TWI548123B - 發光二極體結構 - Google Patents

Description

發光二極體結構

本發明是關於一種發光二極體結構。

近年來，發光二極體由於指向性高、節能等優點，已大量地應用於多種照明裝置與顯示裝置上。完善的發光二極體需要搭配對應的封裝結構，才能達到理想的輸出光強度與均勻度，因此在發光二極體的產業中，除了發光二極體其發光層本身的設置，例如半導體層，搭配發光二極體的封裝結構亦是重要的一環。

一般而言，為了提升發光二極體的輸出光強度，常常在發光二極體的封裝結構內設置反射層，用以反射發光二極體的輸出光線，而使發光二極體可以從單一方向出光，此種封裝結構幫助發光二極體可應用於多種照明裝置與顯示裝置，但是此種封裝結構的反射層容易受環境之水氣、溫度、酸等影響，從而產生遷移(migration)、剝離(peeling)、腐蝕等問題。

本發明提供一種發光二極體結構，其藉由兩種不同材料的反射層共同形成一反射面，提升反射面之面積，進而 可在不犧牲輸出光強度的狀況下保護反射層免受環境之水氣、溫度、酸等影響。

本發明之一態樣提供一種發光二極體結構，包含第一型半導體層、主動層、第二型半導體層以及反射堆疊層。主動層設置於第一型半導體層與第二型半導體層之間。反射堆疊層包含第一反射層以及第二反射層。第一反射層設置於第二型半導體層相對於主動層之一側。第二反射層設置於第一反射層相對於第二型半導體層之一側，且第二反射層沿第一反射層之側表面延伸至第二型半導體層表面。第一反射層鄰近第二型半導體層具有第一表面，第二反射層鄰近第二型半導體層具有第二表面，第二反射層於第二型半導體層的垂直投影面積大於第一反射層於第二型半導體層的垂直投影面積。第二反射層之抗遷移性優於第一反射層之抗遷移性。

於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層之反射率大於第二反射層之反射率。

於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層之反射率之範圍大約為90%~100%，第二反射層之反射率大於大約80%但低於第一反射層之反射率。

於本發明之一或多個實施方式中，第一表面與第二表面共同形成反射堆疊層之反射面。

於本發明之一或多個實施方式中，第一表面占反射面之面積大約80~99%，第二表面占反射面之面積約1~20%。

於本發明之一或多個實施方式中，第一表面占反射面之面積大約90~95%，第二表面占反射面之面積約5~10%。

於本發明之一或多個實施方式中，反射堆疊層包含第一阻障層，設置於第一反射層與第二反射層之間。

於本發明之一或多個實施方式中，反射堆疊層包含第二阻障層，設置於第二反射層相對於第一反射層之一側。

於本發明之一或多個實施方式中，發光二極體結構更包含電流阻擋層，第二反射層更包含凹槽，設置於第二反射層朝向第二型半導體層之一側，電流阻擋層設置於凹槽中且鄰接第二型半導體層。

於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層於第二型半導體層的投影位在第二反射層於第二型半導體層的投影之內。

於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層之材料為銀，第二反射層之材料為鋁、銠、銀合金或其組合。

於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層之材料為銀或銀合金，第二反射層之材料為鋁、銠或其組合。

於本發明之一或多個實施方式中，發光二極體結構更包含透明導電層，設置於第二型半導體層與反射堆疊層之間。

於本發明之一或多個實施方式中，反射堆疊層更包含透明導電層，設置於第一反射層與第二型半導體層之間， 透明導電層朝向第二型半導體層之表面與第二表面共平面以形成反射堆疊層之反射面。

於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層之反射率大於第二反射層之反射率。

於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層之反射率之範圍大約為90%~100%，第二反射層之反射率大於大約80%但低於第一反射層之反射率。

於本發明之一或多個實施方式中，透明導電層朝向第二型半導體層之表面占反射面之面積約80~99%，第二表面占反射面之面積約1~20%。

於本發明之一或多個實施方式中，反射堆疊層包含第一阻障層，設置於第一反射層與第二反射層之間。

於本發明之一或多個實施方式中，反射堆疊層包含第二阻障層，設置於第二反射層相對於第一反射層之一側。

於本發明之一或多個實施方式中，發光二極體結構更包含電流阻擋層，第二反射層更包含凹槽，設置於第二反射層朝向第二型半導體層之一側，電流阻擋層設置於凹槽中且鄰接第二型半導體層。

100‧‧‧發光二極體結構

110‧‧‧第一型半導體層

120‧‧‧主動層

130‧‧‧第二型半導體層

132‧‧‧表面

140‧‧‧反射堆疊層

142‧‧‧反射面

150‧‧‧第一反射層

152‧‧‧第一表面

151‧‧‧側表面

160‧‧‧第二反射層

330‧‧‧第二型半導體層

340‧‧‧反射堆疊層

342‧‧‧反射面

344‧‧‧第一阻障層

346‧‧‧第二阻障層

350‧‧‧第一反射層

352‧‧‧第一表面

360‧‧‧第二反射層

362‧‧‧第二表面

364‧‧‧凹槽

370‧‧‧電流阻擋層

162‧‧‧第二表面

170‧‧‧第一阻障層

180‧‧‧第二阻障層

190‧‧‧透明導電層

192‧‧‧表面

200‧‧‧覆晶式發光二極體裝置

220‧‧‧鈍化層

222‧‧‧開口

224‧‧‧開口

230a‧‧‧金屬層

230b‧‧‧金屬層

240‧‧‧金屬柱

300‧‧‧發光二極體結構

310‧‧‧第一型半導體層

320‧‧‧主動層

400‧‧‧發光二極體結構

410‧‧‧第一型半導體層

420‧‧‧主動層

430‧‧‧第二型半導體層

440‧‧‧反射堆疊層

442‧‧‧反射面

444‧‧‧第一阻障層

446‧‧‧第二阻障層

450‧‧‧第一反射層

460‧‧‧第二反射層

464‧‧‧凹槽

462‧‧‧第二表面

470‧‧‧電流阻擋層

480‧‧‧透明導電層

482‧‧‧表面

第1圖為根據本發明之一實施方式之發光二極體結構之剖面圖。

第2圖為第1圖之發光二極體結構之面積之示意圖。

第3圖為根據本發明之另一實施方式之發光二極體結構之剖面圖。

第4圖為根據本發明之另一實施方式之發光二極體結構之剖面圖。

第5圖為根據本發明之再一實施方式之發光二極體結構之剖面圖。

第6圖為根據本發明之又一實施方式之發光二極體結構之剖面圖。

以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。

於以下敘述中，當一個元件被稱為「在…上」時，它可泛指該元件直接在其他元件上，也可以是有其他元件存在於兩者之中。相反地，當一個元件被稱為「直接在」另一元件，它是不能有其他元件存在於兩者之中間。

參照第1圖，第1圖為根據本發明之一實施方式之發光二極體結構100之剖面圖。一種發光二極體結構100包含第一型半導體層110、主動層120、第二型半導體層130以及反射堆疊層140。主動層120設置於第一型半導體層110與第二型 半導體層130之間，以使第一型半導體層110與第二型半導體層130可運作以輸出光線。反射堆疊層140包含第一反射層150、第二反射層160、第一阻障層170以及第二阻障層180。第一反射層150設置於第二型半導體層130相對於主動層120之一側。第二反射層160設置於第一反射層150相對於第二型半導體層130之一側，且第二反射層160沿第一反射層150之側表面151延伸至第二型半導體層130之表面132，第一阻障層170設置於第一反射層150與第二反射層160之間，第二阻障層180則設置於第二反射層160相對於第一反射層150之一側。

於本發明之一或多個實施方式中，第二反射層160於第二型半導體層130的垂直投影面積大於第一反射層150於第二型半導體層130的垂直投影面積。更確切而言，第一反射層150於第二型半導體層130的投影會位在第二反射層160於第二型半導體層130的投影之內。如此一來，使第二反射層160包覆第一反射層150，使第一反射層150不外露。

更進一步而言，第一反射層150鄰近第二型半導體層130具有第一表面152，第二反射層160鄰近第二型半導體層130有第二表面162。於此，第一表面152是指第一反射層150與第二型半導體層130接觸之面，第二表面162是指第二反射層160與第二型半導體層130接觸之面，第二表面162設置於第一表面152的外圍。

如此一來，反射堆疊層140以第一反射層150、第一阻障層170、第二反射層160、第二阻障層180的順序依序設 置於第二型半導體層130上，且第二反射層160包覆第一反射層150，使第一反射層150不外露。

於本發明之一或多個實施方式中，在反射堆疊層140的設置上，第一反射層150之反射率大於第二反射層160之反射率，而第二反射層160具有相對於第一反射層150較高的穩定性，即第二反射層之抗遷移性優於第一反射層之抗遷移性，以使第二反射層160相較於第一反射層150較不易遷移(migration)、剝離(peeling)、腐蝕等等。

在此，僅以四種材料為例：銀、鋁、銀合金、銠，但不應以此限制本發明之範圍。此四種材料的反射率由大到小排列依序為：銀(反射率大約95%)、銀合金(反射率大約90%)、鋁(反射率大約85%)、銠(反射率大約80%)。於可靠率量測的實作經驗中可知，此四種材料的抗遷移性由劣至優排列依序為：銀、鋁、銀合金、銠。設計時，為求第一反射層150與第二反射層160具有較高的反射率以及較佳的抗遷移性，可以選擇適當的材料配置。理想上，為了達到有效的輸出光強度，在反射層材料的選擇上，第一反射層150之反射率之範圍大約為90%~100%，第二反射層160之反射率大於大約80%但低於第一反射層150之反射率。

舉例而言，於一實施例中，第一反射層150之材料可為銀，第二反射層160之材料可為鋁、銠、銀合金或其組合。於另一實施例中，第一反射層150之材料可為鋁，第二反射層160之材料可為銠。如此一來，可以兼顧第一反射層150與第二反射層160之反射率以及抗遷移性。當然，不應以此列 舉之材料限定本發明之範圍，任何具有較佳的反射率與抗遷移性的材料亦可以應用於第一反射層150與第二反射層160。

於本發明之一或多個實施方式中，第一阻障層170與第二阻障層180之材料應具有較強的穩定、吸附等能力，第一阻障層170與第二阻障層180用以防止金屬層或反射層的遷移、剝離、腐蝕等等，但相對的這些材料可能具有較差的反射率，例如小於大約60%。舉例而言，第一阻障層170與第二阻障層180的材料可以是鈦、鉑、金、鎳、鎢、鎢鈦合金或其組合。

於本發明之一或多個實施方式中，第二反射層160沿第一反射層150之側表面151延伸至第二型半導體層130之表面132，使得無論是第一阻障層170或第二阻障層180皆不直接鄰接第二型半導體層130。換句話說，第一阻障層170或第二阻障層180皆不構成反射堆疊層140鄰接第二型半導體層130之反射面142之一部份。詳細而言，第一阻障層170是用以保護第一反射層150避免脫落，第二反射層160覆蓋於第一阻障層170上以構成反射面142之一部份，以增加具有反射功能的區域，而第二阻障層180是用以同時保護第一反射層150與第二反射層160避免其脫落。此種配置方式是為了在不影響反射面142的反射能力下，保護第一反射層150與第二反射層160免於遷移、腐蝕等等，進而提升第一反射層150與第二反射層160之可靠度。

於本發明之一或多個實施方式中，第一表面152與第二表面162共同形成反射堆疊層140之反射面142。由於第 一反射層150與第二反射層160皆是由反射材料組成，因此反射面142具有高反射率，而可將來自於第一型半導體層110、主動層120、第二型半導體層130的光線反射。

於本發明之一或多個實施方式中，第一型半導體層110可以是N型半導體層，第二型半導體層130可以是P型半導體層。反之，第一型半導體層110也可以是P型半導體層，第二型半導體層130可以是N型半導體層。

同時參照第1圖與第2圖，第2圖為第1圖之發光二極體結構100之面積之示意圖。第2圖繪示了發光二極體結構100中第一反射層150與第二反射層160於第二型半導體層130之表面132之投影分佈圖。第一反射層150於第二型半導體層130的投影面積大約等於第一表面152的面積，第二反射層160於第二型半導體層130的投影面積大約等於第一表面152與第二表面162的總合面積。如前所述，第二反射層160於第二型半導體層130的投影面積大於第一反射層150於第二型半導體層130的投影面積。舉例而言，在較佳的實施例中，第一表面152占反射面142之面積大約80~99%，第二表面162占反射面142之面積約1~20%。更甚者，第一表面152可占反射面142之面積大約90~95%，第二表面162占反射面142之面積約5~10%。

在此，提供二組實驗結果僅供參考。第一组實驗結果與第二組實驗結果所使用之半導體層由不同梯次得到，因此不應將第一組實驗結果與第二組實驗結果混合討論。且，為方便比較優劣，另提供使用同梯次半導體層之發光二極體結 構，作為對照之結構，此對照之結構未設置第二反射層160，而是使第二阻障層180直接覆蓋於第二型半導體層130，換句話說，此對照之結構之第二阻障層180構成反射堆疊層140鄰接第二型半導體層130之反射面142之一部份。

第一組實驗結果中，以第1圖之配置方式設計發光二極體結構，可得到大約425毫瓦的輸出光強度，對照之結構輸出光強度僅大約390毫瓦。第二組實驗結果中，以第1圖之配置方式設計發光二極體結構，可得到大約450毫瓦的輸出光強度，對照之結構輸出光強度僅大約410毫瓦。由此可知，採用以第1圖之配置方式，可以提升發光二極體結構之輸出光強度。

如此一來，藉由第二反射層160的設置，可增加反射面142的面積，並進而提升發光二極體結構100的輸出光強度。

參照第3圖，第3圖為根據本發明之另一實施方式之發光二極體結構100之剖面圖。本實施方式與第1圖之實施方式相似，差別在於：於本實施方式中，發光二極體結構100更包含透明導電層190。透明導電層190設置於第二型半導體層130與反射堆疊層140之間。於此，第二反射層160沿第一反射層150之側表面151延伸至透明導電層190與第二型半導體層130上，並且第二反射層160接觸透明導電層190之表面192。透明導電層190同時具有低電阻率及高光穿透率的特性，其材料可為氧化銦錫。因此，透明導電層190可改善發光二極體結構100的電流分佈，而不影響光線輸出的效果。

第1圖與第3圖之實施方式之發光二極體結構100皆可應用於覆晶式發光二極體裝置200之部份結構。參照第4圖，第4圖為第3圖之發光二極體結構100於覆晶式發光二極體裝置200上的一種配置方式。於此，覆晶式發光二極體裝置200除了包含發光二極體結構100之外，還包含鈍化層220、金屬層230a、230b、金屬柱240。金屬柱240設置於第一型半導體層110朝向第二型半導體層130之一側。鈍化層220包覆發光二極體結構100與金屬柱240，用以阻隔水氣並提供絕緣功用。鈍化層220具有開口222以露出第二阻障層180，鈍化層220具有開口224用以露出金屬柱240。金屬層230a、230b設置於鈍化層220相對於第一型半導體層110之一側，且金屬層230a透過開口222與第二阻障層180互相接觸，而金屬層230b則藉由開口224內填充之金屬柱240電性連接第一型半導體層110。

如此一來，透過連接金屬層230a、230b可以使覆晶式發光二極體裝置200運作而產生光線。且由於覆晶式發光二極體裝置200內部的第一反射層150與第二反射層160之設置，可改善反射堆疊層140之可靠度並提升輸出光強度。

參照第5圖，第5圖為根據本發明之再一實施方式之發光二極體結構300之剖面圖。本實施方式與第1圖之實施方式相似，差別在於本實施方式採用垂直式發光二極體結構。具體而言，本實施方式與第1圖之實施方式差異在於發光二極體結構300包含凹槽364之設置。

如同前述，於本發明之一或多個實施方式中，一種發光二極體結構300包含第一型半導體層310、主動層320、 第二型半導體層330以及反射堆疊層340。主動層320設置於第一型半導體層310與第二型半導體層330之間。反射堆疊層340包含第一反射層350、第二反射層360、第一阻障層344以及第二阻障層346。第一反射層350設置於第二型半導體層330相對於主動層320之一側。第二反射層360設置於第一反射層350相對於第二型半導體層330之一側，第一阻障層344設置於第一反射層350與第二反射層360之間，第二阻障層346則設置於第二反射層360相對於第一反射層350之一側。

須注意的是，在本實施方式中，第二反射層360可包含凹槽364，凹槽364設置於第二反射層360朝向第二型半導體層330之一側，而第一反射層350與第一阻障層344設置於凹槽364內。

在此，由於第一反射層350、第二反射層360、第一阻障層344以及第二阻障層346之材料皆與第1圖之實施方式相似，在此不再贅述。

於本發明之一或多個實施方式中，第一反射層350鄰近第二型半導體層330有第一表面352，第二反射層360鄰近第二型半導體層330有第二表面362。第一表面352與第二表面362共平面，以形成反射堆疊層340之反射面342。於此，第一表面352是指第一反射層350與第二型半導體層330接觸之面，第二表面362是指第二反射層360與第二型半導體層330接觸之面。

於本發明之一或多個實施方式中，發光二極體結構300更包含電流阻擋層370，凹槽364的數量可以是多個，電 流阻擋層370可設置於部份未設置第一反射層350與第一阻障層344的凹槽364中，且電流阻擋層370鄰接第二型半導體層330，以改善發光二極體結構300的電流分佈。當然，設置第一反射層350與第一阻障層344的凹槽364與設置電流阻擋層370的凹槽364，其大小、深度等配置可以不同。

如同第1圖之實施方式所述，藉由第二反射層360之配置，使第一阻障層344或第二阻障層346皆不構成反射面342之一部份。如此一來，可同時保護第一反射層350與第二反射層360免於產生遷移、剝離、腐蝕等問題，並增加輸出光強度。

參照第6圖，第6圖為根據本發明之又一實施方式之發光二極體結構400之剖面圖。本實施方式與第5圖之實施方式相似，差別在於本實施方式之發光二極體結構400之反射堆疊層440更包含透明導電層480。

如同前述，於本發明之一或多個實施方式中，一種發光二極體結構300包含第一型半導體層410、主動層420、第二型半導體層430以及反射堆疊層440。主動層420設置於第一型半導體層410與第二型半導體層430之間。

在此，不同於第5圖之實施方式、反射堆疊層440包含第一反射層450、第二反射層460、第一阻障層444、第二阻障層446以及透明導電層480。第二反射層460可包含凹槽464，凹槽464設置於第二反射層460朝向第二型半導體層430之一側，於本實施方式中，第一反射層450、第一阻障層444以及透明導電層480皆設置於凹槽464內。

具體而言，透明導電層480設置於第一反射層450與第二型半導體層430之間。第二反射層460鄰近第二型半導體層430有第二表面462。透明導電層480朝向第二型半導體層430之表面482與第二表面462共平面，以形成反射堆疊層440之反射面442。於此，表面482是指透明導電層480與第二型半導體層430接觸之面，第二表面462是指第二反射層460與第二型半導體層430接觸之面。

於本發明之一或多個實施方式中，透明導電層480朝向第二型半導體層430之表面482占反射面442之面積約80~99%，第二表面462占反射面442之面積約1~20%。更甚者，透明導電層480朝向第二型半導體層430之表面482占反射面442之面積約90~95%，第二表面462占反射面442之面積約5~10%。

如同第6圖之實施方式所述，發光二極體結構400更包含電流阻擋層470，凹槽464的數量可以是多個，電流阻擋層470可設置於部份未設置第一反射層450、第一阻障層444與透明導電層480的凹槽464中，且電流阻擋層470鄰接第二型半導體層430，以改善發光二極體結構300的電流分佈。當然，設置第一反射層450、第一阻障層444與透明導電層480的凹槽464與設置電流阻擋層470的凹槽464，其大小、深度等配置可以不同。

以上發光二極體結構中，第一阻障層、第二阻障層、透明導電層、電流阻擋層並非必要之設置，可以考量實際 的封裝結構，視情況設置這些元件。當然，較佳者，可以設置第一阻障層、第二阻障層以達到較好的保護作用。

本發明提供一種發光二極體結構，其藉由兩種不同材料的反射層共同形成反射面，提升反射面之面積，進而可在不犧牲輸出光強度的狀況下保護反射層免受環境之水氣、溫度、酸等影響。

雖然本發明已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧發光二極體結構

110‧‧‧第一型半導體層

120‧‧‧主動層

130‧‧‧第二型半導體層

132‧‧‧表面

140‧‧‧反射堆疊層

142‧‧‧反射面

170‧‧‧第一阻障層

180‧‧‧第二阻障層

150‧‧‧第一反射層

152‧‧‧第一表面

151‧‧‧側表面

160‧‧‧第二反射層

162‧‧‧第二表面

Claims (20)

1. 一種發光二極體結構，包含：一第一型半導體層；一主動層；一第二型半導體層，其中該主動層設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間；以及一反射堆疊層，包含：一第一反射層，設置於該第二型半導體層相對於該主動層之一側；以及一第二反射層，設置於該第一反射層相對於該第二型半導體層之一側，且沿該第一反射層之側表面延伸至該第二型半導體層表面，其中，該第一反射層鄰近該第二型半導體層具有一第一表面，該第二反射層鄰近該第二型半導體層具有一第二表面，該第二反射層於該第二型半導體層的垂直投影面積大於該第一反射層於該第二型半導體層的垂直投影面積，其中該第二反射層之抗遷移性優於該第一反射層之抗遷移性。
2. 如請求項1所述之發光二極體結構，其中該第一反射層之反射率大於該第二反射層之反射率。
3. 如請求項2所述之發光二極體結構，其中該第一反射層之反射率之範圍大約為90%~100%，該第二反射層之反射率大於大約80%但低於該第一反射層之反射率。
4. 如請求項1所述之發光二極體結構，其中該第一表面與該第二表面共同形成該反射堆疊層之一反射面。
5. 如請求項4所述之發光二極體結構，其中該第一表面占該反射面之面積大約80~99%，該第二表面占該反射面之面積約1~20%。
6. 如請求項4所述之發光二極體結構，其中該第一表面占該反射面之面積大約90~95%，該第二表面占該反射面之面積約5~10%。
7. 如請求項4所述之發光二極體結構，其中該反射堆疊層包含一第一阻障層，設置於該第一反射層與該第二反射層之間。
8. 如請求項7所述之發光二極體結構，其中該反射堆疊層包含一第二阻障層，設置於該第二反射層相對於該第一反射層之一側。
9. 如請求項8所述之發光二極體結構，更包含一電流阻擋層，該第二反射層更包含一凹槽，設置於該第二反射層朝向該第二型半導體層之一側，該電流阻擋層設置於該凹槽中且鄰接該第二型半導體層。
10. 如請求項1所述之發光二極體結構，其中該第一反射層於該第二型半導體層的投影位在該第二反射層於該第二型半導體層的投影之內。
11. 如請求項1所述之發光二極體結構，其中該第一反射層之材料為銀，該第二反射層之材料為鋁、銠、銀合金或其組合。
12. 如請求項1所述之發光二極體結構，其中該第一反射層之材料為銀或銀合金，該第二反射層之材料為鋁、銠或其組合。
13. 如請求項1所述之發光二極體結構，更包含一透明導電層，設置於該第二型半導體層與該反射堆疊層之間。
14. 如請求項1所述之發光二極體結構，其中該反射堆疊層更包含一透明導電層，設置於該第一反射層與該第二型半導體層之間，該透明導電層朝向該第二型半導體層之一表面與該第二表面共平面以形成該反射堆疊層之一反射面。
15. 如請求項14所述之發光二極體結構，其中該第一反射層之反射率大於該第二反射層之反射率。
16. 如請求項15所述之發光二極體結構，其中該第一反射層之反射率之範圍大約為90%~100%，該第二反射層之反射率大於大約80%但低於該第一反射層之反射率。
17. 如請求項15所述之發光二極體結構，其中該透明導電層朝向該第二型半導體層之該表面占該反射面之面積約80~99%，該第二表面占該反射面之面積約1~20%。
18. 如請求項13所述之發光二極體結構，其中該反射堆疊層包含一第一阻障層，設置於該第一反射層與該第二反射層之間。
19. 如請求項18所述之發光二極體結構，其中該反射堆疊層包含一第二阻障層，設置於該第二反射層相對於該第一反射層之一側。
20. 如請求項19所述之發光二極體結構，更包含一電流阻擋層，該第二反射層更包含一凹槽，設置於該第 二反射層朝向該第二型半導體層之一側，該電流阻擋層設置於該凹槽中且鄰接該第二型半導體層。