TWI595326B - 成膜罩體之製造方法及雷射加工裝置 - Google Patents

成膜罩體之製造方法及雷射加工裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI595326B
TWI595326B TW103100896A TW103100896A TWI595326B TW I595326 B TWI595326 B TW I595326B TW 103100896 A TW103100896 A TW 103100896A TW 103100896 A TW103100896 A TW 103100896A TW I595326 B TWI595326 B TW I595326B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
cover
opening pattern
laser
stage
Prior art date
Application number
TW103100896A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201447498A (zh
Inventor
水村通伸
Original Assignee
V科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V科技股份有限公司 filed Critical V科技股份有限公司
Publication of TW201447498A publication Critical patent/TW201447498A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI595326B publication Critical patent/TWI595326B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/02—Carriages for supporting the welding or cutting element
    • B23K37/0211—Carriages for supporting the welding or cutting element travelling on a guide member, e.g. rail, track
    • B23K37/0235—Carriages for supporting the welding or cutting element travelling on a guide member, e.g. rail, track the guide member forming part of a portal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0408—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work for planar work
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

成膜罩體之製造方法及雷射加工裝置
本發明係關於一種將設有開口圖案之樹脂製膜以薄板狀磁性金屬構件來支撐之構造的成膜罩體之製造方法，尤其關於一種能以雷射加工來提高開口圖案之形成位置精度的成膜罩體之製造方法以及雷射加工裝置。
以往之成膜罩體之製造方法，係讓具有複數貫通開口之第1光阻圖案形成於金屬板上，經由上述第1光阻圖案之貫通開口進行蝕刻處理來形成貫通上述金屬板之複數開口圖案後，去除上述第1光阻圖案，再使得具有複數第2貫通開口(使得上述複數開口圖案之個別周圍的既定寬度之金屬邊緣部露出)之第2光阻圖案形成於上述金屬板上，經由上述第2光阻圖案之第2貫通開口進行蝕刻處理來形成上述複數貫通開口之個別周邊的罩體本體部以及位於該罩體本體部周圍且厚度大於罩體本體部之厚度的周緣部之後，去除上述第2光阻圖案(例如參見日本特開2001-237072號公報)。
但是，如此之以往之成膜罩體之製造方法中，由於對於金屬板進行濕式蝕刻處理來形成貫通該金屬板之複數開口圖案，故因為濕式蝕刻之等向性而無法高精度地形成高精細之開口圖案。此外，當一邊長度為數十cm以上之大面積的例如有機EL顯示面板用成膜罩體之情況，會因為發生蝕刻不均而無法均勻地形成罩體全面之開口圖案。
是以，申請人乃提議一種複合型成膜罩體，係具有由樹脂製膜(對應於基板所成膜之薄膜圖案而形成有和該薄膜圖案為相同形狀尺寸之開口圖案)與薄板狀磁性金屬構件(形成有內包開口圖案之貫通孔)所密接而成之構造。
上述複合型成膜罩體係在厚度10μm~30μm程度之薄樹脂製膜雷射加工出開口圖案而形成者，可高精度地形成高精細之開口圖案，即便是上述大面積之成膜罩體也可在罩體全面均勻地形成開口圖案，此為其特點。
但是，上述複合型成膜罩體中，若使得例如銦鋼或是銦鋼合金般熱膨脹係數小的磁性金屬構件與樹脂製膜般熱膨脹係數相對大的構件在室溫以上作密接後再對開口圖案進行雷射加工，則會因為兩構件間之熱膨脹差異所產生的膜內部應力，使得開口圖案之位置累積性出現偏移。
是以，本發明因應如此之問題，目的在於提供一種能提高雷射加工所致開口圖案之形成位置精度的成膜罩體之製造方法以及雷射加工裝置。
為了達成上述目的，第1發明之成膜罩體之製造方法，該成膜罩體具備有：樹脂製膜，形成有呈貫通狀態之複數開口圖案；以及磁性金屬構件，係密接於該膜之一面而設置，設置有大小可內包該複數開口圖案之至少1個的複數貫通孔；包含下述階段：第1階段，係形成讓設置有該貫通孔之該磁性金屬構件密接於該膜之一面之構造的罩體用構件；第2階段，係對於該複數貫通孔內之預定正規位置處照射雷射光來對該膜進行貫通加工，而形成內包於該開口圖案之形狀的複數預備開口圖案；以及第3階段，係對該複數預備開口圖案上雷射加工出該開口圖案。
此外，第2發明之雷射加工裝置，係對於由設有複數貫通孔之磁性金屬構件密接於樹脂製膜之一面而成之構造的罩體用構件之該貫通孔內照射雷射光，來形成貫通該膜之複數開口圖案；構成上具備有：平台，係載置該罩體用構件而可在和載置面為平行之2維平面內移動；以及雷射光學頭，係將該雷射光之光束截面形狀配合於該開口圖案之形狀加以整形而照射於該罩體用構件；該雷射光學頭具備有：光束截面整形罩體，係使得具有和該開口圖案為相似形狀之第1狹縫以及具有和內包於該開口圖案之形狀的預備開口圖案為相似形狀之第2狹縫並排形成於同一基板，以可和該雷射光之光路相交叉而移動的方式設置者、或是使得該第1狹縫以及第2狹縫分別形成於不同基板上而以可相對於該雷射光之光路進行替換的方式設置者；以 及投影透鏡，係將該第1以及第2狹縫縮小投影於該罩體用構件上；係一邊移動該平台、一邊使用該光束截面整形罩體之該第2狹縫來對該貫通孔內之預定正規位置照射雷射光，而將該膜予以貫通加工來形成複數該預備開口圖案之後，使用該光束截面整形罩體之第1狹縫，於該複數預備開口圖案上雷射加工出該開口圖案。
依據本發明，由於在事先形成內包於開口圖案之形狀的預備開口圖案而讓內存於膜中之內部應力之一部分被釋放之狀態下，在預備開口圖案上形成開口圖案，而可抑制開口圖案形成後之開口圖案之位偏。從而，可提高雷射加工所致開口圖案之形成位置精度。
1‧‧‧成膜罩體
2‧‧‧單位罩體
3‧‧‧開口圖案
4‧‧‧膜
5‧‧‧貫通孔
6‧‧‧磁性金屬構件
7‧‧‧開口
8‧‧‧框體
8a‧‧‧端面
9‧‧‧磁性金屬片
9a‧‧‧磁性金屬片之一面
9b‧‧‧磁性金屬片之另一面
10‧‧‧開口部
11‧‧‧光阻罩體
12‧‧‧罩體用構件
13‧‧‧平台
13a‧‧‧載置面
14‧‧‧脈衝雷射
15‧‧‧雷射光學頭
16‧‧‧照明光學系統
17‧‧‧第1狹縫
18‧‧‧第1罩體區
19‧‧‧第2狹縫
20‧‧‧第2罩體區
21‧‧‧光束截面整形罩體
22‧‧‧投影透鏡
23‧‧‧全反射鏡
24‧‧‧支撐構件
26‧‧‧預備開口圖案
27‧‧‧曝射區域
28‧‧‧定位銷
圖1係顯示本發明之成膜罩體之製造方法之實施形態的流程圖。
圖2係以本發明之方法所製造之成膜罩體之一構成例，(a)為俯視圖，(b)為(a)之一部分加以放大顯示之俯視圖，(c)為(a)之O-O線截面箭頭方向圖。
圖3係顯示本發明之成膜罩體之製造方法中罩體用構件之形成製程的說明圖。
圖4係說明本發明之成膜罩體之製造方法中框體之接合製程之說明圖。
圖5針對複合型成膜罩體中開口圖案形成時之疑慮事項做說明之圖，(a)表示理想狀態，(b)表示開口圖案之位偏。
圖6係顯示本發明之雷射加工裝置之一構成例之圖，(a)為前視圖，(b)為雷射光學頭之一構成之說明圖。
圖7係顯示本發明之雷射加工裝置所使用之光束截面整形罩體之一構成例之俯視圖。
圖8係針對本發明使用雷射加工裝置所進行之雷射加工做說明之圖，(a)為俯視圖，(b)為將一部分予以放大顯示之俯視圖。
圖9係顯示本發明之成膜罩體之製造方法中預備開口圖案形成後之狀態的說明圖，(a)顯示預備開口圖案之全體位偏，(b)顯示相對於預備開口圖案之正規位置的位偏。
圖10係顯示本發明之成膜罩體之製造方法中開口圖案形成後狀態之說明圖。
圖11係顯示以本發明之方法所製造之成膜罩體之變形例的俯視圖。
以下，針對本發明之實施形態基於所附圖式來詳細說明。圖1係顯示本發明之成膜罩體之製造方法之實施形態的流程圖。此成膜罩體之製造方法係製造將設有開口圖案之樹脂製膜以薄板狀磁性金屬構件來支撐之構造的成膜罩體，包含有：形成罩體用構件之步驟S1、接合框體之步驟S2、形成預備開口圖案之步驟S3、形成開口圖案之步驟S4。
此處做為一例，如圖2所示般，係針對和附設有複數(例如附設有多面有機EL面板)之大面積基板相對應之大面積成膜罩體1(對應於上述複數面板而配置有複數單位罩體2)之製造方法來說明。更詳細而言，針對下述構造之成膜罩體1之製造方法來說明：在樹脂製膜4(在和打算形成之複數薄膜圖案(例如有機EL層)相對應之位置處，形成有形狀尺寸和該薄膜圖案相同而呈貫通狀態之複數開口圖案3並可穿透可見光)之一面密接上薄板狀磁性金屬構件6(形成有大小為可內包上述開口圖案3而呈貫通狀態的複數貫通孔5)，於該磁性金屬構件6之上述膜4密接面的相反面周緣部來接合框狀框體8(具有可內包上述複數貫通孔5之大小的開口7)之端面。此外，圖2中雖顯示了於條紋狀貫通孔5內設有複數開口圖案3之成膜罩體1之構成例，但成膜罩體1亦可為在貫通孔5內設有一個開口圖案3者。
上述步驟S1係形成罩體用構件12(結構上為在膜4之一面密接有磁性金屬構件6(設置有大小為可內包開口圖案3而呈貫通狀態之貫通孔5)之製程。以下參見圖3來詳細說明。
首先，如圖3(a)所示般，配合成膜對象之基板的表面積來切出熱膨脹係數為1×10-6/℃以下之銦鋼或是銦鋼合金所構成之厚度30μm~50μm程度的磁性金屬材料之磁性金屬片9，於該磁性金屬片9之一面9a塗布例如聚醯亞胺等樹脂液，使其在200℃~300℃程度之溫度來硬化而形成厚度為10μm~30μm程度之可穿透可見光之膜4。
其次，圖3(b)所示般，於磁性金屬片9之另一面9b例如噴塗上光阻後，使其乾燥而形成光阻膜，其次，使用光罩來對光阻膜進行曝光、顯影，形成光阻罩體11(在和後述步驟S3、S4所形成之複數預備開口圖案或是開口圖案3相對應之位置處設置有大小可內包該預備開口圖案或是開口圖案3之複數條紋狀之開口部10)。
接著，如圖3(c)所示般，使用上述光阻罩體11將磁性金屬片9加以濕式蝕刻，去除和光阻罩體11之開口部10相對應之部分的磁性金屬片9來設置條紋狀之貫通孔5以形成磁性金屬構件6之後，將光阻罩體11以例如有機溶劑來溶解去除。藉此，形成由磁性金屬構件6與樹脂製膜4所密接而得之罩體用構件12。此外，用以蝕刻磁性金屬片9之蝕刻液可因應於所使用之磁性金屬片9之材料來適宜選擇，可適用公知之技術。
此外，蝕刻磁性金屬片9來形成貫通孔5之際，亦可在複數貫通孔5之形成區域外預定位置處來同時形成圖示省略之罩體側對準標記(用以對於事先設置於基板之基板側對準標記進行對位)。於此情況，只要在形成光阻罩體11之際，在和罩體側對準標記相對應之位置處設置對準標記用開口部即可。
上述步驟S2，係在由銦鋼或是銦鋼合金等所構成之框狀框體8(設置有大小可內包磁性金屬構件6之複數貫通孔5的開口7)之一端面架設罩體用構件12，而將磁性金屬構件6之周緣部接合於該框體8之一端面的製程。以下，參見圖4來詳細說明。
首先，如圖4(a)所示般，使用例如KrF248nm之準分子雷射或是YAG雷射之第3高次諧波或第4高次諧波，對於和磁性金屬構件6之周緣部相對應之膜4之部分照射波長為400nm以下之雷射光L，將該部分之膜4予以燒蝕去除。
其次，如圖4(b)所示般，在和該罩體用構件12之面為平行之側方向(箭頭方向)被施加罩體用構件12不致撓曲程度大小的張力之狀態下，使得罩體用構件12定位於框體8之上方處。
再者，如圖4(c)所示般，在罩體用構件12平行於其面之側方向施加有張力的狀態下架設於框體8之一端面8a，將磁性金屬構件6之周緣部與框體8做點熔接。
另一方面，申請人所提出之複合型成膜罩體1，如圖5(a)所示般，係基於設計值對於複數貫通孔5內預定正規位置處照射雷射光來形成貫通膜4之開口圖案3。當磁性金屬構件6使用熱膨脹係數為1×10-6/℃以下之銦鋼或是銦鋼合金的情況，由於膜4(例如聚醯亞胺)之熱膨脹係數為3~5×10-5/℃，相較於銦鋼或是銦鋼合金之熱膨脹係數大1個級數，故以200℃~300℃硬化後冷卻至室溫之膜4會因為上述熱膨脹係數之差而在與面平行之方向上受到拉伸應力作用之狀態下保持平衡。
於如此之狀態下，若於膜4形成開口圖案3，則上述平衡會崩潰使得膜4傾向於變形。是以，所形成之開口圖案3以及貫通孔5之位置恐會如圖5(b)所示般相對於基於設計值之正規位置而出現偏移。
是以，為了解決如此之問題，本發明之成膜罩體1之製造方法的特徵在於：在正規位置事先形成內包於開口圖案3之形狀的複數預備開口圖案，將膜4之內部應力加以部份性釋放而刻意地產生預備開口圖案之位偏後，再形成開口圖案3。以下，詳細說明本發明之成膜罩體1之製造方法之特徴部分亦即步驟S4、S5。
此外，步驟S4、S5係使用圖6所示雷射加工裝置來進行。此雷射加工裝置係使得從脈衝雷射所放射之雷射光束配合於預備開口圖案或是開口圖案3之形狀來整形後照射於膜4，構成上具備有平台13、脈衝雷射14以及雷射光學頭15。
上述平台13係載置罩體用構件12而在和載置面13a為平行之2維平面(XY平面)內移動者，為XY平台，藉由圖示省略之控制機構(例如個人電腦)來控制移動。
於上述平台13之上方設有脈衝雷射14。此脈衝雷射14係輻射出波長355nm之雷射光的例如Nd：YAG雷射。於此情況，所照射之雷射光之能量密度為0.5J/cm2~1J/cm2，脈衝寬度為5ns~7nsec，曝射頻率為50Hz~60Hz。
於上述脈衝雷射14之雷射光下游側設有雷射光學頭15。此雷射光學頭15如圖6(b)所示般，使得雷射光之光束截面形狀配合於開口圖案3或是預備開口圖案之形狀來整形而照射於罩體用構件12者，具備有：照明光學系統16，構成上包含有將脈衝雷射14所輻射之雷射光束加以擴張並將強度分布均勻之平行光供給於後述光束截面整形罩體21的例如擴束器、積分器以及聚光透鏡等；光束截面整形罩體21係如圖7所示般使得第1罩體區18(形成有和開口圖案3為相似之形狀的複數第1狹縫17)與第2罩體區20(形成有和開口圖案3所內包之形狀的例如具有開口圖案3之80%面積的預備開口圖案為相似之形狀的複數第2狹縫19)並排形成，可交叉於雷射光之光路而在同圖之箭頭A、B方向進行移動；以及，投影透鏡22，係將第1以及第2罩體區18、20以例如5mm×5mm的大小縮小投影於罩體用構件12上。此外，以可對於大面積之基板複數區域同時進行雷射加工的方式讓複數雷射光學頭15以一定間隔並排設置著。此外，圖6(a)顯示具備3台脈衝雷射14以及雷射光學頭15之雷射加工裝置。圖6(a)中，符號23為全反射鏡，符號24為支撐雷射光學頭15之支撐構件。此外，上述實施形態中係針對複數第1以及第2狹縫17、19設置於同一基板上來形成光束截面整形罩體21、且此光束截面整形罩體21以可在和雷射光學頭15之光軸成為交叉之方向上進行移動的方式設置之情況做了說明，但第1以及第2狹縫17、19也可分別設置在不同基板上而形成2片光束截面整形罩體21，使得上述2片光速截面整形罩體12可相對於上述雷射光學頭15之光軸進行替換。
以下，針對使用上述雷射加工裝置所進行之預備開口圖案以及開口圖案3之雷射加工做說明。
上述步驟S4係對於複數貫通孔5內以設計值所預定之正規位置處照射雷射光來將膜4予以貫通加工，而形成內包於開口圖案3之形狀的複數預備開口圖案之製程。以下，參見圖8、9來詳細說明步驟S4。
首先，使得四角形之罩體用構件12之四邊抵接於在平台13之載置面所設之定位銷28來使得罩體用構件12被定位載置於平台13上。此時，也可於平台13具備有磁氣夾頭等吸附機構，來將罩體用構件吸附固定於平台13。
其次，藉由複數雷射光學頭15當中一雷射光學頭15之例如相對於投影透鏡22之光軸離開一定距離而設置之圖示省略的攝像機來對於在罩體用構件12之預定位置處所設之圖示省略的罩體側對準標記進行攝影而檢測其位置，以該罩體側對準標記之位置為基準而使得平台13移動預定距離，如圖8(a)所示般將複數雷射光學頭15定位於加工開始位置。
接著，使得光束截面整形罩體21往箭頭A或是B方向移動，來讓第2罩體區20之中心對齊於雷射光學頭15之光軸。
其次，震盪脈衝雷射14來發射雷射光束，使得光束徑受到擴張而強度分布均勻之雷射光對於在各雷射光學頭15所對應之光束截面整形罩體21之第2罩體區20進行照明。雷射光藉由設置於第2罩體區20之複數第2狹縫19而被整形為和預備開口圖案相似形狀之複數光束，藉由投影透鏡22縮小而照射於罩體用構件12之例如5mm×5mm之曝射區域27(參見圖8(b))。藉此，位於罩體用構件12之貫通孔5內的膜4受到燒蝕而被雷射加工，在以設計值所決定之正規位置處形成複數預備開口圖案26(參見圖9)。此外，3台脈衝雷射14可個別控制其輸出以及曝射時機等。
其次，如圖8(a)所示般，一邊使得平台13往Y方向步進移動一定距離、一邊在正規位置依序加工複數預備開口圖案26。於此情況，係一邊使得平台13在X、Y方向上步進移動、一邊使得曝射區域27以例如圖8(b)之箭頭所示般依序移動而於整個罩體用構件12之全面形成預備開口圖案26。
圖9係顯示形成了預備開口圖案26後之預備開口圖案26之位置圖。如同圖所示般，一旦形成預備開口圖案26則膜4內在之內部應力(從內往外之拉伸應力)之一部分受到釋放，會使得膜4略為收縮。然後，一旦膜4之收縮力與磁性金屬構件6所產生之收縮阻止力達到平衡，則膜4之收縮會停止。是以，預備開口圖案26之位置(中心位置)如同圖(b)放大顯示般會從以1點鏈線之交點所示之正規位置往X方向偏移dx，往Y方向偏移dy。此外，預備開口圖案26之位偏量以及位偏方向會隨著罩體用構件12之平面內形成預備開口圖案26之位置而不同，其偏移量最大為數μm程度。
接著所實行之上述步驟S5係對於複數預備開口圖案26上來雷射加工出開口圖案3之製程。以下，針對步驟S5參見圖10來詳細說明。此外，為了抑 制膜4之內部應力的發生，步驟S5以不將罩體用構件12利用磁氣夾頭等之吸附機構來吸附於平台13的情況下進行為佳。
首先，讓光束截面整形罩體21往箭頭A或是B方向移動，使得第1罩體區18之中心對齊於雷射光學頭15之光軸。
其次，和步驟S4同樣地，複數雷射光學頭15被定位在罩體用構件12之加工開始位置。
其次，震盪脈衝雷射14來產生雷射光束，使得光束徑受到擴張而強度分布均勻化之雷射光對於各雷射光學頭15所對應之光束截面整形罩體21之第1罩體區18進行照明。雷射光係藉由設置於第1罩體區18之複數第1狹縫17而被整形為和開口圖案3相似形狀之複數光束，藉由投影透鏡22所縮小而照射於罩體用構件12之例如5mm×5mm之曝射區域27。藉此，位於罩體用構件12之貫通孔5內的膜4被燒蝕而受到雷射加工，在預備開口圖案26上以設計值所決定之正規位置(圖10所示1點鏈線之交點位置)形成複數開口圖案3。
然後，如圖8(a)所示般，一邊使得平台13往Y方向步進移動一定距離、一邊於正規位置依序加工複數開口圖案3。於此情況，和前述同樣地，一邊使得平台13在X、Y方向上步進移動、一邊使得曝射區域27以例如同圖(b)箭頭所示般依序移動而於整個罩體用構件12之全面來形成開口圖案3。
圖10係顯示形成開口圖案3後之開口圖案3之位置圖。藉由形成預備開口圖案26，膜4所內在之內部應力一部分被釋放，故即便形成開口圖案3之後，開口圖案3之位偏也少，開口圖案3會在位偏之容許範圍內形成於正規位置處。此外，預備開口圖案26由於愈內包於開口圖案3則面積愈小，故即便是發生位偏之預備開口圖案26也會落在開口圖案3之內側。
或是，也可藉由攝像機構來對預備開口圖案26進行撮影以檢測其中心位置後，測量預備開口圖案26相對於正規位置之位偏量(圖9(b)所示dx、dy)，以校正該位偏量的方式來形成開口圖案3。於此情況，如前述般，預備開口圖案26之位偏量以及位偏方向係隨著罩體用構件12之平面內的預備開口圖案26形成位置而不同，故可使得複數雷射光學頭15個別地在X方向上微動來設置。藉此，可因應於預備開口圖案26之位偏量使得雷射光學頭15個別 地在X方向上微動，一邊校正上述位偏一邊在Y方向上對開口圖案3進行雷射加工。
此外，當預備開口圖案26之位偏量大而未落在開口圖案3之內側之時，如圖11所示般，只要在內包單位罩體2(參見圖2)內之複數貫通孔5的成膜有效區域外之磁性金屬構件6事先設置在單位罩體2外周平行延伸之仿真貫通孔29，於預備開口圖案26之形成後對仿真貫通孔29內之膜4雷射加工出仿真開口圖案30即可。藉此，成膜有效區域內之膜4之內部應力相對於成膜有效區域外之膜4之內部應力會被隔開而減少膜4之應力偏動。從而，減少預備開口圖案26之位偏，預備開口圖案26接近於正規位置。從而，之後，只要在正規位置形成開口圖案3，則預備開口圖案26會落在開口圖案3之內側，而不會從開口圖案3溢出。仿真開口圖案30之形狀、形成位置以及個數係因應於預備開口圖案26之位偏量以及位偏之偏動而適宜決定。此外，圖11中針對使得仿真貫通孔29以及仿真開口圖案30對向來設置2對之情況加以顯示，但仿真貫通孔29以及仿真開口圖案30也可於圖11之上下或是左右其中一者來設置1對。
或是，當開口圖案3形成後之開口圖案3之位偏量超過容許值而過大之情況下，只要於形成開口圖案3後再形成上述仿真開口圖案30，來校正上述位偏即可。
上述實施形態中，針對和附設有複數(例如附設有多面有機EL面板)之大面積基板相對應之大面積成膜罩體1之製造方法做了說明，但本發明不限於此，成膜罩體1亦可為和圖2所示單位罩體2相當者。
此外，於上述實施形態中，針對包含將框體8接合於罩體用構件12之步驟S2的情況做了說明，但本發明不限於此，也可省略步驟S2。
再者，本發明不限於用以形成有機EL面板的成膜罩體，只要是意圖於基板上以高精度位置來形成複數薄膜圖案之成膜罩體即可，可為任何成膜罩體。
4‧‧‧膜
5‧‧‧貫通孔
6‧‧‧磁性金屬構件
7‧‧‧開口
8‧‧‧框體
8a‧‧‧端面
12‧‧‧罩體用構件

Claims (9)

  1. 一種成膜罩體之製造方法，該成膜罩體具備有：樹脂製膜，形成有呈貫通狀態之複數開口圖案；以及磁性金屬構件，係密接於該膜之一面而設置，設置有大小可內包該複數開口圖案之至少1個的複數貫通孔；包含下述階段：第1階段，係形成讓設置有該貫通孔之該磁性金屬構件密接於該膜之一面之構造的罩體用構件；第2階段，係對於該複數貫通孔內之預定正規位置處照射雷射光來對該膜進行貫通加工，而形成內包於該開口圖案之形狀的複數預備開口圖案；以及第3階段，係對該複數預備開口圖案上雷射加工出該開口圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜罩體之製造方法，其中該第3階段係對該正規位置照射雷射光來形成該開口圖案。
  3. 如申請專利範圍第1項之成膜罩體之製造方法，其中該開口圖案係以預設於該罩體用構件處之罩體側對準標記為基準而形成於預定位置。
  4. 如申請專利範圍第1項之成膜罩體之製造方法，其中該第3階段係基於起因於該膜與該磁性金屬構件之熱膨脹差的該膜之內部應力，而測量該第2階段實施後所產生之該預備開口圖案相對於該正規位置之位偏，並校正該位偏來形成該開口圖案。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之成膜罩體之製造方法，其中該預備開口圖案係以預設於該罩體用構件處之罩體側對準標記為基準而形成於預定位置。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之成膜罩體之製造方法，其中於該第1階段與該第2階段之間，將該磁性金屬構件之周緣部接合於具有大小可內包該複數貫通孔之開口的框狀框體之一端面處。
  7. 如申請專利範圍第5項之成膜罩體之製造方法，其中於該第1階段與該第2階段之間，將該磁性金屬構件之周緣部接合於具有大小可內包該複數貫通孔之開口的框狀框體之一端面處。
  8. 一種雷射加工裝置，係對於由設有複數貫通孔之磁性金屬構件密接於樹脂製膜之一面而成之構造的罩體用構件之該貫通孔內照射雷射光，來形成貫通該膜之複數開口圖案；構成上具備有：平台，係載置該罩體用構件而可在和載置面為平行之2維平面內移動；以及雷射光學頭，係將該雷射光之光束截面形狀配合於該開口圖案之形狀加以整形而照射於該罩體用構件；該雷射光學頭具備有：光束截面整形罩體，係使得具有和該開口圖案為相似形狀之第1狹縫以及具有和內包於該開口圖案之形狀的預備開口圖案為相似形狀之第2狹縫並排形成於同一基板，以可和該雷射光之光路相交叉而移動的方式設置者、或是使得該第1狹縫以及第2狹縫分別形成於不同基板上而以可相對於該雷射光之光路進行替換的方式設置者；以及投影透鏡，係將該第1以及第2狹縫縮小投影於該罩體用構件上；係一邊移動該平台、一邊使用該光束截面整形罩體之該第2狹縫來對該貫通孔內之預定正規位置照射雷射光，而將該膜予以貫通加工來形成複數該預備開口圖案之後，使用該光束截面整形罩體之第1狹縫，於該複數預備開口圖案上雷射加工出該開口圖案。
  9. 如申請專利範圍第8項之雷射加工裝置，將使用複數該第1以及第2狹縫而加工之複數該開口圖案以及預備開口圖案分別做為1單位，一邊步進移動該平台、一邊於整個該罩體用構件之全面形成該預備開口圖案以及開口圖案。
TW103100896A 2013-01-28 2014-01-10 成膜罩體之製造方法及雷射加工裝置 TWI595326B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013013539A JP6078747B2 (ja) 2013-01-28 2013-01-28 蒸着マスクの製造方法及びレーザ加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201447498A TW201447498A (zh) 2014-12-16
TWI595326B true TWI595326B (zh) 2017-08-11

Family

ID=51227277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103100896A TWI595326B (zh) 2013-01-28 2014-01-10 成膜罩體之製造方法及雷射加工裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9802221B2 (zh)
JP (1) JP6078747B2 (zh)
KR (1) KR102148970B1 (zh)
CN (1) CN104955977B (zh)
TW (1) TWI595326B (zh)
WO (1) WO2014115477A1 (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6035548B2 (ja) * 2013-04-11 2016-11-30 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク
JP6197423B2 (ja) * 2013-07-11 2017-09-20 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
KR102128968B1 (ko) * 2013-10-15 2020-07-02 삼성디스플레이 주식회사 금속 마스크 및 금속 마스크 제조 방법
JP6357312B2 (ja) * 2013-12-20 2018-07-11 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
JP2015190021A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 ソニー株式会社 蒸着用マスクの製造方法および表示装置の製造方法
JP6255592B2 (ja) * 2014-04-24 2018-01-10 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、成膜マスクの製造方法及びタッチパネルの製造方法
JP6769692B2 (ja) * 2015-01-14 2020-10-14 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
CN104711512B (zh) * 2015-03-27 2017-06-06 广州今泰科技股份有限公司 一种环保型物理气相沉积间色镀膜的方法
KR102352280B1 (ko) * 2015-04-28 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 제조 장치 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체 제조 방법
CN108474100B (zh) * 2015-09-30 2020-09-04 鸿海精密工业股份有限公司 具有微细图案的树脂薄膜的制造方法以及有机el显示装置的制造方法与微细图案形成用基材薄膜和具有支撑部件的树脂薄膜
WO2017119153A1 (ja) * 2016-01-06 2017-07-13 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク及びその製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法
US11433484B2 (en) * 2016-03-10 2022-09-06 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Deposition mask, mask member for deposition mask, method of manufacturing deposition mask, and method of manufacturing organic EL display apparatus
JP6341434B2 (ja) * 2016-03-29 2018-06-13 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
JP2018066053A (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及び有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP6376483B2 (ja) * 2017-01-10 2018-08-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法および蒸着マスクの良否判定方法
JP6521003B2 (ja) * 2017-08-23 2019-05-29 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
KR20190071476A (ko) 2017-12-14 2019-06-24 에이피시스템 주식회사 레이저 가공방법 및 마스크 조립체 제조방법
WO2020012771A1 (ja) * 2018-07-09 2020-01-16 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ加工装置、レーザ加工方法及び成膜マスクの製造方法
KR102390023B1 (ko) 2019-03-15 2022-04-26 에이피에스홀딩스 주식회사 멀티 빔 가공방법 및 멀티 빔 가공장치
CN113646461A (zh) * 2019-04-01 2021-11-12 堺显示器制品株式会社 成膜掩模的制造方法
KR20200122021A (ko) 2019-04-17 2020-10-27 에이피에스홀딩스 주식회사 멀티 빔 가공장치 및 멀티 빔 가공방법
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
JP7516895B2 (ja) 2020-06-15 2024-07-17 大日本印刷株式会社 孔付きシートの製造方法
WO2022034634A1 (ja) * 2020-08-11 2022-02-17 堺ディスプレイプロダクト株式会社 成膜マスクの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200523670A (en) * 2003-12-02 2005-07-16 Sony Corp Deposition mask and manufacturing method thereof
JP2005302457A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Toray Ind Inc 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置の製造方法
JP2009062565A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07300664A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Fujitsu Ltd メタルマスクの製造方法とその再生方法
JPH09174271A (ja) * 1995-12-26 1997-07-08 Nikon Corp レーザ加工装置及び加工用マスク
JP2001237072A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
JP4104964B2 (ja) * 2002-12-09 2008-06-18 日本フイルコン株式会社 パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法
KR100700839B1 (ko) * 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 수직증착용 섀도우마스크 패턴 제조방법
JP2011031282A (ja) * 2009-08-03 2011-02-17 Marubun Corp レーザ加工装置、レーザ加工方法および液滴吐出ノズルプレート
KR102201790B1 (ko) * 2012-01-12 2021-01-11 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 수지층이 형성된 금속 마스크의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200523670A (en) * 2003-12-02 2005-07-16 Sony Corp Deposition mask and manufacturing method thereof
JP2005302457A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Toray Ind Inc 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置の製造方法
JP2009062565A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9802221B2 (en) 2017-10-31
KR102148970B1 (ko) 2020-08-27
JP6078747B2 (ja) 2017-02-15
WO2014115477A1 (ja) 2014-07-31
JP2014146470A (ja) 2014-08-14
CN104955977B (zh) 2018-01-09
CN104955977A (zh) 2015-09-30
KR20150111349A (ko) 2015-10-05
US20150328662A1 (en) 2015-11-19
TW201447498A (zh) 2014-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI595326B (zh) 成膜罩體之製造方法及雷射加工裝置
KR101986331B1 (ko) 성막 마스크, 그 제조 방법 및 성막 마스크의 리페어 방법
JP5958824B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法
TWI645057B (zh) 成膜遮罩之製造方法及成膜遮罩
JP5976527B2 (ja) 蒸着マスク及びその製造方法
JP6932676B2 (ja) 転写方法およびこれを用いた画像表示装置の製造方法ならびに転写装置
TWI587080B (zh) 成膜遮罩之製造方法
WO2014069049A1 (ja) 成膜マスク
TW201425605A (zh) 成膜遮罩之製造方法
JP2009068082A (ja) 蒸着マスクの作製方法および蒸着マスク
KR102252441B1 (ko) 성막 마스크의 제조 방법 및 성막 마스크
TW201520349A (zh) 成膜遮罩及其製造方法
JP6714995B2 (ja) 成膜マスクの製造方法
TW201545829A (zh) 光束塑形遮罩、雷射加工裝置及雷射加工方法
JP6497596B2 (ja) 蒸着マスク装置の中間体
JP2019042762A (ja) 蒸着マスクの製造方法及び加工マスク
JP2005007400A (ja) レーザ加工用マスク及び該レーザ加工用マスクの製造方法