CN113355653B - 清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质 - Google Patents

清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供能够提高处理室内的清洁效率的技术，该技术通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物：(a)在停止处理室内的排气的状态下，直至处理室内的压力上升到第一压力带为止向处理室内供给清洁气体；(b)同时进行处理室内的排气和向处理室内的清洁气体的供给，将处理室内的压力维持在第一压力带；以及(c)在停止向处理室内的清洁气体的供给的状态下，直至处理室内的压力成为比第一压力带低的第二压力为止，进行处理室内的排气。

Description

清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储 介质
技术领域
本公开涉及清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质。
背景技术
作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行向处理基板的处理室内供给清洁气体，除去附着于处理室内的堆积物等的清洁工序(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015－26660号公报
发明内容
发明所要解决的课题
根据清洁气体供给时的处理室内的压力等不同，有时不能有效地将处理室内清洁。
本公开提供可以提高处理室内的清洁效率的技术。
用于解决课题的方案
根据本公开的一方案，提供一种技术，其通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物：(a)在停止上述处理室内的排气的状态下，直至上述处理室内的压力上升到第一压力带为止向上述处理室内供给清洁气体；(b)同时进行上述处理室内的排气和向上述处理室内的上述清洁气体的供给，将上述处理室内的压力维持在上述第一压力带；以及(c)在停止向上述处理室内的上述清洁气体的供给的状态下，直至上述处理室内的压力成为比上述第一压力带低的第二压力为止，进行上述处理室内的排气。
发明的效果
根据本公开，能够提高处理室内的清洁效率。
附图说明
图1是适用于本公开的一实施方式的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图。
图2是适用于本公开的一实施方式的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是用图1的A－A线剖视图表示处理炉部分的图。
图3是适用于本公开的一实施方式的基板处理装置的控制器的概略结构图，是用块图表示控制器的控制***的图。
图4是表示本公开的一实施方式的成膜处理中的气体供给的时机的图。
图5是表示本公开的一实施方式的清洁气体的流量与阀的开闭的关系下的处理室内的压力变化的图。
图6中，(a)是表示测定处理室201内的堆积物的除去量的炉口部附近的任意的三个区域(区域10、20、30)的图，(b)是表示利用三种不同的清洁方法(样品A、B、C)除去的区域10～30的堆积物的量的图。
图7是表示按照本实施方式的方法清洁处理室201内的情况下的优势的图。
图中，201—处理室，232a、232b、232e—气体供给管，231—排气管，244—APC阀。
具体实施方式
＜一实施方式＞
以下，使用图1～图3对本公开的一实施方式进行说明。
(1)基板处理装置的结构
如图1所示，处理炉202具有作为加热单元(加热机构)的加热器207。加热器207是圆筒形状，通过支撑于保持板而垂直安装。加热器207还作为利用热使气体活性化(激发)的活性化机构(激发部)发挥功能。
在加热器207的内侧与加热器207同心圆状地配设有反应管203。反应管203由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方与反应管203同心圆状地配设有歧管209。歧管209由例如不锈钢(SUS)等金属构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。歧管209的上端部卡合于反应管203的下端部，构成为支撑反应管203。在歧管209与反应管203之间设有作为密封部件的O形圈220a。反应管203与加热器207同样地垂直安装。同样地，由反应管203和歧管209构成了处理容器(反应容器)。在处理容器的筒中空部形成有处理室201。此外，处理室201还包括处理容器的内壁。处理室201构成为可容纳多个作为基板的晶圆200。在歧管209的内周设有罩209a。罩209a由例如石英、SiC构成，且设置成沿歧管209的内壁覆盖歧管209的内壁。
在处理室201内以贯通歧管209的方式设有喷嘴249a、249b、249e。喷嘴249a、249b、249e由例如石英或SiC等耐热性材料构成。在喷嘴249a、249b、249e分别连接有气体供给管232a、232b、232e。
在气体供给管232a、232b、232e分别从上游方向依次设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a、241b、241e及作为开闭阀的阀243a、243b、243e。在气体供给管232a、232b、232e的比阀243a、243b、243e靠下游侧，分别连接有供给惰性气体的气体供给管232c、232d、232f。在气体供给管232c、232d、232f分别从上游方向起依次设有MFC241c、241d、241f以及阀243c、243d、243f。
如图2所示，喷嘴249a、249b分别设置成，在反应管203的内壁与晶圆200之间的圆环状的空间从反应管203的内壁的下部到上部，朝向晶圆200的配列方向上方立起。即，喷嘴249a、249b分别配置成在配列晶圆200的晶圆配列区域的侧方的水平地包围晶圆配列区域的区域沿着晶圆配列区域。在喷嘴249a、249b的侧面分别设有供给气体的气体供给孔250a、250b。气体供给孔250a、250b分别以朝向反应管203的中心的方式开口，能够向晶圆200供给气体。从反应管203的下部到上部，设有多个气体供给孔250a、250b。
如图1所示，喷嘴249e构成为向歧管209的内壁与罩209a之间的圆环状的空间(以下，也称为净化空间)201a内喷出气体。在喷嘴249e的前端部以向上方开口的方式设有气体供给孔。该气体供给孔也可以设于喷嘴249e的前端部的侧面，该情况下，该气体供给孔朝向水平方向开口。
从气体供给管232a经由MFC241a、阀243a、喷嘴249a向处理室201内供给作为处理气体(原料气体)的例如含有作为预定元素(主元素)的硅(Si)和卤素元素的气体、即卤代硅烷原料气体。
原料气体是指气体状态的原料，例如，通过将常温常压下为液体状态的原料气化而得到的气体、常温常压下为气体状态的原料等。卤代硅烷原料是指具有卤素基的原料。卤素基包括氯基、氟基、溴基、碘基等。即，卤素基包括氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等卤素元素。
作为原料气体，例如，能够使用含有Si及Cl的卤代硅烷原料气体、即，氯硅烷原料气体。作为氯硅烷原料气体，例如，能够使用六氯乙硅烷(Si2Cl6、简称：HCDS)气体。
从气体供给管232b经由MFC241b、阀243b、喷嘴249b向处理室201内供给作为处理气体(反应气体)的例如含有氧(O)的气体。含有O的气体在后述的成膜处理中用作氧化气体，即O源。作为氧化气体，例如，能够使用氧气(O2)。
从气体供给管232a经由MFC241a、阀243a、喷嘴249a向处理室201内供给作为处理气体(反应气体)的例如含有氢(H)的气体。含有H的气体其单体不具有氧化作用，但在后述的成膜处理中，通过在特定的条件下与含有O的气体反应而生成原子状氧(atomic oxygen、O)等氧化物质，发挥作用，以提高氧化处理的效率。因此，含有H的气体能够与含有O的气体同样地包含于氧化气体来考虑。作为含有H的气体，例如能够使用氢气(H2)。
进一步地，从气体供给管232a、232b分别经由MFC241a、241b、阀243a、243b、喷嘴249a、249b向处理室201内供给作为清洁气体的例如含有H及F的气体(含有H的氟系气体)。从气体供给管232e经由MFC241e、阀243e、喷嘴249e向比罩209a靠内侧的净化空间201a内供给作为清洁气体的例如含有H及F的气体。作为含有H及F的气体，例如，能够使用氟化氢(HF)气体。
从气体供给管232c、232d、232f分别经由MFC241c、241d、241f、阀243c、243d、243f、气体供给管232a、232b、232e、喷嘴249a、249b、249e向处理室201内供给作为惰性气体的例如氮气(N2)。
主要由气体供给管232a、MFC241a、阀243a构成供给原料气体的原料气体供给***。另外，主要由气体供给管232b、MFC241b、阀243b构成氧化气体供给***。另外，主要由气体供给管232a、MFC241a、阀243a构成含H气体供给***。也能够将H含有气体供给系包含于上述的氧化气体供给系来考虑。另外，主要由气体供给管232a、232b、232e、MFC241a、241b、241e、阀243a、243b、243e构成含H及F气体供给***。另外，主要由气体供给管232c、232d、232f、MFC241c、241d、241f、阀243c、243d、243f构成惰性气体供给***。
上述的各种供给***中的任一个或全部的供给***也可以构成为集成阀243a～243f、MFC241a～241f等而成的集成型气体供给***248。构成为，集成型气体供给***248与气体供给管232a～232f的每一个连接，通过后述的控制器121控制向气体供给管232a～232f内的各种气体的供给动作、即阀243a～243f的开闭动作、基于MFC241a～241f的流量调整动作等。集成型气体供给***248构成为一体型或者分割型的集成单元，能够以集成单元单位相对于气体供给管232a～232f等进行装卸，且构成为能够以集成单元单位进行气体供给***的维护、更换、增设等。
在反应管203设有排出处理室201内的气体介质的排气管231。在排气管231经由检测处理室201内的压力的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器245及作为压力调整器(压力调整部)的APC(Auto Pressure Controller)阀244连接有作为真空排气装置的真空泵246。APC阀244构成为，通过在使真空泵246工作的状态下开闭阀，能够进行处理室201内的真空排气及真空排气停止，而且，通过在使真空泵246工作的状态下基于由压力传感器245检测出的压力信息调节阀开度，能够调整处理室201内的压力。主要由排气管231、APC阀244、压力传感器245构成排气***。也可以将真空泵246包含于排气***来考虑。
在歧管209的下方设有可将歧管209的下端开口气密地封闭的作为炉口盖体的密封盖219。密封盖219由例如SUS等金属构成，形成为圆盘状。在密封盖219的上表面设有与歧管209的下端抵接的作为密封部件的O形圈220b。在密封盖219的下方设置有使后述的晶舟217旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯通密封盖219连接于晶舟217。旋转机构267通过使晶舟217旋转而使晶圆200旋转。密封盖219通过设置于反应管203的外部的作为升降机构的晶舟升降机115沿垂直方向升降。晶舟升降机115通过使密封盖219升降，可以将晶舟217在处理室201内外搬入及搬出。晶舟升降机115构成为将晶舟217即晶圆200在处理室201内外搬送的搬送装置(搬送机构)。
作为基板支撑件的晶舟217构成为将多个例如25～200个晶圆200以水平姿势且以彼此中心对齐的状态沿垂直方向整齐排列地支撑多层，即，隔开间隔地排列。晶舟217由例如石英、SiC等耐热性材料构成。在晶舟217的下部以水平姿势多层地支撑有由例如石英、SiC等耐热性材料构成的隔热板218。通过该结构，来自加热器207的热难以向密封盖219侧传递。也可以不设置隔热板218，而是设置构成为由石英、SiC等耐热性材料构成的筒状的部件的隔热筒。
反应管203内设置有作为温度检测器的温度传感器263。基于由温度传感器263检测出的温度信息调整对加热器207的通电状况，从而处理室201内的温度成为期望的温度分布。温度传感器263沿反应管203的内壁设置。
如图3所示，作为控制部(控制单元)的控制器121构成为具备CPU(CentralProcessing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、存储装置121c、I/O端口121d的计算机。RAM121b、存储装置121c、I/O端口121d构成为经由内部总线121e可与CPU121a进行数据交换。在控制器121连接有构成为触控面板等的输入输出装置122。
存储装置121c由闪存、HDD(Hard Disk Drive)等构成。存储装置121c内可读取地存储有控制基板处理装置的动作的控制程序、记载有后述的基板处理的顺序、条件等的工艺配方、记载有后述的清洁处理的步骤、条件等的清洁配方等。工艺配方是将后述的成膜处理的各步骤以使控制器121执行能够得到预定的结构的方式组合而成，作为程序发挥功能。另外，清洁配方是将后述的清洁处理的各步骤以使控制器121执行能够得到预定的结果的方式组合而成，作为程序发挥功能。以下，将工艺配方、清洁配方、控制程序总称地简称为程序。另外，将工艺配方、清洁配方总称地简称为配方。在本说明书中使用程序这一术语的情况下，有时仅包括配方单体，有时仅包括程序单体，另外，有时包括工艺配方、清洁配方以及控制程序中的任意的组合。RAM121b构成为临时保持由CPU121a读出的程序、数据等的存储区域(工作区)。
I/O端口121d连接于上述的MFC241a～241f、阀243a～243f、压力传感器245、APC阀244、真空泵246、加热器207、温度传感器263、旋转机构267、晶舟升降机115等。
CPU121a从存储装置121c读取控制程序并执行，并且根据来自输入输出装置122的操作指令的输入等从存储装置121c读取配方。CPU121a能够以按照读出的配方的内容的方式控制MFC241a～241f对各种气体的流量调整动作、阀243a～243f的开闭动作、APC阀244的开闭动作及基于压力传感器245进行的APC阀244的压力调整动作、真空泵246的启动及停止、基于温度传感器263进行的加热器207的温度调整动作、基于旋转机构267进行的晶舟217的旋转及转速调节动作、晶舟升降机115对晶舟217的升降动作等。
控制器121能够通过将存储于外部存储装置(例如，硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器等半导体存储器)123的上述的程序安装于计算机而构成。存储装置121c、外部存储装置123构成为计算机可读取的存储介质。以下，将它们总称地简称为存储介质。本说明书中使用存储介质这一术语的情况下，有时仅包括存储装置121c单体，有时仅包括外部存储装置123单体，另外，有时包括它们双方。此外，向计算机的程序的提供也可以不使用外部存储装置123，而使用网络、专线等通信单元进行。
(2)成膜处理
作为半导体装置的制造工序的一工序，使用图4，对使用上述的基板处理装置在基板上形成膜的时序例进行说明。以下的说明中，构成基板处理装置的各部的动作由控制器121控制。
在图4所示的成膜时序中，通过将非同时地、即不同步地进行步骤1和步骤2的周期进行预定次数(n次以上)，在晶圆200上形成作为含有O膜的氧化硅膜(SiO2膜、以下，简称为SiO膜)，上述步骤1是对容纳于处理容器内(处理室201内)的晶圆200供给作为原料气体的HCDS气体，上述步骤2是向进行了加热且处于低于大气压的压力下的处理容器内供给作为含有O的气体的O2气体和作为含有H的气体的H2气体。
本说明书中，方便起见，有时将上述的成膜处理如下地示出。此外，在以下的其它实施方式的说明中，也使用同样的记载。
本说明书使用“基板”这一术语的情况也和使用“晶圆”这一术语的情况意思相同。
(晶圆装载以及晶舟导入)
当将多个晶圆200装填于晶舟217时(晶圆装载)，如图1所示，支撑有多个晶圆200的晶舟217通过晶舟升降机115升起而搬入处理室201内(晶舟导入)。该状态下，密封盖219为经由O形圈220b密封歧管209的下端的状态。
(压力、温度调整步骤)
通过真空泵246进行真空排气(减压排气)，以使处理室201内、即晶圆200所在的空间成为期望的压力(真空度)。此时，处理室201内的压力由压力传感器245测定，基于该测定的压力信息对APC阀244进行反馈控制。真空泵246至少在直至对晶圆200的处理结束为止的期间维持始终工作的状态。另外，通过加热器207进行加热，以使处理室201内的晶圆200成为期望的成膜温度。此时，基于温度传感器263检测出的温度信息反馈控制对加热器207的通电状况，以使处理室201内成为期望的温度分布。加热器207对处理室201内的加热至少在直至对晶圆200的处理结束为止的期间持续进行。另外，开始旋转机构267对晶舟217及晶圆200的旋转。旋转机构267对晶舟217及晶圆200的旋转至少在直至对晶圆200的处理结束为止的期间持续进行。
(成膜步骤)
接下来，依次执行以下的步骤1、2。
[步骤1]
在该步骤中，对处理室201内的晶圆200供给HCDS气体。
打开阀243a，向气体供给管232a内流通HCDS气体。HCDS气体由MFC241a进行流量调整，经由喷嘴249a供给至处理室201内，并从排气管231排出。此时，对晶圆200供给HCDS气体。此时，同时打开阀243c，向气体供给管232c内流通N2气体。N2气体由MFC241c进行流量调整，经由气体供给管232a、喷嘴249a供给至处理室201内，并从排气管231排出。另外，为了防止HCDS气体向喷嘴249b、249e内侵入，打开阀243d、243f，向气体供给管232d、232f内流通N2气体。N2气体经由气体供给管232b、232e、喷嘴249b、249e、净化空间201a供给至处理室201内，并从排气管231排出。
此时，处理室201内的压力例如为0.0075～30Torr(1～4000Pa)，优选为0.5025～19.995Torr(67～2666Pa)，更优选为0.9975～9.9975Torr(133～1333Pa)的范围内的压力。HCDS气体的供给流量例如为0.001～2slm(1～2000sccm)，优选为0.01～1slm(10～1000sccm)的范围内的流量。通过各气体供给管供给的N2气体的供给流量分别为例如0.1～10slm(100～10000sccm)的范围内的流量。HCDS气体的供给时间为例如1～120秒，优选为1～60秒的范围内的时间。加热器207的温度设定为使晶圆200的温度成为例如250～700℃、优选为300～650℃、更优选为350～600℃的范围内的温度的温度。
通过在上述的条件下对晶圆200供给HCDS气体，在晶圆200的最表面上形成作为第一层(初始层)的例如从低于1原子层到数原子层(从低于1分子层到数分子层)程度的厚度的含有Cl的含Si层。含有Cl的含Si层可以是含有Cl的Si层，也可以是HCDS的吸附层，也可是它们双方。
形成第一层后，关闭阀243a，停止HCDS气体的供给。此时，APC阀244保持打开，通过真空泵246对处理室201内进行真空排气，将残留于处理室201内的未反应或参与了第一层形成后的HCDS气体从处理室201内排除。此时，阀243c、243d、243f保持打开，维持N2气体的向处理室201内的供给。N2气体作为净化气体发挥作用。
作为原料气体，除了HCDS气体外，例如，还能够使用二氯硅烷(SiH2Cl2、简称：DCS)气体、单氯硅烷(SiH3Cl、简称：MCS)气体、四氯硅烷(SiCl4、简称：STC)气体、三氯硅烷(SiHCl3、简称：TCS)气体、矽丙烷(Si3H8、简称：TS)气体、乙硅烷(Si2H6、简称：DS)气体、甲硅烷(SiH4、简称：MS)气体等无机原料气体、四烷基二甲基氨基硅烷(Si[N(CH3)2]4、简称：4DMAS)气体、三甲基氨基硅烷(Si[N(CH3)2]3H、简称：3DMAS)气体、双二乙基氨基硅烷(Si[N(C2H5)2]2H2、简称：BDEAS)气体、双叔丁基氨基硅烷(SiH2[NH(C4H9)]2、简称：BTBAS)气体、二异丙基氨基硅烷(SiH3N[CH(CH3)2]2、简称：DIPAS)气体等有机原料气体。
作为惰性气体，除了N2气体外，还能够使用例如Ar气体、He气体、Ne气体、Xe气体等稀有气体。
[步骤2]
步骤1结束后，向处理室201内分别供给O2气体和H2气体，使这些气体在处理室201内混合，进行反应。
在该步骤中，将阀243b～243d、243f的开闭控制以与步骤1中的阀243a、243c、243d、243f的开闭控制同样的顺序进行。O2气体由MFC241b进行流量调整，经由喷嘴249b供给至处理室201内。此时，同时打开阀243a，向气体供给管232a内流通H2气体。H2气体由MFC241a进行流量调整，经由喷嘴249a供给至处理室201内。O2气体和H2气体在处理室201内初次混合并进行反应，然后从排气管231排出。
此时，处理室201内的压力设为低于大气压，例如，为0.0075～9.9975Torr(1～1333Pa)的范围内的压力。O2气体的供给流量为例如1～10slm(1000～10000sccm)的范围内的流量。H2气体的供给流量例如为1～10slm(1000～10000sccm)的范围内的流量。O2气体及H2气体的供给时间例如为1～120秒的范围内的时间。其它处理条件例如为与步骤1同样的处理条件。
通过在上述的条件下向处理室201内供给O2气体及H2气体，O2气体及H2气体在进行了加热的减压气氛下通过非等离子体被热活性化(激发)并进行反应，由此生成含有原子状氧(O)等氧的不含水分(H2O)的氧化物质。然后，主要通过该氧化物质对在步骤1形成于晶圆200上的第一层进行氧化处理。该氧化物质具有的能量比第一层中含有Si－Cl、Si－H等的键和能高，因此通过将该氧化物质的能量施加给第一层，第一层中含有的Si－Cl键、Si－H键和等被切断。将切断与Si的键和而得到的H、Cl等从膜中除去，并形成为Cl2、HCl等而排出。另外，因与H、Cl等的结合被切断而空出的Si的键和键与氧化物质含有的O键和，形成Si－O键和。这样，第一层变化(改性)成第二层，即Cl等杂质的含有量少的SiO层。
(残留气体除去)
在使第一层变化成第二层(SiO层)后，关闭阀243b、243a，分别停止O2气体及H2气体的供给。然后，通过与步骤1同样的处理顺序、处理条件将残留于处理室201内的O2气体、H2气体、反应副生成物从处理室201内排除。
作为含有O的气体，除了O2气体外，还能够使用臭氧(O3)气体等。作为含有H的气体，除了H2气体，还能够使用氘(D2)气体等。此外，在使用4DMAS气体、3DMAS气体等氨基硅烷原料气体作为原料气体的情况下，如果使用O3气体作为含有O的气体，则也能够不使用含有H的气体而以充分的(同样的)成膜率成膜。作为惰性气体，除了N2气体，例如，还能够使用步骤1中示例下的各种稀有气体。
[实施预定次数]
将非同时地即不同步地进行上述的步骤1、2的周期进行预定次数(n次)，从而能够在晶圆200上形成预定膜厚的SiO膜。上述的周期优选返回进行多次。即，优选使每一周期形成的第二层的厚度比期望的膜厚小，直至通过层叠第二层形成的膜的膜厚为期望的膜厚为止，反复进行多次上述的周期。
(后净化步骤、大气压恢复步骤)
成膜步骤结束且形成预定膜厚的SiO膜后，从气体供给管232c、232d、232f分别向处理室201内供给N2气体，并从排气管231排出。N2气体作为净化气体发挥作用。由此，处理室201内被净化，将残留于处理室201内的气体、反应副生成物从处理室201内除去(后净化)。然后，处理室201内的气体介质置换成惰性气体(惰性气体置换)，处理室201内的压力恢复到常压(恢复大气压)。
(晶舟导出及晶圆卸载)
之后，通过晶舟升降机115将密封盖219下降，歧管209的下端开口，并且处理完毕的晶圆200以支撑于晶舟217的状态下从歧管209的下端搬出到反应管203的外部(晶舟导出)。处理完毕的晶圆200搬出到反应管203的外部后，从晶舟217取出(晶圆卸载)。
(3)清洁处理
当进行上述的成膜处理时，在处理室201内的部件的表面、例如，反应管203的内壁、喷嘴249a、249b的内壁及表面、罩209a的表面、晶舟217的表面、歧管209的内壁等累积作为Si含有物的SiO膜等薄膜、含有反应副生成物的堆积物。即，这些堆积物附着累积于进行了加热的处理室201内的部件的表面。因此，在这些堆积物的量、即累积膜厚达到在堆积物产生剥离、落下之前的预定的量(厚度)时，进行清洁处理。
在图5所示的清洁处理中，通过将依次进行清洁步骤(a)、清洁步骤(b)以及清洁步骤(c)的周期实施预定次数，除去附着于处理室201内的堆积物，上述清洁步骤(a)在停止处理室201内的排气的状态下，直至处理室201内的压力上升到第一压力带为止，向处理室201内供给作为清洁气体的HF气体，上述清洁步骤(b)同时进行处理室201内的排气和向处理室201内的HF气体的供给，将处理室201内的压力维持为第一压力带，上述清洁步骤(c)在停止向处理室201内的HF气体的供给的状态下，直至处理室201内的压力成为比第一压力带低的第二压力为止，进行处理室201内的排气。
以下，参照图5，对本实施方式的清洁处理的一例进行说明。在以下的说明中，构成基板处理装置的各部的动作由控制器121控制。
(晶舟搬入步骤)
空的晶舟217、即未装填晶圆200的晶舟217通过晶舟升降机115上升，搬入到处理室201内。该状态下，密封盖219为经由O形圈220b密封歧管209的下端的状态。
(压力、温度调整步骤)
通过真空泵246进行真空排气，以使处理室201内成为预定的压力、例如0Torr(0Pa)。另外，通过加热器207进行加热，使处理室201内成为预定的温度。另外，开始旋转机构267对晶舟217的旋转。加热器207对处理室201内的加热、晶舟217的旋转优选在直至清洁步骤(c)完成为止的期间持续进行。但是，也可以使晶舟217不旋转。
(清洁步骤(a))
首先，停止处理室201内的排气。然后，向进行在晶圆200上形成SiO膜的处理(成膜处理)后的处理室201内、即附着有SiO膜等堆积物的处理室201内连续供给HF气体。
具体而言，首先，关闭APC阀244，停止处理室201内的排气。然后，打开阀243e，向气体供给管232e内流动HF气体。HF气体由MFC241e进行流量调整，经由喷嘴249e、净化空间201a供给至处理室201内。这样，HF气体从设于炉口部(密封盖219附近、隔热板218附近、入口附近等)的作为气体吐出部的喷嘴249e供给至炉口部近傍。此时，同时打开阀243f，向气体供给管232f内流通N2气体。N2气体由MFC241f进行流量调整，经由气体供给管232e、喷嘴249e供给至处理室201内。另外，为了防止向喷嘴249a、249b内的HF气体的侵入，打开阀243c、243d，向气体供给管232c、232d内流通N2气体。N2气体经由气体供给管232a、232b、喷嘴249a、249b供给至处理室201内。但是，作为另一实施方式，此时，也可以同时打开阀243a、243b，向气体供给管232a、232b内流通HF气体，经由喷嘴249a、249b将HF气体供给至处理室201内。此外，作为惰性气体，除了N2气体，例如还能够使用在上述的成膜处理中示例的各种稀有气体。
直至处理室201内的压力上升到第一压力带为止，供给HF气体。第一压力带是通过HF气体可得到期望的实用性的蚀刻速度的压力范围。在此，可得到实用性的蚀刻速度的压力范围是指即使在预定时间内进行清洁处理的情况下，也能够得到高到可得到充分的清洁效果的程度的蚀刻速度的压力范围。作为第一压力带，例如，能够列举150～400Torr(19998.4～53328.8Pa)、优选150～250Torr(19998.4～33330.6Pa)的压力范围。图5中，作为第一压力带，图示了150～250Torr的压力范围。
此时，HF气体的供给流量例如为2～5slm(2000～5000sccm)的范围内的流量，优选为3slm(3000sccm)。加热器207的温度设定为使构成形成于处理室201内的下部的炉口部的部件为0～100℃，优选为室温(例如20℃)～100℃，更优选为60～90℃的范围内的温度。作为优选的例，在将构成炉口部的部件的温度设为75℃的情况下，考虑到向周围的散热等，加热器207的温度例如设定为100℃左右。HF气体的供给时间例如为10～230秒，优选为100～140秒的范围内的时间。
若将构成炉口部的部件的温度设为低于0℃或超过100℃，则有时得不到基于HF气体实现的实用性的蚀刻速度。另外，为了使该部件的温度低于室温，需要冷却单元，因此，优选该部件的温度为室温以上。另外，通过将该部件的温度设为60～90℃的范围内的温度，能够得到最高的蚀刻速度。
若使HF气体的供给时间低于10秒，则难以使处理室201内的压力上升到第一压力带，有时不能将堆积物以实用性的蚀刻速度蚀刻。通过将HF气体的供给时间设为10秒以上，能够消除该问题。通过将HF气体的供给时间设为100秒以上，能够进一步可靠地使处理室201内的压力上升到第一压力带。
若HF气体的供给时间超过230秒，则容易在处理室201内产生颗粒物。通过将HF气体的供给时间设为230秒以下，能够抑制颗粒物的产生。通过将HF气体的供给时间设为140秒以下，能够更可靠地抑制颗粒物的产生。
供给到处理室201内的HF气体在处理室201内通过时接触处理室201内的部件的表面、例如反应管203的内壁、喷嘴249a、249b的外侧表面、罩209a的表面、晶舟217的表面、歧管209的内壁、密封盖219的上表面等。此时，通过热化学反应，附着于处理室201内的部件的SiO膜等堆积物被除去。即，通过HF气体与堆积物的蚀刻反应，堆积物被除去。
这样，在本步骤中，在停止处理室201内的排气的状态、即密闭状态下供给HF气体，因此能够使HF气体扩散至处理室201内的各处。其结果，能够不依赖于处理室201内的位置，将堆积物均匀地蚀刻。另外，在密闭状态下供给HF气体，因此与同时进行HF气体的供给和处理室201内的排气的情况相比，能够得到更高的蚀刻速度。
另外，与F2气体等其它清洁气体相比，HF气体能够在较低的温度带蚀刻SiO膜等堆积物。因此，通过在上述的条件下向处理室201内供给HF气体，能够有效地蚀刻附着于配置于难以被加热器207加热的区域、即炉口部附近的密封盖219、隔热板218等的堆积物。
另外，HF气体对由SiC形成的部件未显示出蚀刻特性。由此，即使例如晶舟217由SiC形成，也能够对晶舟217不产生破坏地除去附着于晶舟217的表面的堆积物。
处理室201内的压力上升到第一压力带后，结束本步骤。
(清洁步骤(b))
清洁步骤(a)结束后，开始清洁步骤(b)。本步骤中，在持续向处理室201内供给HF气体的状态下开始处理室201内的排气。具体而言，一边持续HF气体的供给，一边在使真空泵246动作的状态下打开APC阀244的阀，进行处理室201内的真空排气。即，同时进行处理室201的排气和向处理室201内的清洁气体的供给。此外，优选清洁步骤(a)结束后不进行其它步骤而连续地执行本步骤。
如上述地，当进行清洁步骤(a)时，附着于处理室201内的SiO膜等堆积物被除去。另外，当进行清洁步骤(a)时，通过堆积物含有的Si和HF气体含有的F键和，在处理室201内生成四氟化硅(SiF4)气体等。如上述地，清洁步骤(a)在密闭状态下进行，因此无法使通过蚀刻剥离的SiO膜等、生成的SiF4气体排出至处理室201外。其结果，来自于这些SiO膜等、SiF4气体的氟化物作为颗粒物悬浮于处理室201内，存在再次附着于处理室201内的可能性。在本步骤中，通过进行处理室201内的排气，将这些SiO膜、氟化物等从处理室201内除去(排出)，能够避免再次附着于处理室201内。
另外，在本步骤中，将处理室201内的压力维持在第一压力带。具体而言，在进行处理室201内的真空排气时，在使真空泵246工作的状态下，基于由压力传感器245检测出的压力信息调整APC阀244的阀开度，以使处理室201内的压力维持第一压力带。
在本步骤中，若不调整APC阀244的阀开度而进行处理室201内的排气，则存在处理室201内的压力从第一压力带偏离(下降)的可能性。如上述地，第一压力带是能够得到高的蚀刻速度的压力范围，因此若处理室201内的压力从第一压力带下降，则无法有效地清洁处理室201内。在本步骤中，为了实现附着于处理室201内的堆积物的有效的时刻，将处理室201内的压力维持在第一压力带。这样，通过将处理室201内的压力维持在第一压力带，能够兼顾剥离的SiO膜等的排出和堆积物的蚀刻。
在本步骤中，HF气体的供给时间例如为10～230秒，优选为100～140秒的范围内的时间。若将HF气体的供给时间设为低于10秒，则有时不能充分蚀刻处理室201内的堆积物。通过将HF气体的供给时间设为10秒以上，能够消除该问题。通过将HF气体的供给时间设为100秒以上，能够更可靠地蚀刻处理室201内的堆积物。另外，在本步骤中，与清洁步骤(a)相比，HF气体在处理室201内难以扩散，因此若使HF气体的供给时间超过230秒，则有时蚀刻产生不均，不能均匀地蚀刻处理室201内的堆积物。通过将HF气体的供给时间设为230秒以下，能够抑制蚀刻的不均。通过将HF气体的供给时间设为140秒以下，能够进一步抑制蚀刻的不均。
HF气体的供给流量、加热器207的设定温度设为与清洁步骤(a)的处理条件相同。
开始本步骤后，经过预定时间后，结束本步骤。
(排气步骤(c))
清洁步骤(b)结束后，开始排气步骤(c)。在本步骤中，在持续处理室201内的排气的状态下，停止HF气体的供给。按照与清洁步骤(a)相反的顺序，停止HF气体的供给。
这样，通过停止HF气体的供给且继续排气，能够将在清洁步骤(a)、(b)生成的SiF4气体等气体、颗粒物的残渣排出到处理室201外。另外，在继续排气时，使APC阀244的阀开度最大。由此，能够缩短本步骤耗费的时间。
另外，通过停止HF气体的供给且继续排气，能够使处理室201内的压力降低。在本步骤中，直至处理室201内的压力成为比第一压力带低的第二压力为止，进行处理室201内的排气。
如上述地，在清洁步骤(b)中，处理室201内的压力维持在第一压力带。这样，在维持第一压力带这样的高压力状态的状态下开始下一周期的清洁步骤(a)的情况下，HF气体在处理室201内难以扩散，有时蚀刻产生不均。即，不能得到使HF气体在处理室201内扩散这一清洁步骤(a)的效果之一。作为结果，有时不能均匀地蚀刻处理室201内的堆积物。在本步骤中，将处理室201内的压力从第一压力带下降到第二压力，在下一周期的清洁步骤(a)中再次上升到第一压力带，通过产生这样的压力变动，能够使HF气体在处理室201内扩散。作为结果，可以均匀蚀刻堆积物。
特别是为了对炉口部这样的具有复杂的构造的区域的部件均匀地供给HF气体，在本步骤中使处理室201内的压力临时降低，产生上述的压力变动，这样是有效的。
第二压力是通过HF气体产生实质性的蚀刻反应的下限压力值。在此，产生实质性的蚀刻反应的下限压力值不限于能够产生有效的蚀刻反应，而是能够以实际上以有意义的蚀刻速度产生蚀刻反应的压力的下限值。作为第二压力，例如能够列举100Torr(13332.2Pa)以上且低于150Torr(19998.3Pa)的范围内的压力。图5中，作为第二压力图示出100Torr。
处理室201内的排气时间例如为5～15秒的范围内的时间。如上所述地，在本步骤中使APC阀244的阀开度最大，因此能够短时间降低处理室201内的压力。
加热器207的设定温度与清洁步骤(a)的处理条件相同。
另外，在本步骤中，并非将处理室201内的压力例如下降至通过真空泵246的排气能力将处理室201内的气体下降的压力的下限值(理想的地为0Torr)，而使下降至例如第二压力(例如，100Torr(133332.2Pa))。由此，在下一周期的清洁步骤(a)中，能够缩短将处理室201内的压力上升到第一压力带的时间。这样，能够缩短密闭状态下的HF气体的供给时间，因此，能够抑制在下一周期的清洁步骤(a)中在处理室201内产生颗粒物。另外，也能够抑制下一周期的清洁步骤(a)下的HF气体的供给量。
另外，如上述地，在本步骤中将处理室201内的压力下降到第二压力，因此HF气体从处理室201内未完全排出，而是具有残留。通过使HF气体残留，即使在本步骤中，也能够蚀刻处理室201内的堆积物。
处理室201内的压力成为第二压力后，结束本步骤。此外，在上述的实施方式中，对在本步骤的期间使APC阀244的阀开度最大的例进行了说明。但是，为了使在开始下一周期的清洁步骤(a)前使处理室201内的压力稳定在第二压力，也可以在将APC阀244的阀开度设为最大后，逐渐减小阀开度，随着本步骤结束，停止处理室201内的排气(即，关闭APC阀244)。
(实施预定次数)
通过将非同时地、即不同步地依次进行上述的清洁步骤(a)、清洁步骤(b)以及排气步骤(c)的周期进行预定次数(N次：自然数)，能够清洁处理室201内。上述的周期优选进行两次以上。
此外，如上述地，在清洁步骤(a)中，直至处理室201内的压力上升到第一压力带为止，向处理室201内供给HF气体(参照图5)。但是，在第一周期的清洁步骤(a)开始前的周期(未图示。以下，称为“0周期”。)的清洁步骤(a)中，有时在处理室201内的压力上升到第一压力带前停止HF气体的供给。这是因为，1周期以后的清洁步骤(a)的处理室201内的压力从第二压力(例如，100Torr(13332.2Pa))开始，与之相对，第0周期的清洁步骤(a)的处理室201内的压力从0Torr(0Pa)开始。即，与1周期以后的清洁步骤(a)相比，第0周期的清洁步骤(a)直至处理室201内的压力上升到第一压力带为止，耗费更多时间。因此，在第0周期的清洁步骤(a)中，必须长时间供给HF气体，存在在处理室201内产生颗粒物的可能性。为了避免该问题，在本实施方式中，对于第0周期的清洁步骤(a)，在开始后经过预定时间后，即使在处理室201内的压力上升到第一压力带前，也进行控制，以停止HF气体的供给。另外，在第0周期的清洁步骤(a)结束后，经过其它步骤后使处理室201内的压力成为第二压力后进行控制，以开始第一周期的清洁步骤(a)。
以下，使用图6、图7，对基于本实施方式的清洁方法进行的SiO膜等堆积物的除去的优点进行说明。
本公开者在处理室201内的炉口部附近的任意的三个区域(区域10、20、30)分别配置在表面形成有SiO膜的芯片，对通过三种不同的清洁方法(样品A、B、C)进行了蚀刻的各芯片上的SiO膜的除去量(除去的厚度)分别进行测定。而且，将这些各芯片上的SiO膜的除去量作为通过各清洁方法除去SiO膜等堆积物时的堆积物的除去量进行评价。图6(a)是表示处理室201内的区域10、20、30的图。图6(b)是表示通过三种不同的的清洁方法即样品A、B、C进行除去所得到的区域10～30中的这些芯片上的SiO膜的量(除去的厚度)的图。图6(b)中的横轴表示通过样品A～C清洁的区域，区域10表示于左侧，区域20表示于正中间，区域30表示于右侧。图6(b)中的纵轴表示形成于各芯片上的SiO膜的除去量(蚀刻量)。
样品A是如反复进行如下工序的清洁方法，该工序连续进行直至处理室201内的压力上升到100Torr(13332.2Pa)为止在密闭状态下供给HF气体的步骤、同时进行HF气体的供给和处理室201内的排气并将处理室201内的压力维持在100Torr的步骤、以及在停止HF气体的供给的状态下直至处理室201内的压力成为0Torr为止进行排气的步骤。样品B是反复进行如下工序的清洁方法，该工序连续进行直至处理室201内的压力上升到200Torr(26664.4Pa)为止在密闭状态下供给HF气体的步骤和在停止HF气体的供给的状态下直至处理室201内的压力成为0Torr为止进行排气的步骤。样品C是上述的本实施方式的清洁方法。
如图6(b)所示，就用芯片上的SiO膜的除去量表示的堆积物的除去量而言，在区域10～30全部的区域，与样品A、B相比，样品C均显著增多。即，可知，在通过本实施方式的方法清洁处理室201内的情况，能够不依赖于处理室201内的位置地除去堆积物，而且，与样品A、B相比，能够除去显著多的堆积物。
通过本实施方式的清洁方法能够不依赖于处理室201内的位置地除去堆积物，这是因为，在清洁步骤(a)中，从相对于第一压力带相对于减压的第二压力在密闭状态下供给HF气体。即，能够使HF气体扩散到处理室201内的各处，其结果，能够不依赖于处理室201内的位置地将堆积物均匀地蚀刻。
另外，作为在通过本实施方式的方法清洁处理室201内的情况下，与样品A、B相比能够除去显著多的积物的第一个理由，可以列举在清洁步骤(b)中同时进行处理室201内的排气和HF气体的供给。由此，能够将在清洁步骤(a)剥离的SiO膜等从处理室201内排出，避免再次附着于处理室201内，并且进一步蚀刻堆积物。与之相对，在样品B中不进行与清洁步骤(b)对应的工序，因此可以推断为，进行蚀刻反应的时间缩短，堆积物的除去量减少。进一步地，作为第二个理由，可以列举，在清洁步骤(b)中，将处理室201内的压力维持在作为可得到有效的蚀刻反应的压力范围的第一压力带(例如，200Torr(26664.4Pa))进行。与之相对，在样品A中，维持比第一压力带低的压力(例如100Torr(13332.2Pa))，同时进行处理室201内的排气和HF气体的供给，因此，推断不能通过本实施方式的清洁方法蚀刻堆积物。
另外，图7是用数值表示在通过本实施方式的方法清洁处理室201内的情况下，与样品A、B相比能够不依赖于处理室201内的位置地将堆积物均匀地除去的图。图7中的横轴，在左侧表示样品C，正中间表示样品A，在右侧表示样品B。图7中的纵轴表示蚀刻的位置依赖性的高度。位置依赖性的高度对于样品A～C分别通过(差量/区域10～30的蚀刻量的平均值)×100的计算式用百分率表示。样品A～C的差量是在各个样品A～C中从区域10～30中的芯片上的SiO膜的除去量的最大值减去最小值得到的。
如图7所示，通过本实施方式的方法清洁处理室201内的情况(样品C)的位置依赖性最低，不足40％，其次为样品A的位置依赖性降低，超过40％，样品B的位置依赖性最高，为越50％。
(4)本实施方式的效果
根据本实施方式，起到以下所示的一个或多个效果。
(a)本实施方式中，在清洁步骤(a)，在停止处理室201内的排气的状态下、即密闭状态下供给HF气体，因此能够使HF气体扩散到处理室201内各处。作为结果，能够不依赖于处理室201内的位置，将堆积物均匀地蚀刻。另外，在密闭状态下供给HF气体，因此与同时进行HF气体的供给和处理室201内的排气的情况相比，能够得到高的蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，在清洁步骤(b)进行处理室201内的排气，从而能够将在清洁步骤(a)剥离的SiO膜、生成的氟化物等从处理室201内排出，避免再次附着于处理室201内。另外，在清洁步骤(b)中，将处理室201内的压力维持在第一压力带，从而能够以高的蚀刻速度蚀刻附着于处理室201内的堆积物。即，能够兼顾剥离的SiO膜、生成的氟化物等的排出和堆积物的蚀刻。
在本实施方式中，在清洁步骤(c)停止HF气体的供给，并继续排气，因此能够将在清洁步骤(a)、(b)产生的颗粒物的残渣排出至处理室201外。由此，能够避免在清洁步骤(a)、(b)剥离的SiO膜、生成的氟化物等再次附着。
另外，在清洁步骤(c)中，将处理室201内的压力从第一压力带下降低到第二压力，在下一周期的清洁步骤(a)中再次上升到第一压力带，产生这样的压力变动，从而能够使HF气体扩散。作为结果，能够均匀且有效地蚀刻堆积物。
另外，在清洁步骤(c)中，将处理室201内的压力并非下降低到例如0Torr，而使下降到第二压力(例如，100Torr(13332.2Pa))。由此，能够缩短在下一周期的清洁步骤(a)中将处理室201内的压力上升到第一压力带的时间。这样，能够缩短密闭状态下的HF气体的供给时间，因此，能够抑制在下一周期的清洁步骤(a)在处理室201内产生颗粒物。另外，也能够抑制下一周期的清洁步骤(a)中的HF气体的供给量。
(b)在本实施方式中，将依次进行清洁步骤(a)、清洁步骤(b)以及排气步骤(c)的周期进行两次以上，因此能够在处理室201内可靠地产生压力变动，能够更有效地清洁处理室201内。
(c)在本实施方式中，供给含有氟化氢的HF气体作为清洁气体。与F2气体等其它清洁气体相比，HF气体能够在较低的温度带蚀刻SiO膜等堆积物。因此，能够有效地蚀刻附着于在难以被加热器207加热区域、即炉口部附近配置的密封盖219、隔热板218等的堆积物。
＜其它实施方式＞
以上对本公开的一实施方式具体地进行了说明，但本公开不限于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。
作为清洁气体，举例说明了HF气体，但本公开不限于此。例如，也可以供给F2气体与一氧化氮(NO)气体的混合气体。此外，在该情况下，加热器207的温度优选设定为使构成形成于处理室201内的下部的炉口部的部件成为300℃～500℃的范围内的温度。
另外，在上述的实施方式中，举例说明了在内周设有罩209a的歧管209，但本公开不限于此，也可以应用于在内周未设置罩209a的歧管209。
另外，在上述的实施方式中，作为处理室201内的堆积物，举例说明了作为氧化物的SiO膜，但本公开不限于此。例如，也可以应用于堆积物为作为氮化物的SiN膜、SiON膜的情况。
另外，在上述的实施方式中，作为将依次进行清洁步骤(a)、清洁步骤(b)、排气步骤(c)的周期实施预定次数的例，对进行两次以上的情况进行了说明，但本公开不限于此。即，预定次数也可以是一次，上述的周期为一次的情况下也能够应用。

Claims (16)

1.一种清洁方法，其特征在于，
通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物：
（a）在停止上述处理室内的排气的状态下，直至上述处理室内的压力上升到第一压力带为止向上述处理室内供给清洁气体；
（b）同时进行上述处理室内的排气和向上述处理室内的上述清洁气体的供给，将上述处理室内的压力维持在上述第一压力带；以及
（c）在停止向上述处理室内的上述清洁气体的供给的状态下，以上述处理室内的压力成为比上述第一压力带低且为通过上述清洁气体产生蚀刻反应的下限压力值的第二压力的方式进行上述处理室内的排气。
2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，
上述第一压力带是通过上述清洁气体能够得到期望的蚀刻速度的压力范围。
3.根据权利要求1或2所述的清洁方法，其特征在于，
上述清洁气体是包含氟化氢的气体。
4.根据权利要求3所述的清洁方法，其特征在于，
上述第一压力带为150Torr以上且400Torr以下。
5.根据权利要求3所述的清洁方法，其特征在于，
上述第二压力为100Torr以上。
6.根据权利要求4所述的清洁方法，其特征在于，
上述第二压力为100Torr以上。
7.根据权利要求3所述的清洁方法，其特征在于，
在上述（a）~（c）工序中，以使构成形成于上述处理室内的下部的炉口部的部件为0℃以上且100℃以下的温度的方式进行加热。
8.根据权利要求7所述的清洁方法，其特征在于，
从设于上述炉口部的气体吐出部对上述炉口部附近供给上述清洁气体。
9.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，
上述周期进行两次以上。
10.根据权利要求9所述的清洁方法，其特征在于，
至少第二次的上述周期中的上述（a）工序在上述处理室内的压力维持上述第二压力的状态下开始。
11.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，
在执行上述（a）工序后不进行其它工序而连续地执行上述（b）工序。
12.根据权利要求3所述的清洁方法，其特征在于，
上述堆积物是含硅物。
13.根据权利要求12所述的清洁方法，其特征在于，
上述含硅物包括硅氧化物。
14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：通过将依次进行工序（a）、工序（b）以及工序（c）的周期实施预定次数来清洁处理室内的工序；以及工序（d），
上述工序（a）在停止上述处理室内的排气的状态下，直至上述处理室内的压力上升到第一压力带为止，向上述处理室内供给清洁气体，
上述工序（b）同时进行上述处理室内的排气和向上述处理室内的上述清洁气体的供给，将上述处理室内的压力维持在上述第一压力带，
上述工序（c）在停止向上述处理室内的上述清洁气体的供给的状态下，以上述处理室内的压力成为比上述第一压力带低且为通过上述清洁气体产生蚀刻反应的下限压力值的第二压力的方式进行上述处理室内的排气，
上述工序（d）在将基板容纳于上述处理室内的状态下对上述基板进行处理。
15.一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
容纳基板的处理室；
对上述处理室内进行排气的排气***；
向上述处理室内供给清洁气体的清洁气体供给***；以及
构成为能够控制上述排气***和上述清洁气体供给***的控制部，
上述控制部构成为，将依次进行以下处理的周期实施预定次数，能够对上述处理室内进行清洁：
（a）在停止上述处理室内的排气的状态下，直至上述处理室内的压力上升到第一压力带为止向上述处理室内供给清洁气体；
（b）同时进行上述处理室内的排气和向上述处理室内的上述清洁气体的供给，将上述处理室内的压力维持在上述第一压力带；以及
（c）在停止向上述处理室内的上述清洁气体的供给的状态下，以上述处理室内的压力成为比上述第一压力带低且为通过上述清洁气体产生蚀刻反应的下限压力值的第二压力的方式进行上述处理室内的排气。
16.一种通过计算机可读取的存储介质，其特征在于，存储有通过计算机使基板处理装置执行以下步骤的程序，该步骤将依次进行步骤（a）、步骤（b）以及步骤（c）的周期实施预定次数，对处理室内进行清洁，
上述步骤（a）在停止上述基板处理装置的上述处理室内的排气的状态下，直至上述处理室内的压力上升到第一压力带为止，向上述处理室内供给清洁气体，
上述步骤（b）同时进行上述处理室内的排气和向上述处理室内的上述清洁气体的供给，将上述处理室内的压力维持在上述第一压力带，
上述步骤（c）在停止向上述处理室内的上述清洁气体的供给的状态下，以上述处理室内的压力成为比上述第一压力带低且为通过上述清洁气体产生蚀刻反应的下限压力值的第二压力的方式停止上述处理室内的排气。
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