TWI620948B - Photoelectric conversion array substrate and radiation detector - Google Patents

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Abstract

實施方式之陣列基板具備：基板，其具有在第1方向上延伸之第1邊、及在與前述第1方向交叉之第2方向上延伸之第2邊；複數條控制線，其設置於前述基板，並在前述第1方向上延伸；複數條資料線，其設置於前述基板，並在前述第2方向上延伸；光電轉換部，其設置於由前述複數條控制線與前述複數條資料線所區劃之複數個區域之各者；第1區域，其設置於前述基板之前述第2邊側之周緣區域，並設置有複數個與前述控制線電性連接的第1配線墊；及第2區域，其設置於前述基板之前述第1邊側之周緣區域，並設置有複數個與前述資料線電性連接之第2配線墊。
該陣列基板為下述情形之至少任一者，前述第1區域之在前述第1方向上延伸之中心線與前述第1邊之間的距離，與包含和設置於前述第1區域之前述複數個第1配線墊電性連接的複數條前述控制線之區域之在前述第1方向上延伸的中心線與前述第1邊之間的距離相比為長；以及，前述第2區域之在前述第2方向上延伸之中心線與前述第2邊之間的距離，與包含和設置於前述第2區域之前述複數個第2配線墊電性連接之複數條前述資料線之區域之在前述第2方向上延伸的中心線與前述第2邊之間的距離相比為長。

Description

光電轉換陣列基板及放射線檢測器
本發明之實施方式係關於一種陣列基板及放射線檢測器。
在X射線檢測器等之放射線檢測器中，設置有：陣列基板，其具有將放射線轉換為螢光之閃爍器層、及將螢光轉換為信號電荷之光電轉換元件；電路基板，其具有控制電路或放大、轉換電路；撓性印刷基板，其將設置於陣列基板之控制線與電路基板之控制電路予以電性連接；及撓性印刷基板等，該撓性印刷基板將設置於陣列基板之資料線與電路基板之放大、轉換電路予以電性連接。
又，在陣列基板之周緣區域，設置有將控制線與撓性印刷基板予以電性連接之複數個配線墊。
在電路基板之周緣區域，設置有將控制電路與撓性印刷基板予以電性連接之複數個配線墊及插槽等。
另外，在陣列基板之周緣區域，設置有將資料線與撓性印刷基板予以電性連接之複數個配線墊。
在電路基板之周緣區域，設置有將放大、轉換電路與撓性印刷基板予以電性連接之複數個配線墊及插槽等。
此處，近年來，為了謀求放射線檢測器之小型化而追求陣列基板之小型化，亦即，追求將在控制線所延伸之方向及資料線所延伸之方向上之陣列基板的尺寸之縮短。
然而，若單純地縮小陣列基板，則控制線側之設置配線墊之區 域與資料線側之設置配線墊之區域之間的距離會縮短。
因此，存在有因撓性印刷基板彼此干擾等而配線操作變得困難之虞。
又，一般而言，撓性印刷基板之平面形狀呈筆直之帶狀。
因此，在陣列基板中，若控制線側之設置配線墊之區域與資料線側之設置配線墊之區域之間的距離變短，則與此對應，在電路基板處控制電路側之設置配線墊等之區域與放大、轉換電路側之設置配線墊等之區域之間的距離亦會變短。
而且，在電路基板中，有必要設置構成電路之電阻或半導體元件等之電子部件。
因此，在電路基板中，若控制電路側之設置配線墊等之區域與放大、轉換電路側之設置配線墊等之區域之間的距離變短，則因構成控制電路之電子部件與構成放大、轉換電路之電子部件之間的距離變得過於短，而有電子部件之配置變得困難之虞。
其結果為，有無法謀求放射線檢測器之小型化之虞。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-128023號公報
本發明所欲解決之課題係提供一種能夠謀求放射線檢測器之小型化的陣列基板及放射線檢測器。
實施方式之陣列基板具備：基板，其具有在第1方向上延伸之第1邊、及在與前述第1方向交叉之第2方向上延伸之第2邊；複數條控制線，其設置於前述基板，並在前述第1方向上延伸；複數條資料線， 其設置於前述基板，並在前述第2方向上延伸；光電轉換部，其設置於由前述複數條控制線與前述複數條資料線所區劃之複數個區域之各者；第1區域，其設置於前述基板之前述第2邊側之周緣區域，並設置有複數個與前述控制線電性連接的第1配線墊；及第2區域，其設置於前述基板之前述第1邊側之周緣區域，並設置有複數個與前述資料線電性連接之第2配線墊。
該陣列基板為下述情形之至少任一者，前述第1區域之在前述第1方向上延伸之中心線與前述第1邊之間的距離，與包含和設置於前述第1區域之前述複數個第1配線墊電性連接之複數條前述控制線之區域之在前述第1方向上延伸的中心線與前述第1邊之間的距離相比為長；以及，前述第2區域之在前述第2方向上延伸之中心線與前述第2邊之間的距離，與包含和設置於前述第2區域之前述複數個第2配線墊電性連接之複數條前述資料線之區域之在前述第2方向上延伸的中心線與前述第2邊之間的距離相比為長。
1‧‧‧X射線檢測器
2‧‧‧陣列基板
2a‧‧‧基板
2a1‧‧‧邊
2a2‧‧‧邊
2b‧‧‧光電轉換部
2b1‧‧‧光電轉換元件
2b2‧‧‧薄膜電晶體
2b2a‧‧‧閘極電極
2b2b‧‧‧源極電極
2b2c‧‧‧汲極電極
2b3‧‧‧蓄積電容器
2c1‧‧‧控制線(或閘極線)
2c2‧‧‧資料線(或信號線)
2d1‧‧‧配線墊
2d2‧‧‧配線墊
2e1‧‧‧撓性印刷基板
2e2‧‧‧撓性印刷基板
2f‧‧‧保護層
2g1‧‧‧引出配線
2g2‧‧‧引出配線
3‧‧‧電路基板
3a1‧‧‧配線墊
3a2‧‧‧配線墊
4‧‧‧圖像傳送部
4a‧‧‧配線
5‧‧‧閃爍器層
6‧‧‧反射層
7‧‧‧防濕體
7a‧‧‧表面部
7b‧‧‧周面部
7c‧‧‧凸緣(帽緣)部
8‧‧‧接著層
11‧‧‧區域
11a‧‧‧中心線
12‧‧‧區域
12a‧‧‧中心線
13‧‧‧區塊
13a‧‧‧中心線
13a1‧‧‧線
13b‧‧‧中心線
13b1‧‧‧線
21‧‧‧區域
21a‧‧‧中心線
22‧‧‧區域
22a‧‧‧中心線
31‧‧‧控制電路
31a‧‧‧閘極驅動器
31b‧‧‧列選擇電路
32‧‧‧轉換電路
32a‧‧‧積分放大器
32b‧‧‧A/D轉換器
71‧‧‧X射線
102‧‧‧陣列基板
103‧‧‧電路基板
A‧‧‧有效像素區域
A1‧‧‧基板之周緣區域
L1‧‧‧距離
L2‧‧‧距離
L3‧‧‧距離
L4‧‧‧距離
S1‧‧‧控制信號
S2‧‧‧圖像資料信號(類比信號)
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係用於例示本實施方式之陣列基板2及X射線檢測器1的模式立體圖。
圖2係X射線檢測器1之周緣附近之模式剖視圖。
圖3係X射線檢測器1之模式側視圖。
圖4係X射線檢測器1之電路圖。
圖5係X射線檢測器1之方塊圖。
圖6(a)係用於例示本實施方式之陣列基板2的模式平面圖。圖6(b)係用於例示本實施方式之電路基板3的模式平面圖。
圖7(a)係用於例示比較例之陣列基板102的模式平面圖。圖7(b)係用於例示比較例之電路基板103的模式平面圖。
以下一邊參照圖式，一邊例示實施方式。又，在各圖式中，對於相同之構成要件賦予相同之符號而適宜省略其詳細之說明。
另外，本發明之實施方式之放射線檢測器除了適用於X射線以外，亦可適用於γ射線等之各種放射線。此處作為一例，取作為放射線中之具有代表性之X射線之情形為例而予以說明。因此，藉由將以下之實施方式之「X射線」置換為「其他放射線」，而亦可適用於其他之放射線。
又，以下所例示之X射線檢測器1係檢測放射線圖像即X射線圖像的X射線平面感測器。將X射線平面感測器大致分類，包括有直接轉換方式與間接轉換方式。
直接轉換方式係將入射X射線之在光導電膜(相當於光電轉換元件)內部所產生之光導電電荷(信號電荷)利用高電場直接導入電荷蓄積用之蓄積電容器之方式。
間接轉換方式係將X射線利用閃爍器層轉換為螢光(可視光)，將螢光利用光電二極體等之光電轉換元件轉換為信號電荷，並將信號電荷導入蓄積電容器之方式。
以下，作為一例將例示間接轉換方式之X射線檢測器1，但本發明之實施方式之放射線檢測器亦可適用於直接轉換方式之X射線檢測器。
此外，本發明之實施方式之放射線檢測器可用於例如一般醫療用途等，但在用途上並無限定。
圖1係用於例示本實施方式之陣列基板2及X射線檢測器1的模式立體圖。
並且，為避免繁雜，在圖1中，係將反射層6、防濕體7、及接著層8等省略描繪。
圖2係X射線檢測器1之周緣附近的模式剖視圖。
圖3係X射線檢測器1之模式側視圖。
並且，為避免繁雜，在圖2及圖3中，係將電路基板3及圖像傳送部4等省略描繪。
圖4係X射線檢測器1之電路圖。
圖5係X射線檢測器1之方塊圖。
如圖1~圖3所示般，在X射線檢測器1中，設置有陣列基板2、電路基板3、圖像傳送部4、閃爍器層5、反射層6、防濕體7、及接著層8。
陣列基板2利用閃爍器層5將自X射線71轉換之螢光(可視光)轉換為電氣信號。
陣列基板2具有：基板2a、光電轉換部2b、控制線(或閘極線)2c1、資料線(或信號線)2c2、配線墊2d1(相當於第1配線墊之一例)、配線墊2d2(相當於第2配線墊之一例)、引出配線2g1、及引出配線2g2。
基板2a呈板狀，係由玻璃等之透光性材料形成。
基板2a具有在X方向(相當於第1方向之一例)上延伸之邊2a1(相當於第1邊之一例)，及在與X方向交叉之Y方向(相當於第2方向之一例)上延伸之邊2a2(相當於第2邊之一例)。
基板2a之平面形狀可形成為四角形。
光電轉換部2b於基板2a之一個表面設置有複數個。
設置有複數個光電轉換部2b之區域成為有效像素區域A。
並且，1個光電轉換部2b係對應於1個像素(pixel)。
光電轉換部2b呈矩形，分別設置在由複數條控制線2c1與複數條資料線2c2所區劃之複數個區域。
複數個光電轉換部2b係矩陣狀地排列。
於複數個光電轉換部2b中分別設置有光電轉換元件2b1與作為開 關元件之薄膜電晶體(TFT；Thin Film Transistor)2b2。
又，於光電轉換元件2b1處可設置用以蓄積所轉換之信號電荷的蓄積電容器2b3(參照圖4)。蓄積電容器2b3呈例如矩形平板狀，可設置於薄膜電晶體2b2之下。然，根據光電轉換元件2b1之電容，光電轉換元件2b1可兼作為蓄積電容器2b3。
光電轉換元件2b1可設為例如光電二極體等。
薄膜電晶體2b2進行電荷之蓄積及放出之開關，該電荷係利用光電轉換元件2b1自螢光轉換而成。薄膜電晶體2b2可為包含非晶矽(a-Si)或多晶矽(P-Si)等之半導體材料者。
如圖4所示般，薄膜電晶體2b2具有閘極電極2b2a、源極電極2b2b及汲極電極2b2c。薄膜電晶體2b2之閘極電極2b2a係與所對應之控制線2c1電性連接。薄膜電晶體2b2之源極電極2b2b係與所對應之資料線2c2電性連接。薄膜電晶體2b2之汲極電極2b2c係與所對應之光電轉換元件2b1和蓄積電容器2b3電性連接。
控制線2c1係隔以特定之間隔彼此平行地設置有複數條。控制線2c1係在X方向上延伸。
複數條控制線2c1經由引出配線2g1分別與設置於基板2a之周緣區域A1之複數個配線墊2d1電性連接。於複數個配線墊2d1處，分別電性連接有設置於撓性印刷基板2e1之複數條配線之一端。設置於撓性印刷基板2e1之複數條配線之另一端係分別與設置於電路基板3之控制電路31電性連接。
資料線2c2係隔以特定之間隔彼此平行地設置有複數條。資料線2c2係在與X方向正交之Y方向上延伸。
複數條資料線2c2經由引出配線2g2分別與設置於基板2a之周緣區域A1之複數個配線墊2d2電性連接。於複數個配線墊2d2，分別電性連接有設置於撓性印刷基板2e2之複數條配線之一端。設置於撓性印 刷基板2e2之複數條配線之另一端係分別與設置於電路基板3之放大、轉換電路32電性連接。
引出配線2g1係與控制線2c1和配線墊2d1電性連接。
引出配線2g2係與資料線2c2和配線墊2d2電性連接。
控制線2c1、資料線2c2、及引出配線2g1、2g2係利用鋁或鉻等之低電阻金屬而形成。
另外，有關配線墊2d1、2d2之配置之細節將於後述。
保護層2f係覆蓋光電轉換部2b、控制線2c1、資料線2c2、及引出配線2g1、2g2等(參照圖2)。
保護層2f包含例如氧化物絕緣材料、氮化物絕緣材料、氮氧化物絕緣材料、及樹脂材料之至少1種。
氧化物絕緣材料係例如氧化矽、氧化鋁等。
氮化物絕緣材料係例如氮化矽、氮化鋁等。
氮氧化物絕緣材料係例如氮氧化矽等。
樹脂材料係例如丙烯酸系樹脂等。
閃爍器層5設置於有效像素區域A之上，而將入射之X射線71轉換為螢光亦即可視光。閃爍器層5以覆蓋有效像素區域A之方式設置。
閃爍器層5可利用例如碘化銫(CsI)：鉈(Tl)、或者是碘化鈉(NaI)：鉈(Tl)等而形成。該情形下，可利用真空蒸鍍法等而形成柱狀晶體之集合體。
反射層6係為了提高螢光之利用效率、改善感度特性而設置。換言之，反射層6將在閃爍器層5處所產生之螢光中的朝向與設置有光電轉換部2b之側為相反側之光予以反射，而使其朝向光電轉換部2b。
反射層6以覆蓋閃爍器層5之表面側(X射線71之入射面側)之面之方式設置。
反射層6可利用例如濺射法等之成膜法形成。該情形下，反射層 6可由銀合金或鋁等之光反射率高之金屬形成。
又，反射層6可利用例如塗佈法形成。該情形下，反射層6可由包含氧化鈦(TiO2)等之光散射性粒子之樹脂形成。
又，反射層6可以將例如板狀體予以接著等而形成。該情形下，反射層6可使用表面包含銀合金或鋁等之光反射率高之金屬的板而形成。
並且，圖2所例示之反射層6係藉由將混合包含氧化鈦之次微米粉體與黏合劑樹脂及溶媒而製成之材料塗佈在閃爍器層5上，並將其乾燥而形成者。
防濕體7係為了抑制因空氣中所包含之水蒸氣而造成之閃爍器層5及反射層6之特性之劣化而設置。
如圖3所示般，防濕體7呈有邊帽形狀，具有表面部7a、周面部7b、及凸緣(帽緣)部7c。
防濕體7可為將表面部7a、周面部7b、及凸緣部7c一體成形者。
防濕體7可由透濕係數小之材料形成。
防濕體7可由例如鋁、鋁合金、低透濕防濕材料等形成。
低透濕防濕材料可設為例如將樹脂層與無機材料(鋁等之輕金屬、SiO2、SiON、Al2O3等之陶瓷系材質)層積層而成者。
又，防濕體7之厚度尺寸可考量X射線71之吸收或防濕體7之剛性等而決定。該情形下，若將防濕體7之厚度尺寸設定得過長，則X射線71之吸收會過多。若防濕體7之厚度尺寸設定得過短，則剛性降低而易於破損。
防濕體7可將例如厚度尺寸為0.1mm之鋁箔壓製成形而形成。
表面部7a與閃爍器層5之表面側(X射線71之入射面側)相對。
周面部7b以包圍表面部7a之周緣之方式設置。周面部7b自表面部7a之周緣朝基板2a延伸。
在由表面部7a及周面部7b形成之空間之內部，設置有閃爍器層5與反射層6。並且，在不設置反射層6之情形下，在由表面部7a及周面部7b形成之空間之內部，設置有閃爍器層5。表面部7a及周面部7b與反射層6或閃爍器層5之間既可以有間隙，亦可以無間隙而接觸。
凸緣部7c以包圍周面部7b之與表面部7a側為相反側之端部之方式而設置。凸緣部7c自周面部7b之端部朝外側延伸。凸緣部7c呈環狀，以與基板2a之設置有光電轉換部2b之側的面相平行之方式而設置。
凸緣部7c經由接著層8與陣列基板2之周緣區域A1接著。
若使用有邊帽形狀之防濕體7，則能夠獲得高防濕性能。該情形下，由於防濕體7係由鋁等形成，故水蒸氣之透過為極其少。
接著層8係設置於凸緣部7c與陣列基板2之間。接著層8為藉由將紫外線硬化型之接著劑硬化而形成者。
又，接著層8之透濕率(水蒸氣之透過率)以設定為儘量小為較佳。該情形下，若在紫外線硬化型之接著劑內添加70重量%以上之無機材質之滑石(talc：Mg3Si4O10(OH)2)，則可大幅地降低接著層8之透濕係數。
電路基板3設置於基板2a之與設置有光電轉換部2b之側為相反側處(參照圖1)。
電路基板3具有控制電路31及放大、轉換電路32。
在電路基板3之周緣區域，在與設置於陣列基板2之控制線2c1側之配線墊2d1相對應之位置，設置有將控制電路31與撓性印刷基板2e1予以電性連接之配線墊3a1及插槽等。
又，在電路基板3之周緣區域，在與資料線2c2側之配線墊2d2相對應之位置，設置有將放大、轉換電路32與撓性印刷基板2e2予以電性連接之配線墊3a2及插槽等。
此外，以下係作為一例，而例示在電路基板3之周緣區域設置配 線墊3a1、3a2之情形。
另外，有關配線墊3a1、3a2之配置之細節將於後述。
如圖5所示般，控制電路31具有複數個閘極驅動器31a與列選擇電路31b。
閘極驅動器31a將控制信號S1施加至相對應之控制線2c1。
列選擇電路31b根據X射線圖像之掃描方向，將來自外部之控制信號S1傳送至相對應之閘極驅動器31a。
例如，控制電路31經由撓性印刷基板2e1與控制線2c1，將控制信號S1就各控制線2c1依次施加。利用施加至控制線2c1之控制信號S1，薄膜電晶體2b2成為導通狀態，而可接收來自光電轉換元件2b1之信號電荷(圖像資料信號S2)。
放大、轉換電路32具有複數個積分放大器32a與複數個A/D轉換器32b。
積分放大器32a經由資料線2c2與配線墊2d2及撓性印刷基板2e2，接收來自各光電轉換元件2b1之圖像資料信號S2並將其放大而輸出。自積分放大器32a輸出之圖像資料信號S2經並聯/串聯轉換而被輸入至A/D轉換器32b。
A/D轉換器32b將所輸入之圖像資料信號S2(類比信號)轉換為數位信號。
圖像傳送部4經由配線4a與電路基板3之放大、轉換電路32電性連接(參照圖1)。並且，圖像傳送部4亦可與電路基板3一體化形成。
圖像傳送部4基於利用複數個A/D轉換器32b而轉換為數位信號之圖像資料信號S2將X射線圖像予以合成。經合成之X射線圖像之資料自圖像傳送部4朝外部之機器輸出。
其次，進一步說明有關配線墊2d1、2d2之配置，及配線墊3a1、3a2之配置。
圖6(a)係用於例示本實施方式之陣列基板2的模式平面圖。
圖6(b)係用於例示本實施方式之電路基板3的模式平面圖。
此處，在圖1中，為使圖便於理解而將光電轉換部2b之數目減少，實際而言光電轉換部2b之數目(像素數)亦有達到數百萬個之情形。
因此，引出配線2g1、2g2之數目會成為龐大的數目。
因此，如圖6(a)所示般，將有效像素區域A分割成複數個區塊13，就矩陣狀地並排之複數個區塊13之每一列設置有區域11(相當於第1區域之一例)，該區域11設置有配線墊2d1。
換言之，區域11設置於基板2a之邊2a2側之周緣區域A1。於區域11設置有與控制線2c1電性連接之複數個配線墊2d1。區域11沿邊2a2設置有複數個。
並且，針對1個區域11，電性連接1個撓性印刷基板2e1。
又，就複數個區塊13之每一行，設置有區域12(相當於第2區域之一例)，該區域12設置有配線墊2d2。
換言之，區域12設置於基板2a之邊2a1側之周緣區域A1。於區域12設置有與資料線2c2電性連接之複數個配線墊2d2。區域12沿邊2a1設置有複數個。
並且，針對1個區域12，電性連接1個撓性印刷基板2e2。
如此般，可就每個區域11、12進行配線操作。因此，由於可減少在1次配線操作中所連接之配線的數目，故可提高配線操作之操作性。
此外，有效像素區域A之分割數並非限定於例示之數目，可相應於光電轉換部2b之數目而予以適宜變更。
該情形下，根據光電轉換部2b之數目亦可不分割有效像素區域A。
在不分割有效像素區域A之情形下，可一個個地設置區域11及區域12。
圖7(a)係用於例示比較例之陣列基板102的模式平面圖。
圖7(b)係用於例示比較例之電路基板103的模式平面圖。
如圖7(a)所示般，在比較例之陣列基板102中，複數個區塊13之列之中心線13a與區域11之中心線11a係在同一直線上。
又，複數個區塊13之行之中心線13b與區域12之中心線12a係在同一直線上。
於此，近年來，為了謀求X射線檢測器1之小型化，而追求陣列基板2之小型化，亦即，將在控制線2c1所延伸之方向及資料線2c2所延伸之方向上之陣列基板2的尺寸縮短。
該情形下，由於不能減小有效像素區域A，故要將以圍著有效像素區域A之方式而設置之邊框狀之周緣區域A1之尺寸縮短。
然而，若將邊框狀之周緣區域A1之尺寸縮短，則區域11與區域12之間的距離L1會變短。
因此，存在因撓性印刷基板2e1與撓性印刷基板2e2干擾等而配線操作變得困難之虞。
又，如圖7(b)所示般，於電路基板103處設置有區域21，其設置有控制電路31之配線墊3a1；及區域22，其設置有放大、轉換電路32之配線墊3a2。
一般而言，撓性印刷基板2e1、2e2之平面形狀呈筆直之帶狀。
又，如圖1所示般，陣列基板2與電路基板3係以積層之方式而設置。
因此，在從Z方向觀察X射線檢測器1之情形時，區域11之中心線11a與區域21之中心線21a係在同一直線上。又，區域12之中心線12a與區域22之中心線22a係在同一直線上。
其結果為，若區域11與區域12之間的距離L1變短，則與此對應，在電路基板103處之區域21與區域22之間的距離L2亦會變短。
又，於電路基板103設置有控制電路31與放大、轉換電路32。因此，在電路基板103中，設置有構成該等電路之電阻或半導體元件等之電子部件。
而且，該等電子部件亦設置於區域21、22之附近。
該情形下，若區域21與區域22之間的距離L2變短，則因構成控制電路31之電子部件與構成放大、轉換電路32之電子部件之間的距離變得過於短，而有電子部件之配置變得困難之虞。
其結果為，有無法謀求X射線檢測器1之小型化之虞。
相對於此，在本實施方式之陣列基板2中，如圖6(a)所示般，區域11之中心線11a和基板2a之設置有區域12之側之邊2a1之間的距離，與複數個區塊13之列之中心線13a和基板2a之邊2a1之間的距離相比為長。
換言之，區域11之中心線11a相對於複數個區塊13之列之中心線13a，位於與設置有區域12之側為相反側之位置。
又，區域12之中心線12a和基板2a之設置有區域11側之邊2a2之間的距離，與複數個區塊13之行之中心線13b和基板2a之邊2a2之間的距離相比為長。
換言之，區域12之中心線12a相對於複數個區塊13之行之中心線13b，位於與設置有區域11之側為相反側之位置。
如此般，可將區域11與區域12之間的距離L3加長。
因此，可抑制撓性印刷基板2e1與撓性印刷基板2e2之干擾。並且，易於進行配線操作。
此外，如圖6(b)所示般，控制電路31側之設置配線墊3a1之區域21之中心線21a的位置，為與區域11之中心線11a之位置相對應者。
換言之，區域21之中心線21a係相對於與複數個區塊13之列之中心線13a對應之線13a1，而位於與設置有區域22之側為相反側之位置。
另外，放大、轉換電路32側之設置配線墊3a2之區域22之中心線22a的位置，為與區域12之中心線12a之位置相對應者。
換言之，區域22之中心線22a係相對於與複數個區塊13之行之中心線13b對應之線13b1，而位於與設置有區域21之側為相反側之位置。
其結果為，相應於區域11與區域12之間的距離L3，區域21與區域22之間的距離L4變長。若區域21與區域22之間之距離L4變長，則可將構成控制電路31之電子部件與構成放大、轉換電路32之電子部件之間的距離加長，從而電子部件之配置變得容易。
其結果為，謀求X射線檢測器1之小型化變得容易。
並且，以上所例示者，係區域11之中心線11a與中心線13a偏移，且區域12之中心線12a與中心線13b偏移之情形，但亦可將至少一者偏移。
換言之，為下述情形之至少任一者即可：區域11之在X方向上延伸之中心線11a與邊2a1之間的距離，與包含和設置於區域11之複數個配線墊2d1電性連接的複數條控制線2c1之區域之在X方向上延伸的中心線13a與邊2a1之間的距離相比為長，以及，區域12之在Y方向上延伸之中心線12a與邊2a2之間的距離，與包含和設置於區域12之複數個配線墊2d2電性連接之複數條資料線2c2之區域之在Y方向上延伸的中心線13b與邊2a2之間的距離相比為長。
以上係例示了本發明之若干個實施方式，但該等實施方式，係作為例子而提出者，並非意欲限定本發明之範圍。該等新穎之實施方式可利用其他各種方式予以實施，在不脫離本發明之要旨範圍內，可 進行各種省略、置換、變更等。該等實施方式或其變化例，係包含於本發明之範圍及要旨內，且包含於申請專利範圍所記載之本發明及其均等之範圍內。又，前述之各實施方式可相互組合而實施。

Claims (6)

  1. 一種光電轉換陣列基板，其具備：基板，該基板具有在第1方向上延伸之第1邊、及在與前述第1方向交叉之第2方向上延伸之第2邊；複數條控制線，其設置於前述基板，並在前述第1方向上延伸；複數條資料線，其設置於前述基板，並在前述第2方向上延伸；光電轉換部，其設置於由前述複數條控制線與前述複數條資料線區劃之複數個區域之各者；第1區域，其設置於前述基板之前述第2邊側之周緣區域，並設置有複數個與前述控制線電性連接之第1配線墊；第2區域，其設置於前述基板之前述第1邊側之周緣區域，並設置有複數個與前述資料線電性連接之第2配線墊；且該陣列基板為下述情形之至少任一者，前述第1區域之在前述第1方向上延伸之中心線與前述第1邊之間的距離，與包含和設置於前述第1區域之前述複數個第1配線墊電性連接的複數條前述控制線之區域之在前述第1方向上延伸的中心線與前述第1邊之間的距離相比為長；及前述第2區域之在前述第2方向上延伸之中心線與前述第2邊之間的距離，與包含和設置於前述第2區域之前述複數個第2配線墊電性連接之複數條前述資料線之區域之在前述第2方向上延伸的中心線與前述第2邊之間的距離相比為長。
  2. 如請求項1之光電轉換陣列基板，其中前述基板之平面形狀為四角形。
  3. 如請求項1或2之光電轉換陣列基板，其中前述第1區域係沿前述第2邊設置有複數個。
  4. 如請求項1或2之光電轉換陣列基板，其中前述第2區域係沿前述第1邊設置有複數個。
  5. 如請求項3之光電轉換陣列基板，其中前述第2區域係沿前述第1邊設置有複數個。
  6. 一種放射線檢測器，其具備：如請求項1~5中任一項之光電轉換陣列基板；電路基板，其設置於前述陣列基板之與光電轉換部之側為相反側處，且具有控制電路與放大、轉換電路；撓性印刷基板，其將設置於前述陣列基板之第1區域之複數個第1配線墊與前述控制電路予以電性連接；及撓性印刷基板，其將設置於前述陣列基板之第2區域之複數個第2配線墊與前述放大、轉換電路予以電性連接。
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