TWI606537B - Substrate processing apparatus, substrate processing system, manufacturing method of semiconductor device, program - Google Patents

Substrate processing apparatus, substrate processing system, manufacturing method of semiconductor device, program Download PDF

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TWI606537B
TWI606537B TW104127190A TW104127190A TWI606537B TW I606537 B TWI606537 B TW I606537B TW 104127190 A TW104127190 A TW 104127190A TW 104127190 A TW104127190 A TW 104127190A TW I606537 B TWI606537 B TW I606537B
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Satoshi Takano
Toshiyuki Kikuchi
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Hitachi Int Electric Inc
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Description

基板處理裝置、基板處理系統、半導體裝置之製造方法、程式
本發明係有關基板處理裝置，基板處理系統，半導體裝置之製造方法，程式及記錄媒體。
近年，半導體裝置係有高集成化之傾向。伴隨於此，圖案尺寸則有顯著加以細微化。此等圖案係由硬光罩膜或光阻膜的形成工程，光微影工程，蝕刻工程等加以形成。在形成時，要求呈不引起半導體裝置特性的不均。
作為形成圖案之方法，例如，存在有如專利文獻1之形成方法。
[專利文獻1]日本特開2013-26399號公報
但從加工上的問題，對於所形成之電路等的寬度有引起不均者。特別在加以細微化之半導體裝置中， 其不均則對於半導體裝置之特性帶來大的影響。
因此，本發明之目的係提供可抑制半導體裝置特性的不均之技術者。
為了解決上述課題，加以提供：具有將加以形成於基板上的含矽膜之膜厚分布資料受訊之受訊部，和加以載置基板之基板載置部，和於含矽膜上，以前述膜厚分布資料的膜厚分布不同之膜厚分布，形成硬光罩膜，而供給在基板面內之硬光罩膜的高度分布呈成為特定範圍內之氣體的氣體供給部之構成。
如根據有關本發明之技術，成為可抑制半導體裝置特性的不均者。
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理容器
212‧‧‧基板載置台
232‧‧‧緩衝室
234‧‧‧噴頭
260‧‧‧控制器
263‧‧‧收訊部
圖1係說明有關一實施形態之半導體裝置之製造流程的說明圖。
圖2係有關一實施形態之晶圓的說明圖。
圖3係有關一實施形態之晶圓的說明圖。
圖4係有關一實施形態之研磨裝置的說明圖。
圖5係有關一實施形態之研磨裝置的說明圖。
圖6係說明有關一實施形態之poly-Si膜之膜厚分布的說明圖。
圖7係說明有關一實施形態之晶圓的處理狀態之說明圖。
圖8係說明有關一實施形態之poly-Si膜之膜厚分布的說明圖。
圖9係說明有關一實施形態之晶圓的處理狀態之說明圖。
圖10係說明有關一實施形態之poly-Si膜之膜厚分布的說明圖。
圖11係說明有關一實施形態之基板處理裝置的說明圖。
圖12係說明有關一實施形態之基板處理裝置的噴頭之說明圖。
圖13係說明有關一實施形態之基板處理裝置的氣體供給系統之說明圖。
圖14係說明有關一實施形態之基板處理裝置的氣體供給系統之說明圖。
圖15係有關一實施形態之控制器之概略構成圖。
圖16係說明有關一實施形態之晶圓的處理狀態之說明圖。
圖17係說明有關一實施形態之晶圓的處理狀態之說明圖。
圖18係說明有關比較例之晶圓的處理狀態之說明 圖。
圖19係說明有關比較例之晶圓的處理狀態之說明圖。
圖20係說明有關比較例之晶圓的處理狀態之說明圖。
圖21係說明有關一實施形態之系統的說明圖。
以下，對於本發明之實施形態，參照圖面之同時加以說明。
首先，使用圖1至圖3，將半導體元件之一的FinFET(Fin Field Effect Transistor)，作為例而說明半導體裝置之製造工程之一工程。
(FinFET製造的概要)
FinFET係例如，具有加以形成於稱作300mm晶圓之晶圓基板(以下，單稱作「晶圓」)之凸構造(Fin構造)者，如圖1所示，至少依序歷經閘極絕緣膜形成工程(S101)，和第一之矽含有層形成工程(S102)，和研磨工程(S103)，和膜厚測定工程(S104)，和第二之矽含有層形成工程(S105)，和因應必要而進行之膜厚測定工程(S106)，和圖案化工程(S107)而加以製造。以下，對於此等之各工程(S101~S107)加以說明。
(閘極絕緣膜形成工程S101)
在閘極絕緣膜形成工程S101中，例如，加以搬入具有圖2所示之構造體之晶圓200於閘極絕緣膜形成裝置。圖2(A)係顯示加以形成於晶圓200之構造體之一部分的斜視圖，圖2(B)係顯示在圖2(A)之α-α’的剖面圖。晶圓200係由矽等而加以構成，於其一部分，加以形成有作為通道之凸構造2001。凸構造2001係以特定間隔而加以複數設置。凸構造2001係由蝕刻晶圓200之一部分而加以形成。
說明之方便上，在晶圓200上而將未有凸構造2001之部分稱作凹構造2002。即，晶圓200係至少具有凸構造2001與凹構造2002。然而，在本實施形態中，說明之方便上，將凸構造2001之上面稱作凸構造表面2001a，而將凹構造2002之上面稱作凹構造表面2002a。
對於鄰接之凸構造2001之間的凹構造表面2002a上，係加以形成有為了電性絕緣凸構造2001之元件分離膜2003。元件分離膜2003係例如，由矽氧化膜而加以構成。
閘極絕緣膜形成裝置係為可形成薄膜之既知的枚葉裝置之故而省略說明。在閘極絕緣膜形成裝置中，如圖3(A)所示，形成例如，由矽氧化膜(SiO2膜)等之介電體而加以構成之閘極絕緣膜2004。在形成時，係於閘極絕緣膜形成裝置，將矽含有氣體(例如HCDS(六氯乙矽烷)氣體)和氧含有氣體(例如O3氣體)，供給 至閘極絕緣膜形成裝置，由使此等反應而形成。閘極絕緣膜2004係各加以形成於凸構造表面2001a上，和凹構造表面2002a上方。閘極絕緣膜形成後，將晶圓200，從閘極絕緣膜形成裝置搬出。
(含矽膜形成工程S102)
接著，說明含矽膜形成工程S102。
從閘極絕緣膜形成裝置搬出晶圓200後，於含矽膜形成裝置，搬入晶圓200。含矽膜形成裝置係使用一般的枚葉CVD裝置之故，而省略說明。如圖3(B)所示，在含矽膜形成裝置中，將由poly-Si(多結晶矽)所構成之poly-Si膜2005(亦稱作矽含有層或含矽膜)，形成於閘極絕緣膜2004上。在形成時係於含矽膜形成裝置，供給乙矽烷(Si2H6)氣體，再由熱分解此等者而形成poly-Si膜2005。poly-Si膜2005係作為閘極電極，或者虛擬閘極電極而加以使用。由一個工程而形成所期望之poly-Si膜2005之故，而可從閘極絕緣膜2004表面至poly-Si膜2005表面之間，形成一定組成的膜。隨之，作為虛擬閘極而使用的情況，可將在基板面內之每單位時間之蝕刻體積作為一定者。另外，將poly-Si膜2005作為閘極電極等而使用之情況，係可將閘極電極之性能作為一定者。
形成poly-Si膜2005之後，從含矽膜形成裝置搬出晶圓200。然而，將加以堆積於凸構造表面2001a上的膜稱作poly-Si膜2005a，將加以形成於凹構造表面 2002a上的膜稱作poly-Si膜2005b。
(研磨工程S103)
接著，說明研磨(CMP、Cheamical Mechanical Polishing)工程S103。
從含矽膜形成裝置所搬出之晶圓200係加以搬入至研磨裝置(CMP裝置)400。
在此，對於在含矽膜形成裝置S102所形成之poly-Si膜加以說明。如圖3(B)所示，對於晶圓200係存在有凸構造2001與凹構造2002之故，poly-Si膜2005的各高度則在基板面內中為不同。具體而言，從凹構造表面2002a至凸構造2001上之poly-Si膜2005a表面為止之高度則成為從凹構造表面2002a，較凹構造表面2002a上之poly-Si膜2005b表面的高度為高。
但後述之曝光工程，從與蝕刻工程之任一或雙方之關係，必須使poly-Si膜2005a之高度與poly-Si膜2005b之高度作為一致。因此，如本工程，研磨poly-Si膜2005而使高度作為一致。
於以下，對於研磨工程S103之具體的內容加以說明。從含矽膜形成裝置搬出晶圓200後，搬入晶圓200至圖4所示之研磨裝置400。
在圖4中，401係研磨盤，而402係研磨晶圓200之研磨布。研磨盤401係加以連接於未圖示之旋轉機構，而研磨晶圓200時係加以旋轉於箭頭406方向。
403係研磨頭，而對於研磨頭403之上面係加以連接軸404。軸404係加以連接於未圖示之旋轉機構．上下驅動機構。研磨晶圓200其間，加以旋轉於箭頭407方向。
405係供給淤漿(研磨劑)的供給管。研磨晶圓200其間，從供給管405朝向研磨布402而加以供給淤漿。
接著，使用圖5而加以說明研磨頭403與其周邊構造的詳細。圖5係將研磨頭403之剖面圖為中心，說明其周邊構造的說明圖。研磨頭403係具有頂環403a，扣環403b，彈性墊403c。研磨期間，晶圓200的外側係經由扣環403b所圍繞的同時，經由彈性墊403c而抑制於研磨布402。對於扣環403b係從扣環之外側至內側，加以形成有為了淤漿通過的溝403d。溝403d係配合扣環403b的形狀，加以複數設置成圓周狀。藉由溝403d，呈更換未使用之新鮮的淤漿，和使用完之淤漿地加以構成。
接著，說明在本工程之CMP裝置之處理動作。
將晶圓200搬入至研磨頭403內之後，從供給管405供給淤漿之同時，使研磨盤401及研磨頭403旋轉。淤漿係流入至扣環403b，研磨晶圓200的表面。由如此進行研磨者，如圖3(C)所示，將poly-Si膜2005a與poly-Si膜2005b的高度作為一致。在特定的時間研磨之後，搬 出晶圓200。在此所指的高度係指poly-Si膜2005a與poly-Si膜2005b表面(上端)的高度。在特定的時間研磨之後，從研磨裝置400搬出晶圓200。
但呈整齊poly-Si膜2005a與poly-Si膜2005b之高度而以CMP裝置400進行研磨，如圖6所示，了解到有在晶圓200的面內中，有研磨後之poly-Si膜2005的高度(膜厚)不一致之情況者。例如，了解到可看到晶圓200外周面的膜厚則比較於中央面為小之膜厚分布(圖中的分布A)，或晶圓200中央面的膜厚則比較於外周面為小之膜厚分布(圖中的分布B)者。
如此之膜厚分布的偏差係在後述之圖案化工程S107，使招致圖案的寬度不均發生的問題產生。另外，因此引起，引起有閘極電極寬度的不均，其結果，有著引起產率降低之虞。
對於此點，本申請之發明者係進行銳意研究，其結果，了解到各自有成為分布A，分布B的原因者。於以下，說明其原因。
成為分布A的原因係對於晶圓200而言之淤漿的供給方法。如前述，加以供給於研磨布402之淤漿係藉由扣環403b，而從晶圓200的周圍加以供給。因此，對於晶圓200之中央面係流入有研磨晶圓200外周面之後的淤漿，但在另一方面，對於晶圓200外周面係流入有未使用之淤漿。未使用的淤漿係研磨效率為高之故，晶圓200外周面係較中央面而加以研磨。從以上的情況，了解 到poly-Si膜2005之膜厚係成為呈分布A者。
成為分布B的原因係扣環403b之磨耗。當以研磨裝置400研磨許多的晶圓200時，按壓於研磨布402之扣環403b的前端則磨耗，以及與溝403d或研磨布402之接觸面則產生變形。因此，有著本來欲加以供給之淤漿則為供給至扣環403b內周之情況。如此之情況，因於晶圓200之外周面未加以供給淤漿之故，加以研磨晶圓200之中央面，而成為未加以研磨外周面之狀態。隨之，了解到poly-Si膜2005之膜厚係成為呈分布B者。
分布A或分布B之膜厚分布係如上述，因CMP裝置之構造而引起產生者，但變更CMP裝置之構造者係未必容易。
因此，在本實施形態中，對於在研磨工程(S103)加以實施研磨後之poly-Si層2005而言，由進行膜厚測定工程(S104)與硬光罩膜形成工程(S105)者，修正poly-Si層2005之膜厚分布的偏差。
(膜厚測定工程S104)
在膜厚測定工程(S104)中，對於在研磨工程(S103)加以實施研磨後之poly-Si層2005，測定其膜厚，從其測定結果，取得關於poly-Si層2005面內之膜厚分布的資料(以下，單稱作「膜厚分布資料」)。
膜厚的測定係使用膜厚測定裝置而進行。即，在poly-Si層2005之膜厚的測定時，對於膜厚測定裝 置係加以搬入從CMP裝置所搬出之晶圓200。在此所指之膜厚係指例如，從凹構造表面2002a至poly-Si層2005表面為止之高度者。然而，膜厚測定裝置係不問光學式或接觸式，而如為一般的構成者即可，在此係省略詳細的說明。
在膜厚測定裝置中，當加以搬入歷經研磨工程(S103)後之晶圓200時，對於在其晶圓200上之poly-Si層2005，測定包含至少各晶圓200之中心側及外周側的複數處之膜厚(高度)，經由此而取得poly-Si層2005之面內的膜厚分布資料。由進行如此之測定者，成為呈了解對於poly-Si層2005係歷經研磨工程(S103)後之膜厚分布則為分布A，或分布B。並且，經由測定而得到膜厚分布資料之後，從膜厚測定裝置係加以搬出晶圓200。
由膜厚測定裝置所得到之膜厚分布資料係至少加以傳送至該膜厚測定裝置之上位裝置。另外，藉由上位裝置，加以傳送至執行後述之硬光罩膜形成工程(S105)的基板處理裝置亦可。經由此，上位裝置(加以傳送至基板處理裝置之情況係亦包含該基板處理裝置)，係成為可取得自膜厚測定裝置的膜厚分布資料者。
(硬光罩膜形成工程S105)
接著，說明硬光罩膜形成工程S105。在本工程所形成之硬光罩膜2006係與poly-Si膜2005不同之化合物。 如圖7所示，硬光罩膜2006係加以形成於研磨後之poly-Si膜2005上。硬光罩膜2006係較poly-Si膜2005為硬的膜，例如，作為蝕刻停止膜，研磨停止膜等之硬光罩膜而加以使用。形成鑲嵌配線之情況，作為阻障絕緣膜而加以使用亦可。硬光罩膜2006係例如取代矽氮化膜，而使用矽氧化膜或碳化矽膜亦可。
形成時係呈修正研磨後之poly-Si膜2005的膜厚分布地，形成硬光罩膜2006(單稱作SiN膜、或者修正膜)。更理想係將硬光罩膜2006表面高度，呈在晶圓200面內作為一致地形成硬光罩膜2006。在此所指之高度係指至硬光罩膜2006表面為止之高度，換言之，指從凹構造表面2002a至硬光罩膜2006表面為止之距離。
以下，使用圖7至圖15而說明本工程。圖7係說明poly-Si膜2005成為分布A之情況，在本工程所形成之硬光罩膜2006的圖。圖8係說明膜厚分布A，和其修正後之膜厚分布A’之說明圖。圖9係說明poly-Si膜2005成為分布B之情況，在本工程所形成之硬光罩膜2006的圖。圖10係說明膜厚分布B，和其修正後之膜厚分布B’之說明圖。圖11至圖15係說明為了實現本工程之基板處理裝置的說明圖。
在圖7中，(A)係從上方而視形成硬光罩膜2006之後的晶圓200的圖，圖7(B)係摘錄圖7(A)之α-α’剖面之中，晶圓200中央與其外周的圖。
在圖9(A)係從上方而視形成硬光罩膜2006 之後的晶圓200的圖，摘錄圖9(A)之α-α’剖面之中，晶圓200中央與其外周的圖。
在此，將晶圓200中央面的硬光罩膜稱為硬光罩膜2006a，將外周面稱為硬光罩膜2006b。
從測定器所搬出的晶圓200係加以搬入至圖11所示之硬光罩膜形成裝置之基板處理裝置900。
基板處理裝置900係依據在膜厚測定工程S104所測定之資料，在基板面內而控制硬光罩膜2006之膜厚。例如，自上位裝置收訊之資料則如為顯示分布A之資料，如圖7所示，加厚晶圓200外周面的硬光罩膜2006b，中央面之硬光罩膜2006a則呈成為較硬光罩膜2006b為薄地，控制膜厚。另外，自上位裝置收訊之資料則如為顯示分布B之資料，如圖9所示，加厚晶圓200中央面的硬光罩膜2006a，外周面之硬光罩膜2006b則呈成為較硬光罩膜2006a為薄地，控制膜厚。
更理想係從凹構造表面2002a而視，將重疊第一poly-Si膜2005與硬光罩膜2006之層積膜，即加以形成於poly-Si膜上之硬光罩膜的高度，呈在晶圓200的面內作為特定範圍，控制硬光罩膜2006之厚度。換言之，在基板面內之硬光罩膜2006之高度的分布則呈成為特定的範圍內，控制硬光罩膜之膜厚分布。由如此作為，如圖7，圖9所示，可將從在晶圓200中央面的凹構造表面2002a至硬光罩膜2006a上端為止之高度H1a，和從在晶圓200外周面的凹構造表面2002a至硬光罩膜2006b上 端為止之高度H1b作為一致。
接著，對於可控制各硬光罩膜2006a，硬光罩膜2006b之膜厚的基板處理裝置900，具體地加以說明。
對於有關本實施形態之處理裝置900加以說明。基板處理裝置900係如圖11所示地，作為枚葉式基板處理裝置而加以構成。
基板處理裝置900係具備處理容器202。處理容器202係例如，橫剖面為圓形，作為扁平的密閉容器而加以構成。另外，處理容器202係例如，經由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等之金屬材料或石英而加以構成。對於處理容器202內，係加以形成有處理作為基板的矽晶圓等之晶圓200之處理空間(處理室)201，搬送空間203。處理容器202係由上部容器202a與下部容器202b而加以構成。對於上部容器202a與下部容器202b之間係加以設置隔間板204。將圍繞於上部處理容器202a之空間，較隔間板204為上方之空間，稱作處理空間(亦稱作處理室)201，而將圍繞於下部容器202b之空間，較隔間板204為下方之空間，稱作搬送空間203。
對於下部容器202b之側面，係加以設置鄰接於閘閥205之基板搬出入口206，晶圓200係藉由基板搬出入口206而移動在與未圖示之真空搬送室之間。對於下部容器202b之底部係加以複數設置有升降銷207。
對於處理室201內，係加以設置支持晶圓200之基板載置部210。基板載置部210係具有載置晶圓200 之載置面211，和具有載置面211於表面之基板載置台212。更且，設置作為加熱部之加熱器213。經由設置加熱部之時，使晶圓200加熱，可使加以形成於晶圓200上的膜品質提升者。對於基板載置台212係貫通有升降銷207之貫通孔214則各加以設置於與升降銷207對應之位置亦可。
基板載置台212係經由軸桿217所支持。軸桿217係將處理容器202之底部貫通，更且在處理容器202之外部，加以連接於升降機構218。經由使升降機構218作動而使軸桿217及基板載置台212升降之時，呈成為可使加以載置於基板載置面211上晶圓200升降地加以構成。然而，軸桿217之下端部周圍係經由伸縮管219所被覆，而處理室201內係加以保持成氣密。
基板載置台212係對於晶圓200之搬送時，基板載置面211則呈成為基板搬出入口206之位置(晶圓搬送位置)地下降，而對於晶圓200之處理時，係如在圖11所示地，晶圓200則上升至處理室201內之處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，對於使基板載置台212下降至晶圓搬送位置為止時，升降銷207的上端部則從基板載置面211的上面突出，升降銷207則成為呈從下方支持晶圓200。另外，對於使基板載置台212上升至晶圓處理位置為止時，升降銷207係自基板載置面211之上面埋沒，而基板載置面211則成為呈從下方支持晶圓200。然而，升 降銷207係與晶圓200直接接觸之故，例如，由石英或氧化鋁等之材質而形成者為佳。然而，於升降銷207設置升降機構，基板載置台212與升降銷207則呈相對動作地構成亦可。
加熱器213係可各自個別地加熱控制晶圓200之中心的中心面，和其中心面的外周之外周面的構成。例如，具有加以設置於基板載置面211的中心，從上方而視為周狀之中心區加熱器213a，和相同為周狀，加以設置於中心區加熱器213a外周之外區加熱器213b。中心區加熱器213a係加熱晶圓的中心面，外區加熱器213b係加熱晶圓的外周面。
中心區加熱器213a，外區加熱器213b係藉由各電力供給線而加以連接於加熱器溫度控制部215。加熱器溫度控制部215係由控制對於各加熱器之電力供給，控制晶圓200之中心面，外周面的溫度。
對於基板載置台213係加以內含有測定晶圓200溫度之溫度測定器216a，和溫度測定器216b。溫度測定器216a係呈測定中心區加熱器213a附近的溫度地，加以設置於基板載置台212之中心部。溫度測定器216b係呈測定外區加熱器213b附近的溫度地，加以設置於基板載置台212之外周面。溫度測定器216a，溫度測定器216b係加以連接於溫度資訊收訊部216c。在各溫度測定器所測定之溫度係加以傳送至溫度資訊收訊部216c。溫度資訊收訊部216c所收訊之溫度資訊傳送溫度資訊於後 述之控制器260。控制器260係依據所收訊之溫度資訊，或自上位裝置270所收訊之膜厚資訊而控制加熱器溫度。然而，彙整溫度測定器216a，溫度測定器216b，溫度資訊收訊部216c而作為溫度檢出部216。
(排氣系統)
對於處理室201(上部容器202a)之內壁上面，係加以設置有將處理室201之環境氣體排氣之排氣口221。對於排氣口221係加以連接有作為第1排氣管之排氣管224，對於排氣管224係依序加以串聯地連接有將處理室201內控制成特定壓力之APC(Auto Pressure Controller)等之壓力調整器222，和真空幫浦223。主要經由排氣口221，排氣管224，壓力調整器222而加以構成第1排氣部(排氣風扇)。然而，呈將真空幫浦223包含於第1排氣部地構成亦可。
(緩衝室)
對於處理室201之上方，係加以設置有緩衝室232。緩衝室232係經由側壁232a，天井232b而加以構成。緩衝室232係內含噴頭234。對於緩衝室232之內壁232a與噴頭234之間係加以構成有氣體供給路徑235。即，氣體供給路徑235係呈圍繞噴頭234之外壁234b地加以設置。
對於分割噴頭234與處理室201的壁，係加 以設置分散板234a。分散板234a係例如，加以構成為圓盤狀。當從處理室201側而視時，如圖12，氣體供給路徑235係成為在噴頭側壁234b與側壁232a之間，加以設置於分散板234之水平方向周圍之構造。
對於緩衝室232的天井232b，係加以貫通有氣體導入管236，氣體導入管237。更且，加以連接氣體導入管238，氣體導入管239。氣體導入管236，氣體導入管237係加以連接於噴頭234。氣體導入管236，氣體導入管238係加以連接於後述之第一氣體供給系統。氣體導入管237，氣體導入管239係加以連接於後述之第二氣體供給系統。
自氣體導入管236，氣體導入管237所導入之氣體係藉由噴頭234而加以供給至處理室201。自氣體導入管238，氣體導入管239所導入之氣體係藉由氣體供給路徑235而加以供給至處理室201。
自噴頭234所供給之氣體係加以供給至晶圓200的中心。自氣體供給路徑235所供給之氣體係加以供給至晶圓200的邊緣。晶圓外周面(邊緣)係指對於前述的晶圓中心而言，稱作其外周。噴頭234係例如，由石英，氧化鋁，不鏽鋼，鋁等之材料而加以構成。
(氣體供給系統) (第一氣體供給系統)
接著，使用圖13而說明第一氣體供給系統。
圖13之A1係加以連接於圖11之A1，圖13之A2係加以連接於圖11之A2。即，氣體供給管241a係加以連接於氣體導入管236，而氣體供給管242a係加以連接於氣體導入管238。
對於氣體供給管241a係從上流加以設置有合流管240b，流量控制器241b，閥241c。經由流量控制器241b，閥241c，而加以控制通過氣體供給管241a的氣體流量。對於合流管240b之上流係加以設置第一處理氣體之氣體源240a。
第一處理氣體係原料氣體，即，處理氣體之一。
在此，第一元素係例如為矽(Si)。即，第一處理氣體係例如為矽含有氣體。作為矽含有氣體係例如，使用二矽烷(Si2H6)氣體。然而，作為矽含有氣體係除二矽烷之外，可使用TEOS(Tetraethyl orthosilicate、Si(OC2H5)4)SiH2(NH(C4H9))2(雙第三丁基胺基矽烷、略稱：BTBAS)、四二甲基氨基矽烷(Si[N(CH3)2]4、略稱：4DMAS)氣體、雙二甲氨基矽烷(Si[N(C2H5)2]2H2、略稱：2DEAS)氣體、雙叔丁基氨基矽(SiH2[NH(C4H9)]2、略稱：BTBAS)氣體等、六甲基二矽氮烷(C6H19NSi2、略稱：HMDS)或三甲矽烷基胺((SiH3)3N、略稱：TSA)、六氯化二矽(Si2Cl6、略稱：HCDS)等者。然而，第一處理氣體的原料係在常溫常壓下亦可為固體、液體、及氣體之任一。第一處理氣體的原 料則在常溫常壓為液體之情況係如於第一氣體供給源243b與MFC243c之間，設置未圖示之氣化器即可。在此係原料作為氣體加以說明。
理想係於閥241c的下流側，加以連接為了供給非活性氣體之第一非活性氣體供給管243a。對於非活性氣體供給管243a係從上流加以設置非活性氣體源243b、流量控制器243c、閥243d。非活性氣體係例如，加以使用氦(He)氣。非活性氣體係加以添加於流動在氣體供給管241a之氣體，作為稀釋氣體而加以使用。由控制流量控制器243c、閥243d者，可更佳地調諧藉由氣體導入管236，噴頭234而供給之處理氣體的濃度或流量者。
對於與氣體導入管238加以連接之氣體供給管242a係從上流加以設置有合流管240b，流量控制器242b，閥242c。經由流量控制器242b，閥242c，而加以控制通過氣體供給管242a的氣體流量。對於合流管240b之上流係加以設置第一處理氣體之氣體源240a。
理想係於閥242c的下流側，加以連接為了供給非活性氣體之第二非活性氣體供給管244a對於非活性氣體供給管244a係從上流加以設置非活性氣體源244b、流量控制器244c、閥244d。非活性氣體係例如，加以使用氦(He)氣。非活性氣體係加以添加於流動在氣體供給管242a之氣體，作為稀釋氣體而加以使用。由控制流量控制器244c、閥244d者，可更佳地調諧流動在氣體導入 管238，氣體供給路徑235之氣體的濃度或流量者。
彙整氣體供給管241a，流量控制器241b、閥241c、氣體供給管242a，流量控制器242b、閥242c，合流管240b而稱作第一氣體供給系統。然而，將氣體源240a、氣體導入管236，氣體導入管238含於第一氣體供給系統亦可。
彙整第一非活性氣體供給管243a、流量控制器243c、閥243d、第二非活性氣體供給管244a、流量控制器244c、閥244d而稱作第一非活性氣體供給系統。然而，將非活性氣體源243b、非活性氣體源244b含於第一非活性氣體供給系統亦可。更且，於第一氣體供給系統包含第一非活性氣體供給系統亦可。
(第二氣體供給系統)
接著，使用圖14而說明第二氣體供給系統。圖14之B1係加以連接於圖11之B1，B2係加以連接於圖11之B2。即，氣體供給管251a係加以連接於氣體導入管237，而氣體供給管252a係加以連接於氣體導入管239。
對於氣體供給管251a係從上流加以設置有合流管250b，流量控制器251b，閥251c。經由流量控制器251b，閥251c，而加以控制通過氣體供給管241a的氣體流量。對於合流管250b之上流係加以設置第二處理氣體之氣體源250a。
在此，第2處理氣體係含有與第一元素不同 之第二元素。作為第二元素係例如為氮素(N)、碳素(C)、氫素(H)之任一。在本實施形態中，加以使用成為矽的氮化源之氮素含有氣體。具體而言，作為第2處理氣體，加以使用氨(NH3)氣。另外，作為第2處理氣體，使用包含複數此等元素之氣體亦可。
理想係於閥251c的下流側，加以連接為了供給非活性氣體之第三非活性氣體供給管253a。對於非活性氣體供給管253a係從上流加以設置非活性氣體源253b、流量控制器253c、閥253d。非活性氣體係例如，加以使用氦(He)氣。非活性氣體係作為流動在氣體供給管251a之氣體的稀釋氣體而加以使用。由控制流量控制器253c、閥253d者，可更佳地調諧藉由氣體導入管237，噴頭234而供給之處理氣體的濃度或流量者。
對於氣體供給管252a係從上流加以設置有合流管250b，流量控制器252b，閥252c。經由流量控制器252b，閥252c，而加以控制通過氣體供給管252a的氣體流量。對於合流管250b之上流係加以設置第二處理氣體之氣體源250a。
理想係於閥252c的下流側，加以連接為了供給非活性氣體之第四非活性氣體供給管254a。對於非活性氣體供給管254a係從上流加以設置非活性氣體源254b、流量控制器254c、閥254d。非活性氣體係例如，加以使用氦(He)氣。非活性氣體係作為流動在氣體供給管252a之氣體的稀釋氣體而加以使用。由控制流量控制 器254c、閥254d者，可更佳地調諧流動在氣體導入管239，氣體供給路徑235之氣體的濃度或流量者。
彙整氣體供給管251a，流量控制器251b、閥251c、氣體供給管252a、流量控制器252b、閥252c，合流管250b而稱作第二氣體供給系統。然而，將氣體源250a、氣體導入管237，氣體導入管239含於第二氣體供給系統亦可。
彙整第三非活性氣體供給管253a、流量控制器253c、閥253d、第四非活性氣體供給管254a、流量控制器254c、閥254d而稱作第二非活性氣體供給系統。然而，將非活性氣體源253b、非活性氣體源254b含於第二非活性氣體供給系統亦可。更且，於第二氣體供給系統包含第二非活性氣體供給系統亦可。另外，彙整第一氣體供給系統，第二氣體供給系統而稱作氣體供給系統。
如以上，因於各第一氣體供給系統及第二氣體供給系統，設置流量控制器，閥之故，可個別地控制氣體的量者。另外，因於各第一非活性氣體供給系統，第二非活性氣體供給系統設置流量控制器，閥之故，可個別地控制氣體的濃度者。
(控制部)
基板處理裝置900係具有控制基板處理裝置900之各部的動作之控制器260。
於圖15顯示控制器260之概略。控制部(控 制手段)之控制器260係作為具備CPU(Central Processing Unit)260a、RAM(Random Access Memory)260b、記憶裝置260c、輸出入埠260d之電腦而加以構成。RAM260b、記憶裝置260c、輸出入埠260d係藉由內部匯流排260e，呈可與CPU260a作資料交換地加以構成。對於控制器260係例如，可連接作為觸控面板等而加以構成之輸出入裝置261，或外部記憶裝置262地加以構成。更且，於上位裝置270，加以設置藉由網路而加以連接之收訊部263。收訊部260係可從上位裝置270收訊其他裝置之資訊者。
記憶裝置260c係由例如，快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等而加以構成。對於記憶裝置260c內，係可讀出控制基板處理裝置之動作的控制程式，或記載有後述之基板處理順序或條件等之程式配方等地加以收納。然而，程式配方係使控制器260執行在後述之基板處理工程的各步驟，呈可得到特定結果地加以組合者，作為程式而發揮機能。以下，總稱此程式配方或控制程式等，亦單稱作程式。然而，在本說明書中使用稱為記錄媒體的情況，係有僅包含程式配方單體之情況，僅包含控制程式單體之情況，或包含其雙方之情況。另外，RAM260b係作為暫時地加以保持經由CPU260a所讀出之程式或資料等之記憶體範圍(工作區域)而加以構成。
輸出入埠260d係加以連接於閘閥205、升降機構218，加熱器213，壓力調整器222，真空幫浦223 等。另外，亦加以連接於MFC241b、242b、243c、244c、251b、252b、253c、254c、閥241c，242c、243d、244d、251c，252c、253d、254d等亦可。
CPU260a係呈讀出自記憶裝置260c之控制程式而執行之同時，因應自輸出入裝置261之操作命令的輸入等而從記憶裝置260c，讀出程式配方地加以構成。並且，CPU260a係呈沿著所讀出之程式配方的內容地，可控制閘閥205之開閉動作，升降機構218之升降動作，對於加熱器213之電力供給動作，壓力調整器222之壓力調整動作，真空幫浦223之開啟關閉控制，流量控制器之流量調整動作，閥等地加以構成。
然而，控制器260係不限於作為專用之電腦而加以構成之情況，而作為泛用之電腦而加以構成亦可。例如，準備收納上述程式之外部記憶裝置(例如，磁帶，可撓性磁碟或硬碟等之磁碟，CD或DVD等之光碟，MO等之光磁碟，USB記憶體或記憶卡等之半導體記憶體)262，經由使用有關之外部記憶裝置262而建立程式於泛用的電腦等之時，可構成有關本實施形態之控制器260者。然而，為了供給程式於電腦之手段係不限於藉由外部記憶裝置262而供給之情況。例如，作為呈藉由網路或專用線路等之通信手段，而未藉由外部記憶裝置262而供給程式亦可。然而，記憶裝置260c或外部記憶裝置262係作為可電腦讀取之記錄媒體而加以構成。以下，總稱此等，亦單稱為記錄媒體。然而，在本說明書中使用稱為記 錄媒體的情況，係有僅包含記憶裝置260c單體之情況，僅包含外部記憶裝置262單體之情況，或包含其雙方之情況。
然而，在本實施形態之收訊部中，對於從上位裝置270收訊其他裝置之資訊的情況加以記載過，但並不限於此等者。例如，作為呈從其他的裝置，收訊直接資訊亦可。另外，由輸出入裝置261輸入其他裝置之資訊，再依據此等而進行控制亦可。另外，將其他裝置之資訊記憶於外部記憶裝置，從其外部記憶裝置收訊其他裝置之資訊亦可。
接著，對於使用基板處理裝置900之硬光罩膜2006的形成方法加以說明。
膜厚測定工程S104之後，所測定之晶圓200係加以搬入至基板處理裝置900。然而，在以下的說明，構成基板處理裝置的各部之動作係經由控制器260而加以控制。
<基板搬入工程>
在膜厚測定工程S104加以測定矽氧化膜2005之膜厚分布之後，使晶圓200搬入至基板處理裝置900。具體而言，作為呈經由升降機構218而使基板載置部210下降，升降銷207則從貫通孔214突出於基板載置部210之上面側的狀態。另外，將處理室201內調壓成特定的壓力之後，開放閘閥205，從閘閥205，使晶圓200載置於升降銷207上。使晶圓200載置於升降銷207上之後，經由升 降218將基板載置部210上升至特定的位置之時，晶圓200則成為呈從升降銷207加以載置於基板載置部210。
(減壓‧升溫工程)
接著，處理室201內則呈成為特定的壓力(真空度)地，藉由排氣管224而將處理室201內進行排氣。此時，依據壓力感測器所測定之壓力值，反饋控制作為壓力調整器222之APC閥的閥開度。另外，依據溫度感測器216所檢出之溫度值，處理室201內則呈成為特定的溫度地，反饋控制對於加熱器213之通電量。具體而言，經由加熱器213而預先加熱基板載置部210，晶圓200或基板載置部210之溫度變化則變為無之後，特定時間進行放置。期間，有殘留於處理室201內之水分或自構件的排氣等之情況，係經由真空排氣或非活性氣體供給的清除而除去亦可。成為由此，成膜處理前之準備結束者。然而，將處理室201內排氣成特定的壓力時，一次可達到之真空度為止進行真空排氣亦可。
將晶圓200加以載置於基板載置部210，處理室201內之環境安定之後，使流量控制器241b，流量控制器242b，流量控制器251b，流量控制器252b稼動之同時，調整閥241c，閥242c，閥251c，閥252c之開度。此時，使流量控制器243c，流量控制器244c，流量控制器253c，流量控制器254c稼動的同時，調整閥243d，閥244d，閥253d，閥254d之開度亦可。
(氣體供給工程)
在氣體供給工程中，從第一氣體供給系統及第二氣體供給系統，供給氣體至處理室201。
供給氣體時係因應從上位裝置270所收訊之絕緣膜2013之膜厚測定資料，而控制第一氣體供給系統，第二氣體供給系統的流量控制器或閥，各自控制供給至晶圓200中央面之處理氣體的量(或濃度)與供給至外周面之處理氣體的量(或濃度)。在此處理氣體之量係顯示每單位時間之處理氣體之量而更佳為因應自上位裝置270所收訊之測定資料，控制中心區加熱器213a與外區加熱器213b，控制晶圓200面內之溫度分布。
加以供給至處理室201內之氣體係在處理室201內加以分解，於研磨後之矽氧化膜2005上形成硬光罩膜2006。
特定的時間經過後，關閉各閥，停止氣體的供給。
此時之加熱器213的溫度係作為對於既已形成之構成無不良影響之溫度。例如，晶圓200則呈成為300~450℃範圍內之特定溫度地進行設定。
作為非活性氣體，係除He氣體以外，如對於膜無不良影響的氣體即可，例如，亦可使用Ar，N2、Ne，Xe等之稀有氣體。
(基板搬出工程)
氣體供給工程結束之後，作為呈經由升降機構218而使基板載置部210下降，升降銷207則從貫通孔214突出於基板載置部210之上面側的狀態。另外，將處理室201內調壓成特定的壓力之後，解放閘閥205，從升降銷207上，將晶圓200搬送至閘閥205外。
接著，使用本裝置而說明控制硬光罩膜2006之膜厚的方法。如前述，研磨工程S103結束後、poly-Si膜2005係在晶圓200之中央面與外周面，膜厚則為不同。在膜厚測定工程S108中，測定其膜厚分布。測定結果係通過上位裝置270而加以收納於RAM260b。所收納之資料係與記憶裝置260c內之配方作比較，加以構成依據其配方之裝置控制，調整(調諧)膜厚分布。
接著，說明加以收納於RAM260b之資料為分布A之情況。分布A之情況係指如圖7，圖8所示，poly-Si膜2005c則較poly-Si膜2005d為厚之情況。
分布A之情況，在本工程中，呈加厚形成於晶圓200外周面的硬光罩膜2006b，將形成於晶圓200中央面的硬光罩膜2006a之膜厚成為較硬光罩膜2006b為薄地進行控制。具體而言，在供給氣體時，將供給至晶圓200外周面的矽含有氣體，作為較晶圓200中央面為多地進行控制。由如此作為，可將在本半導體裝置之硬光罩膜的高度，即重疊硬光罩膜2006於poly-Si膜2005之層積膜的膜厚，修正呈圖8所示之標靶膜厚分布A’者。即，可將層積膜之膜厚，修正呈膜厚分布A’者。
此時在第一氣體供給系統中，控制流量控制器241b之同時，控制閥241c之開度，控制從噴頭234供給至處理室201之矽含有氣體的量。更且，控制流量控制器242b之同時，控制閥242c之開度，從氣體供給路徑235供給矽含有氣體至處理室201。在晶圓200之處理面的每單位面積之矽含有氣體的暴露量係從氣體供給路徑235所供給的氣體之暴露量，則呈成為較從噴頭所供給的氣體的暴露量為多地加以控制。在此所指之暴露量係指每單位時間之處理氣體之主要成分的暴露量。在本實施形態中，處理氣體則為矽含有氣體，主要成分係為矽。
更且，在第二氣體供給系統中，控制流量控制器251b之同時，控制閥251c之開度，控制從噴頭234所供給之氮素含有氣體的量。在氣體供給管251a之氮素含有氣體的量係作為對應於在氣體供給管241a之矽含有氣體的量的量。更且，控制流量控制器252b之同時，控制閥252c之開度，從氣體供給路徑235供給氮素含有氣體。在氣體供給管252a之氮素含有氣體的量係作為對應於在氣體供給管242a之矽含有氣體的量的量。
此時，在晶圓200之處理面的每單位面積之矽含有氣體的暴露量係從氣體供給路徑235所供給的氣體之暴露量，則呈成為較從噴頭234所供給的氣體的暴露量為多地加以控制。在此所指之暴露量係指處理氣體之主要成分的暴露量。在本實施形態中，處理氣體則為矽含有氣體，主要成分係為矽。
藉由噴頭234所供給之矽含有氣體與氮素含有氣體，係加以供給至形成於晶圓200中央面之poly-Si膜2005c上。所供給之氣體係如圖7所示，形成硬光罩膜2006a於poly-Si膜2005c上。
藉由氣體供給路徑235所供給之矽含有氣體與氮素含有氣體，係加以供給至形成於晶圓200外周面之poly-Si膜2005d上。所供給之氣體係如圖7所示，形成硬光罩膜2006b於poly-Si膜2005d上。
如前述，在晶圓200的處理面之每單位面積之矽含有氣體的暴露量係因poly-Si膜2005d上則成為較poly-Si膜2005c上為多之故，成為可將硬光罩膜2006b之膜厚作為較硬光罩膜2006a為厚者。
此時，如圖7所示，從在晶圓200外周面之凹構造表面2002a至硬光罩膜2006b之上端為止的高度H1b，和從在晶圓200中央面之凹構造表面2002a至硬光罩膜2006a之上端為止的高度H1a則呈成為實質上均等，控制硬光罩膜2006的厚度。更佳為從晶圓200表面至硬光罩膜2006b之上端為止之距離，和從晶圓200表面至硬光罩膜2006a之上端為止之距離的差則呈成為特定範圍內地進行控制。另外更佳為在前述基板面內之硬光罩膜2006之高度的分布則呈成為特定的範圍內，控制硬光罩膜2006之膜厚分布。
另外，作為其他方法，將氣體供給管241a與氣體供給管242a之矽含有氣體的供給量作為相同，取而 代之控制氣體供給管241a與氣體供給管242a各矽含有氣體的濃度亦可。控制矽含有氣體的濃度時係由控制第一非活性氣體供給系統者，控制通過氣體供給管241a，氣體供給管242a之矽含有氣體的濃度。分布A之情況，降低通過氣體供給管241a之矽含有氣體的濃度之同時，將通過氣體供給管242a之矽含有氣體的濃度，作為較通過氣體供給管241a之氣體的濃度為高。
由如此作為，關於在晶圓200之處理面的每單位面積之矽含有氣體的暴露量，從氣體供給路徑235所供給的氣體量，則呈成為較從噴頭234所供給的氣體量為多地，可更緻密地進行控制。由如此進行控制者，成為可更確實地將硬光罩膜2006b之膜厚，作為較硬光罩膜2006a為厚者。
更佳係將氣體供給管241a與氣體供給管242a之矽含有氣體的供給量作為不同之同時，將濃度作為不同亦可。由如此之控制者，可以更大之差分而供給每單位面積之矽含有氣體的暴露量。即，可在硬光罩膜2006a與硬光罩膜2006b作為更大之膜厚差者。隨之，即使在研磨工程S103作為poly-Si膜2005c與poly-Si膜2005d之高度的差變大，亦成為可將高度作為一致者。
更佳係與如上述控制處理氣體者並行，控制中心區加熱器213a與外區加熱器213b亦可。所形成之膜厚係因與溫度作比例之故，分布A之情況，將外區加熱器213b的溫度作為較中心區加熱器213a為高。例如，使用 如二矽烷之溫度條件對於膜生成效率有大貢獻之氣體，對於形成硬光罩膜2006之情況為有效。
如此，當並行控制處理氣體供給量(濃度)與溫度時，成為可更緻密進行膜厚控制。
接著，說明加以收納於RAM260b之資料為分布B之情況。分布B之情況係指如圖9，圖10所示，poly-Si膜2005d則較poly-Si膜2005c為厚之情況。
分布B之情況，在本工程中，呈加厚形成於晶圓200中央面的硬光罩膜2006a，將形成於晶圓200外周面的硬光罩膜2006b之膜厚，呈作為較硬光罩膜2006a為小地進行控制。具體而言，在供給氣體時，將供給至晶圓200中央面的矽含有氣體，作為較晶圓200外周面為多地進行控制。由如此作為，可將在本半導體裝置之絕緣膜的高度，即重疊硬光罩膜2006於絕緣膜2013之高度，修正呈圖10所示之標靶膜厚分布B’者。即，可將層積膜之膜厚，修正呈膜厚分布B’者。
此時，在第一氣體供給系統中，控制流量控制器241b之同時，控制閥241c之開度，控制從噴頭234供給至處理室201之矽含有氣體的量。更且，控制流量控制器242b之同時，控制閥242c之開度，從氣體供給路徑235供給矽含有氣體至處理室201。在晶圓200之處理面的每單位面積之矽含有氣體的暴露量係從噴頭234所供給的氣體之暴露量，則呈成為較從氣體供給路徑235所供給的氣體的暴露量為多地加以控制。
更且，在第二氣體供給系統中，控制流量控制器251b之同時，控制閥251c之開度，控制從噴頭234所供給之氮素含有氣體的量。在氣體供給管251a之氮素含有氣體的量係作為對應於在氣體供給管241a之矽含有氣體的量的量。更且，控制流量控制器252b之同時，控制閥252c之開度，從氣體供給路徑235供給氮素含有氣體。在氣體供給管252a之氮素含有氣體的量係作為對應於在氣體供給管242a之矽含有氣體的量的量。
此時，在晶圓200之處理面的每單位面積之矽含有氣體的暴露量係從噴頭234所供給的氣體之暴露量，則呈成為較從氣體供給路徑235所供給的氣體的暴露量為多地加以控制。
藉由噴頭234所供給之矽含有氣體與氮素含有氣體，係加以供給至形成於晶圓200中央面之poly-Si膜2005c上。所供給之氣體係如圖9所示，形成硬光罩膜2006a於poly-Si膜2005c上。
藉由氣體供給路徑235所供給之矽含有氣體與氮素含有氣體，係加以供給至形成於晶圓200外周面之poly-Si膜2005d上。所供給之氣體係如圖9所示，形成硬光罩膜2006b於poly-Si膜2005d上。
如前述，在晶圓200的處理面之每單位面積之矽含有氣體的暴露量係因poly-Si膜2005c上則成為較poly-Si膜2005d上為多之故，成為可將硬光罩膜2006a之膜厚作為較硬光罩膜2006b為厚者。
此時，如圖9所示，從在晶圓200外周面之凹構造表面2002a至硬光罩膜2006b之上端為止的高度H1b，和從在晶圓200中央面之凹構造表面2002a至硬光罩膜2006a之上端為止的高度H1a則呈成為實質上均等，控制硬光罩膜2006的厚度。更佳為從晶圓200表面至硬光罩膜2006b之上端為止之距離，和從晶圓200表面至硬光罩膜2006a之上端為止之距離的差則呈成為特定範圍內地進行控制。另外更佳為在前述基板面內之硬光罩膜2006之高度的分布則呈成為特定的範圍內，控制硬光罩膜2006之膜厚分布。
另外，作為其他方法，將氣體供給管241a與氣體供給管242a之矽含有氣體的供給量作為相同，取而代之控制氣體供給管241a與氣體供給管242a各矽含有氣體的濃度亦可。控制矽含有氣體的濃度時係由控制第一非活性氣體供給系統者，控制通過氣體供給管241a，氣體供給管242a之矽含有氣體的濃度。分布B之情況，縮小通過氣體供給管242a之矽含有氣體的濃度之同時，將通過氣體供給管241a之矽含有氣體的濃度，作為較通過氣體供給管242a之氣體的濃度為高。
由如此作為，更確實地在晶圓200之處理面的每單位面積之矽含有氣體的暴露量，從噴頭234所供給的氣體量，則呈成為較從氣體供給路徑235所供給的氣體量為多地，可進行控制。由如此進行控制者，成為可更確實地將硬光罩膜2006a之膜厚，作為較硬光罩膜2006b為 厚者。
更佳係將氣體供給管251a與氣體供給管252a之矽含有氣體的供給量作為不同之同時，將濃度作為不同亦可。由如此之控制者，可以更大之差分而供給每單位面積之矽含有氣體的暴露量。即，可在硬光罩膜2006a與硬光罩膜2006b作為更大之膜厚差者。隨之，即使在研磨工程S103作為poly-Si膜2005c之高度與poly-Si膜2005d之高度的差變大，亦成為在晶圓200的面內可將高度作為一致者。
更佳係與如上述控制處理氣體者並行，控制中心區加熱器213a與外區加熱器213b亦可。所形成之膜厚係因與溫度作比例之故，分布B之情況，將中心區加熱器213a的溫度作為較外區加熱器213b為高。例如，使用如二矽烷之溫度條件對於膜生成效率有大貢獻之氣體，對於形成硬光罩膜2006之情況為有效。
如此，當並行控制處理氣體供給量(濃度)與溫度時，成為可更緻密進行膜厚控制。
如以上說明，由調諧晶圓200之處理面的每單位面積之矽含有氣體的量者，可在各晶圓200之中央與其外周進行硬光罩膜2006之厚度控制。
此時，將重疊硬光罩膜2006b於poly-Si膜2005d之厚度，呈成為與重疊硬光罩膜2006a於poly-Si膜2005c之厚度相等地，控制硬光罩膜2006之厚度。
(膜厚測定工程S106)
持續於硬光罩膜形成工程S105，進行膜厚測定工程S106亦可。在膜厚測定工程S109中，測定矽氧化膜2005與硬光罩膜2006之層積膜的高度。具體而言，確認重疊的層之高度是否為一致，也就是層積膜的膜厚是否修正呈標靶的膜厚分布。在此「高度為一致」係指不限於完全高度一致者，而對於高度有差亦可。例如，高度的差係如在之後的圖案化工程等無影響之範圍即可。「厚度為相等」亦同樣地，不限於完全厚度相等者，而對於厚度有差亦可。例如，厚度的差係如在之後的圖案化工程等無影響之範圍即可。
硬光罩膜形成工程S105之後，晶圓200係加以搬入至測定裝置。測定裝置係測定容易受到研磨裝置400影響之晶圓200的中央面與其外周面之中，至少幾處，測定硬光罩膜2006之膜厚(高度)分布。所測定之資料係加以傳送至上位裝置270。測定後，晶圓200係加以搬出。
在晶圓200面內之高度分布則如為特定範圍內，具體而言係如在之後的圖案化工程S107等無影響之範圍內，移行至圖案化工程S107。然而，對於預先知道膜厚分布則成為特定分布之情況，膜厚測定工程S106係省略亦可。
(圖案化工程S107)
接著，使用圖16~圖17加以說明圖案化工程S107。圖16係說明在曝光工程之晶圓200的說明圖。圖17係說明在蝕刻工程後之晶圓200的說明圖。
於以下說明具體的內容。
硬光罩膜2006形成後，於硬光罩膜2006上塗布光阻膜2008。之後，自燈501放射光而進行曝光工程。在曝光工程中，藉由光罩502而照射光503於光阻膜2008上，使光阻膜2008之一部分變質。在此，將變質之光阻膜稱作感光部2008a，將未變質之光阻膜稱作未感光部2008b。
如前述，從凹狀表面2002a至硬光罩膜2006的表面之高度係在基板面內為特定的範圍內。隨之，可將從凹狀表面2002a至硬光罩膜2008的表面之高度作為一致者。在曝光工程中，光到達至光阻膜之距離，即，光503的移動則在晶圓200面內成為相等。隨之，可將焦點深度的面內分布作為相等者。
可將焦點深度作為相等之故，如圖16，可將感光部2008a之寬度，在基板面內作為成一定者。隨之，可消除圖案寬度的不均者。
接著，使用圖17而加以說明蝕刻處理後之晶圓200的狀態。因如前述，感光部2008a之寬度為一定之故，成為可將在晶圓200面內之蝕刻條件作為成一定者。隨之，在晶圓200之中央面或外周面，可均一地供給蝕刻氣體，而可將蝕刻後之poly-Si膜(以下亦稱作柱)的寬 度β作為成一定。寬度β則因在晶圓200面內成為一定之故，可在基板面內將閘極電極的特性作為一定，而使產率提升者。
接著，使用圖18，圖19加以說明第一比較例。第一比較例係在硬光罩膜形成工程S105未實施膜厚分布之修正之情況，即，未調整(調諧)膜厚分布之情況。隨之，在晶圓200之中央面與其外周面高度為不同。
首先，使用圖18而說明第一比較例。
圖18係與圖16比較的圖。圖18之情況，未進行膜厚分布的修正之硬光罩膜2006係在晶圓200的中心側與外周側成為略相同的膜厚。其結果，poly-Si膜2005與硬光罩膜2006之層積膜的高度則在晶圓200的中央面與外周面而為不同之故，光503的距離則在晶圓200的中央面與晶圓200的外周面而為不同。隨之，焦點距離則在中央面與外周面為不同，而其結果，感光部2008a之寬度則在基板面內而為不同。當在如此之光阻膜2008進行處理時，如圖19，蝕刻工程後的柱之寬度為不同。柱的poly-Si膜間之距離γ則在晶圓200的中央面與外周面而為不同。也就是柱的poly-Si的寬度β則在晶圓200的中央面與外周面而為不同。
電極的特性係因容易受到寬度β的影響，當對於寬度β有不均時，對於所形成之電極的特性亦引起不均。隨之，寬度β之不均係伴隨產率的下降。
對此，本實施形態係因進行硬蝕刻光罩膜形 成工程S105之故，在晶圓200面內，可將柱的寬度作為一定者。隨之，比較於比較例，可形成均一特性之半導體裝置，可對於產率的提升有顯著的貢獻者。
接著，使用圖20加以說明第二比較例。
第二比較例係膜厚分布想定為A之情況者，以和本實施形態不同之方法修正膜厚分布者。具體而言，係在膜厚測定工程S104之後，形成第二poly-Si膜2005’。
第二poly-Si膜2005’係如以下加以形成。
加以形成有第一poly-Si層的晶圓200係歷經研磨裝置而加以搬入至膜厚測定裝置。在膜厚測定裝置中，加以測定膜厚分布，測定後加以搬出。所搬出之晶圓係加以搬入至第二含矽膜形成裝置，因應所測定之膜厚分布，於第二poly-Si膜2005上，加以形成第二poly-Si膜2005’。
此時，呈未有膜厚分布之不均，因應所測定之膜厚分布資料而形成第二poly-Si膜2005’。由如此作為而將poly-Si膜的高度作為一致。
之後，晶圓200係從第二含矽膜形成裝置加以搬出，而加以搬入至硬光罩膜形成裝置。在硬光罩膜形成裝置中，於第二poly-Si膜2005’上，加以形成硬光罩膜2006’。
經由如此的方法，可將硬光罩膜2006’的高度，在晶圓200面內作為一致者。
但本申請之發明者的銳意研究之結果，在經由第二比較例之手法中，了解到有如以下所述的問題者。
在第二比較例中，poly-Si層2005與第二poly-Si層2005’係各自以另外的工程加以形成。但對於各工程期間係歷經研磨工程(S103)。也就是，poly-Si層2005與第二poly-Si層2005’係即使此等則經由同一之化合物而加以構成者，並非連續加以形成者，另外會存在有經由研磨之損傷。隨之，poly-Si層2005與第二poly-Si層2005’之間係各層之界面附近的膜組成則產生變質，經由此而有與各層加以形成有組成不同之界面層之虞。
當加以形成界面層時，在poly-Si層2005，和poly-Si層2005’，和界面層，蝕刻速率則不同。也就是本來，因poly-Si層2005和第二poly-Si層2005’則經由同一的化合物而加以構成之故，各自應為相同蝕刻速率，但當於此等之間介入存在有界面層時，此等則未成為均一之蝕刻速率。隨之，在以poly-Si層全體考量的情況，在圖案化工程之蝕刻速率的算出則變為困難。即，在圖案化工程中，存在有過蝕刻或產生有蝕刻不足等之風險。
另外，當於poly-Si層2005和第二poly-Si層2005’之間存在有界面層時，亦有著此等結合度變弱之虞。
對此，在上述之本實施形態中，將poly-Si層2005的膜厚分布之偏差修正，並非形成如第二比較例之poly-Si層2005’而進行，而因利用作為硬光罩膜而發揮機能之SiN層2006而進行之故，可降低以下的風險。也就是，在本實施形態中，因未有於poly-Si層2005的層內， 加以形成如第二比較例之界面層者之故，對於poly-Si層2005之蝕刻速率的算出則為容易。因此，在圖案化工程中，可抑制成為過蝕刻或蝕刻不足等之風險者。並且，在經由本實施形態之第一具體例中，因無須形成第二poly-Si層2005’之故，而可比較於第二比較例之情況而減少一工程，作為結果，可實現高製造生產量。
然而，在本實施形態中，呈以個別裝置而實施自閘極絕緣膜形成工程S101至圖案化工程S107地加以說明過，但並不限於此，而如圖21，作為一個系統而實施亦可。在此係作為系統600，具有控制系統之上位裝置601。作為處理基板之基板處理裝置或基板處理系統，具有：實施閘極絕緣膜形成工程S101之絕緣膜形成裝置602，實施矽含有層形成工程S102之基板處理裝置603，實施研磨工程S103之研磨裝置604(相當於本實施形態之研磨裝置400)，實施膜厚測定工程S104之膜厚測定裝置605，實施硬光罩膜形成工程S105之基板處理裝置606(相當於本實施形態之基板處理裝置900)，實施膜厚測定工程S106之膜厚測定裝置607，實施圖案化工程S107之圖案化系統608。更且，具有在各裝置或系統間為了進行交換資訊之網路611。
系統600所具有之裝置係可作適宜選擇，如為機能冗長之裝置，而集成為一個裝置亦可。更且，未在本系統600內進行管理而在其他系統進行管理亦可。此情況，作為呈藉由更上位之網路612而與其他系統進行資訊 傳達亦可。
上位裝置601係具有控制各基板處理裝置或基板處理系統的資訊傳達之控制器6001。
控制部(控制手段)之控制器6001係作為具備CPU(Central Processing Unit)6001a、RAM(Random Access Memory)6001b、記憶裝置6001c、輸出入埠6001d之電腦而加以構成。RAM6001b、記憶裝置6001c、輸出入埠6001d係藉由內部匯流排，呈可與CPU6001a作資料交換地加以構成。對於控制器601係例如，可連接作為觸控面板等而加以構成之輸出入裝置6002，或外部記憶裝置6003地加以構成。更且，加以設置藉由其他裝置或系統與網路而收送訊資訊之收送訊部6004。
記憶裝置6001c係由例如，快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等而加以構成。對於記憶裝置6001c內，係可讀出為了對於基板處理裝置進行動作命令的程式等地加以收納。另外，RAM6001b係作為暫時地加以保持經由CPU6001a所讀出之程式或資料等之記憶體範圍(工作區域)而加以構成。
CPU6001a係呈讀出自記憶裝置6001c之控制程式而執行之同時，因應自輸出入裝置6002之操作命令的輸入等而從記憶裝置6001c，讀出程式配方地加以構成。並且，CPU6001a係呈沿著所讀出之程式內容地，可控制各裝置之資訊傳達動作地加以構成。
然而，控制器6001係不限於作為專用之電腦 而加以構成之情況，而作為泛用之電腦而加以構成亦可。例如，準備收納上述程式之外部記憶裝置(例如，磁帶，可撓性磁碟或硬碟等之磁碟，CD或DVD等之光碟，MO等之光磁碟，USB記憶體或記憶卡等之半導體記憶體)6003，經由使用有關之外部記憶裝置6003而建立程式於泛用的電腦等之時，可構成有關本實施形態之控制器6001者。然而，為了供給程式於電腦之手段係不限於藉由外部記憶裝置6003而供給之情況。例如，作為呈藉由網路或專用線路等之通信手段，而未藉由外部記憶裝置6003而供給程式亦可。然而，記憶裝置6001c或外部記憶裝置6003係作為可電腦讀取之記憶媒體而加以構成。以下，總稱此等，亦單稱為記錄媒體。然而，在本說明書中使用稱為記錄媒體的情況，係有僅包含記憶裝置6001c單體之情況，僅包含外部記憶裝置6003單體之情況，或包含其雙方之情況。
另外，在以上的實施例中，分為晶圓200之中央，外周加以說明過，但並不限於此等，對於在徑方向而言更細方化之範圍，控制含矽膜之膜厚亦可。例如，分為基板中央，外周，中央與外周之間等3個範圍亦可。
另外，在此係作為硬光罩膜，舉例說明過矽氮化膜，但並不限於此等，例如為碳化矽(SiC)膜或SiCN膜亦可。
然而，對於進行濺鍍處理或成膜處理之情況，構成呈組合異向性之處理或等向性之處理亦可。有著 經由異向性處理或等向性處理之時，而可進行更精密之修正者。
另外，在上述中，使用300mm晶圓加以說明過，但並不限定於此構成者。例如，如為450mm晶圓等之大型基板，更為有效果。大型基板之情況，因研磨工程S103之影響則成為更顯著之故。即，poly-Si膜2005a與poly-Si膜2005b之膜厚差則變為更大。由在硬光罩膜形成工程進行修正膜厚者，可即使在大型基板亦可抑制面內之特性的不均者。
<本發明之理想形態>
於以下，附記有關本實施形態之理想的形態。
(附記1)
如根據本發明之一形態，加以提供：具有將加以形成於基板上的含矽膜之膜厚分布資料收訊之收訊部，和加以載置前述基板之基板載置部，和於前述含矽膜上，以與前述膜厚分布資料的膜厚分布不同之膜厚分布，形成硬光罩膜，而供給在基板面內之前述硬光罩膜的高度分布呈成為特定範圍內之氣體的氣體供給部之基板處理裝置。
(附記2)
記載於附記1之基板處理裝置，其中，理想係 前述氣體供給部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，在前述外周面的前述基板之每單位面積之處理氣體的主成分之暴露量則呈成為較前述中央面為少地供給前述氣體。
(附記3)
記載於附記2之基板處理裝置，其中，理想係前述氣體供給部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，前述基板之中央面的溫度則呈成為較前述外周面的溫度為高地供給前述氣體。
(附記4)
記載於附記3之基板處理裝置，其中，理想係前述含矽膜係由多晶矽而加以構成。
(附記5)
記載於附記1之基板處理裝置，其中，理想係前述氣體供給部係 對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，供給至前述外周面之處理氣體的量則呈成為較前述中央面為少地供給前述氣體。
(附記6)
記載於附記1之基板處理裝置，其中，理想係前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚分布資料，前述含矽膜之膜厚的分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，前述基板之中央面的溫度則呈成為較前述外周面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
(附記7)
記載於附記1之基板處理裝置，其中，理想係前述氣體供給部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，供給至前述外周面之處理氣體的主成分之濃度則呈成為較前述中央面為少地供給前述氣體。
(附記8)
記載於附記7之基板處理裝置，其中，理想係前述氣體供給部係在控制前述處理氣體的濃度時，添加於供給至前述外周面之處理氣體的非活性氣體的供給量，則呈成為較添加於供給至前述中央面之處理氣體之非活性氣體的供給量為多地供給前述氣體。
(附記9)
記載於附記1之基板處理裝置，其中，理想係前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，前述基板之中央面的溫度則呈成為較前述外周面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
(附記10)
記載於附記1之基板處理裝置，其中，理想係前述氣體供給部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，在前述外周面的前述基板之每單位面積之處理氣體的主成分之暴露量則呈成為較前述中央面為大地供給前述氣 體。
(附記11)
記載於附記10之基板處理裝置，其中，理想係前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，將前述基板之外周面的溫度作為呈成為較前述中央面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
(附記12)
記載於附記11之基板處理裝置，其中，理想係前述第二含矽膜係由多晶矽而加以構成。
(附記13)
記載於附記1之基板處理裝置，其中，理想係前述氣體供給部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，供給至前述外周面之處理氣體的量則呈成為較前述中央面為多地供給前述氣體。
(附記14)
記載於附記13之基板處理裝置，其中，理想係前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，前述基板之外周面的溫度則呈成為較前述中央面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
(附記15)
記載於附記1之基板處理裝置，其中，理想係前述氣體供給部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，供給至前述外周面之處理氣體的主成分之濃度則呈成為較前述中央面為大地供給前述氣體。
(附記16)
記載於附記15之基板處理裝置，其中，理想係前述氣體供給部係在控制前述處理氣體的濃度時，添加於供給至前述中央面之處理氣體的非活性氣體的供給量，則呈成為較添加於供給至前述外周面之處理氣體之非活性氣體的供給量為多地供給前述氣體。
(附記17)
記載於附記1之基板處理裝置，其中，理想係前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，前述基板之外周面的溫度則呈成為較前述中央面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
(附記18)
又如根據其他形態，加以提供：具有形成加以形成於基板上之含矽膜之第一裝置，和研磨前述含矽膜之第二裝置，和測定研磨後之前述含矽膜之膜厚分布的第三裝置，和於研磨後之前述含矽膜上，以與前述膜厚分布不同之膜厚分布，形成硬光罩膜，在基板面內之前述硬光罩膜之高度分布則呈成為特定範圍內地進行處理之第四裝置之基板處理系統。
(附記19)
記載於附記18之基板處理系統，其中，理想係更加地對於前述硬光罩膜而言形成特定的圖案。
(附記20)
記載於附記19之基板處理系統，其中，理想係 在前述圖案化系統中，具有對於前述基板而言進行曝光處理之曝光裝置，前述第四裝置係在由前述曝光裝置進行處理時，焦點深度的基板面內分布則呈成為特定的範圍內地，控制前述硬光罩膜之基板面內之膜厚分布。
(附記21)
又如根據其他形態，加以提供：具有形成含矽膜於基板上之含矽膜形成工程，和研磨前述基板之研磨工程，和測定在前述含矽膜的基板面內之膜厚分布的測定工程，和於研磨後之前述含矽膜上，以和前述膜厚分布不同之膜厚分布，形成硬光罩膜之硬光罩膜形成工程之半導體裝置的製造方法。
(附記22)
又如根據其他形態，加以提供：具有收訊具有所研磨狀態之含矽膜之基板的膜厚分布資料的工程，和載置前述基板於基板載置部之工程，和將前述膜厚分布資料為依據，於前述含矽膜上，以與前述膜厚分布資料的膜厚分布不同之膜厚分布，形成硬光罩膜之硬光罩膜形成工程的半導體裝置之製造方法。
(附記23)
又如根據其他形態， 加以提供：使電腦執行收訊具有所研磨狀態之含矽膜之基板的膜厚分布資料的步驟，和載置前述基板於基板載置部之步驟，和將前述膜厚分布資料為依據，於前述含矽膜上，以與前述膜厚分布資料的膜厚分布不同之膜厚分布，呈形成硬光罩膜之步驟之程式。
(附記24)
又如根據其他形態，加以提供：收納使電腦執行收訊具有所研磨狀態之含矽膜之基板的膜厚分布資料的步驟，和載置前述基板於基板載置部之步驟，和將前述膜厚分布資料為依據，於前述含矽膜上，以與前述膜厚分布資料的膜厚分布不同之膜厚分布，呈形成硬光罩膜之步驟之記錄媒體。
(附記25)
又如根據其他形態，加以提供：具有收訊作為加以形成於基板上之閘極電極層而加以構成的含矽膜之膜厚分布資料之收訊部，和載置前述基板之基板載置部，和於前述含矽膜上，以與前述膜厚分布資料的膜厚分布不同之膜厚分布，形成硬光罩膜，而供給在基板面內之前述硬光罩膜的高度分布呈成為特定範圍內之氣體的氣體供給部之基板處理裝置。
(附記26)
又如根據其他形態，加以提供：具有收訊作為加以形成於基板上之虛擬閘極電極層而加以構成的含矽膜之膜厚分布資料之收訊部，和載置前述基板之基板載置部，和於前述含矽膜上，以與前述膜厚分布資料的膜厚分布不同之膜厚分布，形成硬光罩膜，而供給在基板面內之前述硬光罩膜的高度分布呈成為特定範圍內之氣體的氣體供給部之基板處理裝置。

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為具有將加以形成於基板上的含矽膜之膜厚分布資料收訊之收訊部，和加以載置前述基板之基板載置部，和於前述含矽膜上，以與前述膜厚分布資料的膜厚分布不同之膜厚分布，形成與前述含矽膜不同之硬光罩膜，而供給在基板面內之前述硬光罩膜的高度分布呈成為預先指定之範圍內之氣體的氣體供給部。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，在每單位時間下，在前述外周面的前述基板之每單位面積之處理氣體的主成分之暴露量則呈成為較前述中央面為少地供給前述氣體。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之基板處理裝置，其中，前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，前述基板之中央面的溫度則呈成為較前述外周面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
  4. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部係 對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，在每單位時間下，供給至前述外周面之處理氣體的量則呈成為較前述中央面為少地供給前述氣體。
  5. 如申請專利範圍第4項記載之基板處理裝置，其中，前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，前述基板之中央面的溫度則呈成為較前述外周面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
  6. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，供給至前述外周面之處理氣體的主成分濃度則呈成為較前述中央面為小地供給前述氣體。
  7. 如申請專利範圍第6項記載之基板處理裝置，其特徵為前述氣體供給部係在控制前述處理氣體的濃度時，添加於供給至前述外周面之處理氣體的非活性氣體的供給量，則呈成為較添加於供給至前述中央面之處理氣體之非活性氣體的供給量為多地供給前述氣體。
  8. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為大之情況，前述基板之中央面的溫度則呈成為較前述外周面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
  9. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，在每單位時間下，在前述外周面的前述基板之每單位面積之處理氣體的主成分之暴露量則呈成為較前述中央面為大地供給前述氣體。
  10. 如申請專利範圍第9項記載之基板處理裝置，其中，前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，將前述基板之外周面的溫度則作為呈成為較前述中央面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
  11. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部係 對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，在每單位時間下，供給至前述外周面之處理氣體的量則呈成為較前述中央面為少地供給前述氣體。
  12. 如申請專利範圍第11項記載之基板處理裝置，其中，前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，將前述基板之外周面的溫度則呈成為較前述中央面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
  13. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部係對於前述收訊之膜厚分布資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，供給至前述外周面之處理氣體的主成分濃度則呈成為較前述中央面為大地供給前述氣體。
  14. 如申請專利範圍第13項記載之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部係在控制前述處理氣體的濃度時，添加於供給至前述中央面之處理氣體的非活性氣體的供給量，則呈成為較添加於供給至前述外周面之處理氣體之非活性氣體的供給量為 多地供給前述氣體。
  15. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述基板載置部係對於前述收訊之膜厚資料的前述含矽膜之膜厚分布則顯示較前述基板的中央面，其外周面的膜厚為小之情況，將前述基板之外周面的溫度則呈成為較前述中央面的溫度為高地調整前述基板的溫度分布。
  16. 一種基板處理系統，其特徵為具有：形成加以形成於基板上之含矽膜之第一裝置，和研磨前述含矽膜之第二裝置，和測定研磨後之前述含矽膜之膜厚分布的第三裝置，和於研磨後之前述含矽膜上，以與前述膜厚分布不同之膜厚分布，形成與前述含矽膜不同之硬光罩膜，在基板面內之前述硬光罩膜之高度分布則呈成為預先指定範圍內地進行處理之第四裝置。
  17. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為具有：形成含矽膜於基板上之含矽膜形成工程，和研磨前述基板之研磨工程，和測定在前述含矽膜的基板面內之膜厚分布的測定工程，和於研磨後之前述含矽膜上，以和前述膜厚分布不同之膜厚分布，形成與前述含矽膜不同之硬光罩膜之硬光罩膜形成工程。
  18. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為具有：收訊具有所研磨狀態之含矽膜之基板的膜厚分布資料的工程，和載置前述基板於基板載置部之工程，和將前述膜厚分布資料為依據，於前述含矽膜上，以與前述膜厚分布資 料的膜厚分布不同之膜厚分布，形成與前述含矽膜不同之硬光罩膜之硬光罩膜形成工程。
  19. 一種程式，其特徵為使電腦執行收訊具有所研磨狀態之含矽膜之基板的膜厚分布資料的步驟，和載置前述基板於基板載置部之步驟，和將前述膜厚分布資料為依據，於前述含矽膜上，以與前述膜厚分布資料的膜厚分布不同之膜厚分布，呈形成與前述含矽膜不同之硬光罩膜地進行處理之步驟。
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