TWI613746B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI613746B
TWI613746B TW104112906A TW104112906A TWI613746B TW I613746 B TWI613746 B TW I613746B TW 104112906 A TW104112906 A TW 104112906A TW 104112906 A TW104112906 A TW 104112906A TW I613746 B TWI613746 B TW I613746B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
unit
center
correction information
adjustment unit
Prior art date
Application number
TW104112906A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201541544A (zh
Inventor
桒原丈二
Original Assignee
斯克林集團公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 斯克林集團公司 filed Critical 斯克林集團公司
Publication of TW201541544A publication Critical patent/TW201541544A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI613746B publication Critical patent/TWI613746B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/0015Orientation; Alignment; Positioning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明係為了藉由對準器調整基板之位置而預先取得對應於1個或複數個旋轉卡盤之1個或複數個修正資訊,並記憶於記憶部。各修正資訊係表示為了於藉由搬送機構自對準器向各旋轉卡盤搬送基板時使搬送後之基板中心與該旋轉卡盤之旋轉中心一致,而應藉由對準器調整之位置。於基板處理時,於自對準器向任一旋轉卡盤搬送基板前,基於記憶於記憶體之對應於該旋轉卡盤之修正資訊,藉由對準器調整基板之位置。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於對基板進行處理之基板處理裝置及基板處理方法。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等各種基板進行各種處理,使用基板處理裝置。於此種基板處理裝置中,藉由搬送裝置將複數個基板依序搬送至處理部特定之基板支持部。處理部係對搬送至基板支持部之基板進行特定之處理。為了提高基板之處理精度,期望於基板中心準確地與基板支持部所期望之位置一致之狀態將基板支持於基板支持部。
於記載於日本特開11-163083號公報之基板處理裝置中,藉由搬送裝置進行修正,消除應支持基板之基板支持部之位置與實際支持基板之位置之偏差。於修正中,將包含光感測器之夾具保持於搬送裝置之臂。此處,於基板支持部,形成3個銷。保持於臂之夾具接近直至相對於3個銷為特定之相對位置關係。於該狀態,藉由於特定之複數個方向移動臂,藉由夾具之光感測器將3個銷中2個銷之位置作為位置資訊檢測。基於檢測出之位置資訊,設定臂存取之基板支持部之位置。
即使於對搬送裝置進行如日本特開11-163083號公報之修正之情形,於搬送裝置之搬送距離較大之情形時,基板與基板支持部之偏差有可能變大。
本發明之目的在於提供一種可以不論搬送裝置之搬送距離,減少基板與基板支持部之偏差之方式將基板搬送至基板支持部之基板處理裝置及基板處理方法。
(1)按照本發明一態樣之基板處理裝置係對基板進行處理之基板處理裝置,且包含:1個或複數個基板支持部,其具有預先設定之基準位置,並支持基板;位置調整部,其係構成為可調整被搬入之基板之位置;搬送裝置,其係構成為可於位置調整部與1個或複數個基板支持部之間搬送基板;記憶部,其係記憶為了位置調整部調整基板之位置而對應於1個或複數個基板支持部預先取得之1個或複數個修正資訊;及控制部,其係於基板處理時,於自位置調整部向1個或複數個基板支持部中之一基板支持部搬送基板前,基於記憶於記憶部之1個或複數個修正資訊中對應於一基板支持部之修正資訊,以調整基板位置之方式控制位置調整部;1個或複數個修正資訊各者係表示為了於藉由搬送裝置自位置調整部向1個或複數個基板支持部各者搬送基板時使搬送後之基板之中心與該基板支持部之基準位置一致,而應藉由位置調整部調整之位置。
於該基板處理裝置中,為了藉由位置調整部調整基板之位置而預先取得對應於1個或複數個基板支持部之1個或複數個修正資料,並記憶於記憶部。1個或複數個修正資料各者係表示為了於藉由搬送裝置自位置調整部向1個或複數個基板支持部各者搬送基板時使搬送後之基板中心與該基板支持部之基準位置一致,而應藉由位置調整部調整之位置。
於基板處理時,於自位置調整部向1個或複數個基板支持部中之一基板支持部搬送基板前,基於記憶於記憶部之1個或複數個修正資訊中對應於一基板支持部之修正資訊,藉由位置調整部調整基板之位置。將已藉由位置調整部調整位置之基板以搬送裝置搬送至一基板支持部。
根據該構成,預先取得位置調整部用以調整基板位置之1個或複數個修正資訊,並記憶於記憶部。因此,於基板之搬送前藉由位置調整部進行用以使基板中心與各基板支持部之基準位置一致之對位。藉此,於基板處理時,藉由搬送裝置搬送至一基板支持部之基板係於其中心與該基板支持部之基準位置一致之狀態由該基板支持部支持。於該情形時,不需要於搬送裝置進行用以使基板中心與該基板支持部之基準位置一致之修正。因此,可削減先前作業者修正作業所需要之大量時間,可提高基板處理裝置之運轉效率。又,可以不論搬送裝置之搬送距離,減少基板與各基板支持部之偏差之方式將基板搬送至各基板支持部。
(2)1個或複數個修正資訊各者包含於將向1個或複數個基板支持部各者搬送基板前於位置調整部應與基板中心一致之位置作為修正位置;控制部係可以於向一基板支持部搬送基板前基板中心與對應於一基板支持部之修正位置一致之方式控制位置調整部。
於該情形時,於基板之搬送前以基板中心與對應於一基板支持部之修正位置一致之方式調整基板位置。藉此,可以基板中心與一基板支持部之基準位置一致之方式將基板搬送至該基板支持部。
(3)1個或複數個基板支持部各者包含以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉之第1旋轉保持裝置,位置調整部構成為具有基準軸,並檢測被搬入之基板之中心與基準軸之偏差量,控制部係於取得修正資訊時,以自位置調整部向各基板支持部搬送基板之方式控制搬 送裝置,並以搬送之基板僅旋轉特定之角度之方式控制第1旋轉保持裝置,以自該基板支持部向位置調整部搬送基板之方式控制搬送裝置,於自位置調整部向各基板支持部搬送前檢測藉由位置調整部檢測出之偏差量作為第1偏差量,於自該基板支持部向位置調整部搬送後檢測藉由位置調整部檢測出之偏差量作為第2偏差量,並基於第1及第2偏差量算出修正位置;記憶部係記憶藉由控制部對應於1個或複數個基板支持部而算出之1個或複數個修正位置作為1個或複數個修正資訊。
於該情形時,可容易地將藉由第1旋轉保持裝置旋轉前及後之基板之中心與基準軸之偏差量作為第1及第2偏差量檢測。又,可基於第1及第2偏差量,藉由幾何學之運算算出修正位置。結果,於取得基板處理前之修正資訊時預先取得1個或複數個修正資訊,並記憶於記憶部。
(4)特定之角度係可為180度。於該情形時,可基於第1及第2偏差量容易地算出修正位置。
(5)1個或複數個基板支持部各者係可構成為於基板之處理時,對藉由第1旋轉保持裝置而旋轉之基板進行處理。
於該情形時,於基板中心與各基板支持部之基準位置一致之狀態對藉由第1旋轉保持裝置旋轉之基板進行處理。藉此,可提高基板處理之精度。
(6)1個或複數個基板支持部各者包含將基板之中心位置導引至基準位置之導引機構,位置調整部係構成為具有基準軸,並檢測被搬入之基板中心與基準軸之偏差量,於取得修正資訊時,於1個或複數個基板支持部各者中藉由導引機構將基板中心位置導引至基準位置,控制部係於取得修正資訊時,以自1個或複數個基板支持部各者向位置調整部搬送基板之方式控制搬送裝置,於自該基板支持部向位置調整 部搬送後取得藉由位置調整部檢測出之偏差量,並基於取得之偏差量算出修正位置,記憶部係記憶藉由控制部對應於1個或複數個基板支持部而算出之1個或複數個修正位置作為1個或複數個修正資訊。
於該情形時,於取得修正資訊時,於藉由導引機構將基板中心位置導引至基準位置之狀態支持基板。因此,藉由向位置調整部搬送該基板,可容易地算出修正位置。藉此,可於取得基板處理前之修正資訊時預先取得1個或複數個修正資訊,並記憶於記憶部。
(7)1個或複數個基板支持部各者係可構成為於基板處理時,對基板進行溫度處理。
於該情形時,於基板中心與各基板支持部之基準位置一致之狀態對基板進行溫度處理。藉此,可提高基板溫度處理之精度。
(8)位置調整部包含:基板保持部,其保持基板;移動裝置,其係使基板保持部於垂直於基準軸之二維方向移動;及位置檢測器,其檢測藉由基板保持部保持之基板之外周部之位置;控制部係於基板處理時於向一基板支持部搬送基板前,基於藉由位置檢測器檢測出之基板之外周部之位置而算出基板中心位置,並基於算出之基板中心位置,以藉由基板保持部保持之基板之中心與對應於一基板支持部之修正位置一致之方式控制移動裝置。
於該情形時,可以簡單之構成算出基板中心位置,並使基板中心位置與各修正位置一致。
(9)1個或複數個基板支持部各者具有預先設定之基準方向,位置調整部係構成為可調整被搬入之基板之方向;1個或複數個修正資訊各者包含為了於自位置調整部向1個或複數個基板支持部各者搬送基板時使搬送後之基板方向與該基板支持部之基準方向一致,而應藉由位置調整部應之方向。
於該情形時,於基板之搬送前藉由位置調整部進行用以使基板 方向與各基板支持部之基準方向一致之對位。藉此,搬送裝置係可以基板朝向與各基板支持部之基準方向一致之方式將基板搬送至各基板支持部。結果,可均一化複數個基板之處理精度。
(10)1個或複數個修正資訊各者包含於向1個或複數個基板支持部各者搬送基板前、於位置調整部中應與基板之凹口方向一致之方向作為修正方向;控制部係於向一基板支持部搬送基板前,以基板之凹口方向與對應於一基板支持部之修正方向一致之方式控制位置調整部。
於該情形時,於基板之搬送前以基板之凹口方向與對應於一基板支持部之修正方向一致之方式調整基板位置。藉此,可以基板凹口方向與一基板支持部之基準方向一致之方式將基板搬送至該基板支持部。
(11)位置調整部包含:第2旋轉保持裝置,其係以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉;移動裝置,其係使第2旋轉保持裝置於垂直於基準軸之二維方向移動;及位置檢測器,其檢測藉由第2旋轉保持裝置而旋轉之基板之外周部之位置;控制部係於基板處理時向一基板支持部搬送基板前,基於位置檢測器檢測出之基板之外周部位置而算出基板之中心位置及基板凹口方向,並基於算出之基板之中心位置及算出之基板凹口方向,以藉由第2旋轉保持裝置保持之基板之中心與對應於一基板支持部之修正位置一致,且藉由第2旋轉保持裝置保持之基板之凹口方向與對應於一基板支持部之修正方向一致之方式控制第2旋轉保持裝置及移動裝置。
於該情形時,可以簡單之構成算出基板中心位置,並可使基板中心位置與各修正位置一致,且使基板凹口方向與各修正方向一致。
(12)按照本發明其他態樣之基板處理方法,其係對基板進行處理之基板處理方法,其包含以下步驟:將為了藉由位置調整部調整基板之位置而對應於1個或複數個基板支持部預先取得之1個或複數個修正 資訊記憶於記憶部;於基板處理時,於自位置調整部向1個或複數個基板支持部中之一基板支持部搬送基板前,基於記憶於記憶部之1個或複數個修正資訊中對應於一基板支持部之修正資訊,藉由位置調整部調整基板位置;將已藉由位置調整部調整位置之基板以搬送裝置搬送至一基板支持部;1個或複數個修正資訊各者係表示為了於藉由搬送裝置自位置調整部向1個或複數個基板支持部各者搬送基板時使搬送後之基板之中心與該基板支持部之基準位置一致,而應藉由位置調整部調整之位置。
於該基板處理方法中,為了藉由位置調整部調整基板之位置預先取得對應於1個或複數個基板支持部之1個或複數個修正資訊,並記憶於記憶部。1個或複數個修正資訊各者係為了於藉由搬送裝置自位置調整部向1個或複數個基板支持部各者搬送基板時搬送後之基板中心與該基板支持部之基準位置一致,而顯示位置調整部應調整之位置。
於基板之處理時,於自位置調整部向1個或複數個基板支持部中之一基板支持部搬送基板前,基於記憶於記憶部之1個或複數個修正資訊中對應於一基板支持部之修正資訊,藉由位置調整部調整基板之位置。將藉由位置調整部調整位置之基板以搬送裝置搬送至一基板支持部。
根據該構成,預先取得位置調整部用以調整基板位置之1個或複數個修正資訊,並記憶於記憶部。因此,於基板之搬送前藉由位置調整部進行用以使基板中心與各基板支持部之基準位置一致之對位。藉此,於基板處理時,藉由搬送裝置搬送至一基板支持部之基板係於其中心與該基板支持部之基準位置一致之狀態由該基板支持部支持。於該情形時,不需要於搬送裝置進行用以使基板中心與該基板支持部之基準位置一致之修正。因此,可削減先前作業者修正作業所需要之大 量時間,可提高基板處理裝置之運轉效率。又,可以不論搬送裝置之搬送距離,減少基板與各基板支持部之偏差之方式將基板搬送至各基板支持部。
11‧‧‧分度區塊
12‧‧‧第1處理區塊
13‧‧‧第2處理區塊
14‧‧‧介面區塊
14A‧‧‧清洗乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
21~24‧‧‧塗佈處理室
25‧‧‧旋轉卡盤
25C‧‧‧旋轉中心
25a~25d‧‧‧旋轉卡盤
27‧‧‧杯體
28‧‧‧處理液噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬送機構
31~34‧‧‧顯影處理室
35‧‧‧旋轉卡盤
37‧‧‧杯體
38‧‧‧顯影噴嘴
39‧‧‧移動機構
50‧‧‧流體箱部
60‧‧‧流體箱部
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧載具載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧載具
114‧‧‧控制部
115‧‧‧搬送機構
121‧‧‧塗佈處理部
122‧‧‧搬送部
123‧‧‧熱處理部
125‧‧‧上段搬送室
126‧‧‧下段搬送室
127‧‧‧搬送機構
128‧‧‧搬送機構
129‧‧‧塗佈處理單元
131‧‧‧顯影處理部
132‧‧‧搬送部
133‧‧‧熱處理部
135‧‧‧上段搬送室
136‧‧‧下段搬送室
137‧‧‧搬送機構
138‧‧‧搬送機構
139‧‧‧顯影處理單元
141‧‧‧搬送機構
142‧‧‧搬送機構
146‧‧‧搬送機構
161‧‧‧清洗乾燥處理部
162‧‧‧清洗乾燥處理部
163‧‧‧搬送部
301‧‧‧上段熱處理部
302‧‧‧下段熱處理部
303‧‧‧上段熱處理部
304‧‧‧下段熱處理部
401‧‧‧加熱部
401C‧‧‧支持中心
402‧‧‧軌道構件
500‧‧‧移動裝置
501‧‧‧支持構件
502‧‧‧Y方向可動部
503‧‧‧X方向可動部
504‧‧‧旋轉保持裝置
505‧‧‧線感測器
506‧‧‧記憶體
510‧‧‧控制部
A-A‧‧‧線
AL‧‧‧對準器
CIa~CId‧‧‧修正資訊
CP‧‧‧冷卻單元
EEW‧‧‧邊緣曝光部
H1‧‧‧機械手
H2‧‧‧機械手
Lx‧‧‧距離
Ly‧‧‧距離
NT‧‧‧凹口
O‧‧‧原點位置
P0‧‧‧修正位置
P1‧‧‧位置
P2‧‧‧位置
PA0~PA3‧‧‧位置資料
PAHP‧‧‧密著強化處理單元
PASS1~PASS9‧‧‧基板載置部
PB0~PB3‧‧‧位置資料
P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部
P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧熱處理單元
Pn‧‧‧位置資料
PN‧‧‧主面板
RA‧‧‧旋轉軸
SD1‧‧‧清洗乾燥處理單元
SD2‧‧‧清洗乾燥處理單元
W‧‧‧基板
WC‧‧‧基板中心
X、Y、Z‧‧‧座標系
(Xoff1,Yoff1)‧‧‧座標
(Xoff2,Yoff2)‧‧‧座標
θ‧‧‧角度
圖1係顯示基板處理裝置之構成之示意性俯視圖。
圖2係主要顯示圖1之塗佈處理部、顯影處理部及清洗乾燥處理部之基板處理裝置之示意性側視圖。
圖3係主要顯示圖1之熱處理部及清洗乾燥處理部之基板處理裝置之示意性側視圖。
圖4係主要顯示圖1之搬送部之側視圖。
圖5係用以說明對準器之構成之示意性立體圖。
圖6係保持基板之狀態之圖5之對準器之俯視圖。
圖7係顯示對準器之控制系統之構成之方塊圖。
圖8係顯示基於線感測器之輸出信號取得之位置資料之一例之圖。
圖9係顯示對準器與複數個旋轉卡盤之關係之方塊圖。
圖10係用以說明取得修正資訊之次序之圖。
圖11係用以說明取得修正資訊之次序之圖。
圖12係用以說明取得修正資訊之次序之圖。
圖13係用以說明取得修正資訊之次序之圖。
圖14係用以說明第1處理區塊之基板處理中基板之對位之圖。
圖15係用以說明第1處理區塊之基板處理中基板之對位之圖。
圖16係用以說明第1處理區塊之基板處理中基板之對位之圖。
圖17(a)~(c)係顯示熱處理單元之構成之圖。
圖18係用以說明第2實施形態中取得修正資訊之次序之圖。
圖19係用以說明第2實施形態中取得修正資訊之次序之圖。
[1]第1實施形態
以下,對第1實施形態之基板處理裝置使用圖式進行說明。另,於以下之說明中,所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。
又,本實施形態中所使用之基板係至少一部分具有圓形之外周部。例如,除了定位用之凹口外周部具有圓形。
(1)整體構成
圖1係顯示基板處理裝置100之構成之示意性俯視圖。於圖1及圖2以後之圖,根據需要為了明確位置關係而標註表示互相正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向係於水平面內互相正交,Z方向相當於鉛垂方向。
如圖1所示,基板處理裝置100包含分度區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B,構成介面區塊14。以鄰接搬入搬出區塊14B之方式配置曝光裝置15。於曝光裝置15中,藉由液浸法對基板W進行曝光處理。
分度區塊11包含複數個載具載置部111及搬送部112。於各載具載置部111,載置多段收容複數個基板W之載具113。於搬送部112,設置控制部114及搬送機構115。控制部114控制基板處理裝置100之各種構成要素。搬送機構115保持並搬送基板W。
於搬送部112之側面,設置主面板PN。主面板PN係連接於控制部114。使用者可於主面板PN確認基板處理裝置100中基板W之處理狀況等。於主面板PN之附近,例如設置包含鍵盤之未圖示之操作部。使用者藉由操作操作部,可進行基板處理裝置100之動作設定等。
第1處理區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123係以隔著搬送部122而對向之方式設置。如後述般,於搬送部122與搬送部112之間,設置載置基板W之基板載置部PASS1及後述之基板載置部PASS2~PASS4(參照圖4)。於搬送部122,設置搬送基板W之搬送機構127及後述之搬送機構128(參照圖4)。
第2處理區塊13包含顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133係以隔著搬送部132而對向之方式設置。於搬送部132與搬送部122之間,設置載置基板W之基板載置部PASS5及後述之基板載置部PASS6~PASS8(參照圖4)。於搬送部132,設置搬送基板W之搬送機構137及後述之搬送機構138(參照圖4)。
清洗乾燥處理區塊14A包含清洗乾燥處理部161、162及搬送部163。清洗乾燥處理部161、162係以隔著搬送部163而對向之方式設置。於搬送部163中設置搬送機構141、142。於搬送部163與搬送部132之間,設置載置兼緩衝部P-BF1及後述之載置兼緩衝部P-BF2(參照圖4)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2係構成為可收容複數個基板W。
又,於搬送機構141、142之間,以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式,設置基板載置部PASS9及後述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖4)。載置兼冷卻部P-CP具備冷卻基板W之功能。於載置兼冷卻部P-CP中,將基板W冷卻至適合曝光處理之溫度。
於搬入搬出區塊14B,設置搬送機構146。搬送機構146進行基板W對曝光裝置15之搬入及搬出。於曝光裝置15中設置用以搬入基板W之基板搬入部15a及用以搬出基板W之基板搬出部15b。
(2)塗佈處理部及顯影處理部之構成
圖2係主要顯示圖1之塗佈處理部121、顯影處理部131及清洗乾燥處理部161之基板處理裝置100之示意性側視圖。
如圖2所示,於塗佈處理部121,分層地設置塗佈處理室21、22、23、24。於顯影處理部131,分層地設置顯影處理室31、32、33、34。於塗佈處理室21~24各者,設置塗佈處理單元129。於顯影處理室31~34各者,設置顯影處理單元139。
各塗佈處理單元129包含:旋轉卡盤25,其保持基板W;及杯體27,其係以覆蓋體旋轉卡盤25周圍之方式設置。於本實施形態中,於各塗佈處理單元129設置2組旋轉卡盤25及杯體27。旋轉卡盤25係藉由未圖示之驅動裝置(例如,電動馬達)旋轉驅動。又,如圖1所示,各塗佈處理單元129包含噴出處理液之複數個處理液噴嘴28及使其等處理液噴嘴28移動之噴嘴搬送機構29。
於塗佈處理單元129中,旋轉卡盤25藉由未圖示之驅動裝置旋轉,且藉由噴嘴搬送機構29將複數個處理液噴嘴28中任一個之處理液噴嘴28移動至基板W之上方,自其處理液噴嘴28噴出處理液。藉此,於基板W上塗佈處理液。又,自未圖示之邊緣淋洗噴嘴,對基板W之周緣部噴出淋洗液。藉此,去除附著於基板W周緣部之處理液。
於塗佈處理室22、24之塗佈處理單元129中,自處理液噴嘴28對基板W供給抗反射膜用之處理液。於塗佈處理室21、23之塗佈處理單元129中,自處理液噴嘴28對基板W供給抗蝕劑膜用之處理液。
顯影處理單元139係與塗佈處理單元129相同,包含旋轉卡盤35及杯體37。於本實施形態中,於各顯影處理單元139設置3組旋轉卡盤35及杯體37。旋轉卡盤35係藉由未圖示之驅動裝置(例如,電動馬達)旋轉驅動。又,如圖1所示,顯影處理單元139包含噴出顯影液之2個顯影噴嘴38及使其顯影噴嘴38於X方向移動之移動機構39。
於顯影處理單元139中,旋轉卡盤35藉由未圖示之驅動裝置旋轉,且一側之顯影噴嘴38於X方向移動並將顯影液供給至各基板W,其後,另一側之顯影噴嘴38移動並將顯影液供給至各基板W。於該情 形時,藉由對基板W供給顯影液,進行基板W之顯影處理。又,於本實施形態中,自2個顯影噴嘴38噴出互不相同之顯影液。藉此,可對各基板W供給2種顯影液。
於清洗乾燥處理部161,設置複數個(本例中係4個)清洗乾燥處理單元SD1。於清洗乾燥處理單元SD1中,進行曝光處理前之基板W之清洗及乾燥處理。
如圖1及圖2所示,於塗佈處理部121中以與顯影處理部131相鄰之方式設置流體箱部50。相同地,於顯影處理部131中以與清洗乾燥處理區塊14A相鄰之方式設置流體箱部60。於流體箱部50及流體箱部60內,收容有對塗佈處理單元129及顯影處理單元139供給之藥液以及來自塗佈處理單元129及顯影處理單元139之廢液及排氣等相關之流體關聯機器。流體關聯機器包含導管、接頭、閥門、流量計、調節器、泵及溫度調節器等。
(3)熱處理部之構成
圖3係主要顯示圖1之熱處理部123、133及清洗乾燥處理部162之基板處理裝置100之示意性側視圖。
如圖3所示,熱處理部123包含設置於上方之上段熱處理部301及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302各者,設置1個或複數個對準器AL、複數個熱處理單元PHP、複數個密著強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。
對準器AL具有基板W對位功能。所謂基板W之對位功能係指使形成於基板W之凹口方向關於基板W之中心於特定之方向一致且使基板W之中心與特定位置一致。對準器AL之詳細係後述。
於熱處理單元PHP中,進行基板W之加熱處理及冷卻處理。以下,將熱處理單元PHP之加熱處理及冷卻處理簡單稱為熱處理。於密著強化處理單元PAHP中,進行用以提高基板W與抗反射膜之密著性 之密著強化處理。具體而言,於密著強化處理單元PAHP中,對基板W塗佈HMDS(六甲基二矽氮烷)等密著強化劑,並對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP中,進行基板W之冷卻處理。
熱處理部133包含設置於上方之上段熱處理部303及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304各者,設置1個或複數個對準器AL、冷卻單元CP、邊緣曝光部EEW及複數個熱處理單元PHP。於邊緣曝光部EEW中,進行基板W周緣部之曝光處理(邊緣曝光處理)。於上段熱處理部303及下段熱處理部304中,以與清洗乾燥處理區塊14A相鄰之方式設置之熱處理單元PHP係構成為可搬入來自清洗乾燥處理區塊14A之基板W。
於清洗乾燥處理部162,設置複數個(本例中係5個)清洗乾燥處理單元SD2。於清洗乾燥處理單元SD2中,進行曝光處理後之基板W之清洗及乾燥處理。
(4)搬送部之構成
圖4係主要顯示圖1之搬送部122、132、163之側視圖。如圖4所示,搬送部122包含上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132包含上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設置搬送機構127。於下段搬送室126設置搬送機構128。又,於上段搬送室135設置搬送機構137。於下段搬送室136設置搬送機構138。
於搬送部112與上段搬送室125之間,設置基板載置部PASS1、PASS2,於搬送部112與下段搬送室126之間,設置基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間,設置基板載置部PASS5、PASS6,於下段搬送室126與下段搬送室136之間,設置基板載置部PASS7、PASS8。
於上段搬送室135與搬送部163之間,設置載置兼緩衝部P-BF1,於下段搬送室136與搬送部163之間設置載置兼緩衝部P-BF2。於搬送 部163中以與介面區塊14鄰接之方式,設置基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。
搬送機構127係構成為可於基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖3)之間搬送基板W。搬送機構128係構成為可於基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖3)之間搬送基板W。
搬送機構137係構成為可於基板載置部PASS5、PASS6、載置兼緩衝部P-BF1、顯影處理室31、32(圖2)及上段熱處理部303(圖3)之間搬送基板W。搬送機構138係構成為可於基板載置部PASS7、PASS8、載置兼緩衝部P-BF2、顯影處理室33、34(圖2)及下段熱處理部304(圖3)之間搬送基板W。
搬送機構127、128、137、138各者均包含機械手H1、H2,其吸附保持基板W之背面並搬送基板W。藉此,於基板W之搬送時,防止機械手H1、H2上基板W之位置偏差及凹口之關於基板W之中心之位置變化。
(5)基板處理裝置之動作
參照圖1~圖4說明基板處理裝置100之動作。於分度區塊11之載具載置部111(圖1),載置收容有未處理之基板W之載具113。搬送機構115係將未處理之基板W自載具113搬送至基板載置部PASS1、PASS3(圖4)。又,搬送機構115係將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖4)之已處理之基板W搬送至載具113。
於第1處理區塊12中,搬送機構127(圖4)係將載置於基板載置部PASS1之基板W依序搬送至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及對準器AL(圖3)。接著,搬送機構127係將藉由對準器AL對位之基板W依序搬送至塗佈處理室22(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)、冷 卻單元CP(圖3)及對準器AL(圖3)。接著,搬送機構127係將藉由對準器AL再次對位之基板W依序搬送至塗佈處理室21(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS5(圖4)。
於該情形,於密著強化處理單元PAHP中,對基板W進行密著強化處理後,於冷卻單元CP中,將基板W冷卻至適合形成抗反射膜之溫度。接著,於對準器AL中,進行基板W之對位後,於塗佈處理室22中,藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成抗反射膜。接著,於熱處理單元PHP中,進行基板W之熱處理後,於冷卻單元CP,將基板W冷卻至適合形成抗蝕劑膜之溫度。接著,對準器AL中,再次進行基板W之對位後,於塗佈處理室21中,藉由塗佈處理單元129(圖2),於基板W上形成抗蝕劑膜。其後,於熱處理單元PHP中,進行基板W之熱處理,並將此基板W載置於基板載置部PASS5。
又,搬送機構127係將載置於基板載置部PASS6(圖4)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖4)。
搬送機構128(圖4)係將載置於基板載置部PASS3之基板W依序搬送至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及對準器AL(圖3)。接著,搬送機構128係將藉由對準器AL對位之基板W依序搬送至塗佈處理室24(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及對準器AL(圖3)。接著,搬送機構128係將藉由對準器AL再次對位之基板W依序搬送至塗佈處理室23(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS7(圖4)。
又,搬送機構128(圖4)係將載置於基板載置部PASS8(圖4)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖4)。塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖3)中基板W之處理內容係與上述之塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖3)中基板W之處理內容相同。
於第2處理區塊13中,搬送機構137(圖4)係將載置於基板載置部PASS5之抗蝕劑膜形成後之基板W搬送至對準器AL(圖3)。接著,搬送機構137係將藉由對準器AL對位之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼緩衝部P-BF1(圖4)。於該情形時,於對準器AL中,進行基板W之對位後,於邊緣曝光部EEW中,對基板W進行邊緣曝光處理。將邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼緩衝部P-BF1。
又,搬送機構137(圖4)係自與清洗乾燥處理區塊14A鄰接之熱處理單元PHP(圖3)取出曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送機構137係將此基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖3)、顯影處理室31、32(圖2)中任一者、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS6(圖4)。
於該情形時,於冷卻單元CP中,將基板W冷卻至適合顯影處理之溫度後,於顯影處理室31、32之任一者中,藉由顯影處理單元139進行基板W之顯影處理。其後,於熱處理單元PHP中,進行基板W之熱處理,並將此基板W載置於基板載置部PASS6。
搬送機構138(圖4)係將載置於基板載置部PASS7之抗蝕劑膜形成後之基板W搬送至對準器AL(圖3)。接著,搬送機構138係將藉由對準器AL對位之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼緩衝部P-BF2(圖4)。
又,搬送機構138(圖4)係自與背面清洗處理區塊14鄰接之熱處理單元PHP(圖3)取出曝光處理後且熱處理後之基板W,搬送機構138係將此基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖3)、顯影處理室33、34(圖2)之任一者、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS8(圖4)。顯影處理室33、34及下段熱處理部304中基板W之處理內容係與上述之顯影處理室31、32及上段熱處理部303中基板W之處理內容相同。
於清洗乾燥處理區塊14A中,搬送機構141(圖1)係將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖4)之基板W搬送至清洗乾燥處理部161之清 洗乾燥處理單元SD1(圖2)。接著,搬送機構141係將基板W自清洗乾燥處理單元SD1搬送至載置兼冷卻部P-CP(圖4)。於該情形時,於清洗乾燥處理單元SD1中,進行基板W之清洗及乾燥處理後,於載置兼冷卻部P-CP中,將基板W冷卻至適合曝光裝置15(圖1)之曝光處理之溫度。
搬送機構142(圖1)係將載置於基板載置部PASS9(圖4)之曝光處理後之基板W搬送至清洗乾燥處理部162之清洗乾燥處理單元SD2(圖3)。又,搬送機構142係將清洗及乾燥處理後之基板W自清洗乾燥處理單元SD2搬送至上段熱處理部303之熱處理單元PHP(圖3)或下段熱處理部304之熱處理單元PHP(圖3)。於熱處理單元PHP中,進行曝光後烘烤(PEB)處理。
於介面區塊14中,搬送機構146(圖1)係將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖4)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15之基板搬入部15a(圖1)。又,搬送機構146(圖1)係自曝光裝置15之基板搬出部15b(圖1)取出曝光處理後之基板W,並將此基板W搬送至基板載置部PASS9(圖4)。
另,於曝光裝置15無法容納基板W之情形時,將曝光處理前之基板W暫時收納於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。又,於第2處理區塊13之顯影處理單元139(圖2)無法容納曝光處理後之基板W之情形時,將曝光處理後之基板W暫時收納於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
於本實施形態中,可並行進行設置於上段之塗佈處理室21、22、顯影處理室31、32及上段熱處理部301、303中基板W之處理,與設置於下段之塗佈處理室23、24、顯影處理室33、34及下段熱處理部302、304中基板W之處理。藉此,不用增加佔據面積,便可提高產能。
(6)對準器
圖5係用以說明對準器AL之構成之示意性立體圖。圖6係保持基板W之狀態中圖5之對準器AL之俯視圖。如圖5及圖6所示,對準器AL包含移動裝置500、旋轉保持裝置504及線感測器505。移動裝置500包含支持構件501、Y方向可動部502及X方向可動部503。
Y方向可動部502係構成為可相對於支持構件501於Y方向移動。X方向可動部503係構成為可相對於Y方向可動部502於X方向移動。旋轉保持裝置504固定於X方向可動部503。旋轉保持裝置504係例如包含吸附式旋轉卡盤,吸附保持基板W之背面。該旋轉保持裝置504係藉由設置於X方向可動部503之馬達(未圖示)繞鉛垂方向之旋轉軸RA旋轉驅動。藉此,基板W繞旋轉軸RA旋轉。
於對準器AL,預先設定原點位置O。此處,將原點位置O之座標設為(0,0)。於初始狀態中,Y方向可動部502及X方向可動部503位於旋轉保持裝置504之旋轉軸RA與原點位置O一致之位置。
作為線感測器505,例如使用CCD(電荷耦合元件)線感測器。線感測器505係用於測定X方向中基板W之外周部位置。線感測器505係以於X方向延伸之方式配置。
圖7係顯示對準器AL之控制系統之構成之方塊圖。如圖7所示,對準器AL進而包含記憶體506及控制部510。於記憶體506,記憶後述之用以進行基板W之對位之修正資訊。控制部510係藉由CPU(中央運算處理裝置)構成。控制部510係可藉由圖1之控制部114實現。
控制部510係基於線感測器505之輸出信號,控制移動裝置500之Y方向可動部502、X方向可動部503及旋轉保持裝置504。又,控制部510係基於記憶於記憶體506之修正資訊,控制移動裝置500之Y方向可動部502、X方向可動部503及旋轉保持裝置504。
將連結基板W之中心WC與凹口NT之直線方向稱為凹口NT方向。於本實施形態中,將X方向設為基準方向。將凹口NT方向相對於 基準方向(X方向)所成之角度稱為旋轉方向偏移量θoff。圖6之例係凹口NT方向與基準方向一致。即,旋轉方向偏移量θoff為0°。
又,將X方向中自旋轉軸RA至基板W之中心WC之偏差量稱為X偏移量Xoff,將Y方向中自旋轉軸RA至基板W之中心WC之偏差量稱為Y偏移量Yoff。於圖6之例中,基板W之中心WC係與旋轉保持裝置504之旋轉軸RA不一致。即,基板W之中心WC相對於旋轉軸RA偏心。
旋轉保持裝置504繞旋轉軸RA 360°旋轉。藉此,保持於旋轉保持裝置504之基板W 360°旋轉。於基板W之旋轉中,圖7之控制部510係將線感測器505之輸出信號作為位置資料取得。位置資料表示藉由線感測器505檢測出之基板W外周部之X方向之位置。
此處,參照圖8對基板W之中心WC及凹口NT位置之算出方法進行說明。圖8係顯示基於線感測器505之輸出信號取得之位置資料之一例之圖。圖8之縱軸表示位置資料,橫軸表示基板W之旋轉角度。
於基板W之中心WC相對於旋轉軸RA偏心之情形時,如圖8所示,隨著基板W之旋轉位置資料之值變化。控制部510係例如取得基板W之每旋轉0.1°之位置資料。於該情形時,取得合計3600個位置資料。控制部510係基於位置資料之變化檢測對應於凹口NT之位置資料Pn,並基於對應於位置資料Pn之旋轉角度算出凹口NT之旋轉方向偏移量θoff。
又,控制部510係基於位置資料之變化算出基板W之中心WC相對於旋轉軸RA之X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
分別將基板W之旋轉角度為0°、90°、180°及270°時之位置資料設為PA0、PA1、PA2及PA3。於該情形時,藉由下式算出X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
Xoff=(PA0-PA2)/2……(1)
Yoff=(PA1-PA3)/2……(2)
又,分別將基板W之旋轉角度為45°、135°、225°及315°時之位置資料設為PB0、PB1、PB2及PB3。於該情形時,藉由下式算出X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
Xoff=(PB1-PB3)/2×sin45°-(PB0-PB2)/2×cos45°……(3)
Yoff=(PB1-PB3)/2×cos45°-(PB0-PB2)/2×sin45°……(4)
於凹口NT為旋轉角度45°、135°、225°及315°中任一個或位於其附近位置之情形時,使用上式(1)、(2)算出X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。又,於凹口NT為旋轉角度0°、90°、180°及270°中任一個或位於其附近位置之情形時,使用上式(3)、(4)算出X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
(7)修正資訊之取得
於本實施形態中,於基板處理裝置100之設置時或保養時,圖4之搬送機構127、128、137、138係按照預先規定之搬送路徑,進行基板W之搬送。於搬送機構127、128、137、138,不進行用以修正應支持基板W之位置與實際支持基板W之位置之偏差之修正。此處,於本實施形態中,所謂應支持基板W之位置係圖2之旋轉卡盤25及圖3之邊緣曝光部EEW之旋轉卡盤(未圖示)。
因此,於藉由搬送機構127、128將基板W搬送至旋轉卡盤25時,有於旋轉卡盤25之旋轉中心與基板W之中心WC偏差之狀態將基板W保持於旋轉卡盤25之情形。相同地,於藉由搬送機構137、138將基板W搬送至邊緣曝光部EEW時,有於邊緣曝光部EEW之旋轉卡盤之旋轉中心與基板W之中心WC偏差之狀態下將基板W保持於旋轉卡盤之情形。
於本實施形態中,於將基板W搬送至旋轉卡盤25時,以旋轉卡盤25之旋轉中心與基板W之中心WC一致之方式,藉由對準器AL預先進 行基板W之對位。旋轉卡盤25之旋轉中心相當於基準位置。相同地,於將基板W搬送至邊緣曝光部EEW時,以邊緣曝光部EEW之旋轉卡盤之旋轉中心與基板W之中心WC一致之方式,藉由對準器AL預先進行基板W之對位。
以下,對設置於第1處理區塊12之上段熱處理部301(圖3)之對準器AL,取得用以進行對位之修正資訊之次序進行說明。圖9係顯示對準器AL與複數個旋轉卡盤25之關係之方塊圖。於圖9中,分別將塗佈處理室21之2個旋轉卡盤25稱為旋轉卡盤25a、25b,將塗佈處理室22之2個旋轉卡盤25稱為旋轉卡盤25c、25d。
如圖9所示,於設置於上段熱處理部301之對準器AL之記憶體506,記憶修正資訊CIa、CIb、CIc、CId。修正資訊CIa~CId係為了使各個旋轉卡盤25a~25d之旋轉中心與基板W之中心WC一致而用以進行對位之修正資訊。修正資訊CIa~CId係於基板處理裝置100之設置時或保養時取得,並記憶於記憶體506。以下,說明用以取得修正資訊CIa之次序。
圖10~圖13係用以說明取得修正資訊CIa之次序之圖。於圖10~圖13之說明中,將箭頭X朝向之方向稱為+X方向,將與箭頭X相反之方向稱為-X方向。又,將箭頭Y朝向之方向稱為+Y方向,將與箭頭Y相反之方向稱為-Y方向。
首先,如圖10所示,於旋轉保持裝置504之旋轉軸RA與原點位置O一致之狀態,將基板W搬入至對準器AL,並藉由旋轉保持裝置504保持。將此時基板W之中心WC之位置設為P1。
此處,算出基板W之X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。算出之X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff分別為Xoff1及Yoff1。因此,位置P1之座標為(Xoff1,Yoff1)。
接著,如圖10一點鏈線之箭頭所示,藉由搬送機構127將基板W 於+X方向僅移動距離Lx,且於+Y方向僅移動距離Ly。藉此,如圖11所示,自對準器AL將基板W搬送至旋轉卡盤25a。於該時點,旋轉卡盤25a之旋轉中心25C與基板W之中心WC不一致。
接著,如圖11一點鏈線之箭頭所示,基板W藉由旋轉卡盤25a僅旋轉特定之角度。基板W之旋轉角度係較佳為180°。於該情形時,旋轉卡盤25a之旋轉中心25C為圖11之旋轉前基板W之中心WC與圖12之旋轉後基板W之中心WC之中點。
其後,如圖12一點鏈線之箭頭所示,基板W藉由搬送機構127於-X方向僅移動距離Lx,且於-Y方向僅移動距離Ly。藉此,如圖13所示,自旋轉卡盤25a將基板W搬送至對準器AL。將此時基板W之中心WC之位置設為P2。
此處,算出基板W之X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。算出之X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff分別為Xoff2及Yoff2。因此,位置P2之座標為(Xoff2,Yoff2)。
接著,基於算出之X偏移量Xoff1、Xoff2及Y偏移量Yoff1、Yoff2,算出修正位置P0。修正位置P0係於自對準器AL將基板W搬送至旋轉卡盤25a之情形時,為了旋轉卡盤25a中基板W之中心WC與旋轉卡盤25之旋轉中心25C一致,對準器AL中基板W之中心WC應存在之位置。即,於對準器AL中基板W之中心WC與修正位置P0一致之狀態,將基板W自對準器AL搬送至旋轉卡盤25a時,基板W之中心WC與旋轉卡盤25a之旋轉中心25C一致。於圖13之例中,修正位置P0係位置P1、P2之中點。修正位置P0之X座標為(Xoff1+Xoff2)/2,修正位置P0之Y座標為(Yoff1+Yoff2)/2。
藉由與上述相同之次序,算出分別對應於圖9之旋轉卡盤25b~25d之修正位置P0。將對應於旋轉卡盤25a~25d之修正位置P0分別作為修正資訊CIa~CId記憶於圖9之記憶體506。又,修正資訊 CIa~CId係可將對應於旋轉卡盤25a~25d之旋轉方向偏移量θoff之一定值作為修正方向包含。
(8)基板之對位
接著,對基板W處理時對準器AL之基板W之對位進行說明。圖14~圖16係用以說明第1處理區塊12之基板處理中基板W之對位之圖。
於第1處理區塊12中,搬送機構127係將載置於圖4之基板載置部PASS1之基板W依序搬送至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及對準器AL(圖3)。此時,旋轉保持裝置504之旋轉軸RA係與原點位置O一致。於該狀態,如圖14所示,藉由旋轉保持裝置504保持已進行密著強化處理及冷卻之基板W。此處,算出基板W之X偏移量Xoff、Y偏移量Yoff及旋轉方向偏移量θoff。藉此,檢測基板W之中心WC及凹口NT方向。
接著,基於記憶於圖9之記憶體506之修正資訊,如圖15所示,藉由對準器AL進行基板W之對位。於對位中,以旋轉方向偏移量θoff為一定值之方式基板W藉由旋轉保持裝置504旋轉。於圖15之例中,旋轉方向偏移量θoff係90°。此處,旋轉方向偏移量θoff之一定值係作為修正方向包含於修正資訊CIc。又,基於記憶於記憶體506之修正資訊CIc,取得修正位置P0。以旋轉後之基板W之中心WC與取得之修正位置P0一致之方式藉由移動裝置500於X方向及Y方向移動基板W。
接著,如圖15一點鏈線之箭頭所示,基板W藉由搬送機構127於+X方向僅移動預先規定之一定距離,且於+Y方向僅移動預先規定之一定距離。藉此,如圖16所示,於凹口NT之朝向一定,且旋轉卡盤25c之旋轉中心25C與基板W之中心WC一致之狀態將基板W保持於旋轉卡盤25c。於該狀態,於塗佈處理室22中,藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成抗反射膜。
其後,搬送機構127係將於塗佈處理室22中形成有抗反射膜之基 板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及對準器AL。此時,旋轉保持裝置504之旋轉軸RA係與原點位置O一致。於該狀態,已進行熱處理及冷卻之基板W與上述相同地藉由旋轉保持裝置504保持。此處,檢測基板W之中心WC及凹口NT方向。
接著,於對準器AL中,以旋轉方向偏移量θoff為一定值之方式藉由旋轉保持裝置504旋轉基板W。此處,旋轉方向偏移量θoff之一定值係作為修正方向包含於修正資訊CIa。又,基於記憶於圖9之記憶體506之修正資訊CIa,取得修正位置P0。以旋轉後基板W之中心WC與取得之修正位置P0一致之方式藉由移動裝置500於X方向及Y方向移動基板W。
接著,基板W藉由搬送機構127於+X方向僅移動預先規定之一定距離,且於+Y方向僅移動預先規定之一定距離。藉此,於凹口NT之朝向一定,且圖10之旋轉卡盤25a之旋轉中心25C與基板W之中心WC一致之狀態將基板W保持於旋轉卡盤25a。於該狀態,於塗佈處理室21(圖2)中,藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成抗蝕劑膜。
其後,搬送機構127係將於塗佈處理室21中形成有抗蝕劑膜之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS5(圖4)。藉此,進行熱處理後之基板W載置於基板載置部PASS5。
於上述基板W之搬送中,基於對應於應支持基板W之位置之修正資訊,藉由對準器AL進行基板W之對位。具體聞言,基於修正資訊CIc,進行用以使旋轉卡盤25c之旋轉中心25C與基板W之中心WC一致之基板W之對位。又,基於修正資訊CIa,進行用以使旋轉卡盤25a之旋轉中心25C與基板W之中心WC一致之基板W之對位。
因此,可於塗佈處理室22中使旋轉卡盤25c之旋轉中心25C與基板W之中心WC一致,於塗佈處理室21中使旋轉卡盤25a之旋轉中心25C與基板W之中心WC一致。藉此,可提高基板W之抗反射膜之形成 精度及抗蝕劑膜之形成精度。又,由於於凹口NT朝向一定之狀態對基板W進行處理,故可均一化複數個基板W之抗反射膜之形成精度及抗蝕劑膜之形成精度。
(9)效果
於本實施形態中,於取得修正資訊時預先取得分別對應於複數個旋轉卡盤25a~25d之複數個修正資訊CIa~CId,並記憶於記憶體506。於基板W之處理時,於自對準器AL向任一個旋轉卡盤25a~25d搬送基板W前,基於記憶於記憶體506之對應於該旋轉卡盤25之修正資訊,藉由對準器AL調整基板W之位置。將藉由對準器AL調整位置之基板以搬送機構127搬送至該旋轉卡盤25。
根據該構成,預先取得對準器AL之用以調整基板W位置之複數個修正資訊CIa~CId,並記憶圖記憶體506。因此,於基板W之搬送前藉由對準器AL進行用以使基板W之中心WC與各旋轉卡盤25a~25d之旋轉中心25C一致之對位。又,於基板W之搬送前藉由對準器AL進行用以使基板W之凹口NT方向與一定方向一致之對位。
藉此,於基板W處理時,藉由搬送機構127搬送至一個旋轉卡盤25a~25d之基板W係其中心WC與該旋轉卡盤25之旋轉中心25C一致,且凹口NT朝向一定之方向。於該狀態藉由該旋轉卡盤25支持基板W。
於該情形時,不需要於搬送機構127進行用以使基板W之中心WC與各旋轉卡盤25a~25d之旋轉中心25C一致之修正。因此,可削減先前作業者修正作業所需要之大量時間,可提高基板處理裝置100之運轉效率。又,可以不論搬送機構127之搬送距離,減少基板W與各旋轉卡盤25a~25d之偏差之方式將基板W搬送至各各旋轉卡盤25a~25d。
又,於基板W之中心WC與各旋轉卡盤25a~25d之旋轉中心25C一致,且凹口NT朝向一定之方向之狀態對藉由各旋轉卡盤25a~25d旋轉 之基板W進行處理。藉此,可提高基板W之處理精度,並可均一化複數個基板W之處理精度。
[2]第2實施形態
於第1實施形態中,應支持基板W之位置為旋轉卡盤等旋轉保持裝置之中心,但不限定於此。應支持基板W之位置係可為不包含旋轉保持裝置之熱處理單元等。於第2實施形態中,藉由對準器進行搬送至熱處理單元之基板W之對位。以下,對第2實施形態之基板處理裝置,說明與第1實施形態之基板處理裝置100之不同點。
圖17係顯示熱處理單元PHP之構成之圖。圖17(a)係熱處理單元PHP之俯視圖,圖17(b)係圖17(a)之熱處理單元PHP之A-A線剖面圖。如圖17(a)所示,熱處理單元PHP包含加熱部401及複數個軌道構件402。加熱部401係圓盤狀之加熱板。複數個軌道構件402係沿著加熱部401之邊緣大致等間隔設置。於圖17(a)之例中,以大致60°間隔設置6個軌道構件402。
如圖17(b)所示,各軌道構件402具有圓錐梯形狀。於藉由複數個軌道構件402包圍之區域配置基板W之情形時,如圖17(c)箭頭所示,沿著軌道構件402傾斜之側面基板被導引至下方。藉此,於加熱部401之支持中心401C與基板W之中心WC一致之狀態,將基板W支持於加熱部401之上方。
於本實施形態中,於圖1之介面區塊14進而設置對準器AL。對準器AL係例如配置於圖4之基板載置部PASS9之上方。以下,說明取得用以進行自介面區塊14之對準器AL搬送至圖3之第2處理區塊13之上段熱處理部303之熱處理單元PHP的基板W之對位之修正資訊之次序。
圖18及圖19係用以說明第2實施形態中取得修正資訊之次序之圖。首先,如圖18所示,於加熱部401之支持中心401C與基板W之中 心WC一致之狀態,將基板W支持於熱處理單元PHP。於該情形時,加熱部401之支持中心401C相當於基準位置。此處,亦可藉由搬送機構142自對準器AL搬送至熱處理單元PHP,藉此,將基板W支持於熱處理單元PHP。或,亦可藉由基板處理裝置100之使用者將基板W支持於熱處理單元PHP。
接著,如圖18一點鏈線之箭頭所示,基板W藉由搬送機構142於+X方向僅移動預先規定之一定距離,且於+Y方向僅移動預先規定之一定距離。藉此,如圖19所示,自熱處理單元PHP將基板W搬送至對準器AL。並將此時之基板W之中心WC之位置作為修正位置P0。
此處,旋轉保持裝置504之旋轉軸RA係與原點位置O一致。藉由算出基板W之X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff,算出修正位置P0。於該情形時,修正位置P0之座標係(Xoff,Yoff)。藉由相同之次序,算出分別對應於其他複數個熱處理單元PHP之修正位置P0。算出之複數個修正位置P0係分別作為複數個修正資訊記憶於圖9之記憶體506。修正資訊係可將對應於熱處理單元PHP之旋轉方向偏移量θoff之一定值作為修正方向包含。
接著,對基板W處理時對準器AL之基板W之對位進行說明。首先,搬送機構142(圖1)係將載置於基板載置部PASS9(圖4)之曝光處理後之基板W依序搬送至清洗乾燥處理單元SD2及對準器AL。
於初始狀態中,旋轉保持裝置504之旋轉軸RA與原點位置O一致。於該狀態,藉由旋轉保持裝置504保持已進行清洗乾燥處理之基板W。此處,算出基板W之X偏移量Xoff、Y偏移量Yoff及旋轉方向偏移量θoff。藉此,檢測基板W之中心WC及凹口NT方向。
接著,基於記憶於圖9之記憶體506之修正資訊,於對準器AL中,以旋轉方向偏移量θoff為一定值之方式基板W藉由旋轉保持裝置504旋轉。此處,旋轉方向偏移量θoff之一定值係作為修正方向包含 於修正資訊。又,基於記憶於圖9之記憶體506之修正資訊,取得修正位置P0。以旋轉後之基板W之中心WC與取得之修正位置P0一致之方式藉由移動裝置500於X方向及Y方向移動基板W。
其後,基板W藉由搬送機構142於+X方向僅移動預先規定之一定距離,且於+Y方向僅移動預先規定之一定距離。藉此,於凹口NT之朝向一定,且熱處理單元PHP之加熱部401之支持中心401C與基板W之中心WC一致之狀態將基板W支持於熱處理單元PHP。於該狀態,對基板W進行PEB處理。
於上述基板W之搬送中,基於對應於應支持基板W之位置之修正資訊,藉由對準器AL進行基板W之對位。具體而言,基於修正資訊,進行用以使熱處理單元PHP之加熱部401之支持中心401C與基板W之中心WC一致之基板W之對位。
因此,可於熱處理單元PHP中使加熱部401之支持中心401C與基板W之中心WC一致。藉此,可提高基板W之PEB處理之精度。又,由於於凹口NT之朝向一定之狀態對基板W進行處理,故可均一化複數個基板W之PEB處理之精度。進而,由於於凹口NT之朝向一定之狀態對基板W進行處理,即使於基板W之PEB處理產生不良之情形,亦可容易地進行原因解析。
[3]其他實施形態
(1)於第1及第2實施形態中,搬送機構127、128、137、138、142係可於X方向、Y方向及Z方向自由地搬送基板W之搬送機器人,但不限定於此。搬送機構127、128、137、138、142係可為可於一方向搬送基板W之單軸機器人(電動滑動器)。或,搬送機構127、128、137、138、142係亦可為圓筒座標機器人。
於搬送機構127、128、137、138、142為其等機器人之情形時,即使於搬送機構127、128、137、138、142進行修正,亦無法使凹口 NT方向關於基板W之中心與特定之方向一致。然而,藉由於對準器AL中預先進行基板W之對位,可使用單軸機器人或圓筒座標機器人使凹口NT方向關於基板W之中心與特定之方向一致。
(2)於第1及第2實施形態中,以使凹口NT方向關於基板W之中心WC與特定之方向一致並使基板W之中心WC與特定位置一致之方式進行對位,但不限定於此。於不需要統一複數個基板W之凹口NT方向之情形時,不需要使凹口NT方向關於基板W之中心WC與特定方向一致,而以基板W之中心WC與特定位置一致之方式進行對位。
(3)於第1及第2實施形態中,將分別對應於複數個旋轉卡盤25a~25d之複數個修正資訊CIa~CId記憶於對準器AL之記憶體506,但部限定於此。可將對應於1個旋轉卡盤25之1個修正資訊記憶於對準器AL之記憶體506。
(4)於第1及第2實施形態中,於圖11之取得修正資訊時基板W藉由旋轉卡盤180°旋轉,但不限定於此。於圖11之修正資訊取得時基板W可藉由旋轉卡盤僅旋轉任意之角度。於該情形時,藉由幾何學之運算,基於基板W之旋轉前中心WC之位置與基板W旋轉後中心WC之位置,可算出圖13之修正位置P0。
[4]請求項各構成要素與實施形態各構成要素之對應
以下,對請求項各構成要素與實施形態各構成要素之對應例進行說明,但本發明係不限定於下述之例。
於上述實施形態中,基板W為基板之例,基板處理裝置100為基板處理裝置之例,旋轉中心25C或支持中心401C為基準位置之例。塗佈處理室21~24、邊緣曝光部EEW或熱處理單元PHP為基板支持部之例,對準器AL為位置調整部之例,搬送機構127、128、137、138、142為搬送裝置之例。
修正資訊CIa~CId為修正資訊之例,記憶體506為記憶部之例,控 制部510為控制部之例,修正位置P0為修正位置之例,旋轉卡盤25為第1旋轉保持裝置之例。軌道構件402為導引構件之例,旋轉保持裝置504為基板保持部或第2旋轉保持裝置之例,移動裝置500為移動裝置之例,線感測器505為位置檢測器之例,凹口NT為凹口之例。
作為申請專利範圍之各構成要素,亦可使用具有記載於申請專利範圍之構成或功能之其他各種要素。
[產業上之可利用性]
本發明係可有效地利用於各種基板之處理。
21‧‧‧塗佈處理室
25a‧‧‧旋轉卡盤
25C‧‧‧旋轉中心
127‧‧‧搬送機構
500‧‧‧移動裝置
504‧‧‧旋轉保持裝置
505‧‧‧線感測器
AL‧‧‧對準器
Lx‧‧‧距離
Ly‧‧‧距離
NT‧‧‧凹口
O‧‧‧原點位置
P1‧‧‧位置
RA‧‧‧旋轉軸
W‧‧‧基板
X、Y、Z‧‧‧座標系
(Xoff1,Yoff1)‧‧‧座標

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置,其係對基板進行處理者,且包含:1個或複數個基板支持部,其具有預先設定之基準位置,並支持基板;位置調整部,其係構成為可調整被搬入之基板之位置;搬送裝置,其係構成為可於上述位置調整部與上述1個或複數個基板支持部之間搬送基板;記憶部,其係記憶為了藉由上述位置調整部調整基板之位置而對應於上述1個或複數個基板支持部預先取得之1個或複數個修正資訊;及控制部,其係於基板處理時,於自上述位置調整部向上述1個或複數個基板支持部中之一基板支持部搬送基板前,基於記憶於上述記憶部之上述1個或複數個修正資訊中對應於上述一基板支持部之修正資訊,以調整基板位置之方式控制上述位置調整部;且上述1個或複數個修正資訊各者係表示為了於藉由上述搬送裝置自上述位置調整部向上述1個或複數個基板支持部各者搬送基板時使搬送後之基板之中心與該基板支持部之上述基準位置一致,而應藉由上述位置調整部調整之位置;上述1個或複數個修正資訊各者包含於向上述1個或複數個基板支持部各者搬送基板前於上述位置調整部應與基板中心一致之位置作為修正位置;上述控制部係以於向上述一基板支持部搬送基板前基板中心與對應於上述一基板支持部之修正位置一致之方式控制上述位置調整部; 上述1個或複數個基板支持部各者包含以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉之第1旋轉保持裝置;上述位置調整部構成為具有基準軸,並檢測被搬入之基板之中心與上述基準軸之偏差量;上述控制部係於取得修正資訊時,以自上述位置調整部向各基板支持部搬送基板之方式控制上述搬送裝置,以上述搬送之基板僅旋轉特定之角度之方式控制上述第1旋轉保持裝置,以自該基板支持部向上述位置調整部搬送基板之方式控制上述搬送裝置,於自上述位置調整部向各基板支持部搬送前檢測藉由上述位置調整部檢測出之偏差量作為第1偏差量,於自該基板支持部向上述位置調整部搬送後檢測藉由上述位置調整部檢測出之偏差量作為第2偏差量,並基於上述第1及第2偏差量算出修正位置;上述記憶部係記憶藉由上述控制部對應於上述1個或複數個基板支持部而算出之1個或複數個修正位置作為上述1個或複數個修正資訊。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其中上述特定之旋轉角度係180度。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中上述1個或複數個基板支持部各者係構成為於基板處理時,對藉由上述第1旋轉保持裝置而旋轉之基板進行處理。
  4. 一種基板處理裝置,其係對基板進行處理者,且包含:1個或複數個基板支持部,其具有預先設定之基準位置,並支持基板;位置調整部,其係構成為可調整被搬入之基板之位置;搬送裝置,其係構成為可於上述位置調整部與上述1個或複數 個基板支持部之間搬送基板;記憶部,其係記憶為了藉由上述位置調整部調整基板之位置而對應於上述1個或複數個基板支持部預先取得之1個或複數個修正資訊;及控制部,其係於基板處理時,於自上述位置調整部向上述1個或複數個基板支持部中之一基板支持部搬送基板前,基於記憶於上述記憶部之上述1個或複數個修正資訊中對應於上述一基板支持部之修正資訊,以調整基板位置之方式控制上述位置調整部;且上述1個或複數個修正資訊各者係表示為了於藉由上述搬送裝置自上述位置調整部向上述1個或複數個基板支持部各者搬送基板時使搬送後之基板之中心與該基板支持部之上述基準位置一致,而應藉由上述位置調整部調整之位置;上述1個或複數個修正資訊各者包含於向上述1個或複數個基板支持部各者搬送基板前於上述位置調整部應與基板中心一致之位置作為修正位置;上述控制部係以於向上述一基板支持部搬送基板前基板中心與對應於上述一基板支持部之修正位置一致之方式控制上述位置調整部;上述1個或複數個基板支持部各者包含將基板之中心位置導引至上述基準位置之導引機構;上述位置調整部係構成為具有基準軸,並檢測被搬入之基板中心與上述基準軸之偏差量;於取得修正資訊時,於上述1個或複數個基板支持部各者中藉由上述導引機構將基板中心位置導引至上述基準位置;上述控制部係於取得上述修正資訊時,以自上述1個或複數個 基板支持部各者向上述位置調整部搬送基板之方式控制上述搬送裝置,並於自該基板支持部向上述位置調整部搬送後取得藉由上述位置調整部檢測出之偏差量,基於上述取得之偏差量算出修正位置;上述記憶部係記憶藉由上述控制部對應於1個或複數個基板支持部而算出之1個或複數個修正位置作為上述1個或複數個修正資訊。
  5. 如請求項4之基板處理裝置,其中上述1個或複數個基板支持部各者係構成為於基板處理時,對基板進行溫度處理。
  6. 如請求項1、2、4或5中任一項之基板處理裝置,其中上述位置調整部包含:基板保持部,其保持基板;移動裝置,其係使上述基板保持部於垂直於上述基準軸之二維方向移動;及位置檢測器,其檢測藉由上述基板保持部保持之基板之外周部之位置;且上述控制部係於基板處理時向上述一基板支持部搬送基板前,基於藉由上述位置檢測器檢測出之基板之外周部之位置而算出基板中心位置,並基於算出之基板中心位置,以藉由上述基板保持部保持之基板之中心與對應於上述一基板支持部之修正位置一致之方式控制上述移動裝置。
  7. 如請求項1、2、4或5中任一項之基板處理裝置,其中上述1個或複數個基板支持部各者具有預先設定之基準方向,上述位置調整部係構成為可調整被搬入之基板之方向,上述1個或複數個修正資訊各者包含為了於自上述位置調整部向上述1個或複數個基板支持部各者搬送基板時使搬送後之基板 方向與該基板支持部之上述基準方向一致,而應藉由上述位置調整部調整之方向。
  8. 如請求項7之基板處理裝置,其中上述1個或複數個修正資訊各者包含於向上述1個或複數個基板支持部各者搬送基板前、於上述位置調整部中應與基板之凹口方向一致之方向作為修正方向,且上述控制部係於向上述一基板支持部搬送基板前,以基板之凹口方向與對應於上述一基板支持部之修正方向一致之方式控制上述位置調整部。
  9. 如請求項8之基板處理裝置,其中上述位置調整部包含:第2旋轉保持裝置,其係以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉;移動裝置,其係使上述第2旋轉保持裝置於垂直於上述基準軸之二維方向移動;及位置檢測器,其檢測藉由上述第2旋轉保持裝置而旋轉之基板之外周部之位置;且上述控制部係於上述基板處理時於向上述一基板支持部搬送基板前,基於藉由上述位置檢測器檢測出之基板之外周部位置而算出基板之中心位置及基板凹口方向,並基於算出之基板之中心位置及算出之基板凹口方向,以藉由上述第2旋轉保持裝置保持之基板之中心與對應於上述一基板支持部之修正位置一致,且藉由上述第2旋轉保持裝置保持之基板之凹口方向與對應於上述一基板支持部之修正方向一致之方式控制上述第2旋轉保持裝置及上述移動裝置。
  10. 一種基板處理方法,其係對基板進行處理者,且包含以下步驟: 將1個或複數個修正資訊記憶於記憶部之步驟,其將為了藉由位置調整部調整基板之位置而對應於1個或複數個基板支持部預先取得之1個或複數個修正資訊記憶於記憶部;調整基板位置之步驟,其於基板處理時,於自上述位置調整部向上述1個或複數個基板支持部中之一基板支持部搬送基板前,基於記憶於上述記憶部之上述1個或複數個修正資訊中對應於上述一基板支持部之修正資訊,藉由上述位置調整部調整基板位置;將已藉由上述位置調整部調整位置之基板以搬送裝置搬送至上述一基板支持部;且上述1個或複數個修正資訊各者係表示為了於藉由上述搬送裝置自上述位置調整部向上述1個或複數個基板支持部各者搬送基板時使搬送後之基板之中心與該基板支持部之基準位置一致,而應藉由上述位置調整部調整之位置;上述1個或複數個修正資訊各者包含於向上述1個或複數個基板支持部各者搬送基板前於上述位置調整部應與基板中心一致之位置作為修正位置;上述位置調整部構成為具有基準軸,並檢測被搬入之基板之中心與上述基準軸之偏差量;上述1個或複數個基板支持部各者包含以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉之第1旋轉保持裝置;上述將1個或複數個修正資訊記憶於記憶部之步驟係包含:於取得修正資訊時,藉由上述搬送裝置自上述位置調整部向各基板支持部搬送基板,藉由上述第1旋轉保持裝置使上述被搬送之基板僅旋轉特定之角度, 藉由上述搬送裝置自該基板支持部向上述位置調整部搬送基板,於自上述位置調整部向各基板支持部搬送前檢測藉由上述位置調整部檢測出之偏差量作為第1偏差量,於自該基板支持部向上述位置調整部搬送後檢測藉由上述位置調整部檢測出之偏差量作為第2偏差量,基於上述第1及第2偏差量算出修正位置,將對應於上述1個或複數個基板支持部而算出之1個或複數個修正位置記憶於上述記憶部;上述調整基板位置之步驟係包含:以於向上述一基板支持部搬送基板前基板中心與對應於上述一基板支持部之修正位置一致之方式,藉由上述位置調整部調整基板位置。
  11. 一種基板處理方法,其係對基板進行處理者,且包含以下步驟:將1個或複數個修正資訊記憶於記憶部之步驟,其將為了藉由位置調整部調整基板之位置而對應於1個或複數個基板支持部預先取得之1個或複數個修正資訊記憶於記憶部;調整基板位置之步驟,其於基板處理時,於自上述位置調整部向上述1個或複數個基板支持部中之一基板支持部搬送基板前,基於記憶於上述記憶部之上述1個或複數個修正資訊中對應於上述一基板支持部之修正資訊,藉由上述位置調整部調整基板位置;將已藉由上述位置調整部調整位置之基板以搬送裝置搬送至上述一基板支持部;且上述1個或複數個修正資訊各者係表示為了於藉由上述搬送裝置自上述位置調整部向上述1個或複數個基板支持部各者搬送基 板時使搬送後之基板之中心與該基板支持部之基準位置一致,而應藉由上述位置調整部調整之位置;上述1個或複數個修正資訊各者包含於向上述1個或複數個基板支持部各者搬送基板前於上述位置調整部應與基板中心一致之位置作為修正位置;上述1個或複數個基板支持部各者包含將基板之中心位置導引至上述基準位置之導引機構;上述位置調整部係構成為具有基準軸,並檢測被搬入之基板中心與上述基準軸之偏差量;上述將1個或複數個修正資訊記憶於記憶部之步驟係包含:於取得修正資訊時,於上述1個或複數個基板支持部各者中藉由上述導引機構將基板中心位置導引至上述基準位置,藉由上述搬送裝置將被導引至該基準位置之基板,自上述1個或複數個基板支持部各者向上述位置調整部搬送,於自該基板支持部向上述位置調整部搬送後取得藉由上述位置調整部檢測出之偏差量,基於上述取得之偏差量算出修正位置,將對應於上述1個或複數個基板支持部而算出之1個或複數個修正位置記憶於上述記憶部;上述調整基板位置之步驟係包含:以於向上述一基板支持部搬送基板前基板中心與對應於上述一基板支持部之修正位置一致之方式,藉由上述位置調整部調整基板位置。
TW104112906A 2014-04-30 2015-04-22 基板處理裝置及基板處理方法 TWI613746B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014094151A JP6285275B2 (ja) 2014-04-30 2014-04-30 基板処理装置および基板処理方法
JP2014-094151 2014-04-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201541544A TW201541544A (zh) 2015-11-01
TWI613746B true TWI613746B (zh) 2018-02-01

Family

ID=54355751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104112906A TWI613746B (zh) 2014-04-30 2015-04-22 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20150318198A1 (zh)
JP (1) JP6285275B2 (zh)
KR (1) KR102369833B1 (zh)
TW (1) TWI613746B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015220746A1 (de) * 2015-10-23 2017-04-27 Ersa Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Platzierung elektronischer Bauteile
JP6554392B2 (ja) * 2015-11-12 2019-07-31 株式会社ディスコ スピンナー装置
JP6703785B2 (ja) * 2016-05-09 2020-06-03 キヤノン株式会社 基板処理装置、および物品製造方法
JP6744155B2 (ja) * 2016-06-30 2020-08-19 日本電産サンキョー株式会社 搬送システム
JP6727048B2 (ja) * 2016-07-12 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および接合システム
JP6754247B2 (ja) * 2016-08-25 2020-09-09 株式会社Screenホールディングス 周縁部処理装置および周縁部処理方法
JP6842934B2 (ja) * 2017-01-27 2021-03-17 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置、検出位置較正方法および基板処理装置
KR20180098451A (ko) 2017-02-24 2018-09-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6966913B2 (ja) * 2017-09-29 2021-11-17 川崎重工業株式会社 基板搬送装置及び基板載置部の回転軸の探索方法
EP3694302B1 (en) * 2017-10-06 2023-09-20 Fuji Corporation Substrate work system
JP6653722B2 (ja) * 2018-03-14 2020-02-26 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置
JP7181068B2 (ja) * 2018-11-30 2022-11-30 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030023343A1 (en) * 2001-07-24 2003-01-30 Murata Kikai Kabushiki Kaisha Wafer transfer system, wafer transfer method and automatic guided vehicle system
TW201232191A (en) * 2010-11-29 2012-08-01 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment system, substrate treatment method, and computer storage medium

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3833373B2 (ja) 1997-11-28 2006-10-11 大日本スクリーン製造株式会社 搬送装置及びその搬送装置を適用した基板処理装置並びにこれらに使用する治具
JPH11349280A (ja) * 1998-06-05 1999-12-21 Shinko Electric Co Ltd 懸垂式搬送装置
CN100499060C (zh) * 2001-11-14 2009-06-10 罗兹株式会社 晶片定位方法和装置,晶片加工***及晶片定位装置的晶片座旋转轴定位方法
JP4226241B2 (ja) * 2001-11-14 2009-02-18 ローツェ株式会社 ウエハの位置決め方法、位置決め装置並びに処理システム
JP4260423B2 (ja) * 2002-05-30 2009-04-30 ローツェ株式会社 円盤状物の基準位置教示方法、位置決め方法および搬送方法並びに、それらの方法を使用する円盤状物の基準位置教示装置、位置決め装置、搬送装置および半導体製造設備
JP4993614B2 (ja) * 2008-02-29 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 搬送手段のティーチング方法、記憶媒体及び基板処理装置
JP6118044B2 (ja) * 2012-07-19 2017-04-19 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030023343A1 (en) * 2001-07-24 2003-01-30 Murata Kikai Kabushiki Kaisha Wafer transfer system, wafer transfer method and automatic guided vehicle system
TW201232191A (en) * 2010-11-29 2012-08-01 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment system, substrate treatment method, and computer storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015211206A (ja) 2015-11-24
US20150318198A1 (en) 2015-11-05
TW201541544A (zh) 2015-11-01
KR102369833B1 (ko) 2022-03-03
JP6285275B2 (ja) 2018-02-28
US20180047603A1 (en) 2018-02-15
US10468284B2 (en) 2019-11-05
KR20150125593A (ko) 2015-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI613746B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI598975B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI627693B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN108364898B (zh) 基板搬送装置、检测位置校正方法及基板处理装置
JP5516482B2 (ja) 基板搬送方法、基板搬送装置、及び塗布現像装置
TWI720945B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR101790447B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2021103790A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2005011853A (ja) 基板処理装置及び基板搬送手段の位置合わせ方法
US9685363B2 (en) Alignment device and substrate processing apparatus
KR20160103927A (ko) 주변 노광 장치, 주변 노광 방법, 프로그램, 및 컴퓨터 기억 매체
US9606454B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing system
JP5884624B2 (ja) 基板処理装置、調整方法及び記憶媒体
KR20080084310A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2023510411A (ja) 基板搬送方法および基板搬送装置
JP2022042669A (ja) 搬送システム
TWI741500B (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置中之對象物之搬送方法
JPH09153538A (ja) 基板処理装置
JP2023088493A (ja) 検出システム、検出方法及び記憶媒体
JP3718633B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
CN117751271A (zh) 基板厚度测定装置、基板处理***以及基板厚度测定方法