KR100712096B1 - 유기전계 발광표시장치의 제조방법 - Google Patents

유기전계 발광표시장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다층의 유기막을 열전사방식을 통해 패터닝하여 R, G, B 화소별로 두께를 최적화시키고, B 발광층을 공통층으로 사용하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광표시장치 의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판 상에 R, G 및 B 화소의 하부전극을 형성하고; 상기 R, G 및 B 화소의 하부전극 상에 정공주입층을 공통으로 형성하고; 상기 R 및 G 화소의 정공주입층 상에 발광층을 레이저 열전사법을 수행하여 각각 형성하고; 상기 R 및 G 화소의 발광층을 포함하는 기판 전면에 B 공통층을 형성하고; 상기 B 공통층 상에 상부전극을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 R, G 및 B 화소의 하부전극을 형성하고; 상기 R, G 및 B 화소의 하부전극 상에 정공주입층을 공통으로 형성하고; 상기 R 화소의 정공주입층 상부에 정공수송층 및 발광층을 레이저 열전사법을 수행하여 동시에 형성하고; 상기 G 화소의 정공주입층 상부에 정공수송층 및 발광층을 레이저 열전사법을 수행하여 동시에 형성하고; 상기 R 및 G 화소의 발광층을 포함하는 기판 전면에 B 공통층을 형성하고; 상기 B 공통층 상에 상부전극을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
공통층, 레이저 열전사법

Description

유기전계 발광표시장치의 제조방법{fabricating method of organic light emitting display device}
도 1은 종래의 유기전계 발광표시장치의 단면도,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도,
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도,
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2실시예에 따른 레이저 열전사법을 이용하여 유기전계 발광표시장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면,
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
200, 400 : 절연기판 211, 11 : R 화소의 애노드전극
213, 413 : G 화소의 애노드전극 215, 415 : B 화소의 애노드전극
220, 420 : 정공주입층 230, 431, 433 : 정공수송층
241, 441 : R 화소의 발광층 243, 443 : G 화소의 발광층
250, 450 : B 화소의 발광층 260, 460 : 전자수송층
270, 470 : 캐소드전극210, 610, 630 : 열전사소자
본 발명은 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다층의 유기막을 열전사방식을 통해 패터닝하여 R, G, B 화소별로 두께를 최적화시키고, B 발광층을 공통층으로 사용하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계발광표시장치는 절연기판상에 형성된 하부전극 및 상부전극과, 상기 상하부전극사이에 형성된 다층의 유기막층을 구비한다. 상기 유기막층은 각 층의 기능에 따라 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로부터 선택된다. 이러한 구조를 갖는 유기전계발광표시장치는 상부전극과 하부전극이 투명 또는 불투명전극으로 형성됨에 따라 상기 유기막층으로부터 절연기판방향 또는 절연기판과 반대방향의 일측면으로 광이 방출되거나 또는 절연기판방향과 절연기판의 반대방향의 양측면으로 방출되는 구조를 갖는다.
도 1은 일반적인 풀컬러 유기전계 발광표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 절연 기판(100) 상에 각 화소에 따라 하부전극으로 애노드 전극(111, 113, 115)이 패터닝되어 형성되고, 정공주입층(120)과 정공수송층(130)이 전면 형성된다. 각 화소의 애노드 전극에 대응하여 유기물의 R, G, B 발광층(141), (143), (145)이 형성되고, 정공억제층(150)과 전자수송층(160)이 전면에 형성된다. 상기 전자수송층(170)상에 상부전극으로 캐소드전극(170)이 형성된다.
상기 R, G, B 화소의 발광층(EML) (141), (143), (145)은 각각의 R, G, B 칼라에 적합한 두께로 R, G, B 화소의 애노드전극(111, 113, 115) 상부에 형성되며, 상기 전하수송층인 정공주입층(HIL) (120)과 정공수송층(HTL) (130) 그리고 정공억제층(HBL) (150)과 전자수송층(ETL) (160)은 공통층으로 기판 전면에 형성된다.
종래에는 상기 전하수송층인 정공주입층(120)과 정공수송층(130)을 기판전면에 형성하며, R, G, B 발광층을 각각 새도우 마스크를 이용하여 형성하고, 다시 전하수송층인 정공주입층(150)과 정공수송층(160)을 기판 전면에 형성하였다.
상기한 바와 같은 방식으로 풀칼라 유기전계 발광소자를 제조하게 되면, 각 R, G, B 화소의 광학적 두께가 달라지게 되어 색좌표와 효율특성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 공정을 단순화하고, 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 레이저 열전사법을 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공하는 데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판 상에 R, G 및 B 화소의 하부전극을 형성하고; 상기 R, G 및 B 화소의 하부전극 상에 정공주입층을 공통으로 형성하고; 상기 R 및 G 화소의 정공주입층 상에 발광층을 레이저 열전사법을 수행하여 각각 형성하고; 상기 R 및 G 화소의 발광층을 포함하는 기판 전면에 B 공통층을 형성하고; 상기 B 공통층 상에 상부전극을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
상기 R 발광층의 두께는 100~300Å이고, 상기 G 발광층의 두께는 50~250Å이며, 상기 B 공통층의 두께는 100~200Å인 것을 특징으로 한다.
상기 R, G 및 B 화소의 정공주입층 상에 정공주입층을 공통으로 더욱 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 R, G 및 B 화소의 하부전극을 형성하고; 상기 R, G 및 B 화소의 하부전극 상에 정공주입층을 공통으로 형성하고; 상기 R 화소의 정공주입층 상부에 정공수송층 및 발광층을 레이저 열전사법을 수행하여 동시에 형성하고; 상기 G 화소의 정공주입층 상부에 정공수송층 및 발광층을 레이저 열전사법을 수행하여 동시에 형성하고; 상기 R 및 G 화소의 발광층을 포함하는 기판 전면에 B 공통층을 형성하고; 상기 B 공통층 상에 상부전극을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 R 화소의 정공수송층의 두께는 1000Å이고, 상기 G 화소의 정공수송층의 두께는 350Å이며, 상기 R, G 및 B 화소의 정공주입층의 두께는 1350Å인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 단면구조를 도시한 것으로서, 박막의 유기막층을 구비하는 유기전계발광표시장치의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 절연기판(200)상에 하부전극으로서 R, G, B 화소의 애노드전극(211), (213), (215)가 각각 분리 형성되고, 상기 절연기판상부에 유기막층이 형성되고, 상기 유기막층 상에 상부전극으로서 캐소드전극(270)이 형성된다. 상부전극(270)은 투명전극 또는 반투과전극 중 하나를 포함하며, 상기 유기막층으로부터 발광된 광이 상기 절연기판과 반대 방향으로 방출된다. 상기 유기막층은 상기 R, G 화소의 애노드전극(211), (213)에 대응하여 패터닝된 R, G 화소의 발광층(241), (243) 및 공통층으로 형성된 B 화소의 발광층(250)과, 상기 발광층(241), (243) 및 (250)의 상, 하부에 형성된 전하수송층을 포함한다.
상기 전하수송층은 상기 R, G, B 화소의 애노드전극(211), (213), (215)과 R, G, B 화소의 발광층(241), (243), (250) 사이에 형성된 정공주입층(220)과 정공수송층(230)을 포함한다. 또한, 상기 전하수송층은 R, G, B 발광층(241), (243), (250)과 캐소드전극(270)사이에 형성된 전자수송층(260)을 포함한다. 상기 R 및 G 발광층(241), (243)은 인광발광물질로 이루어지고, 상기 B 발광층(250)은 형광발광물질로 이루어져서 정공억제층으로 작용한다.
제1실시예에 따라 레이저 열전사법을 이용하여 유기막층을 형성하는 방법을 도 2 및 (표 1) 및 (표 2)을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
HIL과 HTL의 두께의 합 EML 두께 HBL과 ETL의 두께의 합
R 350Å 300-400Å 300Å
G 350Å 250-350Å 300Å
B 350Å 100-200Å 300Å
HIL과 HTL의 두께의 합 EML 두께 B 공통층 두께 HBL과 ETL의 두께의 합
R 350Å 100-300Å 100-200Å 300Å
G 350Å 50-250Å 100-200Å 300Å
B 350Å 100-200Å 300Å
상기 (표 1)과 (표 2)는 상부전극으로 125Å의 두께를 갖는 ITO를 사용하고 유기막층을 박막으로 형성한 경우, R, G, B 화소별로 광학적으로 최적화된 두께를 나타낸 것이다. 이때, 각 층의 두께는 50 내지 200Å의 공정범위(tolerance)를 갖는다. (표 1)은 R, G, B 발광층이 각각 패터닝되어 형성되는 경우 각 층의 광학적으로 최적화된 두께를 나타낸 것이고, (표 2)는 본 발명의 제1실시예에서와 같이 R 및 G 발광층(241), (243)은 패터닝하고 B 발광층(250)을 공통층으로 형성하여 정공억제층의 역할을 하는 경우 각 층의 광학적으로 최적화된 두께를 나타낸 것이다.
본 발명의 제1실시예에 따르면, 절연기판(200)상에 R, G, B 화소의 애노드전극(211), (213), (215)을 서로 분리 형성하고, 기판전면에 전하수송층으로 정공주입층(220)과 정공수송층(230)을 공통층으로 증착한다. 이어서, R 및 G 발광층(241, 243)을 상기 R 및 G 화소의 애노드전극(211), (213)에 대응하는 정공수송층(230)상에 형성한다. 즉, 전사층으로 R 발광층을 위한 유기막층만을 구비한 열전사소자(도면상에는 도시되지 않음)을 이용한 레이저 열전사법을 통해 R 화소의 애노드전극(211)에 대응하여 R 발광층(241)을 패터닝한다. 이어서, 전사층으로 G 발광층을 위한 유기막층만을 구비한 열전사소자(도면상에는 도시되지 않음)을 이용한 레이저 열전사법을 통해 G 화소의 애노드전극(213)에 대응하여 G 발광층(243)을 패터닝한다.
다음, 기판전면에 B 발광층(250)을 공통층으로 형성하여 B 화소의 B 발광층(250) 및 정공억제층으로 작용한다. 상기 B 발광층(250)상에 전자수송층(260)을 공통층으로 전면 형성하고, 그위에 상부전극으로 캐소드전극(270)을 형성한다.
이때, 상기 R, G, B 발광층(241), (243)을 형성할 때, (표 1)에 나타낸 바와같이 광학적으로 최적화된 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 그러므로, 제1실시예에서는 B 발광층(250)이 공통층으로 전면형성되므로, R 및 B 발광층(241), (243)을 레이저 열전사법을 이용하여 패터닝할 때, (표 1)에 제시된 R 및 B 발광층(241), (243)의 두께에서 공통층으로 사용되는 B 발광층(250)의 두께를 뺀 값만큼의 두께를 갖도록 R 및 B 발광층(241), (245)을 패터닝한다.
즉, 제1실시예에서 패터닝되는 R 및 G 발광층(241), (243)의 두께와 공통층으로 형성되는 B 공통층의 두께의 합이 각각 R 및 G 칼라에서 요구되는 (표 1)의 R 및 B 발광층의 두께가 되도록 형성한다. 즉, (표 1) 및 (표 2)를 참조하면, B 공통층(250)은 B 칼라에서 요구되는 두께인 100 내지 200Å의 두께로 형성되고, R 및 G 발광층(241), (243)에서 요구되는 두께로부터 B 발광층(250)의 두께를 뺀 값만큼의 두께인 100 내지 300Å와 50 내지 250Å의 두께를 각각 갖도록 R 및 G 발광층(241), (243)을 레이저 열전사법으로 패터닝한다.
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면구조를 도시한 것으로서, 후막의 유기막층을 사용하는 유기전계 발광소자의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 절연기판(400)상에 하부전극으로서 R, G, B 화소의 애노드전극(411), (413), (415)가 각각 분리 형성되고, 상기 절연기판상부에 유기막층이 형성되고, 상기 유기막층 상부에 상부전극으로서 캐소드전극(470)이 형성된다. 상부전극(470)은 투명전극 또는 반투과전극 중 하나를 포함하며, 상기 유기막층으로부터 발광된 광이 상기 절연기판과 반대 방향으로 방출된다. 상기 유기막층은 상기 R 및 G 화소의 애노드전극(411), (413)에 대응하여 패터닝된 R 및 G 화소의 발광층(441), (443) 및 공통층으로 형성된 B 화소의 발광층(450)과, 상기 발광층(441), (443) 및 (450)의 상, 하부에 형성된 전하수송층을 포함한다.
상기 전하수송층은 상기 R, G, B 화소의 애노드전극(411), (413), (415)과 R, G, B 화소의 발광층(441), (443), (450) 사이에 형성된 정공주입층(420)과 정공수송층을 포함한다. 상기 정공주입층(220)은 기판전면에 형성되고, 상기 정공수송층은 R, G 화소별로 서로 다른 두께를 갖으며, R, G, B 애노드전극(411), (413)에 대응하여 패터닝된다. 또한, 상기 전하수송층은 R, G, B 발광층(441), (443), (450)과 캐소드전극(470)사이에 형성된 전자수송층(260)을 포함한다. 상기 R 및 G 발광층은 인광발광물질로 이루어지고, 상기 B 발광층은 형광발광물질로 이루어져 정공억제층으로 작용한다.
제2실시예에 따른 유기막층을 형성하는 방법을 (표 3) 및 (표 4)과 도 4a 및 도 4b를 참조하여 설명한다.
HIL과 HTL의 두께의 합 EML 두께 HBL과 ETL의 두께의 합
R 2350Å 300-400Å 350Å
G 1700Å 250-350Å 350Å
B 1350Å 100-200Å 350Å
HIL의 두께 HTL 두께 EML 두께 B 공통층 두께 HBL과 ETL의 두께의 합
R 1350Å 1000Å 100-300Å 100-200Å 350Å
G 1350Å 350Å 50-250Å 100-200Å 350Å
B 1350Å 0 100-200Å 350Å
상기 (표 3)과 (표 4)는 상부전극으로 125Å의 두께를 갖는 ITO를 사용하고 유기막층을 후막으로 형성한 경우, R, G, B 화소별로 광학적으로 최적화된 두께를 나타낸 것이다. 이때, 각 층의 두께는 50 내지 200Å의 공정범위(tolerance)를 갖는다. (표 3)은 정공수송층과 정공주입층이 공통층으로 형성되는 경우 각 층의 광학적으로 최적화된 두께를 나나탠 것이고, (표 4)는 본 발명의 제2실시예에서와 같이 정공수송층을 레이저 열전사법을 이용하여 발광층과 동시에 패터닝하여 형성하는 경우 각 층의 광학적으로 최적화된 두께를 나타낸 것이다.
절연기판(400)상에 R, G, B 화소의 애노드전극(411), (413), (415)을 분리 형성하고, 기판전면에 전하수송층으로 정공주입층(420)을 공통층으로 형성한다. 이때, 정공주입층(420)의 두께는 R, G, B 화소의 정공수송층과 정공주입층의 두께의 합중에서 가장 작은 값을 갖는 화소의 정공수송층과 정공주입층의 두께로 형성한다. 즉, (표 3)에서 보는 바와같이 B 화소의 정공수송층과 정공주입층의 두께가 1350Å으로 가장 작으므로, 공통층으로 형성되는 정공주입층(420)을 B 화소의 정공수송층과 정공주입층의 두께의 합과 같도록 1350Å의 두께로 형성한다.
이어서, 도 4a에 도시된 바와 같이, R 정공수송층(431)과 R 발광층(441)을 패터닝하기 위한 열전사소자(610)를 준비한다. 상기 열전사소자(610)는 베이스기판(611)상에 광변환층(621)과 전사층으로 R 정공수송층을 위한 유기막(631)과 R 발광층을 위한 유기막(641)을 구비한다. 상기 열전사소자(610)에 레이저(500)를 조사하여 상기 R 애노드전극(411)상부의 정공주입층(420)상에 R 정공수송층(431)과 R 발광층(441)을 동시에 패터닝하여 형성한다.
다음 도 4b에 도시된 것처럼, G 정공수송층(433)과 G 발광층(243)을 패터닝하기 위한 열전사소자(630)를 준비한다. 상기 열전사소자(630)는 베이스기판(613)상에 광변환층(623)과 전사층으로 G 정공수송층을 위한 유기막(633)과 G 발광층을 위한 유기막(643)을 구비한다. 상기 열전사소자(630)에 레이저(500)를 조사하여 상기 G 애노드전극(513)상부의 정공주입층(520)상에 G 정공수송층(433)과 G 발광층(443)을 동시에 패터닝하여 형성한다.
마지막으로, B 화소의 발광층(450)은 공통층으로 R 및 G 발광층(431), (433) 상부를 포함하여 전면에 형성한다. 이때, (표 3) 및 (표 4)로부터 R, G, B 화소의 정공주입층과 정공수송층의 두께의 합이 서로 상이하므로, R, G 화소의 패터닝된 정공수송층(431), (433)의 두께는 서로 상이하다.
즉, 상기 정공수송층은 R 및 G 화소별로 R 및 G 애노드전극(411), (413)에 대응하여 형성되므로, 정공주입층(420)은 R, G, B 화소중 가장 작은 두께를 갖는 B 화소의 정공수송층의 두께로 형성된다. 따라서, (표 4)에서 보는 바와같이, R 화소의 정공수송층(431)은 (표 3)의 R 화소의 정공수송층과 정공주입층의 두께의 합에서 B화소의 정공주입층과 정공수송층의 두께의 합을 뺀 값, 즉 1000Å의 두께로 형성된다. 또한, G 화소의 정공수송층(433)은 G 화소의 정공수송층과 정공주입층의 두께의 합에서 B 화소의 정공주입층과 정공수송층의 두게의 합을 뺀 값 즉, 350Å의 두께로 형성된다.
또한, 제2실시예에서도 제1실시예에서와 마찬가지로, 상기 R, G, B 발광층(441), (443)을 형성할 때, (표 3)에 나타낸 바와같이 광학적으로 최적화된 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 그러므로, 제2실시예에서는 B 발광층(450)이 공통층으로 전면형성되므로, R 및 B 발광층(441), (443)을 레이저 열전사법을 이용하여 패터닝할 때, (표 3)에 제시된 R 및 B 발광층(441), (443)의 두께에서 공통층으로 사용되는 B 발광층(350)의 두께를 뺀 값만큼의 두께를 갖도록 R 및 G 발광층(441), (443)을 상기 R 및 G 정공수송층(431), (433)을 패터닝할 때 동시에 형성한다.
즉, 제2실시예에서 패터닝되는 R 및 G 발광층(441), (443)의 두께와 공통층으로 형성되는 B 공통층(450)의 두께의 합이 각각 R 및 G 칼라에서 요구되는 (표 3)의 R 및 B 발광층의 두께가 되도록 형성한다. 즉, (표 3) 및 (표 4)를 참조하면, B 공통층(450)은 B 칼라에서 요구되는 두께인 100 내지 200Å의 두께로 형성되고, R 및 G 발광층(441), (443)에서 요구되는 두께로부터 B 발광층(450)의 두께를 뺀 값만큼의 두께인 100 내지 300Å와 50 내지 250Å의 두께를 각각 갖도록 R 및 G 발광층(441), (443)을 레이저 열전사법으로 패터닝한다.
상기한 바와같은 방법으로 발광층과 정공주입층을 동시에 레이저 열전사법을 이용하여 동시에 패터닝하면, 공정을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라 R, G, B 화소별 유기막의 두께를 최적화시켜 형성하여 줌으로써 소자의 특성을 향상시켜 줄 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 열전사소자가 베이스 기판상에 광변환층과 전사층이 적층된 구조를 갖는 것으로 예시하였으나, 열전사특성을 향상시키기 위한 층, 예를 들어 중간층 등이 삽입될 수도 있다. 또한, (표 1) 내지 (표 4)에 나타낸 각 층의 두께는 공정조건과 소자의 특성조건이 가변됨에 따라 가변될 수 있다.
이상에서 상세하게 설명한 바와 같은 본 발명에 따르면, B 발광층을 공통층으로 형성하여 정공억제층으로 사용하므로써, 공정을 단순화하여 수율을 향상시키고 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 공정 수를 감소시켜 제조 비용을 절감시키고, 패턴의 정확도를 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 레이저 열전사법을 이용하여 광학적으로 최적화된 두께를 갖는 발광층과 전하수송층을 동시에 형성하여 형성함으로써, 색좌표 및 효율특성을 향상시키고, 이에 따라 표시 품질을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 고해상도의 유기전 계 발광표시장치에 적용가능하다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

  1. 기판 상에 R, G 및 B 화소의 하부전극을 형성하고;
    상기 R, G 및 B 화소의 하부전극 상에 정공주입층을 공통으로 형성하고;
    상기 R 및 G 화소의 정공주입층 상에 발광층을 레이저 열전사법을 수행하여 각각 형성하고;
    상기 R 및 G 화소의 발광층을 포함하는 기판 전면에 B 공통층을 형성하고;
    상기 B 공통층 상에 상부전극을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 R 발광층의 두께는 100~300Å이고, 상기 G 발광층의 두께는 50~250Å이며, 상기 B 공통층의 두께는 100~200Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 R, G 및 B 화소의 정공주입층 상에 정공수송층을 공통으로 더욱 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  4. 기판 상에 R, G 및 B 화소의 하부전극을 형성하고;
    상기 R, G 및 B 화소의 하부전극 상에 정공주입층을 공통으로 형성하고;
    상기 R 화소의 정공주입층 상부에 정공수송층 및 발광층을 레이저 열전사법을 수행하여 동시에 형성하고;
    상기 G 화소의 정공주입층 상부에 정공수송층 및 발광층을 레이저 열전사법을 수행하여 동시에 형성하고;
    상기 R 및 G 화소의 발광층을 포함하는 기판 전면에 B 공통층을 형성하고;
    상기 B 공통층 상에 상부전극을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 R 화소의 정공수송층의 두께는 1000Å이고, 상기 G 화소의 정공수송층의 두께는 350Å이며, 상기 R, G 및 B 화소의 정공주입층의 두께는 1350Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 R 발광층의 두께는 100~300Å이고, 상기 G 발광층의 두께는 50~250Åㅇ이며, 상기 B 공통층의 두께는 100~200Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
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