TWI596815B - 有機發光顯示裝置以及其製造方法 - Google Patents

有機發光顯示裝置以及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI596815B
TWI596815B TW102140456A TW102140456A TWI596815B TW I596815 B TWI596815 B TW I596815B TW 102140456 A TW102140456 A TW 102140456A TW 102140456 A TW102140456 A TW 102140456A TW I596815 B TWI596815 B TW I596815B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
region
emissive
auxiliary
disposed
Prior art date
Application number
TW102140456A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201445789A (zh
Inventor
李昌浩
尹振渶
申大燁
孫永睦
吳一洙
高熙周
趙世珍
李寶羅
李衍祐
田坪恩
崔賢珠
尹智煥
金範俊
Original Assignee
三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星顯示器有限公司 filed Critical 三星顯示器有限公司
Publication of TW201445789A publication Critical patent/TW201445789A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI596815B publication Critical patent/TWI596815B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

有機發光顯示裝置以及其製造方法
本發明係關於一種有機發光顯示裝置以及其製造方法。
一般而言，有機發光顯示裝置包括一像素電極、一共用電極、以及有機層介於該像素電極與該共用電極之間。舉例而言，有機層包括至少一發射層(EML)且可更包括一電洞注入層(HIL)、一電洞傳輸層(HTL)、一電子傳輸層(ETL)、以及一電子注入層(EIL)。在該有機發光顯示裝置中，由該像素電極與該共用電極所產生之電洞與電子可於一有機層中結合，舉例而言，例如於一發射層中結合以形成激子。當激子之能階從一激發態改變至一基態時，該發射層可發射一對應於該變化能階之顏色的光。
為實現一全彩有機發光顯示裝置，上述有機層應經圖案化。為了圖案化該有機層，可利用一使用光罩之沉積法。該使用一光罩之沉積法係一習用方法，其已被使用且可確保高效率及穩定性。
近來，於其中圖案化有機層之圖案的尺寸係經縮減 以獲得高解析度之有機發光顯示裝置。因此，製造一遮罩包含一開口對應於該圖案係變得困難。即使該光罩可被製造，該光罩之開口也可能在沉積程序起始之後便立即被堵塞。
因此，逐漸利用一使用雷射之轉印法(transfer method)以圖案化該有機層。藉由該使用雷射之轉印法，可相對容易地形成精細的圖案。
然而，在該使用雷射之轉印法中，由雷射束所產生的熱可直接地影響所轉印的層(如，發射層)，從而減少有機發光顯示裝置的壽命。尤其，發射綠光之發射層的壽命可最顯著地減少。
本發明之實例性具體實施態樣係提供一具有經延長之壽命的有機發光顯示裝置，其中複數個發射層之至少二者係共同形成於一基材的整個表面。
本發明之實例性具體實施態樣亦提供一製造有機發光顯示裝置的方法，其中複數個發射層之至少二者係藉由沉積程序而共同形成於一基材的整個表面。
根據本發明之一實例性具體實施態樣，係提供一有機發光顯示裝置，包括基材其包括複數個區域，複數個第一電極分別設置於該基材的該等區域上，一第二電極設置於該等第一電極上，以及複數個發射層設置於該第等一電極和該第二電極之間。該等發射層之至少二者係設置於所有該等區域上。
根據本發明之一實例性具體實施態樣，係提供一有機發光顯示裝置，包括一基材其包括一第一區域，一第一電極設置於該基材之該第一區域上，一第二電極設置於該第一電極上，以及一第一輔助層與複數個發射層位於該第一區域中且設置於該第一電極和該第二電極之間。該等發射層係包括一第一發射層設置於該第一輔助層與該第二電極之間，一第二發射層設置於該第一發射層與該第二電極之間，以及一第三發射層設置於該第一電極與該第一輔助層之間。
根據本發明之一實例性具體實施態樣，係提供一製造有機發光顯示裝置的方法。該方法包括：形成複數個第一電極分別於一基材之複數個區域上，形成複數個發射層以及複數個輔助層於該等第一電極上，以及形成一第二電極於該等發射層與該等輔助層上。該等發射層之至少二者係以一沉積程序形成，以及該等輔助層係以一轉印程序形成。
根據本發明之一實例性具體實施態樣，係提供一製造有機發光顯示裝置之方法。該方法包括：形成複數個第一電極於一基材上，該基材包括一第一區域、一第二區域、以及一第三區域，其中該等第一電極係使用一沉積程序形成於該基材之第一、第二、及第三區域上；使用一沉積程序形成一第一媒介層於該第一、第二、及第三區域中之該等第一電極上；對準一具一開口之遮罩於該第一媒介層之上；使用一面向該第一媒介層之一表面的沉積源，藉由通過該遮罩的開口沉積一有機材料而進行一沉積程序於該第一媒介層上，從而形成一第一發射層於該第一區 域、第二區域、及第三區域中之該第一媒介層上；使用一第一予體(donor)基材，藉由一轉印程序以同時地形成一第一輔助層與一第二發射層於該第一區域中之該第一發射層上；使用一第二予體基材，藉由一轉印程序形成一第二輔助層於該第二區域中之該第一發射層上；以及對準一具一開口之遮罩於該第二發射層、該第二輔助層及該第一發射層之上。
此外，該方法更包括使用一面向該第二發射層、該第二輔助層及該第一發射層之各表面的沉積源，藉由通過該遮罩中的開口沉積一有機材料而進行一沉積程序於該第二發射層、該第二輔助層及該第一發射層上，從而形成一第三發射層於該第一區域、第二區域、與第三區域中以及該第二發射層、該第二輔助層與該第一發射層之各表面上，並使用一沉積程序而依續堆疊一第二媒介層、一第二電極以及一鈍化層於該第三發射層上。
100、102、104‧‧‧有機發光顯示裝置
110‧‧‧基材
112‧‧‧第一電極
114、114’‧‧‧第一媒介層
114a、114a’‧‧‧電洞注入層
114b、114b’‧‧‧電洞傳輸層
118‧‧‧第三發射層
120‧‧‧第一輔助層
122‧‧‧第一發射層
124‧‧‧第二輔助層
126‧‧‧第二發射層
130‧‧‧第二媒介層
130a‧‧‧電子注入層
130b‧‧‧電子傳輸層
132‧‧‧第二電極
134‧‧‧鈍化層
200‧‧‧開放式遮罩
300‧‧‧沉積源
400‧‧‧第一予體基材
410‧‧‧第一基膜
412‧‧‧第一光至熱轉換層
414‧‧‧第一轉印層
414a‧‧‧上轉印層
414b‧‧‧下轉印層
500‧‧‧第二予體基材
510‧‧‧第二基膜
512‧‧‧第二光至熱轉換層
514‧‧‧第二轉印層
600‧‧‧雷射光束
I‧‧‧第一區域
Ⅱ‧‧‧第二區域
Ⅲ‧‧‧第三區域
本發明之實例性具體實施樣應可由以下詳細說明結合並參考所附圖式而更詳細地理解，其中：第1圖係一根據本發明之一具體實施態樣之有機發光顯示裝置的示意性截面圖；第2圖係一截面圖，描繪在製造第1圖之有機發光顯示裝置之方法中，形成一基材、第一電極、以及一第一媒介層之堆疊結構的操作；第3圖係一截面圖，描繪在製造第1圖之有機發光顯示裝置之方 法中，形成一第三發射層於該堆疊結構上之操作；第4圖係一截面圖，描繪在製造第1圖之有機發光顯示裝置之方法中，形成一第一輔助層及一第一發射層於該第三發射層上之操作；第5圖係一截面圖，描繪在製造第1圖之有機發光顯示裝置之方法中，形成一第二輔助層於該第三發射層上之操作；第6圖係一截面圖，描繪在製造第1圖之有機發光顯示裝置之方法中，形成一第二發射層於該第三發射層上之操作；第7圖係一截面圖，描繪在製造第1圖之有機發光顯示裝置之方法中，形成一第二媒介層、一第二電極、及一鈍化層於該第二發射層上之操作；第8圖係一根據本發明一具體實施態樣之有機發光顯示裝置的示意性截面圖；第9圖係一根據本發明一具體實施態樣之有機發光顯示裝置的示意性截面圖；第10圖係一圖表，說明根據實施例1所製造之有機發光顯示裝置隨時間的亮度減少率；以及第11圖係一圖表，說明根據比較實施例1所製造之有機發光顯示裝置隨時間的亮度減少率。
然而，本發明之實例性具體實施態樣可以多種不同 形式體現，且不應被解釋為侷限於本說明書所載之例示性具體實施態樣。全文中相似的符號表示相似的元件。在圖式中，層與區域的厚度可能為了清楚表示而被誇大。
將理解，當一元件或層被指稱為「位於…上(on)」或「連接至(connected to)」另一元件或層時，其可直接位於該其他元件或層上或直接地連接至該其他元件或層，或者可能存在有中介元件或層。如本文中所使用，用語「及/或」包括該所列相關項目之一者或多者之任一及全部組合。此外，如本文中所使用，除非內容明確地指示，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」與「該(the)」亦欲包含複數形式。
以下，本發明之具體實施態樣將參考所附圖式而描述。
第1圖係根據本發明一具體實施態樣之有機發光顯示裝置100之示意性截面圖。參考第1圖，根據本具體實施態樣之有機發光顯示裝置100可包含，例如，一基材110、第一電極112、一第一媒介層114、複數個發射層(118、122、126)、複數個輔助層(120、124)、一第二媒介層130、一第二電極132、以及一鈍化層134。
該基材110可為，例如，一絕緣基材。該絕緣基材可由一透明玻璃材料所形成，該透明玻璃材料含有透明SiO2作為主要組分。在一具體實施態樣中，該絕緣基材可由，例如，一不透明材料或一塑膠材料所形成。且，在一實例性具體實施態樣中，該絕緣基材110可由，例如，陶瓷或矽材料所形成。再者，該絕 緣基材可為，例如，一可撓性基材，其可彎曲、摺疊或捲繞。適合用於可撓性基材之材料包括，例如，聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯(PE)、聚醯亞胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚對酞酸乙二酯(PET)、或前述之組合。
雖然並未顯示於第1圖，基材110可更包括其他結構形成於該絕緣基材上。該等結構之實例可包括但不限於配線、電極、以及絕緣層。若根據本具體實施態樣之該有機發光顯示裝置100係一主動陣列式有機發光顯示裝置，基材100可包括，例如，複數個薄膜電晶體(TFTs)形成於該絕緣層上。各該TFTs可包含，例如，一閘極電極、一源極電極、及一汲極電極，以及一半導體層其係一通道區域。該半導體層可由，例如，非晶矽、微晶矽、多晶矽、或單晶矽所形成。在一具體實施態樣中，該半導體層或可由，例如，氧化物半導體所形成。該等TFTs之至少數個之汲極電極可電性連結至第一電極112。
舉例而言，該源極與該汲極電極可包括金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物及/或透明導電材料。該源極與該汲極電極可包括，例如，鋁、包括鋁的合金、氮化鋁(AlNx)、銀(Ag)、包括銀的合金、鎢(W)、氮化鎢(WNx)、銅(Cu)、包括銅的合金、鎳(Ni)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrNx)、鉬(Mo)、包括鉬的合金、鈦、氮化鈦(TiNx)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaNx)、釹(Nd)、鈧(Sc)、鍶釕氧化物(SrRuxOy)、氧化鋅(ZnOx)、銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鎵(GaOx)、銦鋅氧化物(IZO)等。此等可單獨或合併使用。各該源極與該汲 極電極可具有單層結構或多層結構。
該基材110可包括，例如，複數個區域(I、Ⅱ、Ⅲ)。該基材110之區域(I、Ⅱ、Ⅲ)可以一預定距離彼此分離。該等區域(I、Ⅱ、Ⅲ)可為複數個畫素所位處的地方。在一實例性具體實施態樣中，該等區域(I、Ⅱ、Ⅲ)可包括一第一區域I、一第二區域Ⅱ、以及一第三區域Ⅲ。該第一區域I、該第二區域Ⅱ及該第三區域Ⅲ可分別發射，例如，紅光、綠光、和藍光。在一實例性具體實施態樣中，該等區域(I、Ⅱ、Ⅲ)可額外包括，例如，一第四區域(未示出)。該第四區域可發射，例如，白光。
該等第一電極112係形成於基材110上。該等第一電極112可分別位於基材110之該等區域(I、Ⅱ、Ⅲ)上。意即，該等第一電極112可分別形成於畫素內而彼此分離。在一實例性具體實施態樣中，該等第一電極112可設置於，例如，基材110之所有的第一區域I、第二區域Ⅱ、及第三區域Ⅲ上。該等第一電極112可直接形成於基材110上以直接地接觸基材110、或一材料如一絕緣層可介入第一電極112與基材110之間。
該等第一電極112可為，例如，陰極或陽極。若該等第一電極112係陽極，則第二電極132可為一陰極。因此，以下將基於此假設而描述本發明之具體實施態樣。然而，或者在一具體實施態樣中，該等第一電極112也可為陰極，且第二電極132也可為一陽極。
為了做為陽極使用，該等第一電極112可由，例如， 一具高功函數之導電材料所形成。若有機發光顯示裝置100係一底部發射類型，該等第一電極112可由，例如，一材料如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)或In2O3所形成，或者可由此等材料的堆疊層所形成。若有機發光顯示裝置100係一頂部發射類型，該等第一電極112可更包含，例如，一由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)或鈣(Ca)所形成之反射層。該等第一電極112可以不同方式修飾以具有，例如，一結構由二或多個層所組成，該等層係使用選自上述材料之二或多種材料而形成。
該等第一電極112可具有一厚度，例如，約500至約1500埃(Å)。舉例而言，在一具體實施態樣中，該等第一電極112可具有一厚度為大約1000埃。
雖然未顯示於第1圖，一畫素定義層可，例如，介入不同畫素之該等第一電極112之間以劃分畫素。舉例而言，該畫素定義層可形成於基材110上並包括開口其係暴露區域，該等畫素之第一電極112係分別形成於該等區域中。該畫素定義層可由，例如，選自以下之有機材料之至少一者所形成：苯環丁烯(BCB)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、丙烯酸樹脂、酚樹脂(phenolic resin)、矽氧烷系樹脂、含有光敏感性丙烯酸羧基之樹脂、酚酫清漆樹脂(novolac resin)、鹼溶性樹脂，或者由一無機材料如氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、碳氮化矽、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、 氧化鉿、氧化鋯等所形成。
第一媒介層114可形成於該等第一電極112上。第一媒介層114可幫助在該等第一電極112與第二電極132之間之電子或電洞的注入或傳輸。若該等第一電極112係陽極，第一媒介層114可為一層與電洞之注入或傳輸有關。
第一媒介層114可，例如，劃分成複數個部分，分別對應於該等像素。或者，如第1圖所示，第一媒介層114可以，例如，單一片形成於基材110之整個表面。意即，第一媒介層114可不管該等畫素之間的劃分而形成為一共同層。換言之，第一媒介層114可共同形成於該等區域(I、Ⅱ、Ⅲ)。在一具體實施態樣中，第一媒介層114亦可被省略。
第一媒介層114可包括，例如，一電洞注入層114a及/或一電洞傳輸層114b。在一實例性具體實施態樣中，第一媒介層114可，例如，單獨包括電洞注入層114a或電洞傳輸層114b。在一實例性具體實施態樣中，第一媒介層114或可包括，例如，電洞注入層114a與電洞傳輸層114b之一堆疊。
電洞注入層114a可設置於第一電極112上。形成電洞注入層114a之材料可選自已知的電洞注入材料，包括但不限於：酞青素化合物如酞青銅，星爆型胺衍生物如TCTA或m-MTDATA，導電性聚合物如聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)或聚苯胺/聚(4-苯乙烯-磺酸鹽)(PANI/PSS)。
電洞傳輸層114b可設置於電洞注入層114a上。形成電洞傳輸層114b之材料可選自已知的電洞傳輸材料，包括但不限於：1,3,5-三咔唑基苯、4,4’-雙咔唑基聯苯、聚乙烯基咔唑、間-雙咔唑基苯、4,4’-雙咔唑基-2,2’-二甲基聯苯、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯基胺、1,3,5-三(2-咔唑基苯基)苯、1,3,5-參(2-咔唑基-5-甲氧苯基)苯、雙(4-咔唑基苯基)矽烷、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-〔1,1-聯苯基〕-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基聯苯胺(NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-雙-(1-萘基)-(1,1’-聯苯基)-4,4’-二胺(NPB)、聚(9,9-二辛基茀-共-N-(4-丁基苯基)二苯基胺)(TFB)、以及聚(9,9-二辛基茀-共-雙-(4-丁基苯基-雙-N,N-苯基-1,4-伸苯基二胺(PFB)。電洞傳輸層114b可形成至一厚度為700至1700埃。於一較佳具體實施態樣中，電洞傳輸層114b可形成至一厚度為1200埃。
電洞注入層114a或電洞傳輸層114b可使用多種方法包括，例如，真空沉積、旋轉塗布、鑄造、及LB法而形成。舉例而言，在一具體實施態樣中，可使用真空沉積法。當電洞注入層114a或電洞傳輸層114b係藉由真空沉積法所形成時，其沉積條件可根據，例如，以下而改變：作為形成電洞注入層114a或電洞傳輸層114b之材料所使用的化合物，以及電洞注入層114a或電洞傳輸層114b之期望的結構與熱力特性。然而，電洞注入層114a或電洞傳輸層114b之沉積條件通常可包括，例如，沉積溫度範圍從約100至約500℃、真空度範圍從約10-8至約10-3托、以及沉積速率範圍從約0.01至約100埃/秒。
發射層(118、122、126)可形成於第一媒介層114上。各發射層(118、122、126)可發射一特定顏色之光。舉例而言，由第一電極112與第二電極132所產生的電洞與電子可在各發射層(118、122、126)中結合以形成激子。當激子之能階從一激發態改變至一基態時，各發射層(118、122、126)可發射一對應於，例如，所改變之能階的光。在一實例性具體實施態樣中，發射層(118、122、126)可發射出，例如，紅光、綠光、以及藍光。在一實例性具體實施態樣中，除了紅光、綠光、藍光之外，發射層(118、122、126)可發射，例如，白光。
發射層(118、122、126)之至少二者可以，例如，單一片形成於基材110之整個表面。意即，發射層(118、122、126)之至少二者可不管畫素之間的劃分而形成為共同層。換言之，發射層(118、122、126)之至少二者可共同形成於該等區域(I、Ⅱ、Ⅲ)。
發射層(118、122、126)可包括，例如，一第一發射層122、一第二發射層126、以及一第三發射層118。舉例而言，在一實例性具體實施態樣中，第一發射層122可發射紅光，第二發射層126可發射綠光，以及第三發射層118可發射藍光。本發明之本實例性具體實施態樣將基於此假設而於以下描述，但不限於此。
第一發射層122可設置於，例如，第一區域I中。舉例而言，第一發射層122可僅存在於第一區域I中。意即，第一發射層122可能不存在於第二區域Ⅱ與第三區域Ⅲ中。此外， 第一發射層122可，例如，介入第二發射層126與第三發射層118之間。
第一發射層122可藉由，例如，一轉印程序而形成。在此，轉印程序可為一雷射誘導熱成像(LITI)程序，但不限於此。在一實例性具體實施態樣中，第一發射層122可，例如，藉由一轉印程序與一第一輔助層120同時形成，該第一輔助層120將於之後描述。
第一發射層122可由，例如，一聚合物材料或一小分子有機材料或該聚合物材料與該小分子有機材料之混合物所形成，該小分子有機材料獨特地發射紅光。在一實例性具體實施態樣中，第一發射層122可包括，例如，一紅色主體材料與一紅色摻雜劑材料。
第一發射層112之紅色主體材料可包括但不限於選自以下群組之一或多個材料：雙(2-(2-羥苯基)苯并噻唑)鋅(bis-(2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato)zinc，Zn(BTZ)2)和雙-(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚基)鋁(bis-(2-methyl-8-quinolinolato)-4-(phenylphenolato)aluminum)。第一發射層122之紅色摻雜劑材料可包含但不限於：PtOEP、Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)、DCJTB等。
第二發射層126可設置於，例如，所有的區域(I、Ⅱ、Ⅲ)中。意即，第二發射層126可設置於所有的第一區域I、第二區域Ⅱ、及第三區域Ⅲ中。在一實例性具體實施態樣中，第二發射層126可以，例如，單一片形成於基材110之整個表面。 意即，第二發射層126可不管該等畫素之間的劃分而形成為一共同層。換言之，第二發射層126可共同形成於該等區域(I、Ⅱ、Ⅲ)。意即，第二發射層126不僅可形成於第一區域I中而且延伸至第二區域Ⅱ與第三區域Ⅲ，從而交疊第一發射層122與第二發射層118。
第二發射層126可，例如，介入第一發射層122與第二電極132之間。舉例而言，第二發射層126可介入第三發射層118與第二媒介層130之間。
第二發射層126可藉由，例如，一沉積程序而形成。在此，該沉積程序可為一使用開放式遮罩之真空沉積程序，但不限於此。
第二發射層126可由，例如，一聚合物材料或一小分子有機材料或該聚合物材料與該小分子有機材料之混合物所形成，該小分子有機材料係獨特地發射綠光。在一實例性具體實施態樣中，第二發射層126可包括，例如，一綠色主體材料與一綠色摻雜劑材料。
第二發射層126之綠色主體材料可包括但不限於一或多種選自蒽衍生物及咔唑化合物之材料。該蒽衍生物可為，例如，9,10-(2-二萘基)蒽(ADN)，以及該咔唑衍生物可為4,4’-(咔唑-9-基)聯苯(CBP)。第二發射層126之綠色摻雜劑材料可為但不限於：Ir(ppy)3(ppy=苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3、或C545T。
第二發射層126可，例如，不僅發射光且可傳輸電子。意即，第二發射層126主要於第二區域中發光，但可傳輸電子至第一區域I與第三區域Ⅲ中之第一發射層122與第三發射層118。
第三發射層118可設置於，例如，所有區域(I、Ⅱ、Ⅲ)中。意即，第三發射層118可設置於所有的第一區域、第二區域、及第三區域中。在一實例性具體實施態樣中，第三發射層118可以，例如，單一片形成於基材110之整個表面。意即，第三發射層118可不管該等畫素之間的劃分而形成為一共同層。換言之，第三發射層118可共同形成於該等區域(I、Ⅱ、Ⅲ)。意即，第三發射層118不僅可形成於第一區域中而且延伸至第二區域Ⅱ與第三區域Ⅲ，從而交疊第一發射層122與第二發射層126。
第三發射層118可，例如，介入第一發射層122與第一電極112之間。舉例而言，第三發射層118可介入第一媒介層114與第二發射層126之間。在一實例性具體實施態樣中，第一發射層122與第二發射層126可形成於，例如，第三發射層118上。
第三發射層118可藉由，例如，一沉積程序而形成。在此，該沉積程序可為，例如，一使用開放式光罩之真空沉積程序，但不限於此。
第三發射層118可由，例如，一聚合物材料或一小分子有機材料或該聚合物材料與該小分子有機材料之混合物所形 成，該小分子有機材料係獨特地發射藍光。在一實例性具體實施態樣中，第三發射層118可包括，例如，一藍色主體材料與一藍色摻雜劑材料。
第三發射層118之藍色主體材料可包括但不限於一或多種選自包括蒽衍生物及咔唑化合物之材料。該蒽衍生物可為，例如，9,10-(2-二萘基)蒽(ADN)，以及該咔唑衍生物可為，例如，4,4’-(咔唑-9-基)聯苯(CBP)。第三發射層118之藍色摻雜劑材料可包括但不限於：F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴(ter-fluorene)等。
第三發射層118可，例如，不僅發光且可傳輸電洞。意即，第三發射層118主要於第三區域中發光，但可傳輸電洞至第一區域I與第二區域Ⅱ中之第一發射層122與第二發射層126。
該等輔助層(120、124)可形成於，例如，第一媒介層114上。舉例而言，該等輔助層(120、124)可介入第二發射層126與第三發射層118之間。輔助層(120、124)可控制自發射層(118、122、126)所發射之光的共振循環。為了增進自發射層(118、122、126)所發射之光的顏色純度、亮度效率等，輔助層(120、124)可形成至一預定之厚度。輔助層(120、124)可由，例如，與該電洞傳輸層114b相同之材料所形成。在一實例性具體實施態樣中，各輔助層(120、124)可形成至，例如，一厚度為約300至約1500埃。
輔助層(120、124)可包括，例如，第一輔助層120與一第二輔助層124。
第一輔助層120可設置於，例如，第一區域I中。舉例而言，第一輔助層120可僅存在於第一區域中。意即，第一輔助層120可不存在於第二區域Ⅱ與第三區域Ⅲ中。此外，第一輔助層120可，例如，介入第一發射層122與第三發射層118之間。第一輔助層120可藉由，例如，一轉印程序而形成。在此，該轉印程序可為一LITI程序，但不限於此。在一實例性具體實施態樣中，第一輔助層120可，例如，藉由一轉印程序與第一發射層122同時形成。
第一輔助層120可形成至一預定厚度以控制自第一發射層122所發射之光的共振循環。為了增進自第一發射層122所發射之光的發光效率、顏色純度等，第一輔助層120之厚度可設定至一範圍，例如，約500至約1800埃。舉例而言，在一具體實施態樣中，第一輔助層120可形成至，例如，一厚度為大約900埃。在一實例性具體實施態樣中，第一輔助層120可，例如，較第二輔助層124為厚。形成第一輔助層120之材料可與形成電洞傳輸層114b之材料相同，但不限於此。在一實例性具體實施態樣中，第一輔助層120可包括，例如，選自氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)、以及氮氧化矽(SiON)之至少一種材料。
第二輔助層124可設置於，例如，第二區域Ⅱ中。舉例而言，第二輔助層124可僅存在於第二區域Ⅱ中。意即，第二輔助層可不存在於第一區域I與第三區域Ⅲ中。此外，第二輔助層124可，例如，介入第二發射層126與第三發射層118之間。第二輔助層124可藉由，例如，一轉印程序而形成。在此，轉印 程序可為一LITI程序，但不限於此。在一實例性具體實施態樣中，第二輔助層124可藉由，例如，一轉印程序而形成。
第二輔助層124可形成至一預定厚度以控制自第二發射層126所發射之光的共振循環。為了增進自第二發射層126所發射之光的發光效率、顏色純度等，第二輔助層124之厚度可設定至一範圍，例如，約300至約1500埃。舉例而言，在一具體實施態樣中，第二輔助層124可形成至一厚度為約700埃。形成第二輔助層124之材料可與形成電洞傳輸層114b之材料相同，但不限於此。在一實例性具體實施態樣中，第二輔助層124可包括，例如，選自氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)、以及氮氧化矽(SiON)之至少一種材料。
舉例而言，發射層(118、122、126)及輔助層(120、124)之結構可摘要如下。在第一區域I中，第三發射層118、第一輔助層120、第一發射層122、以及第二發射層126可依續堆疊於第一媒介層114上。在第二區域Ⅱ中，第三發射層118、第二輔助層124、以及第二發射層126可依續堆疊於第一媒介層114上。在第三區域Ⅲ中，第三發射層118及第二發射層126可依續堆疊於第一媒介層114上。此外，第二發射層126及該第三發射層118可藉由一沉積程序而形成，以及第一發射層122、第一輔助層120及第二輔助層124可藉由一轉印程序而形成。又，第二發射層126與第三發射層118可形成於基材110之整個表面上。第一發射層122及第一輔助層120可僅形成於第一區域I中，且第二輔助層124可僅形成於第二區域Ⅱ中。再者，第一發射層122、第一輔助 層120、以及第二輔助層124可被第二發射層126與第三發射層118圍繞。
舉例而言，發射層(118、122、126)及輔助層(120、124)之發光機制可摘要如下。
參考第一區域I，由第一電極112所產生之電洞可經由第三發射層118與第一輔助層120到達第一發射層122，第三發射層118與第一輔助層120具有電洞傳輸能力。此外，由第二電極132所產生之電子可經由第二發射層126到達第一發射層122，第二發射層126具有電子傳輸能力。到達第一發射層122之電子及電洞可形成激子。當激子之能階由一激發態改變至一基態時，第一發射層122可發射紅光。在此，由於第一輔助層120，所有由第一電極112所產生之電洞能抵達第一發射層122，且由第二電極132所產生之電子可不抵達第三發射層118。因此，第三發射層118可無法發射光。然而，雖然第二發射層126主要作用如第一區域I中之電子傳輸層130b，其可發射部份綠光。意即，約70至約80%之紅光由第一發射層122所發射，以及約20至30%之綠光由第二發射層126所發射。自第一發射層122與第二發射層126所發射之光在第一區域I中共振時係經過濾。最終，在第一區域I中，只有紅光由有機發光顯示裝置100發射出。
參考第二區域Ⅱ，由第一電極112所產生之電洞可經由第三發射層118與第二輔助層124到達第二發射層126，第三發射層118與第二輔助層124具有電洞傳輸能力。此外，由第二電極132所產生之電子可經由第二媒介層130到達第二發射層 126。到達第二發射層126之電子及電洞可形成激子。當等激子之能階由一激發態改變至一基態時，第二發射層126可發射綠光。在此，由於第二輔助層124，所有由第一電極112所產生之電洞能抵達第二發射層126，且由第二電極132所產生之電子不能抵達第三發射層118。因此，第三發射層118可無法發射光。意即，約100%之綠光可自第二發射層126發射。自第二發射層126所發射之綠光在第二區域Ⅱ中共振。因此，由有機發光顯示裝置100發射出之綠光具有增加的顏色純度。
參考第三區域Ⅲ，由第一電極112所產生之電洞可經由第一媒介層114到達第三發射層118，第一媒介層114具有電洞傳輸能力。此外，由第二電極132所產生之電子可經由第二發射層126到達第三發射層118，第二發射層126具有電子傳輸能力。到達第三發射層之電子及電洞可形成激子。當激子之能階由一激發態改變至一基態時，第三發射層118可發射藍光。在此，雖然第二發射層126主要作用如第三區域Ⅲ中之電子傳輸層130b，第二發射層126可發射部份綠光。意即，約70至約80%之藍光自第三發射層118發射，以及約20至約30%之藍光自第二發射層126發射。自第三發射層118與第二發射層126所發射之光在第三區域Ⅲ中共振時係經過濾。最終，在第三區域Ⅲ中，只有藍光由有機發光顯示裝置100發射出。
第二媒介層130可形成，例如，於第二發射層126上。第二媒介層130可幫助電子或電洞在第一電極112及第二電極132之間的注入或傳輸。若第二電極132係一陰極，第二媒介 層130可為，例如，一層與電子之注入或傳輸有關。
第二媒介層130可延伸，例如，至畫素定義層之側表面和頂表面之上。第二媒介層130可被，例如，劃分成複數個部分，分別對應於像素。或者，如第一圖所示，第二媒介層130可被，例如，以單一片形成於基材110之整個表面。意即，第二媒介層130可不管畫素之間的劃分而形成為一共同層。換言之，第二媒介層130可共同形成於區域(I、Ⅱ、Ⅲ)。在一具體實施態樣中，第二媒介層130可被省略。
第二媒介層130可包括，例如，電子傳輸層130b及/或一電子注入層130a。在一實例性具體實施態樣中，第二媒介層130可僅包括，例如，電子傳輸層130b或電子注入層130a之一者。在一實例性具體實施態樣中，第二媒介層130或可包括，例如，電子傳輸層130b與電子注入層130a之一堆疊。
電子傳輸層130b可設置於，例如，第二發射層126上。形成電子傳輸層130b之材料可為，例如，一材料，其可穩定地傳輸自電子注入電極(陰極)所注入之電子。該材料可為一已知材料如喹啉衍生物，包含但不限於：三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-三級丁基苯基)-1,2,4***(TAZ)、2-(4-聯苯基)-5-(三級丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(butyl-PBD)、2-(4-聯苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、Balq等。電子傳輸層130b可具有一厚度為200至400埃。舉例而言，在一具體實施態樣中，電子傳輸層130b可具有一厚度為大約300埃。
電子注入層130a可設置於，例如，電子傳輸層130b 上。電子注入層130a可由一已知材料如：氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)、氧化鋇(BaO)等所形成，但不限於此。電子注入層130a可具有一厚度為，例如，約10至約15埃。舉例而言，在一較佳的具體實施態樣中，電子注入層130a可具有一厚度為大約13埃。
電子傳輸層130b或電子注入層130a可使用各式方法而形成包括，例如，真空沉積及旋轉塗布。當電子傳輸層130b或電子注入層130a係使用真空沉積或旋轉塗布而形成時，其沉積或塗布條件可根據，例如，所使用之化合物而改變，但通常幾乎與用於電洞注入層114a之形成的條件相同。
第二電極132可形成於，例如，第二媒介層130上。作為一陰極使用之第二電極132可由，例如，一具低功函數之導電材料所形成。第二電極132可由，例如，銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)或鈣(Ca)所形成。第二電極132可具有一厚度為，例如，約50至約150埃。在一具體實施態樣中，第二電極132可具有，例如，一厚度為大約100埃。
鈍化層134可設置於，例如，第二電極132上。鈍化層134可保護在其下之堆疊層。鈍化層134可由，例如，一絕緣材料所形成。舉例而言，鈍化層134可含有，一無機絕緣體如氮化矽(SiNx)及氧化矽(SiOx)或一有機絕緣體。舉例而言，鈍化層134之有機絕緣體可包括苯環丁烯(BCB)、丙烯酸系樹脂或前述之組合。
一間隔物(spacer)(未示出)可設置於，例如，第二電極132及鈍化層134之間。鈍化層134可具有一厚度為約400至約800埃。在一較佳具體實施態樣中，鈍化層134可具有，例如，一厚度為大約600埃。或者，在本發明之一具體實施態樣中，鈍化層134可被省略。在此情形中，一由例如絕緣材料形成之封裝層(encapsulation layer)可覆蓋整個結構以保護該結構。
舉例而言，為製造一高解析度之有機發光顯示裝置，應使用一轉印程序，例如，一LITI程序。然而，在一轉印程序中使用雷射光束600，自雷射光束600所產生之熱可直接地影響所轉印的層，從而減少有機發光顯示裝置的壽命。具體而言，發射綠光之發射層的壽命可減少得最顯著。
根據本具體實施態樣，在有機發光顯示裝置100之製造中，係使用一轉印程序以獲得高解析度之有機發光顯示裝置。然而，因為僅第一發射層122及輔助層(120、124)係藉由轉印程序形成，有機發光顯示裝置100之壽命的減少可被最小化。尤其，發射綠光之第二發射層126之壽命的減少，能藉由使用，例如，一沉積程序以形成該發射綠光之第二發射層126而防止。
此外，發射層(118、122、126)及輔助層(120、124)可使用一予體基材及一開放式遮罩而形成，且遮罩不是一精細金屬遮罩(fine metal mask,FMM)。因此，能增加程序效率。
現在，將參考第2圖至第7圖描述根據本發明之一具體實施態樣的製造有機發光裝置100的方法。第2圖係一截面圖，說明在製造第1圖之有機發光顯示裝置100之方法中，形成 一基材110、第一電極112、以及一第一媒介層114之堆疊結構之操作。第3圖係一截面圖，說明在製造第1圖之有機發光顯示裝置100之方法中，形成一第三發射層118於堆疊結構上之操作。第4圖係一截面圖，說明在製造第1圖之有機發光顯示裝置100之方法中，形成一第一輔助層120及一第一發射層122於第三發射層118上之操作。第5圖係一截面圖，說明在製造第1圖之有機發光顯示裝置100之方法中，形成一第二輔助層124於第三發射層118上之操作。第6圖係一截面圖，說明在製造第1圖之有機發光顯示裝置100之方法中，形成一第二發射層126於第三發射層118上之操作。第7圖係一截面圖，說明在製造第1圖之有機發光顯示裝置100之方法中，形成一第二媒介層130、一第二電極132、及一鈍化層134於第二發射層126上之操作。為簡明起見，與第1圖之元件實質相同的元件係以相似的參考符號指稱，從而省略多餘的描述。
參考第2圖至第7圖，根據本具體實施態樣之製造有機發光顯示裝置100之方法可包括，例如，形成第一電極112分別於基材110之複數個區域(I、Ⅱ、Ⅲ)上，形成複數個發射層(118、122、126)以及複數個輔助層(120、124)於第一電極112上，以及形成第二電極132於發射層(118、122、126)與輔助層(120、124)上。在此，舉例而言，發射層(118、122、126)之至少二者可藉由一沉積程序而形成，以及所有輔助層(120、124)皆可藉由一轉印程序而形成。舉例而言，第一發射層122及第一輔助層120可藉由一轉印程序而形成於第一區域I中，以及第二輔助層124可藉由一轉印程序而形成於第二區域Ⅱ 中。第二發射層126及第三發射層118可藉由一沉積程序而，例如，形成於第一區域I、第二區域Ⅱ、及第三區域Ⅲ中。
首先，參考第2圖，可製備基材110之堆疊結構、第一電極112以及第一媒介層114。第一電極112及第一媒介層114可藉由，例如，一通常的沉積程序而形成。
參考第3圖，在堆疊結構之製備之後，第三發射層118可，例如，形成於堆疊結構上。在此，第三發射層118可藉由，例如，一使用遮罩200之沉積程序而形成。舉例而言，遮罩200(例如，一開放式遮罩)具有一開口可對準堆疊結構，且可放置一沉積源300以面向第一媒介層114之一表面。之後，沈積源300可，例如，噴灑一有機材料以形成第三發射層118，從而沉積第三發射層118於第一媒介層114的表面上。意即，第三發射層118可，例如，共同形成於第一區域I、第二區域Ⅱ、及第三區域Ⅲ。
參考第4圖，在第三發射層118之形成之後，第一輔助層120及第一發射層122可形成於第三發射層118上。第一輔助層120及第一發射層122可藉由，例如，一使用第一予體基材400之轉印程序而同時形成。
在此，第一予體基材400係一形成第一輔助層120及第一發射層122之手段且包括，例如，一第一基膜410、一第一光至熱轉換層412(light-to-heat conversion 1ayer 412)、以及一第一轉印層414。
第一基膜410可由一透明聚合物所形成，其包括， 例如，聚酯(如聚乙烯對酞酸酯)、聚丙烯酸(polyacryl)、聚環氧(polyepoxy)、聚乙烯、聚苯乙烯等。舉例而言，在一例示性具體實施態樣中，第一基膜410包括聚乙烯對酞酸酯膜。第一基膜410應具有光學性質及機械穩定性如一支持膜(support film)。第一基膜410可具有，例如，一厚度為約10至約500微米。
第一光至熱轉換層412可設置於，例如，第一基膜410上。第一光至熱轉換層412係，例如，吸收在紅外光至可見光範圍內的光並轉換部分光為熱。為此目的，第一光至熱轉換層412應具有光學密度並包括一光吸收材料。第一光至熱轉換層412可為，例如，一金屬層，其含有氧化鋁或硫化鋁作為光吸收材料，或者為一聚合物有機層，其含有碳黑、石墨或紅外線染料作為光吸收材料。舉例而言，若第一光至熱轉換層412係金屬層，其可藉由真空沉積、電子束沉積、或濺鍍而形成至一厚度為約100至5000埃。舉例而言，若第一光至熱轉換層412係聚合物有機層，其可藉由一通常的膜塗布法而形成至一厚度為約0.1至10微米，膜塗布法如輥塗、凹板塗布、擠壓塗布、旋轉塗布、或刮刀塗布。
雖然第4圖沒有顯示，一第一中間層可形成於，例如，第一光至熱轉換層412上。該第一中間層可防止光至熱轉換層412之光吸收材料(例如，碳黑)汙染在一後續程序中形成之第一轉印層414。該第一中間層可由，例如，丙烯酸樹脂或醇酸樹脂所形成。該第一中間層可藉由，例如，一通常的塗布程序(如溶劑塗布)及一硬化程序(如紫外光硬化)而形成。
第一轉印層414可設置於，例如，第一光至熱轉換 層412(或該第一中間層)上。第一轉印層414可形成為，例如，一雙層。意即，第一轉印層414可包括，例如，一上轉印層414a以及一下轉印層414b。上轉印層414a可由，例如，與第一發射層122相同之材料所形成，以及下轉印層414b可由，例如，與第一輔助層120相同之材料所形成。
第一予體基材400之第一轉印層414可，例如，經對準以面向第三發射層118，且之後雷射光束600可照射至第一區域I。若雷射光束600係照射至第一區域I，來自雷射光束600之光能可藉由位於第一區域I中之第一光至熱轉換層412而轉換成為熱能。熱能可膨脹第一光至熱轉換層412，且同時可傳遞至第一轉印層414從而轉印第一轉印層414至第三發射層118上。第一轉印層414，例如，轉印至第三發射層118上之上轉印層414a及下轉印層414b，可分別成為第一發射層122及第一輔助層120。
參考第5圖，在第一發射層122及第一輔助層120形成之後，第二輔助層124可形成，例如，於第三發射層118上。第二輔助層124可藉由，例如，一使用第二予體基材500之轉印程序而單獨形成。
在此，第二予體基材500係指一形成第二輔助層之手段，且包括，例如，一第二基膜510、一第二光至熱轉換層512、以及一第二轉印層514。雖然第五圖沒有顯示，一第二中間層可介入，例如，第二光至熱轉換層512與第二轉印層514之間。
第二基膜510及第二光至熱轉換層512係分別對應於第一基膜410及第一光至熱轉換層412，因此將省略其詳細描 述。
第二轉印層514可為，例如，一單層。第二轉印層514可由，例如，與第二輔助層124相同之材料所形成。
第二予體基材500之第二轉印層514可，例如，經對準以面向第三發射層118，且之後雷射光束600可照射至第二區域Ⅱ。若雷射光束600係照射至第二區域Ⅱ，來自雷射光束600之光能可藉由位於第二區域Ⅱ中之第二光至熱轉換層512而轉換成為熱能。熱能可膨脹第二光至熱轉換層512，且同時傳遞至第二轉印層514從而轉印第二轉印層514至第三發射層118上。轉印至第三發射層118上之第二轉印層514可成為第二輔助層124。
參考第6圖，在第二輔助層124形成之後，第二發射層126可形成於，例如，第一發射層122、第二輔助層124、以及第三發射層118上。在此，第二發射層126可藉由，例如，一使用遮罩200之沉積程序而形成。舉例而言，遮罩200(例如，一開放式遮罩)具有一開口可對準第一發射層122、第二輔助層124以及第三發射層118，以及可放置一沉積源300以面向第一發射層122、第二輔助層124和第三發射層118之個別的表面。之後，沉積源300可，例如，噴灑一有機材料以形成第二發射層126，從而沉積第二發射層126於第一發射層122、第二輔助層124以及第三發射層118之個別的表面上。意即，第二發射層126可，例如，共同形成於第一區域I、第二區域Ⅱ及第三區域Ⅲ。此外，第二發射層126可形成以，例如，完全覆蓋第三發射層118。
在第3圖至第6圖之前述程序中，自第一區域I、 第二區域Ⅱ、及第三區域Ⅲ所發射之光的共振循環可藉由調整發射層(118、122、126)以及輔助層(120、124)之厚度而控制。意即，可調整發射層(118、122、126)及輔助層(120、124)之厚度而使得，例如，紅光自第一區域I發射，綠光自第二區域Ⅱ發射，以及藍光自第三區域Ⅲ發射。
參考第7圖，在第二發射層126形成之後，第二媒介層130、第二電極132、以及鈍化層134可，例如，依續堆疊於第二發射層126上。第二媒介層130、第二電極132、以及鈍化層134可藉由，例如，一通常的沉積程序而形成。
鈍化層134可含有，例如，一無機絕緣體如氮化矽(SiNx)及氧化矽(SiOx)或一有機絕緣體。舉例而言，鈍化層134之有機絕緣體可包括苯環丁烯(BCB)、丙烯酸系樹脂或前述之組合物。
在根據本具體實施態樣之製造有機發光顯示裝置100的方法中，一高解析度之有機發光顯示裝置100可藉由，例如，在有機發光顯示裝置100之製造中使用一轉印程序而獲得。此外，因為僅第一發射層122及輔助層(120、124)係由轉印程序形成，有機發光顯示裝置100之壽命的減少能被最小化。尤其，發射綠光之第二發射層126之壽命的減少能經由，例如，使用一沉積程序以形成該發射綠光之第二發射層126而防止。
此外，發射層(118、122、126)以及輔助層(120、124)係使用一予體基材及一開放式遮罩而形成，不是一FMM。因此，可增加程序效率。
現在，參考第8圖以描述根據本發明之一具體實施態樣之有機發光顯示裝置。第8圖係一根據本發明之一具體實施態樣之有機發光顯示裝置102的示意性截面圖。為簡明起見，與第1圖之有機發光顯示裝置100之元件實質相同的元件係以相似的參考符號指稱，且因此將省略多餘的描述。
參考第8圖，複數個輔助層(120、124、125)可更包括，例如，一第三輔助層125。第三輔助層125可設置於，例如，一第一輔助層120與一第三發射層118之間及/或一第二輔助層124與第三發射層118之間。此外，第三發射層118可包括，例如，一P型摻雜劑。在一具體實施態樣中，第三發射層118可，例如，僅包括一P型摻雜劑。在一具體實施態樣中，第三輔助層125可，例如，與第一輔助層120及/或第二輔助層124整體地(integrally)形成於在第一輔助層120及/或第二輔助層124之下的一區域中，意即，與第三發射層118接觸之一區域。
在根據本具體實施態樣之有機發光顯示裝置102中，當將第三輔助層125加至有關第1圖敘述之有機發光顯示裝置100中時，由第一電極112所產生之電洞能更容易地傳遞至一第一發射層122及一第二發射層126。且，能防止由一第二電極132所產生之電子傳遞至第三發射層118。此外，第三輔助層125所包括的P型摻雜劑能降低有機發光顯示裝置102之驅動電壓。
現在，參考第9圖以描述根據本發明之一具體實施態樣之有機發光顯示裝置。第9圖係一根據本發明之具體實施態樣之有機發光顯示裝置104的示意性截面圖。為簡明起見，與第1 圖之有機發光顯示裝置100之元件實質上相同的元件係以相似的參考符號指稱，且因此將省略多餘的描述。
參考第9圖，一第一媒介層114’可包括，例如，一電洞注入層114a’以及一電洞傳輸層114b’。第一媒介層114’可包括，例如，一無機材料。在此，無機材料可為氧化鎢及氧化鎳之至少一者。
舉例而言，電洞注入層114a’可包括一無機材料。在一例示性具體實施態樣中，電洞注入層114a’可僅，例如，由無機材料所形成。包括無機材料之電洞注入層114a’可具有一厚度為，例如，約700至約1300埃。舉例而言，在一例示性具體實施態樣中，包括無機材料之電洞注入層114a’可具有一厚度為1000埃。此外，當電洞注入層114a’變得較厚，電洞傳輸層114b’可相對地變得較薄。在一例示性具體實施態樣中，電洞傳輸層114b’可具有一厚度為，例如，約100至約300埃。舉例而言，在一例示性具體實施態樣中，電洞傳輸層114b’可具有一厚度為約200Å。
一般而言，無機材料如氧化鎢或氧化鎳係一非導體。然而，若一無機層係藉由此一無機材料之熱沉積所形成時，一個不含氧原子的空間可於無機層內部創設，且自由電子可於空間中產生。自由電子可致使無機層具有較一通常的無機材料為高之導電性。
因此，根據本具體實施態樣，有機發光顯示裝置104之驅動電壓可被降低。
以下，參考第10圖及第11圖以比較根據本發明之有機發光顯示裝置100以及一習用有機發光顯示裝置。第10圖係一圖表，說明根據實施例1所製造之有機發光顯示裝置隨時間的亮度減少率。第11圖係一圖表，說明根據比較實施例1所製造之有機發光顯示裝置隨時間的亮度減少率。
[實施例1]
使用濺鍍法，藉由沉積銦錫氧化物(ITO)於一基材110上而形成複數個第一電極112至一厚度為約1000埃，基材包括氧化矽(SiO2)作為其主要成分。
藉由沉積參(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)於第一電極112上而形成一電洞注入層114a至一厚度為約100埃。
藉由沉積N,N’-二-〔(1-萘基)-N,N’-二苯基〕-1,1’-聯苯基-4,4’-二胺(NPB)於電洞注入層114a上而形成一電洞傳輸層114b至一厚度為約1200埃。
使用一開放式遮罩而沉積一第三發射層118作為一共同層於電洞注入層114a上，其含有4,4’-(咔唑基-9-基)聯苯(CBP)作為藍色主體基材以及F2Irpic作為藍色摻雜劑材料。在此，第三發射層118係形成至一厚度為約100埃。
形成一第一發射層122以及一第一輔助層120於第一區域I中之第三發射層118上。第一發射層122以及第一輔助層120係使用一第一予體基材400藉由一LITI方法而形成。第一 予體基材400係藉由依續堆疊一由氧化鋁所形成之第一光至熱轉換層412、一由丙烯酸樹脂所形成之第一中間層、以及一第一轉印層414於一由聚對酞酸乙二酯所形成之第一基膜410上而形成。在此，第一轉印層414係由一上轉印層414a與一下轉印層414b所組成，上轉印層414a由雙-(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基酚)鋁以及Btp2Ir(acac)所形成，下轉印層414b由NPB所形成。在第一予體基材400係經放置使得第一轉印層414面向第三發射層118且其間有一間隙之後，照射雷射光束600至第一予體基材400，從而形成第一發射層122以及第一輔助層120。第一發射層122以及第一輔助層120係分別由與上轉印層414a以及下轉印層414b相同之材料所形成。在此，第一發射層122係經形成至一厚度為約200埃，以及第一輔助層120係經形成至一厚度為約900埃。
一第二輔助層124係經形成於第二區域Ⅱ中之第三發射層118上。第二輔助層124係使用一第二予體基材500藉由一LITI程序而形成。第二予體基材500係藉由依續堆疊一由氧化鋁所形成之第二光至熱轉換層512、一由丙烯酸樹脂所形成之第二中間層、以及一第二轉印層514於一由聚對酞酸乙二酯所形成之第二基膜510上而形成。在此，第二轉印層514係由NPB所形成。在放置第二予體基材500使得第二轉印層514面向第三發射層118且其間有一間隙之後，照射雷射光束600至第二予體基材500，從而形成第二輔助層124。第二輔助層124係由與第二轉印層514相同之材料所形成。在此，第二輔助層124係經形成至一厚度為約700埃。
由9,10-(2-二萘基)蒽(ADN)以及Ir(ppy)2(acac)所形成之一第二發射層126係藉由使用一開放式遮罩而沉積於第一發射層122、第二輔助層124、以及第三發射層118上作為一共同層。在此，第二發射層126係經形成至一厚度為約200埃。
一電子傳輸層130b係藉由沉積參(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)於第二發射層126上而形成至一厚度為約300埃。
一電子注入層130a係藉由沉積LiF於電子傳輸層130b上而形成至一厚度為約13埃。
一第二電極132係藉由沉積MgAg於電子注入層130a上而形成至一厚度為約100埃。
一鈍化層134係藉由沉積SiO2於第二電極132上而形成至一厚度為約600埃。
一說明根據實施例1之有機發光顯示裝置100隨時間的亮度減少率之圖表係示於第10圖中。特定而言，第10圖之圖表係說明在一狀態下所測量之第二發射層126隨時間之亮度減少率，於狀態中，根據實施例1所製造之有機發光顯示裝置100之驅動電壓係設定為約6伏特以及效率係設定為約75燭光/安培(cd/A)。
[比較實施例1]
以與實施例1相同之方式製造一有機發光顯示裝置，惟一第二發射層以及一第二輔助層係藉由一轉印程序而同時形成於一第二區域中。
一說明根據比較實施例1之有機發光顯示裝置隨時間的亮度減少率之圖表係示於第11圖中。特定而言，第11圖之圖表係說明在一狀態下所量測之第二發射層隨時間的亮度減少率，於該狀態中，為根據比較實施例1所製造之有機發光顯示裝置之驅動電壓係設定為約6伏特以及效率係設定為約75燭光/安培(cd/A)。
由第10圖及第11圖之圖表可明顯得知，根據實施例1所製造之有機發光顯示裝置100較根據比較實施例1所製造之有機發光顯示裝置具有一較長的壽命。
本發明之具體實施態樣提供以下效益之至少一者。
意即，可能延長一高解析度有機發光顯示裝置之壽命。
此外，能降低有機發光顯示裝置之驅動電壓。
再者，可能藉由最小化精細金屬遮罩之使用而增加程序效率。
然而，本發明之具體實施態樣之效益並不限於本文所述者。
經由描述本發明之例示性具體實施態樣之情形下，可進一步注意到的是，在不背離由後附申請專利範圍之邊界與範圍所定義之本發明精神與範疇下可做各式修改，此對本領域具通常知識者而言係容易且顯而易見的。
100‧‧‧有機發光顯示裝置
110‧‧‧基材
112‧‧‧第一電極
114‧‧‧第一媒介層
114a‧‧‧電洞注入層
114b‧‧‧電洞傳輸層
118‧‧‧第三發射層
120‧‧‧第一輔助層
122‧‧‧第一發射層
124‧‧‧第二輔助層
126‧‧‧第二發射層
130‧‧‧第二媒介層
130a‧‧‧電子注入層
130b‧‧‧電子傳輸層
132‧‧‧第二電極
134‧‧‧被動層
I‧‧‧第一區域
Ⅱ‧‧‧第二區域
Ⅲ‧‧‧第三區域

Claims (9)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一基材，包含複數個區域，該等區域係包含一第一區域、一第二區域、以及一第三區域；複數個第一電極，分別設置於該基材之該等區域上；一第二電極，設置於該等第一電極上；以及複數個發射層，設置於該等第一電極與該第二電極之間，該等發射層包含一第一發射層、一第二發射層與一第三發射層，其中該第一發射層係僅設置於該第一區域中，其中該第三發射層係具有橫跨該第一區域、第二區域與第三區域之實質上平面的形狀，以及其中該第二發射層係設置於該第一區域、該第二區域、及該第三區域中。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一發射層係設置於該第二發射層與該第三發射層之間，其中該第二發射層係設置於該第一發射層與該第二電極之間，其中該第三發射層係設置於該第一發射層與該等第一電極之間，以及其中該第二發射層係具有一電子傳輸能力，以及該第三發射層係具有一電洞傳輸能力。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含複數個輔助層，設置於該等第一電極與該第二電極之間，其中該等輔助層係設置於該第二發射層與該第三發射層之間， 其中該等輔助層係包含一第一輔助層、一第二輔助層、以及一第三輔助層，其中該第一輔助層係設置於該第一發射層與該第三發射層之間並位於該第一區域內，該第二輔助層係設置於該第二發射層與該第三發射層之間並位於該第二區域內，以及該第三輔助層係設置於該第一輔助層與第三發射層之間及/或於該第二輔助層與該第三發射層之間，以及其中該第三輔助層係包含一P型摻雜劑(dopant)。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一發射層係經配置以發射紅光，其中該第二發射層係經配置以發射綠光，以及其中該第三發射層係經配置以發射藍光。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一第一媒介層(medium layer)，設置於該等第一電極與該等發射層之間，且其中該第一媒介層係經配置以注入或傳輸電子或電洞；以及一第二媒介層，設置於該等發射層與該第二電極之間，且其中該第二媒介層係經配置以注入或傳輸電子或電洞，其中該第一媒介層與該第二媒介層之至少一者係包含一無機材料，以及其中該無機材料係包含氧化鎢和氧化鎳之至少一者。
  6. 一種有機發光顯示裝置，包含：一基材，包含一第一區域、一第二區域、以及一第三區 域；一第一電極，設置於該基材之該第一區域、該第二區域與該第三區域上；一第二電極，設置於該第一電極上；以及一第一輔助層，設置於該第一區域中；以及複數個發射層，位於該第一區域、該第二區域與該第三區域內並設置於該第一電極與該第二電極之間，其中該等發射層包含：一第一發射層，僅設置於該第一區域中且位於該第一輔助層與該第二電極之間；一第二發射層，設置於該第一區域、該第二區域與該第三區域中且位於該第一發射層與該第二電極之間；一第三發射層，具有橫跨該第一區域、第二區域與第三區域之實質上平面的形狀，且設置於該第一電極與該第一輔助層之間。
  7. 如請求項6所述之顯示裝置，更包含一第二輔助層，位於該第二區域內且設置於該第二發射層與該第三發射層之間，其中該第一電極係設置於該基材之該第一區域、該第二區域、及該第三區域上，以及其中該第二發射層與該第三發射層係延伸至該第二區域與該第三區域。
  8. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，包含：形成複數個第一電極，分別於一基材之複數個區域上；形成複數個發射層以及複數個輔助層於該等第一電極 上；以及形成一第二電極於該等發射層與該等輔助層上，其中該等發射層之至少二者係以一沉積程序形成，以及該等輔助層係以轉印程序(transfer process)形成，且該等發射層之至少一層係藉由轉印程序而與該等輔助層之至少一層一起形成。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該等區域係包含一第一區域、一第二區域以及一第三區域，其中該等發射層係包含一第一發射層、一第二發射層以及一第三發射層，其中該等輔助層係包含一第一輔助層及一第二輔助層，以及其中該等發射層與該等輔助層之形成係包含：藉由使用一沉積程序，形成該第三發射層於該第一區域、第二區域、及第三區域之該等第一電極上；藉由使用一轉印程序，同時形成該第一輔助層及該第一發射層於該第一區域之該第三發射層上；藉由使用一轉印程序，形成該第二輔助層於該第二區域之該第三發射層上；以及藉由使用一沉積程序，形成該第二發射層於該第一區域、該第二區域、以及該第三區域之該第三發射層、該第一輔助層、該第一發射層、以及該第二輔助層上。
TW102140456A 2013-05-29 2013-11-07 有機發光顯示裝置以及其製造方法 TWI596815B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130061054A KR102113034B1 (ko) 2013-05-29 2013-05-29 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201445789A TW201445789A (zh) 2014-12-01
TWI596815B true TWI596815B (zh) 2017-08-21

Family

ID=51984092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102140456A TWI596815B (zh) 2013-05-29 2013-11-07 有機發光顯示裝置以及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9269918B2 (zh)
JP (1) JP6266950B2 (zh)
KR (1) KR102113034B1 (zh)
CN (1) CN104218049A (zh)
TW (1) TWI596815B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102081209B1 (ko) * 2013-03-26 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 및 그 유기 발광 표시 장치의 제조에 사용되는 도너 기판 및 도너 기판 세트
EP2808916B1 (en) * 2013-05-30 2018-12-12 LG Display Co., Ltd. Method of manufacturing an organic light emitting display device
CN103915571A (zh) * 2014-01-27 2014-07-09 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种amoled显示面板及膜层制作方法、显示装置
KR101745491B1 (ko) 2015-03-12 2017-06-13 덕산네오룩스 주식회사 유기발광소자 및 유기발광 표시장치
CN104701458B (zh) * 2015-03-24 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件及其制作方法、显示装置
KR102256498B1 (ko) * 2015-07-24 2021-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102322083B1 (ko) * 2015-07-28 2021-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10270041B2 (en) * 2015-08-28 2019-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN112970130B (zh) * 2018-10-30 2024-02-09 夏普株式会社 发光元件、发光元件的制造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008525993A (ja) * 2004-12-28 2008-07-17 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光学スペーサーを含むエレクトロルミネセンスデバイスおよびその製造方法
CN102024844A (zh) * 2009-09-15 2011-04-20 三星移动显示器株式会社 有机发光显示设备
JP2011165664A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置
TW201248960A (en) * 2011-05-25 2012-12-01 Samsung Display Co Ltd Organic light-emitting device and method of manufacturing the same
TW201249255A (en) * 2011-05-23 2012-12-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting device
TW201302976A (zh) * 2011-06-22 2013-01-16 Samsung Display Co Ltd 雜環化合物、包含其之有機發光裝置、以及包含該有機發光裝置之平板顯示裝置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4644938B2 (ja) * 2001-01-15 2011-03-09 ソニー株式会社 有機電界発光素子
JP2003168559A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Sharp Corp 有機ｌｅｄ用ドナーフィルムと基板、及び、それらを用いた有機ｌｅｄ表示パネルとその製造方法
JP4052852B2 (ja) * 2002-03-05 2008-02-27 シャープ株式会社 有機ｌｅｄ素子の製造方法及び製造装置
KR100712096B1 (ko) * 2004-02-19 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 제조방법
KR20070031914A (ko) 2004-05-27 2007-03-20 이스트맨 코닥 캄파니 Ｏｌｅｄ용 유기층의 침착방법
US7023013B2 (en) * 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
WO2006008987A1 (ja) * 2004-07-15 2006-01-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ表示装置
JP4507964B2 (ja) * 2005-04-15 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US7271537B2 (en) * 2005-04-15 2007-09-18 Sony Corporation Display device and a method of manufacturing the display device
KR100574089B1 (ko) 2005-04-28 2006-04-27 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법
KR100729089B1 (ko) * 2005-08-26 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100841364B1 (ko) 2006-11-27 2008-06-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
CN101055922B (zh) * 2007-05-09 2012-04-25 友达光电股份有限公司 有机电致发光结构及其制作方法
JP4450051B2 (ja) * 2007-11-13 2010-04-14 ソニー株式会社 表示装置
KR101182442B1 (ko) * 2010-01-27 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR101137392B1 (ko) * 2010-03-31 2012-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
CN101872845A (zh) * 2010-06-09 2010-10-27 友达光电股份有限公司 有机发光二极管结构及其制造方法
KR101914577B1 (ko) * 2011-02-11 2018-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치 및 표시 장치
JP5778950B2 (ja) * 2011-03-04 2015-09-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5837316B2 (ja) * 2011-03-25 2015-12-24 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR101960759B1 (ko) * 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR101825642B1 (ko) * 2011-08-18 2018-02-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2013051161A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Canon Inc 表示装置
US9721998B2 (en) * 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
CN102800813A (zh) * 2012-07-05 2012-11-28 孙润光 一种有机电致发光器件及其制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008525993A (ja) * 2004-12-28 2008-07-17 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光学スペーサーを含むエレクトロルミネセンスデバイスおよびその製造方法
CN102024844A (zh) * 2009-09-15 2011-04-20 三星移动显示器株式会社 有机发光显示设备
JP2011165664A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置
TW201249255A (en) * 2011-05-23 2012-12-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting device
TW201248960A (en) * 2011-05-25 2012-12-01 Samsung Display Co Ltd Organic light-emitting device and method of manufacturing the same
TW201302976A (zh) * 2011-06-22 2013-01-16 Samsung Display Co Ltd 雜環化合物、包含其之有機發光裝置、以及包含該有機發光裝置之平板顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140353610A1 (en) 2014-12-04
JP2014232720A (ja) 2014-12-11
US20160118587A1 (en) 2016-04-28
CN104218049A (zh) 2014-12-17
US9269918B2 (en) 2016-02-23
JP6266950B2 (ja) 2018-01-24
TW201445789A (zh) 2014-12-01
KR102113034B1 (ko) 2020-05-21
KR20140140337A (ko) 2014-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI596815B (zh) 有機發光顯示裝置以及其製造方法
US10170704B2 (en) Organic electroluminescent device and display including the same
EP3301732B1 (en) Organic light emitting diode
US9590213B2 (en) Organic light-emitting display device, method of manufacturing the same, and donor substrate and donor substrate set used to manufacture the organic light-emitting display device
US20140027732A1 (en) Organic light-emitting device and organic light-emitting display apparatus including the same
US10903442B2 (en) Organic light-emitting diode comprising self-crystallizing material and organic light-emitting display device including the same
KR20040088470A (ko) 유기층을 포함하고 열에 안정적인 투과성 발광 소자
US20120280214A1 (en) Organic el element having cathode buffer layer
KR20160017388A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5261414B2 (ja) 有機発光素子及びその製造方法
US9196859B2 (en) Organic light-emitting device
US10158094B2 (en) Organic light emitting diode and display device including the same
KR102083985B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
TWI511340B (zh) Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof
KR20150028554A (ko) 표시 장치
KR102463735B1 (ko) 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US20140361272A1 (en) Light emitting element, organic light emitting display device having the same and method of manufacturing the same
US20220006023A1 (en) Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same
KR20150080153A (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치
KR102322966B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR100685846B1 (ko) 풀칼라 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
US20240206316A1 (en) Organic light emitting diode comprising organometallic compound and plurality of host materials
JP2001196173A (ja) 有機ｅｌ表示装置
JP2014175244A (ja) 発光装置及び露光装置
KR20080107771A (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법