TWI585658B - 觸摸屏觸摸點之檢測方法 - Google Patents

Description

觸摸屏觸摸點之檢測方法

本發明涉及一種觸摸屏觸摸點之檢測方法，尤其涉及一種基於表面電容式觸摸屏觸摸點之檢測方法。

近年來，伴隨著移動電話與觸摸導航系統等各種電子設備的高性能化和多樣化的發展，在液晶等顯示設備的前面安裝透光性的觸摸屏的電子設備逐步增加。這樣的電子設備的使用者通過觸摸屏，一邊對位於觸摸屏背面的顯示設備的顯示內容進行視覺確認，一邊利用手指或筆等方式按壓觸摸屏來進行操作。由此，可以操作電子設備的各種功能。

按照觸摸屏的工作原理和傳輸介質的不同，先前的觸摸屏分為四種類型，分別為電阻式、電容式、紅外線式以及表面聲波式。其中電容式觸摸屏因敏感度較高、所需觸碰力度較小而應用較為廣泛。

在先前的電容式觸摸屏中，在觸摸屏的阻抗各向異性的導電膜相對的兩個側邊設置多個電極。然後採用驅動電路逐一掃描所述多個電極的方法，計算觸摸屏上觸摸點的位置。然而上述方法，由於必須要掃描所有的電極，從而使得感測觸摸點的時間較長，使得觸摸屏的回應時間較慢。另外，由於觸摸點與電極之間的電阻較大，從而使得觸摸的精度還需要提高。

有鑒於此，提供一種可實現精確檢測觸摸屏觸摸點之檢測方法實為必要。

一種觸摸屏觸摸點之檢測方法，該觸摸屏具有阻抗異向性的導電膜，該導電膜的低阻抗方向垂直於該導電膜的高阻抗方向，沿所述低阻抗方向設置有多個驅動電極對，每個驅動電極對包括至少一個第一驅動電極和至少一個第二驅動電極相對設置於所述導電膜的兩個相對側邊，檢測方法包括以下步驟：沿所述導電膜高阻抗方向，掃描所述多個驅動電極對，獲得一電訊號曲線，通過該電訊號曲線判斷觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標；感測觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標附近的多個第一驅動電極與所述觸摸點之間的第一電訊號；感測觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標附近的多個第二驅動電極與所述觸摸點之間的第二電訊號；以及通過所述第一電訊號以及所述第二電訊號之間的比值判斷觸摸點在低阻抗方向的座標。

一種觸摸屏觸摸點之檢測方法，所述觸摸屏包括:一基板；設置於該基板上的一導電膜，該導電膜具有阻抗異向性以定義出相互垂直的一低阻抗方向和一高阻抗方向，沿該導電膜低阻抗方向的相對兩側分別為第一側邊和第二側邊；沿該第一側邊設置的多個相互間隔的第一驅動電極，和沿該第二側邊設置的多個相互間隔的第二驅動電極，該多個第一驅動電極和多個第二驅動電極分別與該導電膜電連接，所述多個第一驅動電極和所述多個第二驅動電極彼此對齊，從而形成多個驅動電極對，每個驅動電極對由一個第一驅動電極和與其相對的一個第二驅動電極組成,該方法包括以下步驟：由驅動電路向所述每個驅動電極對輸入一脈衝訊號，並通過感測電路分別讀取每個驅動電極對所檢測到的電阻值R_n和電容值C的乘積，即R_nC值，從而類比出由該多個R_nC值構成的曲線，通過該曲線判斷所述觸摸點在上述導電膜的高阻抗方向上的座標X；在座標X附近取多個第一驅動電極，該多個第一驅動電極與觸摸點之間的導電膜的電阻值為R_1s，由所述驅動電路向所述多個第一驅動電極同時輸入一脈衝訊號，並通過所述感測電路讀取多個第一驅動電極所檢測到的電阻值R_1s和電容值C的乘積，即R_1sC值；在座標X附近取多個第二驅動電極，該多個第二驅動電極與觸摸點之間的導電膜的電阻值為R_2s，由所述驅動電路向所述多個第二驅動電極同時輸入一脈衝訊號，並通過所述感測電路讀取多個第二驅動電極所檢測到的電阻值R_2s和電容值C的乘積，即R_2sC值；通過所述R_1sC和R_2sC的值判斷上述觸摸點在上述導電膜的低阻抗方向上的座標。

與先前技術比較，本發明的觸摸屏觸摸點之檢測方法採用的導電膜具有阻抗異向性，且所述多個第一驅動電極和多個第二驅動電極設置於所述導電膜沿低阻抗方向的兩側形成多個驅動電極對，從而使得在檢測觸摸點時，可以成對檢測觸摸點與每個驅動電極對之間的訊號，由於採用電極對的掃描方式，使得掃描的次數減少，從而提高了觸摸屏的回應時間。由於驅動電極對與感測點之間的導電膜的電阻較小，從而使得R_2sC的值也較小，這樣就提高了判斷各觸摸點的準確度，從而使檢測觸摸點的具體位置時比較精確。

以下將結合附圖詳細說明本發明實施例的觸摸屏觸摸點位置的檢測方法。

本發明第一實施例提供一種用於檢測觸摸屏上的觸摸點位置的檢測方法。請參閱圖1，其中，該觸摸屏10包括一基板102；設置於該基板102上的一具有阻抗異向性的導電膜104，該導電膜104沿其表面具有根據阻抗異向性定義出相互垂直的一低阻抗方向D和一高阻抗方向H；沿該導電膜104的低阻抗方向D相對的兩側邊分別為第一側邊111和第二側邊112；以及沿該第一側邊111設置的多個相互間隔的第一驅動電極106，沿該第二側邊112設置的多個相互間隔的第二驅動電極108，該多個第一驅動電極106和多個第二驅動電極108分別與該導電膜104電連接。所述一個第一驅動電極106和一個相對的第二驅動電極108形成一個驅動電極對100，進而形成多個驅動電極對100於所述導電膜104相對的第一側邊111和第二側邊。沿著上述低阻抗方向D和高阻抗方向H建立一個坐標系，沿低阻抗方向D為Y軸，沿高阻抗方向H為X軸。

請一併參閱圖2，所述觸摸屏10進一步包括一驅動電路120和一感測電路130。所述驅動電路120和感測電路130與所述第一驅動電極106和第二驅動電極108電連接。所述驅動電路120和感測電路130可以通過導線以及多個開關實現於所述多個第一驅動電極106和多個第二驅動電極108的電導通，或者電斷開，用於檢測觸摸屏10的導電膜104上觸摸點T的位置。

所述驅動電路120包括一充電電路122及一用以控制充電電路122的第一開關124。所述充電電路122通過所述第一開關124選擇性的與所述第一驅動電極106或第二驅動電極108電導通。所述充電電路122可連接至一電壓源（圖未示）。所述感測電路130包括一存儲電路1320、一讀取電路134及一用於控制存儲電路1320與讀取電路134的第二開關136。所述存儲電路1320與所述讀取電路134並聯，並通過所述第二開關136與所述第一驅動電極106或第二驅動電極108串聯。所述驅動電路120和所述感測電路130相互並聯。所述存儲電路1320可進一步串聯一電阻（圖未示），該存儲電路1320通過該電阻接地。

請一併參閱圖2及圖3，當該觸摸屏10在被一觸摸導體觸碰時，該觸摸屏10的觸摸點T在導電膜104的對應位置與該觸摸導體形成電容值為C的耦合電容114(如圖3所示)。該觸摸點T在導電膜104的對應位置與所述各個第一驅動電極106之間的導電膜104的電阻值分別為R₁₁, R₁₂, …R_1n(n=1,2,3…)；該觸摸點T在導電膜104的對應位置與所述各個第二驅動電極108之間的導電膜104的電阻值分別為R₂₁, R₂₂,…R_2n(n=1,2,3…)；該觸摸點T在導電膜104的對應位置與所述驅動電極對100的電阻值分別為R₁, R₂,…R_n(n=1,2,3…)；其中R_n與R_1n，R_2n的關係可以通過公式1/R_1n+1/R_2n=1/R_n表示，上面公式中的n代表了電極的數目。

請參閱圖3，當所述導體觸碰所述觸摸屏10時，所述觸摸點T在導電膜104的對應位置與一第一驅動電極106（或一第二驅動電極108）之間的導電膜104及該耦合電容114便組成了一電路。由於所述各個第一驅動電極106的位置不同，因此所述觸摸點T在導電膜104的對應位置與各個第一驅動電極106之間的導電膜104的電阻值R_1n也不同。同理，所述各個第二驅動電極108與所述觸摸點T在導電膜104的對應位置之間的導電膜104的電阻值R_2n也不同。此外，由於所述導電膜104具有阻抗異向性，因此，觸摸點T在導電膜104的對應位置與距離該觸摸點T最近的第一驅動電極106之間的導電膜104的電阻值R_1n小於該觸摸點T在導電膜104的對應位置與其他第一驅動電極106之間的導電膜104的電阻值R_1n。同理，該觸摸點T在導電膜104的對應位置與距離該觸摸點T最近的第二驅動電極108的電阻值R_2n小於該觸摸點T在導電膜104的對應位置與其他第二驅動電極108之間的導電膜104的電阻值R_2n。因此，可通過各第一驅動電極106檢測導電膜104的R_1nC值，或通過各第二驅動電極108檢測導電膜104的R_2nC值，從而判斷觸摸點T在高阻抗方向H的座標，並通過比較該R_1nC及R_2nC值，判斷觸摸點T在低阻抗方向D的座標，由此得出觸摸點在觸摸屏10上的具體位置。

所述基板102由透明材料組成，該透明材料可為聚乙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸二乙酯、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、石英或金剛石等。

該導電膜104為導電異向性膜。具體地，該導電膜104沿所述低阻抗方向D的電導率遠大於其他方向的電導率，在高阻抗方向H的電導率遠小於其他方向的電導率，該低阻抗方向D與高阻抗方向H垂直。本實施例中，所述導電膜104由至少一層奈米碳管膜組成，該奈米碳管膜通過拉取一奈米碳管陣列直接獲得。該奈米碳管膜中的大部分奈米碳管首尾相連地沿同一個方向擇優取向延伸，且為一自支撐結構，所述自支撐指奈米碳管膜不需要大面積的載體支撐，而只要相對兩邊提供支撐力即能整體上懸空而保持自身膜狀狀態。所述自支撐主要通過奈米碳管膜中存在連續的通過范德華力首尾相連延伸排列的奈米碳管而實現。由於奈米碳管沿其軸向具有好的導電性，且上述奈米碳管膜中的大部分奈米碳管沿同一方向擇優取向延伸，因此，該奈米碳管膜整體具有阻抗異向性，本實施例中，奈米碳管膜中沿奈米碳管延伸的方向為低阻抗方向D，而垂直於該奈米碳管延伸的方向為高阻抗方向H。此外，所述奈米碳管膜中基本朝同一方向延伸的大多數奈米碳管中每一奈米碳管與在延伸方向上相鄰的奈米碳管通過范德華力首尾相連，且所述奈米碳管膜中也存在少數隨機排列的奈米碳管，這些隨機排列的奈米碳管會與相鄰的其他奈米碳管相互接觸，從而使得該奈米碳管膜在高阻抗方向H仍具有導電性，相較於其他方向，該奈米碳管膜在該高阻抗方向H的電阻較大，電導率較低。

該奈米碳管拉膜的製備方法請參見范守善等人於民國96年2月12日申請的，於民國97年8月16日公開的第96105016號台灣公開專利申請“奈米碳管膜結構及其製備方法”，申請人：鴻海精密工業股份有限公司。為節省篇幅，僅引用於此，上述申請所有技術揭露也應視為本發明申請技術揭露的一部分。

所述驅動電極對100的第一驅動電極106與其相對的第二驅動電極108的連線可以與所述低阻抗方向平行，也可以不平行。平行係指驅動電極對100的第一驅動電極106同與其相對的第二驅動電極108在低阻抗方向D上對齊，不平行係指驅動電極對100的第一驅動電極106同與其相對的第二驅動電極108在低阻抗方向D上錯開。本實施例中，所述多個第一驅動電極106與所述多個第二驅動電極108一一相對設置，並且每個驅動電極對100中，第一驅動電極106與其相對的第二驅動電極108的連線與所述低阻抗D方向平行。

所述多個第一驅動電極106或多個第二驅動電極108均由導電材料形成，可選擇為金屬、導電聚合物、導電漿料、導電膠、金屬性奈米碳管、銦錫氧化物等。該第一驅動電極106或第二驅動電極108的形狀和結構不限，可選擇為層狀、條狀、塊狀、棒狀或其他形狀。本實施例中，該第一驅動電極106和第二驅動電極108均為條狀印刷銀電極。該相鄰兩個第一驅動電極106或相鄰兩個第二驅動電極108的間距應適中，該間距優選為3毫米~5毫米。該每個第一驅動電極106或第二驅動電極108的長度方向可為平行於所述導電膜104的高阻抗方向H，該長度不能太長，太長也容易使檢測所述觸摸點的位置時不精確，優選為1毫米~5毫米。該第一驅動電極106和第二驅動電極108的數量不限，依據所述導電膜104的面積大小確定。本實施例中，該第一驅動電極106和第二驅動電極108的數量均為6個，每個第一驅動電極106或第二驅動電極108的長度為1毫米，且該相鄰兩個第一驅動電極106或第二驅動電極108的間距為3毫米。

進一步地，所述觸摸屏10的導電膜104上可設置一透明保護膜110，該透明保護膜110可由氮化矽、氧化矽、苯丙環丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸樹脂等材料形成。該透明保護膜110也可採用一層表面硬化處理、光滑防刮的塑膠層，如聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜，用於保護導電膜104，提高耐用性。該透明保護膜110還可用於提供一些其他的附加功能，如可以減少眩光或降低反射。

進一步地，為使所述導電膜104與所述基板102和所述透明保護膜110貼合的更加牢固，所述導電膜104和所述基板102之間，及所述導電膜104和所述透明保護膜110之間可設置一黏膠層（圖未示），該黏膠層的材料可以為OCA光學膠或UV膠等。

請結合圖2、3，並參見圖4，觸摸屏10的觸摸點T位置的檢測方法包括以下步驟：

步驟S1：沿高阻抗方向H掃描所述電極對100，獲得電訊號曲線，通過上述電訊號曲線判斷觸摸點T在高阻抗方向H的座標X；

步驟S2：在座標X附近取多個第一驅動電極106，掃描所述多個第一驅動電極106，獲得第一電訊號數值；

步驟S3：在座標X附近取多個第二驅動電極108，掃描所述多個第二驅動電極108，獲得第二電訊號數值；以及

步驟S4：通過上述第一電訊號數值與第二電訊號數值判斷所述摸點T在上述導電膜的低阻抗方向D上的座標Y。

步驟S1中，所述掃描電極對100的方法可以由所述驅動電路120以及感測電路130實現，其具體包括：

步驟S11：通過所述驅動電路120向所述每個驅動電極對100輸入一脈衝訊號；

步驟S12：通過所述感測電路130分別讀取每個驅動電極對100所檢測到的電阻值R_n和電容值C的乘積，即R_nC值，從而類比出由該多個R_nC值所構成的R_nC曲線；以及

步驟S13：通過該R_nC曲線判斷所述觸摸點T在上述導電膜104高阻抗方向H上的座標X。

類比出由多個R_nC值所構成的電訊號曲線的過程可逐一通過所述多個驅動電極對100檢測的方法實現，或同時通過所述多個驅動電極對100檢測的方法實現，即所述脈衝訊號可逐一輸入或同時輸入所述多個驅動電極對100。當脈衝訊號逐一輸入所述多個驅動電極對100時，其他未輸入脈衝訊號的驅動電極對100被接地(V_ss)，或者浮置（floating），還可以接器件內部的工作電壓(V_dd)。此外，在脈衝訊號逐一或同時輸入所述多個多個驅動電極對100時，剩餘的多個驅動電極對100可全部被接地，或者也逐一或同時被輸入脈衝訊號。

步驟S11中，所述脈衝訊號的輸入通過控制第一開關124和第二開關136而實現。具體地，該第一開關124和第二開關136會交替地一者被導通，而另一者被斷開，從而形成該脈衝訊號。

請參見圖5，圖中V代表驅動電路120輸入所述導電膜104的電壓，V_C代表所述耦合電容114的電壓。其中，所述第一開關124和第二開關136被導通的時間分別為T₁和T₂，在時間T₁中，第一開關124被導通，而第二開關136被斷開，在時間T₂中，第一開關124被斷開，而第二開關136被導通。進一步地，時間T₁可大於或等於時間T₂，優選為時間T₁大於時間T₂。

在上述第一開關124和第二開關136交替地一者被導通，而另一者被斷開時，充電電路122及存儲電路1320會交替地對該耦合電容114進行充電和放電，即在上述時間T₁中，充電電路122會通過所述驅動電極對100向所述導電膜104輸入一具體的電壓V₀，即V=V₀，以對該耦合電容114進行充電，而在上述時間T₂中，該耦合電容114便開始放電至所述存儲電路1320，相應地，該存儲電路1320的電壓也會發生變化。

在上述時間T₁中，所述耦合電容114先經過t₁時間的暫態之後才逐漸被充滿，從而進入穩態。即在t₁時間內，所述耦合電容114的電壓V_C逐漸上升，而經過t₁時間之後，其電壓V_C趨於恒定，所輸入的電壓V₀則全部在所述耦合電容114上，即此時V_C=V₀。同理，在T₂時間中，所述耦合電容114也會先經過暫態t₁時間的暫態之後才逐漸被放電完畢。在上述耦合電容114在充電或放電時處於暫態的過程中，所述存儲電路1320中的電阻的電壓也會相應發生改變。

在步驟S12中，所述暫態t₁時間內的某個時間點，所述讀取電路134通過檢測所述存儲電路1320中的電阻在暫態時的電壓即可換算出耦合電容114處於暫態時的R_nC值，該換算過程所採用的公式具體為：，式中t代表耦合電容114在處於暫態的過程中，耦合電容114兩端的電壓從零升到V_C所用的時間。因此，當脈衝訊號分別輸入每個驅動電極對100時，與每個第一驅動電極106相連的讀取電路134均能分別計算出上述耦合電容114充電或放電過程中暫態時的一個R_nC值，從而可類比出所述電訊號曲線，即R_nC值的變化曲線，通過該R_nC值的變化曲線便可檢測出該觸摸點在導電膜104高阻抗方向H上的座標X。

請參見圖3，感測時，所述第一驅動電極106和與其相對的第二驅動電極108電連接後，再連接驅動電路120和感測電路130。相應的等效電路為一個第一驅動電極106和與其相對的第二驅動電極108並聯後再與驅動電路120和感測電路130電連接，該觸摸點T在導電膜104的對應位置與所述驅動電極對100的電阻值為R_n。根據並聯電阻的公式1/R_1n+1/R_2n=1/R_n，兩個電阻並聯後的電阻小於其中的任何一個電阻，因此R_nC的值一定小於R_1nC及R_2nC值，所以通過逐一順次感測多個驅動電極對100感測沿高阻抗方向H上的X座標值的方法將更精確。

另外，可以理解的係本實施例中的驅動電極對100，並不局限於由一個第一驅動電極106和一個第二驅動電極108組成，還可以由一個第一驅動電極106和兩個第二驅動電極108組成，或者由兩個第一驅動電極106和兩個第二驅動電極108組成。換句話說，可以這樣來定義本案中的驅動電極對100，從所述導電膜104的第一側邊111取至少一個第一驅動電極106，從所述導電膜104的第二側邊112取至少一個第二驅動電極108，從而組成一個驅動電極對100。檢測時，通過逐一感測多個驅動電極對100與觸摸點T之間的電訊號，並利用內插法求的所述觸摸點T沿高阻抗方向H上的X座標值。

以下將分別介紹該觸摸屏10僅有一處或多處被觸摸時，即單點觸摸或多點觸摸時，各觸摸點的座標X的具體檢測過程。

單點觸摸檢測

請參閱6至圖9，以下將詳細介紹當觸摸屏10被單點觸摸時，通過電訊號曲線，即R_nC值的變化曲線檢測不同時刻產生的不同觸摸點І~V在導電膜104的高阻抗方向H上的座標值的過程。

以便於描述，可將所述多個第一驅動電極106依次編號為M₁、M₂、M₃、M₄、M₅、M₆，該多個第二驅動電極108依次編號為N₁，N₂，N₃，N₄，N₅，N₆。該多個第一驅動電極106在高阻抗方向H的座標依次為X₁、X₂、X₃、X₄、X₅、X₆，且由於所述多個第二驅動電極108與所述多個第一驅動電極106一一相對，因此，該彼此相對的第二驅動電極108與第一驅動電極106在高阻抗方向H的座標也相同，即該多個第二驅動電極108在高阻抗方向H的座標也為X₁、X₂、X₃、X₄、X₅、X₆。可以理解，由於每一個驅動電極對100由一個第一驅動電極106和與其相對的第二驅動電極108組成，所以多個驅動電極對100在高阻抗方向H的座標也為X₁、X₂、X₃、X₄、X₅、X₆。以下在描述各個第一驅動電極106或各個第二驅動電極108，或驅動電極對100時，將分別用其各自的編號替代。且以下R_nC值中的n=1，2…6，且R₁C值通過M₁與N₁檢測出，R₂C值通過M₂與N₂檢測出，R₃C值通過M₃與N₃檢測出，R₄C值通過M₄與N₄檢測出，R₅C值通過M₅與N₅檢測出，R₆C值通過M₆與N₆檢測出。

圖6中，所述觸摸點I~III依次沿導電膜104的低阻抗方向D排列，且對準M₄，其中觸摸點II位於導電膜104沿低阻抗方向D的直線的中間位置，觸摸點I和觸摸點III相對於位置II對稱。

圖7中，觸摸點IV位於觸摸點І~III所在直線的靠近電極M₅的一側，觸摸點IV與M₄沿低阻抗方向D所在直線的垂直距離小於觸摸點IV與M₅沿低阻抗方向D所在直線的垂直距離。

圖8中，觸摸點V相對於觸摸點IV更靠近M₅，且觸摸點V與M₄沿低阻抗方向D所在直線的垂直距離等於觸摸點V與M₅沿低阻抗方向D所在直線的垂直距離相等，且觸摸點V與第一側邊111的距離小於與第二側邊112的距離。

（1）對觸摸點I~III的檢測

請參閱圖6，電訊號曲線310所表示當觸摸點I被觸摸時，與所述多個第一驅動電極106電連接的讀取電路134所讀取出的R_nC值變化曲線。從圖6中可以看出，與觸摸點I相對的M₄所檢測到的R₄C值最小，處於整個曲線310的波谷處，而與M₄相鄰的M₅和M₃所檢測到的兩個R₅C、R₃C值相等且遠大於M₄所檢測到的R₄C值，而其他離觸摸點I的距離越遠的驅動電極對100所檢測的R_nC值越大，且隨著距離的增大，波動幅度減小，同時，整個R_nC值變化曲線的波形相對於波谷所在的沿低阻抗方向D的直線對稱。這主要係因為觸摸點I正對M₄，因此具有最小的電阻R₄,因此，根據此波型可直接判斷出該觸摸點I在高阻抗方向H的座標為X₄。另外，該觸摸點I在高阻抗方向H的座標，也可經過內插法計算，具體公式如下：

，，或

，優選為採用公式計算。

上述各公式中的ΔR_nC=R_kC-R_nC，其中n=1,2,…6，R_kC指上述第一驅動電極檢測出的最大R_nC值，從圖5可以看出，當觸摸點I被觸摸時，R_kC值為R₁C。

圖6中電訊號曲線320和電訊號曲線330分別為觸摸點II和觸摸點III被觸摸時，與各個驅動電極對100電連接的讀取電路134所讀取出的R_nC值變化曲線。由圖6可見所述電訊號曲線320和電訊號曲線330的變化趨勢相似於電訊號曲線310，且當觸摸點II或III被觸摸時，相同的驅動電極對100所檢測出的R_nC值略大於觸摸點I被觸摸時所讀取出的R_nC值，這係因為觸摸點II或III與各個驅動電極對100之間的導電膜104的電阻值R_n大於觸摸點I與各個驅動電極對100之間的導電膜104的電阻值R_1n，該觸摸點在高阻抗方向H的座標也可通過上述公式計算。

因此，通過上述分析可知，檢測電訊號曲線中三個最小的R_nC值所對應的驅動電極對100在高阻抗方向H的座標，若其中有兩個R_nC值相同，且該兩個相等的R_nC值所對應的兩個驅動電極對100相對於另一個驅動電極對100對稱，則該觸摸點在高阻抗方向H的座標即等於該另一個驅動電極對100在高阻抗方向H的座標，該座標可直接讀出，也可通過內插法計算獲得。

（2）對觸摸點IV的檢測

請參閱圖7，電訊號曲線340為觸摸點IV被觸摸時，與各個驅動電極對100連接的讀取電路134所讀取到的R_nC值。由於觸摸點IV位於觸摸點І~III所在直線靠近M₅的一側，且該觸摸點IV與M₄沿低阻抗方向D所在直線的垂直距離小於觸摸點IV與M₅沿低阻抗方向D所在直線的垂直距離，因此，M₄與N₄所檢測到的R₄C值小於M₅與N₅所檢測到的R₅C值，而M₃與N₃所檢測到的R₃C值則略大於M₅與N₅所檢測到R₅C值，而其他驅動電極對100所檢測到的R_nC值則遠大於該M₃與N₃、M₄與N₄、及M₅與N₅所檢測到的R_nC(n=3,4,5)值，且變化幅度減小。因此，通過該R_nC值變化曲線可推測該觸摸點IV位於M₄與M₅所在沿低阻抗方向D的兩直線之間，且靠近M₄。為更進一步判斷觸摸點IV在導電膜104高阻抗方向H的座標，可至少將檢測到的R₄C和R₅C值與M₄與M₅所對應的在高阻抗方向H的座標X₄和X₅以內插法計算獲得觸摸點IV在高阻抗方向H的座標X_IV。具體的計算公式可為：

，

此外，由於所述M₁與N₁、M₂與N₂所檢測的R₁C值、R₂C值，與M₆和N₆所檢測出的R₆C值均大於其他驅動電極對100(M_n與N_n)所檢測出的R_nC值，且變化幅度很小，因此也可計算觸摸點IV在高阻抗方向H的座標通過下列公式：

，或，

優選為採用公式計算。

上述各公式中的ΔR_nC=R_kC-R_nC，其中n=1,2,…6，R_kC指上述驅動電極對100檢測出的最大R_nC值，從圖6可以看出，當觸摸點IV被觸摸時，R_kC值為R₁C。

（3）對觸摸點V的檢測

請參閱圖8，電訊號曲線350為當觸摸點V被觸摸時，各個驅動電極對100所檢測到的R_nC值。由於觸摸點V與M₄沿低阻抗方向D所在直線的垂直距離，與觸摸點V與M₅沿低阻抗方向D所在直線的垂直距離相等，因此，通過M₄與N₄所檢測到的R₄C值，與通過M₅與N₄所檢測到的R₅C值相同，而R₃C和R₆C值也相同，且大於的R₄C值和R₅C值。因此，通過該R_nC值變化曲線可判斷出所述觸摸點V位於M₄與M₅連線的中軸線上，從而可定位出觸摸點V在高阻抗方向H的座標。另外，也可通過公式計算如下：

，，，

或。

上述各公式中的ΔR_nC=R_kC-R_nC，其中n=1,2,…6。R_kC指上述第一驅動電極檢測出的最大R_nC值，從圖7可以看出，當觸摸點I被觸摸時，R_kC值最大為R₁C。

通過上述對觸摸點І~V的檢測分析可知，判斷單點觸摸時，若無法通過電訊號曲線直接判斷出所述觸摸點在高阻抗方向H的座標，可通過以下次步驟：

第一，檢測出所述曲線，即不同驅動電極對100所檢測出的R_nC值變化曲線，從而找到各驅動電極對100所檢測出的最大值R_kC；

第二，找到該曲線中的波谷位置，至少檢測出該波谷位置的R_nC值（最小R_xC值）及與該最小R_xC值相鄰的次小R_yC值，將最小R_xC值與次小R_yC值所對應的兩個驅動電極對100在高阻抗方向H的座標與該R_xC值與R_yC值通過內插法計算獲得所述觸摸點在高阻抗方向H的座標。

該內插法的計算通式為：，該公式中，ΔR_xC=R_kC-R_xC，ΔR_yC=R_kC-R_yC，X_X代表檢測出R_xC值的驅動電極對100對應的沿高阻抗方向H的座標，X_Y代表檢測出R_yC值的驅動電極對100的座標。

此外，通過上述電訊號曲線可直接檢測出的所述觸摸點在高阻抗方向H的座標也可通過內插法計算。具體為，當該曲線中的最小R_xC值和次小R_yC值相等時，則可通過該最小R_xC值和次小R_yC值與檢測出該最小R_xC值和次小R_yC值的兩個驅動電極對100在高阻抗方向H的座標通過內插法計算以得到所述觸摸點的座標，公式為；當該電訊號曲線中的最小R_xC值和次小R_yC值不相等時，則要檢測出該電訊號曲線中的次次小的R_zC值，若該次次小R_zC值和次小R_yC值相等，則將該至少次次小R_zC值和次小R_yC值與檢測出該次次小R_zC值和次小R_yC值的兩個驅動電極對100在高阻抗方向H的座標通過內插法計算以獲得觸摸點在高阻抗方向H的座標。該兩種觸摸點高阻抗方向H的座標通過內插法計算的公式具體可為：，其中，此時R_zC值與R_yC值相等,式中ΔR_zC=R_kC-R_zC。

此外，上述幾種類型的觸摸點在高阻抗方向H的座標均可通過僅檢測出三個最小的R_nC值，並直接將該三個最小的R_nC值與所對應的三個驅動電極對100在高阻抗方向H的座標通過內插法計算獲得所述觸摸點在高阻抗方向H的座標，具體公式為：，其中，R_ZC值代表各第一驅動電極106所檢測出的次次小R_nC值，X_Z代表檢測出該次次小R_nC值的第一驅動電極106的座標，其中R_xC值與R_yC值可相同或不同；或者直接將電訊號曲線中的所述多個第一驅動電極106所檢測出的R_1nC值與該多個第一驅動電極106在高阻抗方向H的座標通過內插法計算獲得所述觸摸點在高阻抗方向H的座標。該內插法的計算公式為，式中E為驅動電極對100的總數。

多點觸摸檢測方法

當如圖9所示的觸摸點VI和VII同時被觸摸時，通過所述驅動電路120依次向所述多個驅動電極對100輸入脈衝訊號，所述各個感測電路130便可讀取出多個R_nC值，從而便形成如圖9所示的電訊號曲線360，即R_nC值變化曲線。可以發現，該電訊號曲線360不同於上述單點觸摸時所模擬出的R_nC值變化曲線，該電訊號曲線360中出現兩個波谷A、B，即兩個最小R_AC及R_BC值。而除該兩個最小R_AC及R_BC值之外，其他驅動電極對100所檢測出的R_nC值均很大，且變化幅度減小。因此，與上述檢測單個觸摸點的沿高阻抗方向H的座標相同，分別檢測該R_AC值及R_BC值所對應的相鄰兩個驅動電極對100所檢測到的R_(A+1)C值，R_(A-1)C值，R_(B+1)C值，及R_(B-1)C值。如圖9中波谷A所對應的M₁與N₁、M₂與N₂、以及M₃和N₃所檢測出的R₁C值、R₂C值和R₃C，波谷B所對應的M₄與N₄、M₅與N₅、以及M₆和N₆所檢測出的R₄C值、R₅C值和R₆C值，之後再將該每個波谷處所對應的三個最小的R_nC值與檢測出該三個最小的R_nC值的三個驅動電極對100在高阻抗方向H上的座標通過內插法計算出該觸摸點VI和VII在高阻抗方向H上的具體座標，該具體的公式與上述檢測單點觸摸時的方法相同，在此不再贅述。

通過上述對觸摸點VI和VII的檢測分析可知，若所述多個觸摸點不能直接檢測出，則要判斷多點觸摸時觸摸點在導電膜104的高阻抗方向H的座標，可包括以下次步驟：

第一，檢測出所述電訊號曲線，即不同驅動電極對100所檢測出的R_nC值變化曲線；

第二，找到該電訊號曲線中的多個波谷位置，至少檢測出該多個波谷位置的R_nC值（最小R_x1C，R_x2C，…R_xmC值）及與該多個最小R_x1C，R_x2C，…R_xmC值相鄰的次小R_y1C，R_y2, …R_ym值，分別將R_xmC值與R_ymC值所對應的兩個多個驅動電極對100在高阻抗方向H的座標與該R_xmC值與R_ymC值通過內插法計算獲得所述多個觸摸點在高阻抗方向H的座標。

可見，由於所述導電膜104具有阻抗異向性，且所述多個驅動電極對100的第一驅動電極106和第二驅動電極108分別設置於所述導電膜104沿低阻抗方向D的兩側，從而使得在檢測觸摸點時，該觸摸點與其最近的驅動電極對100之間的導電膜104的電阻值R_n遠小於該觸摸點與其他驅動電極對100之間的導電膜104的電阻值R_n，從而使的相鄰兩個驅動電極對100所檢測出的R_nC值大小也相差很大，這一特點不僅提高了判斷各觸摸點的準確度，也使得當該觸摸屏10被多點觸摸時，該多個觸摸點互相之間的檢測干擾很小，易於定位。

通過步驟S1確定了觸摸點T沿高阻抗方向H上的座標X值後可以進行步驟S2。請參閱圖10，步驟S2中，所述在座標X附近取多個第一驅動電極106，感測所述多個第一驅動電極106，獲得第一電訊號數值的步驟具體包括：

步驟S21：在座標X附近取多個第一驅動電極106，該多個第一驅動電極106與觸摸點T的電阻值為R_1s，由所述驅動電路120向所述多個第一驅動電極106同時輸入一脈衝訊號；以及

步驟S22：通過所述感測電路130讀取多個第一驅動電極106所檢測到的電阻值R_1s和電容值C的乘積，即R_1sC值，也就係第一電訊號的數值。

具體地，步驟S21中，可以在該觸摸點T附近的一個第一驅動電極106的附近取多個第一驅動電極106，將該多個第一驅動電極106電連接後直接與上述驅動電路120和感測電路130電連接。

該多個第一驅動電極106與觸摸點T之間的等效電路如圖11所示，本實施例中，以三個第一驅動電極106為例。觸摸點T與三個第一驅動電極106之間的導電膜104的電阻為R_1s，滿足以下關係1/R_1s=1/R_1n-1+1/R_1n+1/R_1n+1，其中，R_1n、R_1n-1、R_1n+1分別對應上述三個第一驅動電極106與觸摸點T之間的導電膜104的電阻，因此，可以通過上述驅動電路120和感測電路130感測出R_1sC的值。

請參閱圖12以及圖13，步驟S3採用的方法與步驟S2完全相同,具體包括:

步驟S31：在座標X附近取多個第二驅動電極108，該多個第二驅動電極108與觸摸點T的電阻值為R_2s，由所述驅動電路120向所述多個第二驅動電極108同時輸入一脈衝訊號；以及

步驟S32：通過所述感測電路130讀取多個第二驅動電極108所檢測到的電阻值R_2s和電容值C的乘積，即R_2sC值。

所述R_2sC值為第二電訊號的數值。觸摸點T與三個第二驅動電極108之間的導電膜104的電阻為R_2s，滿足以下關係1/R_2s=1/R_2n-1+1/R_2n+1/R_2n+1，其中，R_2n、R_2n-1、R_2n+1分別對應上述三個第二驅動電極108與觸摸點T之間的導電膜104的電阻。可以通過上述驅動電路120和感測電路130感測出R_2sC的值。

步驟S4在步驟S2和步驟S3的基礎上，可以通過所述R_1sC和R_2sC的比值判斷上述觸摸點T在上述導電膜104的低阻抗方向D上的座標。

由於所述觸摸點T與第一側邊111或第二側邊112的垂直距離之間的導電膜104的電阻值R_1n或R_2n與觸摸點與第一側邊111或第二側邊112的距離之間的關係基本成正比。根據上述比值即可計算出所述觸摸點與第一側邊111和第二側邊112的距離，從而可定位出所述觸摸點T在低阻抗方向D的座標Y。

具體地講，當觸摸點T與所述第一側邊111的電阻值R_1n較大時，在低阻抗方向D上觸摸點距離所述第一側邊較遠；當觸摸點與所述第一側邊111的電阻值R_1n較小時，在低阻抗方向D上觸摸點距離所述第一側邊較近。因此，步驟四可以直接將步驟二和步驟三中或者的R_1sC與R_2sC相比較從而獲得觸摸點T在低阻抗方向D的座標Y。

另外，請參閱圖9中所示的電訊號曲線360，若同時檢測兩個觸摸點VI和VII或兩個以上觸摸點在低阻抗方向D的座標，也可通過上述檢測單個觸摸點在低阻抗方向D的座標的步驟進行。只需在高阻抗方向H上，分別選定觸摸點VI和VII附近的多個第一驅動電極106和多個第二驅動電極108，通過所述驅動電路120和感測電路130分別測出觸摸點VI和VII和多個第一驅動電極106之間的電訊號，以及觸摸點VI和VII和多個第二驅動電極108之間的電訊號，然後再將這兩個電訊號相比，從而得出觸摸點VI和VII低阻抗方向D的座標，方法與感測一個觸摸點相同，在此也不再重複敍述。

上述步驟S1和步驟S4的檢測過程可同時進行，也可分別進行。可見，通過上述方法可測得單個觸摸點或多個觸摸點在導電膜104低阻抗方向D的座標和高阻抗方向H的座標，從而可獲得該觸摸點的具體位置。

本發明中採用感測觸摸點與第一驅動電極，或者第二驅動電極，或者驅動電極對之間的RC訊號來計算觸摸點的座標，可以理解，本發明提供的方法不限於感測RC訊號,更不局限於本發明的電路。當採用其他電路，感測其他電訊號時，如電壓，只要採用本發明提供的掃描方式，都應該在本發明的保護範圍之內。

本發明提供的觸摸點的檢測方法，所述觸摸點在高阻抗方向H的座標可僅通過該多個驅動電極對100所讀取的R_nC值判斷，從而提高了觸摸點在高阻抗方向H的座標判斷精確度。另外，該觸摸點的低阻抗方向D的座標僅僅通過同時感測觸摸點高阻抗方向H的座標附近的多個第一驅動電極，以及相對應的多個第二驅動電極，僅僅需要感測兩次，就可以獲得低阻抗方向D的座標。相對於先逐一掃描全部第一驅動電極後，再逐一掃描全部第二驅動電極，從而獲得兩個曲線，再判斷低阻抗方向D的座標的方法，本發明的方法更進一步節省了時間，提高了感測效率。另外，在判斷低阻抗方向D的座標時，本發明通過選取高阻抗方向H的座標附近的多個第一驅動電極以及多個第二驅動電極，然後再感測觸摸點與多個第一驅動電極之間的導電膜，以及與多個第二驅動電極之間的導電膜的電訊號，提高了電訊號的精確度，從而更提高了檢測觸摸點在低阻抗方向D的座標的精確度。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

10．．．觸摸屏

102．．．基板

104．．．導電膜

106．．．第一驅動電極

108．．．第二驅動電極

100．．．驅動電極對

110．．．透明保護膜

111．．．第一側邊

112．．．第二側邊

114．．．耦合電容

120．．．驅動電路

122．．．充電電路

124．．．第一開關

130．．．感測電路

1320．．．存儲電路

134．．．讀取電路

136．．．第二開關

310，320，330，340，350，360．．．電訊號曲線

D．．．低阻抗方向

H．．．高阻抗方向

M₁，M₂，M₃，M₄，M₅，M₆．．．第一驅動電極編號

N₁，N₂，N₃，N₄，N₅，N₆．．．第二驅動電極編號

T,I，II，III，IV，V，VI，VII．．．觸摸點

A，B．．．波谷

圖1為本發明實施例提供的觸摸屏的結構示意圖。

圖2為本發明實施例提供的觸摸屏的驅動電路與感測電路為感測一個驅動電極對時的示意圖。

圖3為本發明實施例提供的觸摸屏的驅動電路與感測電路為感測一個驅動電極對時的簡化電路圖。

圖4為本發明實施例提供的觸摸屏的觸摸點的檢測方法的流程圖。

圖5為本發明實施例中脈衝訊號輸入所述觸摸屏時，觸摸點處形成的耦合電容的電壓變化波形圖。

圖6為本發明實施例在分別檢測觸摸屏上觸摸點I~III時，所模擬出的用於計算X軸座標的三個曲線示意圖。

圖7為本發明實施例在檢測觸摸屏上觸摸點IV時，所模擬出的用於計算X軸座標的曲線示意圖。

圖8為本發明實施例在檢測觸摸屏上的觸摸點V時，所模擬出的用於計算X軸座標曲線示意圖。

圖9為本發明實施例在檢測觸摸屏上的兩個觸摸點VI和VII時，所模擬出的用於計算X軸座標曲線示意圖。

圖10為本發明實施例提供的觸摸屏的驅動電路與感測電路同時感測多個第一驅動電極的示意圖。

圖11為本發明實施例提供的觸摸屏的驅動電路與感測電路同時感測多個第一驅動電極的簡化電路圖。

圖12為本發明實施例提供的觸摸屏的驅動電路與感測電路同時感測多個第二驅動電極的示意圖。

圖13為本發明實施例提供的觸摸屏的驅動電路與感測電路同時感測多個第二驅動電極的簡化電路圖。

104．．．導電膜

106．．．第一驅動電極

108．．．第二驅動電極

100．．．驅動電極對

120．．．驅動電路

122．．．充電電路

124．．．第一開關

130．．．感測電路

1320．．．存儲電路

134．．．讀取電路

136．．．第二開關

D．．．低阻抗方向

H．．．高阻抗方向

T．．．觸摸點

Claims (33)

1. 一種觸摸屏觸摸點之檢測方法，該觸摸屏包括有阻抗異向性以定義出相互垂直的一低阻抗方向和一高阻抗方向的導電膜，沿所述低阻抗方向設置有多個驅動電極對，每個驅動電極對包括至少一個第一驅動電極和至少一個第二驅動電極相對設置於所述導電膜的兩個相對側邊，檢測方法包括以下步驟：
   沿所述導電膜高阻抗方向，掃描所述多個驅動電極對，獲得一電訊號曲線，通過該電訊號曲線判斷觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標；
   感測觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標附近的多個第一驅動電極與所述觸摸點之間的第一電訊號；
   感測觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標附近的多個第二驅動電極與所述觸摸點之間的第二電訊號；以及
   通過所述第一電訊號以及所述第二電訊號之間的比值判斷觸摸點在低阻抗方向的座標。
2. 如申請專利範圍第1項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述沿所述導電膜高阻抗方向，掃描所述多個驅動電極對的步驟通過一個驅動電路和感測電路實現，所述驅動電路和感測電路與所述多個第一驅動電極，多個第二驅動電極電導通或斷開。
3. 如申請專利範圍第2項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述沿所述導電膜高阻抗方向，掃描所述多個驅動電極對，獲得一電訊號曲線，判斷觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標的步驟包括以下步驟：
   通過所述驅動電路向所述每個驅動電極對輸入一脈衝訊號；
   通過所述感測電路分別讀取每個驅動電極對所檢測到的電訊號，從而模擬出由所述電訊號在高阻抗方向的電訊號曲線；以及
   通過所述電訊號曲線確定所述觸摸點在上述導電膜高阻抗方向上的座標。
4. 如申請專利範圍第3項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述觸摸點在上述導電膜高阻抗方向上的座標通過內插法判斷。
5. 如申請專利範圍第2項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述感測觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標附近的多個第一驅動電極與所述觸摸點之間的第一電訊號的步驟包括：
   在觸摸點的沿導電膜高阻抗方向的座標附近取多個第一驅動電極，由所述驅動電路向所述多個第一驅動電極同時輸入一脈衝訊號；
   通過所述感測電路讀取多個第一驅動電極檢測第一訊號的數值。
6. 如申請專利範圍第2項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述感測觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標附近的多個第二驅動電極與所述觸摸點之間的第二電訊號的步驟包括：
   在導電膜高阻抗方向的座標附近的多個第二驅動電極與所述觸摸點之間的第二電訊號的步驟包括：
   在觸摸點的沿導電膜高阻抗方向的座標附近取多個第二驅動電極，由所述驅動電路向所述多個第二驅動電極同時輸入一脈衝訊號；以及
   通過所述感測電路讀取多個第二驅動電極檢測第二訊號的數值。
7. 如申請專利範圍第1項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述觸摸點在所述導電膜的低阻抗方向上的座標通過所述第一訊號與第二訊號的比值判斷。
8. 如申請專利範圍第7項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述第一電訊號與第二訊號的比值正比於所述觸摸點與所述第一驅動電極所在的側邊的距離與所述觸摸點與所述第二驅動電極所在側邊的距離的比值。
9. 如申請專利範圍第1至8項任意一項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述電訊號曲線為RC訊號曲線。
10. 如申請專利範圍第1至8項任意一項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述第一電訊號與所述第二電訊號均為RC訊號。
11. 如申請專利範圍第1項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述觸摸屏的驅動電極對的第一驅動電極與第二驅動電極的連線平行於所述導電膜的低阻抗方向。
12. 如申請專利範圍第1項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述導電膜為奈米碳管膜。
13. 如申請專利範圍第12項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述奈米碳管膜包括多個奈米碳管沿同一方向擇優取向延伸，所述低阻抗方向為該奈米碳管的延伸方向。
14. 一種觸摸屏觸摸點之檢測方法，所述觸摸屏包括一基板，以及設置於該基板上的一導電膜，該導電膜具有阻抗異向性以定義出相互垂直的一低阻抗方向和一高阻抗方向，沿該導電膜低阻抗方向的相對兩側分別為第一側邊和第二側邊，沿該第一側邊設置的多個相互間隔的第一驅動電極，和沿該第二側邊設置的多個相互間隔的第二驅動電極，該多個第一驅動電極和多個第二驅動電極分別與該導電膜電連接，所述多個第一驅動電極和所述多個第二驅動電極彼此對齊，形成多個驅動電極對，該觸摸屏觸摸點之檢測方法包括：
    通過感測所述多個第一驅動電極或者多個第二驅動電極的方式，獲得一電訊號曲線，通過該電訊號曲線判斷所述觸摸點沿高阻抗方向的座標；
    感測觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標附近的多個第一驅動電極與所述觸摸點之間的第一電訊號；
    感測觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標附近的多個第二驅動電極與所述觸摸點之間的第二電訊號；以及
    通過所述第一電訊號以及所述第二電訊號之間的比值判斷觸摸點在低阻抗方向的座標。
15. 如申請專利範圍第14項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述沿所述導電膜高阻抗方向，掃描所述多個驅動電極對的步驟通過一個驅動電路和感測電路實現，所述驅動電路和感測電路與所述多個第一驅動電極，多個第二驅動電極電導通或斷開。
16. 如申請專利範圍第15項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述沿所述導電膜高阻抗方向，掃描所述多個驅動電極對，獲得一電訊號曲線，判斷觸摸點在導電膜高阻抗方向的座標的步驟包括以下步驟：
    通過所述驅動電路向所述每個第一驅動電極或第二驅動電極輸入一脈衝訊號；
    通過所述感測電路分別讀取每個第一驅動電極或第二驅動電極所檢測到的電訊號，從而模擬出由所述電訊號在高阻抗方向的電訊號曲線；以及
    通過所述電訊號曲線確定所述觸摸點在上述導電膜高阻抗方向上的座標。
17. 如申請專利範圍第16項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述觸摸點在導電膜高阻抗的方向上的座標依據電訊號曲線通過內插法判斷。
18. 一種觸摸屏觸摸點之檢測方法，所述觸摸屏包括一基板，以及設置於該基板上的一導電膜，該導電膜具有阻抗異向性以定義出相互垂直的一低阻抗方向和一高阻抗方向，沿該導電膜低阻抗方向的相對兩側分別為第一側邊和第二側邊，沿該第一側邊設置的多個相互間隔的第一驅動電極，和沿該第二側邊設置的多個相互間隔的第二驅動電極，該多個第一驅動電極和多個第二驅動電極分別與該導電膜電連接，所述多個第一驅動電極和所述多個第二驅動電極彼此對齊，形成多個驅動電極對，該觸摸屏觸摸點之檢測方法包括：
    由一驅動電路向所述每個驅動電極對輸入一脈衝訊號，並通過一感測電路分別讀取每個驅動電極對所檢測到的電阻值R_n和電容值C的乘積，即R_nC值，從而類比出由該多個R_nC值構成的曲線，通過該曲線判斷所述觸摸點在上述導電膜的高阻抗方向上的座標；
    在所述觸摸點的高阻抗方向的座標附近取多個第一驅動電極，該多個第一驅動電極與所述觸摸點之間的導電膜的電阻值為R_1s，由所述驅動電路向所述多個第一驅動電極同時輸入一脈衝訊號，並通過所述感測電路讀取多個第一驅動電極所檢測到的電阻值R_1s和電容值C的乘積，即R_1sC值；
    在所述觸摸點的高阻抗方向的座標附近取多個第二驅動電極，該多個第二驅動電極與觸摸點之間的導電膜的電阻值為R_2s，由所述驅動電路向所述多個第二驅動電極同時輸入一脈衝訊號，並通過所述感測電路讀取多個第二驅動電極所檢測到的電阻值R_2s和電容值C的乘積，即R_2sC值；以及
    通過所述R_1sC和R_2sC的比值判斷上述觸摸點在上述導電膜的低阻抗方向上的座標。
19. 如申請專利範圍第18項所述的一種觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，當採用一觸摸導體觸摸該觸摸屏形成一觸摸點時，該觸摸屏的觸摸點在所述導電膜的對應位置與該觸摸導體構成一電容值為C的耦合電容，其中該觸摸點在所述導電膜的對應位置與所述各個第一驅動電極之間的導電膜的電阻值為R_1n（n=1,2,3,…）、該觸摸點在所述導電膜的對應位置與所述各個第二驅動電極之間的導電膜的電阻值為R_2n（n=1,2,3…）、該觸摸點與所述驅動電極對之間的導電膜的電阻值為R_n（n=1,2,3,…）。
20. 如申請專利範圍第18項所述的一種觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述每個第一驅動電極，每個第二驅動電極，或者每個驅動電極對分別與所述一驅動電路和一感測電路電導通或電斷開。
21. 如申請專利範圍第18項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，通過所述曲線判斷所述觸摸點在上述導電膜的高阻抗方向上的座標進一步包括以下步驟：檢測出該曲線中之最大值R_kC、最小值R_xC、與最小值R_xC相鄰的次小值R_yC和次次小值R_zC、以及該最小值R_xC、次小值R_yC及次次小值R_zC所對應的在高阻抗方向H的座標X_X、X_Y及X_Z，通過內插法計算所述觸摸點在高阻抗方向的座標。
22. 如申請專利範圍第21項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，通過內插法計算觸摸點在高阻抗方向H的座標，該內插法的公式為：，式中ΔR_xC=R_kC-R_xC，ΔR_yC=R_kC-R_yC， ΔR_zC=R_kC- R_zC。
23. 如申請專利範圍第21項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，當R_yC值與R_zC值相等時，所述內插法計算觸摸點在高阻抗方向H的座標公式為：
    ，式中ΔR_yC=R_kC- R_yC，ΔR_zC=R_kC- R_zC。
24. 如申請專利範圍第21項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，當R_xC值與R_yC值相等時，所述內插法計算觸摸點在高阻抗方向H的座標公式為：
    ，式中ΔR_xC=R_kC- R_xC，ΔR_yC=R_kC-R_yC。
25. 如申請專利範圍第21項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，判斷上述觸摸點在上述導電膜的低阻抗方向上的座標通過將R_1sC值和R_2sC值相比的方法計算。
26. 如申請專利範圍第25項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述驅動電極對與所述觸摸點之間的導電膜的電阻R_n滿足以下公式：1/R_n=1/R_1n+1/R_2n。
27. 如申請專利範圍第16項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述觸摸點與第一側邊或第二側邊之間的導電膜的電阻值R_1n或R_2n與觸摸點與第一側邊或第二側邊的距離成正比。
28. 如申請專利範圍第18項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述脈衝訊號通過所述驅動電路逐一地或者同時輸入所述多個驅動電極對。
29. 如申請專利範圍第28項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，當所述脈衝訊號逐一地輸入多個驅動電極對時，其他未輸入脈衝訊號的第一驅動電極和第二驅動電極接地。
30. 如申請專利範圍第18項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述脈衝訊號的輸入使所述耦合電容被交替地充電和放電，所述充電的時間大於放電的時間。
31. 如申請專利範圍第30項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述耦合電容在充電或放電的過程中，均由暫態向穩態變化，所述R_nC、R_1sC及R_2sC值均在所述耦合電容處於暫態時被檢測出。
32. 如申請專利範圍第18項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述驅動電路包括一用以向所述耦合電容充電的充電電路和一用以控制該充電電路的第一開關；所述感測電路包括一存儲電路、一讀取電路及一用於控制存儲電路和讀取電路的第二開關，所述存儲電路包括一電容，當所述耦合電容放電時，該電容被充電。
33. 如申請專利範圍第32項所述的觸摸屏觸摸點之檢測方法，其中，所述第一開關和第二開關交替地一者被導通一者被斷開，以向所述導電膜輸入所述脈衝訊號。