TWI620349B - 覆晶式發光二極體晶片 - Google Patents
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Abstract
一種覆晶式發光二極體晶片包含第一半導體結構。
第一半導體結構包含P型半導體層、N型半導體層、多個開口、反射層、阻隔層、鈍化層以及電性接觸層。開口穿過P型半導體層與部份N型半導體層，並裸露部份N型半導體層。反射層設置於P型半導體層之上。阻隔層設置於反射層之上，阻隔層之面積小於反射層之面積，以使反射層露出於阻隔層之外。鈍化層設置於阻隔層上，且部份填入開口中。電性接觸層設置於鈍化層上，且部份貫穿鈍化層至與裸露的部份N型半導體層接觸。
Description
本發明是關於一種覆晶式發光二極體晶片。
近年來，發光二極體由於指向性高、節能等優點，已大量地應用於多種照明裝置與顯示裝置上。完善的發光二極體，除了發光二極體其發光層本身的設置，往往需要搭配對應的晶片結構，以提升輸出效益，並改善發光二極體的可靠度、產品壽命等等。
一般而言，發光二極體的晶片結構中常常設置有反射層，用以調整光線的輸出方向，並提升發光二極體輸出光效率。反射層容易遭受外來水氣影響而氧化，氧化後容易降低反射率、脫落或剝離，因此，結構上常搭配有屏蔽水氣入侵的元件設置。然而，這些屏蔽水氣入侵的元件可能會造成輸出光線強度的降低。
本發明提供一種覆晶式發光二極體晶片，其藉由金屬層的設置增加屏蔽水氣入侵的面積、保護反射層免於氧化，同時提高反射範圍，提升發光二極體的輸出光強度、可靠度與產品壽命。
本發明之一態樣提供一種覆晶式發光二極體晶片，包含第一半導體結構。第一半導體結構包含第一P型半導體層、第一主動層、第一N型半導體層、多個第一開口、第一反射層、第一阻隔層、鈍化層以及第一電性接觸層。第一主動層設置於第一P型半導體層與第一N型半導體層之間。第一開口穿過第一P型半導體層、第一主動層與部份第一N型半導體層，並裸露部份第一N型半導體層。第一反射層設置於第一P型半導體層之上。第一阻隔層設置於第一反射層之上，第一阻隔層之面積小於第一反射層之面積，以使第一反射層露出於第一阻隔層之外。鈍化層設置於第一阻隔層上，且部份填入第一開口中以將第一P型半導體層、第一主動層、第一N型半導體層、第一反射層以及第一阻隔層所顯露之表面包覆，並與裸露的部份第一N型半導體層接觸。第一電性接觸層設置於鈍化層上，且部份貫穿鈍化層至與裸露的部份第一N型半導體層接觸。
於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層的反射率大於第一阻隔層的反射率。
於本發明之一或多個實施方式中，第一電性接觸層包含第一接觸墊與多個第一延伸部，第一接觸墊設置於鈍化層上，第一延伸部自第一接觸墊向第一開口延伸貫穿鈍化層至與裸露的部份第一N型半導體層接觸。
於本發明之一或多個實施方式中，第一接觸墊與第一延伸部之材質為金屬。
於本發明之一或多個實施方式中，第一半導體結構包含第一透明導電層，設置於第一P型半導體層與第一反射層之間。
於本發明之一或多個實施方式中，覆晶式發光二極體晶片更包含第二半導體結構，第二半導體結構包含第二P型半導體層、第二主動層、第二N型半導體層、第二反射層、第二阻隔層、第二電性接觸層。第二主動層設置於第二P型半導體層與第二N型半導體層之間。第二反射層設置於第二P型半導體層之上。第二阻隔層，設置於第二反射層之上，鈍化層亦包覆第二P型半導體層、第二主動層、第二N型半導體層、第二反射層以及第二阻隔層所顯露之表面。第二電性接觸層設置於鈍化層之上，且部份貫穿鈍化層至與第二阻隔層接觸。
於本發明之一或多個實施方式中，第二電性接觸層包含第二接觸墊與第二延伸部，第二接觸墊設置於鈍化層之上且部份貫穿鈍化層至與第二阻隔層接觸，第二延伸部自第二接觸墊向第二N型半導體層延伸。
於本發明之一或多個實施方式中，第二反射層鄰近第二延伸部之一側，露出於第二阻隔層之外。
於本發明之一或多個實施方式中，鈍化層鄰近第二延伸部之一側具有側表面及底表面，第二延伸部依附並沿著側表面延伸至底表面。
本發明之另一態樣提供一種覆晶式發光二極體晶片，包含第二半導體結構。第二半導體結構包含第二P型半導體層、第二主動層、第二N型半導體層、第二反射層、第二阻
隔層、鈍化層、第二電性接觸層。第二主動層設置於第二P型半導體層與第二N型半導體層之間。第二反射層設置於第二P型半導體層之上。第二阻隔層設置於第二反射層之上，鈍化層亦包覆第二P型半導體層、第二主動層、第二N型半導體層、第二反射層以及第二阻隔層。第二電性接觸層設置於鈍化層之上，第二電性接觸層包含第二延伸部與第二接觸墊，第二接觸墊設置於鈍化層之上且部份貫穿鈍化層至與第二阻隔層接觸，第二延伸部自第二接觸墊向第二N型半導體層延伸。
於本發明之一或多個實施方式中，第二電性接觸層包含第二接觸墊與第二延伸部，第二接觸墊設置於鈍化層之上且部份貫穿鈍化層至與第二阻隔層接觸，第二延伸部自第二接觸墊向第二N型半導體層延伸。
於本發明之一或多個實施方式中，第二反射層鄰近第二延伸部之一側，露出於第二阻隔層之外。
於本發明之一或多個實施方式中，鈍化層鄰近第二延伸部之一側具有側表面及底表面，第二延伸部依附並沿著側表面延伸至底表面。
於本發明之一或多個實施方式中，第二反射層的反射率大於第二阻隔層的反射率。
於本發明之一或多個實施方式中，覆晶式發光二極體晶片更包含一第一半導體結構。第一半導體結構包含第一P型半導體層、第一主動層、第一N型半導體層、多個第一開口、第一反射層、第一阻隔層、鈍化層以及第一電性接觸層。第一主動層設置於第一P型半導體層與第一N型半導體層之
間。第一開口穿過第一P型半導體層、第一主動層與部份第一N型半導體層，並裸露部份第一N型半導體層。第一反射層設置於第一P型半導體層之上。第一阻隔層設置於第一反射層之上，第一阻隔層之面積小於第一反射層之面積，以使第一反射層露出於第一阻隔層之外。鈍化層設置於第一阻隔層上，且部份填入第一開口中以將第一P型半導體層、第一主動層、第一N型半導體層、第一反射層以及第一阻隔層所顯露之表面包覆，並與裸露的部份第一N型半導體層接觸。第一電性接觸層設置於鈍化層上，且部份貫穿鈍化層至與裸露的部份第一N型半導體層接觸。
於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層的反射率大於第一阻隔層的反射率。
於本發明之一或多個實施方式中，第一電性接觸層包含第一接觸墊與多個第一延伸部，第一接觸墊設置於鈍化層上，第一延伸部自第一接觸墊向第一開口延伸貫穿鈍化層至與裸露的部份第一N型半導體層接觸。
於本發明之一或多個實施方式中，第一接觸墊與第一延伸部之材質為金屬。
於本發明之一或多個實施方式中，第一半導體結構包含第一透明導電層，設置於第一P型半導體層與第一反射層之間。
於本發明之一或多個實施方式中，覆晶式發光二極體晶片更包含第一反射層、第一阻隔層以及第一電性接觸層。第一反射層設置於第二N型半導體層上未設置第二主動層
的位置。第一阻隔層設置於第一反射層之上並包覆第一反射層。第一電性接觸層設置於第一阻隔層上，其中鈍化層設置於第一阻隔層與第一電性接觸層之間，鈍化層包含開口，開口連通第一阻隔層與第一電性接觸層。
100‧‧‧覆晶式發光二極體晶片
200‧‧‧第一半導體結構
210‧‧‧第一P型半導體層
220‧‧‧第一主動層
230‧‧‧第一N型半導體層
240‧‧‧第一開口
250‧‧‧第一反射層
260‧‧‧第一阻隔層
270‧‧‧鈍化層
280‧‧‧第一電性接觸層
282‧‧‧第一接觸墊
284‧‧‧第一延伸部
290‧‧‧第一透明導電層
300‧‧‧第二半導體結構
310‧‧‧第二P型半導體層
320‧‧‧第二主動層
330‧‧‧第二N型半導體層
340‧‧‧第二反射層
350‧‧‧第二阻隔層
360‧‧‧第二電性接觸層
370‧‧‧第二透明導電層
400‧‧‧覆晶式發光二極體
晶片
500‧‧‧第二半導體結構
510‧‧‧第二P型半導體層
520‧‧‧第二主動層
530‧‧‧第二N型半導體層
540‧‧‧第二反射層
542‧‧‧端
544‧‧‧端
550‧‧‧第二阻隔層
560‧‧‧鈍化層
562‧‧‧側表面
564‧‧‧底表面
566‧‧‧鈍化層開口
570‧‧‧第二電性接觸層
572‧‧‧第二接觸墊
574‧‧‧第二延伸部
580‧‧‧第二透明導電層
610‧‧‧第一反射層
620‧‧‧第一阻隔層
630‧‧‧第一電性接觸層
700‧‧‧覆晶式發光二極體晶片
第1圖為根據本發明之一實施方式之覆晶式發光二極體晶片之剖面圖。
第2圖為根據本發明之另一實施方式之覆晶式發光二極體晶片之剖面圖。
第3圖為根據本發明之再一實施方式之覆晶式發光二極體晶片之剖面圖。
以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。
參照第1圖，第1圖為根據本發明之一實施方式之覆晶式發光二極體晶片100之剖面圖。覆晶式發光二極體晶片100包含第一半導體結構200。第一半導體結構200包含第一P
型半導體層210、第一主動層220、第一N型半導體層230、多個第一開口240、第一反射層250、第一阻隔層260、鈍化層270以及第一電性接觸層280。第一P型半導體層210設置於第一N型半導體層230之上，第一主動層220設置於第一P型半導體層210與第一N型半導體層230之間。第一開口240穿過第一P型半導體層210、第一主動層220與部份第一N型半導體層230，並裸露部份第一N型半導體層230。第一反射層250設置於第一P型半導體層210之上。第一阻隔層260設置於第一反射層250之上。鈍化層270設置於第一阻隔層260上，且部份填入第一開口240中以將第一P型半導體層210、第一主動層220、第一N型半導體層230、第一反射層250以及第一阻隔層260所顯露之表面包覆，並與裸露的部份第一N型半導體層230接觸。第一電性接觸層280設置於鈍化層270上，且部份貫穿鈍化層270至與裸露的部份第一N型半導體層230接觸。
於本實施方式中，第一反射層250是配置用以反射光線。第一阻隔層260是配置用以保護並固定第一反射層250，以免第一反射層250氧化、剝離。於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層250的反射率大於第一阻隔層260的反射率。此外，理想上，第一反射層250與第一阻隔層260由導電材料形成。舉例而言，第一反射層250的材料可以是銀、鋁、銀合金或上述之組合。第一阻隔層260的可以是鈦、鉑、金、鎳、鎢、鎢鈦合金、鋁、銀合金或上述之組合。
於本發明之一或多個實施方式中，第一半導體結構200還包含第一透明導電層290，設置於第一P型半導體層
210與第一反射層250之間。第一透明導電層290改善第一P型半導體層210與第一反射層250之間的電流分佈。須注意的是，第一透明導電層290僅為選擇性的設置，並非必要之配置。
於本實施方式中，第一電性接觸層280包含第一接觸墊282與多個第一延伸部284，第一接觸墊282設置於鈍化層270上，第一延伸部284自第一接觸墊282向第一開口240延伸貫穿鈍化層270至與裸露的部份第一N型半導體層230接觸。換句話說，第一延伸部284設置於第一開口240內，並往第一N型半導體層230延伸以與第一N型半導體層230接觸。於此，第一開口240設置於第一反射層250之周圍，使得第一延伸部284亦設置於第一反射層250之周圍。
於此，第一接觸墊282與第一延伸部284之材質為金屬，具有導電之功用，用以使第一電性接觸層280與第一N型半導體層230電性連接。相對於鈍化層材料，金屬材料具有水氣較難滲入之優點。如此一來，透過設置第一電性接觸層280於第一反射層250周圍，可限制水氣從外部經鈍化層270傳送至第一反射層250的路徑，進而較佳地保護第一反射層250免於氧化。
於本發明之一或多個實施方式中，覆晶式發光二極體晶片100可包含第二半導體結構300。第二半導體結構300亦包含第二P型半導體層310、第二主動層320、第二N型半導體層330、第二反射層340、第二阻隔層350、第二電性接觸層360、第二透明導電層370。第二半導體結構300的配置大致上與第一半導體結構200相似，差別在於其中的第二電性接觸層
360是連接至第二阻隔層350，而非第二N型半導體層330。第二阻隔層350材質可為鈦、鉑、金、鎳、鎢、鎢鈦合金、鋁、銀合金或上述之組合。
如此一來，第二電性接觸層360可透過第二阻隔層350、第二反射層340、第二透明導電層370而電性連接第二P型半導體層310。於本發明之一或多個實施例中，第一P型半導體層210與第二P型半導體層310為同一層，第一N型半導體層230與第二N型半導體層330為同一層。詳細而言，第一P型半導體層210與第二P型半導體層310是互相連接的，而第一N型半導體層230與第二N型半導體層330是互相連接的。因此，第二電性接觸層360電性連接第二P型半導體層310與第一P型半導體層210，而第一電性接觸層280電性連接第一N型半導體層230與第二N型半導體層330。
於本實施方式中，透過第一電性接觸層280與第二電性接觸層360，可操控覆晶式發光二極體晶片100之第一半導體結構200與第二半導體結構300發出光線。
於本實施方式中，由於第一電性接觸層280的設置可以保護第一反射層250免受水氣入侵，因此可以較不依賴第一阻隔層260保護第一反射層250。可設計第一阻隔層260之面積小於第一反射層250之面積，以使第一反射層250露出於第一阻隔層260之外。如此一來，可避免光線輸送至第一阻隔層260上而無法反射的情況，進而增加輸出光的光強度。根據實驗結果顯示，採用本實施方式可以提升覆晶式發光二極體晶片之輸出光強度大約2~6%。
參照第2圖，第2圖為根據本發明之另一實施方式之覆晶式發光二極體晶片400之剖面圖。本實施方式以相同於前述第1圖之實施方式中利用金屬材料阻擋水氣的概念，設計另一種覆晶式發光二極體晶片400。
覆晶式發光二極體晶片400包含第二半導體結構500。第二半導體結構500包含第二P型半導體層510、第二主動層520、第二N型半導體層530、第二反射層540、第二阻隔層550、鈍化層560、第二電性接觸層570。第二P型半導體層510設置於第二N型半導體層530之上，第二主動層520設置於第二P型半導體層510與第二N型半導體層530之間。第二反射層540設置於第二P型半導體層510之上。第二阻隔層550設置於第二反射層540之上。鈍化層560亦包覆第二P型半導體層510、第二主動層520、第二N型半導體層530、第二反射層540以及第二阻隔層550。第二電性接觸層570設置於鈍化層560之上。須注意的是，相較於第1圖之實施方式，本實施方式的特別之處在於：第二電性接觸層570包含第二接觸墊572與第二延伸部574，第二接觸墊572設置於鈍化層560之上且部份貫穿鈍化層560至與第二阻隔層550接觸，第二延伸部574自第二接觸墊572向第二N型半導體層530延伸。
詳細而言，鈍化層560鄰近第二延伸部574之一側具有側表面562及底表面564，第二延伸部574依附並沿著側表面562延伸至底表面564。第二延伸部574應配置不連接至第二N型半導體層530，但盡量接近第二N型半導體層530，使水氣難以通過第二延伸部574與第二N型半導體層530之間的間
隙。如此一來，水氣從外部經鈍化層560傳送至第二反射層540的路徑會受到第二延伸部574阻擋，而使水氣不易入侵。
於本發明之一或多個實施方式中，由於設置有第二延伸部574阻擋水氣，因此第二反射層540鄰近第二延伸部574之一側，可露出於第二阻隔層550之外，例如第二反射層540之一端542。而第二反射層540之另一端544仍受到第二阻隔層550覆蓋，以保護其免於水氣入侵。
如同前述，於本發明之一或多個實施方式中，第二半導體結構500可包含第二透明導電層580，設置於第二P型半導體層510與第二反射層540之間。第二透明導電層580改善第二P型半導體層510與第二反射層540之間的電流分佈。須注意的是，第二透明導電層580僅為選擇性的設置，並非必要之配置。
如同前述第1圖的實施方式，於本實施方式中，第二反射層540的反射率大於第二阻隔層550的反射率。第二阻隔層550材質可為鈦、鉑、金、鎳、鎢、鎢鈦合金、鋁、銀合金或上述之組合。其他相關的細節大致上皆與第1圖之實施方式相同，在此不再贅述。
於本發明之一或多個實施方式中，覆晶式發光二極體晶片400更包含第一反射層610、第一阻隔層620以及第一電性接觸層630。第一反射層610設置於第二N型半導體層530上未設置第二主動層520的位置。第一阻隔層620設置於第一反射層610上，且包覆第一反射層610。在此，第一反射層610可以配置完全被第一阻隔層620與第二N型半導體層530包覆
而不外露。第一電性接觸層630設置於第一阻隔層620上。鈍化層560可以設置於第一阻隔層620與第一電性接觸層630之間。鈍化層560包含鈍化層開口566，鈍化層開口566連通第一阻隔層620與第一電性接觸層630，使第一阻隔層620與第一電性接觸層630互相電性連接。
於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層610的材料與第二反射層540的材料相似，且第一阻隔層620的材料與第二阻隔層550的材料相似。在製程方面，第一反射層610與第二反射層540可以由同一步驟設置完成，而第一阻隔層620與第二阻隔層550可以由同一步驟設置完成。
如此一來，第一電性接觸層630與第二N型半導體層530電性連接。透過第一電性接觸層630與第二半導體結構500之第二電性接觸層570，可電性操控覆晶式發光二極體晶片400。
於本實施方式中，第二阻隔層550並未完全覆蓋第二反射層540之一端542，因此來自第二主動層520的光線，在鄰近第二延伸部574之一側，並不傳遞至第二阻隔層550而不受第二阻隔層550反射，而僅受到第二反射層540反射。由於第二反射層540具有較高的反射率，因此可以提升光線輸出強度。且，藉由第二電性接觸層570的配置，可以適當的阻隔水氣的入侵，以保護外露的第二反射層540。
參照第3圖，第3圖為根據本發明之再一實施方式之覆晶式發光二極體晶片700之剖面圖。本實施方式中的覆晶式發光二極體晶片700包含第一半導體結構200與第二半導體
結構500。可以透過第一半導體結構200之第一電性接觸層280與第二半導體結構500之第二電性接觸層570電性操控覆晶式發光二極體晶片700。
由於本實施方式之覆晶式發光二極體晶片700之第一半導體結構200與第二半導體結構500已詳細揭露於第1圖與第2圖之實施方式中，在此不再贅述其相關配置。
如同前述，第一半導體結構200與第二半導體結構500分別包含第一電性接觸層280與第二電性接觸層570，其由金屬材料製造而成。如此一來，藉由金屬材料之第一電性接觸層280與第二電性接觸層570，除了可電性操控覆晶式發光二極體晶片100之外，還可阻擋水氣從外部經過鈍化層270或鈍化層560而入侵第一反射層250和第二反射層540的路徑，縮減阻隔層所佔面積，使第一反射層250和第二反射層540面積可較習知大，即增加反射面積，提高出光效率。
本發明提供一種覆晶式發光二極體晶片，其藉由金屬層的設置增加屏蔽水氣入侵的面積、保護反射層免於氧化，同時增加反射範圍，提升發光二極體的輸出光強度、可靠度與產品壽命。
雖然本發明已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (20)
- 一種覆晶式發光二極體晶片，包含：一第一半導體結構，包含：一第一P型半導體層、一第一主動層與一第一N型半導體層，該第一主動層設置於該第一P型半導體層與該第一N型半導體層之間；複數個第一開口，該些第一開口穿過該第一P型半導體層、該第一主動層與部份該第一N型半導體層，並裸露部份該第一N型半導體層；一第一反射層，設置於該第一P型半導體層之上，其中該些第一開口設置於該第一反射層周圍；一第一阻隔層，設置於該第一反射層之上，該第一阻隔層之面積小於該第一反射層之面積，以使該第一反射層露出於該第一阻隔層之外；一鈍化層，設置於該第一阻隔層上，且部份填入該些第一開口中以將該第一P型半導體層、該第一主動層、該第一N型半導體層、該第一反射層以及該第一阻隔層所顯露之表面包覆，並與該裸露的部份第一N型半導體層接觸；以及一第一電性接觸層，設置於該鈍化層上，且部份貫穿該鈍化層至與該裸露的部份第一N型半導體層接觸。
- 如請求項1所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第一反射層的反射率大於該第一阻隔層的反射率。
- 如請求項2所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第一電性接觸層包含一第一接觸墊與複數個第一延伸 部，該第一接觸墊設置於該鈍化層上，該些第一延伸部自該第一接觸墊向該些第一開口延伸貫穿該鈍化層至與該裸露的部份第一N型半導體層接觸。
- 如請求項3所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第一接觸墊與該些第一延伸部之材質為金屬。
- 如請求項1所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第一半導體結構包含一第一透明導電層，設置於該第一P型半導體層與該第一反射層之間。
- 如請求項1所述之覆晶式發光二極體晶片，更包含一第二半導體結構，包含：一第二P型半導體層、一第二主動層與一第二N型半導體層，該第二主動層設置於該第二P型半導體層與該第二N型半導體層之間；一第二反射層，設置於該第二P型半導體層之上；一第二阻隔層，設置於該第二反射層之上，該鈍化層亦包覆該第二P型半導體層、該第二主動層、該第二N型半導體層、該第二反射層以及該第二阻隔層所顯露之表面；以及一第二電性接觸層，設置於該鈍化層之上，且部份貫穿該鈍化層至與該第二阻隔層接觸。
- 如請求項6所述之覆晶式發光二極體晶片，其中，該第二電性接觸層包含一第二接觸墊與一第二延伸部，該第二接觸墊設置於該鈍化層之上且部份貫穿該鈍化層至與該第二阻隔層接觸，該第二延伸部自該第二接觸墊向該第二N型半導體層延伸。
- 如請求項7所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第二反射層鄰近該第二延伸部之一側，露出於該第二阻隔層之外。
- 如請求項8所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該鈍化層鄰近該第二延伸部之一側具有一側表面及一底表面，該第二延伸部依附並沿著該側表面延伸至該底表面。
- 一種覆晶式發光二極體晶片，包含一第二半導體結構，包含：一第二P型半導體層、一第二主動層與一第二N型半導體層，該第二主動層設置於該第二P型半導體層與該第二N型半導體層之間；一第二反射層，設置於該第二P型半導體層之上；一第二阻隔層，設置於該第二反射層之上；一鈍化層，包覆該第二P型半導體層、該第二主動層、該第二N型半導體層、該第二反射層以及該第二阻隔層；以及一第二電性接觸層，設置於該鈍化層之上，其中該第二電性接觸層包含一第二延伸部與一第二接觸墊，該第二接觸墊設置於該鈍化層之上且部份貫穿該鈍化層至與該第二阻隔層接觸，該第二延伸部自該第二接觸墊向該第二N型半導體層延伸。
- 如請求項10所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第二反射層鄰近該第二延伸部之一側，露出於該第二阻隔層之外。
- 如請求項11所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該鈍化層鄰近該第二延伸部之一側具有一側表面及一底表面，該第二延伸部依附並沿著該側表面延伸至該底表面。
- 如請求項10所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第二反射層的反射率大於該第二阻隔層的反射率。
- 如請求項10所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第二半導體結構包含一第二透明導電層，設置於該第二P型半導體層與該第二反射層之間。
- 如請求項10所述之覆晶式發光二極體晶片，更包含一第一半導體結構，包含：一第一P型半導體層、一第一主動層與一第一N型半導體層，該第一主動層設置於該第一P型半導體層與該第一N型半導體層之間；複數個第一開口，該些第一開口穿過該第一P型半導體層、該第一主動層與部份該第一N型半導體層，並裸露部份該第一N型半導體層；一第一反射層，設置於該第一P型半導體層之上；一第一阻隔層，設置於該第一反射層之上，該第一阻隔層之面積小於該第一反射層之面積，以使該第一反射層露出於該第一阻隔層之外；一鈍化層，設置於該第一阻隔層上，且部份填入該些第一開口中以將該第一P型半導體層、該第一主動層、該第一N型半導體層、該第一反射層以及該第一阻隔層所顯露之表面包覆，並與該裸露的部份第一N型半導體層接觸；以及 一第一電性接觸層，設置於該鈍化層上，且部份貫穿該鈍化層至與該裸露的部份第一N型半導體層接觸。
- 如請求項15所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第一反射層的反射率大於該第一阻隔層的反射率。
- 如請求項16所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第一電性接觸層包含一第一接觸墊與複數個第一延伸部，該第一接觸墊設置於該鈍化層上，該些第一延伸部自該第一接觸墊向該些第一開口延伸貫穿該鈍化層至與該裸露的部份第一N型半導體層接觸。
- 如請求項17所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第一接觸墊與該些第一延伸部之材質為金屬。
- 如請求項15所述之覆晶式發光二極體晶片，其中該第一半導體結構包含一第一透明導電層，設置於該第一P型半導體層與該第一反射層之間。
- 如請求項10所述之覆晶式發光二極體晶片，更包含：一第一反射層，設置於該第二N型半導體層上未設置該第二主動層的位置；一第一阻隔層，設置於該第一反射層之上並包覆該第一反射層；以及一第一電性接觸層，設置於該第一阻隔層上，其中該鈍化層設置於該第一阻隔層與該第一電性接觸層之間，該鈍化層包含一鈍化層開口，該鈍化層開口連通該第一阻隔層與該第一電性接觸層。
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