７，２８は、同一のプロセスで形成することができる。具体的には、これらは、水晶振動板２の両主面２１１，２１２上に物理的気相成長させて形成された下地膜と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された接合膜とから形成することができる。なお、本実施の形態では、下地膜には、Ｔｉ（もしくはＣｒ）が用いられ、接合膜にはＡｕが用いられている。

第１封止部材３は、図２、図３に示すように、水晶により形成された略直方体状の基板であり、この第１封止部材３の第２主面３１２（水晶振動板２に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。本実施の形態では、第１封止部材３として、上述した水晶振動板２と同様のＡＴカット水晶板が用いられている。

第１封止部材３の第１主面３１１（水晶振動板２に面しない外方の主面）には、図２に示すように、水晶振動板２の振動部２２の温度を検知するための温度センサ部５が設けられている。また、第１封止部材３の第１主面３１１には、２つの電極パターン３７と、温度センサ部５に接続される２つの電極パターン３８が形成されている。本実施の形態では、温度センサ部５は、薄膜サーミスタを有する構成になっているが、温度センサ部５の詳細については後述する。

第１封止部材３には、図２、図３に示すように、電極パターン３７，３８のそれぞれと接続され、第１主面３１１と第２主面３１２との間を貫通する６つのスルーホール（貫通孔）が形成されている。具体的には、４つの第３貫通孔３２２が、第１封止部材３の４隅（角部）の領域に設けられている。第４、第５貫通孔３２３，３２４は、図２、図３のＡ２方向及びＡ１方向にそれぞれ設けられている。なお、図２、図３、図６、図７のＡ１及びＡ２方向は、図４、図５の−Ｚ´方向及び＋Ｚ´方向にそれぞれ一致し、図２、図３、図６、図７のＢ１及びＢ２方向は、図４、図５の−Ｘ方向及び＋Ｘ方向にそれぞれ一致する。

第３貫通孔３２２及び第４、第５貫通孔３２３，３２４には、第１主面３１１と第２主面３１２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、貫通孔それぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第３貫通孔３２２及び第４、第５貫通孔３２３，３２４それぞれの中央部分は、第１主面３１１と第２主面３１２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。なお、貫通電極は、貫通部分を有するものに限らず、貫通部分のない中実の状態で形成されていてもよい。

第１封止部材３の第２主面３１２には、水晶振動板２に接合するための封止側第１封止部としての封止側第１接合パターン３２１が形成されている。封止側第１接合パターン３２１は、平面視で環状に形成されている。封止側第１接合パターン３２１の外側に第３貫通孔３２２が形成され、封止側第１接合パターン３２１の内側に第４、第５貫通孔３２３，３２４が形成されている。

また、第１封止部材３の第２主面３１２では、第３貫通孔３２２の周囲には、それぞれ接続用接合パターン３４が形成されている。第４貫通孔３２３の周囲には接続用接合パターン３５１が、第５貫通孔３２４の周囲には接続用接合パターン３５２が形成されている。さらに、接続用接合パターン３５１に対して第１封止部材３の長軸方向の反対側（Ａ２方向側）には接続用接合パターン３５３が形成されており、接続用接合パターン３５１と接続用接合パターン３５３とは配線パターン３３によって接続されている。なお、接続用接合パターン３５３は、接続用接合パターン３５２とは接続されていない。

第１封止部材３において、封止側第１接合パターン３２１、接続用接合パターン３４，３５１〜３５３、及び配線パターン３３は、同一のプロセスで形成することができる。具体的には、これらは、第１封止部材３の第２主面３１２上に物理的気相成長させて形成された下地膜と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された接合膜とから形成することができる。なお、本実施の形態では、下地膜には、Ｔｉ（もしくはＣｒ）が用いられ、接合膜にはＡｕが用いられている。

第２封止部材４は、図６、図７に示すように、水晶により形成された略直方体状の基板であり、この第２封止部材４の第１主面４１１（水晶振動板２に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。本実施の形態では、第２封止部材４として、上述した水晶振動板２と同様のＡＴカット水晶板が用いられている。

この第２封止部材４の第１主面４１１には、水晶振動板２に接合するための封止側第２封止部としての封止側第２接合パターン４２１が形成されている。封止側第２接合パターン４２１は、平面視で環状に形成されている。

第２封止部材４の第２主面４１２（水晶振動板２に面しない外方の主面）には、外部に電気的に接続する４つの外部電極端子４３ａ〜４３ｄが設けられている。外部電極端子４３ａ〜４３ｄは、第２封止部材４の４隅（角部）にそれぞれ位置する。

第２封止部材４には、図６、図７に示すように、第１主面４１１と第２主面４１２との間を貫通する４つのスルーホール（貫通孔）が形成されている。具体的には、４つの第６貫通孔４４は、第２封止部材４の４隅（角部）の領域に設けられている。第６貫通孔４４は、封止側第２接合パターン４２１の外側に形成されている。

第６貫通孔４４には、第１主面４１１と第２主面４１２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、貫通孔それぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第６貫通孔４４それぞれの中央部分は、第１主面４１１と第２主面４１２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。また、第２封止部材４の第１主面４１１では、第６貫通孔４４の周囲には、それぞれ接続用接合パターン４５が形成されている。なお、貫通電極は、貫通部分を有するものに限らず、貫通部分のない中実の状態で形成されていてもよい。

第２封止部材４において、封止側第２接合パターン４２１、及び接続用接合パターン４５は、同一のプロセスで形成することができる。具体的には、これらは、第２封止部材４の第１主面４１１上に物理的気相成長させて形成された下地膜と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された接合膜とから形成することができる。なお、本実施の形態では、下地膜には、Ｔｉ（もしくはＣｒ）が用いられ、接合膜にはＡｕが用いられている。

上記の水晶振動板２、第１封止部材３、及び第２封止部材４を含む水晶振動子１０１では、水晶振動板２と第１封止部材３とが振動側第１接合パターン２５１及び封止側第１接合パターン３２１を重ね合わせた状態で拡散接合（Ａｕ−Ａｕ接合）され、水晶振動板２と第２封止部材４とが振動側第２接合パターン２５２及び封止側第２接合パターン４２１を重ね合わせた状態で拡散接合（Ａｕ−Ａｕ接合）されて、図１に示すサンドイッチ構造のパッケージ１２が製造される。これにより、振動側第１接合パターン２５１及び封止側第１接合パターン３２１の拡散接合により形成される環状の封止部、及び、振動側第２接合パターン２５２及び封止側第２接合パターン４２１の拡散接合により形成される環状の封止部によって、パッケージ１２の内部空間、つまり、振動部２２の収容空間が気密封止される。なお、図１では、振動側第１接合パターン２５１及び封止側第１接合パターン３２１の拡散接合により形成される封止部、及び、振動側第２接合パターン２５２及び封止側第２接合パターン４２１の拡散接合により形成される封止部の図示を省略している。

この際、上述した接続用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合（Ａｕ−Ａｕ接合）される。そして、接続用接合パターン同士の接合により、水晶振動子１０１では、第１励振電極２２１、第２励振電極２２２、及び外部電極端子４３ｃ，４３ｄの電気的導通が得られるようになっている。また、温度センサ部５の対向電極５１，５１及び外部電極端子４３ａ，４３ｂの電気的導通が得られるようになっている。

具体的には、第１励振電極２２１は、第１引出配線２２３、接続用接合パターン２７と接続用接合パターン３５３との接合部、配線パターン３３、及び接続用接合パターン３５１、第４貫通孔３２３内の貫通電極を順に経由して、第１封止部材３の第１主面３１１の電極パターン３７に接続される。第２励振電極２２２は、第２引出配線２２４、接続用接合パターン２８、第２貫通孔２６２内の貫通電極、接続用接合パターン２５４と接続用接合パターン３５２との接合部、及び第５貫通孔３２４内の貫通電極を順に経由して、第１封止部材３の第１主面３１１の電極パターン３７に接続される。電極パターン３７，３７は、それぞれ第３貫通孔３２２内の貫通電極、接続用接合パターン３４と接続用接合パターン２５３との接合部、第１貫通孔２６１内の貫通電極、接続用接合パターン２５３と接続用接合パターン４５との接合部、及び第６貫通孔４４内の貫通電極を順に経由して、外部電極端子４３ｃ，４３ｄに接続される。

また、温度センサ部５の対向電極５１，５１は、それぞれ電極パターン３８、第３貫通孔３２２内の貫通電極、接続用接合パターン３４と接続用接合パターン２５３との接合部、第１貫通孔２６１内の貫通電極、接続用接合パターン２５３と接続用接合パターン４５との接合部、及び第６貫通孔４４内の貫通電極を順に経由して、外部電極端子４３ａ，４３ｂに接続される。

そして、拡散接合によって製造されたパッケージ１２では、第１封止部材３と水晶振動板２とは、１．００μｍ以下のギャップを有し、第２封止部材４と水晶振動板２とは、１．００μｍ以下のギャップを有する。つまり、第１封止部材３と水晶振動板２との間の接合材１１の厚みが、１．００μｍ以下であり、第２封止部材４と水晶振動板２との間の接合材１１の厚みが、１．００μｍ以下（具体的には、本実施の形態のＡｕ−Ａｕ接合では０．１５μｍ〜１．００μｍ）である。なお、比較として、Ｓｎを用いた従来の金属ペースト封止材では、５μｍ〜２０μｍとなる。

これにより、水晶振動子１０１のパッケージ１２の高さにバラつきを生じにくくすることができる。例えば、本実施の形態と異なり、封止部材（本実施の形態でいう第１封止部材３，第２封止部材４）と水晶振動板２とのギャップが１μｍより大きくなるＳｎ接合材のような金属ペースト封止材を用いた場合、金属ペースト封止材をパターン（振動側第１接合パターン２５１、振動側第２接合パターン２５２、封止側第１接合パターン３２１、封止側第２接合パターン４２１）上に形成する際の高さにバラつきが生じる。また、接合後においても、形成されたパターン（振動側第１接合パターン２５１、振動側第２接合パターン２５２、封止側第１接合パターン３２１、封止側第２接合パターン４２１）の熱容量分布により均一なギャップ（本実施の形態でいう第１封止部材３と水晶振動板２とのギャップや、本実施の形態でいう第２封止部材４と水晶振動板２とのギャップ）にならない。そのため、従来の技術では、第１封止部材、第２封止部材、水晶振動板の３枚の部材が積層された構造の場合、これら３枚の部材間での各々ギャップに差が生じる。その結果、積層された３枚の部材は、平行を保てない状態で接合されてしまう。特に、この問題はパッケージ１２の低背化に伴い顕著になる。そこで、本実施の形態では、ギャップの上限が１．００μｍに設定されているため、第１封止部材３、第２封止部材４、水晶振動板２の３枚の部材を平行に保った状態で積層して接合することができ、本実施の形態はパッケージ１２の低背化に対応できる。つまり、本実施の形態では、パッケージ１２を低背化しても、厚みが薄く、寸法精度に優位性がある水晶振動子１０１を提供することができる。さらに、水晶振動子１０１の積層間容量のバラつきを抑制することができ、これに起因する周波数バラつきも抑制することができる。

本実施の形態では、上記構成の水晶振動子１０１において、第１封止部材３の第１主面３１１に、薄膜サーミスタを有する温度センサ部５が設けられていることを特徴としている。本実施の形態の特徴について、以下に説明する。

図２に示すように、温度センサ部５は、所定の対向間隔を隔てて平行に設けられた一対の対向電極５１，５１と、一対の対向電極５１，５１間に挟まれた抵抗膜（感温膜）５２とを備えた構成になっている。各対向電極５１は、第１封止部材３の第１主面３１１上に物理的気相成長させて形成された下地膜（例えばＴｉ）と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極膜（例えばＡｕ）とから形成されている。なお、対向電極５１を、電極パターン３８と一体的に形成する構成としてもよい。

抵抗膜５２は、第１封止部材３の第１主面３１１上に物理的気相成長によって成膜されたＰＶＤ膜から形成されている。より詳細には、抵抗膜５２は、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリングや、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリングによって成膜された反応性スパッタ膜として形成することが可能である。抵抗膜５２は、所定の温度特性を有する材質によって形成されており、例えば、温度が上昇するに従って、抵抗値が略比例的に低下するような特性を有する材質で形成されている。このような抵抗膜５２の材質としては、窒化物半導体や、酸化物半導体等が挙げられる。例えばＡｌＮ、ＣｒＮ、ＳｉＮ、ＺｒＮ等がある。なお、第１封止部材３の第１主面３１１上に抵抗膜５２を形成し、この抵抗膜５２の上に一対の対向電極５１，５１を形成する構成としてもよい。

本実施の形態によれば、第１封止部材３及び第２封止部材４によって振動部２２を気密封止する内部空間１３の外部側に温度センサ部５が配置される構成において、温度センサ部５が薄膜サーミスタを有する構成とされるため、温度センサ付きの水晶振動子１０１のパッケージ１２の低背化を図ることができる。特に、第１封止部材３の第１主面（水晶振動板２に面しない方の主面）３１１にのみ温度センサ部５が配置される構成では、第１封止部材３の第１主面３１１における温度センサ部５の占有面積を最大限確保することができる。つまり、第１封止部材３の第１主面３１１には、外部基板と接合するための接続端子（外部端子）を形成する必要が無いため、温度センサ部５の形成領域をより広く確保することができる。さらに、第２封止部材４の他主面４１２にのみ温度センサ部５が配置される構成に比べて、第１封止部材３の第１主面３１１にのみ温度センサ部５が配置される構成では、外部基板等からの熱が温度センサ部５に伝導しにくくなるので、より振動部２２の温度に近い温度を検出でき、温度センサ部５による温度検出の精度向上を図ることができる。

また、本実施の形態では、第２封止部材４の第２主面４１２に形成された４つの外部電極端子４３ａ〜４３ｄのうち、２つの外部電極端子４３ａ，４３ｂは、温度センサ部５の薄膜サーミスタに電気的に接続されるサーミスタ用外部端子として形成されている。この例では、図７に示すＡ２方向の端部且つＢ１方向の端部の外部電極端子４３ａ、及び、Ａ１方向の端部且つＢ２方向の端部の外部電極端子４３ｂがサーミスタ用外部端子になっている。

一方、残り２つの外部電極端子４３ｃ，４３ｄは、第１励振電極２２１、第２励振電極２２２に電気的に接続される励振電極用外部端子として形成されている。この例では、図７に示すＡ１方向の端部且つＢ１方向の端部の外部電極端子４３ｃ、及び、Ａ２方向の端部且つＢ２方向の端部の外部電極端子４３ｄが励振電極用外部端子になっている。

そして、サーミスタ用外部端子と温度センサ部５の薄膜サーミスタとの間のサーミスタ用電気的経路と、励振電極用外部端子と第１励振電極２２１、第２励振電極２２２との間の励振電極用電気的経路とが、互いに独立になっている。サーミスタ用電気的経路は、第２封止部材４に形成された貫通孔４４（この場合、図６、図７に示すＡ２方向の端部且つＢ１方向の端部の貫通孔４４と、Ａ１方向の端部且つＢ２方向の端部の貫通孔４４）、水晶振動板２に形成された貫通孔２６１（この場合、図４、図５に示す−Ｘ方向の端部且つ＋Ｚ´方向の端部の貫通孔２６１と、＋Ｘ方向の端部且つ−Ｚ´方向の端部の貫通孔２６１）、及び、第１封止部材３に形成された貫通孔３２２（この場合、図２、図３に示すＡ２方向の端部且つＢ１方向の端部の貫通孔３２２と、Ａ１方向の端部且つＢ２方向の端部の貫通孔３２２）を含む構成になっている。

一方、励振電極用電気的経路は、第２封止部材４に形成された貫通孔４４（この場合、図６、図７に示すＡ１方向の端部且つＢ１方向の端部の貫通孔４４と、Ａ２方向の端部且つＢ２方向の端部の貫通孔４４）、水晶振動板２に形成された貫通孔２６１（この場合、図４、図５に示す＋Ｘ方向の端部且つ＋Ｚ´方向の端部の貫通孔２６１と、−Ｘ方向の端部且つ−Ｚ´方向の端部の貫通孔２６１）、及び、第１封止部材３に形成された貫通孔３２２（この場合、図２、図３に示すＡ１方向の端部且つＢ１方向の端部の貫通孔３２２と、Ａ２方向の端部且つＢ２方向の端部の貫通孔３２２）を含む構成になっている。

本実施の形態によれば、サーミスタ用電気的経路と、励振電極用電気的経路とが、互いに独立に設けられているので、サーミスタ用外部端子から出力される温度センサ部５からの温度情報を、外部基板に搭載された他の電子部品等で利用することが可能になる。例えば、サーミスタ用外部端子から出力された温度センサ部５の抵抗値データと、励振電極用外部端子から出力された第１励振電極２２１、第２励振電極２２２の周波数データとを用いて、外部基板に搭載されたＩＣによって温度補償等を行うことが可能になる。

また、サーミスタ用電気的経路が、第２封止部材４、水晶振動板２、及び第１封止部材３にそれぞれ形成された貫通孔を含んで構成されているため、電気的経路（配線）を水晶振動子１０１の外部に露出することなく形成することができる。これにより、電気的経路（配線）が大気中に晒されることに起因する酸化や腐食等を防止することができ、水晶振動子１０１の耐環境性能を向上させることができる。

また、本実施の形態では、第１封止部材３の第１主面３１１に温度センサ部５の薄膜サーミスタが直接的に形成されている。これにより、チップサーミスタを有する温度センサ部を用いる構成とは異なり、温度センサ部５を搭載するための半田等の接合材が不要になる。また、搭載時の温度センサ部５の搭載位置の位置ずれを抑制でき、これに起因する短絡等の不具合を防止することができる。

ここで、温度センサ部５の薄膜サーミスタを、例えば図８、図９に示すように、一対の櫛形電極５１ａ，５１ａと、当該一対の櫛形電極５１ａ，５１ａに挟まれた抵抗膜５２ａを含む構成とすることが可能である。図８、図９では、例えば水晶板等のような絶縁部材５ａに形成された薄膜サーミスタを示しているが、第１封止部材３の第１主面３１１に直接的に薄膜サーミスタを形成してもよい。

図８、図９に示すように、薄膜サーミスタは、絶縁部材５ａの第１主面５１１の略全体にわたって形成されている。抵抗膜５２ａは、上述した抵抗膜５２（図２参照）の場合と同様に、絶縁部材５ａの第１主面５１１上に物理的気相成長によって成膜されたＰＶＤ膜から形成されている。より詳細には、抵抗膜５２ａは、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリングや、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリングによって成膜された反応性スパッタ膜として形成することが可能である。櫛形電極５１ａは、上述した対向電極５１（図２参照）の場合と同様に、抵抗膜５２ａ上に物理的気相成長させて形成された下地膜（例えばＴｉ）と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極膜（例えばＡｕ）とから形成されている。なお、絶縁部材５ａの第１主面５１１上に櫛形電極５１ａを形成し、この櫛形電極５１ａの上に抵抗膜５２ａを形成する構成としてもよい。

薄膜サーミスタの櫛形電極５１ａは、絶縁部材５ａの長辺方向に沿って設けられた基部５１ｂから、多数の枝部５１ｃが平行に延びた構成になっている。そして、一方の櫛形電極５１ａの枝部５１ｃと、他方の櫛形電極５１ａの枝部５１ｃとが、互いに接触しないように、所定の隙間で互い違いに並んでいる。この隙間から抵抗膜５２ａが露出している。つまり、抵抗膜５２ａが、一対の櫛形電極５１ａ，５１ａの対向間に設けられている。抵抗膜５２ａが露出する幅Ｌ（図９）は、一対の櫛形電極５１ａ，５１ａの対向間隔になっている。

抵抗膜５２ａは、絶縁部材５ａのＡ２方向の端部且つＢ１方向の端部から、Ａ１方向の端部且つＢ２方向の端部まで、蛇行した状態で形成されている。また、抵抗膜５２ａは、一定の幅Ｌ（図９）且つ***の状態で形成されている。抵抗膜５２ａの経路長Ｗは、一対の櫛形電極５１ａ，５１ａ同士が対向する長さの総和になっている。

このような薄膜サーミスタを有する温度センサ部５では、一対の櫛形電極５１ａ，５１ａに挟まれた抵抗膜５２ａの経路長Ｗをより長く確保することができ、これにより、微小なサイズの薄膜サーミスタであっても、より大きなＢ定数を得ることができる。詳細には、薄膜サーミスタの抵抗値は、抵抗膜５２ａの幅Ｌに比例し、また、経路長Ｗに反比例する。このため、抵抗膜５２ａの経路長Ｗをより長くし、また、抵抗膜５２ａの幅Ｌをより狭くすることによって、より大きなＢ定数を有する薄膜サーミスタの抵抗値を低下させることができる。なお、絶縁部材５ａの第１主面５１１の略全体に薄膜サーミスタを形成することによって抵抗膜５２ａの経路長Ｗをより長くすることが可能であるが、絶縁部材５ａの第１主面５１１の一部の領域のみに薄膜サーミスタを形成してもよい。

また、図８に示すように、絶縁部材５ａのＡ２方向の端部且つＢ１方向の端部と、Ａ１方向の端部且つＢ２方向の端部とには、貫通孔５３がそれぞれ設けられている。貫通孔５３には、第１主面５１１と第２主面５１２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、貫通孔５３の内壁面に沿って形成されている。また、貫通孔５３の中央部分は、第１主面５１１と第２主面５１２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。なお、貫通電極は、貫通部分を有するものに限らず、貫通部分のない中実の状態で形成されていてもよい。

図８に示す貫通孔５３の貫通電極は、図１０に示すように、温度センサ部５の絶縁部材５ａを、第１封止部材３の第１主面３１１上に搭載する場合の電気的接続に利用される。つまり、図１０に示す変形例１では、第１封止部材３の第１主面３１１に薄膜サーミスタを直接的に形成するのではなく、第１封止部材３の第１主面３１１と薄膜サーミスタとの間に、絶縁部材５ａが介在されている。絶縁部材５ａを第１封止部材３に搭載した状態では、図８のＡ１及びＡ２方向は、図２、図３のＡ１及びＡ２方向に一致する。

具体的には、温度センサ部５の絶縁部材５ａと、第１封止部材３との接合が、上述した第１封止部材３と水晶振動板２との接合（図１参照）の場合と同様に、拡散接合（Ａｕ−Ａｕ接合）にて行われる。第１封止部材３の第１主面３１１に形成された接続用接合パターンと、絶縁部材５ａの第２主面５１２に形成された接続用接合パターンとが、重ね合わせられた状態で拡散接合される。接続用接合パターン同士の接合により、温度センサ部５の櫛形電極５１ａ，５１ａ及び外部電極端子４３ａ，４３ｂの電気的導通が得られるようになっている。温度センサ部５の櫛形電極５１ａ，５１ａは、それぞれ貫通孔５３内の貫通電極、絶縁部材５ａの第２主面５１２の接続用接合パターンと第１封止部材３の第１主面３１１の接続用接合パターンとの接合部、第３貫通孔３２２内の貫通電極、接続用接合パターン３４と接続用接合パターン２５３との接合部、第１貫通孔２６１内の貫通電極、接続用接合パターン２５３と接続用接合パターン４５との接合部、及び第６貫通孔４４内の貫通電極を順に経由して、外部電極端子４３ａ，４３ｂに接続される。なお、絶縁部材５ａと、第１封止部材３との接合を、ろう材を用いた接合としてもよい。

この変形例１によれば、第１封止部材３と温度センサ部５の薄膜サーミスタとの間に絶縁部材５ａが介在していることによって、絶縁部材５ａを介した電気伝導が薄膜サーミスタの特性に影響を及ぼすことを抑制できる。つまり、温度センサ部５の薄膜サーミスタを成膜する基材として、絶縁部材５ａを好適に用いることが可能である。なお、絶縁部材５ａを水晶板とすることによって、第１封止部材３、水晶振動板２、及び第２封止部材４と、絶縁部材５ａとが同一の材質になり、温度変化に対する歪を低減できる。これにより、温度変化に伴う水晶振動子１０１全体の歪を緩和することができる。

ここで、温度センサ部５の抵抗値を低減する観点から、温度センサ部５は、並列に接続された複数の薄膜サーミスタを備えていることが好ましい。図１１、図１２に、３つの薄膜サーミスタが並列に接続された変形例を示している。図１１に示す変形例２では、第１封止部材３の第１主面３１１上に、温度センサ部５の３つの絶縁部材５ａが搭載されている。一方、図１２に示す変形例３では、第１封止部材３の第１主面３１１上に、温度センサ部５の２つの絶縁部材５ａが搭載されている。なお、薄膜サーミスタの数は、２つ、あるいは４つ以上であってもよい。

具体的には、図１１に示す変形例２では、上述した変形例１の絶縁部材５ａ（図１０参照）と同様の構成の絶縁部材５ａが３つ設けられており、各絶縁部材５ａの第１主面５１１に薄膜サーミスタが成膜されている。温度センサ部５の絶縁部材５ａと、第１封止部材３との接合は、上述した変形例１の場合と同様に、拡散接合（Ａｕ−Ａｕ接合）にて行われる。同様に、温度センサ部５の絶縁部材５ａ同士の接合も、拡散接合（Ａｕ−Ａｕ接合）にて行われる。そして、３つの絶縁部材５ａにそれぞれ形成された薄膜サーミスタが、並列に接続されている。これにより、温度センサ部５の合成抵抗値を低下させることができ、温度センサ部５の抵抗値を実用的なレベルまで低下させることができる。

図１２に示す変形例３では、第１封止部材３の第１主面３１１上に搭載された絶縁部材５ｂの第１主面５１１には、凹部５４が形成されており、凹部５４の底面５１３に薄膜サーミスタが成膜されている。また、凹部５４の内壁面には、薄膜サーミスタまで延びる壁面電極５５が形成されている。このような絶縁部材５ｂの上に、更に、絶縁部材５ｃが搭載されている。絶縁部材５ｃには、第１主面５１１及び第２主面５１２の両主面に、薄膜サーミスタが形成されている。この変形例３においても、温度センサ部５の絶縁部材５ｂと、第１封止部材３との接合は、上述した変形例１の場合と同様に、拡散接合（Ａｕ−Ａｕ接合）にて行われる。同様に、温度センサ部５の絶縁部材５ｂと絶縁部材５ｃの接合も、拡散接合（Ａｕ−Ａｕ接合）にて行われる。そして、２つの絶縁部材５ｂ，５ｃに形成された合計３つの薄膜サーミスタが、並列に接続されている。これにより、温度センサ部５の合成抵抗値を低下させることができ、温度センサ部５の抵抗値を実用的なレベルまで低下させることができる。また、変形例３では、変形例２に比べて、絶縁部材の数を１つ減らすことができ、水晶振動子１０１のパッケージ１２の低背化に貢献できる。

今回開示した実施形態は、すべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、本発明の技術的範囲には、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。

上記実施形態では、第１封止部材３の第１主面３１１に、薄膜サーミスタを有する温度センサ部５が設けられたが、これ以外の箇所に温度センサ部５を設ける構成としてもよい。つまり、第１封止部材３の両主面３１１，３１２及び第２封止部材４の両主面４１１，４１２のうち、少なくとも１つの主面に、薄膜サーミスタを有する温度センサ部５が設けられていればよい。この場合、第１封止部材３の両主面３１１，３１２及び第２封止部材４の両主面４１１，４１２のうち、１つの主面のみに温度センサ部５を設けてもよいし、あるいは、２つ以上の主面に温度センサ部５を設けてもよい。例えば、第１封止部材３の第１主面３１１と、第２封止部材４の第２主面４１２とに、温度センサ部５をそれぞれ設ける構成としてもよい。

そして、第１封止部材３の第２主面３１２または第２封止部材４の第１主面４１１に温度センサ部５が設けられた構成では、第１封止部材３及び第２封止部材４によって振動部２２を気密封止する内部空間１３側に温度センサ部５が配置されるので、温度センサ付きの水晶振動子１０１のパッケージ１２の低背化を図ることができる。また、温度センサ部５が振動部２２と同じ内部空間１３内に設けられるため、より振動部２２の温度に近い温度を検出でき、温度センサ部５による温度検出の精度向上を図ることができる。

上記実施形態において、薄膜サーミスタを有する温度センサ部５に、並列に接続された抵抗体を備える構成としてもよい。抵抗体の数は、１つであってもよく、あるいは複数であってもよい。抵抗体を設ける箇所は、特に限定されず、例えば、第２封止部材４の第２主面４１２に設ける構成としてもよい。このような抵抗体を設けることによって、温度センサ部５の合成抵抗値を低下させることができる。

上記実施形態では、励振電極用外部端子と第１励振電極２２１、第２励振電極２２２との間の励振電極用電気的経路が、第１封止部材３の第１主面３１１に設けられた電極パターン３７を経由する構成としたが、励振電極用電気的経路は、第１封止部材３の第１主面３１１を経由しない構成であってもよい。この場合、振動部２２を封止する封止部を構成する振動側第１接合パターン２５１、振動側第２接合パターン２５２等の内側に、言い換えれば、平面視で内部空間１３の内方に、励振電極用電気的経路を構成する貫通孔を形成することが可能である。

上記実施形態では、水晶振動板としてＡＴカット水晶を用いたが、これに限定されるものではなく、ＡＴカット水晶以外の水晶を用いてもよい。また、第１封止部材３及び第２封止部材４としてＡＴカット水晶を用いたが、これに限定されるものではなく、ＡＴカット水晶以外の水晶や、水晶以外の脆性材料（例えばガラス等）を用いてもよい。また、絶縁部材として水晶板を用いたが、これに限定されるものではなく、例えばガラス板等を用いてもよい。

以上では、本発明を水晶振動子に適用した場合について説明したが、水晶振動子以外の圧電振動デバイス（例えば水晶発振器）にも本発明を適用することが可能である。

本発明は、温度センサ付きの圧電振動デバイスに利用可能である。

１０１ 水晶振動子（圧電振動デバイス）
２ 水晶振動板（圧電振動板）
２２ 振動部
２３ 外枠部
２４ 保持部
２１１ 第１主面（一主面）
２１２ 第２主面（他主面）
２２１ 第１励振電極
２２２ 第２励振電極
３ 第１封止部材
３１１ 第１主面（一主面）
３１２ 第２主面（他主面）
４ 第２封止部材
４１１ 第１主面（一主面）
４１２ 第２主面（他主面）
５ 温度センサ部
５１ 対向電極
５２ 抵抗膜

Claims (6)

1. 基板の一主面に第１励振電極が形成され、前記基板の他主面に前記第１励振電極と対になる第２励振電極が形成された圧電振動板と、
   前記圧電振動板の前記第１励振電極を覆う第１封止部材と、
   前記圧電振動板の前記第２励振電極を覆う第２封止部材とを備え、
   前記第１封止部材と前記圧電振動板とが接合され、前記第２封止部材と前記圧電振動板とが接合されて、前記第１励振電極及び前記第２励振電極を含む前記圧電振動板の振動部が気密封止された圧電振動デバイスにおいて、
   前記第１封止部材の一主面であって前記圧電振動板に面しない方の主面には、薄膜サーミスタを有する温度センサ部が設けられており、
   前記第２封止部材の他主面であって前記圧電振動板に面しない方の主面には、サーミスタ用外部端子と、励振電極用外部端子とが形成されていることを特徴とする圧電振動デバイス。
2. 請求項１に記載の圧電振動デバイスにおいて、
   前記サーミスタ用外部端子と前記薄膜サーミスタとの間の電気的経路と、前記励振電極用外部端子と前記励振電極との間の電気的経路とが、互いに独立になっていることを特徴とする圧電振動デバイス。
3. 請求項２に記載の圧電振動デバイスにおいて、
   前記薄膜サーミスタへの前記電気的経路は、前記第２封止部材に形成されたスルーホール、前記圧電振動板に形成されたスルーホール、及び、前記第１封止部材に形成されたスルーホールを含む構成になっていることを特徴とする圧電振動デバイス。
4. 請求項３に記載の圧電振動デバイスにおいて、
   前記第１封止部材と前記薄膜サーミスタとの間には、絶縁部材が介在されていることを特徴とする圧電振動デバイス。
5. 請求項１〜４のいずれか１つに記載の圧電振動デバイスにおいて、
   前記薄膜サーミスタは、一対の櫛形電極と、当該一対の櫛形電極に挟まれた抵抗膜を含む構成になっていることを特徴とする圧電振動デバイス。
6. 請求項１〜５のいずれか１つに記載の圧電振動デバイスにおいて、
   前記温度センサ部は、並列に接続された複数の薄膜サーミスタを備えていることを特徴とする圧電振動デバイス。

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