TWI621213B - 剝離裝置、剝離系統、剝離方法及電腦記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明使被處理基板與支持基板的剝離處理適切地進行。本發明之剝離裝置141，具有：第1保持部310，其保持疊合基板T之中的支持基板S；第2保持部420，其保持疊合基板T之中的被處理基板W；以及移動部320，其使第1保持部310朝離開第2保持部420的方向移動。第1保持部310具備：板狀的彈性構件311，其與移動部320連接；以及複數之吸附部312，其設置於彈性構件311，並吸附支持基板S。移動部320的第1移動部330具備：支持構件331、移動機構332、台座333以及軌道334。

Description

剝離裝置、剝離系統、剝離方法及電腦記憶媒體
本發明係關於一種將由第1基板與第2基板所接合成之疊合基板從該疊合基板的一端向另一端剝離的剝離裝置、具備該剝離裝置的剝離系統、使用該剝離裝置的剝離方法、程式以及電腦記憶媒體。
近年來，在例如半導體裝置的製造步驟中，矽晶圓或化合物半導體晶圓等的半導體基板不斷向半徑擴大化以及薄型化發展。在半導體基板上形成了複數之電子電路，以下，將該基板稱為被處理基板。半徑較大而且較薄的被處理基板，在搬運時或研磨處理時可能會發生翹曲或破裂等問題。因此，會先對被處理基板貼合支持基板進行補強，之後才進行搬運或研磨處理，然後，進行將支持基板從被處理基板剝離的處理。
例如專利文獻1以及專利文獻2揭示了在利用第1保持部吸附保持支持基板，並利用第2保持部吸附保持被處理基板的狀態下，利用移動部使第1保持部的外周圍部位朝離開第2保持部的方向（亦即垂直向上）移動，藉此從支持基板的一端向另一端，將該支持基板從被處理基板剝離的方法。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2014－60347號公報 ［專利文獻2］日本特開2014－60348號公報
［發明所欲解決的問題］
在此，在專利文獻1以及專利文獻2所記載的剝離方法中，例如，如圖26所示的，移動部700具備支持構件701與移動機構702，移動機構702固定於基部710。另外，保持支持基板S的第1保持部720具備彈性構件721與複數之吸附部722，支持構件701連接在彈性構件721的外周圍部位。
然後，在剝離被處理基板W與支持基板S時，係用移動部700拉起第1保持部720，由於第1保持部720的彈性構件721具有彈性，故會隨著該拉動而柔軟地變形。此時，由於移動機構702固定於基部710，故如圖27所示的，支持基板S的一端S1的水平方向（圖27中的X軸方向）的位置不變。如是，隨著支持基板S的一端S1往垂直上方移動，支持基板S伸長，並在支持基板S從被處理基板W剝離的剝離部位，作用了向一端S1側的力Q（圖27中的X軸負方向）。該力Q可能會使被處理基板W或支持基板S受到損害。具體而言，本發明人進行檢討，發現當例如支持基板S（被處理基板W）的半徑為300mm時，若往垂直上方移動的支持基板S的一端S1的高度L為20mm，則被處理基板W或支持基板S便可能會受到損害。
另外，該問題，係在伴隨著基板的剝離的SOI（Silicon On Insulator，絕緣層覆矽）等的製造步驟中也可能會發生的問題。
有鑑於該等問題，本發明之目的在於使被處理基板與支持基板的剝離處理適切地進行。 ［解決問題的手段］
為了達成該目的，本發明係一種將由第1基板與第2基板所接合成之疊合基板，從該疊合基板的一端向另一端剝離的剝離裝置，其特徵為包含：第1保持部，其保持該疊合基板之中的該第1基板；第2保持部，其保持該疊合基板之中的該第2基板；以及移動部，其使該第1保持部朝離開該第2保持部的方向移動；該移動部，構成至少在該疊合基板的剝離方向上隨意移動的構造。
若根據本發明，當移動部使第1保持部朝離開第2保持部的方向移動時，由於移動部為自由端，故可使該移動部往疊合基板的剝離方向移動。如是，與移動部連接的第1保持部，除了朝離開第2保持部的方向移動之外，也會向剝離方向移動。因此，在第1保持部所保持之第1基板從第2保持部所保持之第2基板剝離的剝離部位，可抑制以往所作用之剝離方向的力，亦即不會對剝離部位作用多餘的力。因此，可防止第1基板與第2基板受到損害，並可使第1基板與第2基板的剝離處理適切地進行。
該第1保持部，亦可具有與該移動部連接的板狀的彈性構件，以及設置於該彈性構件，並吸附該第1基板的複數之吸附部。
該移動部，亦可在該剝離方向上並排設置複數個。
該移動部，亦可在該剝離方向的直交方向上並排設置複數個。
該移動部，亦可構成在沿著該疊合基板的周緣的方向上隨意移動的構造。
該移動部，亦可以在側面觀察的情況，作用於該第1保持部的力的作用方向與該第1保持部延伸的延伸方向直交的方式，使該第1保持部移動。
該移動部，亦可具有設置於該第1保持部的滾珠軸承。
該剝離裝置，亦可更具有剝離引發部，其在該疊合基板的一端的側面形成該第1基板與該第2基板開始剝離的剝離開始部位，該剝離引發部亦可具有圓板狀的鋭利構件以及使該鋭利構件繞垂直軸旋轉的旋轉部。
本發明之另一態樣係一種具備該剝離裝置的剝離系統，其特徵為包含：第1處理區塊，其對該疊合基板與該第2基板進行處理；以及第2處理區塊，其對該第1基板進行處理；該第1處理區塊包含：搬入搬出站，其載置該疊合基板與該第2基板；剝離站，其具備該剝離裝置；以及第1搬運區域，其具備在該搬入搬出站與該剝離站之間搬運該疊合基板與該第2基板的第1搬運裝置；該第2處理區塊包含：搬出站，其載置該第1基板；以及第2搬運區域，其具備對該搬出站搬運該第1基板的第2搬運裝置。
本發明之另一態樣係一種將由第1基板與第2基板所接合成之疊合基板從該疊合基板的一端向另一端剝離的剝離方法，其特徵為包含：第1保持步驟，其利用第1保持部，保持該疊合基板之中的該第1基板；第2保持步驟，其利用第2保持部，保持該疊合基板之中的該第2基板；以及移動步驟，其利用與該第1保持部連接的移動部，使該第1保持部朝離開該第2保持部的方向移動；在該移動步驟中，該移動部，至少朝該疊合基板的剝離方向移動。
該第1保持部，亦可具有：板狀的彈性構件，其與該移動部連接；以及複數之吸附部，其設置於該彈性構件，並吸附該第1基板；在該移動步驟中，該移動部，亦可在該複數之吸附部吸附著該第1基板的狀態下一邊使該彈性構件變形，一邊使該第1保持部移動。
該移動部，亦可在該剝離方向上並排設置複數個。
該移動部，亦可在該剝離方向的直交方向上並排設置複數個。
在該移動步驟中，該移動部，亦可在沿著該疊合基板的周緣的方向上移動。
在該移動步驟中，該移動部，亦可以在側面觀察的情況，作用於該第1保持部的力的作用方向與該第1保持部延伸的延伸方向直交的方式，使該第1保持部移動。
該剝離方法，亦可更包含剝離開始部位形成步驟，其在該第1保持步驟以及該第2保持步驟之後且該移動步驟之前，利用剝離引發部，於該疊合基板的一端的側面形成該第1基板與該第2基板開始剝離的剝離開始部位；該剝離引發部亦可具有圓板狀的鋭利構件，以及使該鋭利構件繞垂直軸旋轉的旋轉部；在該剝離開始部位形成步驟中，因為該旋轉部而旋轉中的該鋭利構件亦可與該疊合基板的一端的側面抵接，藉此形成該剝離開始部位。
根據本發明之另一態樣，提供一種程式，其在控制剝離裝置的控制裝置的電腦上運作，以使該剝離裝置實行該剝離方法。
根據本發明之另一態樣，提供一種儲存了該程式的可讀取的電腦記憶媒體。 ［發明的功效］
若根據本發明，便可使被處理基板與支持基板的剝離處理適切地進行。
以下，參照所附圖式，針對本發明的實施態樣進行説明。另外，本發明並非僅限於以下所示的實施態樣。
＜1. 剝離系統＞ 首先，針對本實施態樣之剝離系統的構造，參照圖1～圖3進行説明。圖1，係表示本實施態樣之剝離系統的構造的示意俯視圖。另外，圖2，係切割框架所保持之疊合基板的示意側視圖，圖3，係同一疊合基板的示意俯視圖。
另外，在以下內容中，為了使位置關係明確，規定出彼此直交的X軸方向、Y軸方向以及Z軸方向，並以Z軸正方向為垂直向上的方向。
圖1所示之本實施態樣的剝離系統1，將由作為第2基板的被處理基板W與作為第1基板的支持基板S以接合劑G所接合而成的疊合基板T（參照圖2），剝離為被處理基板W與支持基板S。
以下，如圖2所示的，在被處理基板W的板面之中，將隔著接合劑G與支持基板S接合的那一側的板面稱為「接合面Wj」，並將接合面Wj的相反側的板面稱為「非接合面Wn」。另外，在支持基板S的板面之中，將隔著接合劑G與被處理基板W接合的那一側的板面稱為「接合面Sj」，並將接合面Sj的相反側的板面稱為「非接合面Sn」。
被處理基板W，係於例如矽晶圓或化合物半導體晶圓等的半導體基板形成了複數之電子電路的基板，以電子電路形成側的板面為接合面Wj。另外，被處理基板W，例如因為非接合面Wn受到研磨處理而變薄。具體而言，被處理基板W的厚度，約為20～50μm。
另一方面，支持基板S，係與被處理基板W半徑大略相同的基板，並支持被處理基板W。支持基板S的厚度，約為650～750μm。該支持基板S，除了矽晶圓之外，亦可使用玻璃基板等。另外，將該等被處理基板W以及支持基板S接合的接合劑G的厚度，約為40～150μm。
另外，如圖3所示的，疊合基板T，被固定於切割框架F。切割框架F，係在中央具有半徑比疊合基板T更大之開口部Fa的大略環狀的構件，由不銹鋼等的金屬所形成。切割框架F的厚度，例如為1mm左右。
疊合基板T，透過切割膠布P固定於該切割框架F。具體而言，將疊合基板T配置於切割框架F的開口部Fa，以從背面塞住開口部Fa的方式於被處理基板W的非接合面Wn以及切割框架F的背面貼合切割膠布P。藉此，疊合基板T，形成被固定（保持）於切割框架F的狀態。
如圖1所示的，剝離系統1，具備第1處理區塊10以及第2處理區塊20這2個處理區塊。第1處理區塊10與第2處理區塊20，依照第2處理區塊20以及第1處理區塊10的順序在X軸方向上相鄰配置。
在第1處理區塊10，進行疊合基板T的搬入、疊合基板T的剝離處理、剝離後的被處理基板W的洗淨以及搬出等。亦即，第1處理區塊10，係對切割框架F所保持之基板（疊合基板T與被處理基板W）進行處理的區塊。該第1處理區塊10，具備搬入搬出站11、待機站12、第1搬運區域13、剝離站14、第1洗淨站15、邊緣除去站16。
搬入搬出站11、待機站12、剝離站14、第1洗淨站15以及邊緣除去站16，與第1搬運區域13相鄰配置。具體而言，搬入搬出站11與待機站12，在第1搬運區域13的Y軸負方向側並排配置，剝離站14的其中一個剝離裝置141與第1洗淨站15的2個第1洗淨裝置151、152，在第1搬運區域13的Y軸正方向側並排配置。另外，剝離站14的另一個剝離裝置142，配置在第1搬運區域13的X軸負方向側，邊緣除去站16，配置在第1搬運區域13的X軸正方向側。
於搬入搬出站11，設置了複數之匣盒載置台111，於各匣盒載置台111，可載置收納了疊合基板T的匣盒Ct或收納了剝離後之被處理基板W的匣盒Cw。然後，該等匣盒Ct與匣盒Cw在搬入搬出站11與外部之間搬入搬出。
於待機站12，例如配置了讀取切割框架F的ID（Identification）的ID讀取裝置，藉由該ID讀取裝置，便可識別出處理中的疊合基板T。另外，待機站12，除了上述的ID讀取處理之外，更可因應需要進行令等待處理的疊合基板T暫時待機的待機處理。於該待機站12，設置了載置台，其可載置被後述的第1搬運裝置131搬運過來的疊合基板T，於該載置台，載置了ID讀取裝置與暫時待機部。
於第1搬運區域13，配置了搬運疊合基板T或是剝離後之被處理基板W的第1搬運裝置131。第1搬運裝置131，具備可朝水平方向移動、朝垂直方向升降以及以垂直方向為中心進行旋轉的搬運臂部，以及安裝於該搬運臂部的前端的基板保持部。在第1搬運區域13，利用該第1搬運裝置131，進行將疊合基板T搬運到待機站12、剝離站14以及邊緣除去站16的處理，或將剝離後之被處理基板W搬運到第1洗淨站15以及搬入搬出站11的處理。
於剝離站14，配置了2個剝離裝置141、142。在剝離站14，利用該剝離裝置141、142，進行將疊合基板T剝離成被處理基板W與支持基板S的剝離處理。具體而言，剝離裝置141、142，在被處理基板W配置在下側且支持基板S配置在上側的狀態下，將疊合基板T剝離成被處理基板W與支持基板S。另外，配置於剝離站14的剝離裝置的數目，並非僅限於本實施態樣，可任意設定之。另外，本實施態樣的剝離裝置141、142係在水平方向上並排配置，惟亦可將該等裝置在垂直方向上堆疊配置。
於第1洗淨站15，配置了2個第1洗淨裝置151、152。在第1洗淨站15，利用該第1洗淨裝置151、152，進行在剝離後之被處理基板W被保持於切割框架F的狀態下對其進行洗淨的洗淨處理。第1洗淨裝置151、152，可使用例如日本特開2013－016579號公報所記載的洗淨裝置。另外，配置於第1洗淨站15的洗淨裝置的數目，並非僅限於本實施態樣，可任意設定之。另外，本實施態樣的第1洗淨裝置151、152係在水平方向上並排配置，惟亦可將該等裝置在垂直方向上堆疊配置。
於邊緣除去站16，配置了邊緣除去裝置。邊緣除去裝置，進行將疊合基板T中的接合劑G的周緣部位利用溶劑溶解除去的邊緣除去處理。藉由利用該邊緣除去處理將接合劑G的周緣部位除去，便可在後述的剝離處理中更容易將被處理基板W與支持基板S剝離。另外，邊緣除去裝置，例如將疊合基板T浸漬於接合劑G的溶劑中，利用溶劑將接合劑G的周緣部位溶解。
另外，在第2處理區塊20，進行剝離後之支持基板S的洗淨以及搬出等。亦即，第2處理區塊20，係對並未被切割框架F所保持之基板（支持基板S）進行處理的區塊。該第2處理區塊20，具備第1傳遞站21、第2傳遞站22、第2洗淨站23、第2搬運區域24、搬出站25。
第1傳遞站21，配置在剝離站14的剝離裝置141的X軸負方向側，且剝離裝置142的Y軸正方向側。另外，第2傳遞站22、第2洗淨站23以及搬出站25，與第2搬運區域24相鄰配置。具體而言，第2傳遞站22以及第2洗淨站23並排配置在第2搬運區域24的Y軸正方向側，搬出站25配置在第2搬運區域24的Y軸負方向側。
在第1傳遞站21，進行從剝離站14的剝離裝置141、142接收剝離後之支持基板S並傳遞到第2傳遞站22的傳遞處理。於第1傳遞站21，配置了傳遞裝置211。傳遞裝置211，具有例如白努利夾頭等的非接觸保持部，該非接觸保持部構成繞水平軸隨意轉動的構造。具體而言，傳遞裝置211，可使用例如日本特開2013－016579號公報所記載的搬運裝置。然後，傳遞裝置211，將剝離後之支持基板S的表背面翻轉，同時將支持基板S以非接觸方式從剝離裝置141、142搬運到第2處理區塊20。
於第2傳遞站22，配置了載置支持基板S的載置部221，以及使載置部221在Y軸方向上移動的移動部222。載置部221，具備例如3支支持銷，支持並載置支持基板S的非接合面Sn。移動部222，具備在Y軸方向上延伸的軌道，以及使載置部221在Y軸方向上移動的驅動部。在第2傳遞站22，在從第1傳遞站21的傳遞裝置211將支持基板S載置於載置部221之後，利用移動部222使載置部221往第2搬運區域24側移動。然後，將支持基板S從載置部221傳遞到後述的第2搬運區域24的第2搬運裝置241。另外，在本實施態樣中，載置部221僅朝Y軸方向移動，惟除此之外，亦可構成也可朝X軸方向移動的構造。
另外，由於上述的第1傳遞站21的傳遞裝置211係以白努利夾頭等的非接觸保持部保持支持基板S，故搬運可靠度不高。因此，當從傳遞裝置211將支持基板S直接傳遞到後述的第2搬運區域24的第2搬運裝置241時，該支持基板S可能會掉落。因此，本實施態樣，在第1傳遞站21與第2搬運區域24之間設置第2傳遞站22，以該第2傳遞站22暫時載置支持基板S。
於第2洗淨站23，配置了將剝離後之支持基板S洗淨的第2洗淨裝置。第2洗淨裝置，可使用例如日本特開2013－016579號公報所記載的洗淨裝置。
於第2搬運區域24，配置了搬運剝離後之支持基板S的第2搬運裝置241。第2搬運裝置241，具備可朝水平方向移動、朝垂直方向升降以及以垂直方向為中心進行旋轉的搬運臂部，以及安裝於該搬運臂部的前端的基板保持部。在第2搬運區域24，利用該第2搬運裝置241，進行將剝離後之支持基板S搬運到搬出站25的處理。
於搬出站25，設置了複數之匣盒載置台251，於各匣盒載置台251，可載置收納剝離後之支持基板S的匣盒Cs。然後，該匣盒Cs在搬入搬出站25與外部之間搬入搬出。
另外，剝離系統1，具備控制裝置30。控制裝置30，係控制剝離系統1的動作的裝置。該控制裝置30，例如為電腦，具備圖中未顯示的控制部與記憶部。於記憶部，儲存了控制剝離處理等各種處理的程式。控制部藉由讀取並執行記憶部所儲存之程式來控制剝離系統1的動作。
另外，該程式，可記錄於可被電腦讀取的記憶媒體，亦可從該記憶媒體安裝到控制裝置30的記憶部。可被電腦讀取的記憶媒體，例如硬碟（HD）、軟碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）、記憶卡等。
接著，針對使用以上述方式構成之剝離系統1所進行的被處理基板W與支持基板S的剝離處理方法進行説明。圖4，係表示該剝離處理的主要步驟的例子的流程圖。另外，剝離系統1，根據控制裝置30的控制，實行圖4所示之各處理順序。
首先，將收納了複數枚疊合基板T的匣盒Ct，與空的匣盒Cw，載置於搬入搬出站11的既定的匣盒載置台111，同時將空的匣盒Cs，載置於搬出站25的既定的匣盒載置台251。然後，在剝離系統1中，第1處理區塊10的第1搬運裝置131，從載置於搬入搬出站11的匣盒Ct取出疊合基板T。此時，疊合基板T，在被處理基板W位於底面、支持基板S位於頂面的狀態下，被第1搬運裝置131的基板保持部從上方保持。然後，第1搬運裝置131，進行將從匣盒Ct取出之疊合基板T搬入待機站12的基板搬入處理（圖4的步驟A101）。
接著，在待機站12，ID讀取裝置，進行讀取切割框架F的ID的ID讀取處理（圖4的步驟A102）。ID讀取裝置所讀取到的ID，被發送到控制裝置30。之後，疊合基板T，被第1搬運裝置131從待機站12取出，搬入邊緣除去站16。
在邊緣除去站16，邊緣除去裝置，對疊合基板T進行邊緣除去處理（圖4的步驟A103）。利用該邊緣除去處理將接合劑G的周緣部位除去，藉此在後段的剝離處理中被處理基板W與支持基板S變得更容易剝離。因此，可使剝離處理所需要的時間縮短。
像這樣，在本實施態樣之剝離系統1中，由於邊緣除去站16組裝於第1處理區塊10，故可將搬入第1處理區塊10的疊合基板T用第1搬運裝置131直接搬入邊緣除去站16。因此，可使一連串的剝離處理的處理量提高。另外，可使從邊緣除去處理到剝離處理的時間更容易管理，進而使剝離性能穩定化。
另外，當例如因為裝置之間的處理時間差等而產生等待處理的疊合基板T時，可用設置於待機站12的暫時待機部使疊合基板T暫時待機，進而使一連串的步驟之間的損失時間縮短。
接著，邊緣除去處理後的疊合基板T，被第1搬運裝置131從邊緣除去站16取出，並搬入剝離站14的剝離裝置141。在剝離站14，剝離裝置141，對疊合基板T進行剝離處理（圖4的步驟A104）。藉由該剝離處理，疊合基板T，被分離為被處理基板W與支持基板S。
之後，在剝離系統1中，針對剝離後之被處理基板W的處理在第1處理區塊10進行，針對剝離後之支持基板S的處理在第2處理區塊20進行。另外，剝離後的被處理基板W，被切割框架F所保持。
在第1處理區塊10，剝離後之被處理基板W，被第1搬運裝置131從剝離站14的剝離裝置141取出，並搬入第1洗淨站15的第1洗淨裝置151。在第1洗淨站15，第1洗淨裝置151，對剝離後之被處理基板W進行洗淨處理（圖4的步驟A105）。藉由該洗淨處理，殘留於被處理基板W的接合面Wj的接合劑G被除去。
洗淨處理後的被處理基板W，被第1搬運裝置131從第1洗淨站15的第1洗淨裝置151取出，並收納於載置在搬入搬出站11的匣盒Cw。之後，收納了複數枚被處理基板W的匣盒Cw，從搬入搬出站11被搬出、回收（圖4的步驟A106）。如是，針對被處理基板W的處理結束。
另一方面，在第2處理區塊20，與步驟A105以及步驟A106的處理同步，進行對剝離後之支持基板S的處理（後述的步驟A107～步驟A109）。
在第2處理區塊20，首先，第1傳遞站21的傳遞裝置211，進行剝離後之支持基板S的傳遞處理。具體而言，傳遞裝置211，將剝離後之支持基板S從剝離站14的剝離裝置141取出，並搬入第2傳遞站22（圖4的步驟A107）。
在此，剝離後之支持基板S，形成被剝離裝置141保持住頂面側（亦即非接合面Sn側）的狀態，故傳遞裝置211，從下方以非接觸方式保持支持基板S的接合面Sj側。之後，傳遞裝置211，將所保持之支持基板S翻轉，並載置於第2傳遞站22的載置部221。藉此，支持基板S，在接合面Sj面向上方的狀態下載置於載置部221。
在第2傳遞站22，載置了支持基板S的載置部221藉由移動部222移動到第2搬運區域24側的既定位置。該既定位置，係第2搬運裝置241的搬運臂部可接收載置部221上的支持基板S的位置。
接著，支持基板S，被第2搬運裝置241從第2傳遞站22取出，並搬入第2洗淨站23。在第2洗淨站23，第2洗淨裝置，對剝離後之支持基板S進行洗淨處理（圖4的步驟A108）。藉由該洗淨處理，殘留於支持基板S的接合面Sj的接合劑G被除去。
洗淨處理後的支持基板S，被第2搬運裝置241從第2洗淨站23取出，並收納於載置在搬出站25的匣盒Cs。之後，收納了複數枚支持基板S的匣盒Cs，從搬出站25被搬出、回收（圖4的步驟A109）。如是，針對支持基板S的處理也結束。
如以上所述的，本實施態樣之剝離系統1，具備對疊合基板T以及被處理基板W進行處理的第1處理區塊10，以及對支持基板S進行處理的第2處理區塊20。因此，由於可同步進行對疊合基板T以及被處理基板W的處理與對支持基板S的處理，故可有效率地進行一連串的基板處理。更具體而言，本實施態樣之剝離系統1，具備切割框架F所保持之基板（疊合基板T以及剝離後之被處理基板W）用的前端（搬入搬出站11以及第1搬運區域13），與並未被切割框架F所保持之基板（剝離後之支持基板S）用的前端（搬出站25以及第2搬運區域24）。藉此，便可同步進行將被處理基板W搬運到搬入搬出站11的處理，以及將支持基板S搬運到搬出站25的處理。因此，可減少以往的基板搬運等待時間，進而使剝離處理的處理量提高。
另外，若根據本實施態樣，即使疊合基板T與被處理基板W被保持於切割框架F，被切割框架F所保持之疊合基板T以及被處理基板W的搬運，與並未被切割框架F所保持之支持基板S的搬運，分別由個別的第1搬運裝置131與第2搬運裝置241進行。因此，比起以往的以1個搬運裝置搬運被保持於切割框架的基板與並未被保持於切割框架的基板的情況而言，本實施態樣，可簡化搬運疊合基板T、被處理基板W、支持基板S時的控制，並有效率地進行剝離處理。
再者，在本實施態樣之剝離系統1中，剝離站14、第2洗淨站23以及第2搬運區域24透過第1傳遞站21與第2傳遞站22連接。藉此，由於可不經由第1搬運區域13，而將剝離後之支持基板S從剝離站14直接搬入第2搬運區域24，故可順利地進行剝離後之支持基板S的搬運。
而且，第2傳遞站22，具備載置支持基板S的載置部221，以及使載置部221朝水平方向移動的移動部222。藉此，當在第1傳遞站21與第2搬運區域24之間傳遞支持基板S時，由於可移動載置了支持基板S的載置部221，故並無使該第1傳遞站21的傳遞裝置211的非接觸保持部或第2搬運區域24的第2搬運裝置241的搬運臂部伸長之必要。因此，可使第1傳遞站21與第2搬運區域24的專用面積縮小，進而使剝離系統1整體的專用面積縮小。
另外，在以上的剝離系統1中，第1處理區塊10，亦可具備用來對疊合基板T安裝切割框架F的安裝裝置。此時，係將並未安裝切割框架F的疊合基板T從匣盒Ct取出並搬入安裝裝置，在安裝裝置中對疊合基板T安裝切割框架F，之後，將被固定於切割框架F的疊合基板T搬運到剝離站14。另外，安裝裝置，可配置在第1處理區塊10的任意位置。
另外，設置在以上的剝離系統1的第1處理區塊10的第1洗淨站15與邊緣除去站16，亦可設置在剝離系統1的外部。再者，設置在第2處理區塊20的第2洗淨站23，亦可設置在剝離系統1的外部。
另外，在以上的剝離系統1中，各處理站的處理裝置或搬運區域的配置可任意設計之，可在水平方向上並排配置，或是在垂直方向上堆疊配置。
＜2. 剝離裝置的構造＞ 接著，針對設置於剝離站14的剝離裝置141、142的構造參照圖5進行説明。圖5，係表示本實施態樣之剝離裝置141的構造的示意側視圖。另外，剝離裝置142的構造，與剝離裝置141的構造相同，故省略説明。
如圖5所示的，剝離裝置141具有處理容器300。於處理容器300的側面，形成了被處理基板W、支持基板S、疊合基板T的搬入搬出口（圖中未顯示），於該搬入搬出口設置了開閉擋門（圖中未顯示）。
於處理容器300的內部，設置了第1保持部310、移動部320、上側基部360、位置調整部370、下壓部380、傳遞部390、剝離引發部400、移動調整部410、第2保持部420、下側基部430、旋轉機構440、升降機構450、電離器460。
第1保持部310，將疊合基板T之中的支持基板S從上方保持，第2保持部420，將疊合基板T之中的被處理基板W從下方保持。第1保持部310設置在第2保持部420的上方，支持基板S配置在上側，被處理基板W配置在下側。然後，移動部320，使第1保持部310所保持之支持基板S朝離開被處理基板W的板面的方向移動。藉此，在剝離裝置141中，第1保持部310所保持之支持基板S，從其一端S1向另一端S2自被處理基板W連續地剝離。以下，針對各構成要件具體進行説明。
如圖6所示的，第1保持部310，具備彈性構件311與複數之吸附部312。彈性構件311，係薄板狀的構件，例如由板金等的金屬所形成。該彈性構件311，在支持基板S的上方與支持基板S對向配置。
複數之吸附部312，設置於彈性構件311的與支持基板S的對向面。複數之吸附部312的配置與個數可任意設定之，例如在彈性構件311的面內平均地配置。另外，在該等複數之吸附部312之中，配置在最靠剝離起點側（在此為X軸負方向側）的吸附部312，係配置在與後述的剝離引發部400形成於疊合基板T的剝離開始部位對應的位置。
各吸附部312，具備固定於彈性構件311的本體部313，以及設置在該本體部313的下部的吸附墊314。
另外，如圖5所示的，各吸附部312，透過吸氣管315與真空泵等的吸氣裝置316連接。第1保持部310，利用吸氣裝置316所產生之吸引力，以複數之吸附部312吸附支持基板S的非接合面Sn。藉此，支持基板S，被吸附保持於第1保持部310。
另外，吸附部312所具備之吸附墊314，宜為變形量較少的類型。這是因為，若在後述的移動部320拉動第1保持部310時吸附墊314大幅變形的話，伴隨著該變形支持基板S的被吸附部分也會大幅變形，支持基板S或被處理基板W可能會受到損傷。具體而言，吸附墊314，宜使用例如於吸附面具有肋部者，或是空間高度在0.5mm以下的平型墊等。
移動部320，具備第1移動部330、第2移動部340、第3移動部350。第1移動部330、第2移動部340、第3移動部350，各自被上側基部360所支持。上側基部360，透過支柱362被安裝於處理容器300的頂板部的固定構件361所支持。
如圖6以及圖7所示的，第1移動部330、第2移動部340、第3移動部350，從第1保持部310所保持之支持基板S的一端S1側向另一端S2側，亦即朝疊合基板T的剝離方向（X軸正方向）依照該順序並排配置。然後，第1移動部330、第2移動部340、第3移動部350，使在彈性構件311中所吸附保持之區域各自獨立地朝離開第2保持部420的方向移動。
第1移動部330，具備支持構件331、移動機構332、台座333、軌道334。
支持構件331，係在垂直方向（Z軸方向）上延伸的構件，一端部與彈性構件311連接，另一端部透過上側基部360、台座333與移動機構332連接。
移動機構332，使連接於下部的支持構件331在垂直方向上移動。另外，移動機構332載置於台座333。台座333，構成在上側基部360的上部，在朝剝離方向（X軸正方向）延伸的一對軌道334、334上隨意移動的構造。亦即，第1移動部330形成自由端。
該第1移動部330，用移動機構332使支持構件331往垂直上方移動，藉此將連接於支持構件331的第1保持部310拉起。此時，伴隨著支持構件331的垂直上方的移動，移動機構332沿著軌道334往剝離方向移動。
第2移動部340，具備支持構件341與移動機構342。同樣地，第3移動部350，亦具備支持構件351與移動機構352。移動機構342、352，各自固定於上側基部360的上部，並使支持構件341、351在垂直方向上移動。
在移動部320中，首先，使移動機構332動作，接著，使移動機構342動作，最後，使移動機構352動作。亦即，移動部320，將第1保持部310所保持之支持基板S從一端S1側先拉動，接著拉動中央部位，最後拉動另一端S2側。藉此，移動部320，使支持基板S，從其一端S1向另一端S2自被處理基板W逐漸地且連續地剝離。
如圖5所示的，在第1保持部310的上方，配置了位置調整部370。位置調整部370，將被第1搬運裝置131搬運到剝離裝置141且由第2保持部420所保持之疊合基板T的位置調整到既定的位置（例如與吸附面421a一致的位置），換言之將其置中。
位置調整部370，例如分別設置在與圖3所示之疊合基板T的外周圍的3處對應的位置，且以疊合基板T的中央部位為中心相互隔著相等間隔。另外，位置調整部370所設置的位置，不限於上述的3處，例如亦可設置在疊合基板T的外周圍的前後或是左右的2處，或是設置在以疊合基板T的中央部位為中心相互隔著相等間隔的4處以上的位置。
位置調整部370，具備臂部371以及使該臂部371旋轉的旋轉移動機構372。臂部371，係長方形狀的構件，基端部與旋轉移動機構372以可旋轉的方式連接。另外，臂部371的長邊方向的長度，例如設定成當利用旋轉移動機構372使前端部旋轉移動直到垂直向下為止時該前端部會與疊合基板T的側面（更詳細而言係與支持基板S的側面）抵接的値，且在該旋轉移動中不會阻礙到切割框架F的値。像這樣，臂部371，構成相對於疊合基板T的側面隨意進退的構造。另外，臂部371可使用各種樹脂，例如聚甲醛（Polyoxymethylene，POM）或聚苯并咪唑（PBI）等。
旋轉移動機構372，例如固定於上側基部360的下部，使臂部371以基端側為中心旋轉移動。此時，如上所述的旋轉移動中的臂部371不會阻礙到切割框架F。當各位置調整部370的臂部371各自因為旋轉移動機構372而旋轉移動時，臂部371的前端部與疊合基板T的側面（支持基板S的側面）抵接。藉此，疊合基板T的位置被調整到既定的位置。像這樣，藉由具備位置調整部370，假設疊合基板T在從既定位置偏離之狀態下被第2保持部420所保持，即使在該等情況下，亦可進行修正，使該疊合基板T移動到第2保持部420的正確位置，詳細而言例如與吸附面421a一致的位置。
在第1保持部310的外側，配置了用來將切割框架F往垂直下方向下壓的下壓部380。下壓部380，設置於切割框架F的外周圍部位的3處位置。該等下壓部380，以切割框架F的中央部位為中心相互隔著相等間隔配置。另外，如上所述，係將下壓部380設置3處，惟其為例示而已，並非限定，例如亦可設置4處以上。
下壓部380，具備滾珠軸承381與支持構件382。滾珠軸承381被支持在支持構件382的前端部，支持構件382的基端部被固定在上側基部360的下部。
滾珠軸承381，與切割框架F的表面抵接，將該切割框架F相對於疊合基板T往垂直下方向下壓。另外，藉由滾珠軸承381，切割框架F在可隨意旋轉的狀態下被往下壓。藉此，在疊合基板T的側面側，形成後述的剝離引發部400可進入的空間。藉此，便可使剝離引發部400的鋭利構件（容後詳述）更容易接近並抵接疊合基板T的側面，更詳細而言係支持基板S的靠近接合劑G的側面。
在第1保持部310的外側，更詳細而言係在下壓部380的外側，配置了將疊合基板T傳遞到第2保持部420的傳遞部390。傳遞部390，分別設置在對應切割框架F的左右2處的位置。另外，上述係將傳遞部390設置2處，惟此為例示而已，並非限定，例如亦可設置3處以上。
傳遞部390，具備水平保持構件391、垂直支持構件392、移動機構393。另外，於傳遞部390的水平保持構件391，設置了引導部394。
水平保持構件391在水平方向上延伸，在該水平保持構件391上設置了引導部394。引導部394，以水平保持構件391上所保持之疊合基板T相對於第2保持部420位於既定位置的方式進行位置調整。亦即，引導部394，在位置調整部370進行疊合基板T的位置調整之前，先進行該疊合基板T的位置調整。
垂直支持構件392在垂直方向上延伸，支持著水平保持構件391。另外，垂直支持構件392的基端部，被移動機構393所支持。移動機構393，固定在上側基部360的上部，使垂直支持構件392在垂直方向上移動。
傳遞部390，利用移動機構393使垂直支持構件392、水平保持構件391以及引導部394沿著垂直方向移動。因此，從第1搬運裝置131接收了疊合基板T的水平保持構件391在垂直方向上移動，將疊合基板T傳遞到第2保持部420。
在第1保持部310的外側，更詳細而言係在傳遞部390的外側，配置了剝離引發部400。剝離引發部400，在疊合基板T的一端S1側的側面形成支持基板S從被處理基板W剝離的開始部位。
剝離引發部400，具備鋭利構件401、負載單元402、移動機構403。鋭利構件401，例如為刀具，以前端向疊合基板T突出的方式被移動機構403所支持。另外，鋭利構件401，亦可使用例如剪刀刀刃、滾刀刀刃或超音波切割器等。負載單元402設置於鋭利構件401的端部，檢測出施加於鋭利構件401的力（負載）。
移動機構403，使鋭利構件401沿著在X軸方向上延伸的軌道移動。剝離引發部400，用移動機構403使鋭利構件401移動，藉此使鋭利構件401抵接於支持基板S的靠近接合劑G的側面。藉此，剝離引發部400，在疊合基板T的一端S1側的側面形成支持基板S從被處理基板W剝離的開始部位（以下記載為「剝離開始部位」）。
另外，移動機構403，被移動調整部410從上方支持著。移動調整部410，例如固定在上側基部360的下部，使移動機構403沿著垂直方向移動。藉此，便可調整鋭利構件401的高度位置，亦即，對疊合基板T的側面的抵接位置。
在第1保持部310的下方，第2保持部420以互相對向的方式配置。於第2保持部420，例如可使用多孔夾頭。第2保持部420，具備圓盤狀的本體部421，以及支持本體部421的支柱構件422。支柱構件422，被後述的下側基部430所支持。
本體部421，係由例如鋁等的金屬構件所構成。於該本體部421的表面，設置了吸附面421a。吸附面421a，半徑與疊合基板T大略相同，與疊合基板T的底面，亦即，被處理基板W的非接合面Wn 抵接。該吸附面421a，係由例如碳化矽等的多孔質體或多孔質陶瓷所形成。
在本體部421的內部，形成了透過吸附面421a與外部連通的吸引空間421b。吸引空間421b，與配管423連接。配管423，透過閥門424分成2支配管。其中一支配管423，與例如真空泵等的吸氣裝置425連接。於吸氣裝置425，設置了測定其吸氣壓力，亦即以第2保持部420吸引被處理基板W時的吸引壓力的感測器（圖中未顯示）。另一支配管423，與內部儲存氣體（例如氮氣氣體或大氣）的氣體供給源426連接。
該第2保持部420，利用吸氣裝置425的吸氣所產生的負壓，將被處理基板W的非接合面Wn 隔著切割膠布P吸附於吸附面421a。藉此，第2保持部420保持被處理基板W。另外，第2保持部420，亦可一邊從表面噴出氣體使被處理基板W浮起一邊保持被處理基板W。另外，在此，係揭示第2保持部420為多孔夾頭的例子，惟第2保持部，亦可為例如靜電夾頭等。
下側基部430，配置在第2保持部420的下方，支持著該第2保持部420。下側基部430，被固定於處理容器300的底面的旋轉機構440以及升降機構450所支持。
旋轉機構440，使下側基部430繞垂直軸旋轉。藉此，下側基部430所支持的第2保持部420旋轉。另外，升降機構450，使下側基部430在垂直方向上移動。藉此，下側基部430所支持的第2保持部420升降。
電離器460，安裝在處理容器300的頂板部。電離器460，將剝離疊合基板T時所產生的靜電除去。藉此，便可使疊合基板T的剝離處理順利地進行。另外，亦可防止被處理基板W上的電子電路受到損害。
＜3. 剝離裝置的動作＞ 接著，針對使用剝離裝置141所進行之被處理基板W與支持基板S的剝離處理方法進行説明。圖8，係表示剝離處理的主要步驟的例子的流程圖。另外，圖9～圖15，係剝離處理的説明圖。另外，剝離裝置141，根據控制裝置30的控制，實行圖8所示的各處理順序。
首先，被第1搬運裝置131搬入剝離裝置141的疊合基板T，被傳遞到傳遞部390（圖8的步驟A201）。被傳遞到傳遞部390的疊合基板T，藉由引導部394，以相對於第2保持部420位於既定位置的方式受到位置調整。另外，此時，第2保持部420位於傳遞部390的下方。然後，在第2保持部420，為了防止吸附面421a的複數之孔部被塞住，從氣體供給源426對吸附面421a所供給的氣體會噴出。
之後，使第2保持部420上升，疊合基板T從傳遞部390被傳遞到第2保持部420（圖8的步驟A202）。此時，氣體從第2保持部420的吸附面421a噴出，疊合基板T以浮在第2保持部420上的狀態被保持於該第2保持部420。另外，疊合基板T與吸附面421a的間隙很小，疊合基板T被適當地保持於第2保持部420。
之後，使第2保持部420更進一步上升，利用位置調整部370將第2保持部420所保持之疊合基板T調整到既定的位置（圖8的步驟A203）。具體而言，旋轉移動機構372使臂部371旋轉移動。此時，臂部371的長邊方向的長度經過適當的設定，旋轉移動中的臂部371不會阻礙到切割框架F。在位置調整部370的臂部371各自藉由旋轉移動機構372旋轉移動之後，臂部371的前端部與支持基板S的側面抵接。藉此，疊合基板T，被調整到既定的位置。而且，由於臂部371與支持基板S的側面抵接，故作為產品的被處理基板W不會受到損害。
然後，在步驟A103中，接續步驟A102，氣體從第2保持部420的吸附面421a噴出，疊合基板T從第2保持部420浮起。此時，疊合基板T變得很容易移動，可利用位置調整部370順利地調整疊合基板T的位置。
之後，在第2保持部420切換閥門424，使氣體供給源426的氣體供給停止，並使吸氣裝置425的吸引開始。然後，利用第2保持部420，隔著切割膠布P吸附保持被處理基板W（圖8的步驟A204）。
之後，如圖9所示的使第2保持部420更進一步上升，使該第2保持部420所保持之疊合基板T配置在進行剝離處理的既定位置（圖8的步驟A205）。此時，切割框架F被下壓部380以相對於疊合基板T往垂直方向下方的方式向下壓。藉此，在疊合基板T的側面側，形成了剝離引發部400可進入的空間。
在進行步驟A201～A205的期間，用移動調整部410調整鋭利構件401的高度（圖8的步驟A206）。
之後，使剝離引發部400的鋭利構件401往疊合基板T側移動，使其與支持基板S抵接。此時，用負載單元402與移動機構403的其中任一方或是雙方，檢測鋭利構件401是否與支持基板S抵接（圖8的步驟A207）。亦即，可用負載單元402測定施加於鋭利構件401的力，檢測出該力的變化，藉此檢知鋭利構件401是否與支持基板S抵接。或者，亦可測定內建於移動機構403的馬達的力矩，檢測出該力矩的變化，藉此檢知鋭利構件401是否與支持基板S抵接。再者，亦可在檢測出負載單元402所測定到之力的變化，且檢測出移動機構403的馬達力矩的變化時，檢知鋭利構件401已與支持基板S抵接。
之後，如圖9所示的，使鋭利構件401更進一步前進，進行剝離引發處理（圖8的步驟A208）。該剝離引發處理，在支持基板S被第1保持部310保持之前進行，亦即，在支持基板S為自由的狀態下進行。然後，如圖10所示的，使鋭利構件401前進，藉此在疊合基板T的一端S1側的側面形成剝離開始部位M，之後用升降機構450使第2保持部420下降，同時使鋭利構件401更進一步前進。藉此，對被處理基板W以及接合劑G施加向下的力，藉由鋭利構件401對所支持之支持基板S施加向上的力，剝離開始部位M擴大。
之後，如圖11所示的，利用第1移動部330、第2移動部340以及第3移動部350，使第1保持部310的彈性構件311下降，使複數之吸附部312與支持基板S抵接。然後，以第1保持部310吸附保持支持基板S的非接合面Sn （圖8的步驟A209）。
之後，如圖12所示的，利用第1移動部330，使彈性構件311的外周圍部位上升（圖8的步驟A210）。亦即，拉動對應剝離開始部位M的支持基板S的一端S1側的外周圍部位。藉此，支持基板S，開始以剝離開始部位M為起點從外周圍部位向中心部位自被處理基板W連續地剝離。
接著，如圖13所示的，第1移動部330使彈性構件311的外周圍部位繼續上升，第2移動部340使彈性構件311的中心部位上升（圖8的步驟A211）。亦即，拉動支持基板S的一端S1側的外周圍部位，同時更進一步拉動支持基板S的中央部位附近。然後，當第1移動部330使彈性構件311的外周圍部位上升到目標高度時，支持基板S與被處理基板W的剝離部位移動到支持基板S的另一端S2，支持基板S整個表面從被處理基板W剝離。
在該等步驟A210以及A211中，隨著第1移動部330的支持構件331的垂直上方的移動，移動機構332沿著軌道334往剝離方向（X軸正方向）移動。如是，第1保持部310所保持之支持基板S的一端S1，也因為移動機構332而往垂直上方移動，並同時往剝離方向移動。
圖14，係以示意方式表示支持基板S的移動的説明圖。支持基板S的一端S1往垂直上方移動高度L，往剝離方向也移動距離D。因此，可抑制作用於支持基板S與被處理基板W的剝離部位（在圖14中為支持基板S的另一端S2）的剝離方向的力，亦即不會對剝離部位作用多餘的力。因此，可防止被處理基板W與支持基板S受到損害。
另外，由於第1保持部310的彈性構件311具有彈性，故在步驟A210以及A211中，當第1移動部330與第2移動部340拉動彈性構件311時，隨著該拉動彈性構件311會柔軟地變形。因此，可更進一步抑制作用於支持基板S與被處理基板W的剝離部位的剝離方向的力。
換言之，藉由彈性構件311具有柔軟性而能夠抑制作用於剝離部位的力，可縮短支持基板S的一端S1往剝離方向移動的距離D。例如，當支持基板S（被處理基板W）的半徑為300mm時，可使距離D縮短到10mm～30mm，亦即可使軌道334的長度縮短到10mm～30mm。
而且，彈性構件311具有柔軟性，可對使支持基板S從被處理基板W剝離的力加入「粘性」，故可使支持基板S有效率地從被處理基板W剝離。
之後，如圖15所示的，第2移動部340使彈性構件311的中心部位繼續上升，同時第3移動部350使彈性構件311的外周圍部位上升（圖8的步驟A212）。然後，當第2移動部340與第3移動部350使彈性構件311的中心部位與外周圍部位各自上升到目標高度時，由於彈性構件311恢復水平，故第1移動部330的移動機構332，沿著軌道334往與剝離方向相反的方向（X軸負方向）移動。如是，第1保持部310所保持之支持基板S變成水平，支持基板S從被處理基板W剝離（圖8的步驟A213）。像這樣，剝離裝置141中的一連串的被處理基板W與支持基板S的剝離處理便結束。
若根據本實施態樣，在步驟A210以及A211中，隨著第1移動部330的支持構件331的垂直上方的移動，移動機構332沿著軌道334往剝離方向移動。如是，第1保持部310所保持之支持基板S的一端S1，往垂直上方移動，同時往剝離方向移動。因此，可抑制作用於支持基板S與被處理基板W的剝離部位的剝離方向的力，亦即不會對剝離部位作用多餘的力，故可防止被處理基板W與支持基板S受到損害。因此，可使被處理基板W與支持基板S的剝離處理適切地進行。
另外，由於第1保持部310的彈性構件311具有彈性，故在步驟A210以及A211中，當第1移動部330與第2移動部340拉動彈性構件311時，隨著該拉動彈性構件311會柔軟地變形。因此，可更進一步抑制作用於支持基板S與被處理基板W的剝離部位的剝離方向的力。
＜4. 其他實施態樣＞ 接著，針對剝離裝置141的移動部320的其他構造進行説明。
例如，如圖16所示的，第2移動部340，亦可與第1移動部330同樣構成在剝離方向上隨意移動的構造。第2移動部340，除了支持構件341與移動機構342之外，更具備台座343與軌道344。該台座343和軌道344的構造，由於與第1移動部330的台座333和軌道334的構造相同，故省略説明。
此時，在步驟A211中，除了第1移動部330的移動機構332的剝離方向的移動之外，隨著第2移動部340的支持構件341的垂直上方的移動，移動機構342亦沿著軌道344往剝離方向移動。如是，作用於支持基板S與被處理基板W的剝離部位的力可在剝離方向上更平均。因此，可使被處理基板W與支持基板S的剝離處理更適切地進行。
另外，第3移動部350的移動機構352，在剝離方向上宜不移動而固定。這是為了在使支持基板S從其一端S1向另一端S2自被處理基板W剝離時，令設置在另一端S2側的第3移動部350發揮支點的功能。
另外，例如，如圖17所示的，第1移動部330，亦可在剝離方向的直交方向（Y軸方向）上並排配置複數個。此時，在步驟A210以及A211中，由於複數之移動機構332在剝離方向上移動，故作用於支持基板S與被處理基板W的剝離部位的力便可在剝離方向上更平均。因此，可使被處理基板W與支持基板S的剝離處理更適切地進行。
另外，例如，如圖18所示的，第1移動部330，亦可構成在沿著支持基板S的周緣的方向上隨意移動的構造。亦即，一對軌道334、334，在沿著支持基板S的周緣的方向上延伸。另外，第1移動部330，在剝離方向的直交方向上並排配置2個。
此時，作用於支持基板S與被處理基板W的剝離部位的力，在俯視下，係作用於沿著支持基板S的周緣的方向的切線方向。因此，作用於支持基板S與被處理基板W的剝離部位的力便可在剝離方向上更平均，並可使被處理基板W與支持基板S的剝離處理更適切地進行。
另外，在圖18的例子中，軌道334係延伸成大略1／4圓形形狀，惟亦可如圖19所示的軌道334沿著支持基板S的周緣延伸得更長。此時，移動機構332的移動自由度變高，被處理基板W與支持基板S的剝離處理的自由度也變高。
另外，例如，如圖20所示的，第1移動部330亦可更具備滾珠軸承335。滾珠軸承335，設置在上側基部360的上部，與支持構件331連接。
此時，在步驟A210以及A211中，當支持構件331往垂直上方移動，同時移動機構332沿著軌道334往剝離方向移動時，該支持構件331以滾珠軸承335為基點轉動。亦即，如圖21所示的，即使支持基板S與被處理基板W的剝離前進，支持構件331也經常位於與彈性構件311直交的方向。如是，在側面觀察的情況，作用於彈性構件311的力的作用方向與彈性構件311的延伸方向經常保持直交。因此，可使作用於支持基板S與被處理基板W的剝離部位的力在剝離方向上更平均，並可使被處理基板W與支持基板S的剝離處理更適切地進行。
接著，針對剝離裝置141中的剝離引發部400的其他構造進行説明。如圖22以及圖23所示的，剝離引發部400，取代上述實施態樣的鋭利構件401，具備鋭利構件500與旋轉部501。鋭利構件500，具有圓板形狀，整個外周圍尖鋭化。
旋轉部501，具備旋轉軸502與旋轉機構503。旋轉軸502在垂直方向上延伸，設置成插通鋭利構件500的中心部位。旋轉機構503，使鋭利構件500以旋轉軸502為中心旋轉。另外，旋轉機構503，可藉由移動機構403而在X軸方向上隨意移動。另外，於旋轉機構503，設置了負載單元402。
然後，在步驟A208中，一邊利用旋轉部501使鋭利構件500旋轉，一邊使該鋭利構件500與一端S1側的接合劑G抵接。如是，在接合劑G的側面形成剝離開始部位M。此時，由於使用鋭利構件500的整個周圍，故可確實地形成剝離開始部位M。而且，比起例如僅使用鋭利構件的一個部位的情況而言，更可使鋭利構件500的壽命延長，並使更換頻率降低。因此，可使產品的生產效率提高。
上述的實施態樣，係針對作為剝離對象的疊合基板為被處理基板W與支持基板S利用接合劑G接合的疊合基板T的情況的例子進行説明。然而，作為剝離裝置的剝離對象的疊合基板，並非僅限於該疊合基板T。例如，剝離裝置141，為了產生SOI基板，亦可將形成了絶緣膜的施體基板與被處理基板互相貼合的疊合基板當作剝離對象。
在此，針對SOI基板的製造方法參照圖24以及圖25進行説明。圖24以及圖25，係表示SOI基板的製造步驟的示意圖。如圖24所示的，用來形成SOI基板的疊合基板Ta，係由施體基板K與處理基板H接合所形成。
施體基板K，係在表面形成了絶緣膜600，同時在與處理基板H接合的表面附近的既定深度形成了氫離子注入層601的基板。另外，處理基板H，可使用例如矽晶圓、玻璃基板、藍寶石基板等。
剝離裝置141，例如在以第2保持部420保持施體基板K，並以第1保持部310保持處理基板H的狀態下，拉動疊合基板Ta的外周圍部位的一部分，藉此對形成於施體基板K的氫離子注入層601賦與機械性衝撃。藉此，如圖25所示的，氫離子注入層601內的矽－矽鍵結被切斷，矽層602從施體基板K剝離。結果，在處理基板H的頂面轉印了絶緣膜600與矽層602，形成了SOI基板Wa。另外，亦可用第2保持部420保持處理基板H，並用第1保持部310保持施體基板K。
另外，上述的實施態樣，係針對被處理基板W與支持基板S用接合劑G接合的情況的例子進行説明，惟亦可將接合面Wj、Sj分成複數之區域，並在每個區域塗布不同接合力的接合劑。
另外，上述的實施態樣，係針對疊合基板T被保持於切割框架F的情況的例子進行説明，惟疊合基板T並非一定要被保持於切割框架F。
以上，係一邊參照所附圖式一邊針對本發明的較佳實施態樣進行説明，惟本發明並非僅限於該等例子。若為本領域從業人員，自可在專利請求範圍所記載之發明精神的範圍內，思及各種的變化例或修正例，並了解該等實施例當然屬於本發明的技術範圍。
1‧‧‧剝離系統
10‧‧‧第1處理區塊
11‧‧‧搬入搬出站
12‧‧‧待機站
13‧‧‧第1搬運區域
14‧‧‧剝離站
15‧‧‧第1洗淨站
16‧‧‧邊緣除去站
20‧‧‧第2處理區塊
21‧‧‧第1傳遞站
22‧‧‧第2傳遞站
23‧‧‧第2洗淨站
24‧‧‧第2搬運區域
25‧‧‧搬出站
30‧‧‧控制裝置
111‧‧‧匣盒載置台
131‧‧‧第1搬運裝置
141‧‧‧剝離裝置
142‧‧‧剝離裝置
151‧‧‧第1洗淨裝置
152‧‧‧第1洗淨裝置
211‧‧‧傳遞裝置
221‧‧‧載置部
222‧‧‧移動部
241‧‧‧第2搬運裝置
251‧‧‧匣盒載置台
300‧‧‧處理容器
310‧‧‧第1保持部
311‧‧‧彈性構件
312‧‧‧吸附部
313‧‧‧本體部
314‧‧‧吸附墊
315‧‧‧吸氣管
316‧‧‧吸氣裝置
320‧‧‧移動部
330‧‧‧第1移動部
331‧‧‧支持構件
332‧‧‧移動機構
333‧‧‧台座
334‧‧‧軌道
335‧‧‧滾珠軸承
340‧‧‧第2移動部
341‧‧‧支持構件
342‧‧‧移動機構
343‧‧‧台座
344‧‧‧軌道
350‧‧‧第3移動部
351‧‧‧支持構件
352‧‧‧移動機構
360‧‧‧上側基部
361‧‧‧固定構件
362‧‧‧支柱
370‧‧‧位置調整部
371‧‧‧臂部
372‧‧‧旋轉移動機構
380‧‧‧下壓部
381‧‧‧滾珠軸承
382‧‧‧支持構件
390‧‧‧傳遞部
391‧‧‧水平保持構件
392‧‧‧垂直支持構件
393‧‧‧移動機構
394‧‧‧引導部
400‧‧‧剝離引發部
401‧‧‧鋭利構件
402‧‧‧負載單元
403‧‧‧移動機構
410‧‧‧移動調整部
420‧‧‧第2保持部
421‧‧‧本體部
421a‧‧‧吸附面
421b‧‧‧吸引空間
422‧‧‧支柱構件
423‧‧‧配管
424‧‧‧閥門
425‧‧‧吸氣裝置
426‧‧‧氣體供給源
430‧‧‧下側基部
440‧‧‧旋轉機構
450‧‧‧升降機構
460‧‧‧電離器
500‧‧‧鋭利構件
501‧‧‧旋轉部
502‧‧‧旋轉軸
503‧‧‧旋轉機構
600‧‧‧絶緣膜
601‧‧‧氫離子注入層
602‧‧‧矽層
700‧‧‧移動部
701‧‧‧支持構件
702‧‧‧移動機構
710‧‧‧基部
720‧‧‧第1保持部
721‧‧‧彈性構件
722‧‧‧吸附部
A101~A109‧‧‧步驟
A201~A213‧‧‧步驟
Cs‧‧‧匣盒
Ct‧‧‧匣盒
Cw‧‧‧匣盒
D‧‧‧距離
F‧‧‧切割框架
Q‧‧‧力
Fa‧‧‧開口部
G‧‧‧接合劑
L‧‧‧高度
H‧‧‧處理基板
K‧‧‧施體基板
M‧‧‧剝離開始部位
P‧‧‧切割膠布
S‧‧‧支持基板
S1‧‧‧一端
S2‧‧‧另一端
Sj‧‧‧接合面
Sn‧‧‧非接合面
T‧‧‧疊合基板
Ta‧‧‧疊合基板
W‧‧‧被處理基板
Wa‧‧‧SOI基板
Wj‧‧‧接合面
Wn‧‧‧非接合面
X‧‧‧軸
Y‧‧‧軸
Z‧‧‧軸
［圖1］係表示本實施態樣之剝離系統的構造的示意俯視圖。 ［圖2］係切割框架所保持之疊合基板的示意側視圖。 ［圖3］係切割框架所保持之疊合基板的示意俯視圖。 ［圖4］係表示剝離系統所實行之剝離處理的處理順序的流程圖。 ［圖5］係表示剝離裝置的概略構造的縱剖面圖。 ［圖6］係表示第1保持部與移動部的概略構造的側視圖。 ［圖7］係表示移動部的概略構造的俯視圖。 ［圖8］係表示剝離裝置所實行之剝離處理的處理順序的流程圖。 ［圖9］係剝離裝置的剝離動作的説明圖。 ［圖10］係剝離引發處理的動作説明圖。 ［圖11］係剝離裝置的剝離動作的説明圖。 ［圖12］係剝離裝置的剝離動作的説明圖。 ［圖13］係剝離裝置的剝離動作的説明圖。 ［圖14］係以示意方式表示剝離處理中的支持基板的移動的説明圖。 ［圖15］係剝離裝置的剝離動作的説明圖。 ［圖16］係表示另一實施態樣之移動部的概略構造的俯視圖。 ［圖17］係表示另一實施態樣之移動部的概略構造的俯視圖。 ［圖18］係表示另一實施態樣之移動部的概略構造的俯視圖。 ［圖19］係表示另一實施態樣之移動部的概略構造的俯視圖。 ［圖20］係表示另一實施態樣之移動部的概略構造的側視圖。 ［圖21］係以示意方式表示在另一實施態樣的剝離處理中作用於彈性構件的力的説明圖。 ［圖22］係表示另一實施態樣之剝離引發部的概略構造的側視圖。 ［圖23］係表示另一實施態樣之剝離引發部的概略構造的俯視圖。 ［圖24］係表示SOI基板的製造步驟的示意圖。 ［圖25］係表示SOI基板的製造步驟的示意圖。 ［圖26］係表示以往的剝離處理的説明圖。 ［圖27］係以示意方式表示以往的剝離處理中的支持基板的移動的説明圖。

Claims (15)

  1. 一種剝離裝置，其將由第1基板與第2基板所接合成之疊合基板，從該疊合基板的一端向另一端剝離，其特徵為包含：第1保持部，其保持該疊合基板之中的該第1基板；第2保持部，其保持該疊合基板之中的該第2基板；以及移動部，其使該第1保持部朝離開該第2保持部的方向移動；該移動部，具有至少可在該疊合基板的剝離方向上隨意移動的構成；該第1保持部包含：板狀的彈性構件，其與該移動部連接；以及複數之吸附部，其設置於該彈性構件，並吸附該第1基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，其中，該移動部，在該剝離方向上並排設置有複數個。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之剝離裝置，其中，該移動部，在該剝離方向的直交方向上並排設置有複數個。
  4. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，其中，該移動部，在該剝離方向上並排設置有複數個，該移動部，在該剝離方向的直交方向上並排設置有複數個，該移動部，具有可在沿著該疊合基板的周緣的方向上隨意移動的構成。
  5. 如申請專利範圍第1、2或4項中之任一項之剝離裝置，其中， 在側面觀察的情況，該移動部以作用於該第1保持部的力的作用方向與該第1保持部延伸的延伸方向直交的方式，使該第1保持部移動。
  6. 如申請專利範圍第5項之剝離裝置，其中，該移動部，包含設置在該第1保持部的滾珠軸承。
  7. 如申請專利範圍第1、2或4項中之任一項之剝離裝置，其中，更包含剝離引發部，其在該疊合基板的一端的側面形成該第1基板與該第2基板開始剝離的剝離開始部位；該剝離引發部包含：圓板狀的銳利構件；以及旋轉部，其使該銳利構件繞垂直軸旋轉。
  8. 一種剝離系統，其具備如申請專利範圍第1至7項中任一項所記載的剝離裝置，該剝離系統的特徵為包含：第1處理區塊，其對該疊合基板與該第2基板進行處理；以及第2處理區塊，其對該第1基板進行處理；該第1處理區塊包含：搬入搬出站，其載置該疊合基板與該第2基板；剝離站，其具備該剝離裝置；以及第1搬運區域，其具備在該搬入搬出站與該剝離站之間搬運該疊合基板與該第2基板的第1搬運裝置；該第2處理區塊包含：搬出站，其載置該第1基板；以及 第2搬運區域，其具備對該搬出站搬運該第1基板的第2搬運裝置。
  9. 一種剝離方法，其將由第1基板與第2基板所接合成之疊合基板，從該疊合基板的一端向另一端剝離，其特徵為包含：第1保持步驟，其利用第1保持部，保持該疊合基板之中的該第1基板；第2保持步驟，其利用第2保持部，保持該疊合基板之中的該第2基板；以及移動步驟，其利用與該第1保持部連接的移動部，使該第1保持部朝離開該第2保持部的方向移動；該第1保持部包含：板狀的彈性構件，其與該移動部連接；以及複數之吸附部，其設置於該彈性構件，並吸附該第1基板；在該移動步驟中，該移動部，至少朝該疊合基板的剝離方向移動，且在該複數之吸附部吸附著該第1基板的狀態下，該移動部一邊使該彈性構件變形，一邊使該第1保持部移動。
  10. 如申請專利範圍第9項之剝離方法，其中，該移動部，在該剝離方向上並排設置有複數個。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之剝離方法，其中，該移動部，在該剝離方向的直交方向上並排設置有複數個。
  12. 如申請專利範圍第9項之剝離方法，其中，該移動部，在該剝離方向上並排設置有複數個，該移動部，在該剝離方向的直交方向上並排設置有複數個， 在該移動步驟中，該移動部，在沿著該疊合基板的周緣的方向上移動。
  13. 如申請專利範圍第9、10或12項中之任一項之剝離方法，其中，在該移動步驟中，在側面觀察的情況，該移動部以作用於該第1保持部的力的作用方向與該第1保持部延伸的延伸方向直交的方式，使該第1保持部移動。
  14. 如申請專利範圍第9、10或12項中之任一項之剝離方法，其中，更包含剝離開始部位形成步驟，其在該第1保持步驟以及該第2保持步驟之後且在該移動步驟之前，利用剝離引發部，在該疊合基板的一端的側面形成該第1基板與該第2基板開始剝離的剝離開始部位；該剝離引發部包含：圓板狀的銳利構件；以及旋轉部，其使該銳利構件繞垂直軸旋轉；在該剝離開始部位形成步驟中，因為該旋轉部而旋轉中的該銳利構件與該疊合基板的一端的側面抵接，藉此形成該剝離開始部位。
  15. 一種可讀取之電腦記憶媒體，儲存有程式，該程式在控制剝離裝置的控制裝置之電腦上運作，使該剝離裝置實行如申請專利範圍第9至14項中任一項所記載的剝離方法。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6076884B2 (ja) * 2013-11-19 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 剥離システム
CN109315042B (zh) * 2015-12-29 2021-04-06 鸿海精密工业股份有限公司 树脂薄膜的剥离方法及装置、电子装置的制造方法
KR102446955B1 (ko) * 2016-05-24 2022-09-23 세메스 주식회사 웨이퍼 분리 장치
JP6695227B2 (ja) * 2016-07-19 2020-05-20 東京応化工業株式会社 支持体分離装置および支持体分離方法
JP2018043377A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 剥離装置および剥離方法
WO2019013022A1 (ja) * 2017-07-12 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 搬送装置、基板処理システム、搬送方法、および基板処理方法
CN111052341A (zh) * 2017-08-28 2020-04-21 东京毅力科创株式会社 基板处理***和基板处理方法
TWI823598B (zh) * 2018-01-23 2023-11-21 日商東京威力科創股份有限公司 接合系統及接合方法
TW202015144A (zh) * 2018-10-01 2020-04-16 巨擘科技股份有限公司 基板分離系統及方法
CN110525014B (zh) * 2019-09-17 2021-09-28 业成科技（成都）有限公司 真空撕膜回收机构
JP7362515B2 (ja) 2020-03-04 2023-10-17 キオクシア株式会社 ウエハ剥離装置及びウエハ剥離方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0558485A (ja) * 1991-09-03 1993-03-09 Tsutsunaka Plast Ind Co Ltd 板材の吸引移替え装置
TW201119864A (en) * 2009-08-31 2011-06-16 Asahi Glass Co Ltd Peeling device
JP2013004627A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Shinryo Corp ウエハの分離装置
JP2014060347A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8903010A (nl) 1989-12-07 1991-07-01 Philips & Du Pont Optical Werkwijze en inrichting voor het verwijderen van een buigzaam produkt van een draagplaat.
JPH08203138A (ja) * 1995-01-30 1996-08-09 Ricoh Co Ltd スタンパ剥離装置
JPH10244545A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Canon Inc 離型方法及び離型装置
KR100383265B1 (ko) 2001-01-17 2003-05-09 삼성전자주식회사 웨이퍼 보호 테이프 제거용 반도체 제조장치
US6769973B2 (en) 2001-05-31 2004-08-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same
JP3892703B2 (ja) 2001-10-19 2007-03-14 富士通株式会社 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP3943481B2 (ja) * 2002-10-30 2007-07-11 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品搬送ヘッド、及び電子部品実装装置
US7187162B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
US6896762B2 (en) 2002-12-18 2005-05-24 Industrial Technology Research Institute Separation method for object and glue membrane
JP4272501B2 (ja) 2003-12-03 2009-06-03 リンテック株式会社 フィルム供給装置およびフィルム貼着システム
JP4765536B2 (ja) 2005-10-14 2011-09-07 パナソニック株式会社 チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法
JP4988447B2 (ja) 2007-06-22 2012-08-01 リンテック株式会社 剥離装置及び剥離方法
JP5074125B2 (ja) 2007-08-09 2012-11-14 リンテック株式会社 固定治具並びにワークの処理方法
JP4964107B2 (ja) 2007-12-03 2012-06-27 東京応化工業株式会社 剥離装置
JP5210060B2 (ja) 2008-07-02 2013-06-12 東京応化工業株式会社 剥離装置および剥離方法
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
KR101695289B1 (ko) * 2010-04-30 2017-01-16 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법
US8758553B2 (en) 2010-10-05 2014-06-24 Skyworks Solutions, Inc. Fixtures and methods for unbonding wafers by shear force
US8758552B2 (en) 2010-06-07 2014-06-24 Skyworks Solutions, Inc. Debonders and related devices and methods for semiconductor fabrication
US8435804B2 (en) 2010-12-29 2013-05-07 Gtat Corporation Method and apparatus for forming a thin lamina
JP5323867B2 (ja) * 2011-01-19 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2013055307A (ja) 2011-09-06 2013-03-21 Asahi Glass Co Ltd 剥離装置、及び電子デバイスの製造方法
JP5913053B2 (ja) 2011-12-08 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5722807B2 (ja) 2012-01-17 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム
US8470129B1 (en) * 2012-05-08 2013-06-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method and machine for separating liquid crystal panel and liner pad
JP5806185B2 (ja) 2012-09-07 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 剥離システム
JP6037738B2 (ja) 2012-09-12 2016-12-07 株式会社ディスコ 環状凸部除去装置
JP5870000B2 (ja) * 2012-09-19 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP2014060348A (ja) 2012-09-19 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP6120748B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102064405B1 (ko) * 2014-02-04 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 기판 박리 장치 및 그것을 이용한 기판 박리 방법
KR20160073666A (ko) * 2014-12-17 2016-06-27 삼성디스플레이 주식회사 보조 기판의 박리 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0558485A (ja) * 1991-09-03 1993-03-09 Tsutsunaka Plast Ind Co Ltd 板材の吸引移替え装置
TW201119864A (en) * 2009-08-31 2011-06-16 Asahi Glass Co Ltd Peeling device
JP2013004627A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Shinryo Corp ウエハの分離装置
JP2014060347A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法

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