JP6283573B2 - 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、第１基板と第２基板が接合された重合基板を、当該重合基板の一端から他端に向けて剥離する剥離装置、当該剥離装置を備えた剥離システム、当該剥離装置を用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
近年、例えば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。半導体基板上には複数の電子回路が形成され、以下、かかる基板を被処理基板という。大口径で薄い被処理基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、被処理基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を被処理基板から剥離する処理が行われている。
例えば特許文献１及び特許文献２には、第１保持部によって支持基板を吸着保持し、第２保持部によって被処理基板を吸着保持した状態で、移動部によって第１保持部の外周部を第２保持部から離す方向、すなわち鉛直上向きに移動させることにより、支持基板の一端から他端に向けて、当該支持基板を被処理基板から剥離する方法が開示されている。
特開２０１４−６０３４７号公報 特開２０１４−６０３４８号公報
ここで、特許文献１及び特許文献２に記載された剥離方法においては、例えば図２６に示すように移動部７００は支持部材７０１と移動機構７０２を備え、移動機構７０２はベース部７１０に固定される。また、支持基板Ｓを保持する第１保持部７２０は弾性部材７２１と複数の吸着部７２２を備え、弾性部材７２１の外周部に支持部材７０１が接続されている。
そして、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを剥離する際、移動部７００を用いて第１保持部７２０を引っ張り上げると、第１保持部７２０の弾性部材７２１は弾性を有するため、かかる引っ張りに伴って柔軟に変形する。このとき、移動機構７０２がベース部７１０に固定されているため、図２７に示すように支持基板Ｓの一端Ｓ１の水平方向（図２７中のＸ軸方向）の位置は変わらない。そうすると、支持基板Ｓの一端Ｓ１が鉛直上方に移動した分、支持基板Ｓが伸び、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離する剥離部において、一端Ｓ１側に向かう力Ｆ（図２７中のＸ軸負方向）が作用する。この力Ｆによって、被処理基板Ｗや支持基板Ｓが損傷を被るおそれがある。具体的には、発明者らが検討したところ、例えば支持基板Ｓ（被処理基板Ｗ）の径が３００ｍｍの場合、鉛直上方に移動した支持基板Ｓの一端Ｓ１の高さＨが２０ｍｍであると、被処理基板Ｗや支持基板Ｓが損傷を被るおそれがあることが分かった。
なお、かかる課題は、基板の剥離を伴うＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などの製造工程においても生じ得る課題である。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切に行うことを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、第１基板と第２基板が接合された重合基板を、当該重合基板の一端から他端に向けて剥離する剥離装置であって、前記重合基板のうち前記第１基板を保持する第１保持部と、前記重合基板のうち前記第２基板を保持する第２保持部と、前記第１保持部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる移動部と、を有し、前記移動部は、少なくとも前記重合基板の剥離方向に移動自在に構成され、前記第１保持部は、前記移動部に接続される板状の弾性部材と、前記弾性部材に設けられ、前記第１基板を吸着する複数の吸着部と、を有することを特徴としている。
本発明によれば、移動部によって第１保持部を第２保持部から離す方向へ移動させる際、移動部が自由端であるため、当該移動部を重合基板の剥離方向に移動させることができる。そうすると、移動部に接続された第１保持部は、第２保持部から離れる方向だけでなく、剥離方向にも移動する。このため、第１保持部に保持された第１基板が第２保持部に保持された第２基板から剥離する剥離部において、従来作用していた剥離方向の力を抑制でき、すなわち剥離部に余計な力が作用しない。このため、第１基板と第２基板が損傷を被るのを抑制でき、第１基板と第２基板の剥離処理を適切に行うことができる。
前記移動部は、前記剥離方向に並べて複数設けられていてもよい。
前記移動部は、前記剥離方向の直交方向に並べて複数設けられていてもよい。
前記移動部は、前記剥離方向に並べて複数設けられ、前記移動部は、前記剥離方向の直交方向に並べて複数設けられ、前記移動部は、前記重合基板の周縁に沿った方向に移動自在に構成されていてもよい。
前記移動部は、側面視において、前記第１保持部に作用する力の作用方向と、前記第１保持部が延びる延伸方向とが直交するように、当該第１保持部を移動させてもよい。
前記移動部は、前記第１保持部に設けられたボールベアを有していてもよい。
前記剥離装置は、前記第１基板と前記第２基板が剥離するきっかけとなる剥離開始部位を前記重合基板の一端の側面に形成する剥離誘引部をさらに有し、前記剥離誘引部は、円板状の鋭利部材と、前記鋭利部材を鉛直軸回りに回転させる回転部と、を有していてもよい。
別な観点による本発明は、前記剥離装置を備えた剥離システムであって、前記重合基板と前記第２基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、前記第１基板に対する処理を行う第２処理ブロックと、を有し、前記第１処理ブロックは、前記重合基板と前記第２基板が載置される搬入出ステーションと、前記剥離装置を備えた剥離ステーションと、前記搬入出ステーションと前記剥離ステーションとの間で、前記重合基板と前記第２基板を搬送する第１搬送装置を備えた第１搬送領域と、を有し、前記第２処理ブロックは、前記第１基板が載置される搬出ステーションと、前記搬出ステーションに対して前記第１基板を搬送する第２搬送装置を備えた第２搬送領域と、を有することを特徴としている。
また別な観点による本発明は、第１基板と第２基板が接合された重合基板を、当該重合基板の一端から他端に向けて剥離する剥離方法であって、第１保持部によって、前記重合基板のうち前記第１基板を保持する第１保持工程と、第２保持部によって、前記重合基板のうち前記第２基板を保持する第２保持工程と、前記第１保持部に接続される移動部によって、前記第１保持部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる移動工程と、を有し、前記第１保持部は、前記移動部に接続される板状の弾性部材と、前記弾性部材に設けられ、前記第１基板を吸着する複数の吸着部と、を有し、前記移動工程において、前記移動部は、少なくとも前記重合基板の剥離方向に移動し、且つ前記複数の吸着部が前記第１基板を吸着した状態で前記弾性部材を変形させながら、前記第１保持部を移動させることを特徴としている。
前記移動部は、前記剥離方向に並べて複数設けられていてもよい。
前記移動部は、前記剥離方向の直交方向に並べて複数設けられていてもよい。
前記移動部は、前記剥離方向に並べて複数設けられ、前記移動部は、前記剥離方向の直交方向に並べて複数設けられ、前記移動工程において、前記移動部は、前記重合基板の周縁に沿った方向に移動してもよい。
前記移動工程において、前記移動部は、側面視において、前記第１保持部に作用する力の作用方向と、前記第１保持部が延びる延伸方向とが直交するように、当該第１保持部を移動させてもよい。
前記剥離方法は、前記第１保持工程及び前記第２保持工程後であって前記移動工程前に、剥離誘引部によって、前記第１基板と前記第２基板が剥離するきっかけとなる剥離開始部位を前記重合基板の一端の側面に形成する剥離開始部位形成工程をさらに有し、前記剥離誘引部は、円板状の鋭利部材と、前記鋭利部材を鉛直軸回りに回転させる回転部と、を有し、前記剥離開始部位形成工程において、前記回転部によって回転中の前記鋭利部材が前記重合基板の一端の側面に当接することで、前記剥離開始部位が形成されてもよい。
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるように、当該剥離装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切に行うことができる。
本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。 ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。 ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。 剥離システムによって実行される剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第１保持部と移動部の構成の概略を示す側面図である。 移動部の構成の概略を示す平面図である。 剥離装置によって実行される剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離誘引処理の動作説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離処理における支持基板の移動を模式的に示す説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 他の実施形態にかかる移動部の構成の概略を示す平面図である。 他の実施形態にかかる移動部の構成の概略を示す平面図である。 他の実施形態にかかる移動部の構成の概略を示す平面図である。 他の実施形態にかかる移動部の構成の概略を示す平面図である。 他の実施形態にかかる移動部の構成の概略を示す側面図である。 他の実施形態の剥離処理において弾性部材に作用する力を模式的に示す説明図である。 他の実施形態にかかる剥離誘引部の構成の概略を示す側面図である。 他の実施形態にかかる剥離誘引部の構成の概略を示す平面図である。 ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。 ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。 従来の剥離処理を示す説明図である。 従来の剥離処理における支持基板の移動を模式的に示す説明図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
＜１．剥離システム＞
先ず、本実施形態に係る剥離システムの構成について、図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図２は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図であり、図３は、同重合基板の模式平面図である。
なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示す本実施形態に係る剥離システム１は、第２基板としての被処理基板Ｗと第１基板としての支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。
以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。
被処理基板Ｗは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、例えば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜５０μｍである。
一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗ及び支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約４０〜１５０μｍである。
また、図３に示すように、重合基板Ｔは、ダイシングフレームＦに固定される。ダイシングフレームＦは、重合基板Ｔよりも大径の開口部Ｆａを中央に有する略環状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。ダイシングフレームＦの厚みは、例えば１ｍｍ程度である。
重合基板Ｔは、かかるダイシングフレームＦにダイシングテープＰを介して固定される。具体的には、ダイシングフレームＦの開口部Ｆａに重合基板Ｔを配置し、開口部Ｆａを裏面から塞ぐように被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎ及びダイシングフレームＦの裏面にダイシングテープＰを貼り付ける。これにより、重合基板Ｔは、ダイシングフレームＦに固定（保持）された状態となる。
図１に示すように、剥離システム１は、第１処理ブロック１０及び第２処理ブロック２０の２つの処理ブロックを備える。第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とは、第２処理ブロック２０及び第１処理ブロック１０の順にＸ軸方向に隣接して配置される。
第１処理ブロック１０では、重合基板Ｔの搬入、重合基板Ｔの剥離処理、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第１処理ブロック１０は、ダイシングフレームＦによって保持される基板（重合基板Ｔと被処理基板Ｗ）に対する処理を行うブロックである。かかる第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、待機ステーション１２と、第１搬送領域１３と、剥離ステーション１４と、第１洗浄ステーション１５と、エッジカットステーション１６とを備える。
搬入出ステーション１１、待機ステーション１２、剥離ステーション１４、第１洗浄ステーション１５及びエッジカットステーション１６は、第１搬送領域１３に隣接して配置される。具体的には、搬入出ステーション１１と待機ステーション１２とは、第１搬送領域１３のＹ軸負方向側に並べて配置され、剥離ステーション１４の一の剥離装置１４１と第１洗浄ステーション１５の２つの第１洗浄装置１５１、１５２とは、第１搬送領域１３のＹ軸正方向側に並べて配置される。また、剥離ステーション１４の他の剥離装置１４２は、第１搬送領域１３のＸ軸負方向側に配置され、エッジカットステーション１６は、第１搬送領域１３のＸ軸正方向側に配置される。
搬入出ステーション１１には、複数のカセット載置台１１１が設けられており、各カセット載置台１１１には、重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔ又は剥離後の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗが載置される。そして、搬入出ステーション１１では、これらカセットＣｔとカセットＣｗが外部との間で搬入出される。
待機ステーション１２には、例えばダイシングフレームＦのＩＤ（Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）の読み取りを行うＩＤ読取装置が配置され、かかるＩＤ読取装置によって、処理中の重合基板Ｔを識別することができる。なお、待機ステーション１２では、上記のＩＤ読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Ｔを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション１２には、後述する第１搬送装置１３１によって搬送された重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ＩＤ読取装置と一時待機部とが載置される。
第１搬送領域１３には、重合基板Ｔ又は剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第１搬送装置１３１が配置される。第１搬送装置１３１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第１搬送領域１３では、かかる第１搬送装置１３１により、重合基板Ｔを待機ステーション１２、剥離ステーション１４及びエッジカットステーション１６へ搬送する処理や、剥離後の被処理基板Ｗを第１洗浄ステーション１５及び搬入出ステーション１１へ搬送する処理が行われる。
剥離ステーション１４には、２つの剥離装置１４１、１４２が配置される。剥離ステーション１４では、かかる剥離装置１４１、１４２によって、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。具体的には剥離装置１４１、１４２では、被処理基板Ｗを下側に配置し且つ支持基板Ｓを上側に配置した状態で、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。なお、剥離ステーション１４に配置される剥離装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の剥離装置１４１、１４２は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。
第１洗浄ステーション１５には、２つの第１洗浄装置１５１、１５２が配置される。第１洗浄ステーション１５では、かかる第１洗浄装置１５１、１５２によって、剥離後の被処理基板ＷをダイシングフレームＦに保持された状態で洗浄する洗浄処理が行われる。第１洗浄装置１５１、１５２としては、例えば特開２０１３−０１６５７９号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。なお、第１洗浄ステーション１５に配置される洗浄装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の第１洗浄装置１５１、１５２は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。
エッジカットステーション１６には、エッジカット装置が配置される。エッジカット装置は、重合基板Ｔにおける接着剤Ｇの周縁部を溶剤により溶解させて除去するエッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理により接着剤Ｇの周縁部を除去することで、後述する剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離させ易くすることができる。なお、エッジカット装置は、例えば重合基板Ｔを接着剤Ｇの溶剤に浸漬させることにより、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させる。
また、第２処理ブロック２０では、剥離後の支持基板Ｓの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第２処理ブロック２０は、ダイシングフレームＦによって保持されていない基板（支持基板Ｓ）に対する処理を行うブロックである。かかる第２処理ブロック２０は、第１受渡ステーション２１と、第２受渡ステーション２２と、第２洗浄ステーション２３と、第２搬送領域２４と、搬出ステーション２５とを備える。
第１受渡ステーション２１は、剥離ステーション１４の剥離装置１４１のＸ軸負方向側であって、剥離装置１４２のＹ軸正方向側に配置される。また、第２受渡ステーション２２、第２洗浄ステーション２３及び搬出ステーション２５は、第２搬送領域２４に隣接して配置される。具体的には、第２受渡ステーション２２及び第２洗浄ステーション２３とは第２搬送領域２４のＹ軸正方向側に並べて配置され、搬出ステーション２５は第２搬送領域２４のＹ軸負方向側に並べて配置される。
第１受渡ステーション２１では、剥離ステーション１４の剥離装置１４１、１４２から剥離後の支持基板Ｓを受け取って第２受渡ステーション２２へ渡す受渡処理が行われる。第１受渡ステーション２１には、受渡装置２１１が配置される。受渡装置２１１は、例えばベルヌーイチャック等の非接触保持部を有し、この非接触保持部は水平軸回りに回動自在に構成されている。具体的に受渡装置２１１としては、例えば特開２０１３−０１６５７９号公報に記載の搬送装置を用いることができる。そして受渡装置２１１は、剥離後の支持基板Ｓの表裏面を反転させつつ、剥離装置１４１、１４２から第２処理ブロック２０へ支持基板Ｓを非接触で搬送する。
第２受渡ステーション２２には、支持基板Ｓを載置する載置部２２１と、載置部２２１をＹ軸方向に移動させる移動部２２２とが配置される。載置部２２１は、例えば３つの支持ピンを備え、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを支持して載置する。移動部２２２は、Ｙ軸方向に延伸するレールと、載置部２２１をＹ軸方向に移動させる駆動部とを備える。第２受渡ステーション２２では、第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１から載置部２２１に支持基板Ｓが載置された後、移動部２２２によって載置部２２１を第２搬送領域２４側に移動させる。そして、載置部２２１から後述する第２搬送領域２４の第２搬送装置２４１に支持基板Ｓが受け渡される。なお、本実施形態では、載置部２２１はＹ軸方向のみに移動するが、これに加えてＸ軸方向にも移動可能に構成されていてもよい。
なお、上述した第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１はベルヌーイチャック等の非接触保持部で支持基板Ｓを保持するため、搬送信頼性は高くない。このため、受渡装置２１１から後述する第２搬送領域２４の第２搬送装置２４１に支持基板Ｓを直接受け渡そうとすると、当該支持基板Ｓを取り落す可能性がある。そこで、本実施形態では、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２４との間に第２受渡ステーション２２を設け、当該第２受渡ステーション２２で一旦支持基板Ｓを載置している。
第２洗浄ステーション２３には、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄装置が配置される。第２洗浄装置としては、例えば特開２０１３−０１６５７９号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。
第２搬送領域２４には、剥離後の支持基板Ｓの搬送を行う第２搬送装置２４１が配置される。第２搬送装置２４１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第２搬送領域２４では、かかる第２搬送装置２４１により、剥離後の支持基板Ｓを搬出ステーション２５へ搬送する処理が行われる。
搬出ステーション２５には、複数のカセット載置台２５１が設けられており、各カセット載置台２５１には、剥離後の支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓが載置される。そして、搬入出ステーション１１では、このカセットＣｓが外部との間で搬出される。
また、剥離システム１は、制御装置３０を備える。制御装置３０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置３０は、例えばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置３０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理方法について説明する。図４は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。なお、剥離システム１は、制御装置３０の制御に基づき、図４に示す各処理手順を実行する。
先ず、複数枚の重合基板Ｔを収容したカセットＣｔと、空のカセットＣｗとが、搬入出ステーション１１の所定のカセット載置台１１１に載置されると共に、空のカセットＣｓが、搬出ステーション２５の所定のカセット載置台２５１に載置される。そして、剥離システム１では、第１処理ブロック１０の第１搬送装置１３１が、搬入出ステーション１１に載置されたカセットＣｔから重合基板Ｔを取り出す。このとき、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが下面に位置し、支持基板Ｓが上面に位置した状態で、第１搬送装置１３１の基板保持部に上方から保持される。そして、第１搬送装置１３１は、カセットＣｔから取り出した重合基板Ｔを待機ステーション１２へ搬入する基板搬入処理を行う（図４のステップＡ１０１）。
続いて、待機ステーション１２では、ＩＤ読取装置が、ダイシングフレームＦのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う（図４のステップＡ１０２）。ＩＤ読取装置によって読み取られたＩＤは、制御装置３０へ送信される。その後、重合基板Ｔは、第１搬送装置１３１によって待機ステーション１２から取り出されて、エッジカットステーション１６へ搬入される。
エッジカットステーション１６では、エッジカット装置が、重合基板Ｔに対してエッジカット処理を行う（図４のステップＡ１０３）。かかるエッジカット処理によって接着剤Ｇの周縁部が除去されることにより、後段の剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離し易くなる。したがって、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。
このように本実施形態にかかる剥離システム１では、エッジカットステーション１６が第１処理ブロック１０に組み込まれているため、第１処理ブロック１０へ搬入された重合基板Ｔを第１搬送装置１３１を用いてエッジカットステーション１６へ直接搬入することができる。したがって、一連の剥離処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。
なお、例えば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Ｔが生じる場合には、待機ステーション１２に設けられた一時待機部を用いて重合基板Ｔを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。
続いて、エッジカット処理後の重合基板Ｔは、第１搬送装置１３１によってエッジカットステーション１６から取り出されて、剥離ステーション１４の剥離装置１４１へ搬入される。剥離ステーション１４では、剥離装置１４１が、重合基板Ｔに対して剥離処理を行う（図４のステップＡ１０４）。かかる剥離処理により、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに分離される。
その後、剥離システム１では、剥離後の被処理基板Ｗについての処理が第１処理ブロック１０で行われ、剥離後の支持基板Ｓについての処理が第２処理ブロック２０で行われる。なお、剥離後の被処理基板Ｗは、ダイシングフレームＦによって保持されている。
第１処理ブロック１０では、剥離後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１３１によって剥離ステーション１４の剥離装置１４１から取り出されて、第１洗浄ステーション１５の第１洗浄装置１５１へ搬入される。第１洗浄ステーション１５では、第１洗浄装置１５１が、剥離後の被処理基板Ｗに対して洗浄処理を行う（図４のステップＡ１０５）。かかる洗浄処理によって、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
洗浄処理後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１３１によって第１洗浄ステーション１５の第１洗浄装置１５１から取り出されて、搬入出ステーション１１に載置されたカセットＣｗに収容される。その後、複数の被処理基板Ｗを収容したカセットＣｗは、搬入出ステーション１１から搬出されて、回収される（図４のステップＡ１０６）。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。
一方、第２処理ブロック２０では、ステップＡ１０５及びステップＡ１０６の処理と並行して、剥離後の支持基板Ｓに対する処理（後述するステップＡ１０７〜ステップＡ１０９）が行われる。
第２処理ブロック２０では、先ず、第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１が、剥離後の支持基板Ｓの受渡処理を行う。具体的には、受渡装置２１１が、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１４の剥離装置１４１から取り出して、第２受渡ステーション２２へ搬入する（図４のステップＡ１０７）。
ここで、剥離後の支持基板Ｓは、剥離装置１４１によって上面側すなわち非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、受渡装置２１１は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。その後、受渡装置２１１は、保持した支持基板Ｓを反転させたうえで、第２受渡ステーション２２の載置部２２１へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊを上方に向けた状態で載置部２２１に載置される。
第２受渡ステーション２２では、支持基板Ｓが載置された載置部２２１が移動部２２２によって第２搬送領域２４側の所定の位置まで移動する。この所定の位置とは、第２搬送装置２４１の搬送アーム部が載置部２２１上の支持基板Ｓを受け取ることができる位置である。
続いて、支持基板Ｓは、第２搬送装置２４１によって第２受渡ステーション２２から取り出されて、第２洗浄ステーション２３へ搬入される。第２洗浄ステーション２３では、第２洗浄装置が、剥離後の支持基板Ｓに対して洗浄処理を行う（図４のステップＡ１０８）。かかる洗浄処理によって、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
洗浄処理後の支持基板Ｓは、第２搬送装置２４１によって第２洗浄ステーション２３から取り出されて、搬出ステーション２５に載置されたカセットＣｓに収容される。その後、複数の支持基板Ｓを収容したカセットＣｓは、搬出ステーション２５から搬出されて、回収される（図４のステップＡ１０９）。こうして、支持基板Ｓについての処理も終了する。
以上のように本実施形態に係る剥離システム１は、重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗに対する処理を行う第１処理ブロック１０と、支持基板Ｓに対する処理を行う第２処理ブロック２０とを備える。このため、重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗに対する処理と、支持基板Ｓに対す処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。より具体的には、本実施形態に係る剥離システム１は、ダイシングフレームＦに保持された基板（重合基板Ｔ及び剥離後の被処理基板Ｗ）用のフロントエンド（搬入出ステーション１１及び第１搬送領域１３）と、ダイシングフレームＦに保持されない基板（剥離後の支持基板Ｓ）用のフロントエンド（搬出ステーション２５及び第２搬送領域２４）とを備える。これにより、被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する処理と、支持基板Ｓを搬出ステーション２５へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となる。したがって、従来の基板の搬送待ちを軽減でき、剥離処理のスループットを向上させることができる。
また、本実施形態によれば、重合基板Ｔと被処理基板ＷがダイシングフレームＦに保持されていても、ダイシングフレームＦで保持された重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗの搬送と、ダイシングフレームＦに保持されない支持基板Ｓの搬送とは、それぞれ別個の第１搬送装置１３１と第２搬送装置２４１とで行われる。したがって、従来のように１つの搬送装置でダイシングフレームに保持された基板とダイシングフレームに保持されない基板を搬送する場合に比べて、本実施形態では、重合基板Ｔ、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓを搬送する際の制御を簡易化することができ、剥離処理を効率よく行うことができる。
さらに、本実施形態に係る剥離システム１では、剥離ステーション１４、第２洗浄ステーション２３及び第２搬送領域２４が第１受渡ステーション２１と第２受渡ステーション２２を介して接続される。これにより、第１搬送領域１３を経由することなく、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１４から第２搬送領域２４へ直接搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Ｓの搬送を円滑に行うことができる。
しかも、第２受渡ステーション２２は、第２受渡ステーションは、支持基板Ｓを載置する載置部２２１と、載置部２２１を水平方向に移動させる移動部２２２とを備える。これにより、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２４との間で支持基板Ｓを受け渡す際、支持基板Ｓを載置した載置部２２１を移動できるので、当該第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１の非接触保持部や第２搬送領域２４の第２搬送装置２４１の搬送アーム部を伸長させる必要がない。したがって、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２４の専有面積を小さくでき、剥離システム１全体の専有面積を小さくすることができる。
なお、以上の剥離システム１において、第１処理ブロック１０は、重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けるためのマウント装置を備えていてもよい。かかる場合、ダイシングフレームＦが取り付けられていない重合基板ＴをカセットＣｔから取り出してマウント装置へ搬入し、マウント装置において重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けた後、ダイシングフレームＦに固定された重合基板Ｔを剥離ステーション１４へ搬送することとなる。なお、マウント装置は、第１処理ブロック１０の任意の位置に配置すればよい。
また、以上の剥離システム１の第１処理ブロック１０に設けられた第１洗浄ステーション１５とエッジカットステーション１６は、剥離システム１の外部に設けられていてもよい。さらに、第２処理ブロック２０に設けられた第２洗浄ステーション２３は、剥離システム１の外部に設けられていてもよい。
また、以上の剥離システム１において、各処理ステーションの処理装置や搬送領域の配置は任意に設計することができ、水平方向に並べて配置してもよいし、鉛直方向に積層して配置してもよい。
＜２．剥離装置の構成＞
次に、剥離ステーション１４に設置される剥離装置１４１、１４２の構成について図５を参照して説明する。図５は、本実施形態に係る剥離装置１４１の構成を示す模式側面図である。なお、剥離装置１４２の構成は、剥離装置１４１の構成と同様であるので説明を省略する。
図５に示すように、剥離装置１４１は処理容器３００を有する。処理容器３００の側面には、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓ、重合基板Ｔの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。
処理容器３００の内部には、第１保持部３１０と、移動部３２０と、上側ベース部３６０と、位置調節部３７０と、押し下げ部３８０と、受渡部３９０と、剥離誘引部４００と、移動調節部４１０と、第２保持部４２０と、下側ベース部４３０と、回転機構４４０と、昇降機構４５０と、イオナイザ４６０とが設けられる。
第１保持部３１０は、重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持し、第２保持部４２０は、重合基板Ｔのうち被処理基板Ｗを下方から保持する。第１保持部３１０は第２保持部４２０の上方に設けられて、支持基板Ｓが上側に配置され、被処理基板Ｗが下側に配置される。そして、移動部３２０は、第１保持部３１０に保持された支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。これにより、剥離装置１４１では、第１保持部３１０に保持された支持基板Ｓが、その一端Ｓ１から他端Ｓ２に向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離する。以下、各構成要素について具体的に説明する。
図６に示すように第１保持部３１０は、弾性部材３１１と、複数の吸着部３１２とを備える。弾性部材３１１は、薄板状の部材であり、例えば板金などの金属で形成される。かかる弾性部材３１１は、支持基板Ｓの上方において支持基板Ｓと対向配置される。
複数の吸着部３１２は、弾性部材３１１における支持基板Ｓとの対向面に設けられる。複数の吸着部３１２の配置と個数は任意に設定することができ、例えば弾性部材３１１において面内均一に配置される。また、これら複数の吸着部３１２のうち、剥離の最も起点側（ここでは、Ｘ軸負方向側）に配置される吸着部３１２は、後述する剥離誘引部４００によって重合基板Ｔに形成される剥離開始部位に対応する位置に配置される。
各吸着部３１２は、弾性部材３１１に固定される本体部３１３と、この本体部３１３の下部に設けられる吸着パッド３１４とを備える。
また図５に示すように、各吸着部３１２は、吸気管３１５を介して真空ポンプなどの吸気装置３１６に接続される。第１保持部３１０は、吸気装置３１６が発生させる吸引力により、複数の吸着部３１２で支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを吸着する。これにより、支持基板Ｓは、第１保持部３１０に吸着保持される。
なお、吸着部３１２が備える吸着パッド３１４としては、変形量の少ないタイプのものが好ましい。これは、後述する移動部３２０が第１保持部３１０を引っ張った際に吸着パッド３１４が大きく変形すると、かかる変形に伴って支持基板Ｓの被吸着部分が大きく変形し、支持基板Ｓあるいは被処理基板Ｗがダメージを受けるおそれがあるためである。具体的には、吸着パッド３１４としては、例えば吸着面にリブを有するものや、空間の高さが０．５ｍｍ以下のフラットパッドなどを用いることが好ましい。
移動部３２０は、第１移動部３３０と、第２移動部３４０と、第３移動部３５０とを備える。第１移動部３３０、第２移動部３４０、第３移動部３５０は、それぞれ上側ベース部３６０に支持される。上側ベース部３６０は、処理容器３００の天井部に取り付けられた固定部材３６１に支柱３６２を介して支持される。
図６及び図７に示すように、第１移動部３３０、第２移動部３４０、第３移動部３５０は、第１保持部３１０に保持された支持基板Ｓの一端Ｓ１側から他端Ｓ２側に向けて、すなわち重合基板Ｔの剥離方向（Ｘ軸正方向）にこの順で並べて配置されている。そして、第１移動部３３０、第２移動部３４０、第３移動部３５０は、弾性部材３１１において吸着保持した領域をそれぞれ独立に第２保持部４２０から離す方向へ移動させる。
第１移動部３３０は、支持部材３３１と、移動機構３３２と、台座３３３と、レール３３４とを備える。
支持部材３３１は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に延伸する部材であり、一端部が弾性部材３１１に接続され、他端部が上側ベース部３６０と台座３３３を介して移動機構３３２に接続される。
移動機構３３２は、下部に接続される支持部材３３１を鉛直方向に移動させる。また、移動機構３３２は台座３３３に載置される。台座３３３は、上側ベース部３６０の上部において剥離方向（Ｘ軸正方向）に延伸する一対のレール３３４、３３４上を移動自在に構成される。すなわち、第１移動部３３０は自由端になっている。
かかる第１移動部３３０は、移動機構３３２を用いて支持部材３３１を鉛直上方に移動させることにより、支持部材３３１に接続された第１保持部３１０を引っ張り上げる。このとき、支持部材３３１の鉛直上方の移動に伴い、移動機構３３２はレール３３４に沿って剥離方向に移動する。
第２移動部３４０は、支持部材３４１と、移動機構３４２とを備える。同様に、第３移動部３５０も、支持部材３５１と、移動機構３５２とを備える。移動機構３４２、３５２は、それぞれ上側ベース部３６０の上部に固定されており、支持部材３４１、３５１を鉛直方向に移動させる。
移動部３２０においては、先ず、移動機構３３２を動作させ、次いで、移動機構３４２を動作させて、最後に、移動機構３５２を動作させる。すなわち、移動部３２０は、第１保持部３１０に保持された支持基板Ｓを一端Ｓ１側から先に引っ張り、次いで中央部を引っ張り、最後に他端Ｓ２側を引っ張る。これにより、移動部３２０は、支持基板Ｓを、その一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向けて被処理基板Ｗから徐々に、かつ連続的に剥離させる。
図５に示すように第１保持部３１０の上方には、位置調節部３７０が配置される。位置調節部３７０は、第１搬送装置１３１によって剥離装置１４１に搬送され、第２保持部４２０に保持された重合基板Ｔを所定の位置（例えば吸着面４２１ａと一致する位置）に位置調節する、換言すればセンタリングする。
位置調節部３７０は、例えば図３に示した重合基板Ｔの外周の３箇所に対応する位置であって、重合基板Ｔの中央部を中心として相互に等間隔にそれぞれ設けられる。なお、位置調節部３７０が設置される場所は、上記の３箇所に限定されるものではなく、例えば重合基板Ｔの外周の前後又は左右の２箇所、或いは重合基板Ｔの中央部を中心として相互に等間隔に４箇所以上に設置してもよい。
位置調節部３７０は、アーム部３７１と、当該アーム部３７１を回転させる回転移動機構３７２とを備える。アーム部３７１は、長尺状の部材であり、基端部が回転移動機構３７２に回転可能に接続される。また、アーム部３７１の長手方向の長さは、例えば回転移動機構３７２によって先端部が鉛直下向きになるまで回転移動させられたときにその先端部が重合基板Ｔの側面、より詳細には支持基板Ｓの側面に当接するような値であって、当該回転移動中にダイシングフレームＦに干渉しない値に設定される。このようにアーム部３７１は、重合基板Ｔの側面に対して進退自在に構成されている。なお、アーム部３７１には種々の樹脂が用いられ、例えばポリオキシメチレン（ＰＯＭ：Ｐｏｌｙｏｘｙｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）やセラゾール（ＰＢＩ）などが用いられる。
回転移動機構３７２は、例えば上側ベース部３６０の下部に固定され、アーム部３７１を基端側を中心に回転移動させる。このとき、上述したように回転移動中のアーム部３７１がダイシングフレームＦに干渉することはない。各位置調節部３７０のアーム部３７１がそれぞれ回転移動機構３７２によって回転移動させられると、アーム部３７１の先端部が重合基板Ｔの側面（支持基板Ｓの側面）に当接する。これにより、重合基板Ｔは、所定の位置に位置調節される。このように、位置調節部３７０を備えることにより、仮に重合基板Ｔが所定の位置からずれた状態で第２保持部４２０に保持された場合であっても、かかる重合基板Ｔを第２保持部４２０の正しい位置、詳しくは例えば吸着面４２１ａと一致する位置に移動させて修正することができる。
第１保持部３１０の外方には、ダイシングフレームＦを鉛直下方に押し下げるための押し下げ部３８０が配置される。押し下げ部３８０は、ダイシングフレームＦの外周部の３箇所に設けられる。これら押し下げ部３８０は、ダイシングフレームＦの中央部を中心として相互に等間隔に配置される。なお、上記では、押し下げ部３８０を３箇所に設けるようにしたが、これは例示であって限定されるものではなく、例えば４箇所以上であってもよい。
押し下げ部３８０は、ボールベア３８１と、支持部材３８２とを備える。支持部材３８２の先端部にボールベア３８１が支持され、支持部材３８２の基端部は上側ベース部３６０の下部に固定される。
ボールベア３８１は、ダイシングフレームＦの表面に当接し、当該ダイシングフレームＦを重合基板Ｔに対して鉛直下方に押し下げる。また、ボールベア３８１により、ダイシングフレームＦは回転自在な状態で押し下げられる。これにより、重合基板Ｔの側面側には、後述する剥離誘引部４００が進入可能な空間が形成されることとなる。それによって剥離誘引部４００の鋭利部材（後述）を重合基板Ｔの側面、より詳細には支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に容易に近づけて当接させることができる。
第１保持部３１０の外方、より詳細には押し下げ部３８０の外方には、第２保持部４２０に重合基板Ｔを受け渡す受渡部３９０が配置される。受渡部３９０は、ダイシングフレームＦの左右の２箇所に対応する位置にそれぞれ設けられる。なお、上記では受渡部３９０を２箇所に設けるようにしたが、これは例示であって限定されるものではなく、例えば３箇所以上であってもよい。
受渡部３９０は、水平保持部材３９１と、鉛直支持部材３９２と、移動機構３９３とを備える。また受渡部３９０の水平保持部材３９１には、ガイド部３９４が設けられる。
水平保持部材３９１は水平方向に延伸し、当該水平保持部材３９１上にはガイド部３９４が設けられる。ガイド部３９４は、水平保持部材３９１上に保持された重合基板Ｔが、第２保持部４２０に対して所定の位置に位置するように位置調節をする。すなわち、ガイド部３９４は、位置調節部３７０による重合基板Ｔの位置調節に先だって、当該重合基板Ｔの位置調節を行う。
鉛直支持部材３９２は鉛直方向に延伸し、水平保持部材３９１を支持する。また鉛直支持部材３９２の基端部は、移動機構３９３によって支持される。移動機構３９３は、上側ベース部３６０の上部に固定されており、鉛直支持部材３９２を鉛直方向に移動させる。
受渡部３９０は、移動機構３９３によって鉛直支持部材３９２、水平保持部材３９１及びガイド部３９４を鉛直方向に沿って移動させる。したがって、第１搬送装置１３１から重合基板Ｔを受け取った水平保持部材３９１は鉛直方向に移動され、重合基板Ｔを第２保持部４２０に受け渡す。
第１保持部３１０の外方には、より詳細には受渡部３９０の外方には、剥離誘引部４００が配置される。剥離誘引部４００は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離するきっかけとなる部位を重合基板Ｔにおける一端Ｓ１側の側面に形成する。
剥離誘引部４００は、鋭利部材４０１と、ロードセル４０２と、移動機構４０３とを備える。鋭利部材４０１は、例えば刃物であり、先端が重合基板Ｔへ向けて突出するように移動機構４０３に支持される。なお、鋭利部材４０１は、例えばカミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いてもよい。ロードセル４０２は鋭利部材４０１の端部に設けられ、鋭利部材４０１にかかる力（負荷）を検出する。
移動機構４０３は、Ｘ軸方向に延伸するレールに沿って鋭利部材４０１を移動させる。剥離誘引部４００は、移動機構４０３を用いて鋭利部材４０１を移動させることにより、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材４０１を当接させる。これにより、剥離誘引部４００は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離するきっかけとなる部位（以下、「剥離開始部位」と記載する）を重合基板Ｔにおける一端Ｓ１側の側面に形成する。
また、移動機構４０３は、移動調節部４１０によって上方から支持される。移動調節部４１０は、例えば上側ベース部３６０の下部に固定され、移動機構４０３を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、鋭利部材４０１の高さ位置、すなわち、重合基板Ｔの側面への当接位置を調節することができる。
第１保持部３１０の下方には、第２保持部４２０が対向配置される。第２保持部４２０には、例えばポーラスチャックが用いられる。第２保持部４２０は、円盤状の本体部４２１と、本体部４２１を支持する支柱部材４２２とを備える。支柱部材４２２は、後述する下側ベース部４３０に支持される。
本体部４２１は、例えばアルミニウムなどの金属部材で構成される。かかる本体部４２１の表面には、吸着面４２１ａが設けられる。吸着面４２１ａは、重合基板Ｔと略同径であり、重合基板Ｔの下面、すなわち、被処理基板Ｗの非接合面ＷＮと当接する。この吸着面４２１ａは、例えば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。
本体部４２１の内部には、吸着面４２１ａを介して外部と連通する吸引空間４２１ｂが形成される。吸引空間４２１ｂには、配管４２３が接続される。配管４２３は、バルブ４２４を介して２本の配管に枝分かれしている。一の配管４２３には、例えば真空ポンプなどの吸気装置４２５が接続される。吸気装置４２５には、その吸気圧力、すなわち第２保持部４２０で被処理基板Ｗを吸引する際の吸引圧力を測定するセンサ（図示せず）が設けられる。他の配管４２３には、内部に気体、例えば窒素ガスや大気を貯留する気体供給源４２６が接続される。
かかる第２保持部４２０は、吸気装置４２５の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Ｗの非接合面ＷＮをダイシングテープＰを介して吸着面４２１ａに吸着させる。これにより、第２保持部４２０は被処理基板Ｗを保持する。また、第２保持部４２０は、表面から気体を噴出して被処理基板Ｗを浮上させながら保持することもできる。なお、ここでは、第２保持部４２０がポーラスチャックである場合の例を示したが、第１保持部は、例えば静電チャック等であってもよい。
下側ベース部４３０は、第２保持部４２０の下方に配置され、当該第２保持部４２０を支持する。下側ベース部４３０は、処理容器３００の床面に固定された回転機構４４０及び昇降機構４５０によって支持される。
回転機構４４０は、下側ベース部４３０を鉛直軸回りに回転させる。これにより、下側ベース部４３０に支持された第２保持部４２０が回転する。また、昇降機構４５０は、下側ベース部４３０を鉛直方向に移動させる。これにより、下側ベース部４３０に支持された第２保持部４２０が昇降する。
イオナイザ４６０は、処理容器３００の天井部に取り付けられる。イオナイザ４６０は、重合基板Ｔを剥離する際に発生する静電気を除電する。これにより、重合基板Ｔの剥離処理を適切に行うことができる。また、被処理基板Ｗ上の電子回路が損傷を被るのを抑制することもできる。
＜３．剥離装置の動作＞
次に、剥離装置１４１を用いて行われる被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理方法について説明する。図８は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。また、図９〜図１５は、剥離処理の説明図である。なお、剥離装置１４１は、制御装置３０の制御に基づき、図８に示す各処理手順を実行する。
先ず、第１搬送装置１３１によって剥離装置１４１に搬入された重合基板Ｔは、受渡部３９０に受け渡される（図８のステップＡ２０１）。受渡部３９０に受け渡された重合基板Ｔは、ガイド部３９４によって、第２保持部４２０に対して所定の位置に位置するように位置調節される。なお、このとき、第２保持部４２０は受渡部３９０の下方に位置している。そして第２保持部４２０では、吸着面４２１ａの複数の孔が目詰まりするのを抑制するため、気体供給源４２６から吸着面４２１ａに供給された気体が噴出している。
その後、第２保持部４２０を上昇させ、受渡部３９０から第２保持部４２０に重合基板Ｔが受け渡される（図８のステップＡ２０２）。このとき、第２保持部４２０の吸着面４２１ａからは気体が噴出しており、重合基板Ｔは第２保持部４２０から浮上した状態で当該第２保持部４２０に保持される。なお、重合基板Ｔと吸着面４２１ａとの隙間は微小であり、重合基板Ｔは第２保持部４２０に適切に保持される。
その後、第２保持部４２０をさらに上昇させ、位置調節部３７０によって第２保持部４２０に保持された重合基板Ｔを所定の位置に位置調節する（図８のステップＡ２０３）。具体的には、回転移動機構３７２によってアーム部３７１を回転移動させる。このとき、アーム部３７１の長手方向の長さが適切に設定されており、回転移動中のアーム部３７１がダイシングフレームＦに干渉することはない。位置調節部３７０のアーム部３７１がそれぞれ回転移動機構３７２によって回転移動させられると、アーム部３７１の先端部が支持基板Ｓの側面に当接する。これにより、重合基板Ｔは、所定の位置に位置調節される。しかも、アーム部３７１が支持基板Ｓの側面に当接するので、製品となる被処理基板Ｗが損傷を被ることはない。
なおステップＡ１０３では、ステップＡ１０２に引き続き、第２保持部４２０の吸着面４２１ａから気体が噴出しており、重合基板Ｔは第２保持部４２０から浮上している。かかる場合、重合基板Ｔが移動し易くなり、位置調節部３７０による重合基板Ｔの位置調節を円滑に行うことができる。
その後、第２保持部４２０においてバルブ４２４を切り替え、気体供給源４２６からの気体の供給を停止し、吸気装置４２５による１１１ａの吸引を開始する。そして第２保持部４２０によって、被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する（図８のステップＡ２０４）。
その後、図９に示すように第２保持部４２０をさらに上昇させ、当該第２保持部４２０に保持された重合基板Ｔを剥離処理が行われる所定の位置に配置する（図８のステップＡ２０５）。このとき、押し下げ部３８０によってダイシングフレームＦが重合基板Ｔに対して鉛直方向下方に押し下げられる。これにより、重合基板Ｔの側面側には、剥離誘引部４００が進入可能な空間が形成される。
ステップＡ２０１〜Ａ２０５が行われている間、移動調節部４１０を用いて鋭利部材４０１の高さを調節する（図８のステップＡ２０６）。
その後、剥離誘引部４００の鋭利部材４０１を重合基板Ｔ側に移動させ、支持基板Ｓに当接させる。このとき、ロードセル４０２と移動機構４０３のいずれか一方又は両方を用いて、鋭利部材４０１が支持基板Ｓに当接したことを検知する（図８のステップＡ２０７）。すなわち、ロードセル４０２を用いて鋭利部材４０１にかかる力を測定し、当該力の変化を検出することによって、鋭利部材４０１が支持基板Ｓに当接したことを検知してもよい。或いは、移動機構４０３に内蔵されたモータのトルクを測定し、当該トルクの変化を検出することによって、鋭利部材４０１が支持基板Ｓに当接したことを検知してもよい。さらに、これらロードセル４０２によって測定される力の変化が検出され、且つ移動機構４０３のモータのトルクの変化が検出された際に、鋭利部材４０１が支持基板Ｓに当接したことを検知してもよい。
その後、図９に示すように鋭利部材４０１をさらに前進させて、剥離誘引処理を行う（図８のステップＡ２０８）。この剥離誘引処理は、支持基板Ｓが第１保持部３１０によって保持される前に行われ、すなわち、支持基板Ｓがフリーな状態で行われる。そして、図１０に示すように鋭利部材４０１を前進させることにより、重合基板Ｔの一端Ｓ１側の側面に剥離開始部位Ｍが形成されると、昇降機構４５０を用いて第２保持部４２０を降下させつつ、鋭利部材４０１をさらに前進させる。これにより、被処理基板Ｗ及び接着剤Ｇには下方向きの力が加わり、鋭利部材４０１によって支持された支持基板Ｓには上方向きの力が加わり、剥離開始部位Ｍが拡大する。
その後、図１１に示すように第１移動部３３０、第２移動部３４０、及び第３移動部３５０によって、第１保持部３１０の弾性部材３１１を降下させ、複数の吸着部３１２を支持基板Ｓに当接させる。そして、第１保持部３１０で支持基板Ｓの非接合面ＳＮを吸着保持する（図８のステップＡ２０９）。
その後、図１２に示すように第１移動部３３０によって、弾性部材３１１の外周部を上昇させる（図８のステップＡ２１０）。すなわち、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの一端Ｓ１側の外周部を引っ張る。これにより、支持基板Ｓが、剥離開始部位Ｍを起点として外周部から中心部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離し始める。
続けて、図１３に示すように第１移動部３３０による弾性部材３１１の外周部の上昇を継続しつつ、第２移動部３４０によって弾性部材３１１の中心部を上昇させる（図８のステップＡ２１１）。すなわち、支持基板Ｓの一端Ｓ１側の外周部を引っ張りつつ、支持基板Ｓの中央部付近をさらに引っ張る。そして、第１移動部３３０によって弾性部材３１１の外周部が目標高さまで上昇した際、支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離部が支持基板Ｓの他端Ｓ２まで移動し、支持基板Ｓがその全面において被処理基板Ｗから剥離する。
これらステップＡ２１０及びＡ２１１において、第１移動部３３０の支持部材３３１の鉛直上方の移動に伴い、移動機構３３２はレール３３４に沿って剥離方向（Ｘ軸正方向）に移動する。そうすると、第１保持部３１０に保持された支持基板Ｓの一端Ｓ１も、移動機構３３２によって鉛直上方に移動しつつ、剥離方向に移動する。
図１４は、支持基板Ｓの移動を模式的に示す説明図である。支持基板Ｓの一端Ｓ１は鉛直上方に高さＨだけ移動するが、剥離方向にも距離Ｄだけ移動する。このため、支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離部（図１４においては支持基板Ｓの他端Ｓ２）に作用する剥離方向の力を抑制でき、すなわち剥離部に余計な力が作用しない。このため、被処理基板Ｗと支持基板Ｓが損傷を被るのを抑制できる。
また、第１保持部３１０の弾性部材３１１が弾性を有するため、ステップＡ２１０及びＡ２１１において、第１移動部３３０と第２移動部３４０が弾性部材３１１を引っ張った際に、かかる引っ張りに伴って弾性部材３１１が柔軟に変形する。このため、支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離部に作用する剥離方向の力をさらに抑制することができる。
換言すれば、弾性部材３１１が柔軟性を有することで剥離部に作用する力を抑制できる分、支持基板Ｓの一端Ｓ１が剥離方向に移動する距離Ｄを短くできる。例えば支持基板Ｓ（被処理基板Ｗ）の径が３００ｍｍの場合、距離Ｄを１０ｍｍ〜３０ｍｍまで短くでき、すなわちレール３３４の長さを１０ｍｍ〜３０ｍｍに短くできる。
しかも、弾性部材３１１が柔軟性を有することで、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させる力に「粘り」を加えることができるため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから効率良く剥離させることができる。
その後、図１５に示すように第２移動部３４０による弾性部材３１１の中心部の上昇を継続しつつ、第３移動部３５０によって弾性部材３１１の外周部を上昇させる（図８のステップＡ２１２）。そして、第２移動部３４０と第３移動部３５０によって弾性部材３１１の中心部と外周部がそれぞれ目標高さまで上昇した際、弾性部材３１１が水平に戻るため、第１移動部３３０の移動機構３３２は、レール３３４に沿って剥離方向と反対方向（Ｘ軸負方向）に移動する。そうすると、第１保持部３１０に保持された支持基板Ｓが水平になり、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離する（図８のステップＡ２１３）。こうして、剥離装置１４１における一連の被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理が終了する。
本実施形態によれば、ステップＡ２１０及びＡ２１１において、第１移動部３３０の支持部材３３１の鉛直上方の移動に伴い、移動機構３３２はレール３３４に沿って剥離方向に移動する。そうすると、第１保持部３１０に保持された支持基板Ｓの一端Ｓ１は、鉛直上方に移動しつつ、剥離方向に移動する。このため、支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離部に作用する剥離方向の力を抑制でき、すなわち剥離部に余計な力が作用しないため、被処理基板Ｗと支持基板Ｓが損傷を被るのを抑制できる。したがって、被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理を適切に行うことができる。
また、第１保持部３１０の弾性部材３１１が弾性を有するため、ステップＡ２１０及びＡ２１１において、第１移動部３３０と第２移動部３４０が弾性部材３１１を引っ張った際に、かかる引っ張りに伴って弾性部材３１１が柔軟に変形する。このため、支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離部に作用する剥離方向の力をさらに抑制することができる。
＜４．その他の実施形態＞
次に、剥離装置１４１における移動部３２０の他の構成について説明する。
例えば図１６に示すように、第２移動部３４０は、第１移動部３３０と同様に剥離方向に移動自在に構成されていてもよい。第２移動部３４０は、支持部材３４１と移動機構３４２に加えて、台座３４３とレール３４４をさらに備える。これ台座３４３とレール３４４の構成は、第１移動部３３０の台座３３３とレール３３４の構成と同様であるので説明を省略する。
かかる場合、ステップＡ２１１において、第１移動部３３０の移動機構３３２の剥離方向の移動に加えて、第２移動部３４０の支持部材３４１の鉛直上方の移動に伴い、移動機構３４２はレール３４４に沿って剥離方向に移動する。そうすると、支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離部に作用する力が剥離方向により均一にできる。したがって、被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理をより適切に行うことができる。
なお、第３移動部３５０の移動機構３５２は、剥離方向に移動せず、固定されているのが好ましい。支持基板Ｓをその一端Ｓ１から他端Ｓ２に向けて被処理基板Ｗから剥離する際、他端Ｓ２側に設けられた第３移動部３５０は支点の役割を果たすためである。
また、例えば図１７に示すように、第１移動部３３０は、剥離方向の直交方向（Ｙ軸方向）に複数並べて配置されていてもよい。かかる場合、ステップＡ２１０及びＡ２１１において、複数の移動機構３３２が剥離方向に移動するため、支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離部に作用する力が剥離方向により均一にできる。したがって、被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理をより適切に行うことができる。
また、例えば図１８に示すように、第１移動部３３０は、支持基板Ｓの周縁に沿った方向に移動自在に構成されていてもよい。すなわち、一対のレール３３４、３３４は、支持基板Ｓの周縁に沿った方向に延伸する。また、第１移動部３３０は、剥離方向の直交方向に２つ並べて配置される。
かかる場合、支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離部に作用する力は、平面視において、支持基板Ｓの周縁に沿った方向の接線方向に作用する。このため、支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離部に作用する力が剥離方向により均一にでき、被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理をより適切に行うことができる。
なお、図１８の例においては、レール３３４は略１／４円状に延伸していたが、図１９に示すようにレール３３４は支持基板Ｓの周縁に沿ってさらに長く延伸してもよい。かかる場合、移動機構３３２の移動の自由度が高くなり、被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理の自由度も高くなる。
また、例えば図２０に示すように、第１移動部３３０はボールベア３３５をさらに備えていてもよい。ボールベア３３５は、上側ベース部３６０の上部に設けられ、支持部材３３１に接続される。
かかる場合、ステップＡ２１０及びＡ２１１において、支持部材３３１が鉛直上方に移動しつつ、移動機構３３２がレール３３４に沿って剥離方向に移動する際、当該支持部材３３１はボールベア３３５を基点に回動する。すなわち、図２１に示すように支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離が進んでも、支持部材３３１は、常に弾性部材３１１に直交する方向に位置する。そうすると、側面視において、弾性部材３１１に作用する力の作用方向と弾性部材３１１の延伸方向は常に直交する。このため、支持基板Ｓと被処理基板Ｗの剥離部に作用する力を剥離方向により均一にでき、被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理をより適切に行うことができる。
次に、剥離装置１４１における剥離誘引部４００の他の構成について説明する。図２２及び図２３に示すように剥離誘引部４００は、上記実施形態の鋭利部材４０１に代えて、鋭利部材５００と回転部５０１とを備える。鋭利部材５００は、円板形状を有し、外周全周が先鋭化している。
回転部５０１は、回転軸５０２と回転機構５０３とを備える。回転軸５０２は鉛直方向に延伸し、鋭利部材５００の中心部を挿通して設けられる。回転機構５０３は、回転軸５０２を中心に鋭利部材５００を回転させる。また、回転機構５０３は、移動機構４０３によってＸ軸方向に移動自在である。なお、回転機構５０３には、ロードセル４０２が設けられる。
そして、ステップＡ２０８において、回転部５０１によって鋭利部材５００を回転させながら、当該鋭利部材５００を一端Ｓ１側の接着剤Ｇに当接させる。そうすると、接着剤Ｇの側面に剥離開始部位Ｍが形成される。かかる場合、鋭利部材５００の全周を用いるので、剥離開始部位Ｍを確実に形成できる。しかも、例えば鋭利部材の一箇所のみを用いる場合に比べて、鋭利部材５００の寿命を長くし、交換頻度を低減できる。したがって、製品の歩留まりを向上させることができる。
上述してきた実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇによって接合された重合基板Ｔである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Ｔに限定されない。例えば剥離装置１４１では、ＳＯＩ基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。
ここで、ＳＯＩ基板の製造方法について図２４および図２５を参照して説明する。図２４および図２５は、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。図２４に示すように、ＳＯＩ基板を形成するための重合基板Ｔａは、ドナー基板Ｋとハンドル基板Ｈとを接合することによって形成される。
ドナー基板Ｋは、表面に絶縁膜６００が形成されるとともに、ハンドル基板Ｈと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層６０１が形成された基板である。また、ハンドル基板Ｈとしては、例えばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。
剥離装置１４１では、例えば第２保持部４２０でドナー基板Ｋを保持し、第１保持部３１０でハンドル基板Ｈを保持した状態で、重合基板Ｔａの外周部の一部を引っ張ることで、ドナー基板Ｋに形成された水素イオン注入層６０１に対して機械的衝撃を与える。これにより、図２５に示すように、水素イオン注入層６０１内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Ｋからシリコン層６０２が剥離する。その結果、ハンドル基板Ｈの上面に絶縁膜６００とシリコン層６０２とが転写され、ＳＯＩ基板Ｗａが形成される。なお、第２保持部４２０でハンドル基板Ｈを保持し、第１保持部３１０でドナー基板Ｋを保持してもよい。
また、上述してきた実施形態では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接着剤Ｇを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Ｗｊ、Ｓｊを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。
また、上述した実施形態では、重合基板Ｔが、ダイシングフレームＦに保持される場合の例について説明したが、重合基板Ｔは、必ずしもダイシングフレームＦに保持されることを要しない。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
１ 剥離システム
１０ 第１処理ブロック
１１ 搬入出ステーション
１３ 第１搬送領域
１４ 剥離ステーション
２０ 第２処理ブロック
２４ 第２搬送領域
２５ 搬出ステーション
３０ 制御装置
１３１ 第１搬送装置
１４１、１４２ 剥離装置
２４１ 第２搬送装置
３１０ 第１保持部
３１１ 弾性部材
３１２ 吸着部
３２０ 移動部
３３０ 第１移動部
３３１ 支持部材
３３２ 移動機構
３３３ 台座
３３４ レール
３３５ ボールベア
３４０ 第２移動部
３４１ 支持部材
３４２ 移動機構
３４３ 台座
３４４ レール
３５０ 第３移動部
４００ 剥離誘引部
４２０ 第２保持部
５００ 鋭利部材
５０１ 回転部
Ｆ ダイシングフレーム
Ｇ 接着剤
Ｍ 剥離開始部位
Ｐ ダイシングテープ
Ｓ 支持基板
Ｓ１ 一端
Ｓ２ 他端
Ｔ 重合基板
Ｗ 被処理基板

Claims (16)

  1. 第１基板と第２基板が接合された重合基板を、当該重合基板の一端から他端に向けて剥離する剥離装置であって、
    前記重合基板のうち前記第１基板を保持する第１保持部と、
    前記重合基板のうち前記第２基板を保持する第２保持部と、
    前記第１保持部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる移動部と、を有し、
    前記移動部は、少なくとも前記重合基板の剥離方向に移動自在に構成され、
    前記第１保持部は、
    前記移動部に接続される板状の弾性部材と、
    前記弾性部材に設けられ、前記第１基板を吸着する複数の吸着部と、を有することを特徴とする、剥離装置。
  2. 前記移動部は、前記剥離方向に並べて複数設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の剥離装置。
  3. 前記移動部は、前記剥離方向の直交方向に並べて複数設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の剥離装置。
  4. 前記移動部は、前記剥離方向に並べて複数設けられ、
    前記移動部は、前記剥離方向の直交方向に並べて複数設けられ、
    前記移動部は、前記重合基板の周縁に沿った方向に移動自在に構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の剥離装置。
  5. 前記移動部は、側面視において、前記第１保持部に作用する力の作用方向と、前記第１保持部が延びる延伸方向とが直交するように、当該第１保持部を移動させることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の剥離装置。
  6. 前記移動部は、前記第１保持部に設けられたボールベアを有することを特徴とする、請求項５に記載の剥離装置。
  7. 前記第１基板と前記第２基板が剥離するきっかけとなる剥離開始部位を前記重合基板の一端の側面に形成する剥離誘引部をさらに有し、
    前記剥離誘引部は、
    円板状の鋭利部材と、
    前記鋭利部材を鉛直軸回りに回転させる回転部と、を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の剥離装置。
  8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の剥離装置を備えた剥離システムであって、
    前記重合基板と前記第２基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、
    前記第１基板に対する処理を行う第２処理ブロックと、を有し、
    前記第１処理ブロックは、
    前記重合基板と前記第２基板が載置される搬入出ステーションと、
    前記剥離装置を備えた剥離ステーションと、
    前記搬入出ステーションと前記剥離ステーションとの間で、前記重合基板と前記第２基板を搬送する第１搬送装置を備えた第１搬送領域と、を有し、
    前記第２処理ブロックは、
    前記第１基板が載置される搬出ステーションと、
    前記搬出ステーションに対して前記第１基板を搬送する第２搬送装置を備えた第２搬送領域と、を有することを特徴とする、剥離システム。
  9. 第１基板と第２基板が接合された重合基板を、当該重合基板の一端から他端に向けて剥離する剥離方法であって、
    第１保持部によって、前記重合基板のうち前記第１基板を保持する第１保持工程と、
    第２保持部によって、前記重合基板のうち前記第２基板を保持する第２保持工程と、
    前記第１保持部に接続される移動部によって、前記第１保持部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる移動工程と、を有し、
    前記第１保持部は、
    前記移動部に接続される板状の弾性部材と、
    前記弾性部材に設けられ、前記第１基板を吸着する複数の吸着部と、を有し、
    前記移動工程において、前記移動部は、少なくとも前記重合基板の剥離方向に移動し、且つ前記複数の吸着部が前記第１基板を吸着した状態で前記弾性部材を変形させながら、前記第１保持部を移動させることを特徴とする、剥離方法。
  10. 前記移動部は、前記剥離方向に並べて複数設けられていることを特徴とする、請求項９に記載の剥離方法。
  11. 前記移動部は、前記剥離方向の直交方向に並べて複数設けられていることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の剥離方法。
  12. 前記移動部は、前記剥離方向に並べて複数設けられ、
    前記移動部は、前記剥離方向の直交方向に並べて複数設けられ、
    前記移動工程において、前記移動部は、前記重合基板の周縁に沿った方向に移動することを特徴とする、請求項９に記載の剥離方法。
  13. 前記移動工程において、前記移動部は、側面視において、前記第１保持部に作用する力の作用方向と、前記第１保持部が延びる延伸方向とが直交するように、当該第１保持部を移動させることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の剥離方法。
  14. 前記第１保持工程及び前記第２保持工程後であって前記移動工程前に、剥離誘引部によって、前記第１基板と前記第２基板が剥離するきっかけとなる剥離開始部位を前記重合基板の一端の側面に形成する剥離開始部位形成工程をさらに有し、
    前記剥離誘引部は、円板状の鋭利部材と、前記鋭利部材を鉛直軸回りに回転させる回転部と、を有し、
    前記剥離開始部位形成工程において、前記回転部によって回転中の前記鋭利部材が前記重合基板の一端の側面に当接することで、前記剥離開始部位が形成されることを特徴とする、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の剥離方法。
  15. 請求項９〜１４のいずれか一項に記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるように、当該剥離装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
  16. 請求項１５に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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US14/723,778 US9643396B2 (en) 2014-06-03 2015-05-28 Peeling device, peeling system and peeling method
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6076884B2 (ja) * 2013-11-19 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 剥離システム
WO2017115485A1 (ja) * 2015-12-29 2017-07-06 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 樹脂フィルムの剥離方法、フレキシブル基板を有する電子デバイスの製造方法および有機ｅｌ表示装置の製造方法ならびに樹脂フィルムの剥離装置
KR102446955B1 (ko) * 2016-05-24 2022-09-23 세메스 주식회사 웨이퍼 분리 장치
JP6695227B2 (ja) * 2016-07-19 2020-05-20 東京応化工業株式会社 支持体分離装置および支持体分離方法
JP2018043377A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 剥離装置および剥離方法
WO2019013022A1 (ja) * 2017-07-12 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 搬送装置、基板処理システム、搬送方法、および基板処理方法
JPWO2019044506A1 (ja) * 2017-08-28 2020-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、および基板処理方法
TWI782169B (zh) * 2018-01-23 2022-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 接合系統及接合方法
TW202015144A (zh) * 2018-10-01 2020-04-16 巨擘科技股份有限公司 基板分離系統及方法
CN110525014B (zh) * 2019-09-17 2021-09-28 业成科技（成都）有限公司 真空撕膜回收机构
JP7362515B2 (ja) 2020-03-04 2023-10-17 キオクシア株式会社 ウエハ剥離装置及びウエハ剥離方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8903010A (nl) 1989-12-07 1991-07-01 Philips & Du Pont Optical Werkwijze en inrichting voor het verwijderen van een buigzaam produkt van een draagplaat.
JPH07115766B2 (ja) * 1991-09-03 1995-12-13 筒中プラスチック工業株式会社 板材の吸引移替え装置
JPH08203138A (ja) * 1995-01-30 1996-08-09 Ricoh Co Ltd スタンパ剥離装置
JPH10244545A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Canon Inc 離型方法及び離型装置
KR100383265B1 (ko) 2001-01-17 2003-05-09 삼성전자주식회사 웨이퍼 보호 테이프 제거용 반도체 제조장치
US6769973B2 (en) 2001-05-31 2004-08-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same
JP3892703B2 (ja) 2001-10-19 2007-03-14 富士通株式会社 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP3943481B2 (ja) * 2002-10-30 2007-07-11 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品搬送ヘッド、及び電子部品実装装置
US7187162B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
US6896762B2 (en) 2002-12-18 2005-05-24 Industrial Technology Research Institute Separation method for object and glue membrane
JP4272501B2 (ja) 2003-12-03 2009-06-03 リンテック株式会社 フィルム供給装置およびフィルム貼着システム
JP4765536B2 (ja) 2005-10-14 2011-09-07 パナソニック株式会社 チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法
JP4988447B2 (ja) 2007-06-22 2012-08-01 リンテック株式会社 剥離装置及び剥離方法
JP5074125B2 (ja) 2007-08-09 2012-11-14 リンテック株式会社 固定治具並びにワークの処理方法
JP4964107B2 (ja) 2007-12-03 2012-06-27 東京応化工業株式会社 剥離装置
JP5210060B2 (ja) 2008-07-02 2013-06-12 東京応化工業株式会社 剥離装置および剥離方法
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
CN102202994B (zh) * 2009-08-31 2014-03-12 旭硝子株式会社 剥离装置
KR101695289B1 (ko) * 2010-04-30 2017-01-16 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법
US8758553B2 (en) 2010-10-05 2014-06-24 Skyworks Solutions, Inc. Fixtures and methods for unbonding wafers by shear force
US8758552B2 (en) 2010-06-07 2014-06-24 Skyworks Solutions, Inc. Debonders and related devices and methods for semiconductor fabrication
US8435804B2 (en) 2010-12-29 2013-05-07 Gtat Corporation Method and apparatus for forming a thin lamina
JP5323867B2 (ja) * 2011-01-19 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2013004627A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Shinryo Corp ウエハの分離装置
JP2013055307A (ja) 2011-09-06 2013-03-21 Asahi Glass Co Ltd 剥離装置、及び電子デバイスの製造方法
JP5913053B2 (ja) 2011-12-08 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5722807B2 (ja) 2012-01-17 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム
US8470129B1 (en) * 2012-05-08 2013-06-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method and machine for separating liquid crystal panel and liner pad
JP5806185B2 (ja) 2012-09-07 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 剥離システム
JP6037738B2 (ja) 2012-09-12 2016-12-07 株式会社ディスコ 環状凸部除去装置
JP5870000B2 (ja) * 2012-09-19 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP5875962B2 (ja) * 2012-09-19 2016-03-02 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP2014060348A (ja) 2012-09-19 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP6120748B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102064405B1 (ko) * 2014-02-04 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 기판 박리 장치 및 그것을 이용한 기판 박리 방법
KR20160073666A (ko) * 2014-12-17 2016-06-27 삼성디스플레이 주식회사 보조 기판의 박리 방법

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