TWI625996B - 配線基板的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之配線基板的製造方法，其特徵為含有：於電路基板之兩表面，形成厚度不同之防焊層的製程(A)；對厚度薄於第二面之防焊層的第一面之防焊層，實施於後製程之製程(B)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C1)；對第二面之防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分之曝光的製程(C2)；以薄膜化處理液實施使非曝光部之第一面之防焊層成為連結墊之厚度以下為止之薄膜化的製程(B)；對第一面之防焊層，實施於製程(B)被薄膜化之區域部分之曝光的製程(C3)；以及以顯影液除去第二面之非曝光部之防焊層的製程(D)。
Description
本發明係關於配線基板的製造方法，尤其是，與具有用以連結半導體晶片及其他印刷線路板等電子構件之複數連結墊之配線基板的製造方法相關。
各種電氣機器內部之配線基板，於其中一側表面或兩表面，有具備絕緣層、及形成於絕緣層表面之導體配線的電路基板。此外，於配線基板的電路基板表面，為了使焊劑不會附著於無需焊接之導體配線，而在未焊接之部分全面形成防焊層。該防焊層，發揮防止導體配線之氧化、電氣絕緣及阻隔外部環境之機能。
此外，於配線基板上配載半導體晶片等電子構件時，於配線基板的表面，形成有用以連結半導體晶片、及其他印刷線路板等電子構件之多數連結墊。連結墊，係以使電路基板表面之導體配線的整體或一部分從防焊層露出之方式來製作。近年來，該連結墊持續朝高密度化發展，所配置之連結墊的彼此間距愈來愈狹窄，例如，
也有50μm以下之窄間距。
於高密度配置之連結墊配載電子構件的方法，有利用覆晶連結的方法。覆晶連結，係指使配設於配線基板上之電子構件連結用連結墊的一部分對應於電子構件之電極端子的配置並露出，並使該電子構件連結用連結墊之露出部與電子構件之電極端子相對，再介由焊劑凸塊進行電氣連結。
連結墊之構造上，有除去部分防焊層來使連結墊表面之整體或一部分露出的SMD(Solder Mask Defined)構造、及除去部分防焊層來使連結墊完全露出的NSMD(Non Solder Mask Defined)構造。
第1圖A係具有SMD構造之配線基板一例的概略剖面圖。在絕緣層8表面配設有導體配線7及導體配線之部分連結墊3的電路基板1表面，形成有防焊層2。連結墊3，其周邊附近為防焊層2所覆蓋。所以，有不易因為機械衝擊而發生連結墊3剝落及從連結墊3之延伸配線之頸部斷線的優點。相反地，因為電子構件之電極端子與對應其之連結墊3的電氣連結獲得確實固定，必須於形成在連結墊3露出面之接合部確保必要的焊劑量，因而導致連結墊3的大型化，故難以對應電子構件之小型化及高性能化所伴隨之連結墊3的高密度化要求。
第1圖B係具有NSMD構造之配線基板一例的概略剖面圖。在絕緣層8表面配設有導體配線7及導體配線之部分連結墊3的電路基板1表面，形成有防焊層
2。防焊層2之同一開口內，配置有複數連結墊3，該等連結墊3從防焊層2露出。NSMD構造時，連結墊3之周邊附近的防焊層2被完全除去，而使連結墊3的側面完全露出。所以，相較於SMD構造，即使較小的連結墊3，也可確保連結墊3與焊劑的接著強度。相反地，連結墊3的側面完全露出，可能降低連結墊3與絕緣層8之間的接著強度。此外，以窄間距配置之連結墊3時，在後製程的無電解鎳/金電鍍有時於連結墊3間會發生短路，或者，在連結墊3上配設焊劑凸塊的話，有時熔融之焊劑流至相鄰之連結墊3，而使連結墊3間發生短路。
為了解決連結墊與絕緣層間的接著強度問題，有人提出以下之方法，藉由照射雷射光使配設於電路基板表面之防焊層的一部分形成深度0~15μm程度的開口部，來製造具有連結墊部分側面從防焊層露出之構造之印刷線路板的方法(例如，參照專利文獻1)。藉由採用以專利文獻1所記載之方法得到的印刷線路板，相較於使存在於防焊層下部之連結墊完全露出的印刷線路板，可能會提高連結墊與絕緣層間的接著強度。
此外，為了解決窄間距配置之連結墊3的短路問題，有人提出製造於相鄰連結墊3間充填防焊層2之配線基板的方法(例如，參照專利文獻2)。依據專利文獻2之方法的話，可以形成如第2圖所示之於連結墊3間充填著防焊層2，且充填之防焊層2的厚度為連結墊3之厚度以下的NSMD構造。具體而言，於電路基板1上形成
防焊層2，對防焊層2之厚度薄膜化至連結墊3之厚度以下為止的區域以外之部分進行曝光後，利用鹼性水溶液薄膜化處理液，實施使其成為連結墊3之厚度以下為止之非曝光部之防焊層2的薄膜化。藉此，形成具有包含連結墊3之厚度以下的部分及超過連結墊3之厚度的部分之多段構造的防焊層2，進而製造出做為連結墊3之部分導體配線露出的配線基板。
通常，配載著電子構件之配線基板時，於背面以高密度形成有多數之外部連結用連結墊。外部連結用連結墊，也可藉由使電路基板背面之部分導體配線從防焊層露出來製作。使該外部連結用連結墊之露出部與主機板等之外部電氣基板的導體配線相對，介由焊劑凸塊來進行電氣連結。
於電路基板兩面形成防焊層時，連結墊上之防焊層厚度，隨著包含連結墊在內之其周圍的導體配線密度而變化。例如，導體配線密度較小時，充填於導體配線間之間隙的防焊層量較多，呈現連結墊上之防焊層厚度較薄的傾向。另一方面，導體配線密度較大時，充填於導體配線間之間隙的防焊層量較少，呈現連結墊上之防焊層厚度較厚的傾向。
以覆晶連結來配載電子構件之配線基板時，有時包含背面之外部連結用連結墊在內之其周圍的導體配線密度大於包含表面之電子構件連結用連結墊在內之其周圍的導體配線密度。所以，有時背面之外部連結用連結墊
上的防焊層厚度比表面之電子構件連結用連結墊上的防焊層厚度更厚。在利用薄膜化處理液實施防焊層薄膜化來使連結墊露出的方法時，對兩面同時實施薄膜化時，有時會發生以下之問題。
首先，以使表面之防焊層2成為電子構件連結用連結墊3之厚度以下為止的薄膜化做為基準時，背面之防焊層2也同時被實施與表面同量之薄膜化，然而，因為背面之防焊層2比表面之防焊層2更厚，背面之外部連結用連結墊4上殘留著防焊層2之殘渣，該殘渣有時會導致電氣絕緣不良的問題(第3圖)。
相反地，以使背面之防焊層2成為外部連結用連結墊4之厚度以下為止的薄膜化做為基準時，表面之防焊層2也同時被實施與背面同量之薄膜化，然而，因為背面之防焊層2比表面之防焊層2更厚，充填於表面之電子構件連結用連結墊3間的防焊層2厚度比期望厚度更薄，有時會發生相鄰之電子構件連結用連結墊3間的短路問題。
但是，於電路基板上實施電子構件之覆晶連結的印刷線路板時，為了確保電子構件與電路基板之連結信賴性，以填膠(密封樹脂)充填電子構件與電路基板之空隙來進行補強。為了確保補強效果，必須對電子構件與電路基板之空隙進行充分量之填膠的充填。然而，使用專利文獻1所得到之印刷線路板來實施覆晶連結時，為了確保補強效果而實施充分填膠之充填時，填膠從電子構件與
電路基板之空隙溢至周圍，有時會對電氣作動產生不良影響。所以，為了防止填膠溢至周圍，有人提出具有堤壩構造的印刷線路板(例如，參照專利文獻3~5)。
專利文獻3提出之方法，係在具有導體電路之電路基板上形成防焊層後，實施部分曝光，其後，對未曝光部實施顯影處理，形成使部分連結墊上部從防焊層露出的開口部，其次，實施第2次部分曝光，其後，以除膠渣處理來實施第2次部分曝光之未曝光部的薄膜化，進而形成堤壩形狀的方法。利用此方法之防焊層的開口部，因為係SMD構造，難以確實固定電子構件之電極端子與對應於其之連結墊的電氣連結，有時連結墊與焊球之電氣連結會不充分。此外，利用此方法之堤壩構造的形成，因為係利用除膠渣處理來實施，有時，防焊層會粗面化而導致防焊層強度降低，進而無法充分確保印刷線路板之信賴性。
專利文獻4所提出之方法，係在具有導體電路之電路基板上形成防焊層後，實施部分曝光，其後，對未曝光部實施顯影處理，來形成使連結墊完全從防焊層之露出的開口部，其次，形成第2次防焊後，實施未曝光部遠大於第1次部分曝光區域之第2次部分曝光，其後，以未曝光部之顯影來形成堤壩形狀的方法。利用此方法之防焊層的開口部，係NSMD構造，連結墊之周邊附近的防焊層被完全除去，連結墊之側面完全露出，可能導致連結墊與絕緣層間的接著強度降低。
專利文獻5提出之方法，係在具有導體電路之電路基板上形成防焊層後，實施部分曝光製程，其後，實施未曝光部之防焊層的薄膜化，而於防焊層形成開口部及堤壩形狀的方法。利用此方法之防焊層的開口部，係SMD構造，因為連結墊之周邊附近為防焊層所覆蓋，難以使電子構件之電極端子與對應其之連結墊的電氣連結獲得確實固定，有時會有連結墊與焊球之電氣連結不充分的情形。
[專利文獻1]日本特許3346263號公報
[專利文獻2]國際公開第2012/043201號小冊子
[專利文獻3]日本特開2012-238668號公報
[專利文獻4]日本特開平05-226505號公報
[專利文獻5]日本特開2011-77191號公報
本發明之課題，係在提供一種於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，且電路基板之兩表面具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，在配線基板的兩表面，從防焊層露出之連結墊間不會發生電氣短路，且露出之連結墊上不殘留防焊層之殘渣的配線基板的製造方法。此外，本發明之其他課題，係在提供一種印刷線路板的製造方法，
可以得到連結墊與絕緣層及連結墊與焊劑之接著強度高，無填膠流出所致之電性作動不良，防焊層強度高的印刷線路板。
本發明者們，為了解決上述課題，經過審慎檢討的結果，發現以下述發明可以解決上述課題。
(1)之配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為，含有：於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊之電路基板的兩表面，形成厚度不同之防焊層的製程(A)；對厚度薄於第二面之防焊層的第一面之防焊層，實施於後製程之製程(B)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C1)；對第二面之防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分之曝光的製程(C2)；於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之防焊層成為連結墊之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B)；對第一面之防焊層，實施於製程(B)被薄膜化之區域部分之曝光的製程(C3)；以及以顯影液除去第二面之非曝光部之防焊層的製程
(D)。
(2)之配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為，含有：於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊之電路基板的兩表面，形成厚度不同之防焊層的製程(A)；對厚度薄於第二面之防焊層的第一面之防焊層，實施後製程之製程(B1)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C1)；對第二面之防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分之曝光的製程(C2)；對第一面，在連結墊未露出之範圍，以薄膜化處理液，實施非曝光部之防焊層之薄膜化的製程(B1)；於第一面之防焊層，實施於後製程之製程(B2)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C4)；於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之防焊層成為連結墊之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B2)；對第一面之防焊層，實施於製程(B2)被薄膜化之區域部分之曝光的製程(C5)；以及以顯影液除去第二面之非曝光部之防焊層的製程
(D)。
(3)之配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為，含有：於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊之電路基板的兩表面，形成厚度不同之第一防焊層的製程(A1)；對厚度薄於第二面之第一防焊層的第一面之第一防焊層，實施於後製程之製程(B)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C1)；對第二面之第一防焊層，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光的製程(C2)；於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之第一防焊層成為連結墊之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B)；對第一面之第一防焊層，實施於製程(B)被薄膜化區域部分之曝光的製程(C3)；於完成至(C3)製程為止之電路基板之第一面的第一防焊層上，形成第二防焊層之製程(A2)；對第一面之第二防焊層，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光的製程(C6)；以及以顯影液除去第一面之非曝光部之第二防焊層及第二
面之非曝光部之第一防焊層的製程(D1)。
(4)之配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為，含有：於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊之電路基板的兩表面，形成厚度不同之第一防焊層的製程(A1)；對厚度薄於第二面之第一防焊層的第一面之第一防焊層，實施於後製程之製程(B)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C1)；對第二面之第一防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分之曝光的製程(C2)；於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之第一防焊層成為連結墊之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B)；對第一面之第一防焊層，實施於製程(B)被薄膜化區域部分之曝光的製程(C3)；以顯影液除去第二面之非曝光部之第一防焊層的製程(D)；於完成至(D)製程為止之電路基板之第一面的第一防焊層上，形成第二防焊層之製程(A2)；對第一面之第二防焊層，實施於後製程之製程(D2)
被顯影區域以外部分之曝光的製程(C6)；以及以顯影液除去第一面之非曝光部之第二防焊層的製程(D2)。
(5)之配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為，含有：於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊之電路基板的兩表面，形成厚度不同之第一防焊層的製程(A1)；對第二面之第一防焊層，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光的製程(C2)；於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之第一防焊層成為連結墊之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B)；對第一面之第一防焊層，實施於製程(B)被薄膜化區域部分之曝光的製程(C3)；於完成至(C3)製程為止之電路基板之第一面的第一防焊層上，形成第二防焊層之製程(A2)；對第一面之第二防焊層，實施於後製程之製程(B3)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C6)；於第一面，在連結墊未露出之範圍，以薄膜化處理液實施非曝光部之第二防焊層之薄膜化的製程(B3)；
對第一面之第二防焊層，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光的製程(C7)；以及以顯影液除去第一面之非曝光部之第二防焊層及第二面之非曝光部之第一防焊層的製程(D1)。
(6)之配線基板的製造方法，係在製程(C1)之前，實施製程(C2)之上述(1)~(4)項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法。
(7)配線基板的製造方法，係同時實施製程(C1)及製程(C2)之上述(1)~(4)項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法。
(8)之配線基板的製造方法，係以氧環境下之非接觸曝光方式來實施製程(C3)之曝光之上述(1)、(3)、(4)項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法。
(9)之配線基板的製造方法，係以氧環境下之非接觸曝光方式來實施製程(C3)及製程(C7)之曝光之上述(5)所記載之配線基板的製造方法。
(10)之配線基板的製造方法，係以氧環境下之非接觸曝光方式來實施製程(C4)及製程(C5)之曝光之上述(2)所記載之配線基板的製造方法。
(11)之配線基板的製造方法，係製程(C3)之曝光量為製程(C1)之曝光量之1倍以上、5倍以下之上述(1)、(3)、(4)、(8)項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法。
(12)之配線基板的製造方法，係製程(C3)及製程(C7)之曝光量為製程(C6)之曝光量之1倍以上、5倍以下之上述(5)或(9)所記載之配線基板的製造方法。
(13)之配線基板的製造方法，係製程(C4)及製程(C5)之曝光量為製程(C1)之曝光量之1倍以上、5倍以下之上述(2)或(10)所記載之配線基板的製造方法。
(14)之配線基板的製造方法，係製程(B)之防焊層的薄膜化處理以薄膜化處理面朝上來實施之上述(1)、(3)、(4)、(8)、(11)項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法。
(15)之配線基板的製造方法，係製程(B)及製程(B3)之防焊層的薄膜化處理以薄膜化處理面朝上來實施之上述(5)、(9)、(12)項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法。
(16)之配線基板的製造方法，係製程(B1)及製程(B2)之防焊層的薄膜化處理以薄膜化處理面朝上來實施之上述(2)、(10)、(13)項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法。
依據本發明，可以提供一種配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，在配線基板的兩表面，從防焊層露出之連結墊間不會
發生電氣短路，此外，防焊層之殘渣不會殘留於露出之連結墊上。此外，依據本發明，可以提供一種印刷線路板之製造方法，可以得到連結墊與絕緣層及連結墊與焊劑之高接著強度，無填膠流出所導致的電氣作動不良，且防焊層強度高的印刷線路板。
1‧‧‧電路基板
2‧‧‧防焊層
2-1‧‧‧第一防焊層
2-2‧‧‧第二防焊層
3‧‧‧電子構件連結用連結墊、第一面之連結墊
4‧‧‧外部連結用連結墊、第二面之連結墊
5‧‧‧光罩
6‧‧‧活性光線
7‧‧‧導體配線
8‧‧‧絕緣層
第1圖係配線基板一例之概略剖面圖。
第2圖係配線基板一例之概略剖面圖。
第3圖係配線基板一例之概略剖面圖。
第4圖係本發明之配線基板的製造方法一例之剖面製程圖。
第5圖係本發明之配線基板的製造方法一例之剖面製程圖。
第6圖係本發明之配線基板的製造方法一例之剖面製程圖。
第7圖係本發明之配線基板的製造方法一例之剖面製程圖。
第8圖係本發明之配線基板的製造方法一例之剖面製程圖。
第9圖係本發明所製造之配線基板一例的概略剖面圖。
第10圖係本發明所製造之配線基板一例的概略剖面
圖。
第11圖係本發明所製造之配線基板一例的概略剖面圖。
第12圖係本發明所製造之配線基板一例的概略剖面圖。
第13圖係多層電路基板一例之概略剖面圖。
以下，針對本發明之配線基板的製造方法進行詳細說明。
第4-1圖及第4-2圖係配線基板的製造方法(1)一例之剖面製程圖。準備兩表面具有絕緣層8、及形成於絕緣層8表面之導體配線7的電路基板。導體配線7之一部分係連結墊3及4。製程(A)時，於電路基板1之兩表面，以覆蓋全面之方式形成著防焊層2。第一面及第二面之防焊層2的形成上，可以兩表面同時實施，也可以逐面實施，然而，必須對應形成之防焊層厚度，設定不會過度熱硬化之加熱條件。兩表面之防焊層2的厚度不同，厚度較薄之一方為「第一面」，厚度較厚之一方為「第二面」。在兩表面，以相同條件形成防焊層2時，防焊層2之厚度，隨著包含各面之連結墊3及4在內的導體配線7密度而產生變化。第4-1圖時，下側之第二面之導體配線7密度大於上側之第一面，故第二面之導體配線7上的防焊層2厚度也大於第一面之導體配線7上的防焊層
2厚度。而且，配載電子構件之配線基板時，有時包含背面之外部連結用連結墊4在內之周圍導體配線7的密度大於包含表面之電子構件連結用連結墊3在內之周圍導體配線7密度，故表面為第一面，背面則為第二面。
製程(C1)時，對第一面之防焊層2，實施於後製程之製程(B)被薄膜化區域以外部分之曝光。製程(C2)時，對第二面之防焊層2，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分的曝光。在防焊層2之經過曝光的部分，防焊劑產生光聚合，而對薄膜化製程及顯影製程具有耐性。
製程(B)時，於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之防焊層2成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊3之一部分露出。配載電子構件之配線基板時，於該製程(B)，將露出之連結墊3當做電子構件連結用連結墊3來使用。製程(B)時，也同時實施第二面之非曝光部之防焊層2的薄膜化，然而，因為第二面之連結墊4上的防焊層2比第一面之連結墊3上的防焊層2更厚，防焊層2之殘渣殘留於連結墊4上。
製程(C3)時，對第一面之防焊層2，實施在製程(B)被薄膜化之區域部分的曝光。防焊層2之經過曝光的部分，防焊劑產生光聚合，而對顯影製程具有耐性。
製程(D)時，於第二面，以顯影液除去非曝光部之防焊層2，來使連結墊4之一部分露出。藉由製程
(D)，殘留於連結墊4上之防焊層2殘渣被除去。配載電子構件之配線基板時，將於該製程(D)露出之連結墊4當做外部連結用連結墊4來使用。在第一面之防焊層2，於製程(B)被薄膜化之區域部分，在製程(D)之前所實施的製程(C3)被曝光，對顯影製程具有耐性，而未被顯影液除去。
配線基板的製造方法(1)時，可以將製程(C1)之曝光區域變化成任意形狀，藉由曝光區域之變更，例如，可以製作如第9圖所示之剖面形狀的配線基板。第9之a圖時，於第一面之連結墊3間形成有防焊層2之凸部。第9之b圖時，於第一面，交互並列著為從防焊層2露出之連結墊3及防焊層2所覆蓋的導體配線7。
第5-1圖、第5-2圖及第5-3圖，係配線基板的製造方法(2)一例之剖面製程圖。配線基板的製造方法(1)的不同，係於第一面，分別追加一次防焊層2之曝光製程及薄膜化製程。藉由覆晶連結將電子構件配載於配線基板時，因為電子構件與配線基板之熱膨漲係數差而承受到熱衝擊時，應力集中於連結部，而使連結部發生變形或被破壞。為了防止應力集中於連結部並提高連結信賴性，一般，以被稱為填膠之樹脂組成物來密封電子構件與配線基板之間。依據配線基板的製造方法(2)，可以形成具有以堰塞充填於電子構件與配線基板之間之填膠為目的之堤壩構造之二段構造的防焊層。
製程(A)時，於電路基板1之兩表面，以覆
蓋全面之方式來形成防焊層2。製程(C1)時，對第一面之防焊層2，實施於後製程之製程(B1)被薄膜化區域以外部分之曝光。製程(C2)時，對第二面之防焊層2，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分的曝光。
製程(B1)時，於第一面，在連結墊3未露出之範圍，以薄膜化處理液實施非曝光部之防焊層2的薄膜化。製程(B1)時，也同時對第二面之非曝光部的防焊層2實施薄膜化。
製程(C4)時，對第一面之防焊層2，實施於後製程之製程(B2)被薄膜化之區域以外部分的曝光。
製程(B2)時，於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之防焊層2成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊3之一部分露出。配載電子構件之配線基板時，於該製程(B2)，將露出之連結墊3當做電子構件連結用連結墊3來使用。製程(B2)時，也同時實施第二面之非曝光部之防焊層2的薄膜化，因為第二面之連結墊4上的防焊層2比第一面之連結墊3上的防焊層2更厚，防焊層2之殘渣殘留於連結墊4上。
製程(C5)時，對第一面之防焊層2，實施在製程(B2)被薄膜化之區域部分的曝光。
製程(D)時，於第二面，以顯影液除去非曝光部之防焊層2，來使連結墊4之一部分露出。藉由製程(D)，殘留於連結墊4上之防焊層2殘渣被除去。配載電子構件之配線基板時，將於該製程(D)露出之連結墊
4當做外部連結用連結墊4來使用。
配線基板的製造方法(2)時，可以將製程(C4)之曝光區域變化成任意形狀，藉由曝光區域之變更，例如，可以製作第10圖所示之剖面形狀的配線基板。第10之c圖時，於第一面之連結墊3間形成有防焊層2之凸部。第10圖之d時，於第一面，交互並列著從防焊層2露出之連結墊3及被防焊層2覆蓋之導體配線7。
第6-1圖、第6-2圖及第6-3圖，係配線基板的製造方法(3)一例之剖面製程圖。與配線基板的製造方法(2)不同之點，係第一面之防焊層由第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所構成。配線基板的製造方法(3)時，係進行使第一面之非曝光部的第一防焊層2-1之厚度成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化後，於第一防焊層2-1之表面上形成第二防焊層2-2，進行曝光後，進行非曝光部之第二防焊層2-2的顯影處理。藉此，與使用配線基板的製造方法(2)時相同，可以形成具有以堰塞充填於電子構件與配線基板之間之填膠為目的之堤壩構造之二段構造的防焊層。
製程(A1)時，於電路基板1之第一面與第二面，形成有厚度不同之第一防焊層2-1。第一面與第二面之第一防焊層2-1的形成，可以兩表面同時也可逐片實施，但必須對應所形成之防焊層的厚度，來設定不會過度熱硬化之加熱條件。
製程(C1)時，對厚度比第二面之第一防焊層2-1更薄之第一面的第一防焊層2-1，實施於後製程之製程(B)被薄膜化區域以外部分之曝光。製程(C2)時，對第二面之第一防焊層2-1，實施於後製程之製程(D1)被顯影之區域以外部分的曝光。
製程(B)時，於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之第一防焊層2-1成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊3之一部分露出。製程(B)時，第二面之非曝光部的第一防焊層2-1也同時被薄膜化。然而，因為第二面之連結墊4上之第一防焊層2-1比第一面之連結墊3上之第一防焊層2-1更厚，於連結墊4上，殘留著第一防焊層2-1之殘渣。
製程(C3)時，對第一面之第一防焊層2-1，實施於製程(B)被薄膜化之區域部分的曝光。
製程(A2)時，於完成至製程(C3)為止之電路基板之第一面的第一防焊層2-1，形成第二防焊層2-2。此時，調整第一面之第二防焊層2-2的相關加熱條件，來使第二面之第一防焊層2-1的非曝光部不會發生過度熱硬化。
製程(C6)時，對第一面之第二防焊層2-2，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光。
製程(D1)時，以顯影液除去第一面之非曝光部的第二防焊層2-2及第二面之非曝光部的第一防焊層2-1，來使連結墊3及4之一部分露出。以製程(D1)，
除去殘留於連結墊4上之第一防焊層2-1的殘渣。配載電子構件之配線基板時，於該製程(D1)露出之連結墊3被當做電子構件連結用連結墊3來使用，連結墊4則被當做外部連結用連結墊4來使用。
第7-1圖、第7-2圖及第7-3圖，係配線基板的製造方法(4)一例之剖面製程圖。與配線基板的製造方法(3)不同之點，係在形成第一面之第二防焊層2-2前，以顯影液除去第二面之第一防焊層2-1。首先，在以顯影液除去第二面之非曝光部的第一防焊層2-1來形成第一面之第二防焊層2-2時，無需實施同時對第二面之非曝光部的第一防焊層2-1進行加熱來避免過度熱硬化之加熱條件調整。配線基板的製造方法(4)時，與使用配線基板的製造方法(2)及(3)時相同，可以形成具有以堰塞充填於電子構件與配線基板之間之填膠為目的之堤壩構造之二段構造的防焊層。
製程(A1)時，於電路基板1之第一面與第二面，形成有厚度不同之第一防焊層2-1。製程(C1)，對厚度比第二面之第一防焊層2-1更薄之第一面之第一防焊層2-1，實施於後製程之製程(B)被薄膜化區域以外部分之曝光。製程(C2)時，對第二面之第一防焊層2-1，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分的曝光。
製程(B)時，於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之第一防焊層2-1成為連結墊3之厚度以下
為止之薄膜化，來使連結墊3之一部分露出。製程(B)時，第二面之非曝光部的第一防焊層2-1也同時被薄膜化。然而，因為第二面之連結墊4上的第一防焊層2-1比第一面之連結墊3上的第一防焊層2-1更厚，連結墊4上殘留著第一防焊層2-1之殘渣。
製程(C3)時，對第一面之第一防焊層2-1，實施於製程(B)被薄膜化之區域部分的曝光。
製程(D)時，以顯影液除去第二面之非曝光部的第一防焊層2-1，來使連結墊4之一部分露出。藉由製程(D)，殘留於連結墊4上之第一防焊層2-1的殘渣被除去。配載電子構件之配線基板時，將於該製程(D)露出之連結墊4當做外部連結用連結墊4來使用。
製程(A2)時，於完成至製程(D)為止之電路基板之第一面的第一防焊層2-1上，形成第二防焊層2-2。
製程(C6)時，對第一面之第二防焊層2-2，實施於後製程之製程(D2)被顯影區域以外部分之曝光。
製程(D2)時，以顯影液除去第一面之非曝光部的第二防焊層2-2，來使連結墊3之一部分露出。配載電子構件之配線基板時，將於製程(D2)被露出之連結墊3當做電子構件連結用連結墊3來使用。
配線基板的製造方法(3)及(4)時，可以將製程(C1)之曝光區域變化成任意形狀，藉由曝光區域之變更，例如，可以製作第11圖所示之剖面形狀的配線
基板。第11之e圖時，於第一面之連結墊3之間，形成有第一防焊層2-1之凸部。第11之f圖時，交互並列著從第一防焊層2-1露出之連結墊3及為第一防焊層2-1所覆蓋之導體配線7。
第8-1圖、第8-2圖及第8-3圖，係配線基板的製造方法(5)一例之剖面製程圖。配線基板的製造方法(5)時，係於第一面，在對第一防焊層2-1實施曝光前，實施使第一防焊層2-1之厚度成為連結墊3之厚度以下為止之薄膜化處理。其後，於第一防焊層2-1之表面上形成第二防焊層2-2並曝光後，實施非曝光部之第二防焊層2-2的薄膜化處理，其後，再度執行曝光，執行殘餘之非曝光部之第二防焊層2-2的顯影處理。配線基板的製造方法(5)時，與使用配線基板的製造方法(2)~(4)時相同，可以形成具有以堰塞充填於電子構件與配線基板之間之填膠為目的之堤壩構造之二段構造的防焊層。
製程(A1)時，於電路基板1之第一面與第二面，形成有厚度不同之第一防焊層2-1。製程(C2)時，對第二面之第一防焊層2-1，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光。
製程(B)時，於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之第一防焊層2-1成為連結墊3之厚度以下為止之薄膜化，來使所有的連結墊3之一部分露出。製程(B)時，第二面之非曝光部的第一防焊層2-1也同時被薄膜化。然而，因為第二面之連結墊4上的第一防焊層2-
1比第一面之連結墊3上的第一防焊層2-1更厚，連結墊4上殘留著第一防焊層2-1之殘渣。
製程(C3)時，對第一面之第一防焊層2-1，實施於製程(B)被薄膜化之區域部分的曝光。
製程(A2)時，於完成至製程(C3)為止之電路基板之第一面的第一防焊層2-1上，形成第二防焊層2-2。
製程(C6)時，對第一面之第二防焊層2-2，實施於後製程之製程(B3)被薄膜化區域以外部分之曝光。
製程(B3)時，於第一面，在連結墊3未露出之範圍，以薄膜化處理液實施非曝光部之第二防焊層2-2的薄膜化。製程(B3)時，第二面之非曝光部的第一防焊層2-1也同時被薄膜化。然而，有時連結墊4上殘留著第一防焊層2-1之殘渣。
製程(C7)時，對第一面之第二防焊層2-2，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光。
製程(D1)時，以顯影液除去第一面之非曝光部的第二防焊層2-2及第二面之非曝光部的第一防焊層2-1，使連結墊3之一部分再度露出，同時，使連結墊4之一部分露出。藉由製程(D1)，殘留於連結墊4上之第一防焊層2-1的殘渣被除去。配載電子構件之配線基板時，將該製程(D1)所露出之連結墊3當做電子構件連結用連結墊3來使用，將連結墊4當做外部連結用連結墊4
來使用。
配線基板的製造方法(5)時，可以將製程(C7)之曝光區域變化成任意形狀，藉由曝光區域之變更，例如，可以製作第12圖所示之剖面形狀的配線基板。第12之g圖時，於第一面之連結墊3間，形成有第二防焊層2-2之凸部。第12之h圖時，交互並列著從第一防焊層2-1露出之連結墊3、及為第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋之導體配線7。
本發明之電路基板1，具有絕緣層8、及形成於絕緣層8表面之連結墊3、4。於絕緣層8表面，形成有導體配線7，連結墊3、4係導體配線7之一部分。本發明之配線基板，於電路基板1之兩表面具有防焊層2，連結墊3、4之一部分從防焊層2露出。配載電子構件之配線基板時，於表面具有電子構件連結用連結墊3，於背面具有外部連結用連結墊4。表面之電子構件連結用連結墊3用以接合電子構件，背面之外部連結用連結墊4則用以接合外部電氣基板之導體配線。
本發明之電路基板，例如，係於配設著導體配線之絕緣基板，交互疊層增建用絕緣層及導體配線來製作。第13A、B圖，係於配設著導體配線之絕緣基板交互疊層著增建用絕緣層及導體配線所製作之電路基板一例的概略剖面圖。第4~8圖係本發明之配線基板的製造方法一例的剖面製程圖，在依據本發明所製造之配線基板一例之概略剖面圖的第9~12圖中，記載著具有一層之絕緣層
8且具有形成於絕緣層8之兩表面之導體配線7的電路基板1，然而，使用於本發明之配線基板的製造方法之電路基板1，如第13A、B圖所示，係於配設有導體配線之絕緣基板交互疊層著增建用絕緣層及導體配線來製作，包含於兩表面具有絕緣層8、及形成於絕緣層8表面之導體配線7的電路基板1在內。絕緣基板，例如，由使玻璃布含浸有雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂或環氧樹脂等之熱硬化性樹脂的電氣絕緣材料等所構成之樹脂製基板。增建用絕緣層，例如，與絕緣基板相同之使玻璃布含浸有熱硬化性樹脂之電氣絕緣材料、或使氧化矽等無機填料分散於環氧樹脂等熱硬化性樹脂之電氣絕緣材料等。導體配線，例如，係以消去法、半加法、加法等來形成。消去法時，例如，於絕緣層上形成銅層後，形成抗蝕層，實施曝光、顯影、蝕刻、去除光阻，來形成導體配線。半加法時，於絕緣層表面，以無電解銅電鍍來配設電解銅電鍍用之基底金屬層。其次，形成具有對應導體配線之開口的電鍍抗蝕層，而於因電解銅電鍍而露出之基底金屬層的表面，形成電解銅電鍍層。其後，剝離電鍍抗蝕層，以閃蝕除去露出之基底金屬層，即可形成導體配線。
配載電子構件之配線基板時，配線基板表面之連結墊，係用以連結電子構件之連結用墊。電子構件，介由該連結墊與焊劑凸塊來電氣連結，被覆晶組裝於配線基板。為了提高防焊層之黏著性，也可進行連結墊表面之粗面化處理、或耦合劑處理。配線基板背面之連結墊，係
以外部連結為目的的連結用墊。介由焊劑凸塊，將該連結墊與主機板等外部電氣基板之導體配線進行電氣連結，來覆晶組裝於主機板。
本發明之防焊劑，可以使用鹼性顯影型防焊劑。此外，1液性、2液性的任一液狀防焊劑皆可，也可以為乾膜光阻。防焊劑，例如，含有鹼溶性樹脂、單官能壓克力單體、多官能壓克力單體、光起始劑、環氧樹脂、無機填料等。
鹼溶性樹脂，例如，具有光硬化性及熱硬化性之兩方特性的鹼溶性樹脂，例如，對附加有丙烯酸之酚醛型環氧樹脂而環氧壓克力化樹脂的2級羥基附加酸酐的樹脂。多官能壓克力單體，例如，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(Trimethylol Propane Triacrylate)、二新戊四醇聚丙烯酸酯(Di-pentaerythritol Polyacrylate)、季戊四醇三丙烯酸酯(Pentaerythritol Triacrylate)等。光起始劑，例如，2-甲基-1-(4-甲基苯硫基)-2-瑪啉基正丙醇-1-酮(2-Methyl-1-(4-Methylthiophenyl)-2-Morpholinopropan-1-one)等。環氧樹脂，當做硬化劑來使用。以使其與鹼溶性樹脂之羧酸產生反應來進行架橋，謀求提高耐熱性及耐藥性之特性，然而，因為羧酸與環氧基在常溫也會產生反應，保存安定性差，鹼性顯影型防焊劑，一般都採用在使用前進行混合之2液性形態。無機填料，例如，滑石、矽石、硫酸鋇、氧化鈦、氧化鋅等。
防焊層，在電路基板之兩表面，係以覆蓋全
面之方式來形成。防焊層之形成上，例如，液狀防焊劑的話，可以使用網版印刷法、輥塗法、噴霧法、浸漬法、幕塗法、棒塗法、氣刀法、熱熔法、凹版塗佈法、毛刷塗佈法、套版印刷法。此外，膜狀防焊劑的話，使用疊合法及真空疊合法。
以配線基板的製造方法(1)及(2)之製程(A)所形成的防焊層2、及以配線基板的製造方法(3)~(5)之製程(A1)所形成的第一防焊層2-1，在電路基板之兩表面的厚度不同，厚度較薄之一方為「第一面」，厚度較厚之一方為「第二面」。於電路基板之兩表面形成防焊層時，一般係對兩表面設定相同條件。其係因為防焊劑具有熱硬化性。液狀防焊劑時，因為在塗佈後必須實施以去溶劑為目的的加熱乾燥，各表面之塗佈量不同的話，就必須依各表面變更乾燥條件，然而，其時，又必須設定不會過度熱硬化之條件。此外，乾膜光阻時，因為疊合時必須加熱，各表面若使用厚度不同之乾膜光阻的話，就必須依各表面變更疊合時的加熱條件，然而，其時，又必須設定不會過度熱硬化之條件。如上所示，不改變各表面之防焊層厚度、加熱乾燥條件等，而採用兩表面之防焊層種類、厚度、加熱乾燥條件等相同之條件，可以使作業製程較為簡單而較佳。
於電路基板之兩表面，以相同條件形成防焊層時，防焊層之厚度，隨著包含各面之連結墊在內之周圍的導體配線密度而變化。例如，於配載電子構件之配線基
板，背面之外部連結用連結墊配列成區域陣列型時，相較於表面之包含電子構件連結用連結墊在內之周圍的導體配線密度，背面之包含外部連結用連結墊在內之周圍的導體配線密度較大。結果，背面之外部連結用連結墊上的防焊層厚度，比表面之電子構件連結用連結墊上的防焊層厚度更厚。此時，表面為第一面，背面為第二面。
本發明之防焊層被薄膜化的製程，係包含：以薄膜化處理液進行非曝光部之防焊層成份之膠束化的膠束化處理(薄膜化處理)、及以膠束除去液除去膠束之膠束除去處理在內的製程。此外，也可以包含：以水洗來清洗未除去之膠束、殘存薄膜化處理液、及膠束除去液的水洗處理、及除去水洗水之乾燥處理在內。
薄膜化處理(膠束化處理)，係指以薄膜化處理液實施非曝光部之防焊層成份的膠束化，來使該膠束不溶於薄膜化處理液的處理。
本發明之薄膜化處理液，可以使用鹼性水溶液。可以做為薄膜化處理液使用之鹼性水溶液，例如，鹼金屬矽酸鹽(Alkali Metal Silicate)、鹼金屬氫氧化物(Alkali Metal Hydroxide)、鹼金屬磷酸鹽(Alkali Metal Phosphate)、鹼金屬碳酸鹽(Alkali Metal Carbonate)、銨磷酸鹽、銨碳酸鹽等之無機鹼性化合物的水溶液；單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲胺、二甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、環己胺、四甲基氫氧化銨(Tetramethylammonium Hydroxide、TMAH)、四乙基氫
氧化銨、三甲基-2-羥乙基氫氧化氨(膽鹼、Choline)等之有機鹼性化合物的水溶液。鹼金屬，例如，鋰、鈉、鉀等。上述無機鹼性化合物及有機鹼性化合物，可以單獨使用，也可以複數組合來使用。也可以使用無機鹼性化合物與有機鹼性化合物之組合。
此外，為了使防焊層表面更均一地薄膜化，也可以於薄膜化處理液添加硫酸鹽、亞硫酸鹽。硫酸鹽或亞硫酸鹽，例如，鋰、鈉或鉀等之鹼金屬硫酸鹽或亞硫酸鹽、鎂、鈣等之鹼土類金屬硫酸鹽或亞硫酸鹽。
薄膜化處理液，於該等中，又以含有從鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽所選取之無機鹼性化合物、及從TMAH(四甲基氫氧化銨)、膽鹼所選取之有機鹼性化合物當中之任1種，且該無機鹼性化合物及有機鹼性化合物之含有量為3~25質量%的薄膜化處理液，因為可以使表面更均一地薄膜化而更適合使用。未滿3質量%時，有時薄膜化處理容易發生不均。此外，超過25質量%的話，有時容易發生無機鹼性化合物析出，而使液之時效安定性、作業性變差。鹼性化合物之含有量為5~20質量%更佳，7~15質量%最好。薄膜化處理液之pH，以10以上為佳。此外，也可以適度添加界面活性劑、消泡劑、溶劑等。
防焊層之薄膜化時，不溶於防焊層中所含有之薄膜化處理液之無機填料的存在不能忽視。無機填料之尺寸隨著其種類而不同，具有從被稱為奈米填料之超微米
級至較大之數十微米為止之某種程度的粒度分布，以30~70質量%之含有量存在於層中。薄膜化，在鹼性化合物浸透至防焊層後，於膠束除去過程進行防焊層成份之膠束化，然而，因為不溶性無機填料的存在，鹼性化合物之浸透獲得抑制，而使薄膜化速度變慢。
針對此種無機填料所導致之鹼性化合物的浸透阻礙，只要使薄膜化處理液之pH成為12.5以上即可，13.0以上更佳。薄膜化處理液之pH愈高，則鹼性化合物浸透時之防焊層的膨潤愈大，而不易受到無機填料所導致之浸透阻礙的影響。
於本發明，以薄膜化使第一面之連結墊的一部分露出時，該露出之連結墊，可以當做電子構件連結用連結墊來使用。通常，連結墊表面被粗面化，利用其錨定效果來提高連結墊與防焊層之黏著性，而可維持長時間之高絕緣信賴性。傳統之防焊圖案形成上，除去防焊層來使連結墊表面露出時，一般係將分散能力優良之低濃度碳酸鈉水溶液當做顯影液來使用，於連結墊表面幾乎不會發生防焊層之殘渣。然而，使用低濃度之碳酸鈉水溶液來實施防焊層之薄膜化的話，無法得到面內均一之薄膜化，而發生面內不均。
薄膜化處理液之溫度，以15~35℃為佳，最好為20~30℃。溫度太低的話，有時鹼性化合物對防焊層之浸透速度變慢，進行期望厚度之薄膜化需要較長的時間。另一方面，溫度太高的話，因為膠束除去過程與防焊
層成份之膠束化同時進行，有時容易於面內發生膜厚不均，而應避免。
在利用薄膜化處理液之薄膜化處理時，可以採用浸漬處理、漿攪拌處理、噴霧處理、塗刷、刮削等方法，然而，以浸漬處理為佳。浸漬處理以外之處理方法，薄膜化處理液中容易發生氣泡，發生之氣泡在薄膜化中附著於防焊層表面，有時會有膜厚不均一的情形。使用噴霧處理等時，以不會發生氣泡之方式來儘量縮小噴霧壓為佳。
在以薄膜化處理液實施薄膜化處理後，實施除去不溶於薄膜化處理液之防焊層成份之膠束的膠束除去處理時，以膠束除去液之噴霧來一舉溶解除去膠束。
膠束除去液，可以使用自來水、工業用水、純水等。此外，將含有從鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬矽酸鹽所選取之無機鹼性化合物當中之任1種之pH5~10的水溶液當做膠束除去液來使用，容易使不溶於薄膜化處理液之防焊層成份再分散。膠束除去液之Ph為未滿5時，防焊層成份可能聚集而成為不溶性之泥渣，並附著於薄膜化之防焊層表面。另一方面，膠束除去液之pH超過10時，同時促進防焊層成份之膠束化與膠束除去過程，面內容易發生膜厚不均。此外，膠束除去液，可以使硫酸、磷酸、鹽酸等來調整pH。
針對膠束除去處理之噴霧條件來進行說明。噴霧條件(溫度、時間、噴霧壓)，係配合薄膜化處理之
防焊層的溶解速度來進行適度調整。具體而言，處理溫度以10~50℃為佳，22~50℃更佳。水溶液之溫度為未滿10℃時，有時會發生防焊層成份的溶解不良，而容易使防焊層之殘渣殘留於粗面化之連結墊表面。另一方面，超過50℃的話，可能發生水溶液的蒸發或連續運轉之溫度管理的問題，而使裝置設計上受到限制，應避免。此外，噴霧壓以0.01~0.5MPa為佳，0.1~0.3MPa更佳。膠束除去液之供給流量，以防焊層每1cm2為0.030~1.0L/min為佳，0.050~1.0L/min更佳，最好為0.10~1.0L/min。供給流量在該範圍內的話，不溶解成份不會殘留於薄膜化後之防焊層表面，而可以在面內大致均一地除去膠束。防焊層每1cm2的供給流量為未滿0.030L/min時，有時防焊層之不溶解成份會殘留。另一方面，供給流量超過1.0L/min的話，供給所需要的泵等構件較為龐大，有時還要大規模的裝置。此外，超過1.0L/min之供給量時，防焊層成份之溶解除去效果沒有改變。
第一面所露出之連結墊3周圍之防焊層2與第一防焊層2-1的厚度、以及做為填膠堰塞用堤壩之一部分之防焊層2、第一防焊層2-1與第二防焊層2-2的厚度，由配線基板的製造方法(1)與(2)之製程(A)、及配線基板的製造方法(3)~(5)之製程(A1)與(A2)之形成於第一面的防焊層2、第一防焊層2-1與第二防焊層2-2之厚度、及配線基板的製造方法(1)、(3)~(5)之製程(B)、配線基板的製造方法(2)之
製程(B1)與(B2)、配線基板的製造方法(5)之製程(B3)之第一面非曝光部之防焊層2、第一防焊層2-1與第二防焊層2-2的薄膜化量所決定。此外，本發明時，可以在0.01~500μm之範圍內，適度自由地實施薄膜化量調整。被薄膜化至連結墊之厚度以下為止之防焊層2、至從第一防焊層2-1表面所露出之連結墊3表面為止的高度，其後，可以對應必要之焊劑量來進行適度調整。此外，做為填膠堰塞用堤壩之一部分的防焊層2、第一防焊層2-1、及第二防焊層2-2之厚度，可以對應電子構件之大小、電子構件之連結端子的大小、以及充填於電子構件與配線基板之間的填膠量來進行適度調整。
配線基板的製造方法(6)，在配線基板的製造方法(1)~(4)之製程(C1)前，實施製程(C2)。此外，配線基板的製造方法(7)，係同時實施配線基板的製造方法(1)~(4)的製程(C1)及製程(C2)。如上所示，配線基板的製造方法(1)~(4)時，可以更替製程(C1)與製程(C2)之順序，也可以同時實施製程(C1)及製程(C2)。
配線基板的製造方法(1)之製程(C1)時，係對第一面之防焊層2，選擇性地實施後製程之製程(B)所薄膜化之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(2)之製程(C1)時，係對第一面之防焊層2，選擇性地實施後製程之製程(B1)所薄膜化之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(3)及(4)之製程(C1)
時，係對第一面之第一防焊層2-1，選擇性地實施後製程之製程(B)所薄膜化之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(2)之製程(C4)時，係對第一面之防焊層2，選擇性地實施後製程之製程(B2)所薄膜化之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(3)之製程(C6)及配線基板的製造方法(5)之製程(C7)時，係對第一面之第二防焊層2-2，選擇性地實施後製程之製程(D1)所顯影之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(4)之製程(C6)時，係對第一面之第二防焊層2-2，選擇性地實施後製程之製程(D2)所顯影之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(5)之製程(C6)時，係對第一面之第二防焊層2-2，實施於後製程之製程(B3)被薄膜化區域以外部分之曝光。被曝光之防焊劑，產生光聚合，防焊層2、第一防焊層2-1、及第二防焊層2-2產生硬化。在第4-1圖~第8-3圖中，係介由光罩5進行活性光線6之曝光，然而，也可以直接描繪方式來實施。曝光方式，例如，可以為以氙燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈、UV螢光燈做為光源之反射影像曝光方式、及採用光罩之接觸曝光方式、近接方式、投射方式及雷射掃描曝光方式等。第一面之「被薄膜化區域」，例如，係連結墊上或包含連結墊之間在內之連結墊的周圍區域。更具體而言，係以配載電子構件為目的之安裝區域及其周圍。
配線基板的製造方法(1)與(2)之製程
(C2)時，係對第二面之防焊層2，選擇性地實施後製程之製程(D)所顯影之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(4)之製程(C2)時，係對第二面之第一防焊層2-1，選擇性地實施後製程之製程(D)所顯影之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(3)與(5)之製程(C2)時，係對第二面之第一防焊層2-1，選擇性地實施後製程之製程(D1)所顯影之區域以外部分的曝光。被曝光之防焊劑，產生光聚合，防焊層2及第一防焊層2-1產生硬化。曝光方式，可以使用與上述配線基板的製造方法(1)之製程(C1)等相同的方式。第二面之「被顯影區域」，例如，係連結墊上或包含連結墊之間在內之連結墊的周圍區域。更具體而言，係以安裝外部電氣基板之導體配線為目的而使配置成區域陣列(Area array)型之連結墊的一部分露出之圓形開口部區域。
配線基板的製造方法(1)之製程(C3)時，係對第一面之防焊層2，實施於製程(B)被薄膜化之區域部分的曝光。配線基板的製造方法(3)~(5)之製程(C3)時，係對第一面之第一防焊層2-1，實施於製程(B)被薄膜化之區域部分的曝光。配線基板的製造方法(2)之製程(C5)時，係對第一面之防焊層2，實施於製程(B2)被薄膜化之區域部分的曝光。曝光方式，可以使用與上述配線基板的製造方法(1)之製程(C1)等相同的方式。配線基板的製造方法(1)、(3)~(5)之製程(C3)及配線基板的製造方法(2)之製程(C5)
後，因為有非曝光部之防焊層2、第一防焊層2-1、第二防焊層2-2被顯影除去之製程(配線基板的製造方法(1)、(2)及(4)之製程(D)、配線基板的製造方法(3)及(5)之製程(D1)、以及配線基板的製造方法(4)之製程(D2))，而必須實施形成最終防焊層之區域的曝光，來使防焊劑產生光聚合。配線基板的製造方法(1)、(3)、(4)之製程(C3)之曝光部分，至少包含於製程(B)被薄膜化之區域在內，以包含製程(C1)所曝光之部分及製程(B)所薄膜化之區域的境界部在內為佳。此外，配線基板的製造方法(2)之製程(C5)的曝光部分，至少包含於製程(B2)被薄膜化之區域在內，以包含製程(C4)所曝光之部分及製程(B2)所薄膜化之區域的境界部在內為佳。
配線基板的製造方法(1)~(4)之製程(C1)、配線基板的製造方法(1)、(3)~(5)之製程(C3)、配線基板的製造方法(1)~(5)之製程(C2)、配線基板的製造方法(2)之製程(C4)及(C5)、配線基板的製造方法(3)~(5)之製程(C6)、以及配線基板的製造方法(5)之製程(C7)的曝光量，可以對應防焊劑之感光度來適度決定。具體而言，配線基板的製造方法(1)、(3)~(5)之製程(B)、配線基板的製造方法(2)之製程(B1)與(B2)、以及配線基板的製造方法(5)之製程(B3)時，所使用之薄膜化處理液，或者，配線基板的製造方法
(1)、(2)、(4)之製程(D)、配線基板的製造方法(3)及(5)之製程(D1)、以及配線基板的製造方法(4)之製程(D2)時，只要對所使用之顯影液，防焊劑不會溶解或膨潤之程度，使防焊劑產生光聚合並硬化即可，通常為100~600mJ/cm2。
配線基板的製造方法(1)、(3)、(4)之製程(C3)、配線基板的製造方法(2)之製程(C4)與(C5)、配線基板的製造方法(5)之製程(C3)與製程(C7)的曝光，以在氧環境下之非接觸曝光方式來實施為佳。非接觸曝光方式，例如，於光罩與配線基板之間配設間隙而以非接觸方式來實施曝光之近接方式、投射方式、以及未使用光罩之直接描繪方式。在防焊層2、第一防焊層2-1、以及第二防焊層2-2上沒有支撐層膜的狀態下，實施氧環境下之非接觸曝光，各防焊層之表層附近(從防焊層表面之深度0~0.5μm程度)的光聚合，在氧的影響下受到妨礙而成為未硬化部分，只有離開表層之部位才會硬化。所以，藉由配線基板的製造方法(1)之製程(D)、配線基板的製造方法(2)之製程(B2)與(D)、配線基板的製造方法(3)之製程(D1)、配線基板的製造方法(4)之製程(D)與(D2)、配線基板的製造方法(5)之製程(D1)，除去表層附近之未硬化部分，而使防焊層2、第一防焊層2-1、以及第二防焊層2-2的表面被粗面化。位於配線基板表面之電子構件連結用連結墊周圍的防焊層表面被粗面化時，相較於平滑時，
填膠之黏著性更為強固，結果，可以防止熱衝擊所導致之應力集中於電子構件與配線基板的連結部，而進一步提高連結信賴性。藉由氧環境下之非接觸方式曝光來實施防焊層2、第一防焊層2-1、以及第二防焊層2-2之表面的粗面化，可以提高填膠之黏著性，而得到高連結信賴性。提高填膠之黏著性上，防焊層之表面粗細度Ra以0.30μm以上、0.50μm以下為佳。表面粗細度Ra超過0.50μm的話，防焊強度降低，有時無法得到絕緣信賴性。表面粗細度Ra為算術平均表面粗細度。
配線基板的製造方法(1)、(3)、(4)之製程(C3)、及配線基板的製造方法(2)之製程(C4)與(C5)的曝光量，以製程(C1)之曝光量的1倍以上、5倍以下為佳，最好為1.5倍以上、3倍以下。同樣的，配線基板的製造方法(5)之製程(C3)與製程(C7)的曝光量，以製程(C6)之曝光量的1倍以上、5倍以下為佳，最好為1.5倍以上、3倍以下。氧環境下之非接觸曝光時，藉由提供比防焊劑不會被溶解或膨潤之程度而可硬化之必要曝光量更多的曝光量，可以將防焊層表面之氧所導致之聚合妨礙抑制於最小。曝光量愈多，對聚合妨礙之抑制有其效果，然而，另一方面，曝光量太多的話，不但防焊劑之解析度惡化，曝光時間也會過長，故應避免。
配線基板的製造方法(1)、(3)~(5)之製程(B)、及配線基板的製造方法(2)之製程(B2)
時，於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之防焊層2、及第一防焊層2-1成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊3之一部分露出。配線基板的製造方法(2)之製程(B1)、及配線基板的製造方法(5)之製程(B3)時，於第一面，在連結墊3未露出之範圍，以薄膜化處理液實施非曝光部之防焊層2、第二防焊層2-2的薄膜化。使用膜狀防焊劑來配設支撐層膜時，剝離支撐層膜後再執行薄膜化。
配線基板的製造方法(1)、(3)~(5)之製程(B)、及配線基板的製造方法(2)之製程(B2)時，以薄膜化後之防焊層2、及第一防焊層2-1的厚度成為與第一面所露出之連結墊3的厚度相同、或更薄為止來實施薄膜化。薄膜化後之防焊層2、及第一防焊層2-1的厚度太薄的話，露出之連結墊3之間的電氣絕緣不足，有時會發生無電解鎳/金電鍍之短路，或者，有時連結墊3之間會發生焊劑所導致的短路。所以、薄膜化後之防焊層2、及第一防焊層2-1的厚度，以連結墊3之厚度的3分之1以上為佳，3分之2以上更佳。
配線基板的製造方法(1)之製程(B)、及配線基板的製造方法(2)之製程(B1)與(B2)時，第一面之非曝光部的防焊層2被薄膜化，第二面之非曝光部的防焊層2也同時被薄膜化。在配線基板的製造方法(3)~(5)之製程(B)時，第一面之非曝光部的第一防焊層2-1被薄膜化，第二面之非曝光部的第一防焊層2-
1也同時被薄膜化。配線基板的製造方法(5)之製程(B3)時，第一面之非曝光部的第二防焊層2-2被薄膜化，第二面之非曝光部的第一防焊層2-1也同時被薄膜化。第二面之薄膜化量，因為第二面之非曝光部之防焊層2、及第一防焊層2-1的熱硬化狀態而有所不同，然而，於兩表面，以相同加熱條件來形成防焊層2、及第一防焊層2-1時，通常，第一面與第二面之非曝光部的防焊層2、及第一防焊層2-1，會同時被同量薄膜化。
配線基板的製造方法(1)、(3)~(5)之製程(B)、配線基板的製造方法(2)之製程(B1)與(B2)、以及配線基板的製造方法(5)之製程(B3)時，薄膜化處理，以第一面朝上來實施為佳。薄膜化處理之處理方式，為了使薄膜化處理液中不易發生氣泡，浸漬處理係有效的方法。萬一，薄膜化處理液中發生氣泡時，氣泡在薄膜化處理液中浮上而附著於下面(第二面)之防焊層2、及第一防焊層2-1的表面。該氣泡的附著，有時會使第二面之薄膜化後的膜厚不均一。然而，在後製程之配線基板的製造方法(1)、(2)、(4)之製程(D)、配線基板的製造方法(3)及(5)之製程(D1)、以及配線基板的製造方法(4)之製程(D2)時，因為第二面之非曝光部的防焊層2、及第一防焊層2-1被顯影除去，最終不會出現膜厚不均的問題。
配線基板的製造方法(1)及(2)之製程(D)時，以顯影來除去第二面之非曝光部的防焊層2。
配線基板的製造方法(4)之製程(D)時，以顯影來除去第二面之非曝光部的第一防焊層2-1。配線基板的製造方法(3)及(5)之製程(D1)時，以顯影來除去第一面之非曝光部的第二防焊層2-2、及第二面之非曝光部的第一防焊層2-1。配線基板的製造方法(4)之製程(D2)時，以顯影來除去第一面之非曝光部的第二防焊層2-2。顯影方法，採用符合使用之防焊劑的顯影液，對電路基板之兩表面進行噴霧，除去各防焊層之不需要部分。顯影液，係使用稀薄之鹼性水溶液，一般而言，係使用0.3~3質量%之碳酸鈉水溶液或碳酸鉀水溶液。
以下，利用實施例來針對本發明進行更詳細的說明，然而，本發明並未受限於該實施例。
實施例1~6，係第4-1圖及第4-2圖所示之配線基板的製造方法(1)的相關例。
利用半加法，製作於兩表面形成有導體配線7之電路基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面(第一面)側，有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。於背面(第二面)側，形成有當做外部連結用連結墊4來
使用之直徑600μm之圓形狀導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度25μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)於上述電路基板1之兩表面。藉此，形成防焊層2。第一面之防焊層2時，從絕緣層8表面之厚度為30μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為15μm。第二面之防焊層2時，從絕緣層8表面之厚度為38μm，外部連結用連結墊4上之厚度為23μm。導體配線密度較小之第一面，相較於導體配線密度較大之第二面，防焊層2之厚度為較薄之8μm。
對第一面之防焊層2，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部為200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
對第二面之防焊層2，於外部連結用連結墊4上配設直徑500μm之圓形開口部區域，利用對圓形開口部區域以外照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
剝離第一面及第二面之防焊層2上的支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使第一面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液50秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，使第一面之非曝光部之防焊層2的厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，實施平均20μm之防焊層2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一面之防焊層2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。另一方面，於第二面，平均20μm之防焊層2也被薄膜化，薄膜化處理液中之氣泡附著於第二面之非曝光部的防焊層2，出現膜厚不均一的部位。此外，於外部連結用連結墊4上，殘留有約3μm之防焊層2的殘渣。
對第一面之防焊層2，利用使活性光線6照射製程(B)所薄膜化之區域部分及從該薄膜化之區域境界部的200μm外側為止之區域之圖案的光罩5，以曝光量400mJ/cm2之氧環境下的非接觸曝光來實施曝光。
利用1質量%之碳酸鈉水溶液(液溫度30℃、噴霧
壓0.15MPa)實施30秒鐘之顯影，除去第二面之非曝光部的防焊層2。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。此外，在第一面，至電子構件連結用連結墊3之表面下5.5μm為止，防焊層2充填於電子構件連結用連結墊3之間。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2表面的光聚合獲得抑制，結果，防焊層2的厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm之防焊層2所覆蓋，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度。使用超深度形狀測定顯微鏡(KEYENCE CORPORATION製、商品編號「VK-8500」)測定表面粗細度時，表面粗細度Ra為0.40μm。
利用超深度形狀測定顯微鏡(KEYENCE
CORPORATION製、商品編號「VK-8500」)之算術平均表面粗細度Ra，係採用以JIS B0601-1994表面粗細度-定義為基準的計算式。而且，測定區域為900μm2，基準長度為40μm。
除了更替製程(C1)與製程(C2)之順序以外，以與實施例1相同之方法，實施製程(A)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。此外，在第一面，至電子構件連結用連結墊3之表面下5.5μm為止，防焊層2充填於電子構件連結用連結墊3之間。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2表面的光聚合獲得抑制，結果，防焊層2的厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm之防焊層2所覆蓋，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層的圓形開口部，而使外
部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
除了製程(C3)之曝光量為200mJ/cm2以外，以與實施例1相同之方法，實施製程(A)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。在第一面，至電子構件連結用連結墊3之表面下6.0μm為止，防焊層2充填於電子構件連結用連結墊3之間。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2表面的光聚合獲得抑制，結果，防焊層2的厚度減少1.0μm。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm之防焊層2所覆蓋，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.0μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。
除了製程(C3)之曝光量為1000mJ/cm2以外，以與實施例1相同之方法，實施製程(A)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。此外，在第一面，至電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，防焊層2充填於電子構件連結用連結墊3之間。未確認到製程(C3)之氧聚合妨礙所導致之第一面防焊層2的膜減。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm之防焊層2所覆蓋，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。
除了在氧環境下，利用直接描繪裝置(商品名稱：LI-8500、Dainippon Screen Mfg.Co.,Ltd.製)以曝光量400mJ/cm2實施製程(C3)之曝光以外，以與實施例1相同之方法，實施製程(A)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。此外，在第一面，至電子構件連結用連結墊3之表面下5.5μm為止，防焊層2充填於電子構件連結用連結墊3之間。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2表面的光聚合獲得抑制，結果，防焊層2的厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm之防焊層2所覆蓋，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之
間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
製程(C3)時，除了以接觸曝光方式來實施曝光以外，以與實施例1相同之方法，實施製程(A)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。此外，在第一面，至電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，防焊層2充填於電子構件連結用連結墊3之間。製程(C3)時，藉由充份執行接觸曝光時之排氣，而在非氧環境下實施曝光，故防焊層2表面未粗面化，結果，防焊層2的厚度未減少。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm之防焊層2所覆蓋，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，導體墊4露出。
其次，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。
實施例1~6時，因為相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之防焊層2，可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。此外，因為防焊層2之殘渣不存在於外部連結用連結墊4上，安裝於外部電氣基板時，也可製作不會發生電氣絕緣不良之信賴性高的配線基板。比較實施例1~6的話，相較於電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2表面平滑的實施例6所製造的配線基板，實施例1~5所製造的配線基板，填膠之黏著性高，連結信賴性優良。
利用半加法，製作於兩表面形成有導體配線7之電路基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面(第一面)，有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。於背面(第二面)，形成有當做外部連結用連結墊4來使用之直徑600μm之圓形狀導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度25μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)於上述電路基板1之兩表面。藉此，形成防焊層2。第一面之防焊層2時，從絕緣層8表面之厚度為30μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為15μm。第二面之防焊層2時，從
絕緣層8表面之厚度為38μm，外部連結用連結墊4上之厚度為23μm。導體配線密度較小之第一面，相較於導體配線密度較大之第二面，防焊層2之厚度為較薄之8μm。
對第一面之防焊層2，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部為200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
對第二面之防焊層2，於外部連結用連結墊4上配設直徑500μm之圓形開口部區域，利用對圓形開口部區域以外照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
剝離第一面及第二面之防焊層2上的支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使第一面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液50秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，使第一面之非曝光部之防焊層2的厚度成為電子構件連結用連結墊3
之表面下5.0μm為止，實施平均20μm之防焊層2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一面之防焊層2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。另一方面，第二面之防焊層2也被實施平均20μm之薄膜化，薄膜化處理液中之氣泡附著於第二面之非曝光部的防焊層2，出現膜厚不均一的部位。此外，於外部連結用連結墊4上，殘留有約3μm之防焊層2的殘渣。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm之防焊層2所覆蓋，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，然而，於外部連結用連結墊4上殘留著厚度3μm之防焊層2的殘渣。
安裝電子構件時，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之防焊層2，可確實防止焊劑所導致的電氣短路，然而，安裝於外部電氣基板時，殘留於外部連結用連結墊4上之防焊層2的殘渣，導致焊劑凸塊連結發生電氣絕緣不良。
測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防
焊層2的表面粗細度時，表面粗細度Ra為0.03μm。相較於電子構件連結用連結墊3之間之防焊表面平滑的比較例1所製造的配線基板，實施例1~5所製造的配線基板，填膠之黏著性高，連結信賴性優良。
實施例7~11，係第5-1圖、第5-2圖及第5-3圖所示之配線基板的製造方法(2)的相關例。
利用半加法，製作於兩表面形成有導體配線7之電路基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面(第一面)，有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。於背面(第二面)，形成有當做外部連結用連結墊4來使用之直徑600μm之圓形狀導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度25μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)於上述電路基板1之兩表面。藉此，形成防焊層2。第一面之防焊層2時，從絕緣層8表面之厚度為30μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為15μm。第二面之防焊層2時，從絕緣層8表面之厚度為38μm，外部連結用連結墊4上之厚度為23μm。導體配線密度較小之第一面，相較於導體配線密度較大之第二面，防焊層2之厚度為較薄之8μm。
對第一面之防焊層2，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部為400μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
對第二面之防焊層2，於外部連結用連結墊4上配設直徑500μm之圓形開口部區域，利用對圓形開口部區域以外照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
剝離第一面及第二面之防焊層2上的支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使第一面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，至第一面之非曝光部的防焊層2的厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面上5.0μm為止，實施平均10μm之防焊層2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一面之防焊層2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。另一方面，第二面
之防焊層2也被實施平均10μm之薄膜化，然而，薄膜化處理液中之氣泡附著於第二面之非曝光部的防焊層2，出現膜厚不均一的部位。此外，於外部連結用連結墊4上，殘留有約13μm之防焊層2的殘渣。
對第一面之防焊層2，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部為200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使第一面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，使第一面之非曝光部之防焊層2的厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，實施平均10μm之防焊層2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一面之防焊層2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。藉由製程(C4)之氧環境下的非接觸曝光，從距離配置於第一面之電子構件連結用連結墊3端部200μm的外周至距離400μm之外周為止之區域之防焊層2表面的光聚合獲得抑
制，結果，防焊層2的厚度減少0.5μm。另一方面，第二面之防焊層2也被實施平均10μm之薄膜化，然而，薄膜化處理液中之氣泡附著於第二面之非曝光部的防焊層2，出現膜厚不均一的部位。此外，於外部連結用連結墊4上，殘留有約3μm之防焊層2的殘渣。
對第一面之防焊層2，使用對製程(B2)被薄膜化之區域部分及從該薄膜化區域之境界部至200μm外側為止之區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
使用1質量%之碳酸鈉水溶液(液溫度30℃、噴霧壓0.15MPa)實施30秒鐘顯影，除去第二面之非曝光部的防焊層2。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。此外，在第一面，至電子構件連結用連結墊3之表面下5.5μm為止，防焊層2充填於電子構件連結用連結墊3之間。藉由製程(C4)及(C5)之氧環境下的非接觸曝光，在第一面，製程(C1)之接觸曝光所照射活性光線6之區域以外之防焊層2表面的光聚合獲得抑制，結果，防焊層2的厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及19.5μm之防焊層2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10.5μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度19.5μm之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
除了更替製程(C1)與製程(C2)之順序以外，以與實施例7相同之方法，實施製程(A)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結
用連結墊3之表面下5.5μm為止，充填著防焊層2。藉由製程(C4)及(C5)之氧環境下的非接觸曝光，在第一面，製程(C1)之接觸曝光所照射活性光線6之區域以外之防焊層2表面的光聚合獲得抑制，結果，防焊層2的厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及19.5μm之防焊層2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10.5μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度19.5μm之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
除了製程(C4)及(C5)之曝光量為200mJ/cm2以外，以與實施例7相同之方法，實施製程(A)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下6.0μm為止，充填著防焊層2。藉由製程(C4)及(C5)之氧環境下的非接觸曝光，在第一面，製程(C1)之接觸曝光所照射活性光線6之區域以外之防焊層2表面的光聚合獲得抑制，結果，防焊層2的厚度減少1.0μm。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及19μm之防焊層2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度11μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.0μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度19μm之防焊層2的表面
粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。
除了製程(C4)及(C5)之曝光量為1000mJ/cm2以外，以與實施例6相同之方法，實施製程(A)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，充填著防焊層2，未確認到製程(C4)及(C5)之氧之聚合妨礙所導致之第一面之防焊層2的膜減。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之防焊層2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。
製程(C4)及(C5)時，除了以接觸曝光方式實施曝光以外，以與實施例7相同之方法，實施製程(A)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現防焊層2之殘渣。此外，在第一面，至電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，防焊層2充填於電子構件連結用連結墊3之間。製程(C4)及(C5)時，藉由充份執行接觸曝光時之排氣，而在非氧環境下實施曝光，故防焊層2表面未粗面化，結果，防焊層2的厚度未減少。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之防焊層2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度
15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。
實施例7~11時，因為相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之防焊層2，可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。因為防焊層2之殘渣不存在於外部連結用連結墊4上，安裝於外部電氣基板時，也可製作不會發生電氣絕緣不良之信賴性高的配線基板。比較實施例7~11的話，相較於電子構件連結用連結墊3之間及周圍之防焊層2表面平滑的實施例11所製造的配線基板，實施例7~10所製造的配線基板，填膠之黏著性高，連結信賴性優良。
利用半加法，製作於兩表面形成有導體配線7之電路
基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面(第一面)，有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。於背面(第二面)，形成有當做外部連結用連結墊4來使用之直徑600μm之圓形狀導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度25μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)於上述電路基板1之兩表面。藉此，形成防焊層2。第一面之防焊層2時，從絕緣層8表面之厚度為30μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為15μm。第二面之防焊層2時，從絕緣層8表面之厚度為38μm，外部連結用連結墊4上之厚度為23μm。導體配線密度較小之第一面，相較於導體配線密度較大之第二面，防焊層2之厚度為較薄之8μm。
對第一面之防焊層2，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部為200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
對第二面之防焊層2，於外部連結用連結墊4上配設直徑500μm之圓形開口部區域，利用對圓形開口部區域
以外照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
剝離第一面及第二面之防焊層2上的支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使第一面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，至第一面之非曝光部的防焊層2的厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面上5.0μm為止，實施平均10μm之防焊層2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一面之防焊層2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。另一方面，第二面之防焊層2也被實施平均10μm之薄膜化，然而，薄膜化處理液中之氣泡附著於第二面之非曝光部的防焊層2，出現膜厚不均一的部位。此外，於外部連結用連結墊4上，殘留有約13μm之防焊層2的殘渣。
對第一面之防焊層2，使用對距離複數電子構件連結用連結墊3之端部為200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實
施曝光。
使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使第一面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，使第一面之非曝光部之防焊層2的厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，實施平均10μm之防焊層2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一面之防焊層2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。藉由製程(C4)之氧環境下的非接觸曝光，從距離配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周至距離400μm之外周為止之區域之防焊層2表面的光聚合獲得抑制，結果，防焊層2的厚度減少0.5μm。另一方面，第二面之防焊層2也被實施平均10μm之薄膜化，然而，薄膜化處理液中之氣泡附著於第二面之非曝光部的防焊層2，出現膜厚不均一的部位。此外，於外部連結用連結墊4上，殘留有約3μm之防焊層2的殘渣。
其次，為了使第一面及第二面之防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線
7為厚度30μm及19.5μm之防焊層2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10.5μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之防焊層2。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之防焊層2的圓形開口部，然而，於外部連結用連結墊4上，殘留有3μm之防焊層2的殘渣。
安裝電子構件時，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之防焊層2，可確實防止焊劑所導致的電氣短路，然而，安裝於外部電氣基板時，殘留於外部連結用連結墊4上之防焊層2的殘渣，導致焊劑凸塊連結發生電氣絕緣不良。
測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.03μm。相較於電子構件連結用連結墊3之間之防焊表面平滑的比較例2所製造的配線基板，實施例7~11所製造的配線基板，填膠之黏著性高，連結信賴性優良。
實施例12~16，係第6-1圖、第6-2圖及第6-3圖所示之配線基板的製造方法(3)的相關例。
利用半加法，製作於兩表面形成有導體配線7之電路
基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面(第一面)，有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。於背面(第二面)，形成有當做外部連結用連結墊4來使用之直徑600μm之圓形狀導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度15μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於上述電路基板1之表面，並將厚度25μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於上述電路基板1之背面(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成第一防焊層2-1。第一面之第一防焊層2-1時，從絕緣層8表面之厚度為20μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為5μm。第二面之第一防焊層2-1時，從絕緣層8表面之厚度為38μm，外部連結用連結墊4上之厚度為23μm。
對第一面之第一防焊層2-1，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部為200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
對第二面之第一防焊層2-1，於外部連結用連結墊4
上配設直徑500μm之圓形開口部區域，利用對圓形開口部區域以外照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
剝離第一面及第二面之第一防焊層2-1上的支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使第一面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，至第一面之非曝光部的第一防焊層2-1之厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，實施平均10μm之第一防焊層2-1的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一面之第一防焊層2-1表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。另一方面，第二面之第一防焊層2-1也被實施平均10μm之薄膜化，然而，薄膜化處理液中之氣泡附著於第二面之非曝光部的第一防焊層2-1，出現膜厚不均一的部位。此外，於外部連結用連結墊4上，殘留有約13μm之第一防焊層2-1的殘渣。
對第一面之第一防焊層2-1，使用對於製程(B)被薄膜化區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境
下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
使用真空層合機，將厚度15μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於完成至製程(C3)為止之電路基板1之第一面之第一防焊層2-1上(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成第一面之第二防焊層2-2。第一面之第二防焊層2-2時，從絕緣層8表面之厚度為30μm。
對第一面之第二防焊層2-2，使用對比距離電子構件連結用連結墊3之端部400μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
使用1質量%之碳酸鈉水溶液(液溫度30℃、噴霧壓0.15MPa)實施30秒鐘顯影，除去第一面之非曝光部的第二防焊層2-2及第二面之非曝光部的第一防焊層2-1。藉此，形成填膠堰塞用堤壩，而且，再度使從被第二防焊層2-2所覆蓋之第一防焊層2-1露出之狀態的電子構件連結用連結墊3及其周圍之第一防焊層2-1露出。以光
學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.5μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一面之第一防焊層2-1的厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1
的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
除了更替製程(C1)與製程(C2)之順序以外，以與實施例12相同之方法，實施製程(A1)~製程(D1)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.5μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一防焊層2-1的厚減少0.5μm。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之第
一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
除了製程(C3)之曝光量為200mJ/cm2以外，以與實施例12相同之方法，實施製程(A1)~製程(D1)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下6.0μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一防焊層2-1的厚度減少1.0μm。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光
量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.0μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。
除了製程(C3)之曝光量為1000mJ/cm2以外，以與實施例12相同之方法，實施製程(A1)~製程(D1)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置
於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，充填著第一防焊層2-1，未確認到製程(C3)之氧之聚合妨礙所導致之第一面之第一防焊層2-1的膜減。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。
製程(C3)時，除了以接觸曝光方式實施曝光以外，以與實施例12相同之方法，實施製程(A1)~製程(D1)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，充填著第一防焊層2-1。製程(C3)時，藉由充份執行接觸曝光時之排氣，而在非氧環境下實施曝光，故第一防焊層2-1表面未粗面化，結果，第一防焊層2-1的厚度未減少。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構
件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。
實施例12~16時，因為相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之第一防焊層2-1，可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。因為第一防焊層2-1之殘渣不存在於外部連結用連結墊4上，安裝於外部電氣基板時，也可製作不會發生電氣絕緣不良之信賴性高的配線基板。比較實施例12~16的話，相較於電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1之表面平滑的實施例16所製造的配線基板，實施例12~15所製造的配線基板，填膠之黏著性高，連結信賴性優良。
實施例17~21，係第7-1圖、第7-2圖及第7-3圖所示之配線基板的製造方法(4)的相關例。
利用半加法，製作於兩表面形成有導體配線7之電路基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面(第一面)，有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。於背面(第二面)，形成有當做外部連結用連結墊4來使用
之直徑600μm之圓形狀導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度15μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於上述電路基板1之表面，並將厚度25μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於上述電路基板1之背面(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成第一防焊層2-1。第一面之第一防焊層2-1時，從絕緣層8表面之厚度為20μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為5μm。第二面之第一防焊層2-1時，從絕緣層8表面之厚度為38μm，外部連結用連結墊4上之厚度為23μm。
對第一面之第一防焊層2-1，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部為200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
對第二面之第一防焊層2-1，於外部連結用連結墊4上配設直徑500μm之圓形開口部區域，利用對圓形開口部區域以外照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
剝離第一面及第二面之第一防焊層2-1上的支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使第一面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，至第一面之非曝光部的第一防焊層2-1之厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，實施平均10μm之第一防焊層2-1的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一面之第一防焊層2-1表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。另一方面，第二面之第一防焊層2-1也被實施平均10μm之薄膜化，然而，薄膜化處理液中之氣泡附著於第二面之非曝光部的第一防焊層2-1，出現膜厚不均一的部位。此外，於外部連結用連結墊4上，殘留有約13μm之第一防焊層2-1的殘渣。
對第一面之第一防焊層2-1，使用對於製程(B)被薄膜化區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
使用1質量%之碳酸鈉水溶液(液溫度30℃、噴霧
壓0.15MPa)實施30秒鐘顯影，除去第二面之非曝光部的第一防焊層2-1。
使用真空層合機，將厚度15μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於完成至製程(D)為止之電路基板1之第一面之第一防焊層2-1上(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成第一面之第二防焊層2-2。第一面之第二防焊層2-2時，從絕緣層8表面之厚度為30μm。
對第一面之第二防焊層2-2，使用對比距離電子構件連結用連結墊3之端部400μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
使用1質量%之碳酸鈉水溶液(液溫度30℃、噴霧壓0.15MPa)實施30秒鐘顯影，除去第一面之非曝光部的第二防焊層2-2。藉此，形成填膠堰塞用堤壩，而且，再度使從被第二防焊層2-2所覆蓋之第一防焊層2-1露出之狀態的電子構件連結用連結墊3及其周圍之第一防焊層
2-1露出。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.5μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一面之第一防焊層2-1的厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1
的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
除了更替製程(C1)與製程(C2)之順序以外，以與實施例17相同之方法，實施製程(A1)~製程(D2)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.5μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一面之第一防焊層2-1的厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之第
一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
除了製程(C3)之曝光量為200mJ/cm2以外，以與實施例17相同之方法，實施製程(A1)~製程(D2)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下6.0μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一面之第一防焊層2-1的厚度減少1.0μm。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光
量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.0μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。
除了製程(C3)之曝光量為1000mJ/cm2以外，以與實施例17相同之方法，實施製程(A1)~製程(D2)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置
於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，充填著第一防焊層2-1，未確認到製程(C3)之氧之聚合妨礙所導致之第一面之第一防焊層2-1的膜減。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。
製程(C3)時，除了以接觸曝光方式實施曝光以外，以與實施例17相同之方法，實施製程(A1)~製程(D2)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，充填著第一防焊層2-1。製程(C3)時，藉由充份執行接觸曝光時之排氣，而在非氧環境下實施曝光，故第一防焊層2-1表面未粗面化，結果，第一防焊層2-1的厚度未減少。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構
件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。
實施例17~21時，因為相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之第一防焊層2-1，可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。因為第一防焊層2-1之殘渣不存在於外部連結用連結墊4上，安裝於外部電氣基板時，也可製作不會發生電氣絕緣不良之信賴性高的配線基板。比較實施例17~21的話，相較於電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1之表面平滑的實施例21所製造的配線基板，實施例17~20所製造的配線基板，填膠之黏著性高，連結信賴性優良。
實施例22~25，係第8-1圖、第8-2圖及第8-3圖所示之配線基板的製造方法(5)的相關例。
利用半加法，製作於兩表面形成有導體配線7之電路基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面(第一面)，有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。於背面(第二面)，形成有當做外部連結用連結墊4來使用
之直徑600μm之圓形狀導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度15μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於上述電路基板1之表面，並將厚度25μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於上述電路基板1之背面(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成第一防焊層2-1。第一面之第一防焊層2-1時，從絕緣層8表面之厚度為20μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為5μm。第二面之第一防焊層2-1時，從絕緣層8表面之厚度為38μm，外部連結用連結墊4上的厚度為23μm。
對第二面之第一防焊層2-1，於外部連結用連結墊4上配設直徑500μm之圓形開口部區域，利用對圓形開口部區域以外照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
剝離第一面及第二面之第一防焊層2-1上的支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使第一面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除
去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，至第一面之非曝光部的第一防焊層2-1之厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，實施平均10μm之第一防焊層2-1的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一面之第一防焊層2-1表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。另一方面，第二面之第一防焊層2-1也被實施平均10μm之薄膜化，然而，薄膜化處理液中之氣泡附著於第二面之非曝光部的第一防焊層2-1，出現膜厚不均一的部位。此外，於外部連結用連結墊4上，殘留有約13μm之第一防焊層2-1的殘渣。
對第一面之第一防焊層2-1，使用對於製程(B)被薄膜化區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
使用真空層合機，將厚度20μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於完成至製程(C)為止之電路基板1之第一面之第一防焊層2-1上(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成第一面之第二防焊層2-2。第一面之第二防焊層2-2時，從絕緣層8表面之厚度為30μm。
對第一面之第二防焊層2-2，使用對比距離電子構件連結用連結墊3之端部400μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
剝離第一面之第二防焊層2-2上的支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使第一面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，至第一面之非曝光部的第二防焊層2-2之厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面上5.0μm為止，實施平均10μm之第二防焊層2-2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一面之第二防焊層2-2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。另一方面，第二面之第一防焊層2-1也被實施平均10μm之薄膜化，然而，薄膜化處理液中之氣泡附著於第二面之非曝光部的第一防焊層2-1，出現膜厚不均一的部位。此外，於外部連結用連結墊4上，殘留有約3μm之第一防焊層2-1的殘渣。
對第一面之第二防焊層2-2，使用對比距離電子構件連結用連結墊3之端部200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
使用1質量%之碳酸鈉水溶液(液溫度30℃、噴霧壓0.15MPa)實施30秒鐘顯影，除去第一面之非曝光部的第二防焊層2-2及第二面之非曝光部的第一防焊層2-1。藉此，形成填膠堰塞用堤壩，而且，再度使從被第二防焊層2-2所覆蓋之第一防焊層2-1露出之狀態的電子構件連結用連結墊3及其周圍之第一防焊層2-1露出。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.5μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一面之第一防焊層2-1的厚度減少0.5μm。此外，藉由製程(C7)之氧環境下的非接觸曝光，距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第二防
焊層2-2之表面的光聚合獲得抑制，結果，厚度20μm之第二防焊層2-2之表面厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及19.5μm之第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10.5μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度19.5μm之第二防焊層2-2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
除了製程(C3)及(C7)之曝光量為200mJ/cm2以
外，以與實施例22相同之方法，實施製程(A1)~製程(D1)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下6.0μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一面之第一防焊層2-1的厚度減少1.0μm。此外，藉由製程(C7)之氧環境下的非接觸曝光，距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第二防焊層2-2之表面的光聚合獲得抑制，結果，厚度20μm之第二防焊層2-2之表面的厚度減少1.0μm。
其次，為了使第一面之防焊層2-1及2-2、第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及19μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度11μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.0μm之第一防焊層2-1。此
外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度19μm之第二防焊層2-2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。
除了製程(C3)及(C7)之曝光量為1000mJ/cm2以外，以與實施例22相同之方法，實施製程(A1)~製程(D1)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，充填著第一防焊層2-1，未確認到製程(C3)及(C7)之氧之聚合妨礙所導致之第一面之第一防焊層2-1及第一面之第二防焊層2-2的膜減。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分
鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第二防焊層2-2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。
製程(C3)及(C7)時，除了以接觸曝光方式實施曝光以外，以與實施例22相同之方法，實施製程(A1)~製程(D1)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面及第二面，於電子構件連結用連結墊3及外部連結用連結墊4上皆未發現第一防焊層2-1及第二防焊層2-2之殘渣。此外，至配置於第一面之電子構件連結用連結墊3之
表面下5.0μm為止，充填著第一防焊層2-1。製程(C3)及(C7)時，藉由充份執行接觸曝光時之排氣，而在非氧環境下實施曝光，故防焊層2表面未粗面化，結果，第一面之第一防焊層2-1及第一面之第二防焊層2-2的厚度未減少。
其次，為了使第一面之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2、以及第二面之第一防焊層2-1硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理。以光學顯微鏡進行觀察，結果，在第一面，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10μm之第一防焊層2-1。此外，在第二面，於厚度15μm之外部連結用連結墊4上的一部分，形成有厚度38μm、直徑500μm之第一防焊層2-1的圓形開口部，而使外部連結用連結墊4之一部分露出。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第二防焊層2-2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。
實施例22~25時，因為相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之第一防焊層2-1，可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。因為第一防焊層2-1之殘渣不存在於外部連結用連結墊4上，安裝於外部電氣基板時，也可製作不會發生電氣絕緣不良之信賴性高的配線基板。比較實施例22~25的話，相較於電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1及電子構件連結用連結墊3周圍之第二防焊層2-2之表面平滑的實施例25所製造的配線基板，實施例22~24所製造的配線基板，填膠之黏著性高，連結信賴性優良。
如上述說明所示，實施例1~6所製造之配線基板，第一面之電子構件連結用連結墊3的一部分從防焊層2露出。使用該配線基板進行覆晶連結時，即使為以高密度配置電子構件連結用連結墊3之配線基板時，因為相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之防焊層2，可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。此外，絕緣層8與電子構件連結用連結墊3之接著強度、及電子構件連結用連結墊3與焊劑之接著強度增大，得到高連結信賴性。此外，以氧環境下之非接觸曝光方式來實施製程(C3)之曝光時，因為電子構件連結用連結墊3周圍之防焊層2的表面被充份粗面化，填膠之黏著性良好，而得到高連結信賴性。此外，因為第二面之外部連結用連結墊4之表面上也沒有防焊層2之殘渣，安裝於外部基板時，得到不會發生焊劑連結之電氣絕緣不良的高連結信賴
性。
如上述說明所示，實施例7~26所製造之配線基板，電子構件連結用連結墊3之一部分從防焊層2(第一防焊層2-1)露出，此外，具有由二段構造之防焊層2(第一防焊層2-1及第二防焊層2-2)所形成的填膠堰塞用堤壩。使用該配線基板進行覆晶連結時，可以防止充填於電子構件與配線基板之間之填膠溢至周圍而對電氣連結信賴性產生的不良影響。此外，即使為以高密度配置電子構件連結用連結墊3之配線基板時，因為相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之防焊層2(第一防焊層2-1)，可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。絕緣層8與電子構件連結用連結墊3之接著強度、及電子構件連結用連結墊3與焊劑之接著強度增大，得到高連結信賴性。此外，配線基板的製造方法(2)之製程(C4)及(C5)、配線基板的製造方法(3)、(4)、(5)之製程(C3)、以及配線基板的製造方法(5)之製程(C7)之曝光以氧環境下之非接觸曝光方式來實施時，因為電子構件連結用連結墊3之間、及周圍之防焊層2(第一防焊層2-1、第二防焊層2-2)表面被充份粗面化，填膠之黏著性良好，得到高連結信賴性。此外，因為第二面之外部連結用連結墊4之表面上也沒有防焊層2(第一防焊層2-1)之殘渣，安裝於外部基板時，得到不會發生焊劑連結之電氣絕緣不良的高連結信賴性。
本發明之配線基板的製造方法，例如，適用於用以製造具有以連結半導體晶片及其他印刷線路板等電子構件為目的之複數連結墊之配線基板的用途。
Claims (21)
- 一種配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為，含有：於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊之電路基板的兩表面，形成厚度不同之防焊層的製程(A)；對厚度薄於第二面之防焊層的第一面之防焊層，實施於後製程之製程(B)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C1)；對第二面之防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分之曝光的製程(C2)；於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之防焊層成為連結墊之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B)；對第一面之防焊層，實施於製程(B)被薄膜化之區域部分之曝光的製程(C3)；以及以顯影液除去第二面之非曝光部之防焊層的製程(D)。
- 一種配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為，含有：於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊之電路基板的兩表面，形成厚度不同之防焊層的製程(A)；對厚度薄於第二面之防焊層的第一面之防焊層，實施後製程之製程(B1)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C1)；對第二面之防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分之曝光的製程(C2)；對第一面，在連結墊未露出之範圍，以薄膜化處理液，實施非曝光部之防焊層之薄膜化的製程(B1)；於第一面之防焊層，實施於後製程之製程(B2)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C4)；於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之防焊層成為連結墊之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B2)；對第一面之防焊層，實施於製程(B2)被薄膜化之區域部分之曝光的製程(C5)；以及以顯影液除去第二面之非曝光部之防焊層的製程(D)。
- 一種配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為，含有：於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊之電路基板的兩表面，形成厚度不同之第一防焊層的製程(A1)；對厚度薄於第二面之第一防焊層的第一面之第一防焊層，實施於後製程之製程(B)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C1)；對第二面之第一防焊層，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光的製程(C2)；於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之第一防焊層成為連結墊之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B)；對第一面之第一防焊層，實施於製程(B)被薄膜化區域部分之曝光的製程(C3)；於完成至(C3)製程為止之電路基板之第一面的第一防焊層上，形成第二防焊層之製程(A2)；對第一面之第二防焊層，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光的製程(C6)；以及以顯影液除去第一面之非曝光部之第二防焊層及第二面之非曝光部之第一防焊層的製程(D1)。
- 一種配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為，含有：於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊之電路基板的兩表面，形成厚度不同之第一防焊層的製程(A1)；對厚度薄於第二面之第一防焊層的第一面之第一防焊層，實施於後製程之製程(B)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C1)；對第二面之第一防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分之曝光的製程(C2)；於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之第一防焊層成為連結墊之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B)；對第一面之第一防焊層，實施於製程(B)被薄膜化區域部分之曝光的製程(C3)；以顯影液除去第二面之非曝光部之第一防焊層的製程(D)；於完成至(D)製程為止之電路基板之第一面的第一防焊層上，形成第二防焊層之製程(A2)；對第一面之第二防焊層，實施於後製程之製程(D2)被顯影區域以外部分之曝光的製程(C6)；以及以顯影液除去第一面之非曝光部之第二防焊層的製程(D2)。
- 一種配線基板的製造方法，係具有於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊的電路基板，於電路基板之兩表面，具有防焊層，使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為，含有：於兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之連結墊之電路基板的兩表面，形成厚度不同之第一防焊層的製程(A1)；對第二面之第一防焊層，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光的製程(C2)；於第一面，以薄膜化處理液實施使非曝光部之第一防焊層成為連結墊之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B)；對第一面之第一防焊層，實施於製程(B)被薄膜化區域部分之曝光的製程(C3)；於完成至(C3)製程為止之電路基板之第一面的第一防焊層上，形成第二防焊層之製程(A2)；對第一面之第二防焊層，實施於後製程之製程(B3)被薄膜化區域以外部分之曝光的製程(C6)；於第一面，在連結墊未露出之範圍，以薄膜化處理液實施非曝光部之第二防焊層之薄膜化的製程(B3)；對第一面之第二防焊層，實施於後製程之製程(D1)被顯影區域以外部分之曝光的製程(C7)；以及以顯影液除去第一面之非曝光部之第二防焊層及第二面之非曝光部之第一防焊層的製程(D1)。
- 如申請專利範圍第1~4項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法，其中在製程(C1)之前，實施製程(C2)。
- 如申請專利範圍第1~4項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法，其中同時實施製程(C1)及製程(C2)。
- 如申請專利範圍第1、3、4項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法，其中以氧環境下之非接觸曝光方式來實施製程(C3)之曝光。
- 如申請專利範圍第5項所記載之配線基板的製造方法，其中以氧環境下之非接觸曝光方式來實施製程(C3)及製程(C7)之曝光。
- 如申請專利範圍第2項所記載之配線基板的製造方法，其中以氧環境下之非接觸曝光方式來實施製程(C4)及製程(C5)之曝光。
- 如申請專利範圍第1、3、4項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(C3)之曝光量為製程(C1)之曝光量之1倍以上、5倍以下。
- 如申請專利範圍第5或9項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(C3)及製程(C7)之曝光量為製程(C6)之曝光量之1倍以上、5倍以下。
- 如申請專利範圍第2或10項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(C4)及製程(C5)之曝光量為製程(C1)之曝光量之1倍以上、5倍以下。
- 如申請專利範圍第1、3、4項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B)之防焊層的薄膜化處理係以薄膜化處理面朝上來實施。
- 如申請專利範圍第5或9項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B)及製程(B3)之防焊層的薄膜化處理係以薄膜化處理面朝上來實施。
- 如申請專利範圍第2或10項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B1)及製程(B2)之防焊層的薄膜化處理係以薄膜化處理面朝上來實施。
- 如申請專利範圍第8項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(C3)之曝光量為製程(C1)之曝光量之1倍以上、5倍以下。
- 如申請專利範圍第8項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B)之防焊層的薄膜化處理係以薄膜化處理面朝上來實施。
- 如申請專利範圍第11項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B)之防焊層的薄膜化處理係以薄膜化處理面朝上來實施。
- 如申請專利範圍第12項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B)及製程(B3)之防焊層的薄膜化處理係以薄膜化處理面朝上來實施。
- 如申請專利範圍第13項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B1)及製程(B2)之防焊層的薄膜化處理係以薄膜化處理面朝上來實施。
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| WO2022231015A1 (ko) * | 2021-04-26 | 2022-11-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 회로기판 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200906245A (en) * | 2007-07-26 | 2009-02-01 | Samsung Electro Mech | Printed circuit board and manufacturing method thereof |
| TW201026188A (en) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Unimicron Technology Corp | Surface plating process for circuit substrate |
| JP2011077191A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | ソルダーレジストの形成方法 |
| CN103109588A (zh) * | 2010-09-28 | 2013-05-15 | 三菱制纸株式会社 | 阻焊图案的形成方法 |
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| JPH0659449A (ja) * | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Tamura Kaken Kk | 感光性樹脂組成物 |
| JPH0661647A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Fujitsu Ltd | 薄膜回路基板の製造方法 |
| JP3395222B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2003-04-07 | 松下電器産業株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
| EP1981317A3 (en) * | 1996-01-11 | 2008-10-29 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board and manufacturing method thereof |
| JP3856414B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2006-12-13 | 日本ビクター株式会社 | プリント配線基板の製造方法及びプリント配線基板 |
| JP2001135919A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | プラスチックパッケージの製造方法 |
| JP3767676B2 (ja) * | 2000-09-12 | 2006-04-19 | 信越化学工業株式会社 | オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
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| TWI312166B (en) * | 2001-09-28 | 2009-07-11 | Toppan Printing Co Ltd | Multi-layer circuit board, integrated circuit package, and manufacturing method for multi-layer circuit board |
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| US7421779B2 (en) * | 2003-02-13 | 2008-09-09 | Fujikura Ltd. | Multilayer board manufacturing method |
| CN1926930B (zh) * | 2004-03-03 | 2011-06-15 | 新光电气工业株式会社 | 电路板制造方法与电路板 |
| CN100459077C (zh) * | 2006-03-15 | 2009-02-04 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 基板的制造方法 |
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| CN100555619C (zh) * | 2007-04-11 | 2009-10-28 | 全懋精密科技股份有限公司 | 基板表面处理结构及其制作方法 |
| CN101364586B (zh) * | 2007-08-10 | 2010-06-23 | 全懋精密科技股份有限公司 | 封装基板结构 |
| CN101170069A (zh) * | 2007-11-21 | 2008-04-30 | 健鼎（无锡）电子有限公司 | 高对准度的防焊层开口方法 |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| TW200906245A (en) * | 2007-07-26 | 2009-02-01 | Samsung Electro Mech | Printed circuit board and manufacturing method thereof |
| TW201026188A (en) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Unimicron Technology Corp | Surface plating process for circuit substrate |
| JP2011077191A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | ソルダーレジストの形成方法 |
| CN103109588A (zh) * | 2010-09-28 | 2013-05-15 | 三菱制纸株式会社 | 阻焊图案的形成方法 |
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