TWI642550B - 基於糖的奈米材料的轉移方法 - Google Patents

基於糖的奈米材料的轉移方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI642550B
TWI642550B TW106105232A TW106105232A TWI642550B TW I642550 B TWI642550 B TW I642550B TW 106105232 A TW106105232 A TW 106105232A TW 106105232 A TW106105232 A TW 106105232A TW I642550 B TWI642550 B TW I642550B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
sugar
nano material
layer
material layer
Prior art date
Application number
TW106105232A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201827236A (zh
Inventor
張麗娜
張曉瑞
顧小華
姜開利
范守善
Original Assignee
鴻海精密工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 鴻海精密工業股份有限公司 filed Critical 鴻海精密工業股份有限公司
Publication of TW201827236A publication Critical patent/TW201827236A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI642550B publication Critical patent/TWI642550B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G39/00—Compounds of molybdenum
    • C01G39/06—Sulfides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
    • B32B37/025—Transfer laminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/28—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by transfer from the surfaces of elements carrying the liquid or other fluent material, e.g. brushes, pads, rollers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
    • B81C3/008—Aspects related to assembling from individually processed components, not covered by groups B81C3/001 - B81C3/002
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/194—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/28—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by transfer from the surfaces of elements carrying the liquid or other fluent material, e.g. brushes, pads, rollers
    • B05D1/286—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by transfer from the surfaces of elements carrying the liquid or other fluent material, e.g. brushes, pads, rollers using a temporary backing to which the coating has been applied
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
    • B81C2201/0191—Transfer of a layer from a carrier wafer to a device wafer
    • B81C2201/0195—Transfer of a layer from a carrier wafer to a device wafer the layer being unstructured
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • Y10S977/892—Liquid phase deposition

Abstract

本發明涉及一種基於糖的奈米材料的轉移方法，包括以下步驟：在一第一基底上沈積一膠狀糖；將一第二基底及設置在該第二基底表面的一奈米材料層壓於所述膠狀糖上，並使得所述奈米材料層黏附於該膠狀糖遠離所述第一基底的表面上；將所述膠狀糖固化變為一固體糖層；撕下所述第二基底；將一第四基底設置在該奈米材料層遠離所述固體糖層的表面；將所述第一基底、固體糖層、奈米材料層及第四基底置於一溶劑中，使該固體糖層溶解，所述奈米材料層與該第一基底脫離，該奈米材料層附著於所述第四基底上。

Description

基於糖的奈米材料的轉移方法
本發明涉及奈米材料技術領域，特別涉及一種奈米材料的轉移方法。
奈米材料如石墨烯、硫化鉬等由於具有優異的性質而成為化學、材料學和物理學的研究熱點。目前規模化製備和轉移仍是奈米材料研究的一個重大課題。例如，先前技術中石墨烯可通過機械剝離法、碳化矽外延生長法、氧化還原法、化學氣相沈積法等方法製備得到，其中採用銅等金屬作為基底的化學氣相沈積法易於合成大面積、均勻、品質高和層數可控的石墨烯被廣泛應用。
目前，從銅等第二基底轉移石墨烯的最常用的方法是：採用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或熱釋放膠帶等作為支撐材料，刻蝕銅後，將石墨烯和支撐材料轉移到目標基體上，最後去除支撐材料。但在實際操作中，PMMA或熱釋放膠帶不易清除乾淨，殘留的有機粘合劑會對石墨烯造成很大的污染，進而影響性能表徵和器件製備。
有鑒於此，提供一種乾淨、無污染的奈米材料的轉移方法實為必要。
一種基於糖的奈米材料的轉移方法，包括以下步驟：在一第一基底上沈積一膠狀糖；將一第二基底及設置在該第二基底表面的一奈米材料層壓於所述膠狀糖上，並使得所述奈米材料層黏附於該膠狀糖遠離所述第一基底的表面上；將所述膠狀糖固化變為一固體糖層；撕下所述第二基底；將一第四基底設置在該奈米材料層遠離所述固體糖層的表面；將所述第一基底、固體糖層、奈米材料層及第四基底置於一溶劑中，使該固體糖層溶解，所述奈米材料層與該第一基底脫離，該奈米材料層附著於所述第四基底上。
所述沈積膠狀糖的方法為刷塗法、刮塗法、噴塗法中的一種。
所述膠狀糖通過將固體糖加熱熔融得到，或通過將含糖的水溶液熬制提純得到。
所述膠狀糖的材料為純糖。
所述膠狀糖的糖為麥芽糖、葡萄糖、蔗糖中的一種或多種。
所述奈米材料層為二維奈米膜。
所述奈米材料層的材料為石墨烯和硫化鉬中的一種。
所述奈米材料層的厚度為0.34奈米至100奈米。
所述固化的溫度為-20℃至26℃。
一種基於糖的奈米材料的轉移方法，包括以下步驟：提供一第一基底，一第二基底及設置在該第二基底表面的一奈米材料層；將所述第一基底與所述奈米材料層通過一膠狀糖黏結；將所述膠狀糖固化變為一固體糖層；撕下所述第二基底；將一第四基底設置在該奈米材料層遠離所述固體糖層的表面；將所述第一基底、固體糖層、奈米材料層及第四基底置於一溶劑中，使該固體糖層溶解，所述奈米材料層與該第一基底脫離，該奈米材料層附著於所述第四基底上。
與先前技術相比較，本發明提供的基於糖的奈米材料的轉移方法，由於糖極易溶于水，易得到潔淨、無污染的奈米材料層；液體糖在壓力作用下可與奈米材料充分接觸，可完整轉移奈米材料層。
下面將結合具體實施例，對本發明提供的基於糖的奈米材料的轉移方法作進一步詳細說明。
請參閱圖1，本發明第一實施例提供的基於糖的奈米材料的轉移方法，其包括以下步驟： 步驟S1，在一第一基底101上沈積一膠狀糖102； 步驟S2，將一第二基底104及設置在該第二基底104表面的奈米材料層103壓於所述膠狀糖102上，並使得所述奈米材料層103黏附於該膠狀糖102遠離所述第一基底101的表面上； 步驟S3，將所述膠狀糖102固化變為一固體糖層106； 步驟S4，撕下所述第二基底104； 步驟S5，將一第四基底107設置在該奈米材料層103遠離固體糖層106的表面； 步驟S6，將所述第一基底101、固體糖層106、奈米材料層103及第四基底107置於水中，使該固體糖層106溶解，所述奈米材料層103與該第一基底101脫離，該奈米材料層103附著於所述第四基底107上。
在步驟S1中，在所述第一基底101上沈積所述膠狀糖102可通過刷塗法、刮塗法、噴塗法等方法實現。該膠狀糖102也可通過針管直接將糖滴到該第一基底101的表面上，糖的用量可為一滴或多滴，具體用量可根據實際需要選擇。
所述第一基底101起到支撐作用。該第一基底101的材料不限，可為二氧化矽、氮化矽等材料形成的絕緣基板，金、鋁、鎳、鉻、銅等材料形成的金屬基板，或矽、氮化鎵、砷化鎵等材料形成的半導體基板。所述第一基底101的長度、寬度及厚度不限，可根據需要調整。本實施例中，所述第一基底101為石英片。
所述膠狀糖102可通過將塊狀或顆粒狀等固體糖加熱熔融後得到，也可通過將含糖的水溶液熬制提純得到。所述膠狀糖的材料為純糖或含少量水的糖。同時，所述膠狀糖呈現為膠狀狀態，且該膠狀糖需滿足與奈米材料接觸時，能夠吸附于奈米材料的表面，並與奈米材料充分接觸，以實現奈米材料的完整轉移。所述膠狀糖中的糖可為麥芽糖、葡萄糖、蔗糖等。
在步驟S2中，在壓制過程中，膠狀的膠狀糖102在壓力作用下可與奈米材料充分接觸，並緊密結合，以使得該奈米材料層103能夠被完整轉移。請參閱圖2，(a)、(b)為採用麥芽糖轉移單層石墨烯的轉移前的掃描電鏡照片，(a’)、(b’)為採用麥芽糖轉移單層石墨烯的轉移後的掃描電鏡照片，從圖2中可以看出採用麥芽糖轉移的石墨烯可被完整轉移。
所述奈米材料層103為一個二維結構的具有一定面積的膜結構。該奈米材料層103的厚度為0.34奈米至100奈米。優選地，該奈米材料層的厚度可為10奈米、20奈米、50奈米。具體地，該奈米材料層103可為石墨烯、硫化鉬等二維材料。當所述奈米材料層103為石墨烯時，該石墨烯層包括至少一層石墨烯。當石墨烯層包括複數石墨烯時，該複數石墨烯可以相互搭接形成石墨烯層，以使石墨烯層具有更大的面積；或者該複數石墨烯可以相互疊加形成石墨烯層，以使石墨烯層的厚度增加。優選地，該石墨烯層為一單層石墨烯。所述石墨烯為由複數碳原子通過sp 2鍵雜化構成的單層的二維平面結構。該石墨烯的厚度可以為單層碳原子的厚度。石墨烯層具有較高的透光性，單層的石墨烯的透光率可以達到97.7%。由於石墨烯層的厚度非常薄，因此具有較低的熱容，其熱容可以小於2×10 -3焦耳每平方厘米開爾文，單層石墨烯的熱容可以小於5.57×10 -4焦耳每平方厘米開爾文。所述石墨烯層為一自支撐結構，所述自支撐為石墨烯層不需要大面積的載體支撐，而只要相對兩邊提供支撐力即能整體上懸空而保持自身膜狀狀態，即將該石墨烯層置於（或固定於）間隔一固定距離設置的兩個支撐體上時，位於兩個支撐體之間的石墨烯層能夠懸空保持自身膜狀狀態。實驗表明，石墨烯並非一個百分之百的光潔平整的二維膜，而是有大量的微觀起伏在石墨烯的表面上，單層石墨烯正是借助這種方式來維持自身的自支撐性及穩定性。本實施例中，所述奈米材料層103為單層石墨烯。
所述第二基底104起支撐該奈米材料層103的作用。該第二基底104可以為金屬材料，比如銅、鎳等，也可以為非金屬材料，比如石英片、玻璃、塑膠、膠帶等。所述第二基底104的長度、寬度及厚度不限，根據需要可以調整。所述第二基底104可以為平面，也可以為彎曲面。本實施例中，所述第二基底104為一平面銅基底，且所述奈米材料層103直接生長在該銅金屬基底104上。
進一步，所述第二基底104及所述奈米材料層103可通過一第三基底105壓於所述膠狀糖102上。具體地，將所述第三基底105放置於所述第二基底104遠離所述膠狀糖102的表面上，對該第三基底105施力，從而可將所述第二基底104及所述奈米材料層103壓於所述膠狀糖102上。所述第三基底105的面積可略大於所述第二基底104及奈米材料層103的面積，以使得所述第三基底105可以較容易將第二基底104及奈米材料層103壓於所述膠狀糖102上。
所述第三基底105主要提供均勻壓制力。該第三基底105可為玻璃、石英、陶瓷、金剛石等硬性材料，也可為塑膠、樹脂等柔性材料。優選地，所述第三基底105為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)，這是由於PET與所述固體糖層106無黏性。本實施例中，所述第三基底105的材料為PET。可以理解，所述第三基底105為可選，其可以採用滾輪等施壓裝置替代，或者也可以直接向所述第二基底104施加壓力。
在步驟S3中，所述膠狀糖102與奈米材料層103黏附後，將所述膠狀糖102降溫固化。所述固化溫度為-20℃至26℃。優選地，該膠狀糖102通過冷凍固化，固化的溫度可為-15℃以下。固化後，所述膠狀糖102由膠狀體變為固體。本實施例中，將所述第一基底101、所述膠狀糖102以及所述奈米材料層103置於冰箱中冷凍5-10分鐘。
在步驟S4中，由於所述固體糖層106與奈米材料層103的黏結力大於奈米材料層103與所述第二基底104的吸附力，該第二基底104在被撕下的過程中不會破壞所述奈米材料層103的完整性。
在步驟S5中，所述第四基底107直接貼附于該奈米材料層103的表面，該第四基底107與該奈米材料層103可通過凡得瓦力相結合。具體地，將所述第四基底107設置在最底端，使得所述奈米材料層103直接壓於所述第四基底107的表面上。所述第四基底107可以為金屬材料，比如銅、鎳等，也可為非金屬材料，比如石英片、玻璃、塑膠、矽片等。該第四基底107的長度、寬度及厚度不限，可根據需要調整。該第四基底107的表面可為平面，也可以為彎曲面。本實施例中，所述第四基底107的材料為二氧化矽。
在步驟S6中，將所述第一基底101、固體糖層106、奈米材料層103及第四基底107置於溶劑中後，由於糖會溶於溶劑中，該固體糖層106會完全溶解於溶劑中，從而所述固體糖層106消失。本實施例中，所述溶劑為水。所述奈米材料層103由於沒有固體糖層106的黏附而與所述第一基底101脫離。又，所述第四基底107與所述奈米材料層103直接接觸，從而所述奈米材料層103在凡得瓦力的作用下附著於所述第四基底107上。進一步，溶於溶劑中的糖還可通過熬制提純而重新利用以製備膠狀糖，可重複利用，節約資源。
請參閱圖3，圖3為分別採用PMMA法和麥芽糖轉移得到的石墨烯掃描圖。其中，圖3中(a)為採用PMMA法轉移得到的石墨烯，可以看出石墨烯上有明顯的顆粒物（刻蝕殘留物）和亮白色的物質（PMMA）；圖3中(b)為採用麥芽糖轉移的石墨烯，可以看出通過本發明提供的轉移方法得到的石墨烯乾淨、無雜質。
請參閱圖4，本發明第二實施例提供的基於糖的奈米材料的轉移方法，其包括以下步驟： 步驟S1，提供一第二基底104及設置在該第二基底104表面的奈米材料層103，在該奈米材料層103遠離第二基底104的表面沈積一膠狀糖102； 步驟S2，將一第一基底101壓於所述膠狀糖102遠離奈米材料層103的表面上； 步驟S3，將所述膠狀糖102固化變為一固體糖層106； 步驟S4，撕下所述第二基底104； 步驟S5，將一第四基底107設置在該奈米材料層103遠離固體糖層106的表面； 步驟S6，將所述第一基底101、固體糖層106、奈米材料層103及第四基底107置於水中，使該固體糖層106溶解，所述奈米材料層103與該第一基底101脫離，該奈米材料層103附著於所述第四基底107上。
本發明第二實施例提供的奈米材料的轉移方法與第一實施例提供的奈米材料的轉移方法基本相同，其區別在於，該第二實施例中所述膠狀糖102先沈積於所述奈米材料層103的表面上，再採用所述第一基底101將所述膠狀糖102壓於所述奈米材料層103上，使得所述奈米材料層103與所述膠狀糖102完全接觸並黏附。
本發明提供的石墨烯的轉移方法具有以下優點：一、由於本發明採用的糖極易溶于水，容易去除，可得到潔淨的奈米材料層；二、膠狀糖在一定壓力作用下可與奈米材料層充分接觸，從而可完整轉移奈米材料層；三、糖為傳統美食，且可以溶于水，方便環保，在轉移過程中所採用的第二基底也可完整保留；四、由於糖的柔軟特性，所述奈米材料層可方便轉移到曲面基底上。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> 第一基底 </td><td> 101 </td></tr><tr><td> 膠狀糖 </td><td> 102 </td></tr><tr><td> 奈米材料層 </td><td> 103 </td></tr><tr><td> 第二基底 </td><td> 104 </td></tr><tr><td> 第三基底 </td><td> 105 </td></tr><tr><td> 固體糖層 </td><td> 106 </td></tr><tr><td> 第四基底 </td><td> 107 </td></tr></TBODY></TABLE>
圖1是本發明第一實施例提供的基於糖的奈米材料的轉移方法流程圖。
圖2是採用麥芽糖轉移單層石墨烯的轉移前後對比圖。
圖3是採用PMMA法和麥芽糖轉移得到的石墨烯的掃描電鏡圖。
圖4是本發明第二實施例提供的基於糖的奈米材料的轉移方法流程圖。
無

Claims (10)

  1. 一種基於糖的奈米材料的轉移方法，包括以下步驟： 在一第一基底上沈積一膠狀糖； 將一第二基底及設置在該第二基底表面的一奈米材料層壓於所述膠狀糖上，並使得所述奈米材料層黏附於該膠狀糖遠離所述第一基底的表面上； 將所述膠狀糖固化變為一固體糖層； 撕下所述第二基底； 將一第四基底設置在該奈米材料層遠離所述固體糖層的表面； 將所述第一基底、固體糖層、奈米材料層及第四基底置於一溶劑中，使該固體糖層溶解，所述奈米材料層與該第一基底脫離，該奈米材料層附著於所述第四基底上。
  2. 如請求項1所述的奈米材料的轉移方法，其中，所述沈積膠狀糖的方法為刷塗法、刮塗法、噴塗法中的一種。
  3. 如請求項1所述的奈米材料的轉移方法，其中，所述膠狀糖通過將固體糖加熱熔融得到，或通過將含糖的水溶液熬制提純得到。
  4. 如請求項1所述的奈米材料的轉移方法，其中，所述膠狀糖的材料為純糖。
  5. 如請求項1所述的奈米材料的轉移方法，其中，所述膠狀糖的糖為麥芽糖、葡萄糖、蔗糖中的一種或多種。
  6. 如請求項1所述的奈米材料的轉移方法，其中，所述奈米材料層為二維奈米膜。
  7. 如請求項1所述的奈米材料的轉移方法，其中，所述奈米材料層的材料為石墨烯和硫化鉬中的一種。
  8. 如請求項1所述的奈米材料的轉移方法，其中，所述奈米材料層的厚度為0.34奈米至100奈米。
  9. 如請求項1所述的奈米材料的轉移方法，其中，所述固化的溫度為-20℃至26℃。
  10. 一種基於糖的奈米材料的轉移方法，包括以下步驟： 提供一第一基底，一第二基底及設置在該第二基底表面的一奈米材料層； 將所述第一基底與所述奈米材料層通過一膠狀糖黏結； 將所述膠狀糖固化變為一固體糖層； 撕下所述第二基底； 將一第四基底設置在該奈米材料層遠離所述固體糖層的表面； 將所述第一基底、固體糖層、奈米材料層及第四基底置於一溶劑中，使該固體糖層溶解，所述奈米材料層與該第一基底脫離，該奈米材料層附著於所述第四基底上。
TW106105232A 2017-01-20 2017-02-17 基於糖的奈米材料的轉移方法 TWI642550B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??201710051758.1 2017-01-20
CN201710051758.1A CN108328603B (zh) 2017-01-20 2017-01-20 基于糖的纳米材料的转移方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201827236A TW201827236A (zh) 2018-08-01
TWI642550B true TWI642550B (zh) 2018-12-01

Family

ID=62905967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106105232A TWI642550B (zh) 2017-01-20 2017-02-17 基於糖的奈米材料的轉移方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10414141B2 (zh)
CN (1) CN108328603B (zh)
TW (1) TWI642550B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107111170B (zh) * 2015-12-11 2020-08-28 深圳市柔宇科技有限公司 柔性显示模组的绑定方法
CN112624095A (zh) * 2020-12-21 2021-04-09 西安交通大学 一种基于水相变的二维材料转移方法
CN113830727A (zh) * 2021-09-09 2021-12-24 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 微纳件的转移方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103224231A (zh) * 2013-04-23 2013-07-31 北京大学 一种石墨烯薄膜的转移方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015102459A1 (ko) * 2014-01-06 2015-07-09 광주과학기술원 진공 열처리를 이용한 그래핀 전사방법 및 그래핀 전사 장치
CN104876181B (zh) * 2014-02-28 2017-04-26 清华大学 纳米结构的转移方法
CN104495810B (zh) * 2014-12-10 2016-10-05 华侨大学 大规模制备石墨烯的绿色方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103224231A (zh) * 2013-04-23 2013-07-31 北京大学 一种石墨烯薄膜的转移方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108328603B (zh) 2021-10-12
TW201827236A (zh) 2018-08-01
CN108328603A (zh) 2018-07-27
US20180207922A1 (en) 2018-07-26
US10414141B2 (en) 2019-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Advances in transferring chemical vapour deposition graphene: a review
Kang et al. Graphene transfer: key for applications
US9840024B2 (en) Method for the fabrication and transfer of graphene
TWI642550B (zh) 基於糖的奈米材料的轉移方法
US9023220B2 (en) Method of manufacturing a graphene monolayer on insulating substrates
US9656246B2 (en) Vertically aligned arrays of carbon nanotubes formed on multilayer substrates
Zaretski et al. Processes for non-destructive transfer of graphene: widening the bottleneck for industrial scale production
US9469540B2 (en) Method for transferring carbon nanotube array and method for forming carbon nanotube structure
TWI617507B (zh) 奈米碳管膜的製備方法
US10906286B2 (en) Method for transferring two-dimensional nanomaterials
TW201601989A (zh) 奈米碳管陣列的轉移方法及奈米碳管結構的製備方法
TWI549904B (zh) 奈米碳管膜的製備方法
TW201932409A (zh) 懸空二維奈米材料的製備方法
TWI571433B (zh) 奈米碳管膜的製備方法
TW201116606A (en) Method and an apparatus for transferring carbonaceous material layer
TW201625481A (zh) 奈米碳管陣列的製備方法和奈米碳管膜的製備方法
Guo et al. Rapid chemical vapor deposition of graphene on liquid copper
CN108648853A (zh) 石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法
TWI736812B (zh) 奈米碳管陣列的轉移方法
US20190232632A1 (en) Method for transferring two-dimensional nanomaterials
CN112174121A (zh) 一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法
CN116040578A (zh) 一种乐高式范德华异质结及其制备方法
TW201939567A (zh) 透射電鏡微柵及透射電鏡微柵的製備方法
TW201123967A (en) Method for preparing organic light emitting diode and device thereof
CN111845003B (zh) 纳米材料的可控性热压实现方法