TWI626730B - 外延晶片的製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種使用外延反應器製造外延晶片的方法，外延反應器包含具有氣體入口以及氣體出口的一腔室，包含以下步驟：清洗腔室以從腔室中去除污染物，執行惰性閒置以停止外延反應器的電源，以及執行虛擬運行以在至少一個虛擬晶片上沉積外延層，其中清洗包含：烘焙，其中腔室的一內部溫度保持在1150至1200℃，蝕刻，其中一蝕刻氣體供應到腔室並通過氣體出口排出，以及最終排出，其中腔室的一內部溫度保持在700至800℃，同時將一氫氣或一惰性氣體供應至腔室並通過氣體出口排出。
Description
本發明係關於一外延晶片的製造方法。
廣泛用作製造一半導體裝置之材料的一矽晶片稱為由多晶矽作為原材料形成的一晶體矽薄板。
根據處理方法，矽晶片可分為一拋光晶片、一外延晶片、一絕緣體上矽晶片（SOI晶片）、一擴散晶片、以及一氫退火晶片（HI晶片）。
包含在一原始矽晶片上生長的一晶體層的晶片稱為一外延晶片。 外延晶片具有相比較於原始矽晶片更少的表面缺陷，並且雜質各種濃度或類型可控制。
因此，本發明關於一種外延晶片的製造方法，藉以克服由於習知技術之限制及缺點所產生的一個或多個問題。
本發明的一方面在於提供一種能夠防止缺陷的外延晶片的製造方法。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種使用外延反應器製造外延晶片的方法，外延反應器包含具有氣體入口以及氣體出口的一腔室，包含以下步驟：清洗腔室以從腔室中去除污染物，執行惰性閒置以停止外延反應器的電源，以及執行虛擬運行以在至少一個虛擬晶片上沉積外延層，其中清洗包含：烘焙，其中腔室的一內部溫度保持在1150至1200℃，蝕刻，其中一蝕刻氣體供應到腔室並通過氣體出口排出，以及最終排出，其中腔室的一內部溫度保持在700至800℃，同時將一氫氣或一惰性氣體供應至腔室並通過氣體出口排出。
蝕刻中腔室的內部溫度可保持在烘焙中腔室的內部溫度。
在烘焙和蝕刻中，一惰性氣體或氫氣可供應到腔室並通過氣體出口排出。
在最終排出期間氫氣或惰性氣體的一排出流速在烘焙、蝕刻以及最終排出中可最高。
在蝕刻期間惰性氣體或氫氣的一流速相對於在烘焙期間惰性氣體或氫氣的一流速的比例可為1:7至1:8。
在烘焙期間惰性氣體或氫氣的一流速相對於在最終排出期間惰性氣體或氫氣的一流速的比例可為1:1.5至1:2。
最終排出的時間相比較於烘焙的時間和蝕刻的時間更大。
在進行惰性閒置期間，一惰性氣體可供應到腔室以通過氣體出口排出，並且在執行惰性閒置期間惰性氣體的一流速可相比較於在烘焙和最終排出期間惰性氣體或氫氣的流速更小。
執行虛擬運行可包含：激活，其中外延層根據一預定配方沉積在虛擬晶片上，確定虛擬運行的數量是否等於一預定數量，以及當虛擬運行的數量與預定數量不相同時，虛擬運行的數量增加一個，並且外延層沉積在一新的虛擬晶片上。
清洗可更包含：初始排出，其中腔室的內部溫度保持在700至800℃，並且一惰性氣體或一氫氣供應至腔室並且在烘焙之前通過氣體出口排出。
清洗可更包含：增加溫度，其中腔室的內部溫度逐漸增加到烘焙中腔室的內部溫度。
在清洗中，用於在腔室中裝載一晶片的一基座可按照一恆定速度旋轉。
使用外延反應器製造外延晶片的方法可更包含：執行運行待機，在清洗之前，用於在腔室中裝載一晶片的一基座旋轉，並且腔室的內部溫度保持在700℃至780℃，同時一惰性氣體引入至腔室中。
烘焙的時間與蝕刻的時間的比例係為1:1至1:1.5。
使用外延反應器製造外延晶片的方法可更包含：當虛擬運行的數量等於預定數量時，根據預定配方製造外延晶片。
烘焙的時間相比較於可相比較於執行運行待機的時間更大。
烘焙期間腔室的內部溫度可保持在1180至1190℃。
在執行惰性閒置期間腔室的內部溫度可保持在0至20℃。
根據本發明的另一實施例，一種使用外延反應器製造外延晶片的方法，外延反應器包含具有一氣體入口以及一氣體出口的一腔室，包含以下步驟：執行運行待機，其中用於將一晶片裝載於腔室中的一基座旋轉，並且腔室的一內部溫度保持在700℃至780℃同時一惰性氣體引入至腔室中；清洗腔室以從腔室去除污染物；執行惰性閒置以停止外延反應器的電源；以及執行虛擬運行以在至少一個虛擬晶片上沉積外延層，其中清洗包含：烘焙，其中向腔室供應一氫氣或一惰性氣體的同時，腔室的一內部溫度保持在1150至1200℃；蝕刻，其中一蝕刻氣體供應到腔室並且通過氣體出口排出；以及最終排出，其中腔室的一內部溫度保持在700〜800℃，同時氫氣或惰性氣體供應到腔室並通過氣體出口排出，以及最終排出的時間相比較於烘焙和蝕刻的時間更大。
根據本發明的再一實施例，一種使用外延反應器製造外延晶片的方法，外延反應器包含具有一氣體入口以及一氣體出口的一腔室，包含以下步驟：清洗腔室以從腔室去除污染物；執行惰性閒置以停止外延反應器的電源；以及執行虛擬運行以在至少一個虛擬晶片上沉積外延層，其中清洗包含：初始排出，其中腔室的一內部溫度保持在700至800℃，同時惰性氣體或氫氣供應至腔室並且通過氣體出口排出；烘焙，其中腔室的一內部溫度保持在1150至1200℃，同時惰性氣體或氫氣供應至腔室並且通過氣體出口排出；蝕刻，其中一蝕刻氣體供應到腔室並通過氣體出口排出，並且一惰性氣體或氫氣供應到腔室並通過氣體出口排出；以及最終排出，其中腔室的一內部溫度保持在700〜800℃，同時一惰性氣體或一氫氣供應到腔室並通過氣體出口排出，以及其中，在最終排出期間惰性氣體或氫氣的一排出流速在烘焙、蝕刻以及最終排出中是最高的。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
在本發明的實施例的描述中，可以理解的是，當一層（或膜）、一區域、一圖案、或一結構稱為位於另一基板、另一層(或膜)、另一區域、另一焊墊、或另一圖案之「上」或「下」時，其可「直接地」或「間接地」位於另一基板、層(或膜)、區域、焊墊、或圖案上，或者也可存在一個或多個中間層。已經參考附圖描述了層的這種位置。
圖1係為表示根據本發明一實施例的外延晶片的製造方法的流程圖。圖2表示出根據本發明的實施例的用於製造外延晶片的一外延反應器。
請參考圖1及圖2，由附圖標記100表示的外延反應器為一單晶片類型。外延反應器100包含一腔室105、一氣體供應管線110、一氣體排出管線115、一基座120、一底夾具125、一頂夾具127、一預熱環129、以及一基座支撐件130。
腔室105可為發生外延反應的一空間，並且可由石英玻璃形成。腔室105可包含在其一側連接到氣體供應管線110的一氣體入口108、在其另一側連接到氣體排出管線115的一氣體出口109、一底圓頂103、以及一頂圓頂104。在通過氣體供應管線110供應的一源氣體引入到腔室105中之後，源氣體可沿著設置在腔室105中的一晶片101(例如，一矽晶片)的表面流動，然後可以通過氣體出口109從氣體排出管線115排出。
在圖1中，表示出了一個氣體供應管線110、一個氣體排出管線115、一個氣體入口108、以及一個氣體出口109，但不限於此。上述配置的數量可分別是一個或多個。
底夾具125可設置在腔室105中以圍繞基座120，並且頂夾具127可設置在腔室105中，同時設置在底夾具125上以面對底夾具125。這裡，底夾具125和頂夾具127可以由石英(SiO2)或碳化矽(SiC)形成。預熱環129可沿著底夾具125的鄰近基座120的內表面形成，同時鄰近基座120設置以圍繞基座120，使得熱均勻地傳遞。
基座120是用於在外延反應期間裝載晶片101的部件。基座120可以由碳石墨、碳化矽或塗覆有碳化矽的碳石墨形成。基座120可設置在腔室105中，並且晶片101可安裝在基座的一頂表面上。
首先，執行運行待機S110。
在將晶片101裝載到基座120上之後，在生長一外延層（運行處理）之前執行運行待機以穩定腔室105的內部。
在執行運行待機時，基座120以一恆定速度旋轉。將從氣體供應管線110供給的一惰性氣體或氫氣（H2
）在腔室105的內部溫度為700〜780℃（例如730℃）下，通過氣體入口108引入腔室105內部，並且通過氣體出口109從氣體排出管線115排出。
這裡，惰性氣體或氫氣（H2
）的一流速可以為45〜55SLM。舉例而言，氫氣（H2
）的流速可以為50SLM。 SLM是每分鐘標準升的縮寫。
接下來，執行清洗S120。
在清洗S120中，腔室105中的污染物通過氣體出口109和氣體排出管線115從腔室105排出。
圖3係為表示根據本發明一實施例的圖1所示的清洗處理的流程圖。
如圖3所示，清洗S120可包含烘焙210、蝕刻220、以及最終排出230。
在烘焙210中，基座120旋轉，並且腔室保持在1150至1200℃的溫度。
在烘焙210中，類似於在執行運行待機S110中，將惰性氣體或氫氣（H2
）引入腔室105中，並且從氣體出口109排出。烘焙210中的一流速可以低於在執行運行待機S110中的流速，而不限於此。
舉例而言，腔室105的內部溫度可以是1180至1190℃。例如，在烘焙210中，腔室105的內部溫度可以是1185℃。
由於腔室105的內部溫度在烘焙210中較高，所以附著或吸收到腔室105之內表面的污染物，即粉末或顆粒的活性增加，使得污染物可以從腔室105的內表面分離或提升。
也就是說，在烘焙210步驟中黏附到腔室105內表面的污染物可以分離或提升，以便容易地從腔室105中排出。
烘焙210中的氫氣（H2
）的流速可以與執行運行待機S110時的氫氣（H2
）的流速相同。烘焙210的時間可相比較於運行待機S110的時間更長。
接下來，在蝕刻220中，基座120旋轉，同時將蝕刻氣體供應到腔室105，使得污染物從腔室105的內表面分離或去除。
此外，在烘焙210中分離的污染物可進一步分離或提升。
在蝕刻220中，腔室105的內部溫度維持在烘焙210中的腔室105的內部溫度，同時一蝕刻氣體，例如HCl氣體通過氣體入口108供應至腔室105，且通過氣體出口109排出。這裡，引入和從腔室105排出的蝕刻氣體的流速可以是20至30SLM。舉例而言，蝕刻氣體的流速可以為25SLM。
在蝕刻220中，引入並排出一惰性氣體或氫氣，但是蝕刻220中的惰性氣體或氫氣的流速可低於烘焙210中的惰性氣體或氫氣的流速。
舉例而言，蝕刻220中的惰性氣體或氫氣的流速與烘焙210中的惰性氣體或氫氣的流速之間的比例可以是1:7至1:8。
蝕刻220的時間可等於或大於烘焙210的時間。舉例而言，烘焙210的時間和蝕刻220的時間之比例可以為1:1至1:1.5。
順序地，執行最終排出污染物230。
在烘焙210和蝕刻220中分離或提升的污染物，例如粉末或顆粒通過氣體出口109從氣體排出管線115排放。
當基座120以一恆定速度旋轉時，可以將惰性氣體或氫氣引入腔室105中，並且透過引入的惰性氣體或氫氣提升的污染物可通過氣體出口109排出。
在最終排出230中，腔室105的內部溫度可以是700至800℃。舉例而言，在最終排出230中的腔室105的內部溫度可以是750℃。
在最終排出中，惰性氣體或氫氣的流速相比較於在烘焙210和蝕刻220中的流速更大。
舉例而言，烘焙210中的惰性氣體或氫氣的流速與最終排出230中的惰性氣體或氫氣的流速之比例可以是1:1.5至1:2。
最終排出230的時間可相比較於烘焙210和蝕刻220的時間更大。
舉例而言，蝕刻220的時間與最終排出230的時間之間的比例可以是1:8至1:10。
在烘焙210、蝕刻220以及最終排出230期間，基座120可按照一恆定速度（例如40至45RPM）旋轉。
由於以最高流速和最長時間執行最終排出，因此可穩定地排出腔室105中的污染物。由此，可以減少外延晶片的損傷或缺陷。
圖4係為表示根據本發明另一實施例的圖1所示的清洗處理的流程圖。
附圖標記與圖3相同，表示與圖3相同的結構和步驟。簡要描述或省略相同的配置和步驟。
請參照圖4，清洗S120-1可包含一初始排出201、增加溫度202、烘焙210、蝕刻220、塗覆基座225、以及最終排出230。
與圖3相比，清洗S120-1還可包括在運行待機S110和烘焙210之間執行的初始排出201和增加溫度202，以及在蝕刻220和最終排出230之間執行的塗覆基座225。
初始排出201可以在運行待機S110之後執行。
在初始排出201中，基座120以一恆定速度旋轉，腔室105的內部溫度保持在700至800℃，並且一惰性氣體或氫氣引入至腔室105中，並且通過氣體出口109排出。
舉例而言，初始排出201中的惰性氣體或氫氣的流速可相比較於在執行運行待機S110中的惰性氣體或氫氣的流速更大。
舉例而言，初始排出201的惰性氣體或氫氣的流速可以與烘焙210的惰性氣體或氫氣的流速相同。初始排出201是其中惰性氣體或氫氣的流速穩定地保持和烘焙210相同的流速的部分，即惰性氣體或氫氣的流速的一穩定部分。
舉例而言，最終排出的惰性氣體或氫氣的流速可以是初始排出201、烘焙210、蝕刻220、以及最終排出230中最高的。
初始排出201的時間可相比較於烘焙210的時間更少。
可以在初始排出201和烘焙210之間執行增加溫度202。
增加溫度202是腔室的溫度從初始排出201期間的腔室溫度逐漸增加到烘焙210的腔室溫度的部分。
增加溫度202的時間可大於蝕刻220的時間，並且可小於最終排出230的時間。
增加溫度202中惰性氣體或氫氣的流速可以與烘焙210中的惰性氣體或氫氣的流速相同。
塗覆基座225在蝕刻220和最終排出230之間執行。
首先，在塗覆基座120之前，腔室105的內部溫度從用於蝕刻220的腔室105的溫度降低到預定溫度（例如20至40℃），並且用於塗覆基座的氣體120例如TCS氣體引入至腔室105中並通過氣體出口109排出。由此，基座120的一表面塗覆有TCS。也就是說，可防止由蝕刻220產生的缺陷（例如滑移）。
接下來，可執行惰性閒置S130。
在執行惰性閒置S130時，運行停止，並且外延反應器110的電源停止。
在執行惰性閒置S130時，外延反應器100的總電源或總供電功率可以是零（0），腔室105的內部溫度可以是0至20℃（例如室溫）並且可將例如氮氣（N2
）的惰性氣體引入到腔室105中，並且可通過氣體出口109排出。
這裡，在執行惰性閒置S130時，惰性氣體（例如氮氣）的排放流速可小於在執行運行待機S110、烘焙210、以及最終排出230中的惰性氣體或氫氣的流速。舉例而言，氮氣的排出流速可以為15〜25SLM。舉例而言，氮氣的排出流速可以為20SLM。
由於外延晶片的質量異常，當執行例如洗滌器清洗、葉片示教、基座的檢查的外延反應器的維護時，可以在不打開腔室105的情況下執行惰性閒置S130。
接下來，執行虛擬運行S135。
在執行虛擬運行S135中，外延層沉積在至少一個虛擬晶片上。
舉例而言，由於外延層順次地沉積在預定量的晶片上，因此在執行惰性閒置S130之後，去除由腔室105中形成的水產生的反應物，以及由在氣體出口109及氣體排出管線115排出流的脈動所產生的污染物。
虛擬運行S135可包含以下處理S140、S150、以及S160。
首先，執行激活虛擬運行S140。
根據一預定的配方，外延層沉積於基座120上裝載的虛擬晶片上。
使用一可選擇的外延生長製程，外延層可沉積在虛擬晶片上。
舉例而言，可選擇的外延生長製程可透過一化學氣相沉積（CVD）製程、一減壓化學氣相沉積（RPCVD）製程、以及一超高真空化學氣相沉積（UHVCVD）製程來執行，但不限於此。
舉例而言，可選擇的外延生長可以在1000至1200℃的溫度下執行，並且可透過將例如SiH4
、二氯矽烷（SiH2
Cl2
、DCS）、三氯矽烷（SiH2
Cl3
、TCS）的源氣體供應至腔室來執行。
接下來，在沉積外延層之後，確定虛擬晶片的數量，即虛擬運行的數量（N，例如N = 5）是否與預定數量相同（S150）。這裡，虛擬運行的數量可以與沉積外延層的虛擬晶片的數量相同。
當虛擬運行的數量等於這個預定數量時，根據一預定方案執行一外延晶片的製造S170。
然而，當虛擬運行的數量不同於預定數量時，虛擬運行的數量增加一個，外延層沉積於新的虛擬晶片上，並且重複執行步驟S140和S150。
虛擬運行S135用於去除保留在腔室105中的污染物。
在執行惰性閒置S130時，可透過低腔室溫度（例如室溫）產生水，反應物可透過由產生的水提供的氧氣（O2）與腔室中的剩餘氣體（例如SixClyHz）之間的反應而產生。這種反應物可以是在外延晶片中產生缺陷的污染物。
圖5A係為表示外延反應器的腔室中的水量的曲線圖。
如圖5A所示，在惰性閒置S130開始的一點501之後，外延反應器100的腔室105中的水（H2O）量逐漸增加。
根據在執行惰性閒置S130期間的氣體和激活S140的氣體之間的流速差（其中這些氣體通過氣體出口109排出），在外延反應器100的氣體出口109和氣體排出管線115處產生排出流的脈動。
圖5B表示了在氣體出口和氣體排出管線中的排出流的脈動。請參考圖5B，在惰性閒置S130之後，可產生排出流的脈動。由於在惰性閒置S130中產生的粉末或顆粒供應到腔室，所以腔室可能受到污染。因此，可能在外延晶片產生缺陷。
在執行惰性閒置S130之前透過清洗S120來清除腔室105中的污染物，並且去除在惰性閒置S130中產生的反應物和透過在圖5B中描述的排放流的脈動而引入到腔室105中的污染物。使得可防止在外延晶片產生的缺陷。
圖6A表示根據本實施例在執行惰性閒置之前和之後的晶片的缺陷程度。圖6B表示圖6A中所示的一局部光散射（LLS）的數量、一平均值、以及一標準偏差。
圖6A表示出尺寸為200奈米(nm)的一局部光散射(LLS)。情況1表示在惰性閒置之前測量的LLS，情況2表示在惰性閒置之後測量的LLS。N表示缺陷的總數，Avg表示一個晶片的LLS的一平均值，以及StDeV表示LLS的一標準偏差。
請參考圖6A及圖6B，情況2的Avg相比較於情況1的Avg更小。在惰性閒置之後，LLS不增加，使得可透過根據實施例的製造方法製造的外延晶片改善缺陷。
從以上描述顯而易見的是，根據本發明，可防止在外延晶片中形成缺陷。
對於本領域技術人員顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和變化。因此，本發明旨在覆蓋本發明的修改和變化，只要它們在所附的專利申請範圍及其等同的範圍之內。
100‧‧‧外延反應器
101‧‧‧晶片
103‧‧‧底圓頂
104‧‧‧頂圓頂
105‧‧‧腔室
108‧‧‧氣體入口
109‧‧‧氣體出口
110‧‧‧氣體供應管線
115‧‧‧氣體排出管線
120‧‧‧基座
125‧‧‧底夾具
127‧‧‧頂夾具
129‧‧‧預熱環
130‧‧‧基座支撐件
201‧‧‧初始排出
202‧‧‧增加溫度
210‧‧‧烘焙
220‧‧‧蝕刻
225‧‧‧塗覆基座
230‧‧‧最終排出
501‧‧‧點
N‧‧‧缺陷的總數
Avg‧‧‧平均值
StDeV‧‧‧標準偏差
圖1係為表示根據本發明一實施例的外延晶片的製造方法的流程圖； 圖2表示出根據本發明的實施例的用於製造外延晶片的一外延反應器； 圖3係為表示根據本發明一實施例的圖1所示的清洗處理的流程圖； 圖4係為表示根據本發明另一實施例的圖1所示的清洗處理的流程圖； 圖5A係為表示外延反應器的腔室中的水量的曲線圖； 圖5B表示了在氣體出口和氣體排出管線中的排出流的脈動； 圖6A表示根據本實施例在執行惰性閒置之前和之後的晶片的缺陷程度；以及 圖6B表示圖6A中所示的一局部光散射（LLS）的數量、一平均值、以及一標準偏差。
Claims (20)
- 一種使用外延反應器製造外延晶片的方法，該外延反應器包含具有一氣體入口以及一氣體出口的一腔室，包含以下步驟：清洗該腔室以從該腔室中去除污染物；執行惰性閒置以停止該外延反應器的電源；以及執行虛擬運行以在至少一個虛擬晶片上沉積外延層，其中，清洗包含：烘焙，其中該腔室的一內部溫度保持在1150至1200℃；蝕刻，其中一蝕刻氣體供應到該腔室並通過該氣體出口排出；以及最終排出，其中該腔室的一內部溫度保持在700至800℃，同時將一氫氣或一惰性氣體供應至該腔室並通過該氣體出口排出。
- 如請求項1所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中蝕刻中該腔室的該內部溫度保持在烘焙中該腔室的該內部溫度。
- 如請求項1所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中在烘焙和蝕刻中，一惰性氣體或一氫氣供應到該腔室並且通過該氣體出口排出。
- 如請求項3所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中，在最終排出期間氫氣或惰性氣體的一排出流速在烘焙、蝕刻以及最終排出中最高。
- 如請求項3所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中在蝕刻期間該惰性氣體或該氫氣的一流速相對於在烘焙期間該惰性氣體或該氫氣的一流速的比例係為1:7至1:8。
- 如請求項5所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中在烘焙期間該惰性氣體或該氫氣的一流速相對於在最終排出期間該惰性氣體或該氫氣的一流速的比例係為1:1.5至1:2。
- 如請求項1所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中最終排出的時間相比較於烘焙的時間和蝕刻的時間更大。
- 如請求項3所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中，在進行惰性閒置期間，一惰性氣體供應到該腔室以通過該氣體出口排出，並且在執行惰性閒置期間該惰性氣體的一流速相比較於在烘焙和最終排出期間該惰性氣體或該氫氣的流速更小。
- 如請求項1所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中執行虛擬運行包含：激活，其中外延層根據一預定配方沉積在虛擬晶片上；確定虛擬運行的數量是否等於一預定數量；以及當虛擬運行的數量與該預定數量不相同時，虛擬運行的數量增加一個，並且外延層沉積在一新的虛擬晶片上。
- 如請求項1所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中清洗還包含：初始排出，其中該腔室的該內部溫度保持在700至800℃，並且一惰性氣體或一氫氣供應至該腔室並且在烘焙之前通過該氣體出口排出。
- 如請求項10所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中清洗還包含：增加溫度，其中該腔室的該內部溫度逐漸增加到烘焙中該腔室的該內部溫度。
- 如請求項1所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中，在清洗中，用於在該腔室中裝載一晶片的一基座以一恆定速度旋轉。
- 如請求項1所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，還包含執行運行待機，其中在清洗之前，用於在該腔室中裝載一晶片的一基座旋轉，並且該腔室的該內部溫度保持在700℃至780℃，同時一惰性氣體引入至該腔室中。
- 如請求項1所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中烘焙的時間與蝕刻的時間的比例係為1:1至1:1.5。
- 如請求項9所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，還包含：當虛擬運行的數量等於該預定數量時，根據該預定配方製造該外延晶片。
- 如請求項13所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中烘焙的時間相比較於執行運行待機的時間更大。
- 如請求項1所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中在烘焙期間該腔室的該內部溫度保持在1180至1190℃。
- 如請求項1所述之使用外延反應器製造外延晶片的方法，其中在執行惰性閒置期間該腔室的該內部溫度保持在0至20℃。
- 一種使用外延反應器製造外延晶片的方法，該外延反應器包含具有一氣體入口以及一氣體出口的一腔室，包含以下步驟：執行運行待機，其中用於將一晶片裝載於該腔室中的一基座旋轉，並且該腔室的一內部溫度保持在700℃至780℃同時一惰性氣體引入至該腔室中；清洗該腔室以從該腔室去除污染物；執行惰性閒置以停止該外延反應器的電源；以及執行虛擬運行以在至少一個虛擬晶片上沉積外延層，其中，清洗包含：烘焙，其中向該腔室供應一氫氣或一惰性氣體的同時，該腔室的一內部溫度保持在1150至1200℃；蝕刻，其中一蝕刻氣體供應到該腔室並且通過該氣體出口排出；以及最終排出，其中該腔室的一內部溫度保持在700〜800℃，同時氫氣或惰性氣體供應到該腔室並且通過該氣體出口排出，以及最終排出的時間相比較於烘焙和蝕刻的時間更大。
- 一種使用外延反應器製造外延晶片的方法，該外延反應器包含具有一氣體入口以及一氣體出口的一腔室，包含以下步驟：清洗該腔室以從該腔室去除污染物；執行惰性閒置以停止該外延反應器的電源；以及執行虛擬運行以在至少一個虛擬晶片上沉積外延層，其中，清洗包含：初始排出，其中該腔室的一內部溫度保持在700至800℃，同時惰性氣體或氫氣供應至該腔室並且通過該氣體出口排出；烘焙，其中該腔室的一內部溫度保持在1150至1200℃，同時惰性氣體或氫氣供應至該腔室並且通過該氣體出口排出；蝕刻，其中一蝕刻氣體供應到該腔室並通過該氣體出口排出，並且一惰性氣體或一氫氣供應到該腔室並通過該氣體出口排出；以及最終排出，其中該腔室的一內部溫度保持在700〜800℃，同時一惰性氣體或一氫氣供應到該腔室並通過該氣體出口排出，以及其中，在最終排出期間該惰性氣體或該氫氣的一排出流速在烘焙、蝕刻以及最終排出中是最高的。
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