TWI573218B - Reaction chamber and semiconductor processing device - Google Patents

Description

反應腔室及半導體加工裝置

本發明屬於微電子加工技術領域，具體涉及一種反應腔室及半導體加工裝置。

在半導體製備製程中，特別是，積體電路(IC)製備製程、矽通孔(TSV)製程和封裝(Packaging)製程，在製程之前需要先執行預清洗製程，以去除晶片表面的雜質，來保證後續沉積製程的製程品質，從而保證半導體裝置的性能。預清洗製程的基本原理為：一般採用電感耦合電漿發生裝置，利用射頻電源產生的高壓交變電場將腔室內的製程氣體激發形成高反應活性和/或高能量的電漿，借助該電漿與晶片的表面發生化學反應和/或物理轟擊作用，來實現去除晶片表面的雜質。

第1a圖為現有的預清洗腔室處於傳片狀態的結構示意圖；第1b圖為現有的預清洗腔室處於製程狀態的結構示意圖。請一併參閱第1a圖和第1b圖，該預清洗腔室內設置有具有冷卻功能的基座10和頂針機構。其中，基座10用於承載晶片S，且其可在傳片位置和製程位置之間升降，傳片位置和製程位置分別指如第1a圖和第1b圖中基座10所在的位置，所謂傳片位置是指基座10所在 的對其裝載晶片S的位置；所謂製程位置是指基座10所在的對其上的晶片S進行預清洗製程的位置。第2圖為現有的頂針機構的立體結構圖，請參閱第2圖，該頂針機構包括用於承載晶片S的多個頂針11，基座10上設置有與頂針11一一對應的通孔，每個頂針11能夠貫穿與之對應的通孔，並且，在基座10位於傳片位置時，頂針11的頂端高於基座10的上表面，且與預清洗腔室側壁上設置的傳片口12同高度。該預清洗腔室的製程程序具體為：首先，預清洗腔室處於如第1a圖所示的狀態，承載有晶片S的機械手經由傳片口12向頂針11上裝載晶片S；接著，在晶片S裝載至頂針11的頂端之後，基座10朝向製程位置上升，當其上升至可將頂針11上的晶片S托起時，即實現晶片S由基座10承載；基座10將晶片S托起後，繼續上升直至到達製程位置；最後，在基座10位於製程位置後，開始通入製程氣體和載入射頻電源等，以進行預清洗製程，直至製程結束。

在實際應用中，由於晶片S和基座10的接觸面具有較低的平面度，使得二者之間無法充分接觸，並且，預清洗製程的環境壓力很低，一般為毫托級，因此，晶片S和基座10之間的氣體量較少，這使得二者之間的熱傳遞主要依靠熱輻射和少量氣體的熱傳導，從而造成晶片S與基座10之間的熱傳遞很低，因此，隨著預清洗製程的持續進行，晶片S的溫度會持續升高，在溫度升高至一定程度時會造成晶片S損壞。

為此，先前技術中通常採用以下方式：在預清洗製程進行一段時間後暫停，開始執行冷卻步驟，向預清洗腔室內充氣，使腔室壓力達到幾十托，使得晶片S和基座10之間的氣體增多，從而加快二者之間的氣體熱傳導，實現晶片S快速降溫；之後繼續進行預清洗製程，即，對預清洗腔室進行抽氣，使腔室 的壓力達到毫托級，並進行預清洗製程；如此在預清洗製程過程中週期性地暫停預清洗製程並增加冷卻步驟，直至預清洗製程完成。

然而，在實際應用中，在預清洗製程過程中週期性地增加冷卻步驟來避免晶片的溫度過高卻不可避免地存在以下問題：由於增加了冷卻步驟，使得預清洗製程的整個製程時間較長，這造成半導體加工裝置的產能低，並直接導致經濟效益低；但是，若過少地設置冷卻步驟的加入次數，則晶片的溫度往往仍會較高，這仍將影響製程結果，造成產品良率低。

本發明旨在至少解決先前技術中存在的技術問題之一，提出了一種反應腔室及半導體加工裝置，其在製程的同時可以實現晶片的冷卻，也就不需要在製程時週期性地暫停製程以增加冷卻步驟，因而在保證對晶片有效冷卻的前提下可以大大地降低製程時間，從而可以提高半導體加工裝置的產能，進而可以提高經濟效益。

為解決上述問題之一，本發明提供了一種反應腔室，在該反應腔室內設置有用於承載晶片的基座以及用於固定晶片的壓環；該基座內設置有與背吹氣源相連通的背吹管路；該基座的上表面上設置有環形密封裝置；當該基座帶動晶片上升至製程位置後，該壓環疊壓在晶片的邊緣區域，該環形密封裝置與該晶片的背面接觸使得該環形密封裝置內側的基座上表面與晶片的背面形成密封空間，該背吹氣源提供的背吹氣體經由該背吹管路輸送至該密封空間內。

較佳地，該背吹管路具有在該基座的上表面上設置的多個輸出口，且每個所述輸出口靠近該基座的中心位置設置；在該基座的上表面上設置 有沿其周向設置的環形凹槽以及與該輸出口一一對應的條形凹槽，該環形凹槽位於該環形密封裝置的內側，每個所述條形凹槽的兩端分別與該環形凹槽以及與之對應的該輸出口相連通。

較佳地，該環形密封裝置為環形棱角，該環形棱角通過在該基座上表面的邊緣區域進行切割形成，該環形棱角內外側的該基座上表面均低於該環形棱角。

較佳地，該反應腔室內還設置有用於支撐該壓環的支撐件，該支撐件包括支撐柱、支撐環和多個支撐桿，其中，多個該支撐桿設置在該支撐環上，且沿該支撐環的周向間隔設置，用於支撐該壓環；該支撐環的內徑大於該基座的直徑，圍繞該基座外圓周設置的環形外襯上設置有多個分別與該支撐桿一一對應的第一通孔，每個所述支撐桿穿過對應的第一通孔後與該壓環配合，且該支撐桿與該第一通孔為間隙配合；該支撐柱用於支撐該支撐環。

較佳地，該壓環的下表面上設置有多個盲孔，且每個所述盲孔設置在該壓環下表面的與該支撐桿相接觸的位置處；每個所述盲孔用於容納與之對應的該支撐桿的頂端。

較佳地，該壓環的下表面的邊緣區域設置有凸部，該盲孔設置在該凸部上；當該壓環疊壓在晶片的邊緣區域上時，該凸部的下端面蓋住該第一通孔。

較佳地，還包括多個用於承載晶片的頂針；該環形外襯上設置有多個分別與該頂針一一對應的第二通孔，在裝卸載晶片時，每個所述頂針穿過對應的第二通孔，且該頂針的頂端高於該基座的上表面低於該壓環的下表面，該頂針與該第二通孔為間隙配合。

較佳地，該多個頂針設置在該支撐環上，且沿該支撐環的周向間隔設置。

較佳地，該支撐件作為該反應腔室的內襯，該支撐件環繞該反應腔室的內周壁設置，且該支撐件具有開口朝上且環繞該反應腔室的內周壁設置的環形溝槽；該壓環的外徑大於該環形溝槽的內徑；該壓環搭接在該環形溝槽的內環壁上；在該環形溝槽的槽底和該壓環的外邊緣之間還設置有彈性部，通過該彈性部件在該壓環疊壓在該晶片時受到拉伸來實現向該壓環施加向下的彈力。

作為另外一個技術方案，本發明還提供一種半導體加工裝置，包括反應腔室，該反應腔室採用上述提供反應腔室。

本發明具有以下有益效果：

本發明提供的反應腔室，在裝卸載晶片時使基座遠離壓環，以便於向基座裝卸載晶片；以及，在製程時使壓環疊壓在晶片的邊緣區域，環形密封裝置與晶片的背面接觸使得環形密封裝置內側的基座上表面與晶片的背面形成密封空間，這不僅可以實現在晶片不會被吹飛或吹歪的情況下借助背吹氣體實現晶片和基座之間的熱傳導，而且還可以實現借助環形密封裝置避免背吹氣體洩漏對製程環境產生影響。因此，本發明提供的反應腔室與先前技術的反應腔室相比，在製程時增加了晶片與基座之間的背吹氣體，背吹氣體可以使得晶片與基座之間進行熱傳導，即在製程的同時就可以實現晶片的冷卻，也就不需要在製程時週期性地暫停製程以增加冷卻步驟，因而可以在保證對晶片有效冷卻的前提下大大地降低製程時間，從而可以提高半導體加工裝置的產能，進而可以提高經濟效益。

本發明提供的半導體加工裝置，其採用本發明另一技術方案提供的反應腔室，可以實現在保證對晶片有效冷卻的前提下可以大大地降低製程時間，從而可以提高半導體加工裝置的產能，進而提高經濟效益。

10、21‧‧‧基座

11、24‧‧‧頂針

12、29‧‧‧傳片口

20‧‧‧反應腔室

22‧‧‧壓環

23‧‧‧支撐件

25‧‧‧頂壁

26‧‧‧環形內襯

27‧‧‧環形外襯

211‧‧‧背吹管路

212‧‧‧環形凹槽

213‧‧‧條形凹槽

214‧‧‧輸出口

215‧‧‧環形棱角

221‧‧‧盲孔

222‧‧‧凸部

223‧‧‧環形凹部

231‧‧‧支撐柱

232‧‧‧支撐環

233‧‧‧支撐桿

235‧‧‧內環壁

234‧‧‧環形溝槽

236‧‧‧彈性部件

S‧‧‧晶片

第1a圖為現有的預清洗腔室處於傳片狀態的結構示意圖；第1b圖為現有的預清洗腔室處於製程狀態的局部示意圖；第2圖為現有的頂針機構的結構立體圖；第3a圖為本發明實施例提供的反應腔室在裝卸載晶片時的結構示意圖；第3b圖為本發明實施例提供的反應腔室在製程時的局部示意圖；第4圖為第3a圖和第3b圖中的支撐件的結構示意圖；第5圖為本發明實施例提供的反應腔室中的基座的俯視圖；以及第6圖為第3b圖中的區域I的局部放大圖；第7圖為本發明實施例提供的應用另一種支撐件的反應腔室的局部示意圖。

為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖來對本發明提供的反應腔室及半導體加工裝置進行詳細描述。

第3a圖為本發明實施例提供的反應腔室在裝卸載晶片時的結構示意圖；第3b圖為本發明實施例提供的反應腔室在製程時的局部示意圖；第4圖為第3a圖和第3b圖中的支撐件的結構示意圖。請一併參閱第3a圖、第3b圖和第4 圖，本實施例提供的反應腔室20包括用於承載晶片S的基座21和用於固定晶片的壓環22。其中，基座21內設置有與背吹氣源(圖中未示出)相連通的背吹管路211，並且，基座21的上表面設置有環形密封裝置，基座21可升降：在裝卸載晶片S時基座21處於第3a圖所示的裝卸位置，在製程時基座21上升至製程位置(如第3b圖所示)並將壓環22頂起，此時，壓環22疊壓在晶片S的邊緣區域，環形密封裝置與晶片S的背面接觸使得環形密封裝置內側的基座21上表面與晶片S的背面形成密封空間，背吹氣源提供的背吹氣體經由背吹管路211輸送至密封空間內，其中，背吹氣體包括惰性氣體或製程氣體，以防止背吹氣體洩露至反應腔室而對製程產生影響。

如第5圖所示，較佳地，背吹管路211具有在基座21的上表面上設置的多個輸出口214，且每個輸出口214靠近基座21的中心位置設置，在基座21的上表面上設置有沿其周向設置的環形凹槽212以及與輸出口214一一對應的條形凹槽213，環形凹槽212位於環形密封裝置的內側，每個條形凹槽213連接在與之對應的輸出口214和環形凹槽212之間，即，每個條形凹槽213的兩端分別與環形凹槽212以及與之對應的輸出口214相連通。在此情況下，可在一定程度上使背吹氣體能夠在晶片S的背面均勻流動，從而可以提高晶片S的溫度的均勻性，提高製程品質。進一步較佳地，多個輸出口214沿該基座21的周向間隔且均勻設置，這可以進一步實現背吹氣體在晶片S的背面均勻流動，從而可以進一步提高晶片S的溫度的均勻性。可以理解，由於基座21具有冷卻功能，具體地，基座21內設置有冷卻管道，借助冷卻媒介在冷卻管道內的流動而對基座21進行冷卻。在實際應用中，將環形凹槽212和條形凹槽213的深度設置得較小，可以加快基座21、背吹氣體和晶片S之間的熱交換效率，從而使晶片S被快速地冷卻。

如第6圖所示，另外較佳地，環形密封裝置被設置為環形棱角215，環形棱角215通過在基座21上表面的邊緣區域進行切割形成，基座21上表面上的處於環形棱角215內外側的部分均低於環形棱角215，可以說，環形密封裝置為“密封刀口”。具體地，環形凹槽212以及條形凹槽213設置在環形棱角215內側的基座21上表面上，並且，環形凹槽212靠近環形棱角215設置。可以理解，採用上述具有密封刀口的基座21，可以在很大程度上避免背吹氣體洩露至反應腔室20內，這不僅可以避免背吹氣體進入反應腔室20而影響反應腔室20進行製程的壓力(一般為毫托級)，而且還可以使背吹氣體的壓力能達到幾托，使晶片S和基座21之間具有相對較多的背吹氣體，從而提高熱傳導效率。

在本實施例中，壓環22搭接在支撐件23上，也就是說，壓環22與支撐件23之間為動連接，並非固定連接，在這種情況下，基座21自如第3a圖所示的位置上升至與壓環22剛接觸的位置之後，繼續驅動基座21上升直至將壓環22托起，此時，壓環22與支撐件23分離，且壓環22的自身重力施加在晶片S的邊緣區域，以此壓住晶片S使其固定。

另外，反應腔室20的頂壁25為穹頂結構，其採用諸如石英或玻璃等的非金屬材料製成，射頻電源產生的交變電場經由該頂壁耦合至反應腔室20內實現將製程氣體激發形成電漿；在反應腔室20靠上位置的內壁內側套置有筒狀結構的環形內襯26，在基座21的外側壁上設置有與環形內襯26匹配且能與之共同形成封閉反應空間的環形外襯27。

如第4圖所示，支撐件23包括支撐柱231、支撐環232和多個支撐桿233。其中，支撐環232的內徑大於基座21的直徑，以實現基座21在支撐環232的環孔內與壓環22相對升降；多個支撐桿233沿支撐環232的周向間隔設置在支撐環232上，用於支撐壓環22，具體的，在環形外襯27上設置有多個分別與支撐 桿233一一對應的第一通孔，每個支撐桿233穿過對應的第一通孔後與壓環22配合，且支撐桿233與第一通孔為間隙配合，使得支撐桿233在第一通孔內可相對於第一通孔升降；支撐柱231用於支撐支撐環232，具體地，支撐柱231的下端固定在反應腔室20的底面上，且其上端通過螺釘水平固定於支撐環232。較佳地，多個支撐桿233在支撐環232上沿支撐環232的周向間隔且均勻設置，這可以實現穩定地支撐壓環22，從而可以保證製程的穩定性。

較佳地，壓環22的下表面上設置有多個盲孔221，且每個盲孔221設置在壓環22下表面的與支撐桿233相接觸的位置處；每個盲孔221用於容納與之對應的支撐桿233的頂端，如第3b圖所示。可以理解，在裝卸載晶片S時支撐桿233的頂端位於與之對應的盲孔221內，盲孔221不僅可以實現對支撐桿233限位，從而實現穩定地支撐壓環22；而且還可以在壓環22升降時起到導向作用，從而保證壓環22垂直升降。

在另外，在本實施例中，壓環22的下表面的邊緣區域設置有凸部222，盲孔221設置在凸部222上。當壓環22疊壓在晶片S的邊緣區域上時，凸部222的下端面蓋住環形外襯27上的第一通孔，以防止製程時蝕刻出的污染物透過該第一通孔漏到基座21下方的腔室中。上述凸出部222不僅可以為沿壓環22周向設置的環形凸部，在壓環22疊壓在晶片S的邊緣區域上時，借助環形凸部的下端面同時蓋住多個第一通孔；還可以包括與第一通孔一一對應的子凸部，在壓環22疊壓在晶片S的邊緣區域上時，借助每個子凸部的下端面蓋住與之對應的第一通孔。

反應腔室20內還包括頂針裝置，頂針裝置包括多個用於承載晶片S的頂針24，頂針24的頂端與預清洗腔室(即，反應腔室)側壁上設置的傳片口29同高度，環形外襯27上設置有多個分別與頂針24一一對應的第二通孔，在裝 卸載晶片S時，環形外襯27隨著基座21下降，每個頂針24穿過對應的第二通孔，且頂針24的頂端高於基座21的上表面且低於壓環22的下表面，頂針24與第二通孔為間隙配合，使得每個頂針24在第二通孔內可相對於第二通孔升降，用以實現晶片S在頂針24和基座21之間傳輸。較佳地，每個頂針24的頂端設置有臺階，下臺階面用於承載晶片S，上下臺階面之間的豎直部分還可以對晶片S進行限位，防止晶片S在水平方向上偏移。

較佳地，多個頂針24沿支撐環232的周向間隔設置在支撐環232上，並且，頂針24的頂端位於壓環22的下方。可以理解，頂針24和壓環22共用一個支撐件，因此可以省去多個頂針24的支撐件，從而不僅可以簡化結構，而且還可以降低成本。進一步較佳地，多個頂針24在支撐環232上沿支撐環232的周向間隔且均勻設置，這可以實現穩定地支撐晶片S，從而可以防止掉片。

另外，由於頂針24用於承載晶片S，因此，頂針24所在圓周的直徑小於晶片S的直徑，而支撐桿233用於支撐壓環22，壓環22的外徑不小於晶片S的直徑，因此，支撐桿233所在圓周的直徑大於晶片S的直徑。因此，在採用如第4圖所示的支撐環232時，在支撐環232的內側壁上設置有向支撐環232的圓心方向延伸的凸部，頂針24設置在凸部上遠離支撐環232的一端，以使頂針24所在圓周的直徑小於支撐環232的內徑；支撐桿233設置在支撐環232的環面上。

下面結合第3a圖詳細描述本實施例提供的反應腔室的整個工作程序。裝載程序：借助升降裝置驅動基座21下降至低位，使基座21的上表面與壓環22下表面的靠近其環孔的環形區域之間具有一定的豎直距離，頂針24的臺階面位於基座21和壓環之間，且頂針24的頂端對應傳片口29，承載有晶片S的機械手自傳片口29傳入反應腔室20內，並將晶片S傳輸至頂針24的臺階面上。

製程前：借助升降裝置驅動基座21上升，在上升的過程中基座21的上表面先托起晶片S，接著晶片S的上表面與壓環22的上表面的靠近其環孔的環形區域相接觸，接著基座21帶動晶片S和壓環22繼續上升直至製程位置，此時壓環22疊壓在晶片S的邊緣區域。

製程時：向反應腔室內通入一定量的製程氣體，且保證腔室內的壓力為毫托級，此時，由於壓環22的重量全部作用於晶片S的邊緣區域，因此，通過背吹管路211向基座21和晶片S之間輸送背吹氣體，不會造成重量過輕的晶片S被吹飛或者吹歪，並且，借助密封刀口可在晶片S和基座21之間形成密封空間，不僅背吹氣體的氣體壓力可以到達幾托，能夠將晶片S的熱量及時傳導至基座21並被帶走，而且還可以防止背吹氣體洩漏而對製程環境產生影響。

卸載程序：首先，借助升降裝置驅動基座21下降，直至基座21下降至頂針24頂端的下方，使得晶片S脫離基座21並位於頂針24上；接著，空載的機械手自傳片口29進入反應腔室20，將頂針24上的晶片S傳出反應腔室20，從而卸載基座20上的晶片S。

需要說明的是，儘管在本實施例中支撐件23為如第4圖所示的結構，其包括支撐柱231、支撐環232和多個支撐桿233；但是，本發明並不侷限於此，在實際應用中，支撐件23還可以採用其他結構，只要能夠支撐壓環22即可。

還需要說明的是，在本實施例中，壓環22搭接在支撐件23上，具體地，壓環22搭接在支撐桿233上，以借助壓環22的自身重力壓住晶片S；但是，在實際應用中，壓環22還可以固定在支撐件23上，具體地，壓環22與支撐桿233固定連接，在這種情況下，可以在壓環22與基座21相接觸之後再繼續相對運動，以通過壓環22的重力以及支撐桿233向下的拉力來壓住晶片S。

較佳地，為防止採用這種硬連接造成晶片S受到壓力過大而損壞，如第7圖所示，支撐件23作為反應腔室20的內襯，其環繞反應腔室20的內周壁設置，且其上具有開口朝上且環繞反應腔室20的內周壁設置的環形溝槽234；壓環22的外徑大於環形溝槽234的內徑，壓環22搭接在環形溝槽234的內環壁235上，內環壁235是指形成環形溝槽235的靠近反應腔室20中心的環形壁；在環形溝槽234的槽底和壓環22的外邊緣之間還設置有彈性部件236，彈性部件236在壓環22疊壓在晶片S時受到拉伸而向壓環22施加向下的彈力。在上述種情況下，可以通過壓環22的重力和彈性部件236向下的彈力來壓住晶片S。

較佳地，壓環22的下表面上設置有環形凹部223，環形凹部223搭接在環形溝槽234的內環壁235上。可以理解，借助環形凹部223而實現對環形溝槽234的內環壁235的限位，從而可以提高支撐壓環22的可靠性。

此外，還需要說明的是，通過使頂針24和基座21二者做相對升降運動，而在頂針24和基座21之間傳輸晶片S。

由上可知，本發明實施例提供的反應腔室，在裝卸載晶片S時，基座21遠離壓環22，以對基座21進行裝卸載晶片S的操作，從而實現製程的裝卸載需求；在製程時，壓環22疊壓在晶片S的邊緣區域以對晶片S定位，環形密封裝置與晶片S的背面接觸而使環形密封裝置內側的基座21的上表面與晶片S的背面形成密封空間，這樣，不僅可以保證晶片S不會被背吹氣體吹飛或吹歪，而且可以通過增加背吹氣體來增強晶片S和基座21之間的熱傳導效應，並且還可以借助環形密封裝置來避免背吹氣體洩漏並對製程環境產生影響。由此可見，本發明實施例提供的反應腔室20與先前技術的反應腔室相比，在製程時可以通過增加晶片S與基座21之間的背吹氣體，來增強晶片S與基座21之間的熱傳導，以便在進行製程的同時就可以對晶片S進行冷卻，因此不需要像先前技術那樣在製程 時週期性地暫停製程並增加冷卻步驟，因此，本發明實施例提供的反應腔室可以在保證對晶片S進行有效冷卻的前提下，大大縮短製程時間，提高半導體加工裝置的產能，進而提高經濟效益。

作為另外一個技術方案，本發明還提供一種半導體加工裝置，其包括反應腔室，該反應腔室可以採用上述實施例提供的反應腔室，而且，該反應腔室可以為預清洗腔室。

具體地，半導體加工裝置可以為物理氣相沉積裝置、電漿蝕刻裝置和化學氣相沉積裝置等。

本發明實施例提供的半導體加工裝置，其通過採用本發明上述實施例提供的反應腔室，可以在保證對晶片進行有效冷卻的前提下，大大縮短製程時間，從而提高半導體加工裝置的產能，進而提高經濟效益。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。

20‧‧‧反應腔室

21‧‧‧基座

22‧‧‧壓環

24‧‧‧頂針

25‧‧‧頂壁

26‧‧‧環形內襯

27‧‧‧環形外襯

29‧‧‧傳片口

211‧‧‧背吹管路

222‧‧‧凸部

231‧‧‧支撐柱

232‧‧‧支撐環

233‧‧‧支撐桿

S‧‧‧晶片

Claims (10)

1. 一種反應腔室，其特徵在於，在該反應腔室內設置有用於承載晶片的基座以及用於固定晶片的壓環；該反應腔室還包括升降裝置，用於驅動該基座在製程位置與傳片位置之間移動；該基座內設置有與背吹氣源相連通的背吹管路；該基座的上表面設置有環形密封裝置；當該基座帶動晶片上升至製程位置後，該壓環疊壓在晶片的邊緣區域，該環形密封裝置與該晶片的背面接觸使得該環形密封裝置內側的基座上表面與晶片的背面形成密封空間，該背吹氣源提供的背吹氣體經由該背吹管路而被輸送至該密封空間內。
2. 如申請專利範圍第1項所述的反應腔室，其中，該背吹管路具有設置在該基座的上表面上的多個輸出口，且每個所述輸出口靠近該基座的中心位置；在該基座的上表面上沿其周向設置有環形凹槽以及與該輸出口一一對應的條形凹槽，該環形凹槽位於該環形密封裝置的內側，每個所述條形凹槽的兩端分別與該環形凹槽以及與之對應的該輸出口相連通。
3. 如申請專利範圍第1項所述的反應腔室，其中，該環形密封裝置為環形棱角，該基座上表面上的處於該環形棱角內外側的部分均低於該環形棱角。
4. 如申請專利範圍第1項所述的反應腔室，其中，該反應腔室內還設置有用於支撐該壓環的支撐件，該支撐件包括支撐柱、支撐環和多個支撐桿，其中，多個該支撐桿沿該支撐環的周向間隔設置在該支撐環上，用於支撐該壓環； 該支撐環的內徑大於該基座的直徑，圍繞該基座的外周壁設置的環形外襯上設置有多個分別與該支撐桿一一對應的第一通孔，每個該支撐桿穿過對應的第一通孔並與該壓環配合，且該支撐桿與該第一通孔為間隙配合；該支撐柱用於支撐該支撐環。
5. 如申請專利範圍第4項所述的反應腔室，其中，該壓環的下表面上設置有多個盲孔，且每個所述盲孔設置在該壓環下表面的與該支撐桿相接觸的位置處；每個所述盲孔用於容納與之對應的該支撐桿的頂端。
6. 如申請專利範圍第5項所述的反應腔室，其中，該壓環的下表面的邊緣區域設置有凸部，該盲孔設置在該凸部上；當該壓環疊壓在晶片的邊緣區域上時，該凸部的下端面蓋住該第一通孔。
7. 如申請專利範圍第4項所述的反應腔室，其中，還包括多個用於承載晶片的頂針；該環形外襯上設置有多個分別與該頂針一一對應的第二通孔，在裝卸載晶片時，每個所述頂針穿過對應的第二通孔，且該頂針的頂端高於該基座的上表面且低於該壓環的下表面，該頂針與該第二通孔為間隙配合。
8. 如申請專利範圍第7項所述的反應腔室，其中，該多個頂針沿該支撐環的周向間隔設置在該支撐環上。
9. 如申請專利範圍第4項所述的反應腔室，其中，該支撐件作為該反應腔室的內襯，該支撐件環繞該反應腔室的內周壁設置，且該支撐件具有開口朝上且環繞該反應腔室的內周壁設置的環形溝槽；該壓環的外徑大於該環形溝槽的內徑；該壓環搭接在該環形溝槽的內環壁上；在該環形溝槽的槽底和該壓環的外邊緣之間還設置有彈性部件，該彈性部 件在該壓環疊壓在該晶片上時受到拉伸而向該壓環施加向下的彈力。
10. 一種半導體加工裝置，包括反應腔室，其中，該反應腔室採用申請專利範圍第1項至第9項任意一項所述的反應腔室。