JP6614933B2 - 基板載置機構および基板処理装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施形態に係る基板載置機構の概略構成を示す断面図、図2は図1の基板載置機構の一部を図1よりも拡大して示す断面図である。なお、図1では以下に説明する加熱部材と冷却部材とが離間した状態を示し、図2ではこれらが接触した状態を示している。
次に、以上のように構成される基板載置機構の動作について図3の概略図を参照して説明する。
次に、上記実施形態に係る基板載置機構を備えた基板処理装置の例について説明する。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の思想の範囲内において種々変形可能である。例えば、本発明において冷却温度は加熱温度に対する相対的なものであり、冷却温度は周囲の温度よりも低い温度に限定されるものではない。また、上記実施形態では、冷却温度である第1の温度および加熱温度である第2の温度として15〜30℃および80〜180℃を例示したが、これに限らず、種々の温度とすることができる。
11;本体
12;ヒータ
13;吸着電極
20;冷却部材
24;冷媒流路
27;冷媒循環機構
28;凹部
30;接離機構
31;シールリング
32;排気配管
33;真空ポンプ
34;吸引機構
35;離間ガス配管
37;離間ガス供給機構
50;制御部
100;基板載置機構
110;チャンバ
120;排気部
130;シャワーヘッド
140;処理ガス供給系
200;基板処理装置
G;隙間
S;基板
Claims (10)
- 基板を載置して基板を加熱および冷却する基板載置機構であって、
プレート状をなし、基板を載置するとともに基板を加熱する加熱機構を有する加熱部材と、
前記加熱部材の下方に設けられ、前記加熱部材との間が接離可能な、基板を冷却する冷却部材と、
前記加熱部材と前記冷却部材とを、接触状態と離間状態とで切り替える接離手段と
を有し、
前記接離手段により前記加熱部材と前記冷却部材とを離間状態とし、前記加熱機構をオンにして、前記加熱部材に載置された基板の加熱を行い、
前記接離手段により前記加熱部材と前記冷却部材とを接触状態とし、前記加熱機構をオフにして、前記加熱部材に載置された基板の冷却を行い、
前記接離手段は、前記加熱部材と前記冷却部材とを離間させる際に用いられるものとして、前記加熱部材と前記冷却部材との間に介装されてこれらを離間した状態に保持する弾性体部材、および/または前記加熱部材と前記冷却部材との間に離間ガスを供給する離間ガス供給機構を有することを特徴とする基板載置機構。 - 真空に保持されたチャンバ内で基板を載置することを特徴とする請求項1に記載の基板載置機構。
- 前記加熱部材は、絶縁体からなる本体と、前記本体に前記加熱機構となるヒータと、吸着電極とが設けられ、前記吸着電極に電圧を印加することにより基板を静電吸着する静電チャックとして機能することを特徴とする請求項2に記載の基板載置機構。
- 前記ヒータおよび前記吸着電極の給電部は、バネを使用したピンコンタクト、またはワイヤ溶接で構成されていることを特徴とする請求項3に記載の基板載置機構。
- 前記加熱部材は、厚さが1〜6mmであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板載置機構。
- 前記冷却部材は、冷媒流路を有し、前記冷媒流路に冷媒を通流させることにより所定の温度に冷却されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板載置機構。
- 前記接離手段は、前記加熱部材と前記冷却部材とを接触させる際に用いられるものとして、前記加熱部材と前記冷却部材との間を吸引して、これらを接触させる吸引機構を有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板載置機構。
- 前記接離手段は、前記加熱部材と前記冷却部材とを離間させた際の両者の間の隙間を0.2〜2mmに設定することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板載置機構。
- 基板に対して冷却温度である第1の温度での第1の処理と加熱温度である第2の温度での第2の処理とを行う基板処理装置であって、
基板を収容するチャンバと、
前記チャンバに設けられた、請求項1から請求項8のいずれかに記載の基板載置機構と
を具備し、
前記基板載置機構は、基板を第1の温度から第2の温度に加熱する際に、前記加熱部材と前記冷却部材を離間させ、かつ前記加熱機構をオンにし、前記第2の温度から前記第1の温度に冷却する際に、前記加熱部材と前記冷却部材とを接触させ、かつ前記加熱機構をオフにすることを特徴とする基板処理装置。 - 前記チャンバに処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記チャンバ内を排気する排気部とをさらに具備することを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
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