TWI634016B - 配向膜的形成方法 - Google Patents

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Abstract

一種網紋輥的清潔方法，適於對網紋輥的圖案結構進行清潔，以將殘留在圖案結構上的殘留物清除。清潔方法包括以下步驟：首先，以大氣壓電漿技術產生氣體電漿，且此氣體電漿包括氣態氧化劑。接著，以氣體電漿中的氣態氧化劑使殘留在圖案結構上的殘留物氧化。

Description

配向膜的形成方法
本發明是有關於一種清潔方法，且特別是有關於一種網紋輥的清潔方法。
網紋輥是表面具有規則性圖案結構的滾輪，用以提取材料以進行相關的加工。主要應用於軟版印刷產業中，並且在液晶顯示面板的生產中作為關鍵的塗佈設備零件。一般而言，液晶顯示面板的配向膜，如聚醯亞胺(Polyimide,PI)配向膜，是透過網紋輥來進行塗佈的。當網紋輥在進行配向膜塗佈或者網紋輥在進行其他印刷應用的過程中，配向膜材料或是其他印刷材料如膠材、顏料等殘留物容易殘留在網紋輥的圖案結構上。一般而言，會使用大量的溶劑來進行清潔，或是透過刷洗的方式來清除殘留在圖案結構上的殘留物。然而，傳統清潔方式使用到的溶劑容易造成環境汙染。此外，刷洗的方式屬於一種物理清潔方式，其容易造成網紋輥的圖案結構發生磨損或破壞。有鑑於網紋輥的圖案結構係透過精密加工而得，其價格高昂。因此，上述物理清潔的方式並不具備經濟效益。
本發明提供一種網紋輥的清潔方法，其可以有效清潔網紋輥的表面，其不會破壞網紋輥的圖案結構，且其具備環保效益。
本發明實施例的網紋輥的清潔方法，適於對網紋輥的圖案結構進行清潔，以將殘留在圖案結構上的殘留物清除。網紋輥的清潔方法包括以下步驟：首先，以大氣壓電漿技術產生氣體電漿，且此氣體電漿包括氣態氧化劑。接著，以氣體電漿中的氣態氧化劑使殘留在圖案結構上的殘留物氧化。
在本發明的一實施例中，上述的氣態氧化劑包括帶氧離子。
在本發明的一實施例中，上述的氣態氧化劑包括氧自由基。
在本發明的一實施例中，上述的氣體電漿的反應氣體源包括空氣。
在本發明的一實施例中，上述的氣體電漿的反應氣體源包括氧氣。
在本發明的一實施例中，上述的以大氣壓電漿技術產生氣體電漿的方法包括以噴射式大氣電漿技術產生氣體電漿。
在本發明的一實施例中，上述的以大氣壓電漿技術產生氣體電漿的方法包括以介電質放電式大氣電漿技術產生氣體電漿。
在本發明的一實施例中，上述的以大氣壓電漿技術產生氣體電漿的方法包括以電暈放電式大氣電漿技術產生氣體電漿。
在本發明的一實施例中，上述的氣體電漿中的氣態氧化劑使殘留在圖案結構上的殘留物氧化後揮發。
在本發明的一實施例中，上述的圖案結構中的殘留物包括有機物質。
在本發明的一實施例中，上述的圖案結構包括蜂巢狀圖案結構。
在本發明的一實施例中，上述的圖案結構包括菱格狀圖案結構。
在本發明的一實施例中，上述的圖案結構包括條紋狀圖案結構。
基於上述，本發明實施例的網紋輥的清潔方法包括以下步驟：首先，以大氣壓電漿技術產生氣體電漿，且此氣體電漿包括氣態氧化劑。接著，以氣體電漿中的氣態氧化劑使殘留在圖案結構上的殘留物氧化。殘留在網紋輥的圖案結構上的殘留物經氧化後得以揮發而由圖案結構上移除。因此，在本發明實施例的網紋輥的清潔方法中，不必透過傳統刷洗的方式即可得以有效清除圖案結構上的殘留物，使得網紋輥的圖案結構不會在清潔的過程中受到破壞。另外，由於本發明實施例的網紋輥的清潔方法在清潔的過程中也不會使用到傳統的清潔溶劑，因此網紋輥的清潔方法還具備良好的環保效益。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
110、210a、210b、210c‧‧‧網紋輥
112、212a、212b、212c‧‧‧圖案結構
114‧‧‧壁
116‧‧‧凹槽
120‧‧‧大氣壓電漿產生裝置
122‧‧‧噴嘴
A‧‧‧區域
GO‧‧‧氣態氧化劑
GP‧‧‧氣體電漿
R‧‧‧殘留物
S300、S310‧‧‧網紋輥的清潔方法的步驟
圖1A繪示本發明一實施例的網紋輥及大氣壓電漿產生裝置。
圖1B繪示圖1A實施例的網紋輥的圖案結構於區域A的放大示意圖。
圖2A至2C繪示本發明一些實施例的網紋輥的圖案結構的一部分。
圖3繪示本發明一實施例的網紋輥的清潔方法的流程示意圖。
圖1A繪示本發明一實施例的網紋輥及大氣壓電漿產生裝置，且圖1B繪示圖1A實施例的網紋輥的圖案結構於區域A的放大示意圖。請先參考圖1A。在本實施例中，網紋輥110為一滾輪，網紋輥110的表面具有圖案結構112。在液晶顯示面板的加工過程中，具有圖案結構112的網紋輥110是用以提取配向膜材料以進行配向膜的塗佈。此外，網紋輥110亦可以應用於其他的印刷製程，本發明並不以此為限。具體而言，請參考圖1B，本實施例的網紋輥110的圖案結構112例如是菱格狀圖案結構。圖案結 構112包括多個交錯排列的壁114以及由這些壁114所形成的多個凹槽116。當網紋輥110例如是在進行配向膜塗佈的過程中，配向膜材料的殘留物R容易殘留在網紋輥110的圖案結構112上。舉例而言，殘留物R包括有機物質，例如是高分子材料，如聚醯亞胺(Polyimide,PI)或其他類型的高分子材料。此外，殘留物R例如是殘留在位於這些壁114之間的這些凹槽116之中。
請繼續參考圖1A，在本實施例中，網紋輥的清潔方法適於對網紋輥110的圖案結構112進行清潔，以將殘留在圖案結構112上的殘留物R清除。詳細而言，本實施例的網紋輥的清潔方法包括以下步驟。首先，以大氣壓電漿(Atmospheric Pressure Plasma)技術產生氣體電漿GP，且氣體電漿GP包括氣態氧化劑(Oxidant)GO。接著，以氣體電漿GP中的氣態氧化劑GO使殘留在圖案結構112上的殘留物R氧化。具體而言，網紋輥的清潔方法包括以大氣壓電漿產生裝置120產生氣體電漿GP。大氣壓電漿產生裝置120例如是包括噴嘴122，用以將氣體電漿GP噴射至網紋輥110的表面，以清除圖案結構112上殘留的殘留物R。
在本實施例中，上述以大氣壓電漿技術產生氣體電漿GP的方法包括以噴射式大氣電漿技術產生氣體電漿GP，且氣體電漿GP的反應氣體源例如是包括空氣。一般而言，空氣中含有18%至21%的氧氣。當空氣中的氧氣透過噴射式大氣電漿技術以進行解離後，會產生具有強氧化性的氣體，例如是氧自由基或是帶氧離子等氣體。也就是說，氣體電漿GP的氣態氧化劑GO例如是包括氧 自由基與帶氧離子的至少其中一者。然而，氣體電漿GP的反應氣體源也可以是其他反應氣體源，例如是純度較高的氧氣。此外，在一些實施例中，以大氣壓電漿技術產生氣體電漿GP的方法可以是包括以介電質放電(Barrier Discharge,DBD)式大氣電漿技術產生氣體電漿GP。此外，在一些實施例中，以大氣壓電漿技術產生氣體電漿GP的方法亦可以是包括以電暈放電(Corona Discharge)式大氣電漿技術產生氣體電漿GP，本發明並不以此為限。
具體而言，氣體電漿GP中的氣態氧化劑GO可以使殘留在圖案結構112上的殘留物R氧化後揮發。也就是說，殘留物R經由氣態氧化劑GO氧化後得以由網紋輥110的圖案結構112上移除，而使得殘留在網紋輥110的圖案結構112上的殘留物R經氧化後得以揮發而由圖案結構112上移除。因此，在本發明實施例的網紋輥的清潔方法中，不必透過傳統刷洗的方式即可得以有效清除網紋輥110的圖案結構112上的殘留物R，使得網紋輥110的圖案結構112不會在清潔的過程中受到破壞。另外，由於在本實施例的網紋輥的清潔方法中不會使用到傳統的清潔溶劑，因此本實施例的網紋輥的清潔方法還具備良好的環保效益。
圖2A至2C繪示本發明一些實施例的網紋輥的圖案結構的一部分，請參考圖2A。具體而言，本發明實施例的網紋輥的圖案結構並不限於圖1A至圖1B實施例中繪示的菱格狀圖案結構。舉例而言，圖2A繪示的網紋輥210a的圖案結構212a包括蜂巢狀 圖案結構，且圖2B繪示的網紋輥210b的圖案結構212b也是包括蜂巢狀圖案結構。另外，圖2C繪示的網紋輥210c的圖案結構212c包括條紋狀圖案結構。詳細而言，本發明實施例的網紋輥的清潔方法可適用於各種網紋輥的圖案結構，例如是至少包括圖1A至圖1B實施例的圖案結構112、圖2A實施例的圖案結構212a、圖2B實施例的圖案結構212b、圖2C實施例的圖案結構212c或是其他形式的圖案結構，本發明並不以此為限。
圖3繪示本發明一實施例的網紋輥的清潔方法的流程示意圖，請參考圖3。在本實施例中，網紋輥的清潔方法適於對網紋輥的圖案結構進行清潔，以將殘留在圖案結構上的殘留物清除。所述網紋輥的清潔方法包括以下步驟：首先，在步驟S300中，以大氣壓電漿技術產生氣體電漿，且此氣體電漿包括氣態氧化劑。接著，在步驟S310中，以氣體電漿中的氣態氧化劑使殘留在圖案結構上的殘留物氧化。具體而言，本發明之實施例的網紋輥的清潔方法可以由圖1A至圖2D之實施例的敘述中獲致足夠的教示、建議與實施說明，因此不再贅述。
綜上所述，本發明實施例的網紋輥的清潔方法包括以下步驟：首先，以大氣壓電漿技術產生氣體電漿，且此氣體電漿包括氣態氧化劑。接著，以氣體電漿中的氣態氧化劑使殘留在圖案結構上的殘留物氧化。殘留在網紋輥的圖案結構上的殘留物經氧化後得以揮發而由圖案結構上移除。因此，在本發明實施例的網紋輥的清潔方法中，不必透過傳統刷洗的方式即可得以有效清除 圖案結構上的殘留物，使得網紋輥的圖案結構不會在清潔的過程中受到破壞。另外，由於本發明實施例的網紋輥的清潔方法在清潔的過程中也不會使用到傳統的清潔溶劑，因此網紋輥的清潔方法還具備良好的環保效益。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (13)

  1. 一種配向膜的形成方法，包括：提供一網紋輥，該網紋輥的表面具有一圖案結構；對該網紋輥的一圖案結構進行清潔，以將殘留在該圖案結構上的殘留物清除，該網紋輥的清潔方法包括：以大氣壓電漿技術產生一氣體電漿，該氣體電漿包括氣態氧化劑；以及以該氣體電漿中的氣態氧化劑使殘留在該圖案結構上的殘留物氧化；以及藉由該網紋輥來提取該配向膜的材料，以進行該配向膜的塗佈。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中該氣態氧化劑包括帶氧離子。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中該氣態氧化劑包括氧自由基。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中該氣體電漿的反應氣體源包括空氣。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中該氣體電漿的反應氣體源包括氧氣。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中以大氣壓電漿技術產生該氣體電漿的方法包括以噴射式大氣電漿技術產生該氣體電漿。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中以大氣壓電漿技術產生該氣體電漿的方法包括以介電質放電式大氣電漿技術產生該氣體電漿。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中以大氣壓電漿技術產生該氣體電漿的方法包括以電暈放電式大氣電漿技術產生該氣體電漿。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中該氣體電漿中的氣態氧化劑使殘留在該圖案結構上的殘留物氧化後揮發。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中該圖案結構中的該殘留物包括有機物質。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中該圖案結構包括蜂巢狀圖案結構。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中該圖案結構包括菱格狀圖案結構。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的配向膜的形成方法，其中該圖案結構包括條紋狀圖案結構。
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