TWI585728B - Active matrix substrate and display device - Google Patents

Active matrix substrate and display device Download PDF

Info

Publication number
TWI585728B
TWI585728B TW104116134A TW104116134A TWI585728B TW I585728 B TWI585728 B TW I585728B TW 104116134 A TW104116134 A TW 104116134A TW 104116134 A TW104116134 A TW 104116134A TW I585728 B TWI585728 B TW I585728B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
line
inspection
active matrix
matrix substrate
region
Prior art date
Application number
TW104116134A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201602982A (zh
Inventor
Masahiro Yoshida
Isao Ogasawara
Yasuhiro Mimura
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Publication of TW201602982A publication Critical patent/TW201602982A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI585728B publication Critical patent/TWI585728B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259Repairing; Defects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254Checking; Testing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

主動矩陣基板及顯示裝置
本發明係關於一種主動矩陣基板、及具備該主動矩陣基板之顯示裝置。
液晶顯示裝置作為薄型、輕量、低消耗電力之顯示裝置被廣泛利用。液晶顯示裝置包含之液晶面板具有貼合主動矩陣基板與對向基板、且於2枚基板之間封入液晶之構造。於主動矩陣基板上,形成有複數條掃描線、複數條資料線、及複數個像素電路。另,作為縮小液晶顯示裝置之尺寸之方法,已知有於主動矩陣基板整體地形成掃描線驅動電路之方法、及於主動矩陣基板安裝資料線驅動電路之方法。
於液晶面板之製造工序中,進行有液晶面板之檢查。液晶面板之檢查係例如自外部對製品或完成品之液晶面板供給檢查用信號、從而藉由確認此時顯示之檢查用畫面進行。對液晶面板之檢查,例如於專利文獻1中,記載有為了檢測出掃描線等之短路及斷線而具備了4條檢查配線與複數個開關元件之主動矩陣基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際專利公開第2009/113669號公報
於智慧型手機或平板PC等使用之高度精細且窄邊框之液晶面板 中,有使連接於資料線之引出線之一部分交錯地形成於2層之配線層之情形。於該情形,若於主動矩陣基板形成分配於像素電路之基板色之數量之2倍之檢查用信號線(例如,於RGB方式之液晶面板中為6條檢查用信號線),則可簡單且高精度地進行液晶面板之檢查。例如,可簡單地檢測出形成於同一配線層之引出線之中鄰接之引出線間之漏電流。然而,若不實施特別之手段即於主動矩陣基板上形成多條檢查用信號線,則會導致容易產生斷線或漏電流、而於檢查用畫面產生亮斑之問題。
因此,本發明之目的係提供一種可抑制斷線、漏電流、及檢查用畫面之亮斑之主動矩陣基板,及具備其之顯示裝置。
本發明之第1態樣之特徵在於具備:數個像素電路,其等係二維狀地配置於顯示區域內;複數條掃描線,其等於上述顯示區域內於第1方向上延伸;複數條資料線,其等於上述顯示區域內於第2方向上延伸;複數條引出線,其等連接於上述資料線,且於上述第2方向上通過設定於上述顯示區域外之電路區域內;控制線,其於上述電路區域內於上述第1方向上延伸;複數條信號線,其等於上述電路區域內於上述第1方向上延伸;及複數個開關元件,其等配置於上述電路區域內,且根據上述控制線上之信號,而控制上述引出線與對應於該引出線之信號線之導通狀態;且上述複數條信號線包含:第1信號線,其於上述電路區域內配置於上述控制線之一側;及第2信號線,其於上述電路區域內配置於上述控制線之另一側; 鄰接之2條引出線之中一者經由上述開關元件連接於上述第1信號線,另一者經由上述開關元件連接於上述第2信號線。
本發明之第2態樣之特徵在於,於本發明之第1態樣中:上述控制線及上述信號線係與上述掃描線形成於同一配線層;經由上述開關元件連接於上述第2信號線之引出線與上述資料線形成於同一配線層;且經由上述開關元件連接於上述第1信號線之引出線具有:與上述掃描線形成於同一配線層之部分,及與上述資料線形成於同一配線層之部分;且該引出線於上述電路區域內與上述資料線形成於同一配線層。
本發明之第3態樣之特徵在於,於本發明之第2態樣中:上述引出線於夾隔上述電路區域而設定於上述顯示區域之相反側之扇出區域呈扇狀地配置;且經由上述開關元件連接於上述第1信號線之引出線於上述扇出區域內與上述掃描線形成於同一配線層。
本發明之第4態樣之特徵在於,於本發明之第2態樣中:上述引出線於設定於上述顯示區域與上述電路區域之間之扇出區域呈扇狀地配置;且經由上述開關元件連接於上述第1信號線之引出線於上述扇出區域內與上述掃描線形成於同一配線層。
本發明之第5態樣之特徵在於,於本發明之第1態樣中:上述控制線及上述信號線係與上述掃描線形成於同一配線層;且上述引出線與上述資料線形成於同一配線層。
本發明之第6態樣之特徵在於,於本發明之第5態樣中:上述引出線於設定於上述顯示區域與上述電路區域之間之扇出 區域呈扇狀地配置。
本發明之第7態樣之特徵在於,於本發明之第1態樣中:上述第1信號線之條數、及上述第2信號線之條數係與分配於上述像素電路之基本色之數量相等。
本發明之第8態樣之特徵在於,於本發明之第1態樣中:上述第1信號線與上述電路區域之於上述第2方向上延伸之一邊交叉;且上述第2信號線與上述電路區域之於上述第2方向上延伸之另一邊交叉。
本發明之第9態樣之特徵在於,於本發明之第1態樣中:上述開關元件形成於與上述控制線重疊之位置。
本發明之第10態樣之特徵在於,於本發明之第9態樣中:上述控制線於上述電路區域內,具有與包含上述開關元件與上述開關元件間之間隙之區域對應之線狀形狀。
本發明之第11態樣之特徵在於,於本發明之第9態樣中:上述控制線於上述電路區域內,具有與包含上述開關元件而不包含上述開關元件之間隙之區域對應之附切口之線狀形狀。
本發明之第12態樣之特徵在於,於本發明之第9態樣中:上述開關元件被分類為複數個組群,且以組群為單位並列配置於上述第1方向;且上述控制線於上述電路區域內包含具有與上述開關元件之各組群對應之線狀形狀之複數條部分配線。
本發明之第13態樣之特徵在於,於本發明之第1態樣中:上述開關元件交錯地配置於連接於該開關元件之引出線之一側與另一側。
本發明之第14態樣之特徵在於,於本發明之第1態樣中: 上述電路區域設定於對向區域內。
本發明之第15態樣之特徵在於,於本發明之第1態樣中:上述電路區域設定於對向區域外;且進而具備:將上述電路區域遮光之遮光構件。
本發明之第16態樣係一種顯示裝置,其具備:如本發明之第1至第15中任一態樣之主動矩陣基板;及與上述主動矩陣基板對向之對向基板。
根據本發明之第1態樣,複數條信號線於電路區域內分別配置於控制線之一側與另一側,鄰接之2條引出線各者經由開關元件連接於配置於控制線之不同側之2條信號線。因而,於電路區域內無需縮小配線之寬度、或縮窄間距,即可使配線佈局於特定之範圍內、從而可抑制產生於電路區域內之斷線及漏電流。又,因於最靠近控制線之信號線與最遠離控制線之信號線之間與其他配線之交叉次數之差變小、而信號線上之信號之變弱程度之差變小,故於使用控制線與信號線進行檢查時可抑制產生於檢查用畫面之亮斑。
根據本發明之第2態樣,使引出線之一部分交錯地形成於2層之配線層上之主動矩陣基板可起到第1態樣之效果。
根據本發明之第3態樣,夾隔電路區域而於顯示區域之相反側具有扇出區域、且於扇出區域內使引出線交錯地形成於2層之配線層上之主動矩陣基板可起到第1態樣之效果。
根據本發明之第4態樣,於顯示區域與電路區域之間具有扇出區域、且於扇出區域內使引出線交錯地形成於2層之配線層上之主動矩陣基板可起到第1態樣之效果。又,由於可檢測出扇出區域內之引出線之斷線及短路,故可提高主動矩陣基板之檢查精度。
根據本發明之第5態樣,使引出線與資料線形成於同一配線層之 主動矩陣基板可起到第1態樣之效果。
根據本發明之第6態樣,於顯示區域與電路區域之間具有扇出區域之主動矩陣基板可起到第1態樣之效果。又,由於可檢測出扇出區域內之引出線之斷線及短路,故可提高主動矩陣基板之檢查精度。
根據本發明之第7態樣,具有分配於像素電路之基本色之數量之2倍之信號線之主動矩陣基板可起到第1態樣之效果。
根據本發明之第8態樣,藉由自電路區域之於第2方向上延伸之2邊分別拉出信號線,而使連接於第1信號線之端子與連接於第2信號線之端子配置於分開之位置等,可高自由度地決定端子之配置位置。
根據本發明之第9或第10態樣,使用信號線為開關元件遮光,可防止開關元件之誤動作。
根據本發明之第11態樣或第12態樣,縮小控制線與引出線之交叉部分之面積,可抑制控制線及資料線上之信號之變弱。
根據本發明之第13態樣,藉由適宜地實施電路區域內之佈局,而減少於電路區域內之引出線之曲折次數,可抑制引出線之斷線及漏電流。
根據本發明之第14態樣,於在對向區域內、顯示區域外設定電路區域之情形時,使用形成於對向基板之黑色遮罩將開關元件遮光,可防止開關元件之誤動作。
根據本發明之第15態樣,於對向區域外設定電路區域之情形時,使用遮光構件為開關元件遮光,可防止開關元件之誤動作。
根據本發明之第16態樣,使用可抑制斷線、漏電流、及檢查用畫面之亮斑之主動矩陣基板,可提供高可靠性之顯示裝置。
1‧‧‧液晶顯示裝置
2‧‧‧液晶面板
3‧‧‧顯示控制電路
4‧‧‧掃描線驅動電路
4a‧‧‧第1掃描線驅動部
4b‧‧‧第2掃描線驅動部
5‧‧‧資料線驅動電路
6‧‧‧背光源
7‧‧‧對向基板
10‧‧‧主動矩陣基板
11‧‧‧對向區域
12‧‧‧非對向區域
13‧‧‧顯示區域
14‧‧‧邊框區域
15‧‧‧安裝區域
16‧‧‧檢查用區域
17‧‧‧扇出區域
18‧‧‧扇出區域
21‧‧‧像素電路
22‧‧‧N通道型TFT(TFT:薄膜電晶體)
23‧‧‧像素電極
24‧‧‧掃描線
25‧‧‧資料線
26‧‧‧環狀配線
27‧‧‧引出線
27a~27f‧‧‧引出線
28‧‧‧第1部分(引出線)
28a‧‧‧第1部分(引出線)
28c‧‧‧第1部分(引出線)
28e‧‧‧第1部分(引出線)
29‧‧‧第2部分(引出線)
31‧‧‧檢查用控制線
32‧‧‧檢查用信號線
32a~32f‧‧‧檢查用信號線
33‧‧‧檢查用控制線
34‧‧‧檢查用控制線
34a‧‧‧檢查用控制線之配線部分
34b‧‧‧檢查用控制線之配線部分
35‧‧‧檢查用控制線
36‧‧‧檢查用控制線
41‧‧‧連接端子
42‧‧‧連接端子
43~46‧‧‧外部端子
47‧‧‧檢查用端子
48‧‧‧檢查用端子
48a~48f‧‧‧檢查用端子
51‧‧‧檢查用TFT(TFT:薄膜電晶體)
51a~51f‧‧‧檢查用TFT(TFT:薄膜電晶體)
52‧‧‧接點
52a‧‧‧接點
52c‧‧‧接點
52e‧‧‧接點
53a~53f‧‧‧接點
54‧‧‧二極體
55‧‧‧檢查用TFT(TFT:薄膜電晶體)
55a~55f‧‧‧檢查用TFT(TFT:薄膜電晶體)
56‧‧‧接點
57‧‧‧接點
61‧‧‧玻璃基板
62‧‧‧檢查用控制線
63‧‧‧閘極絕緣膜
64‧‧‧半導體層
65‧‧‧通道保護膜
66‧‧‧導通電極
67‧‧‧第1保護膜
68‧‧‧第2保護膜
69‧‧‧第3保護膜
71‧‧‧透明電極
72‧‧‧遮光膜
80‧‧‧主動矩陣基板
81‧‧‧檢查用區域
82‧‧‧扇出區域
C1,C2‧‧‧控制信號
D1‧‧‧資料信號
G1~Gm‧‧‧掃描線
S1~Sn‧‧‧資料線
X1~X3‧‧‧點
圖1係顯示具備本發明之第1實施形態之主動矩陣基板之液晶顯示裝置之構成之方塊圖。
圖2係本發明之第1實施形態之主動矩陣基板之俯視圖。
圖3係顯示通過圖2所示之主動矩陣基板之檢查用區域之配線之圖。
圖4係顯示圖2所示之主動矩陣基板之引出線之圖。
圖5係顯示圖2所示之主動矩陣基板之檢查用區域及其附近之佈局圖。
圖6係圖5所示之部分之等效電路圖。
圖7係圖5之A-A'線剖視圖。
圖8係圖5之A-A'線剖視圖之另一例。
圖9係比較例之主動矩陣基板之檢查用區域及其附近之佈局圖。
圖10係第1實施形態之第1變化例之主動矩陣基板之檢查用區域及其附近之佈局圖。
圖11係第1實施形態之第2變化例之主動矩陣基板之檢查用區域及其附近之佈局圖。
圖12係第2實施形態之主動矩陣基板之檢查用區域及其附近之佈局圖。
圖13係圖12所示之部分之等效電路圖。
圖14係本發明之第3實施形態之主動矩陣基板之檢查用區域及其附近之佈局圖。
圖15係圖14所示之部分之等效電路圖。
圖16係本發明之第4實施形態之主動矩陣基板之俯視圖。
圖17係顯示第4實施形態之變化例之主動矩陣基板之引出線之圖。
(第1實施形態)
圖1係顯示具備本發明之第1實施形態之主動矩陣基板之液晶顯 示裝置之構成之方塊圖。圖1所示之液晶顯示裝置1具備:液晶面板2、顯示控制電路3、掃描線驅動電路4、資料線驅動電路5、及背光源6。以下,將m及n設為2以上之整數,將i設為1以上m以下之整數,將j設為1以上n以下之整數。
液晶面板2具有貼合主動矩陣基板10與對向基板7、且於2枚基板之間***液晶(未圖示)之構造。於主動矩陣基板10上,形成有m條掃描線G1~Gm、n條資料線S1~Sn、及(m×n)個像素電路21。於主動矩陣基板10上,掃描線驅動電路4係與像素電路21等一同整體地形成,且安裝有作為資料線驅動電路5發揮功能之半導體晶片。
以下,將掃描線延伸之方向(於圖式中為水平方向)稱為列方向,將正交於列方向之方向稱為行方向。掃描線G1~Gm於列方向上延伸且相互平行地配置。資料線S1~Sn於行方向上延伸且相互平行地配置。掃描線G1~Gm與資料線S1~Sn於(m×n)各處交叉。(m×n)個像素電路21對應掃描線G1~Gm與資料線S1~Sn之交叉點而2維狀地配置。
像素電路21包含:N通道型薄膜電晶體(Thin Film Transistor:薄膜電晶體,以下,稱為TFT)22與像素電極23。第i列j行之像素電路21包含之TFT22之閘極端子連接於掃描線Gi,一方之導通端子連接於資料線Sj,另一方之導通端子連接於像素電極23。
於對向基板7形成對向電極(未圖示)之情形時,藉由像素電極23與對向電極形成液晶電容。於主動矩陣基板10形成共用電極(未圖示)之情形時,藉由像素電極23與共用電極形成液晶電容。背光源6配置於液晶面板2之背面側,對液晶面板2之背面照射光。
顯示控制電路3對掃描線驅動電路4輸出控制信號C1,對資料線驅動電路5輸出控制信號C2與資料信號D1。掃描線驅動電路4根據控制信號C1驅動掃描線G1~Gm。資料線驅動電路5根據控制信號C2與 資料信號D1驅動資料線S1~Sn。更詳細而言,掃描線驅動電路4係於各水平期間,自掃描線G1~Gm之中選擇1條掃描線,並對選擇之掃描線施加導通電壓(TFT22變為導通狀態之電壓)。資料線驅動電路5係於各水平期間中,對資料線S1~Sn分別施加對應於資料信號D1之n個資料電壓。藉此於1水平期間內選擇n個像素電路21,於選擇之n個像素電路21分別寫入n個資料電壓。
於像素電路21,分配有紅色、綠色、及藍色之3種基本色中之任一種。(m×n)個像素電路21係依每一行而分類為:對應紅色之紅色像素電路,對應綠色之綠色像素電路,及對應藍色之藍色像素電路。對應於此,資料線S1~Sn按配置順序分類為:連接於紅色像素電路之紅色資料線,連接於綠色像素電路之綠色資料線,及連接於藍色像素電路之藍色資料線。例如,資料線S1、S4、…分類為紅色資料線,資料線S2、S5、…分類為綠色資料線,資料線S3、S6、…分類為藍色資料線。
圖2係主動矩陣基板10之俯視圖。如圖2所示,主動矩陣基板10被區分為對向於對向基板7之對向區域11與不與對向基板7對向之非對向區域12。於對向區域11,設定有用於配置像素電路之顯示區域13。自對向區域11除去顯示區域13之部分稱為邊框區域14。另,於圖2中,形成於主動矩陣基板10之部件之中,適宜省略了本實施形態之特徵之理解上非必要者。
於顯示區域13,形成有(m×n)個像素電路(未圖示)、m條掃描線24、及n條資料線25。(m×n)個像素電路係2維狀地配置於顯示區域13內。m條掃描線24於顯示區域13內於列方向上延伸。n條資料線25於顯示區域13內於行方向上延伸。
邊框區域14藉由形成於對向基板之黑色遮罩(未圖示)予以遮光。於邊框區域14,形成有包圍顯示區域13之環狀配線26。環狀配線26連 接於對向電極、共用電極、或輔助電容配線(未圖示)。環狀配線26係為了對對向基板、對向電極、或輔助電容配線施加特定之電壓而設置。
掃描線驅動電路4於邊框區域14分為2個部分而形成。詳細而言,掃描線驅動電路4之一部分(以下,稱為第1掃描線驅動部4a)沿顯示區域13之行方向之一邊(圖2中為左邊)配置,掃描線驅動電路4之其餘部分(以下,稱為第2掃描線驅動部4b)沿顯示區域13之行方向之另一邊(圖2中為右邊)配置。奇數序號之掃描線24之一端(圖2中為左端)連接於第1掃描線驅動部4a,偶數序號之掃描線24之一端(圖2中為右端)連接於第2掃描線驅動部4b。根據自顯示控制電路3輸出之控制信號C1,第1掃描線驅動部4a驅動奇數序號之掃描線24,第2掃描線驅動部4b驅動偶數序號之掃描線24。
於非對向區域12,設定有用於安裝資料線驅動電路5之安裝區域15。於安裝區域15,形成有連接於資料線驅動電路5之輸入端子之複數個連接端子41、及連接於資料線驅動電路5之輸出端子之n個連接端子42。於非對向區域12之安裝區域15以外之部分,形成有用於連接外部電路(例如、可撓性印刷基板)之複數個外部端子43~46、及複數個檢查用端子47、48。外部端子43~46分別連接於掃描線驅動電路4、連接端子41、環狀配線26、及檢查用端子47。於使用液晶顯示裝置1時,對外部端子46施加檢查用TFT(後述)變為斷開狀態之電壓。
為了連接n條資料線25與n個連接端子42,於非對向區域12與邊框區域14上形成有n條引出線27。引出線27之第1端(圖2中為下端)連接於對應之連接端子42。引出線27之第2端連接於對應之資料線25。
於邊框區域14之形成有引出線27之部分上,設定有用於形成於液晶面板2之檢查時對資料線25施加檢查用信號之電路之檢查用區域16。檢查用區域16於邊框區域14沿顯示區域13之列方向上之一邊(圖2 為下邊)設定。另,於非對向區域12與邊框區域14上,形成有通過檢查用區域16之檢查用控制線31與6條檢查用信號線32。
圖3係顯示通過檢查用區域16之配線之圖。如圖3所示,檢查用端子47連接於檢查用控制線31,檢查用端子48a~48f各者分別連接於檢查用信號線32a~32f。n條引出線27於行方向上通過檢查用區域16。檢查用控制線31與6條檢查用信號線32a~32f於檢查用區域16內於列方向上延伸,且於列方向上通過檢查用區域16。另,延伸係表示一條直線地延伸、及邊於次方向上曲折、邊於主方向上直線狀延伸。
檢查用信號線32a、32c、32e於檢查用區域16內於檢查用控制線31之一側(圖式中為下側)、自遠離檢查用控制線31者按32a、32c、32e之次序配置。檢查用信號線32b、32d、32f於檢查用區域16內於檢查用控制線31之另一側(圖式中為上側)、自靠近檢查用控制線31者按32b、32d、32f之次序配置。檢查用端子48a、48c、48e於安裝區域15之列方向上之一側(圖3中為右側)、自靠近安裝區域15者按48a、48c、48e之次序配置。檢查用端子47、48b、48d、48f於安裝區域15之列方向上之另一側(圖3中為左側)、自靠近安裝區域15者按47、48b、48d、48f之次序配置。
檢查用信號線32a、32c、32e與檢查用區域16內之於行方向上延伸之一邊(圖式中為右邊)交叉。檢查用信號線32a、32c、32e係自檢查用區域16之右側拉出,且通過檢查用區域16之右側部分,而分別連接於配置於安裝區域15之右側之檢查用端子48a、48c、48e。檢查用控制線31及檢查用信號線32b、32d、32f與檢查用區域16之於行方向上延伸之另一邊(圖式中為左邊)交叉。檢查用控制線31及檢查用信號線32b、32d、32f係自檢查用區域16之左邊拉出,且通過檢查用區域16之左側部分,而分別連接於配置於安裝區域15之左側之檢查用端子47、48b、48d、48f。
為了防止ESD(Electrostatic Discharge:靜電放電),檢查用信號 線32a~32f使用二極體環相互連接。詳細而言,於檢查用信號線32a、32c之間、檢查用信號線32c、32e之間、檢查用信號線32b、32d之間、及檢查用信號線32d、32f之間,分別逆向地設置有2個二極體54。又,於檢查用信號線32b延長至檢查用區域16之右側之、檢查用信號線32b之延長部分與檢查用信號32e之間,逆向地設置有2個二極體54。另,亦可延長檢查用信號線32d、32f之任一者、於該延長部分與檢查用信號線32e之間逆向地設置2個二極體54。
如圖2所示,資料線25之間距(配置間隔)較連接端子42之間距更寬。為了使於引出線27之第2端之間距較於第1端之間距更寬,而設定了2個扇出區域17、18。扇出區域17設定於安裝區域15與檢查用區域16之間,扇出區域18設定於檢查用區域16與顯示區域13之間。引出線27於扇出區域17、18內扇狀地佈局。詳細而言,引出線27雖於扇出區域17、18內於行方向上延伸,但主要於傾斜方向上延伸。典型而言,靠近中央之引出線27於靠近行方向之方向(與行方向之間所成之角較小之方向)上延伸,遠離中央之引出線27自行方向遠離之方向(與行方向之間所成之角較大之方向)上延伸。
另,於扇狀地佈局之態樣中,使引出線27按配置次序分為2個組群之時,第1組群內之引出線之於扇出區域內於傾斜方向上延伸之部分(以下,稱為傾斜部分)係相互平行,且位於傾斜部分之一端之曲折點並列之方向與位於傾斜部分之另一端之曲折點並列之方向不平行,且,第2組群內之引出線亦包含與此相同之態樣。
主動矩陣基板10之配線形成於2層之配線層之任一者。以下,將掃描線24設為形成於第1配線層,將資料線25設為形成於第2配線層。檢查用控制線31及檢查用信號線32與掃描線24同樣形成於第1配線層。引出線27分類為與資料線25同樣形成於第2配線層者,及具有形成於第1配線層之部分及形成於第2配線層之部分者。
圖4係顯示引出線27之圖。於圖4中,粗虛線表示形成於第1配線層之配線,粗實線表示形成於第2配線層之配線。於引出線27之曲折點之中之自第1端側(連接端子42側)數起之第2個者與檢查用區域16之間設定了點X1之時,引出線27分為自第1端至X1點之第1部分28、及自點X1至第2端之第2部分29。
引出線27之第2部分29之間距較寬。於此,為了使與資料線25之連接變簡單,引出線27之第2部分29與資料線25同樣形成於第2配線層。相對於此,引出線27之第1部分28之間距較窄。若使鄰接之配線窄間距地形成於同一配線層,則配線之短路變得容易產生。於此,引出線27之第1部分28按配置次序交錯地形成於第1配線層與第2配線層。例如,奇數序號之引出線27之第1部分28形成於第1配線層,偶數序號之引出線27之第1部分28形成於第2配線層。於引出線27之第1部分28形成於第1配線層之情形,於引出線27之點X1之位置形成有連接第1部分28與第2部分29之接點52(於圖式中用空心圓表示)。藉由使引出線27之第1部分28交錯地形成於2層之配線層,可使鄰接之2條引出線27之第1部分28靠近、或使一部分重疊而配置。
引出線27分類為具有形成於第1配線層之第1部分者、及具有形成於第2配線層之第1部分者之2種類。資料線25分類為紅色資料線、綠色資料線、及藍色資料線之3種類。組合兩者之引出線27分類為以下之6種類。
(1)具有形成於第1配線層之第1部分,且連接於藍色資料線者
(2)具有形成於第2配線層之第1部分,且連接於紅色資料線者
(3)具有形成於第1配線層之第1部分,且連接於綠色資料線者
(4)具有形成於第2配線層之第1部分,且連接於藍色資料線者
(5)具有形成於第1配線層之第1部分,且連接於紅色資料線者
(6)具有形成於第2配線層之第1部分,且連接於綠色資料線者
以下,將該等6種類之引出線27依序稱為第1~第6引出線。第1~第6引出線各者分別對應於檢查用信號線32a~32f。
圖5係檢查用區域16及其附近之佈局圖。於圖5中,記載有引出線27a~27f、檢查用控制線31、檢查用信號線32a~32f、檢查用TFT51a~51f、及接點52a、52c、52e、53a~53f。引出線27a~27f分別為上述之第1~第6引出線。於引出線27a、27c、27e之第1部分,分別標註參照符號28a、28c、28e。圖6係圖5所示之部分之等效電路圖。
引出線27a~27f於檢查用區域16內形成於第2配線層,且一邊曲折一邊於行方向上通過檢查用區域16內。檢查用控制線31與檢查用信號線32a~32f形成於第1配線層,且於檢查用區域16內於行方向上延伸。檢查用信號線32a、32c、32e於檢查用區域16內配置於檢查用控制線31之一側(圖式中為下側)。檢查用信號線32b、32d、32f於檢查用區域16內配置於檢查用控制線31之另一側(圖式中為上側)。
於引出線27a~27f與檢查用控制線31之交點附近,分別形成有檢查用TFT51a~51f。檢查用TFT51具有3個閘極端子、3個第1導通端子(圖5中為左側端子)、及3個第2導通端子。第1導通端子與其成對之第2導通端子於列方向上並列配置。
檢查用TFT51a~51f之閘極端子連接於檢查用控制線31。檢查用TFT51a~51f之第1導通端子各者分別連接於引出線27a~27f。檢查用TFT51a~51f之第2導通端子各者分別經由於行方向上延伸之連接配線與接點53a~53f連接於檢查用信號線32a~32f。接點53a、53c、53e與檢查用信號線32a、32c、32e一同設置於檢查用控制線31之一側。接點53b、53d、53f與檢查用信號線32b、32d、32f一同設置於檢查用控制線31之另一側。檢查用TFT51a~51f配置於檢查用區域16內,且作 為根據檢查用信號線31上之信號、而控制引出線27a~27f與對應該引出線之檢查用信號線32a~32f之導通狀態之開關元件發揮功能。
將於檢查用區域16內配置於檢查用控制線31之一側之檢查用信號線32a、32c、32e稱為第1檢查用信號線,將於檢查用區域16內配置於檢查用控制線31之另一側之檢查用信號線32b、32d、32f稱為第2檢查用信號線。於主動矩陣基板10上,鄰接之2條引出線27中之一者經由檢查用TFT51連接於第1檢查用信號線,另一者經由檢查用TFT51連接於第2檢查用信號線。
如圖5所示,檢查用控制線31形成於重疊於檢查用TFT51之位置。檢查用控制線31於檢查用區域16內具有對應於包含檢查用TFT51與檢查用TFT51間之間隙之區域之線狀形狀。檢查用TFT51a~51f各者分別配置於連接於該檢查用TFT之引出線27a~27f之同一側(圖5中為右側)。於鄰接之2條引出線27之間,逐個配置檢查用TFT51。
圖7係圖5之A-A'線剖視圖。如圖7所示,於玻璃基板61上依序形成有檢查用控制線62、閘極絕緣膜63、半導體層64、通道保護膜65、導通電極66、及第1~第3保護膜67~69。檢查用控制線62係使用金屬材料形成於第1配線層。於閘極絕緣膜63,例如、使用氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)、或該等之層疊膜等。半導體層64係例如使用氧化銦-鎵-鋅即IGZO等氧化物半導體、或非晶矽等形成。通道保護膜65係例如使用氮化矽或氧化矽形成。導通電極66係使用金屬材料形成於第2配線層。第1保護膜67係例如使用氮化矽或氧化矽等形成。第2保護膜68係使用有機高分子化合物形成之有機膜。第3保護膜69係例如使用氮化矽等形成。另,通道保護膜65並非必須設置。
另,如圖8所示,亦可於第2保護膜68與第3保護膜69之間設置透明電極71與遮光膜72。透明電極71係例如使用氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等形成。遮光膜72係使用銅、鉬、鋁、該等之合金、或該 等之層疊膜形成。另,於圖8中雖於透明電極71之上設置有遮光膜72,但亦可於遮光膜72之上設置透明電極71。又,透明電極71無必須設置之必要。
於包含主動矩陣基板10之液晶面板2之檢查時,藉由經由外部端子43對掃描線驅動電路4供給控制信號C1,對所有掃描線24施加導通電壓,而選擇顯示區域13內之所有像素電路。並且,對連接於檢查用控制線31之檢查用端子47施加導通電壓(檢查用TFT51變為導通狀態之電壓),對連接於檢查用信號線32a~32f之檢查用端子48a~48f施加對應於檢查用畫面之顏色之檢查用信號。又,亦對對向電極、共用電極、或輔助電容配線經由外部端子45輸入特定之信號。藉此,於顯示區域13內之所有像素電路寫入檢查用信號,並於液晶面板2顯示檢查用畫面。藉由目測或使用檢查器確認,可檢查液晶面板2。
又,藉由經由外部端子43對掃描線驅動電路4供給控制信號C1,亦可對掃描線24逐條依序施加導通電壓。又,由於主動矩陣基板10具有6條檢查用信號線32a~32f,故可對鄰接之6條資料線25施加互不相同之檢查用信號。因此,可對資料線25施加對應於基本色之檢查用信號,且可對鄰接之資料線25施加相互不同之檢查用信號。因而,如點反轉驅動或行反轉驅動般,對應於對鄰接之資料線施加不同極性之資料電壓之驅動而輸入檢查用信號,可於顯示更接近最終製品之狀態進行檢查。
以下,與比較例之將6條檢查用信號線配置於檢查用控制線之同一側之主動矩陣基板(以下,稱為比較例之主動矩陣基板)對比,而說明本實施形態之主動矩陣基板10之效果。以下,將對應於6條引出線之部分稱為重複單位。
圖9係比較例之主動矩陣基板之檢查用區域及其附近之佈局圖。如圖9所示,於比較例之主動矩陣基板上,由於所有檢查用信號線32a ~32f配置於檢查用控制線31之同一側,故有使連接於檢查用TFT51之第2端子之所有連接配線於檢查用控制線31之同一側(圖9中為下側)延伸之必要。因此,於檢查用控制線31與檢查用信號線32f之間(圖9所示之Q部),有於每1個重複單位上使6條引出線與6條連接線於列方向上並列配置之必要。為了將該等配線佈局於有限之範圍內,而產生縮小配線之寬度、或縮窄間距之必要。然而,若配線之寬度變小則容易產生斷線,若間距變窄則容易產生漏電流。
又,於比較例之主動矩陣基板上,相對距檢查用控制線31最遠之檢查用信號線32a於每1個重複單位上與其他配線於5處交叉,最靠近檢查用控制線31之檢查用信號線32f於每1個重複單位上與其他配線於10處交叉。於檢查用信號線32a、32f之間,由於與其他配線交叉次數之差較大,故與其他配線之交叉部分形成之電容之差較大,進而檢查用信號之變弱程度之差亦較大。若檢查用信號變弱程度之差較大,則於檢查用畫面產生亮斑,從而液晶面板2之檢查精度降低。如此於比較例之主動矩陣基板中,有容易產生斷線及漏電流、於檢查用畫面產生亮斑之問題。
相對於此,於本實施形態之主動矩陣基板10中,由於6條檢查用信號線32a~32f分別配置於檢查用控制線31之一側與另一側,故使連接於檢查用TFT51之第2端子之連接配線於檢查用控制線31之一側與另一側(圖5中為上側與下側)分別延伸即可。因此,於檢查用控制線31與檢查用信號線32e之間(圖5所示之P部),於每1個重複單位上使6條引出線與3條連接線於列方向上並列配置即可。另,為了使鄰接之2條引出線27中之一者經由檢查用TFT51連接於檢查用信號線32a、32c、32e之任一者、另一者經由檢查用TFT51連接於檢查用信號線32b、32d、32f之任一者,使連接於檢查用TFT51之第2端子之連接配線於檢查用控制線31之一側與另一側交錯地延伸即可。因而,根據本 實施形態之主動矩陣基板10,於檢查用區域16內無需縮小配線之寬度、或縮窄間距,即可使配線佈局於特定之範圍內,進而可抑制於檢查用區域16內產生之斷線及漏電流。
又,於本實施形態之主動矩陣基板10上,距檢查用控制線31最遠之檢查用信號線32a於每1個重複單位上與其他配線於5處交叉,最靠近檢查用控制線31之檢查用信號線32e於每1個重複單位上與其他配線於7處交叉。於檢查用信號線32a、32e之間,由於與其他配線交叉次數之差較小,故與其他配線之交叉部分形成之電容之差較小,進而檢查用信號之變弱程度之差亦較小。因而,根據本實施形態之主動矩陣基板10,可抑制於檢查用畫面產生之亮斑,從而可提高液晶面板2之檢查精度。
如上所示,本實施形態之主動矩陣基板10具備:複數個像素電路21,其等係二維狀地配置於顯示區域13內;複數條掃描線24,其等於顯示區域13內於第1方向(列方向)上延伸;複數條資料線25,其等於顯示區域13內於第2方向(行方向)上延伸;複數條引出線27,其等連接於資料線25,且於第2方向上通過設定於顯示區域13外之電路區域(檢查用區域16)內;控制線(檢查用控制線31),其於電路區域內於第1方向上延伸;複數條信號線(6條檢查用信號線32),其等於電路區域內於第1方向上延伸;及複數個開關元件(檢查用TFT51),其等配置於電路區域內,且根據控制線上之信號,而控制引出線與對應於該引出線之信號線之導通狀態。信號線包含:第1信號線(檢查用信號線32a、32c、32e),其於電路區域內配置於控制線之一側;及第2信號線(檢查用信號線32b、32d、32f),其於電路區域內配置於控制線之另一側。鄰接之2條引出線27中之一者經由開關元件連接於第1信號線(檢查用信號線32a、32c、32e之任一者),另一者經由開關元件連接於第2信號線(檢查用信號線32b、32d、32f之任一者)。
如此於本實施形態之主動矩陣基板10中,複數條信號線於電路區域內分別配置於控制線之一側與另一側,鄰接之2條引出線27分別經由開關元件連接於配置於控制線之不同側之2條信號線。因而,於電路區域內無需縮小配線之寬度、或縮窄間距,即可使配線佈局於特定之範圍內,從而可抑制電路區域內產生之斷線及漏電流。又,因於最靠近控制線之信號線(檢查用信號線32e)與距控制線最遠之信號線(檢查用信號線32a)之間與其他配線交叉次數之差變小,進而信號線上之信號變弱程度之差亦變小,故於使用控制線與信號線進行檢查時,可抑制產生於檢查用畫面之亮斑。
又,於主動矩陣基板10上,控制線及信號線與掃描線24形成於同一配線層,經由開關元件連接於第2信號線之引出線27與資料線25形成於同一配線層。經由開關元件連接於第1信號線之引出線27具有:與掃描線24形成於同一配線層之第1部分28,及與資料線25形成於同一配線層之第2部分29;且,其於電路區域內與資料線25形成於同一配線層。因而,使引出線之一部分交錯地形成於2層之配線層上之主動矩陣基板可起到上述之效果。
又,引出線27於夾隔電路區域而設定於顯示區域13之相反側之扇出區域17呈扇狀地配置。經由開關元件連接於第1信號線之引出線27a、27c、27e於扇出區域17內與掃描線24形成於同一配線層。因而,夾隔電路區域而於顯示區域之相反側具有扇出區域、且於扇出區域內使引出線交錯地形成於2層之配線層上之主動矩陣基板可起到上述之效果。另,第1信號線之條數、及第2信號線之條數係與分配於像素電路21之基本色之數量(此處為3)相等。因而,具有分配於像素電路之基本色之數量之2倍之信號線之主動矩陣基板可起到上述之效果。
又,第1信號線與電路區域之於第2方向上延伸之一邊(於行方向 上延伸之右邊)交叉,第2信號線與電路區域之於第2方向上延伸之另一邊(於行方向上延伸之左邊)交叉。藉由此般之自電路區域之於第2方向上延伸之2邊分別拉出信號線,而使連接於第1信號線之端子(檢查用端子48a、48c、48e)與連接於第2信號線之端子(檢查用端子48b、48d、48f)配置於分開之位置等,可高自由度地決定端子(檢查用端子48)之配置位置。
又,開關元件形成於與控制線重疊之位置。控制線於電路區域內具有對應於包含開關元件與開關元件間之間隙之區域之線狀形狀。因而,使用控制線為開關元件遮光,可防止開關元件之誤動作。又,電路區域於對向區域11內設定於顯示區域13外。因而,使用形成於對向基板7之黑色遮罩將開關元件遮光,可防止開關元件之誤動作。
又,根據具備本實施形態之主動矩陣基板10與對向基板7之液晶顯示裝置1,使用可抑制斷線、漏電流、及檢查用畫面之亮斑之主動矩陣基板,可提高液晶顯示裝置之可靠性。
對本實施形態之主動矩陣基板10,檢查用控制線之形狀可構成不同之以下之變化例。於第1變化例之主動矩陣基板上,如圖10所示,檢查用控制線33於檢查用區域16內,具有包含檢查用TFT51、不包含檢查用TFT51間之間隙之區域之附切口之線狀形狀。於第2變化例之主動矩陣基板上,如圖11所示,檢查用TFT51分類為2個組群,且以組群為單位並列配置於列方向上。檢查用控制線34於檢查用區域16內包含具有對應於檢查用TFT51之各組群之線狀形狀之2條部分配線34a、34b。另,亦可設為將檢查用TFT51分類為3個以上之組群、檢查用信號線包含3條以上之部分配線。
根據該等變化例之主動矩陣基板,可與第1實施形態之主動矩陣基板10起到相同效果。另,縮小檢查用控制線33、34與引出線27之交叉部分之面積,可抑制檢查用信號線33、34及資料線25上之信號之變 弱。
(第2實施形態)
本發明之第2實施形態之主動矩陣基板與第1實施形態之主動矩陣基板於檢查用區域之構成不同。圖12係本實施形態之主動矩陣基板之檢查用區域及其附近之佈局圖。圖13係圖12所示之電路之等效電路圖。以下,參照圖12及圖13,說明其與第1實施形態之差異。
於本實施形態之主動矩陣基板上,檢查用TFT55具有1個閘極端子、1個第1導通端子(圖12中為左側之端子)、及1個第2導通端子。第1導通端子與第2導通端子於行方向上並列配置。檢查用控制線35具有對應於包含檢查用TFT55、不包含檢查用TFT55間之間隙之區域之附切口之線狀形狀。
如此般,檢查用TFT55之方向、及檢查用TFT55包含之通道之個數(閘極端子之個數)與第1實施形態不同。檢查用TFT55之方向、及檢查用TFT55包含之通道之個數可考慮對應主動矩陣基板之尺寸、邊框區域之尺寸、資料線之條數、資料線之配線負荷、及對應檢查用TFT之移動度而決定之檢查用TFT之尺寸等而任意地決定。例如,檢查用TFT55包含之通道之個數既可為2個亦可為4個以上。
根據本實施形態之主動矩陣基板,可與第1實施形態之主動矩陣基板10起到相同效果。另,縮小檢查用控制線35與引出線27之交叉部分之面積,可抑制檢查用信號線35及資料線25上之信號之變弱。
(第3實施形態)
本發明之第3實施形態之主動矩陣基板與第1及第2實施形態之主動矩陣基板於檢查用區域之構成不同。圖14係本實施形態之主動矩陣基板之檢查用區域及其附近之佈局圖。圖15係圖14所示之電路之等效電路圖。以下,參照圖14及圖15,說明其與第1及第2實施形態之差異。
於本實施形態之主動矩陣基板上,檢查用信號線32a、32c、32e於檢查用區域16內配置於檢查用控制線36之一側(圖14中為上側)。檢查用信號線32b、32d、32f於檢查用區域16內配置於檢查用控制線36之另一側(圖14中為下側)。於引出線27a~27f與檢查用控制線36之交點附近,分別形成有檢查用TFT55a~55f。
檢查用TFT55a、55c、55e分別配置於引出線27a、27c、27e之一側(圖14中為右側)。檢查用TFT55b、55d、55f分別配置於引出線27b、27d、27f之另一側(圖14中為左側)。如此般,檢查用TFT55a~55f交錯地配置於連接與該檢查用TFT之引出線27a~27f之一側與另一側。於鄰接之2條引出線27之間,配置有2個檢查用TFT55之情形與1個檢查用TFT55亦不配置之情形交替出現。
根據本實施形態之主動矩陣基板,可與第1實施形態之主動矩陣基板10起到相同效果。另,縮小檢查用控制線36與引出線27之交叉部分之面積,可抑制檢查用控制線36及資料線25上之信號之變弱。另,於圖14所示之佈局中,與圖12所示之佈局相比,於檢查區域16內之引出線27之曲折次數減少。因而,根據本實施形態之主動矩陣基板,藉由適宜地實施檢查用區域16內之佈局,而減少於檢查區域16內之引出線27之曲折次數,可抑制引出線27之斷線及漏電流。
(第4實施形態)
圖16係本發明之第4實施形態之主動矩陣基板之俯視圖。以下,參照圖16,說明其與第1~第3實施形態之差異。如圖16所示,於本實施形態之主動矩陣基板80上,檢查用區域81設定於非對向區域12內。於顯示區域13與檢查用區域81之間設定有扇出區域82,且引出線27於扇出區域82內扇狀地佈局。
檢查用控制線31及檢查用信號線32係與掃描線24同樣形成於第1配線層。於本實施形態中,引出線27之整體與資料線25同樣形成於第 2配線層。因此,於引出線27之點X1(參照圖4)未形成接點52。
檢查用區域81藉由遮光構件(未圖示)遮光。例如,可對主動矩陣基板80設置覆蓋檢查用區域81之添加金屬膜,亦可用具有遮光性之樹脂或膠帶等覆蓋主動矩陣基板80之檢查用區域81。或,亦可於構成具備主動矩陣基板80之液晶顯示裝置時,用擋板等覆蓋檢查用區域81。
於本實施形態之主動矩陣基板80上,檢查用控制線31及檢查用信號線32與掃描線24形成於同一配線層,引出線27與資料線25形成於同一配線層。因而,使引出線27與資料線25形成於同一配線層之主動矩陣基板可與第1實施形態起到相同效果。
又,引出線27於設定於顯示區域13與檢查用區域81之間之扇出區域82呈扇狀地配置。因而,於顯示區域13與檢查用區域81之間具有扇出區域82之主動矩陣基板80可與第1實施形態起到相同效果。又,由於可檢測出扇出區域82內之斷線及短路,故可提高主動矩陣基板80之檢查精度。
又,檢查用區域81設定於對向區域11外,且主動矩陣基板80進而具備為檢查用區域81遮光之遮光構件。如此般於對向區域11外設定檢查用區域81之情形時,使用遮光構件為檢查用TFT51遮光,可防止檢查用TFT51之誤動作。
對本實施形態之主動矩陣基板80,可構成引出線27之一部分按配置次序交錯地形成於第1配線層與第2配線層之變化例。圖17係顯示第4實施形態之變化例之主動矩陣基板之引出線之圖。於引出線27之第1端側(連接端子42側)之曲折點與檢查用區域81之間設定點X2、且於引出線27之第2端側之曲折點與顯示區域13之間設定點X3時,引出線27分為自第1端至點X2之第1部分、自點X2至點X3之第2部分、及自點X3至第2端之第3部分。
引出線27之第1部分及第3部分與資料線25同樣形成於第2配線 層。引出線27之第2部分按配置次序交錯地形成於第1配線層與第2配線層。例如,奇數序號之引出線27之第2部分形成於第1配線層,偶數序號之引出線27之第2部分形成於第2配線層。於引出線27之第2部分形成於第1配線層之情形,於引出線27之點X2之位置形成連接第1部分與第2部分之接點56,於引出線27之點X3之位置形成連接第2部分與第3部分之接點57。
根據本變化例之主動矩陣基板,於顯示區域13與檢查用區域81之間具有扇出區域82、且於扇出區域82內使引出線27交錯地形成於2層之配線層上之主動矩陣基板可與第4實施形態起到相同效果。
對本發明之第1~第4實施形態之主動矩陣基板,可構成各種之變化例。主動矩陣基板亦可具備對應於4色以上之基本色之像素電路。例如,主動矩陣基板於對應於紅色、綠色、及藍色之3種類之像素電路之基礎上,亦可具備對應於白色之白色像素電路、或對應於黃色之像素電路(4色構成)。或,主動矩陣基板於對應於紅色、綠色、及藍色之3種類之像素電路之基礎上,亦可具備對應於黃色之像素電路與對應於青色之像素電路雙方(5色構成)。於4色構成之主動矩陣基板上,設有8條檢查用信號線。其中4條於檢查用區域內配置於檢查用控制線之一側,其餘4條於檢查用區域內配置於檢查用控制線之另一側。於5色構成之主動矩陣基板上,設有10條檢查用信號線。其中5條於檢查用區域內配置於檢查用控制線之一側,其餘5條於檢查用區域內配置於檢查用控制線之另一側。
另,至此為止雖對各資料線連接1色之像素電路之情形進行了說明,但亦可於各資料線連接複數色之像素電路。例如,於交錯地於資料線之右側與左側設置像素電路之情形,於各資料線連接2色之像素電路。
另,使用第2~第4實施形態及各實施形態之變化例之主動矩陣 基板,可構成與第1實施形態同樣之液晶顯示裝置。又,亦可於不相悖於其性質之範圍內任意組合各實施形態之特徵,構成具有複數個實施形態之特徵之主動矩陣基板及液晶顯示裝置。例如,於第4實施形態之主動矩陣基板上,檢查用區域81之構成亦可為圖5、圖10、圖11、圖12及圖14之任一者所示之形態。
另,上述之檢查用控制線、檢查用信號線、檢查用TFT、及檢查用端子亦可使用於檢查以外之用途。該等之元件例如可作為用於供給於實施PSA(Polymer Sustained Alignment:聚合物保持對準)技術之際之信號之路徑、或於製造工序中用於汲取顯示區域內之像素電極等所帶電之電荷之路經使用。
PSA技術係例如、於使具有負介電常數異向性之液晶挾持於主動矩陣基板與對向基板之間之垂直配向模式中、為了規制電壓未施加時之液晶分子之配向方向、而形成對電壓未施加時之液晶施予預傾斜之配向維持層(Alignment Sustaining Layer:取向維持層)之技術。配向維持層係於形成液晶胞之際,藉由對預先混合於液晶材料之光聚合性單體或低聚物、通常而言即對液晶層於施加電壓之狀態下進行光聚合,而作為聚合物層於垂直配向膜上形成。藉由配向維持層,可於電壓未施加時之液晶,維持(記憶)自垂直於主動矩陣基板之基板面之方向稍微(例如2°~3°)傾斜之方向之傾斜角與配向方位。藉此,可提高於電壓施加時之液晶配向之反應速度。又,於手指按壓液晶面板之表面之際,加快自配向失序狀態恢復至正常狀態之時間。
於實施PSA技術時,與液晶面板之檢查相同,藉由對對向電極或輔助電容配線施加特定之電壓,且對掃描線驅動電路供給控制信號而對掃描線施加導通電壓。於此基礎上,對連接於檢查用控制線之檢查用端子施加導通電壓,且對連接於檢查用信號線之檢查用端子施加用於實施PSA技術之電壓。
[產業上之可利用性]
由於本發明之主動矩陣基板具有抑制斷線、漏電流、及檢查用畫面之亮斑之特徵,故可利用於以液晶顯示裝置為首之各種顯示裝置之基板等。由於本發明之顯示裝置具有高可靠性之特徵,故可利用於各種電子機器之顯示部等。
27a~27f‧‧‧引出線
28a‧‧‧第1部分(引出線)
28c‧‧‧第1部分(引出線)
28e‧‧‧第1部分(引出線)
31‧‧‧檢查用控制線
32a~32f‧‧‧檢查用信號線
51a~51f‧‧‧檢查用TFT(TFT:薄膜電晶體)
52a‧‧‧接點
52c‧‧‧接點
52e‧‧‧接點
53a~53f‧‧‧接點

Claims (16)

  1. 一種主動矩陣基板,其特徵在於包含:複數個像素電路,其等係二維狀地配置於顯示區域內;複數條掃描線,其等於上述顯示區域內於第1方向上延伸;複數條資料線,其等於上述顯示區域內於第2方向上延伸;複數條引出線,其等連接於上述資料線,且於上述第2方向通過設定於上述顯示區域外之電路區域內;控制線,其於上述電路區域內於上述第1方向延伸;複數條信號線,其等於上述電路區域內於上述第1方向延伸;及複數個開關元件,其等配置於上述電路區域內,且根據上述控制線上之信號,而控制上述引出線與對應於該引出線之信號線之導通狀態;且上述複數條信號線包含:第1信號線,其於上述電路區域內配置於上述控制線之一側;及第2信號線,其於上述電路區域內配置於上述控制線之另一側;鄰接之2條引出線中之一者經由上述開關元件連接於上述第1信號線,另一者經由上述開關元件連接於上述第2信號線。
  2. 如請求項1之主動矩陣基板,其中上述控制線及上述信號線係與上述掃描線形成於同一配線層;經由上述開關元件連接於上述第2信號線之引出線與上述資料線形成於同一配線層;且經由上述開關元件連接於上述第1信號線之引出線包含:與上述掃描線形成於同一配線層之部分,及與上述資料線形成於同一配線層之部分;且該引出線於上述電路區域內與上述資料線 形成於同一配線層。
  3. 如請求項2之主動矩陣基板,其中上述引出線於夾隔上述電路區域而設定於上述顯示區域之相反側之扇出區域呈扇狀地配置;且經由上述開關元件連接於上述第1信號線之引出線於上述扇出區域內與上述掃描線形成於同一配線層。
  4. 如請求項2之主動矩陣基板,其中上述引出線於設定於上述顯示區域與上述電路區域之間之扇出區域呈扇狀地配置;且經由上述開關元件連接於上述第1信號線之引出線於上述扇出區域內與上述掃描線形成於同一配線層。
  5. 如請求項1之主動矩陣基板,其中上述控制線及上述信號線係與上述掃描線形成於同一配線層;且上述引出線與上述資料線形成於同一配線層。
  6. 如請求項5之主動矩陣基板,其中上述引出線於設定於上述顯示區域與上述電路區域之間之扇出區域呈扇狀地配置。
  7. 如請求項1之主動矩陣基板,其中上述第1信號線之條數、及上述第2信號線之條數係與分配於上述像素電路之基本色之數量相等。
  8. 如請求項1之主動矩陣基板,其中上述第1信號線與上述電路區域之於上述第2方向上延伸之一邊交叉;且上述第2信號線與上述電路區域之於上述第2方向上延伸之另一邊交叉。
  9. 如請求項1之主動矩陣基板,其中上述開關元件形成於與上述控制線重疊之位置。
  10. 如請求項9之主動矩陣基板,其中上述控制線於上述電路區域內,具有與包含上述開關元件與上述開關元件間之間隙之區域對應之線狀形狀。
  11. 如請求項9之主動矩陣基板,其中上述控制線於上述電路區域內,具有與包含上述開關元件而不包含上述開關元件之間隙之區域對應之附切口之線狀形狀。
  12. 如請求項9之主動矩陣基板,其中上述開關元件被分類為複數個組群,且以組群為單位並列配置於上述第1方向;且上述控制線於上述電路區域內包含具有與上述開關元件之各組群對應之線狀形狀之複數條部分配線。
  13. 如請求項1之主動矩陣基板,其中上述開關元件交錯地配置於連接於該開關元件之引出線之一側與另一側。
  14. 如請求項1之主動矩陣基板,其中上述電路區域設定於對向區域內。
  15. 如請求項1之主動矩陣基板,其中上述電路區域設定於對向區域外;且進而包含:將上述電路區域遮光之遮光構件。
  16. 一種顯示裝置,其包含:如請求項1至15中任一項之主動矩陣基板;及與上述主動矩陣基板對向之對向基板。
TW104116134A 2014-05-22 2015-05-20 Active matrix substrate and display device TWI585728B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014105833 2014-05-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201602982A TW201602982A (zh) 2016-01-16
TWI585728B true TWI585728B (zh) 2017-06-01

Family

ID=54554004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104116134A TWI585728B (zh) 2014-05-22 2015-05-20 Active matrix substrate and display device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9869913B2 (zh)
JP (1) JP6324499B2 (zh)
CN (1) CN106165005B (zh)
TW (1) TWI585728B (zh)
WO (1) WO2015178334A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104965321B (zh) * 2015-07-01 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板检测***及检测方法
JP6681926B2 (ja) * 2016-02-10 2020-04-15 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示パネル
JP2018018006A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10777587B2 (en) * 2016-09-02 2020-09-15 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device provided with active matrix substrate
KR102628756B1 (ko) * 2016-12-27 2024-01-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 표시 패널 크랙 검출 방법
US10725354B2 (en) * 2017-02-28 2020-07-28 Sharp Kabushiki Kaisha Wiring substrate and display device
US11106316B2 (en) * 2017-07-26 2021-08-31 Sharp Kabushiki Kaisha Display panel having overlapping position detection lead-out lines disposed in different layers
JP6983006B2 (ja) * 2017-08-23 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019101145A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 シャープ株式会社 電子デバイス
US20190197936A1 (en) * 2017-12-26 2019-06-27 Novatek Microelectronics Corp. Display panel
US20210005701A1 (en) * 2018-03-02 2021-01-07 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR102479058B1 (ko) 2018-04-17 2022-12-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2019191403A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 シャープ株式会社 配線基板及び表示パネル
KR20210005362A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN112310119A (zh) * 2020-10-16 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制备方法
US11961447B2 (en) 2022-05-09 2024-04-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN114822259B (zh) * 2022-05-09 2023-05-30 武汉华星光电技术有限公司 显示面板和显示装置
JP2023167697A (ja) * 2022-05-12 2023-11-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW546514B (en) * 1999-07-17 2003-08-11 Caesar Technology Inc Liquid crystal display module structure
TW581917B (en) * 2000-06-28 2004-04-01 Hitachi Ltd The touch panel, method for manufacturing the same, and screen input type display unit using the same
US20130153941A1 (en) * 2010-09-02 2013-06-20 Osamu Sasaki Semiconductor device, semiconductor device unit, active matrix substrate, liquid crystal panel, and liquid crystal display
TW201337421A (zh) * 2012-02-15 2013-09-16 Sharp Kk 液晶顯示器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3247799B2 (ja) * 1994-06-09 2002-01-21 シャープ株式会社 液晶表示パネルおよびその検査方法
JP2001265248A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Internatl Business Mach Corp <Ibm> アクティブ・マトリックス表示装置、及び、その検査方法
US8284023B2 (en) * 2005-08-24 2012-10-09 Inner Loc, LLC Internal locking apparatus and methods for making and using same
JP4302121B2 (ja) * 2006-05-18 2009-07-22 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示素子およびその検査方法
CN101443700B (zh) * 2006-07-31 2011-05-04 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示装置、和有源矩阵基板的检查方法
WO2008062575A1 (fr) * 2006-11-21 2008-05-29 Sharp Kabushiki Kaisha Substrat de matrice actif, panneau d'affichage et affichage
JP2009103872A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Sharp Corp アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置、並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
CN101965606B (zh) * 2008-03-14 2012-12-05 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示装置、有源矩阵基板的检查方法和显示装置的检查方法
EP2587473A4 (en) * 2010-06-28 2015-03-04 Sharp Kk ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR TESTING THE ACTIVE MATRIX SUBSTRATE OR DISPLAY DEVICE
CN104380367B (zh) * 2012-07-20 2017-03-08 夏普株式会社 显示装置
US9536905B2 (en) * 2012-11-08 2017-01-03 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device using same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW546514B (en) * 1999-07-17 2003-08-11 Caesar Technology Inc Liquid crystal display module structure
TW581917B (en) * 2000-06-28 2004-04-01 Hitachi Ltd The touch panel, method for manufacturing the same, and screen input type display unit using the same
US20130153941A1 (en) * 2010-09-02 2013-06-20 Osamu Sasaki Semiconductor device, semiconductor device unit, active matrix substrate, liquid crystal panel, and liquid crystal display
TW201337421A (zh) * 2012-02-15 2013-09-16 Sharp Kk 液晶顯示器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015178334A1 (ja) 2015-11-26
CN106165005A (zh) 2016-11-23
US9869913B2 (en) 2018-01-16
CN106165005B (zh) 2018-12-04
JPWO2015178334A1 (ja) 2017-04-20
US20170123249A1 (en) 2017-05-04
TW201602982A (zh) 2016-01-16
JP6324499B2 (ja) 2018-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI585728B (zh) Active matrix substrate and display device
US10175818B2 (en) Display device
US10466522B2 (en) Display device
TWI408471B (zh) 顯示裝置
JP5659708B2 (ja) 液晶表示パネル、及び液晶表示装置
TWI437335B (zh) 顯示裝置
US10698545B2 (en) Display device with position input function
US9778526B2 (en) Display panel and pixel array thereof
US10964284B2 (en) Electronic component board and display panel
KR102101028B1 (ko) 표시장치
KR20140147932A (ko) 액정 디스플레이 장치와 이의 구동방법
US10551682B2 (en) Display device
US10622384B2 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display
CN107678590B (zh) 一种触控显示面板及其驱动方法
KR20120012741A (ko) 액정표시장치
US9780125B2 (en) Transistor substrate and display device
TW201905565A (zh) 陣列基板與顯示面板
WO2014073485A1 (ja) アクティブマトリクス基板、及び表示装置
CN111948859A (zh) 显示基板以及显示装置
KR102050384B1 (ko) 협 베젤 구조를 갖는 평판 표시 패널
JP2017075982A (ja) 表示装置
US11710748B2 (en) Array substrate and touch panel and manufacturing method of array substrate
KR102676673B1 (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20170094530A (ko) 액정표시장치
JP2011128335A (ja) 液晶装置および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees