TWI607548B - 自發光型顯示器 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種自發光型顯示器,且特別是有關於一種具有條狀電極的自發光型顯示器。
隨著半導體科技的進步,現今的發光二極體已具備了高亮度的輸出,加上發光二極體具有省電、體積小、低電壓驅動以及不含汞等優點,因此發光二極體已廣泛地應用在顯示器與照明等領域,以形成自發光型顯示器。
一般而言,自發光型顯示器是使用機械裝置或是圖章(PDMS)轉印的方式來安裝發光二極體於基板上。然而,在轉印的過程中會有對位以及精度的問題,故在其他製程中,需要使用大面積的內連線(interconnection)來彌補對位的不足,以避免斷線等問題的產生。然而,大面積的內連線將會使得自發光型顯示器的出光率下降。
本發明提供一種自發光型顯示器,能夠有效地提高出光率。
本發明提供一種自發光型顯示器,包括載板、發光元件、第一電極以及第二電極。發光元件配置於載板上且具有第一接墊以及第二接墊。第一電極具有連接至第一位準的多個第一條狀部。發光元件的第一接墊透過至少一第一條狀部與載板電性連接。第二電極具有連接至第二位準的多個第二條狀部。第一電極與第二電極彼此分離。發光元件的第二接墊透過至少一第二條狀部與載板電性連接。第一位準不同於第二位準。
基於上述,由於本發明的自發光型顯示器具有延伸至大範圍的電極,能夠確保當發光二極體具有安裝對位誤差時還是能夠與電極順利連接,避免斷線的問題。在此同時,由於本發明的電極為條狀電極,能夠使得發光二極體所發出的光由條狀電極之間的空隙透出,故亦能有效地提高出光率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是依照本發明一實施例的自發光型顯示器10的上視示意圖。圖1B是根據圖1A的自發光型顯示器的剖線A-A’的剖面示意圖。請同時參照圖1A以及圖1B。自發光型顯示器10包括載板100、發光元件200、黏著層300、第一電極400以及第二電極500。
在本實施例中,載板100包括主動元件陣列基板102、鈍化層104、第一連接電極106以及第二連接電極108。主動元件陣列基板102可以包括多條掃描線、多條資料線以及與掃描線以及資料線電性連接的多個主動元件(未繪示)。其中,主動元件可以是底部閘極型薄膜電晶體或是頂部閘極型薄膜電晶體,且包括閘極、通道、源極以及汲極。在本實施例中,藉由閘極型薄膜電晶體,主動元件陣列基板102能夠提供第一位準V1以及第二位準V2至其他元件。然而,本發明不限於此。在其他實施例中,主動元件陣列基板102可以包括其他類似的主動元件,只要其可以提供第一位準V1即可。
鈍化層104配置於主動元件陣列基板102上,且鈍化層104的材料可為無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料、其它合適的材料、或上述材料的組合。第一連接電極106以及第二連接電極108配置於鈍化層104上。第一連接電極106以及第二連接電極108的材質為導電材料。具體來說,第一連接電極106以及第二連接電極108可以是單一層或是多層的低阻值導電材料的堆疊結構,其包括金、銅、鈦、鋁、鉻、鉑、其他導電材料或這些材料的組合。但本發明不以上述為限。在其他實施例中,第一連接電極106以及第二連接電極108亦可以包括金屬氧化物,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的金屬氧化物。第一連接電極106貫穿鈍化層104而與主動元件陣列基板102電性連接。具體來說,在本實施例中,第一連接電極106可以與主動元件的汲極電性連接,而具有第一位準V1。然而,本發明並不特別限定第一連接電極106與主動元件陣列基板102的連接方式,只要第一連接電極106能夠透過主動元件陣列基板102而具有第一位準V1即可。另一方面,第二連接電極108亦與主動元件陣列基板102電性連接,且連接至不同於第一位準V1的第二位準V2。具體來說,在本實施例中,第二位準V2為共用電位Vss
,且第一位準V1大於第二位準V2。
黏著層300配置於發光元件200以及鈍化層104之間,以將發光元件200固定在載板100上。黏著層300可為透明黏著層或是不透明黏著層。具體來說,可以視發光元件200的發光方向選擇調整黏著層300的材質。在本實施例中,發光元件200例如是發光二極體(Light-Emitting Diode;LED)。發光二極體200具有第一接墊202、第二接墊204、第一型半導體層206、第二型半導體層208以及絕緣層210,其中第一接墊202與第一型半導體層206電性連接,且第二接墊204與第二型半導體層208電性連接。具體來說,在本實施例中,第一型半導體層206是以P型半導體層為例示,且第二型半導體層208是以N型半導體層為例示,但本發明不限於此。在其他實施例中,半導體層的型態亦可以互相調換,只要第一型半導體層206與第二型半導體層208為不同型態的半導體層即可。P型半導體層的材料例如為非晶矽或微晶矽,而其所摻雜的材料例如是選自元素週期表中IIIA族元素的群組,例如是硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)或鉈(Tl)。另一方面,N型半導體層的材料例如為非晶矽或微晶矽,而其所摻雜的材料例如是選自元素週期表中VA族元素的群組,例如是磷(P)、砷(As)、銻(Sb)或鉍(Bi)。在本實施例中,是藉由將絕緣層210覆蓋在第一型半導體層206以及第二型半導體層208上,並暴露出部份的第一型半導體層206以及部份的第二型半導體層208,以形成第一接墊202以及第二接墊204。換言之,在本實施例中,第一接墊202以及第二接墊204分別為第一型半導體層206以及第二型半導體層208的一部分。然而,本發明不限於此。在後述的實施例中,第一接墊202以及第二接墊204亦可以是配置在第一型半導體層206以及第二型半導體層208上的其他元件。另一方面,絕緣層210的材料包含無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料、或其它合適的材料、或上述之組合。
在本實施例中,第一電極400以及第二電極500覆蓋發光元件200。第一電極400以及第二電極500的材料可以與第一連接電極106以及第二連接電極108相同或不同。換言之,第一電極400以及第二電極500可以是單一層或是多層的低阻值導電材料的堆疊結構,其包括金、銅、鈦、鋁、鉻、鉑、其他導電材料或這些材料的組合。另一方面,第一電極400以及第二電極500的材料還可以包括金屬氧化物,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的金屬氧化物。第一電極400具有第一主體部402以及多個第一條狀部404,而第二電極500具有第二主體部502以及多個第二條狀部504。在本實施例中,第一條狀部404與第一主體部402連接,且第二條狀部504與第二主體部502連接。換言之,第一條狀部404與第一主體部402電性連接,且第二條狀部504與第二主體部502電性連接。第一條狀部404更包括第一接合條狀部404a以及第一備用條狀部404b。類似地,第二條狀部504亦包括第二接合條狀部504a以及第二備用條狀部504b。第一電極400與具有第一位準V1的第一連接電極106電性連接,且第一接合條狀部404a由黏著層300的平面沿著發光元件200的側表面延伸至發光元件200的頂表面與第一接墊202電性連接。換言之,藉由爬伸的第一接合條狀部404a,能夠提供第一位準V1給發光元件200的第一接墊202。類似地,第二電極500與具有第二位準V2的第二連接電極108電性連接,且第二接合條狀部504a由黏著層300的平面沿著發光元件200的側表面延伸至發光元件200的頂表面與第二接墊204電性連接。換言之,藉由爬伸的第二接合條狀部504a,能夠提供第二位準V2給發光元件200的第二接墊204。據此,可以藉由提供兩個不同位準給發光元件200,而使得發光元件200產生電子電洞結合效應,進而釋放出光能。另一方面,第一備用條狀部404b以及第二備用條狀部504b是為了讓發光元件200安裝偏移時,還是能夠與第一電極400以及第二電極500電性連接而設置,故第一備用條狀部404b以及第二備用條狀部504b不與第一接墊202以及第二接墊204連接。以下將針對發光元件200在安裝偏移的情況下作詳細地解說。
圖2A至圖2B是圖1A的自發光型顯示器10的發光元件200的偏移狀態的示意圖。請先同時參照圖1A以及圖2A,第一條狀部404以及第二條狀部504之間具有間距m。另一方面,發光元件200具有長度l,且發光元件200的長度l大於間距m。當發光元件200在安裝時具有旋轉偏移(如圖2A)或平移(如圖2B)而與第一條狀部404之間形成夾角θ時,由於發光元件200的長度l大於間距m,故偏移後的發光元件200的第一接墊202以及第二接墊204還是能夠分別與第一接合條狀部404a以及第二接合條狀部504a連接,如圖2A所示。值得注意的是,請同時參照圖1A以及圖2A,當發光元件200具有旋轉偏移時,原本預定為第一備用條狀部404b以及第二備用條狀部504b的部分會作為第一接合條狀部404a以及第二接合條狀部504a而與第一接墊202以及第二接墊204連接。另一方面,原本預定為第一接合條狀部404a以及第二接合條狀部504a的部分會作為第一備用條狀部404b以及第二備用條狀部504b而不與第一接墊202以及第二接墊204連接。
請同時參照圖1A以及圖2B,每一第一條狀部404之間具有間隙n1,且每一第二條狀部504之間具有間隙n2。除此之外,第一條狀部404以及第二條狀部504具有寬度w。另一方面,發光元件200的第一接墊202具有寬度d1且第二接墊204具有寬度d2,且發光元件200本身具有寬度q。當第一條狀部404、第二條狀部504以及發光元件200滿足n1<d1、n2<d2、w<q、w≦d1以及w≦d2的狀態時,可以確保發光元件200在水平上下偏移的狀態下,第一接墊202以及第二接墊204還是能夠分別與第一接合條狀部404a以及第二接合條狀部504a連接,如圖2B所示。
在本實施例中,由於自發光型顯示器10具有滿足上述關係的第一條狀部404、第二條狀部以及發光元件200,能夠確保當發光二極體200具有安裝對位誤差時還是能夠與第一電極400以及第二電極500順利連接,避免斷線的問題。除此之外,由於本實施例的第一電極400以及第二電極500分別具有第一條狀部404以及第二條狀部504,能夠使得發光二極體所發出的光由條狀電極之間的空隙透出,進而有效地提高出光率。
圖3是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器20的剖面示意圖。本實施例的自發光型顯示器20與圖1A至圖1B的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不在重複說明。本實施例與圖1A至圖1B的實施例的不同之處在於本實施例的發光元件200是利用覆晶(flip chip)的方式來與載板100封裝接合,因此可省略黏著層300。換言之,在本實施例中,第一電極400的第一接合條狀部404a以及第二電極500的第二接合條狀部504a是位於載板100以及發光元件200之間。另一方面,第一接合條狀部404a以及第二接合條狀部504a是分別沿著第一連接電極106以及第二連接電極108的表面延伸,且發光元件200的第一型半導體層206以及第二型半導體層208是藉由凸塊所形成的第一接墊202以及第二接墊204分別與第一接合條狀部404a以及第二接合條狀部504a連接。
類似於圖1A至圖1B的實施例,在本實施例中,由於自發光型顯示器20具有特定設計的第一條狀部404、第二條狀部504以及發光元件200,能夠確保當發光二極體200具有安裝對位誤差時還是能夠與第一電極400以及第二電極500順利連接,避免斷線的問題。除此之外,由於本實施例的第一電極400以及第二電極500分別具有第一條狀部404以及第二條狀部504,能夠使得發光二極體所發出的光由條狀電極之間的空隙透出,進而有效地提高出光率。
圖4是依照本發明再一實施例的自發光型顯示器30的剖面示意圖。本實施例的自發光型顯示器30與圖3的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不在重複說明。本實施例與圖3的實施例的不同之處在於本實施例是將第一連接電極106直接作為第一電極400,且將第二連接電極108直接作為第二電極500。換言之,在本實施例中,發光元件200的第一接墊202是直接與第一連接電極106連接,且第二接墊204是直接與第二連接電極108連接。另一方面,在本實施例中,第一連接電極106具有與第一電極400類似的條狀電極設計,且第二連接電極108具有與第二電極500類似的條狀電極設計。
類似於圖3的實施例,在本實施例中,由於自發光型顯示器30具有特定設計的第一連接電極106、第二連接電極108以及發光元件200,能夠確保當發光二極體200具有安裝對位誤差時還是能夠與第一連接電極106以及第二連接電極108順利連接,避免斷線的問題。另一方面,由於本實施例的第一連接電極106以及第二連接電極108分別具有條狀部,能夠使得發光二極體所發出的光由條狀電極之間的空隙透出,進而有效地提高出光率。除此之外,由於本實施例省略了第一電極400以及第二電極500的製作,故能夠節省成本。
在上述實施例中,第一電極400以及第二電極500是以彼此具有間距的梳狀電極為例示,但本發明並不對電極的圖案特別作限定。換言之,第一電極400以及第二電極500亦可以呈現與上述實施例不同的電極圖案。以下將對不同的電極圖案作舉例。
圖5是依照本發明一實施例的自發光型顯示器的第一電極400以及第二電極500的上視示意圖。本實施例的第一電極400以及第二電極500與圖1A的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不再重複說明。本實施例與圖1A的實施例的不同之處在於本實施例的第一條狀部404具有多種不同的長度,且第二條狀部504亦具有多種不同的長度。值得注意的,在本實施例中,是以第一電極400以及第二電極500為鏡像排列為例示,但本發明不限於此。在其他實施例中,第一條狀部404以及第二條狀部504的長度亦可以呈現不規則排列。
圖6是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器的第一電極400以及第二電極500的上視示意圖。本實施例的第一電極400以及第二電極500與圖1A的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不再重複說明。本實施例與圖1A的實施例的不同之處在於本實施例的第一條狀部404以及第二條狀部504為交錯排列。換言之,在本實施例中,每一第二條狀部504是位於兩相鄰的第一條狀部404之間。在本實施例中,由於第一條狀部404以及第二條狀部504為交錯排列,故可以減少第一電極400以及第二電極500所佔用的空間,達到微型化的目的。
圖7是依照本發明再一實施例的自發光型顯示器的第一電極400以及第二電極500的上視示意圖。本實施例的第一電極400以及第二電極500與圖5的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不再重複說明。本實施例與圖5的實施例的不同之處在於本實施例的第一電極400更包括第一放大部406,且第二電極500更包括第二放大部506。在本實施例中,第一放大部406以及第二放大部506是以圓形圖案為例示,但本發明不限於此。在其他實施例中,第一放大部406以及第二放大部506亦可以是其他圖案,例如矩形或方形等。在本實施例中,第一放大部406以及第二放大部506能夠增進發光元件200的第一接墊202以及第二接墊204與第一電極400以及第二電極500之間的連接面積。
圖8是依照本發明又一實施例的自發光型顯示器的第一電極400以及第二電極500的上視示意圖。本實施例的第一電極400以及第二電極500與圖1A的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不再重複說明。本實施例與圖1A的實施例的不同之處在於本實施例的第一電極400更包括多個第一連接部408,且第二電極500更包括多個第二連接部508。第一連接部408與第一條狀部404交錯,且第二連接部508與第二條狀部504交錯。換言之,本實施例的第一電極400以及第二電極500為網狀圖案。值得注意的是,在本實施例中,第一連接部408以及第二連接部508為線形,第一連接部408與第一條狀部404為垂直排列,且第二連接部508與第二條狀部504亦為垂直排列,但本發明不限於此。在其他的實施例中,第一連接部408與第一條狀部404之間可以有其他角度,且第二連接部508與第二條狀部504之間亦可以有其他角度。
圖9是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器的第一電極以及第二電極的上視示意圖。自發光型顯示器的第一電極400以及第二電極500的上視示意圖。本實施例的第一電極400以及第二電極500與圖1A的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不在重複說明。本實施例與圖1A的實施例的不同之處在於本實施例的第一電極400更包括第一連接部408,且第二電極500更包括第二連接部508。第一連接部408與第一條狀部404交錯,且第二連接部508與第二條狀部504交錯。另一方面,僅有一條第一條狀部404與第一主體部402連接,且僅有一條第二條狀部504與第二主體部502連接。除此之外,在本實施例中,第一連接部408以及第二連接部508為彼此相對的弧形。
圖10是依照本發明再一實施例的自發光型顯示器的第一電極400以及第二電極500的上視示意圖。本實施例的第一電極400以及第二電極500與圖9的實施例相似,因此相同的元件以相同的符號表示,且不再重複說明。本實施例與圖9的實施例的不同之處在於本實施例的第一連接部408位於第一條狀部404以及第一主體部402之間,且第二連接部508位於第二條狀部504以及第二主體部502之間。換言之,在本實施例中,第一條狀部404是藉由第一連接部408與第一主體部402連接,而第二條狀部504是藉由第二連接部508與第二主體部502連接。
綜上所述,由於本發明的自發光型顯示器具有延伸至大範圍的電極,能夠確保當發光二極體具有安裝對位誤差時還是能夠與電極順利連接,避免斷線的問題。在此同時,由於本發明的電極為條狀電極,能夠使得發光二極體所發出的光由條狀電極之間的空隙透出,故亦能有效地提高出光率。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30‧‧‧自發光型顯示器 100‧‧‧載板 102‧‧‧主動元件陣列基板 104‧‧‧鈍化層 106‧‧‧第一連接電極 108‧‧‧第二連接電極 200‧‧‧發光元件 202‧‧‧第一接墊 204‧‧‧第二接墊 206‧‧‧第一型半導體層 208‧‧‧第二型半導體層 210‧‧‧絕緣層 300‧‧‧黏著層 400‧‧‧第一電極 402‧‧‧第一主體部 404‧‧‧第一條狀部 404a‧‧‧第一接合條狀部 404b‧‧‧第一備用條狀部 406‧‧‧第一放大部 408‧‧‧第一連接部 500‧‧‧第二電極 502‧‧‧第二主體部 504‧‧‧第二條狀部 504a‧‧‧第二接合條狀部 504b‧‧‧第二備用條狀部 506‧‧‧第二放大部 508‧‧‧第二連接部 d1、d2、q、w‧‧‧寬度 l‧‧‧長度 m‧‧‧間距 n1、n2‧‧‧間隙 θ‧‧‧夾角
圖1A是依照本發明一實施例的自發光型顯示器的上視示意圖。 圖1B是根據圖1A的自發光型顯示器的剖線A-A’的剖面示意圖。 圖2A至圖2B是圖1A的自發光型顯示器的發光元件的偏移狀態的示意圖。 圖3是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器的剖面示意圖。 圖4是依照本發明再一實施例的自發光型顯示器的剖面示意圖。 圖5是依照本發明一實施例的自發光型顯示器的第一電極以及第二電極的上視示意圖。 圖6是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器的第一電極以及第二電極的上視示意圖。 圖7是依照本發明再一實施例的自發光型顯示器的第一電極以及第二電極的上視示意圖。 圖8是依照本發明又一實施例的自發光型顯示器的第一電極以及第二電極的上視示意圖。 圖9是依照本發明另一實施例的自發光型顯示器的第一電極以及第二電極的上視示意圖。 圖10是依照本發明再一實施例的自發光型顯示器的第一電極以及第二電極的上視示意圖。
10‧‧‧自發光型顯示器
200‧‧‧發光元件
202‧‧‧第一接墊
204‧‧‧第二接墊
400‧‧‧第一電極
402‧‧‧第一主體部
404‧‧‧第一條狀部
404a‧‧‧第一接合條狀部
404b‧‧‧第一備用條狀部
500‧‧‧第二電極
502‧‧‧第二主體部
504‧‧‧第二條狀部
504a‧‧‧第二接合條狀部
504b‧‧‧第二備用條狀部
d1、d2、q、w‧‧‧寬度
l‧‧‧長度
m‧‧‧間距
n1、n2‧‧‧間隙
Claims (18)
- 一種自發光型顯示器,包括: 一載板; 一發光元件,配置於該載板上,其中該發光元件具有一第一接墊以及一第二接墊; 一第一電極,其具有連接至一第一位準的多個第一條狀部,且該發光元件的該第一接墊透過至少一第一條狀部與該載板電性連接;以及 一第二電極,其具有連接至一第二位準的多個第二條狀部,其中該第一電極與該第二電極彼此分離,該發光元件的該第二接墊透過至少一第二條狀部與該載板電性連接,且該第一位準不同於該第二位準。
- 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,其中該載板包括一主動元件陣列基板,且該主動元件陣列基板提供該第一位準以及該第二位準。
- 如申請專利範圍第2項所述的自發光型顯示器,其中該第二位準為共用電位(Vss ),且該第一位準大於該第二位準。
- 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,其中該第一電極以及該第二電極覆蓋該發光元件。
- 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,其中該第一電極以及該第二電極位於該載板以及該發光元件之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,其中該第一接墊具有一寬度d1,該些第一條狀部之間具有一間隙n1,且n1<d1。
- 如申請專利範圍第6項所述的自發光型顯示器,其中該第二接墊具有一寬度d2,該些第二條狀部之間具有一間隙n2,且n2<d2。
- 如申請專利範圍第7項所述的自發光型顯示器,其中該發光元件具有一寬度q,該些第一條狀部以及該些第二條狀部具有寬度w,且w<q、w≦d1、w≦d2。
- 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,其中每一第一條狀部以及任一第二條狀部之間具有一間距m,該發光元件具有一長度l,且m<l。
- 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,其中該些第一條狀部包括至少一第一接合條狀部以及多個第一備用條狀部,該至少一第一接合條狀部與該第一接墊連接,且該些第一備用條狀部不與該第一接墊連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,其中該些第二條狀部包括至少一第二接合條狀部以及多個第二備用條狀部,該至少一第二接合條狀部與該第二接墊連接,且該些第二備用條狀部不與該第二接墊連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,其中該第一電極更包括一第一主體部,該第二電極更包括一第二主體部,至少一第一條狀部與該第一主體部電性連接,且至少一第二條狀部與該第二主體部電性連接。
- 如申請專利範圍第12項所述的自發光型顯示器,其中第一電極更包括多個第一放大部,位於該些第一條狀部的末端,且該第二電極更包括多個第二放大部,位於該些第二條狀部的末端。
- 如申請專利範圍第12項所述的自發光型顯示器,其中每一第二條狀部位於兩相鄰的第一條狀部之間。
- 如申請專利範圍第12項所述的自發光型顯示器,其中該第一電極更包括至少一第一連接部,該第一連接部與該些第一條狀部交錯,該第二電極更包括至少一第二連接部,該第二連接部與該些第二條狀部交錯。
- 如申請專利範圍第15項所述的自發光型顯示器,其中該第一連接部以及該第二連接部為線形或是弧形。
- 如申請專利範圍第16項所述的自發光型顯示器,其中該第一連接部位於該第一條狀部以及該第一主體部之間,且該第二連接部位於該第二條狀部以及該第二主體部之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的自發光型顯示器,更包括一黏著層,位於該載板以及該發光元件之間。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6246107B1 (en) * | 1999-07-07 | 2001-06-12 | Philips Semiconductors, Inc. | Semiconductor device arrangement having configuration via adjacent bond pad coding |
TW201228039A (en) * | 2010-12-29 | 2012-07-01 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same |
TW201347140A (zh) * | 2012-05-07 | 2013-11-16 | Richtek Technology Corp | 多晶片覆晶封裝模組及相關的製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100595938C (zh) * | 2002-08-01 | 2010-03-24 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置 |
KR100799857B1 (ko) * | 2003-10-27 | 2008-01-31 | 삼성전기주식회사 | 전극 구조체 및 이를 구비하는 반도체 발광 소자 |
TWI367437B (en) | 2007-09-29 | 2012-07-01 | Au Optronics Corp | Touch panel and manufacturing method thereof |
TWI394296B (zh) * | 2008-09-09 | 2013-04-21 | Bridgelux Inc | 具改良式電極結構之發光元件 |
EP2390903B1 (en) * | 2009-01-23 | 2016-11-02 | Nichia Corporation | Method of producing a semiconductor device by bonding silver oxide or silver on a surface of a semiconductor element with silver oxide or silver on a surface of a lead frame or of a wiring substrate, at least one of said surfaces being provided with silver oxide |
JP5492096B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2014-05-14 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2013018941A1 (ko) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
KR101974576B1 (ko) * | 2012-04-12 | 2019-05-02 | 삼성전자주식회사 | 대면적을 갖는 투과형 광 이미지 변조기 및 그 제조 방법과 투과형 광 이미지 변조기를 포함하는 광학장치 |
-
2016
- 2016-02-05 TW TW105103971A patent/TWI607548B/zh active
- 2016-09-16 US US15/267,304 patent/US9899427B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6246107B1 (en) * | 1999-07-07 | 2001-06-12 | Philips Semiconductors, Inc. | Semiconductor device arrangement having configuration via adjacent bond pad coding |
TW201228039A (en) * | 2010-12-29 | 2012-07-01 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same |
TW201347140A (zh) * | 2012-05-07 | 2013-11-16 | Richtek Technology Corp | 多晶片覆晶封裝模組及相關的製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20170229482A1 (en) | 2017-08-10 |
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