TWI571346B - Laser cutting sheet - Stripping sheet laminate, laser cutting sheet and wafer manufacturing method - Google Patents

Laser cutting sheet - Stripping sheet laminate, laser cutting sheet and wafer manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI571346B
TWI571346B TW102134037A TW102134037A TWI571346B TW I571346 B TWI571346 B TW I571346B TW 102134037 A TW102134037 A TW 102134037A TW 102134037 A TW102134037 A TW 102134037A TW I571346 B TWI571346 B TW I571346B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sheet
laser
peeling
region
laminate
Prior art date
Application number
TW102134037A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201424908A (zh
Inventor
Yosuke Sato
Akinori Sato
Tomoharu Miyanaga
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2012206769A external-priority patent/JP5583724B2/ja
Priority claimed from JP2012206770A external-priority patent/JP5583725B2/ja
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of TW201424908A publication Critical patent/TW201424908A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI571346B publication Critical patent/TWI571346B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

雷射切割片-剝離片積層體、雷射切割片及晶片體之製造方法
本發明係關於在切割(dicing)半導體晶圓等板狀構件之切割工程中，作為在使用雷射光時所使用的切割片之雷射切割片；作為該雷射切割片與剝離片的積層體之雷射切割片-剝離片積層體；以及使用該雷射切割片將板狀構件個片化而得到的晶片體之製造方法。
半導體晶圓在表面形成電路之後，於晶圓的背面側實施研削加工，進行調整晶圓的厚度的背面研削工程以及將晶圓個片化為規定的晶片尺寸的切割工程。
近年來，伴隨著電子機器框體的尺寸減小或使用多積層晶片的半導體裝置需要的增加，作為其構成構件的半導體晶片向薄型化發展。為此，要求將以往350μm左右厚度的晶圓，製成50μm~100μm的厚度或者達到其以下的厚度。
作為脆質構件的晶圓隨著其變薄，於加工或運搬之際，破損的危險性將會增高。這樣的極薄晶圓，如果藉由高速回轉的切割刀(dicing blade)切斷，在半導體晶圓特別是在背面側會產生碎裂(chipping)等，晶片的抗折強度顯著降低。
為此，有研究提出了向半導體晶圓的內部照射雷射光，一邊選擇性地形成改質部一邊形成切割線(dicing line)， 將改質部作為起點來切斷半導體晶圓的所謂的隱形切割法(stealth dicing)(專利文獻1)。根據隱形切割法，向半導體晶圓的內部照射雷射光形成改質部後，將極薄的半導體晶圓貼附在由基材與黏著劑層所形成的黏著片(切割片)上，通過擴展(expanding)黏著片，沿著切割線將半導體晶圓分割(切割)，可以成品率很好地生產半導體晶片。
如上所述，於切割工程中，既有作為加工手段而使用雷射的時候，也有在切割工程之際作為使半導體晶圓等板狀構件正確地配向(alignment)的工具而使用雷射的時候。在如這些切割工程中，使用雷射光時所使用之切割片(在本說明書中，亦稱為「雷射切割片」)，在其使用之際為雷射透過該雷射切割片，必須對雷射有優異的穿透性。
為對應所述之要求，譬如，在專利文獻2中，公開了一種晶圓黏著用黏著片，其是基材樹脂膜與在上述基材樹脂膜上形成黏著劑層的黏著片，且在400nm~1100nm波長區域之平行光線透過率為80%以上之晶圓黏著用黏著片，該片之較佳一態樣被設為基材樹脂膜黏著劑層所形成的面的相反側面的算術平均粗糙度Ra為0.1μm~0.3μm。
專利文獻1：日本專利第3762409號公報
專利文獻2：日本特開2012-15236號公報
如專利文獻2所公開的那樣，將形成基材樹脂膜的黏著劑層面的相反側的面設為平滑面，對於雷射切割片而 言，具有提高切割加工性等的優點。但是，如果將雷射切割片的基材中對向於黏著劑層側與相反側的面(在本說明書中，亦稱為「基材背面」)設為平滑面，則明確了將會發生如下的問題。
亦即是說，一般的雷射切割片的黏著劑層，在用於切割工程之前，在對向於該基材側與相反側的面(使用時為貼附板狀構件之面)上貼附有剝離片的剝離面，以防止發生黏著劑層的污染或劣化。作為像這樣所得到的雷射切割片與剝離片的積層體的雷射切割片-剝離片積層體(在本說明書，亦稱為「DR積層體」)，以各種各樣之形態被保存。如果以具有比應該貼附的環形框架(ring frame)的內徑略大的外徑的圓形狀的雷射切割片，作為具體例進行說明的話，上述複數個圓形雷射切割片，既有在長尺剝離片的剝離面上以在平行於該剝離片的長尺方向的方向上並列地被積層所得到的長尺體的形態被保存的情況，也有該長尺體在長尺方向被捲取而以捲取體的形態被保存的情況。再者，譬如也有將1片雷射切割片貼附於1片剝離片上所成的DR積層體積層多層，以所得的堆疊(stack)體的形態進行保存的情況。
如果DR積層體以捲取體或堆疊(stack)體的形態來保存的話，則DR積層體雷射切割片的基材背面，與最接近於該DR積層體的別的DR積層體中和剝離片剝離面相反側的面(在本說明書中，亦稱為「剝離片背面」。)成相接的狀態。根據保存狀態(具體而言，可例示捲取體的捲取力強的情況，或堆疊(stack)體在積層方向被加壓的情況等。)，有該DR積層體的基材背面與相接於該背面的其他DR積層體的剝離片背面的 密著性提高的情況。
關於該密著性增高時的問題，將具有長尺體形態的DR積層體以其雷射切割片成為內側的方式捲取所得的捲取體，作為一具體例進行說明。在從該捲取體將DR積層體送出時，在最外層的剝離片被拉伸，貼附在位於其剝離片的內周側(捲芯側)剝離面的雷射切割片也與該最外周的剝離片一起被從捲取體上送出，由此送出作業可以正常進行。但是，在基材背面與、捲取體中位於一周內周側的DR積層體剝離片背面的密著性高的情況下，本來應該被送出的雷射切割片，在其雷射切割片的黏著劑側的面與最外周的剝離片的剝離面的介面上發生剝離。其結果是，雷射切割片沒有被與最外周的剝離片一起送出，而殘留於位於一層內周側的DR積層體的剝離片背面上。
如果發生上述事態，則因為被送出的DR積層體將雷射切割片剝離，不能實施其後的雷射切割片與板狀構件的貼附作業。而且，附著於DR積層體的剝離片背面的狀態的雷射切割片，會有使其後的剝離片捲取作業的作業性顯著降低的可能性。具體而言，可以例示纏繞於為捲取剝離片的夾送輥的情況。在這樣的情況下，必須停止捲取體形態的DR積層體的送出作業。以下，將這樣的不良情況亦稱為「DR積層體供給不良」。
既是堆疊(stack)體狀態的DR積層體也可能發生同樣的DR積層體供給不良。在剝離片的下層側貼附有雷射切割片的DR積層體的堆疊(stack)體的情況，與上述捲取體形態的DR積層體的情況同樣，拽著剝離片將DR積層體揭下的時 候，有可能產生僅剝離片被揭下來，而雷射切割片殘留在堆疊(stack)體的問題。在剝離片的上層側貼附有雷射切割片DR積層體的堆疊(stack)體的情況，在拽著剝離片將DR積層體揭下的時候，有可能產生一層下側的DR積層體的雷射切割片也一起被揭下的問題。
本發明之目的在於提供一種，能夠減低像這樣在捲取體或堆疊(stack)體形態中的DR積層體上發生DR積層體供給不良的可能性的雷射切割片、為該雷射切割片與剝離片的積層體的雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)、以及使用該雷射切割片使板狀構件個片化來製造晶片體的晶片體之製造方法。
為達成上述之目的，本發明者等經檢討所得之知見概略如下。DR積層體具有雷射切割片，雷射切割片具有黏著劑層、第1片以及第2片。黏著劑層，在使用時之前以其剝離面相對的狀態貼附有剝離片，在使用時具有貼附有板狀構件的面。第1片，被積層在黏著劑層的相對於上述板狀構件的貼附面與相反側的面上，對向於其黏著劑層一側與相反側的面的一部分(在本說明書中，也將面的一部分成為「區域」。)在使用時成為雷射的入射面。第2片，在對向於第1片的黏著劑層一側與相反側的面上積層有使用時不進行雷射照射的區域。將第2片中對向於第1片一側與相反側的面(相當於雷射切割片的基材背面的一部分。)的、對於DR積層體具備的剝離片的剝離片背面(剝離片的剝離面與相反側的面)的剝離力設為 50mN/50mm以下。通過賦予DR積層體雷射切割片上述之特徵，DR積層體供給不良不易發生。
根據上述知見完成的本發明的一態樣，第一，提供一種雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)，其為具備具有第1片、積層於上述第1片一側的面上的第2片、以及積層於上述第1片另一側的面上的黏著劑層的雷射切割片，和以其剝離面對向於上述雷射切割片的上述黏著劑層側的面的方式所積層的剝離片的雷射切割片-剝離片積層體，其特徵在於：上述第2片平面視形狀為環狀，在上述第1片一側的面中以平面視被上述第2片包圍，沒有積層上述第2片的環內露出區域，包含在使用上述雷射切割片時進行雷射照射的雷射照射區域；上述第1片在23℃的楊氏模量為30MPa以上600MPa以下，上述第1片一側的面至少上述雷射照射區域的算術平均粗糙度Ra為未滿0.1μm；上述剝離片的剝離面，具有沒有積層上述雷射切割片的區域；關於在上述第2片一側的面上載置上述剝離片的剝離面與相反側的面所得到的重積體，在40℃、相對濕度80%的環境下，從上述試驗用剝離片的剝離面側印加19.6N荷重1小時；並且，在23℃、相對濕度50%的環境下，以無荷重的狀態靜置1小時，將靜置後的上述重積體的上述試驗用剝離片剝離180°時所測定的剝離力為50mN/50mm以下(發明1)。
通過使雷射切割片的基材背面，由算術平均粗糙度Ra小的片與對剝離片背面的密著性被調低了的片的2種片構成，實現了難以產生因雷射切割片的基材背面與剝離片的背 面的密著性過度高而導致它們變得難以剝離這之問題。
於上述發明(發明1)中，關於上述第1片至少在使用雷射切割片時進行雷射照射的部分，較佳為在上述波長1064nm的直線透過率為80%以上，同時在波長1064nm的相位差為100nm以下(發明2)。在具有上述特性的情況下，像隱形切割那樣，在使用時將透過第1片的雷射在板狀構件內集光時，照射的雷射能被有效地傳達到板狀構件內，易於更適當地進行切割加工
在上述發明(發明1，發明2)中，上述第2片中對向於上述第1片的一側與相反側的面，算術平均粗糙度Ra較佳為0.3μm以上(發明3)。像這樣，在雷射切割片基材的背面當中，通過將由第2片所構成的區域設為粗糙面，則容易將上述之剝離力設為50mN/50mm以下。
在上述發明(發明1~發明3)中，上述第2片中對向於上述第1片的一側與相反側的面，較佳為由聚酯系膜的面所構成(發明4)。在雷射切割片的基材背面當中，通過將由第2片所構成的區域設為包含聚酯系膜的面，則容易將上述之剝離力設為50mN/50mm以下。聚酯系膜，由於包含含有芳香族化合物的樹脂材料，所以比較剛直，因此對剝離片的背面的密著性難以提高。不過，像這樣的材料由於吸收雷射光，特別是吸收在隱形切割之際所使用的1064nm光，因此在基材為單層的雷射切割片中難以作為基材構成材料來使用。
上述發明(發明1~發明4)中，上述剝離片中對向於上述雷射切割片一側與相反側的面(剝離片的背面)的算術平 均粗糙度Ra較佳為0.1μm以下(發明5)。在剝離片背面的表面粗糙度為上述範圍的情況下，DR積層體所具備的第1片背面的算術平均粗糙度Ra難以變大。因此，第1片中包含雷射照射區域的部分的雷射穿透性難以降低。
在上述發明(發明1~發明5)中，較佳為上述剝離片由長尺體構成，上述雷射切割片其複數片在上述剝離片的長尺方向相互間隔地配置，有在長尺方向捲取所成的捲取體形態(發明6)。在為這樣的形態的情況下，保存時的操作性優異，在使用之際容易使剝離作業自動化。
本發明之一態樣，第二，提供一種雷射切割片，其為從上述發明(發明1~發明6)的任意一項所涉及的雷射切割片-剝離片積層體，將上述剝離片剝離所得到的雷射切割片，其特徵在於：上述對向於黏著劑層的上述第1片的一側與相反側的面中和上述第1片的上述環內露出區域以平面視重複的區域，含有在使用上述雷射切割片時，貼附板狀構件之區域(發明7)。
像這樣的雷射切割片，在使用時對於所貼附的板狀構件，以透過雷射切割片的方式進行雷射照射之際，難以產生雷射散亂或相位的均一性降低等的問題。
在上述發明(發明7)中，較佳為上述第1片的上述環內露出區域的以平面視為內接圓的半徑，比上述貼附有板狀構件的區域的以平面視為外接圓的半徑大2mm以上(發明8)。通過環內露出區域與板狀構件具有上述之關係，在雷射切割片上貼附板狀構件之際的作業性提高，以平面視有未含於環內露 出區域的區域的方式貼附板狀構件的可能性進一步減低。
本發明之一態樣，第三，提供一種晶片體之製造方法，其特徵在於：在上述發明(發明7，發明8)中任一項所涉及之雷射切割片的上述黏著劑層中對向於上述第1片的一側與相反側的面的規定區域，貼附上述板狀構件；將上述雷射切割片的上述第1片的上述環內露出區域作為入射面，以透過上述第1片以及上述黏著劑層到達上述板狀構件的方式，照射雷射；藉由使上述照射雷射後的上述板狀構件貼附的上述雷射切割片在主面內方向伸長，而個片化上述板狀構件，得到晶片體(發明9)。
根據上述之製造方法，藉由透過雷射切割片入射的雷射光，在板狀構件的內部適當地形成改質部，所以通過使雷射切割片伸長的擴展(expand)工程，在其改質部的部分，更穩定地發生破斷板狀構件。因此，根據本發明上述之製造方法，能夠高成品率地製造晶片體。
為了達成上述之目的，本發明者等檢討的結果，得到以下的知見。使DR積層體所具備的雷射切割片的基材背面由複數部分構成。使其複數部分之一作為適合雷射入射面的第1區域。使上述複數部分的另一個部分作為對剝離片背面(既有為自身成為構成要素的DR積層體的剝離片背面的情況，也有與自身成為構成要素的DR積層體為其他的DR積層體的剝離片背面的情況。)的密著性低的第2區域。藉由在雷射切割片上賦予上述之特徵，則難以產生DR積層體供給不良。
根據上述之知見，所完成的本發明的另一態樣， 第一，提供一種雷射切割片，其為具有基材與積層於上述基材一側的面上的黏著劑層的雷射切割片，其特徵在於：上述基材的對向於上述黏著劑層的一側與相反側的面的背面，具有其表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.1μm未滿的第1區域以及0.3μm以上的第2區域；上述第1區域含有在使用時照射雷射的雷射入射區域；上述第2區域相比於上述雷射入射區域，被設置於以平面視為上述雷射切割片的外周側(發明10)。
藉由使雷射切割片的基材背面，具備算術平均粗糙度低，在使雷射透過之際難以發生散亂或相位的均一性降低的第1區域，與算術平均粗糙度大，對剝離片背面的密著性低的第2區域，且使第2區域相比於雷射入射區域為設置於外周側，則在將雷射切割片從DR積層體上剝離前的階段，難以發生雷射切割片從剝離片的剝離面脫落的不良情況。
在上述發明(發明10)中，上述第2區域的表面粗糙度，較佳為以算術平均粗糙度Ra為0.5μm以上(發明11)。 通過為像這樣的表面粗糙度，可以更加穩定地降低雷射切割片與剝離片的背面的密著性。
在上述發明(發明10，發明11)中，上述第2區域以平面視為環狀，上述雷射入射區域相比於形成環狀的上述第2區域以平面視的內周，較佳為位於上述第2區域面內方向中心側(發明12)。通過使基材背面中的第2區域的配置為上述那樣的方式，在送出或者揭起DR積層體之際，更安定地難以發生雷射切割片從剝離片的剝離面上脫落的不正常情況。
在上述發明(發明10~發明12)中，上述基材的背 面較佳為由上述第1區域與上述第2區域構成(發明13)。在基材背面為像這樣的構成的情況時，因為能使基材背面中第2區域以外的區域全體作為雷射入射區域，所以即使在板狀構件的加工(具體地可以例示隱形切割。)以外的目的(譬如，板狀構件的配向(alignment)、環形框架(ring frame)的配向(alignment))，使用雷射等光的情況，也能容易地確保入射光的區域。
在上述發明(發明10~發明13)中，上述基材較佳為在23℃的楊氏模量為30MPa以上600MPa以下(發明14)。 當基材具有上述特性的情況時，在擴展(expand)工程中，因為基材容易被均一地伸長，所以在擴展(expand)工程之際，難以發生基材破斷或發生基材與環形框架(ring frame)剝離等不良情況。特別是在採用隱形切割法的情況時，難以發生雷射切割片上的板狀構件沒有被適切地割斷，或者在板狀構件被割斷所得的晶片體的整列方向產生不均勻的問題。
在上述發明(發明10~發明14)中，上述第2區域，較佳通過對於上述基材的背面實施粗面化處理而形成(發明15)。在根據上述方法形成第2區域的情況時，只要準備背面整面由第1區域所構成的基材，就可以容易地製作上述發明所述的雷射切割片。
在上述發明(發明10~發明15)中，上述第1區域，較佳為在上述波長1064nm中的直線透過率為80%以上，同時在波長1064nm中的相位差為100nm以下(發明16)。在第1區域具有上述特性的情況時，上述發明所涉及的雷射切割片適合作為用於隱形切割的切割片而使用。
本發明的另一態樣，第二，提供一種雷射切割片-剝離片積層體，其具有上述發明(發明10~發明16)的任意一項所涉及之雷射切割片，與以其剝離面對向於上述雷射切割片之上述黏著劑層側的面的方式被積層之剝離片，在上述剝離片之剝離面，具有未積層上述雷射切割片之區域(發明17)。
上述雷射切割片-剝離片積層體難以發生前述之DR積層體供給不良。
在上述發明(發明17)中，在上述剝離片中對向於上述雷射切割片一側與相反側的面(為剝離片的背面)，較佳為算術平均粗糙度Ra為0.1μm以下(發明18)。在剝離片背面的表面粗糙度為上述範圍的情況時，DR積層體所具有的雷射切割片的第1區域的算術平均粗糙度Ra難以變大。因此，在雷射切割片中含有雷射照射區域的部分的雷射穿透性難以降低。
本發明的另一態樣，第三，提供一種晶片體的製造方法，其中，從上述發明(發明17，發明18)所涉及的雷射切割片-剝離片，剝離上述剝離片，使上述雷射切割片之上述黏著劑層側之面露出；在上述雷射切割片之上述露出之黏著劑層側之面，以平面視與上述第1區域重複之區域貼附板狀構件；將上述第1區域作為雷射入射面，以透過上述基材以及上述黏著劑層到達上述板狀構件之方式照射雷射；藉由使上述照射雷射後之上述板狀構件所貼附之上述雷射切割片，在其主面內方向伸長，而個片化上述板狀構件，得到晶片體(發明19)。
根據上述製造方法，通過透過雷射切割片入射的雷射光可以在板狀構件的內部適當地形成改質部，所以通過使 雷射切割片伸長的擴展(expand)工程，在其改質部的部分，更安定地發生板狀構件破斷。因此，根據本發明所涉及的製造方法，可以高成品率地製造晶片體。
上述本發明的一態樣所涉及的DR積層體所具備的雷射切割片，使用時進行雷射照射的區域，由對向於第1片的黏著劑層一側與相反側的面所構成。為此，在切割工程中，進行雷射照射時，難以發生雷射光散亂的問題。其另一方面，上述本發明的一態樣所涉及的DR積層體所具備的雷射切割片，在使用前的DR積層體被積層的狀態(具體地可以例示處於捲取體形態的情況或者處於堆疊(stack)體形態的情況。)，黏接於DR積層體的剝離片背面的面，主要由對於剝離片背面以密著性變低的方式所設定的第2片的對向於第1片一側與相反側的面(第2片的背面)形成。為此，將某個DR積層體，從以剝離片背面黏接於其第2片的背面的方式所配置的剝離片上剝離的時候，DR積層體在第2片的背面與其剝離片背面之間不剝離，而在雷射切割片的黏著劑層與剝離片的剝離面之間剝離的可能性降低。因此，上述本發明之一態樣所涉及的DR積層體，即使為捲取體或堆疊(stack)體的形態，也難以發生DR積層體供給不良。
上述本發明的另一態樣所涉及的雷射切割片，通過將基材背面中的第1區域的至少一部分作為雷射入射區域使用，使用時在雷射切割片上所照射的雷射光難以因基材而發生散亂或相位的均一性降低，能夠將適當的雷射光照射到板狀構 件。並且，通過具有像這樣的雷射切割片的上述本發明的另一態樣所涉及的DR積層體，在使用前的DR積層體被積層的狀態(具體地可以例示處於捲取體形態的情況或處於堆疊(stack)體形態的情況。)，黏接於DR積層體的剝離片背面的面，亦即是說，基材背面不僅具備第1區域，也具備第2區域，該第2區域由相對粗糙的面構成。而且，第2區域通常佔有雷射切割片的大部分，相比於照射雷射的雷射入射區域，被設置在以平面視為雷射切割片的外周側。為此，要將某個DR積層體，從以剝離片背面與其基材背面黏接的方式所配置的剝離片上剝離的時候，在剝離片的剝離面與黏著劑層的面的密著性、黏著劑層與基材的密著性、以及基材背面之中第2區域與剝離片的背面的密著性之間，在密著性最低的介面產生剝離，結果是以平面視為被設置在相近於切割片的外周的位置的由粗糙面所構成的第2區域、與剝離片背面的密著性降得最低，在該介面的剝離容易發生。因此，上述本發明的別一態樣所涉及的DR積層體即使為捲取體或堆疊(stack)體的形態，也難以發生DR積層體供給不良。
100‧‧‧DR積層體
10‧‧‧雷射切割片
1‧‧‧第1片
2‧‧‧第2片
21‧‧‧基材膜
22‧‧‧接著劑層
3‧‧‧黏著劑層
11‧‧‧剝離片
100A‧‧‧捲取體
11a‧‧‧最外周之剝離片
11b‧‧‧相比於最外周之剝離片為一層內周側之剝離片
C‧‧‧芯材
100B‧‧‧堆疊(stack)體
50‧‧‧SUS製平板
51‧‧‧試驗用第2片
511‧‧‧試驗用第2片之基材膜
512‧‧‧試驗用第2片之接著劑層
51a‧‧‧試驗用第2片之一側之面
52‧‧‧試驗用剝離片
52a‧‧‧試驗用剝離片之剝離面與相反側之面
53‧‧‧重積體
61‧‧‧板狀構件
62‧‧‧環形框架(ring frame)
200‧‧‧DR積層體
210‧‧‧雷射切割片
201‧‧‧基材
201A‧‧‧基材1背面
201a‧‧‧第1區域
201c‧‧‧雷射照射區域
201b‧‧‧第2區域
203‧‧‧黏著劑層
211‧‧‧剝離片
200A‧‧‧捲取體
211a‧‧‧最外周之剝離片
211b‧‧‧相比於最外周之剝離片為一層內周側之剝離片
200C‧‧‧芯材
200B‧‧‧堆疊(stack)體
271‧‧‧板狀構件
272‧‧‧環形框架(ring frame)
【圖1】係本發明第1實施形態所涉及的雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)的概略斷面圖。
【圖2】係概念性地顯示本發明第1實施形態所涉及的雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)形成捲取體形態，從該捲取體送出DR積層體的狀態的斜視圖。
【圖3】係概念性地顯示本發明第1實施形態所涉及的雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)的複數個形成堆疊(stack)體形態的狀態的斷面圖。
【圖4】係概念性地顯示從本發明第1實施形態所涉及的捲取體，送出DR積層體，要將貼附於長尺的剝離片的雷射切割片的1片取下之前的狀態的部分斷面圖。
【圖5】係概念性地顯示評價本發明第1實施形態所涉及的雷射切割片的第2片中對向於第1片一側與相反側的面的剝離片對於剝離片背面的密著性的方法的斷面圖，(a)係概念性地顯示在SUS製平板上積層第2片，在該第2片上層疊剝離片所成的重積體的斷面圖，(b)係概念性地表示在該重積體上施加有荷重的狀態的斷面圖。
【圖6】係概念性地顯示在本發明第1實施形態所涉及的雷射切割片的黏著劑層貼附了板狀構件以及環形框架(ring frame)的狀態的斷面圖。
【圖7】係本發明第2實施形態所涉及的雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)的概略斷面圖。
【圖8】係概念性地顯示本發明第2實施形態所涉及的雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)的雷射切割片的基材背面的平面圖。
【圖9】係概念性地顯示本發明第2實施形態所涉及的雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)形成捲取體形態，從該捲取體送出DR積層體的狀態的斜視圖。
【圖10】係概念性地顯示從本發明第2實施形態所涉及的 捲取體送出雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)，要將貼附在長尺的剝離片的雷射切割片的1片取下之前的狀態的部分斷面圖。
【圖11】係概念性地顯示本發明第2實施形態所涉及的雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)的複數個形成有堆疊(stack)體形態的狀態的斷面圖。
【圖12】係概念性地顯示在本發明第2實施形態所涉及的雷射切割片的黏著劑層上貼附了板狀構件以及環形框架(ring frame)的狀態的斷面圖。
I 第1實施形態
以下，就本發明的第1實施形態進行說明。
1．雷射切割片-剝離片積層體
如圖1所示，本發明的第一實施形態所涉及的雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)100，具有雷射切割片10和以其剝離面對向於雷射切割片10的黏著劑層3側的面的方式所積層的剝離片11，上述雷射切割片10具有第1片1、積層在第1片1的一側的面上的第2片2、以及積層在第1片的另一側的面上的黏著劑層3。在以下的說明中，有將第1片1以及第2片2總稱為基材的情況。
(1)第1片
本發明的第1實施形態涉及的DR積層體100所具備的切割片10的第1片1，在切割工程中，具有使雷射透過的機能，在切割工程之後所進行的擴展(expand)工程等中，只要不破 斷，其構成材料就沒有特別的限定。通常由以樹脂系的材料作為主材料的膜所構成。作為該膜的具體例子，可以使用聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚合物膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等的聚乙烯膜、延伸或者無延伸的聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氨酯膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚合物膜、以及其水添加物或者改性物等所構成的膜。另外，也可以使用這些的交聯膜、共聚合物膜。其中，考慮到擴展(expand)性，較佳為聚氯乙烯膜。上述之基材可以為單獨1種，而且也可以為將這些2種類以上組合起來所成的積層膜。
第1片1，在以上述之樹脂系材料作為主材料的膜內，也可以含有顏料、難燃劑、可塑劑、帶電防止劑、潤滑劑、填充料等各種添加劑。這些添加劑的含有量沒有特別的限定，但是應該停留在第1片1能夠發揮所希望的機能，不失去柔軟性的範圍。另外，如上所述，第1片1的一側的面，由於其一部分在使用時成為雷射的入射面，所以在第1片含有使入射的雷射的直線透過率降低的材料(顏料、填充料等)的情況下，較佳為調整其含有量，將第1片的面的平滑性控製在所希望的範圍內。
在黏著劑層3為含有通過能量線的照射發生聚合的材料的時候，為使其重合作為照射的能量線使用紫外線的情況下，較佳為第1片1對於紫外線具有穿透性。再者，作為上述能量線使用電子線的情況下，較佳為第1片1對於電子線具有穿透性。
而且，第1片1中在黏著劑層3所積層的一側的 面，為了提高與構成黏著劑層3的黏著劑的密著性，也可以實施電暈處理，或者設置底(priming)層。
第1片1在23℃的楊氏模量為30MPa以上600MPa以下，較佳為50MPa以上500MPa以下，更佳為100MPa以上400MPa以下。在23℃的楊氏模量為30MPa以上600MPa以下的第1片1，因為在擴展(expand)工程之際容易均一地伸長，在採用隱形切割法的情況，不易發生雷射切割片10上的板狀構件沒有被適當地切斷，或者在板狀構件被切斷所成的晶片體的整列方向上發生不均勻等的不良情況。
而且，第1片1的破斷伸度在23℃、相對濕度50%時，作為通過用200mm/分鐘進行拉伸所測定的值，較佳為50%以上，更佳為70%以上，特佳為100%以上。在這裡，破斷伸度是在基於JIS K7161：1994(ISO 527-1：1993)的拉伸試驗中，對於試驗片破壞時的試驗片長度的元有長度的拉伸率。上述破斷伸度為50%以上的第1片1，由於在擴展(expand)工程之際難以破斷，所以雷射切割片10上的板狀構件沒有被適當地切斷，或板狀構件被分割所成的晶片體脫落的不正常情況難以發生。
第1片1的平面視形狀(為從平行於主面的法線的方向所看到的形狀)，在將作為被加工物的半導體晶圓等的板狀構件，貼附於含有雷射切割片10的黏著劑層3側的面的中心的區域時，在其周圍，充分地確保貼附運搬等之際所使用的環形框架(ring frame)的區域，並且，在貼附於這些半導體晶圓的區域與貼附於環形框架(ring frame)的區域之間，確保適當 的區域，在擴展(expand)工程中，安裝回收環形框架(ring frame)之際成為支點的夾具，在該夾具與將半導體晶圓個片化而得到的複數個晶片體之間，只要為設定伸長後也為平面視程度(從數毫米到數厘米)的間隙的形狀，就特別的限定。通常第1片1的平面視形狀，對應於環形框架(ring frame)的內周所形成的形狀，被製成近於圓型的形狀。
第1片1的主面之中，使用時照射雷射側的面(在本說明書中亦稱為「背面」。)的表面粗糙度，從提高雷射穿透性的觀點考慮，至少，關於在使用時照射雷射的區域(在本說明書中，亦稱為「雷射照射區域」。)，算術平均粗糙度Ra為未滿0.1μm。在這裡，算術平均粗糙度Ra是通過接觸式表面粗糙度計所測定的基於JIS B0601：2001的特性，在以下也同樣。 在滿足上述的表面粗糙度的條件的情況下，雷射在第1片1內難以散亂，第1片1的直線透過率難以降低。從提高切割工程的加工品質以及加工精度的觀點考慮，第1片1較佳為將在隱形切割所使用的光源在波長1064nm的直線透過率設定為80%以上，更佳為90%以上。通過將第1片1背面的雷射照射區域中的算術平均粗糙度Ra設定為上述範圍內的值，容易將直線透過率調整在上述範圍，進一步較佳為0.08μm以下。算術平均粗糙度Ra越小則雷射的穿透性越高，因此第1片1背面的雷射照射區域中算術平均粗糙度Ra越小越佳，其下限沒有特別的限定。由於構成第1片1背面的構件在製造上的限製等，通常該算術平均粗糙度Ra以0.01μm左右為下限。第1片1背面的算術平均粗糙度Ra的調整可以通過公知的方法來進行， 譬如，通過擠出成型來製造提供第1片1的膜的情況時，可以通過轉寫冷卻輥的表面形狀來進行；在提供作為延伸膜的第1片1的膜的製造中，可以通過變更添加於膜的材料的充填材料的量或尺寸來進行；在澆鑄(casting)液狀物，使其固化而得到膜的情況時，可以通過調整用於澆鑄(casting)的工程膜的粗糙度來進行。
第1片1的厚度只要是雷射切割片10在上述切割工程或擴展(expand)工程中能夠適當地發揮機能，則沒有限定。過度薄的情況下，則在製造過程或使用時有可能易於發生破斷。另一方面，關於第1片1，將在隱形切割所使用的光源在波長1064nm的相位差設為100nm以下，從提高切割工程的加工品質以及加工精度的觀點考慮為較佳，但是在第1片1過度厚的情況下，即使調整第1片1的材質，有可能難以使上述相位差為100nm以下。因此，第1片1的厚度較佳為20μm以上150μm以下，更佳為40μm以上100μm以下，特佳為50μm以上90μm以下。
(2)黏著劑層
黏著劑層3可以通過從來公知的各種黏著劑來形成。作為像這樣的黏著劑，沒有任何的限定。但是，可以使用譬如橡膠系、丙烯系、矽樹脂系、聚乙烯醚等的黏著劑。再者，也可以使用能量線聚合型或加熱發泡型、水膨潤型的黏著劑。作為能量線(紫外線、電子線等)聚合型黏著劑，特別較佳為使用紫外線聚合型黏著劑。
以下，關於能量線聚合型黏著劑，以丙烯系黏著 劑作為例子進行具體說明。
丙烯系黏著劑為對由黏著劑組成物所形成的黏著劑層賦予充分的黏著性以及造膜性(片加工性)，含有丙烯系聚合物(A)，且含有能量線聚合性化合物(B)。能量線聚合性化合物(B)，另外含有能量線聚合性基，具有接受紫外線、電子線等的能量線的照射發生聚合，使黏著劑組成物的黏著力降低的機能。再者，作為兼具上述成分(A)以及(B)的性質的聚合物，代替這些，可以使用在主鏈或側鏈上結合能量線聚合性基而成的能量線聚合型聚合物(以下有記載為成分(AB)的情況)。像這樣的能量線聚合型黏著性聚合物(AB)具有兼具黏著性.造膜性賦予機能及能量線聚合性的性質。
作為丙烯系聚合物(A)，可以使用從來公知的丙烯系聚合物。丙烯系聚合物(A)的重量平均分子量(Mw)較佳為10萬~200萬，更佳為30萬~150萬。而且，分子量分佈(Mw/Mn、Mn為數均分子量)較佳為1.0~10，更佳為1.0~3.0。另外，丙烯系聚合物(A)的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-70℃~30℃，更佳為-60℃~20℃的範圍。
作為用於形成上述丙烯系聚合物(A)之單體的(甲基)丙烯酸酯的具體例，作為(甲基)丙烯酸酯的具體例，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等烷基的炭素數為1~18的(甲基)丙烯酸烷酯；(甲基)丙烯酸環烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸二環戊酯、丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯乙氧酯、丙烯酸醯亞胺酯等有 環狀骨格之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等具有羥基之(甲基)丙烯酸酯；甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯等具有環氧基之(甲基)丙烯酸酯等。除此之外，作為用於形成上述丙烯系聚合物(A)的單體，也可以例示丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、丙烯腈等。另外，上述丙烯系聚合物(A)也可以共聚合乙酸乙烯酯、苯乙烯、醋酸乙烯酯等。
能量線聚合性化合物(B)係受到紫外線、電子線等能量線之照射，就聚合之化合物。作為該能量線聚合性化合物之例，可以列舉出具有能量線聚合性基之低分子量化合物(單官能、多官能之單體以及寡聚物)，具體而言可以使用：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate)、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯(tetramethylolmethane tetraacrylate)、季戊四醇三丙烯酸酯(pentaerythritol triacrylate)、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯(dipentaerythritol monohydroxy pentaacrylate)、二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)或者1,4-丁二醇二丙烯酸酯(1,4-butylene glycol diacrylate)、1,6-己二醇二丙烯酸酯(1,6-hexanediol diacrylate)、二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯(dicyclopentadiene dimethoxy diacrylate)、異冰片基丙烯酸酯(isobornyl acrylate)等含有環狀脂肪族骨格丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯(polyethylene glycol diacrylate)、寡丙烯酸酯(oligoester acrylate)、丙烯酸胺酯寡聚物(urethane acrylate oligomer)、環氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、衣康酸寡聚物等丙烯酸酯系化合物。像這樣之化合物於分子內至少 具有1個聚合性雙鍵，通常分子量為100~30000，較佳為300~10000左右。
一般的情況是，對於成分(A)100重量份，成分(B)為10重量份~400重量份，較佳以30重量份~350重量份左右之比例來使用。
兼備上述成分(A)以及(B)的性質的能量線聚合型黏著性聚合物(AB)，在主鏈或側鏈上結合能量線聚合性基而成。
能量線聚合型聚合物(AB)的主骨格沒有特別的限定，可以為與上述丙烯系聚合物(A)相同的物質。
結合在能量線聚合型聚合物(AB)的主鏈或者側鏈的能量線聚合性基，譬如為含有能量線聚合性的炭素-炭素雙鍵的基，具體而言，可以例示(甲基)丙烯醯(acryloyl)基等。 能量線聚合性基可以藉由伸烷(alkylene)基、伸烷氧基(Alkyleneoxy)基、聚伸烷氧(poly Alkyleneoxy)基，結合於能量線聚合型黏著性聚合物。
能量線聚合型聚合物(AB)的重量平均分子量(Mw)較佳為10萬~200萬，更佳為30萬~150萬。而且，分子量分佈(Mw/Mn，Mn為數平均分子量)較佳為1.0~10，更佳為1.0~3.0。另外，能量線聚合型聚合物(AB)的玻璃轉移溫度(Tg)，較佳為-70℃~30℃，更佳為-60℃~20℃的範圍。
能量線聚合型聚合物(AB)，譬如，使含有羥基、羧基、氨基、置換氨基、環氧基等官能基的丙烯系聚合物，與每1分子具有1~5個與該官能基反應的置換基以及能量線聚 合性炭素-炭素雙鍵的聚合性基含有化合物進行反應而得到。上述丙烯系聚合物，由含有羥基、羧基、氨基、置換氨基、環氧基等的官能基的(甲基)丙烯酸酯單體或者其誘導體，與構成上述成分(A)的單體進行共聚合而得到。再者，作為該聚合性基含有化合物，可以列舉出(甲基)丙烯醯氧乙基異氰酸酯(meth)acryloyloxyethyl isocyanate)、甲基-異丙烯基-α，α-二甲基苄基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯異氰酸酯、丙烯異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；(甲基)丙烯酸等。在通過上述製法得到的能量線聚合型聚合物(AB)中，上述能量線聚合型聚合物(AB)的重量平均分子量(Mw)、分子量分佈(Mw/Mn)、玻璃轉移溫度(Tg)是指與含有聚合性基的化合物反應之前的丙烯系聚合物的重量平均分子量(Mw)、分子量分佈(Mw/Mn)、玻璃轉移溫度(Tg)。
在能量線聚合性化合物(B)或者能量線聚合型聚合物(AB)中，較佳併用光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可列舉出苯偶因化合物、乙醯苯化合物、醯基氧化膦化合物、茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物化合物等的光起始劑、胺或醌等的光增感劑等，具體而言，可例示1-羥基環己基苯基酮、苯偶因、苯偶因甲醚、苯偶因***、苯偶因異丙醚、芐基二苯基硫、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、二芐基、二乙醯、β-氯化蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物(2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide)等。通過併用光聚合起始劑，作為能量線使用紫外線的情況下，通過配合光聚合起始劑，可以減少照射時間、照射量。該光聚合起始劑 的配合量沒有特別的限定，但是，對於能量線聚合性化合物(B)以及能量線聚合型黏著性聚合物(AB)的合計100質量份(為固形份，以下相同。)，較佳為0.5質量份以上10質量份以下。
而且，在黏著劑組成物中，為了改良各種物性，根據必要，也可以含有其他的成分(交聯劑等)。作為交聯劑，可以列舉出有機多價異氰酸酯化合物、有機多價環氧化合物、有機多價亞胺化合物等。該交聯劑的配合量沒有特別的限定，但是，相對於丙烯系聚合物(A)以及能量線聚合型聚合物(AB)的合計100質量份，較佳為0.2質量份以上10質量份以下。
含有上述那樣的丙烯系聚合物(A)以及能量線聚合性化合物(B)的丙烯系黏著劑，或者含有能量線聚合型黏著性聚合物(AB)丙烯系黏著劑，通過能量線照射進行聚合。作為能量線，可以舉出電離放射線，也即是說X線、紫外線、電子線等。這些能量線之中，較佳為比較容易地導入照射設備的紫外線。
作為電離放射線使用紫外線的情況，從容易操作的觀點考慮，只要使用含有波長為200nm~380nm左右的紫外線的近紫外線即可。作為紫外線量，根據能量線聚合性化合物(B)的種類或黏著劑層3的厚度，適宜選擇即可，通常為50mJ/cm2~500mJ/cm2左右，較佳為100mJ/cm2~450mJ/cm2，更佳為200mJ/cm2~400mJ/cm2。再者，紫外線照度通常為50Mw/cm2~500Mw/cm2左右，較佳為100Mw/cm2~450Mw/cm2，更佳為200Mw/cm2~400Mw/cm2。作為紫外線源，沒有特別的限製，可以使用譬如高壓水銀燈、金屬鹵素 燈、UV-LED等。
在作為電離放射線使用電子線的情況時，關於其加速電壓，根據能量線聚合性化合物(B)的種類或黏著劑層3的厚度，適宜選定即可，通常較佳為加速電壓為10kV~1000kV左右。再者，照射線量在能量線聚合性化合物(B)適當地聚合的範圍內設定即可，通常在10kRad~1000kRad的範圍選定。 作為電子線源，沒有特別的限製，可以使用譬如高壓發生型、條紋型、共振變壓器型、絕緣核心變壓器型、或直線型、地那米型、高頻率型等各種電子線加速器。
黏著劑層3的厚度，較佳為1μm以上15μm以下，進一步較佳為2μm以上10μm以下、特別較佳為3μm以上8μm的範圍。在黏著劑層3過度厚的情況下，即使控製第1片1的材質或厚度，在使用時也有難以使透過第1片1與黏著劑層3的積層體而到達板狀構件的雷射強度或相位的均一性控製在所希望的範圍的情況。再者，在隱形切割法中使用本發明所涉及的雷射切割片-剝離片積層體的情況時，如果黏著劑層3厚，則擴展(expand)時基材的變形難以傳送給半導體晶圓，在半導體晶圓的分割上有可能出現不良情況。黏著劑層3如果過度地薄的情況下，黏著劑層在使用時有可能不能適當地固定板狀構件。
(3)剝離片
本發明第1實施形態所涉及的DR積層體100，在雷射切割片10的黏著劑層3對向於第1片1一側與相反側的面(使用時貼附板狀構件的面)，在其使用時之前為了保護黏著劑層積 層有剝離片11。
只要可以達到上述之目的，構成剝離片11的材料可以為任意的材料，可以例示在含有塑膠膜的支援膜上塗佈了剝離劑而成的材料。作為塑膠膜的具體例子，可以列舉出聚乙烯對苯二甲酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯膜、以及聚丙烯或聚乙烯等的聚烯烴膜。這些之中，較佳為伸縮性小、寸法穩定性、平滑性優異的聚酯膜。作為剝離劑可以使用矽樹脂系、氟素系、長鏈烷基系等，但是這些之中，較佳廉價且能夠得到穩定性能的矽樹脂系。形成上述剝離片11的支援膜的塑膠膜可以單獨作為剝離片發揮機能。也即是說，從該支援膜的面上也可以構成剝離面。在支援膜為聚酯膜的情況時，通常那樣直接對黏著劑沒有離型性，因此較佳為塗佈剝離劑形成剝離面。或者，代替上述剝離片11的由塑膠膜所構成的支援膜，也可以使用半透明紙、有光紙、優質紙等的紙基材或者在紙基材上層壓聚乙烯等的熱可塑性樹脂所得到的層壓紙。關於剝離片11的厚度沒有特別的限製，但是通常為20μm以上250μm以下左右。
在剝離片11中對向於雷射切割片10(具體而言，為雷射切割片10的黏著劑層3)一側與相反側的面(在本說明書中，亦稱為「剝離片11的背面」。)，算術平均粗糙度Ra較佳為0.1μm以下。關於剝離片11的背面的整面，算術平均粗糙度Ra也可以為0.1μm以下，當積層了複數個DR積層體100時，黏接於雷射照射區域的區域的算術平均粗糙度Ra也可以為0.1μm以下。
對於某一個DR積層體(在本段落的說明中，稱為「第1DR積層體」。)100，其他的DR積層體(在本段落的說明中，稱為「第2DR積層體」。)100(第1DR積層體100與第2DR積層體也可以為連續地構成的DR積層體的彼此一部分。)，在第1DR積層體100的剝離片11的背面與第2DR積層體100的第1片1背面的雷射照射區域以重疊的方式被積層的情況下，如果第1DR積層體100的剝離片11的背面為過度粗糙的面的話，其剝離片11背面的凹凸形狀，通過被第2DR積層體100的第1片1背面的雷射照射區域所擠壓，在其第1片1背面的雷射照射區域，形成源自第1DR積層體100的剝離片11的背面的凹凸形狀，結果是，可能發生第2DR積層體100的第1片1背面的雷射照射區域的算術平均粗糙度變大的情況。像這樣，第2DR積層體100的第1片1背面的雷射照射區域的算術平均粗糙度變大，則其第1片1中在含雷射照射區域的部分，雷射光的穿透性降低的可能增高。因此，如上所述，在將第1DR積部層體100的剝離片11背面的算術平均粗糙度控製在適當的範圍的情況下，第1DR積層體100的剝離片11背面的源自表面的凹凸形狀，第2DR積層體100第1片1的含有雷射照射區域的部分的雷射光的穿透性難以降低，因此為佳。
從更安定地減低關於上述穿透性發生不良情況的可能性的觀點考慮，剝離片11背面的算術平均粗糙度Ra較佳為0.08μm以下。剝離片11背面的算術平均粗糙度Ra的下限沒有特別的限定。從容易製造構成剝離片11背面的構件的觀點等考慮，剝離片11背面的算術平均粗糙度Ra，較佳為0.01μm 以上，更佳為0.02μm以上。
剝離片11的形狀也沒有特別的限定。但是，為了從剝離片11上，把雷射切割片10容易地剝離，通常在剝離片11的剝離面上，設置沒有貼附雷射切割片10的黏著劑層3側的面的區域。
作為剝離片11的具體形狀的一例，可以列舉出長尺形狀。該情形中DR積層體100的形態的具體例是，複數個雷射切割片10在剝離片11的長尺方向相互間隔地貼附在剝離片11的剝離面上而形成的形態。此時，DR積層體100可以以長尺體的狀態保存，但是如圖2所示，也可以將DR積層體100的長尺方向的一側的端部固定在芯材C上進行捲取，以捲取體100A的形態來保存。圖2係概念性地顯示將處於這樣的捲取體100A的形態的DR積層體100送出的狀態的斜視圖。
作為剝離片11的具體形狀的另外一例，可以列舉出不是長尺的形狀。此情形中DR積層體100的形態的具體例是，在剝離片11上貼附1片雷射切割片10所成的形態。此時，DR積層體100如圖3所示，其複數片可以以積層在DR積層體100的厚度方向所成的堆疊(stack)體100B的形態來保存。 圖3係概念性地顯示處於這樣的堆疊(stack)體100B的形態的DR積層體100的斷面圖。
(4)第2片
本發明第1實施形態所涉及的DR積層體100所具備的雷射切割片10的第2片2，積層在第1片1的一側的面上，具體而言是積層在第1片1的對向於黏著劑層3側與相反側的面(背 面)上。
第2片2的平面視形狀為環狀。通過第2片2的平面視形狀為環狀，雷射切割片10總厚的厚部分在平面視難以不均衡分佈。其結果是容易避免起因於厚部分的不均衡，在積層DR積層體100之際產生傾斜，或不均衡的厚部分的痕跡留在DR積層體100上這樣的事態。在這裡，所說的環狀不是以平面視(視點方向是指與主面的法線平行的方向。)為完全的環狀，也可以為部分的不連續的形狀(譬如C字形狀)。以平面視為環狀的內側的區域，即以平面視被第2片2所包圍不存在第2片2的區域，第1片1的背面露出。在本說明書中，將於第1片1背面的該區域亦稱為「環內露出區域」。環內露出區域含有在雷射切割片10的使用時照射雷射的區域(雷射照射區域)。
第2片2對於第1片1之固定方法沒有特別的限定。如圖1所示，第2片2有具備基材膜21與接著劑層22的結構，可以通過該接著劑層21，而將第2片2與第1片1固定。 或者，也可以用像熱融著那樣的方法以互相直接黏接的方式，將它們固定。
第2片2因為平面視形狀為環狀，所以如上所述，即使DR積層體100為捲取體100A或堆疊(stack)體100B的形態的情形，在進行從其捲取體100A或堆疊(stack)體100B上，將DR積層體100(在捲取體100A的情形時，為DR積層體100的一部分；在堆疊(stack)體100B的情形時，為1片DR積層體100)取下的作業之際，難以在DR積層體100中發生雷射切割片10從剝離片11上脫落的不良情況(DR積層體供給不良)。
關於這一點，以DR積層體100為捲取體100A形態的情況作為具體例，進行詳細地說明。
圖4係概念性地顯示從捲取體100A將DR積層體100送出，將貼附於長尺的剝離片11上的雷射切割片10的1片設定為剝離可能狀態之前的狀態的部分斷面圖。另外，圖4所示的捲取體100A係形成長尺體形態的DR積層體100，以在更靠近捲取體100A的捲芯C的回轉中心側(內周側)配置雷射切割片10，在更遠離捲取體100A的捲芯C的回轉中心側(外周側)配置剝離片11的方式，進行捲取者。
在本發明第1實施形態所涉及的DR積層體100中，如果從捲取體100A進行DR積層體100的送出，則在由最外周的剝離片11a、其黏著劑層3側的面貼附於最外周的剝離片11a的剝離面上的雷射切割片10、及相比於最外周的剝離片11a為一周內周側的剝離片11b(其剝離面與相反側的面(剝離片背面)，以黏接於雷射切割片10的第2片2一側的面(基材背面)的方式被配置。)所構成的重積體中，在雷射切割片10與剝離片11b的介面發生剝離，能夠適當地使雷射切割片10為剝離可能的狀態。
如下所說明的那樣，這是因為雷射切割片10的第2片2中對向於第1片1一側與相反側的面(以下，亦稱為「第2片2的背面」。)的剝離片11b的對於剝離片背面的密著性被適當地控製。具體而言，關於在第2片2的一側的面上載置剝離片11b的剝離面與相反側的面所得到的重積體，在40℃、相對濕度80%的環境下，從剝離片11b的剝離面側施加19.6N荷 重1小時，進一步在23℃、相對濕度50%的環境下，在無荷重的狀態下靜置1小時，將靜置後上述重積體的剝離片11b剝離180°時所測定的剝離力為50mN/50mm以下。
對測定上述剝離力試驗的詳細情形進行說明。再者，雷射切割片10的第2片2以及剝離片11b，即使使用同材質的試驗用片來代替這個，在剝離力上也不會產生實質性的差異，因此說明使用了上述試驗用片的試驗方法。首先，準備與第2片2同材質的試驗用第2片以及與剝離片11同材質的試驗用剝離片。接著，如圖5(a)所示，使第2片2的對向於第1片1一側與相當於相反側的面(第2片2的背面)的試驗用第2片51一側的面，具體的是使由基材膜511所構成的面51a露出的方式，固定試驗用第2片51。在圖5(a)中，通過試驗用第2片51的接著劑層512，對於SUS製平板50固定試驗用第2片51。接著，在試驗用第2片51一側的面51a上，載置試驗用剝離片52的剝離面與相反側的面52a而得到重積體53。
關於該重積體53，如圖5(b)所示的那樣，在40℃、相對濕度80%的環境下，從試驗用剝離片52的剝離面側，施加19.6N的荷重，在該狀態下放置1個小時。之後，除去荷重，再於23℃相對濕度50%的環境下，以無荷重的狀態靜置1個小時。並且，將該靜置後的重積體53的試驗用剝離片52一邊剝離180°一邊測定剝離力，利用所測定的剝離力來評價密著性。以下也將該剝離力稱為「剝離力A」。
在使用對應於本發明第1實施形態所涉及的DR積層體100具備的雷射切割片10的第2片2的試驗用第2片51， 與對應於本發明第1實施形態所涉及的DR積層體100具備的剝離片11的試驗用剝離片52的情形時，該剝離力A成為50mN/50mm以下。通過使該剝離力A為50mN/50mm以下，在從捲取體100A將DR積層體100送出之際，可以穩定地實現在雷射切割片10與內周側的剝離片11b的介面產生剝離。
在該剝離力A超過50mN/50mm的情形時，相比於在雷射切割片10與內周側的剝離片11b的介面發生剝離，在射切割片10與外周側的剝離片11a的介面產生剝離的可能性提高。如果產生像這樣的剝離，則DR積層體100不能適當地被送出，雷射切割片10會殘留在內周側的剝離片11b的外周側的面(剝離片背面)上。如果產生該DR積層體供給不良的話，長尺體DR積層體100發生重大不良情況的危險性增高，上述重大不良情況是雷射切割片10以沒有露出黏著劑層3的狀態而存在於其剝離片11側的面上，該黏著劑層3會附著在捲取剝離片11時通過的輥(譬如，夾送輥)等用於送出的設備內的部品上等的情況。
從更安定的降低產生像這樣的DR積層體供給不良的可能性的觀點，上述剝離力A較佳為45mN/50mm以下，更佳為40mN/50mm以下。從降低DR積層體發生供給不良的可能性的觀點，不設定上述剝離力A的下限。
為將上述剝離力A設為50mN/50mm以下的手法沒有特別的限定。如果舉出具體例，則為如下所示。
(第1例)
作為第1例，可以舉出控製第2片2對向於第1片1一側 與相反側的面(第2片2的背面)的表面粗糙度的手法。如果加大第2片2背面的表面粗糙度，即通過使其為粗糙的面，可以減小第2片2的背面與剝離片11的剝離片背面的實際接觸面積。此時剝離力A降低。
將第2片2背面的表面粗糙度設定為什麼程度，上述剝離力A會控製在50mN/50mm以下，由於構成第2片2背面的基材膜的材質、構成剝離片背面的剝離片11的支持膜的材質以及剝離片背面的表面粗糙度、在保存狀態中重合的DR積層體100彼此的加壓力等而有所變動，因此不能明確地進行規定。不過，第2片2背面的算術平均粗糙度Ra如果為0.3μm以上，則能更安定地實現將剝離力A控製在50mN/50mm以下。特別是即使構成第2片2背面的基材膜為含有像聚烯烴那樣的剛直性比較差的材料的情形，通過使用其背面的算術平均粗糙度Ra為0.3μm以上的第2片2，可以更安定地實現將剝離力A控製在50mN/50mm以下。第2片2背面的算術平均粗糙度Ra的調整，可以用與調整第1片1背面的算術平均粗糙度Ra的方法同樣的方法來進行。再者，也可以通過噴砂(Sandblasting)處理等的粗面化處理進行調整。
關於上述第1片背面的算術表面粗糙度Ra，如所見的那樣，作為構成雷射切割片的雷射照射區域的材料，難以使用算術表面粗糙度Ra大的材料。也可以考慮在使用時將照射雷射一側的面的算術表面粗糙度Ra，調整為不過大也不過小的程度，以使雷射穿透性與防止DR積層體供給不良能兩立，不過結局是可能導致任意一個性能都不充分的結果。但 是，本發明的第1實施形態所涉及的雷射切割片10，通過具備第2片2，如本例這樣，作為構成雷射照射區域的材料，在使用時不用照射雷射一側的面的算術表面粗糙度Ra大的材料，雷射切割片10中在與含有雷射照射區域的面相同側的面上，實現設置算術表面粗糙度Ra大的面，其結果是實現了難以產生DR積層體供給不良的情形。
(第2例)
作為第2例，構成第2片2對向於第1片1一側與相反側的面(第2片2的背面)的材料，具體而言，在如圖1所示的第2片2中可舉出選擇構成基材膜21的材料的種類。作為一般的傾向，該材料較佳為剛直的材料。作為具有這樣的特性，容易從市場入手並且廉價的材料，可以例示聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等的聚酯系材料，其中，聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)在特性、入手容易性以及成本的平衡上優異，因此為佳。
一般而言，樹脂系材料通過使之含有的聚合物含有源自芳香族化合物的構成單位，可以具有剛直的特性。但是，像那樣含有芳香族化合物的樹脂系材料，雷射的吸收率、特別是在1064nm的雷射吸收率高。為此，作為構成雷射切割片的雷射照射區域的材料，難以使用含有芳香族化合物的樹脂系材料。但是，本發明的第1實施形態所涉及的雷射切割片10通過具有第2片2，如本例這樣，作為構成雷射照射區域的材料，不使用含有芳香族化合物樹脂系材料，在雷射切割片10中在與含有雷射照射區域的面相同側的面上，實現設置由含有 芳香族化合物的樹脂系材料所構成的材料的面，作為其結果是實現了難以產生DR積層體供給不良。
第1例、第2例之任意一例中，通過適宜地選擇構成剝離片11的材料，進一步安定地實現將剝離力A控製在50mN/50mm以下。
第2片2的厚度沒有特別的限定，但是過度地薄的情形時，在擴展(expand)工程中，第2片2有可能會破斷，如果過度地厚的情形時，則在擴展(expand)工程中，環形框架(ring frame)的回收有可能不能順利地進行。因此，第2片2的厚度，較佳為10μm以上100μm以下，更佳為15μm以上60μm以下，特別較佳為20μm以上40μm以下。
第2片2的以平面視的外周側緣部與第1片1的以平面視的外周側緣部的位置關係沒有特別的限定。第1片1的外側面與第2片2的外側面可以幾乎連續形成一個面，相比於第1片1的外側面，第2片2的外側面一方也可以在第2片的主面內方向朝外地突出，也可以為其相反的關係。不過，相比於第2片2的外側面，第1片1的外側面一方以平面視為過度地突出，其結果是DR積層體100在使用前的保存狀態下，第1片1的突出部分中對向於黏著劑層3一側和相反側的面(背面)，成為黏接於別的DR積層體100具備的剝離片11的剝離片背面的狀態時，在該部分第1片1的背面與剝離片11的剝離片背面強力密合，有可能引起DR積層體供給不良。因此，相比於第2片2的外側面，第1片1的外側面在以平面視突出的情況下，應該不發生像這樣的問題。具體而言，該情形中突 出幅較佳設為數毫米以內。
2．雷射切割片
本發明的第1實施形態所涉及的雷射切割片10，可以通過從上述本發明的第1實施形態所涉及的DR積層體100，將剝離片11進行剝離而得到。
本發明的第1實施形態所涉及的雷射切割片10的第1片1，通過第2片2以平面視為環狀，其第2片2被積層側的面，具有被第2片2所包圍且第2片沒有被積層的區域的環內露出區域。而且，黏著劑層3的面中在第1片1的環內露出區域以平面視重疊的區域，含有貼附有半導體晶圓等的板狀構件的區域。
如果貼附板狀構件的區域以平面視具有位於環內露出區域外的部分，則在該部分，由於構成第2片2的材料(具體地可以例示基材膜21由PET所構成的情形。)，有可能發生雷射照射不到板狀構件的不良情況。因此，貼附板狀構件的區域，較佳為以平面視其全體位於環內露出區域內。從更安定地實現像這樣的關係的觀點考慮，環內露出區域的以平面視為內接圓的直徑，比上述貼附有板狀構件區域的以平面視為外接圓的直徑，較佳為大2mm以上。
3．DR積層體的製造方法
本發明的第1實施形態所涉及的DR積層體100的製造方法沒有特別的限定。適宜組合公知的塗佈方法、貼附方法、切斷方法(包含半切割(half-cutting))、剝離方法等進行製造即可。以下，第2片2表示具有圖1所示構造的DR積層體100 的製造方法的一例。
在剝離片11的剝離面上，塗佈為形成黏著劑層3的黏著劑組成物，將所得到的塗膜乾燥，得到黏著劑層3。塗佈方法為任意，可以例示口模式塗佈機、簾流塗佈機、噴霧塗佈機、滑動式塗佈機、刮板塗佈機等。乾燥方法也為任意，譬如，可以通過在80℃~120℃左右加熱數分鐘來進行，也可以放置在大氣中進行風乾。在這樣所得到的黏著劑層3對向於剝離片11一側與相反側的面上貼附提供第1片1的樹脂系膜，得到按照剝離片11、黏著劑層3、以及給予第1片1的樹脂系膜的順序積層的第1積層體。另一方面，準備提供第2片2的基材膜21的樹脂系膜(以下亦稱為「基材用膜」。)以及工程膜，在工程膜上塗佈為形成接著劑層22的接著劑組成物。另外，該塗佈方法與上述塗佈黏著劑組成物的情形同樣，沒有特別的限定。乾燥所得的塗膜(該乾燥方法也與上述乾燥黏著劑組成物的塗膜的情形同樣，沒有特別的限定。)。接著，在基材用膜中成為第2片2的一部分時對向於第1片1一側的面上，將形成於工程膜上的接著劑層22進行貼合，得到積層了基材用膜、提供接著劑層22的塗膜以及工程膜的接著片。從該接著片的基材用膜側的面上，利用半切割(half-cutting)，將基材用膜以及給予接著劑層22的塗膜切斷成與應形成於第1片的環內露出區域同樣形狀，除去與環內露出區域相同形狀的部分。 而且，從接著片除去工程膜，將第1積層體的給予第1片1的樹脂系膜側的面與接著片的接著劑層22側的面進行貼合，得到DR積層體100的原料(original fabric)。
接著，從DR積層體100的原料(original fabric)的基材用膜側的面上，利用半切割(half-cutting)切斷基材用膜、接著劑層22以及提供第1片1的樹脂系膜，除去不要的部分，切出雷射切割片10的外部形狀。這樣可以得到在剝離片11上，積層了雷射切割片10的DR積層體100。另外可以進一步將接著劑層22以及根據必要，將黏著劑層3進行加熱、養生等的處理，使其具有適當的密著性。
4．晶片體的製造方法
以下，說明使用從本發明的第1實施形態所涉及的DR積層體100，剝離剝離片11所得到的雷射切割片10，製造晶片體的方法的一例。
首先，在雷射切割片10的黏著劑層3中對向於第1片1一側與相反側的面的所定區域，貼附板狀構件。該所定區域，如前所述，是以平面視為與環內露出區域重疊的部分。 作為板狀構件，可以例示半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、FPC等的有機材料基板、精密部品等的金屬系材料所形成的構件等。而且，在板狀構件為半導體晶圓等已經形成有電路的情形時，即可以以相對黏於著劑層3的方式貼附形成了電路的面，也可以以相對黏於著劑層3的方式貼附沒有形成電路的背面。另外，在使用環形框架(ring frame)的情形時，配合於該板狀構件的貼附，也可以在雷射切割片10的黏著劑層3上貼附環形框架(ring frame)。像這樣，圖6為概念性地表示在雷射切割片10的黏著劑層3上，貼附了板狀構件61以及環形框架(ring frame)62的狀態的斷面圖。
接著，以雷射切割片10的第1片1的環內露出區域作為入射面，以透過第1片1以及黏著劑層3到達板狀構件61的方式，照射雷射。此時，在板狀構件61的內部以使雷射集光的方式進行照射，給第1片1或黏著劑層3的造成的損傷少，因此較佳。雷射光源為產生波長以及相位整齊之光之裝置，作為雷射光的種類，可以列舉出發生脈衝雷射光之Nd-YAG雷射、Nd-YVO雷射、Nd-YLF雷射、鈦藍寶石(titanic sapphire)雷射等引起多光子吸收者。雷射光的波長較佳為800nm~1100nm，更佳為1064nm。
通過照射於板狀構件61內部的雷射光，沿著板狀構件61的切斷預定線在其內部形成改質部，成為切割線。雷射光掃描一條切斷預定線的回數可以為1回也可以為複數回。 較佳為監測雷射光的照射位置與電路間的切斷預定線的位置，一邊進行雷射光的定位，一邊進行雷射光的照射。也可以為此時的定位而另外照射雷射光。
像這樣，雷射照射結束之後，使用擴展(expand)裝置等，使雷射照射後的板狀構件貼附著的雷射切割片10，在片的主面內方向朝外伸長。配合該雷射切割片10的伸長對板狀構件施加拉伸力，由該拉伸力，板狀構件內的改質部脆性破損。其結果是板狀構件61沿著切割線被切斷而個片化，作為該被分割所成的每個片得到晶片體。
雷射切割片10的伸長方法可以根據應該個片化的板狀構件61的種類、在板狀構件61的內部所形成的改質部的構造組成等而適宜地設定即可，但是，通常多為以5mm/分鐘 ~600mm/分鐘的速度伸長5mm~50mm左右的情況。所得到的雷射切割片10上的晶片體71即可以通過實施拾取(pick up)工程來個別地取出，也可以在其之前實施為除去破碎粉等的洗淨工程等。
II 第2實施形態
以下，就本發明的第2實施形態進行說明。
1．雷射切割片-剝離片積層體
如圖7所示，本發明的第2實施形態所涉及的雷射切割片-剝離片積層體(DR積層體)200具備雷射切割片210與剝離片211，上述雷射切割片210具備基材201以及積層於基材201的一側的面上的黏著劑層203，剝離片211以其剝離面對向的方式積層在雷射切割片210的黏著劑層203側的面上。
(1)基材1
本發明的第2實施形態所涉及的雷射切割片210具備的基材21具有使雷射光適當地透過的機能(以下，亦稱為「雷射透過機能」。)和使對於剝離片背面的密著性降低的機能(以下，亦稱為「密著性減低機能」。)。
本發明的第2實施形態所涉及的基材201，如圖8所示，因為兼有上述兩個機能，所以在單獨的層狀體所形成的基材背面201A(基材201中對向於黏著劑層203一側與相反側的面，亦即是說，在作為雷射切割片的基材側的面)上，具備第1區域201a以及第2區域201b。
i)第1區域
在本說明書中，所謂的「第1區域」201a是指基材背面201A 中表面粗糙度，以算術平均粗糙度Ra計為未滿0.1μm的部分。 在這裡，算術平均粗糙度Ra係通過接觸式表面粗糙度計測定的、基於JIS B0601：2001的特性，以下同樣。在第1區域201a內，使用時包含入射雷射的雷射入射區域201c。在圖8中，第1區域201a整面成為雷射入射區域201c。如上所述，第1區域201a因為算術平均粗糙度Ra為低平滑面，在設定於第1區域201a面內的雷射入射區域201c中，入射來的雷射發生反射或散亂的可能性減低。算術平均粗糙度Ra越則雷射的穿透性越高，因此，第1區域201a中的算術平均粗糙度Ra越小越佳，其下限沒有特別的限定。通過構成基材201的構件在製造上的限製等，通常該算術平均粗糙度Ra以0.01μm左右為下限。調整第1區域201a的算術平均粗糙度Ra可以通過公知的方法來進行。譬如，通過擠出成型製造提供基材201的膜的情況時，可以通過轉印冷卻輥的表面形狀來進行。再者，在基材201為延伸膜的情形時的提供基材201的膜的製造中，可以通過變更添加於膜材料的充填材料的量或尺寸來進行。再者，澆鑄液狀物，使其硬化得到膜的情形時，可以通過調整用於澆鑄的工程膜的粗糙度來進行。
ii)第2區域
在本說明書中，所謂「第2區域」201b是指基材背面201A中表面的粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.3μm以上的部分。該第2區域201b相比於上述雷射入射區域201c，被設置在以平面視(是指視線方向與主面的法線平行。)為雷射切割片201的外周側。作為這樣的配置關係的一例，在圖8中表示， 在以平面視形成圓狀的雷射入射區域201c(在圖8中，第1區域201a與雷射入射區域201c為一致。)的外周側(在基材背面201A的面內方向，為從雷射入射區域201c的中心離開的朝向)，配置了以平面視形成環狀的第2區域201b的基材背面201A。這裡，在圖8所示基材背面201A中，雷射入射區域201c(也即是說，第1區域201a)的外周端部與第2區域201b的內周端連續。再者，成為「環狀」用語的概念，不僅如圖8所示那樣的以平面視完全為環狀的情形，也包含部分地為不連續的情形(譬如C字形狀)，或多數區域作為全體構成環狀的情形(譬如，放射環形狀)。
以下，如圖8所示，第2區域201b以平面視為完全的環狀，以其內周側的整體為第1區域201a的情形作為一具體例，關於由第2區域201b所引起的基材201的密著性減低機能進行說明。再者，如圖9所示，DR積層體200由複數個雷射切割片210，在長尺的剝離片211的剝離面上，在平行於該片211的長尺方向的方向上排列被積層而成的長尺體的形態所形成，將該長尺體以捲芯200C為中心，在長尺方向被捲取以捲取體200A的形態被保存的情況為具體例。
圖10係概念性地表示從捲取體200A送出DR積層體200，將貼附於長尺的剝離片211上的雷射切割片210的1片設置為剝離可能狀態之前的狀態的部分斷面圖。再者，如圖10所示的捲取體200A係形成長尺體的形態的DR積層體200，以在更靠近於捲取體200A的捲芯200C的回轉中心側(內周側)配置雷射切割片210，在更遠離於捲取體200A的捲芯 200C的回轉中心側(外周側)配置剝離片211的方式，進行捲取者。
本發明的第2實施形態所涉及的DR積層體200，如果從捲取體200A進行DR積層體200的送出，則在由最外周的剝離片211a、其黏著劑層203側的面貼附於最外周的剝離片211a的剝離面上的雷射切割片210、以其剝離面與相反側的面(剝離片背面)黏接在雷射切割片210的基材背面201A上的方式被配置的相比於最外周的剝離片211a為一周內周側的剝離片211b所構成的重積體中，在雷射切割片210與剝離片211b的介面發生剝離，可以適當地將雷射切割片210設為剝離可能的狀態。
在本發明的第2實施形態所涉及的雷射切割片210，如上所述，因為基材背面201A以平面視環狀配置由相對地粗糙的面(算術平均粗糙度Ra為0.3μm以上)所成的第2區域201b，在其內周側配置由相對地平滑的面(算術表面高度Ra為0.1μm未滿)所構成的第1區域201a，所以在進行基材背面201A與剝離片211b的剝離的情況下，總是從相對地粗糙的面的第2區域201b與剝離片211b的背面的介面進行剝離，相對地平滑的第1區域201a與剝離片211b背面的介面沒有成為剝離開始點的情況。
對此，譬如在基材背面201A僅由相對地平滑的第1區域201a所構成的情形，平滑的第1區域201a與剝離片211b背面的密著性超過黏著劑層203與剝離片211的剝離面的密著性，在黏著劑層203與剝離片211的剝離面的介面發生剝離， 由第1區域21a所構成的基材背面201A與剝離片211b背面為密著的狀態，致使DR積層體供給不良。如果發生該DR積層體供給不良，則長尺體的DR積層體200，在其剝離片211側的面上雷射切割片210以露出黏著劑層203的狀態而存在，捲取剝離片211之際在通過的輥(譬如夾送輥)等用於送出的設備內的部品上，該黏著劑層203附著等重大的不良情況發生的危險性增高。
從更安定地抑制像這樣的DR積層體供給不良的發生的觀點，第2區域的面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計較佳為0.5μm以上，更佳為0.7μm以上。作為第2區域的算術平均粗糙度Ra的上限為3μm左右。
iii)基材的材質、物性等
本具體例所涉及的基材201，在切割工程之際，在雷射入射區域201c，有使雷射光透過的機能，在切割工程後所進行的擴展(expand)工程等，只要不破斷，其構成材料就沒有特別的限定。關於基材201的材質的特徵(樹脂系材料的種類、添加劑的種類等)、光學特性(在波長1064nm的直線透過率、對紫於外線的穿透性等)、機械特性(破斷伸度等)等，因為與上述的第1實施形態所涉及的DR積層體100具備的切割片10的第1片1同樣，所以省略說明。
基材201在23℃的楊氏模量較佳為30MPa以上600MPa以下，更佳為50MPa以上500MPa以下，特佳為100MPa以上400MPa以下。在23℃的楊氏模量為30MPa以上600MPa以下的基材201，擴展(expand)工程之際因為容易均一地伸 長，所屬工程的適應性優異，特別是在採用隱形切割法的情形時，難以發生雷射切割片210上的板狀構件沒有被適當地割斷，或者板狀構件被割斷所形成的晶片體的在整列方向發生不均勻等不良情況。通過基材201的楊氏模量在上述那樣的範圍，在基材201的基材背面201A上沒有設置粗糙的區域的情況下，DR積層體的基材背面與黏接於該背面的其他的DR積層體的剝離片背面的密著性有提高的傾向。這可以認為是由於基材201易追隨於所接觸的其他材料表面的凹凸等。但是，即使基材201為具有該楊氏模量的情形，在本發明的第2實施形態所涉及的雷射切割片210中，如上所述那樣基材背面201A由於設置有由相對粗糙的面所構成的第2區域201b，所以可以防止DR積層體供給不良。
基材201的厚度只要是雷射切割片210在前述的切割工程或擴展(expand)工程中，能適當地發揮機能則沒有限定。過度薄的情形時，在製造過程或使用時有可能容易破斷。 另一方面，基材201通過使用於隱形切割的光源在波長1064nm的相位差為100nm以下，從提高切割工程的加工品質以及加工精度的觀點為較佳，但是，在基材201過度地厚的情形，即使調整基材201的材質，也有可能難以將上述的相位差設置為100nm以下。因此，基材1的厚度較佳為20μm以上150μm以下，更較佳為40μm以上100μm以下，特別較佳為50μm以上90μm以下。
在圖8所示的結構中，基材201的基材背面201A如上述的那樣，以平面視，第1區域201a與雷射照射區域201c 一致，在進行雷射切割時，因為通常是把雷射照射達到板狀構件的端部，所以被切割加工的板狀構件所貼附的黏著劑層203區域(在本說明書中亦稱為「構件貼附區域」)，包含在以平面視為雷射照射區域201c內，也即是說，包含在第1區域201a內。
iv)基材201的製造方法
如上述那樣，考慮雷射透過機能，設定基材201的材質的情況時，首先，準備以現有的狀態基材201在背面201A的第1區域就可以滿足上述條件的基材201的構成材料，即準備具有至少一側的面以算術平均粗糙度Ra計為0.1μm未滿的這樣的表面粗糙度的面的基材201的構成材料。其後，通過在基材201的構成材料的上述一側的面的規定場所，實施任意地粗面化處理，形成擔當密著性減低機能的應成為第2區域的部分即可。粗面化處理的詳細沒有限定，使用噴砂(Sandblasting)處理、電漿灰化(Plasma Ashing)處理、蝕刻(etching)處理(濕式/乾式)、轉造等公知的手段即可。如果考慮生產成本、與其他製造工程的關係、設計自由度等，較佳利用噴砂(Sandblasting)的處理。
基材201的平面視形狀(從平行於主面法線的方向所見到的形狀)為能設定間隙的那樣的形狀，就沒有特別的限定。上述間隙為將作為被加工物的半導體晶圓等的板狀構件，貼附在含有雷射切割片210的黏著劑層203側的面的中心的區域時，在其周圍，充分地確保貼附於運搬等之際使用的環形框架(ring frame)的區域，而且，在這些貼附半導體晶圓的區域與貼附環形框架(ring frame)的區域之間，確保適當的區域，安裝 擴展(expand)工程回收環形框架(ring frame)之際成為支點的夾具，在其夾具與個片化半導體晶圓所得到的複數個晶片體之間，只要設定有在伸長後也能平面視的程度(從數毫米到數釐米)的間隙即可，沒有特別的限定。通常，基材201的平面視形狀對應於環形框架(ring frame)的內周所成的形狀，被設定為近於圓的形狀。
v)變形例等
基材201的背面201A如上所述，只要具備含有雷射入射區域201c的第1區域201a與第2區域201b即可，也可以含有這些區域以外的區域，也可以不含有。也即是說，基材背面201A可以由第1區域201a與第2區域201b構成，也可以進一步具備其他區域(在本說明書中，總稱為「第3區域」)。從第1區域201a的特徵以及第2區域201b的特徵誘導出的第3區域的特徵為其表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.1μm以上0.3μm未滿。如上述那樣，通過噴砂(Sandblasting)處理形成第2區域的情形，即使使用遮蔽(masking)等的手法，結果是也有在第1區域與第2區域之間形成具有相當於第3區域表面粗糙度的區域的情形。
基材背面201A中第1區域與第2區域的配置關係，如上所述，相比於設定在第1區域201a內的雷射入射區域201c，以平面視在雷射切割片201的外周側設置第2區域201b，除此以外，沒有特別的限定。如圖8所示，第2區域以平面視為完全的環狀，以其平面視在內周側也可以配置第1區域，但是也可以為其他的結構。譬如，DR積層體200以捲取 體200A的形態被保存的情形，在送出之際，在雷射切割片210的基材背面201A中，可以僅在相當於長尺方向送出先端側的端部的位置形成第2區域。在捲取體200A的情形中，在送出之際，雷射切割片210是否被適當地剝離，很大程度地依存於雷射切割片210的長尺方向送出先端側端部中黏著劑層203側的面和最外周的剝離片211a的剝離面的密著性(以下，稱為「外側密著性」。)與、基材背面201A和一層內周側的剝離片211b背面的密著性(以下，稱為「內側密著性」。)的大小關係，因此，只要使基材背面201A的長尺方向送出先端側端部粗面化，外側密著性就可以相對地降低。
在為從DR積層體將雷射切割片210取下而將剝離片211拉出時的方向未必一定的情況下，對於整面為平滑面(即，相當於第1區域201a的面)的基材背面201A，作為一例可以舉出連接這些的中心線以畫圓的方式形成複數個小圓狀的第2區域201b者。用噴砂(Sandblasting)處理形成第2區域201b的情形時，從基材背面201A在規定的距離的位置配置噴嘴，實施規定時間的噴砂(Sandblasting)處理，通過使噴嘴的位置移動到基材背面201A的面內方向再實施規定時間的噴砂(Sandblasting)處理等的作業，可以構成如上述那樣構成的基材背面201A。
(2)黏著劑層
本發明的第2實施形態所涉及的DR積層體200具備的切割片210的黏著劑層203的特徵(材料的特徵、形狀的特徵(厚度))，與本發明的第1實施形態所涉及的DR積層體100具備 的切割片10的黏著劑層3同樣，所以省略說明。
(3)剝離片
本發明的第2實施形態所涉及的DR積層體200，在雷射切割片210的黏著劑層203對向於基材1一側與相反側的面(在使用時為貼附板狀構件的面)，在其使用時之前為了保護黏著劑層積層有剝離片211。上述剝離片211的材料的特徵、關於剝離片211的厚度的特徵以及關於剝離片211背面的算術平均粗糙度Ra的特徵，與本發明的第1實施形態所涉及的DR積層體100具備的剝離片11具有的特徵同樣，所以省略說明。
剝離片211的形狀也沒有特別的限定，但是為了容易地從剝離片211上把雷射切割片210進行剝離，通常在離片211的剝離面上，設置沒有貼附雷射切割片210的黏著劑層203側的面的區域。
作為剝離片211的具體的形狀的一例，可以列舉出長尺形狀。於該情況的DR積層體200的形態的具體例為，複數個雷射切割片210在剝離片211的長尺方向上相互分開地貼附於剝離片211的剝離面所成的形態。此時，DR積層體200可以以長尺體的狀態保存，但是也可以如圖9所示的那樣，將DR積層體200的長尺方向的一側的端部固定於芯材200C上進行捲取，以捲取體200A的形態進行保存。圖9為概念性地表示處於這種捲取體200A形態的DR積層體200被送出的狀態的斜視圖。
作為剝離片211的具體形狀的其他一例，可以列舉出不是長尺的形狀。於此情況的DR積層體200的形態的具 體例為在剝離片211上貼附1片雷射切割片210所成的形態。 此時，DR積層體200其複數片可以以在DR積層體200的厚度方向被積層所得的堆疊(stack)體200B的形態進行保存。在圖11中概念性地表示處於像這種堆疊(stack)體200B形態的DR積層體200的斷面圖。
2．雷射切割片
本發明的第2實施形態所涉及的雷射切割片210，通過從上述本發明的第2實施形態所涉及的DR積層體200上，把剝離片211進行剝離而得到。
本發明的第2實施形態所涉及的雷射切割片210的基材201具有：在基材背面201A含有雷射照射區域201c的第1區域201a；雷射照射區域201c的以平面視在雷射切割片210的外周側的第2區域201b。該第1區域201a發揮雷射透過機能，第2區域201b發揮減低密著性機能。因此，本發明的第2實施形態所涉及的雷射切割片210，在使用雷射光的切割工程，作為切割片可以較佳地使用，而且在由該雷射切割片210與剝離片211所構成的DR積層體200中，也難以產生DR積層體供給不良。
3．DR積層體之製造方法
本發明的第2實施形態所涉及的DR積層體200的製造方法沒有特別的限定。適宜地組合公知的塗佈方法、貼附方法、切斷方法(包含半切割(half-cutting))、剝離方法、粗面化處理等進行製造即可。以下，例示具有如圖7所示之構造的DR積層體200的製造方法的一例。
在剝離片211的剝離面上，塗佈為了形成黏著劑層203的黏著劑組成物，將所得到的塗膜進行乾燥，得到黏著劑層203。塗佈方法為任意，可以例示口模式塗佈機、簾流塗佈機、噴霧塗佈機、滑動式塗佈機、刮板塗佈機等。乾燥方法也為任意，譬如可以通過用80℃~120℃左右的溫度加熱數分鐘來進行乾燥，也可以放置於大氣中進行風乾。另一方面，至少關於一側的面，準備表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.1μm未滿的提供基材201的樹脂系膜。將該樹脂系膜的表面粗糙度如上述那樣進行了調整的面與相反側的面，貼附於前述使用黏著劑組成物所得到的黏著劑層203的對向於剝離片211一側與相反側的面上，得到以剝離片211、黏著劑層203、以及提供基材201的樹脂系膜的順序積層了的DR積層體200的原料(original fabric)。
在該DR積層體200的原料(original fabric)的基材201側的面，也即是說，前述表面粗糙度進行了調整的面上，使用噴砂(Sandblasting)裝置，在對應於第2區域201b的形狀的區域進行噴砂(Sandblasting)處理。如圖8所示第2區域201b的形狀為圓環狀的情況時，對應於此在圓環狀的區域進行噴砂(Sandblasting)處理即可(如後所述，為除去位於圓環狀區域外側的不要部分，也可以同時進行噴砂(Sandblasting)處理)。再者，為使圓環狀區域內側的部分不被噴砂(Sandblasting)處理，也可以在該部分事先貼附剝離可能的黏著膜等實施遮蔽(masking)。接著，以藉由切斷線形成基材201外形的方式，對噴砂處理後的第1積層體，從基材201側進行將基材201以及 黏著劑層203切斷的半切割(half-cutting)處理。最後，通過除去位於切斷線外側的不要部分，得到在剝離片211的剝離面上積層由外徑相等的基材201與黏著劑層203所形成的雷射切割片210而成的DR積層體200。再者，因為第2區域201b較佳位於基材背面201A的外周側端部近傍，所以使通過噴砂(Sandblasting)處理所形成的被粗面化的區域的外徑，比圓環狀的第2區域201b的外徑稍大，較佳通過進行繼噴砂(Sandblasting)處理後進行的半切割(half-cutting)處理，使所形成的基材背面201A的外周側端部確實成為粗糙面。
4．晶片體的製造方法
以下，使用從本發明的第2實施形態所涉及的DR積層體200，將剝離片211進行剝離所得到的雷射切割片210，說明製造晶片體的方法的一例。
首先，在雷射切割片210的黏著劑層203中對向於基材201一側與相反側的面的規定區域，貼附板狀構件。所謂該規定區域，如前所述，為以平面視為與雷射照射區域201c重疊的部分。作為板狀構件，可以例示半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、FPC等的有機材料基板、精密部品等的金屬系材料所構成的構件等。再者，在板狀構件為半導體晶圓等已經形成有電路的情形時，即可以以對向於黏於著劑層203的方式貼附形成了電路的面，也可以以對向於黏於著劑層203的方式貼附沒有形成電路的背面。另外，在使用環形框架(ring frame)的情形時，配合於貼附該板狀構件，也可以在雷射切割片210的黏著劑層203上貼附環形框架(ring frame)。像這樣，圖12為 概念性地表示在雷射切割片210的黏著劑層203上，貼附了板狀構件271以及環形框架(ring frame)272的狀態的斷面圖。
接著，從雷射切割片210的基材背面201A的雷射照射區域201c，以透過基材201以及黏著劑層203到達板狀構件271的方式，照射雷射。此時，在板狀構件271的內部以使雷射集光的方式進行照射，給基材201或黏著劑層203的造成的損傷少，因此較佳。雷射光源為產生波長以及相位整齊之光之裝置，作為雷射光的種類，可以列舉出發生脈衝雷射光之Nd-YAG雷射、Nd-YVO雷射、Nd-YLF雷射、鈦藍寶石(titanic sapphire)雷射等引起多光子吸收者。雷射光的波長較佳為800nm~1100nm，更佳為1064nm。
通過照射於板狀構件271內部的雷射光，沿著板狀構件271的切斷預定線在其內部形成改質部，成為切割線。 雷射光掃描一條切斷預定線的回數可以為1回也可以為複數回。較佳為監測雷射光的照射位置與電路間的切斷預定線的位置，一邊進行雷射光的定位，一邊進行雷射光的照射。也可以為此時的定位而另外照射雷射光。
像這樣，雷射照射結束之後，使用擴展(expand)裝置等，使雷射照射後的板狀構件271所貼附著的雷射切割片210，在片的主面內方向朝外伸長。配合該雷射切割片210的伸長對板狀構件施加拉伸力，由該拉伸力，板狀構件271內的改質部脆性破損。其結果是板狀構件271沿著切割線被切斷而個片化，作為該被分割所成的每個片得到晶片體。
雷射切割片210的伸長方法可以根據應該個片化 的板狀構件271的種類、在板狀構件271的內部所形成的改質部的構造組成等而適宜地設定即可，但是，通常多為以5mm/分鐘~600mm/分鐘的速度伸長5mm~50mm左右的情況。所得到的雷射切割片210上的晶片體即可以通過實施拾取(pick up)工程來個別地取出，也可以在其之前實施為除去破碎粉等的洗淨工程等。
以上說明之實施形態為易於理解本發明所記載，並非為限定本發明而記載。因此，於上述實施形態所開示之各要素趣旨亦在包含所有屬於本發明的技術範圍之設計變更或均等物。
【實施例】
以下，藉由實施例等更具體地說明本發明，但是本發明的範圍並非限定於該等實施例者。
〔實施例1-1〕
(1)用於形成黏著劑層的塗佈用組成物的調製
對於丙烯系共聚合物(丙烯酸-2-乙基己酯/乙酸乙烯酯/丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/2-羥基甲基丙烯酸乙酯=23.5/70/1/5/0.5(質量比)，Mw=60萬、Mw/Mn=6.0，Tg=3℃)100重量份，作為能量線聚合性化合物，配合聚丙二醇(Mw=700)、異佛爾酮二異氰酸酯以及2-羥基丙烯酸丙酯的共聚合物所構成的2官能聚氨酯丙烯酸酯寡聚物(Mw=4000)80重量份、光聚合起始劑(BASF公司製造「IRGACURE184」)3重量份以及異氰酸酯系交聯劑(日本聚氨酯公司製造「CORONATE L」)2重量份(全部為根據固形分換算的配合比)，作為用於形成黏著劑層 的塗佈用組成物。
(2)準備提供第1片之樹脂系膜
準備厚度為80μm的長尺的聚氯乙烯(PVC)膜，作為提供第1片的樹脂系膜。該樹脂系膜的特性為如下所述。
表面的算術平均粗糙度Ra：0.03μm
在波長1064nm的直線透過率：92%
在波長1064nm的相位差：32nm
楊氏模量：280MPa
(3)第1積層體之製作
將聚乙烯對苯二甲酸酯膜作為支持膜，將上述所調製的用於形成黏著劑層的塗佈用組成物，以乾燥後的厚度成為5μm的量，塗佈在長尺的剝離片(LINTEC公司製造「SP-PET3811」，厚度：38μm，剝離面與相反側的面的算術平均粗糙度Ra：0.035μm)的剝離面上。將所得到的塗膜在100℃乾燥1分鐘，得到剝離片與黏著劑層的積層體。該積層體的黏著劑層側的面上，貼附提供第1片的樹脂系膜的一側的面(上述具有表面算術平均粗糙度Ra的面與相反側的面)，得到第1積層體。
(4)接著片之製作
配合丙烯系共聚合物(丙烯酸丁酯/丙烯酸=90/10(質量比)，Mw=80萬)100質量份以及異氰酸酯系交聯劑(日本聚氨酯公司製造「CORONATE L」)(全部為根據固形分換算的配合比)，作為用於形成接著劑層的塗佈用組成物。準備長尺的聚乙烯對苯二甲酸酯膜(厚度：38μm，表面的算術平均粗糙度Ra：0.02μm)，作為提供第2片基材膜的樹脂系膜(基材用膜)。 再者，作為工程膜，準備進行了剝離處理的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)膜(LINTEC公司製造「SP-PET381031」)，在工程膜的剝離面上，以乾燥後的厚度成為5μm的量，塗佈上述用於形成接著劑層的塗佈用組成物，將所得到的塗膜在100℃乾燥1分鐘，作為接著劑層。在這樣所得到的工程膜與接著劑層所構成的積層體的接著劑層側的面上，貼附基材用膜的一側的面(上述表面具有算術平均粗糙度的面與相反側的面)，得到接著片。接著，對於接著片，從基材用膜一側的面，進行切斷基材用膜以及塗膜的半切割(half-cutting)(也將該半切割稱為「第1半切割」。)，將以平面視形成直徑為210mm的圓形的切斷線(閉曲線)，在原料(original fabric)的長尺方向，製作成100根。使將這些由切斷線所形作的100個圓的中心連接起來的線在原料(original fabric)的長尺方向上設為平行，配置於最近位元元的兩個圓的中心間距離設為278mm。除去在這些切斷線內部的基材用膜以及塗膜，在對應於環內露出區域的部分得到工程膜露出的接著片。
(5)DR積層體之製作
在對應於環內露出區域的部分，從工程膜表出的接著片，除去工程膜使接著劑層側的面表出，將上述提供第1積層體第1片的樹脂系膜側的面與、上述第1半切割(half-cutting)以及除去了不要部分的接著片的接著劑層側的面貼合，得到DR積層體的原料(original fabric)。
接著，對於DR積層體的原料(original fabric)，從基材用膜側的面，進行將基材用膜以及接著劑層以及剝離片以外的第 1積層體(也即是說，提供第1片的樹脂系膜以及黏著劑層)切斷的半切割(half-cutting)，製作100本以平面視形成直徑270mm的圓形的切斷線(閉曲線)。使這些切斷線形成的圓的中心，分別與之前由第1半切割(half-cutting)所形成的以平面視直徑為210mm的圓的中心一致。並且，除去在這些以平面視形成直徑270mm的圓形的切斷線的外側的基材用膜以及接著劑層，以及剝離片以外的第1積層體。
這樣得到了在長尺剝離片的剝離面上，具有下述形狀以及配置的雷射切割片100片在長尺方向被並列地配置而成的DR積層體。
環內露出部分的平面視形狀：直徑210mm的圓形
第2片的平面視形狀：內徑210mm、幅30mm的圓環形狀
雷射切割片的平面視形狀：直徑270mm的圓形
配置於最近位置2的雷射切割片彼此的長尺方向的間隔：8mm
將該DR積層體在長尺方向進行捲取，作為捲取體的形態。
〔實施例1-2〕
將在實施例1-1中提供第2片的基材膜的樹脂系膜變更為聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)膜(厚度：25μm，表面的算術平均粗糙度Ra：0.02μm)，同時以環內露出部分的平面視形狀成為直徑為205mm的圓形，第2片的平面視形狀成為內徑為205mm、寬為37.5mm的圓環形狀的方式變更第1半切割(half-cutting)方法，除此以外，採用與實施例1-1的製造方法同樣的製造方法，製作DR積層體的捲取體。
〔實施例1-3〕
將在實施例1-1中提供第2片的基材膜的樹脂系膜變更為低密度聚乙烯(LPDE)膜(厚度：25μm，表面的算術平均粗糙度Ra：0.7μm)，同時以環內露出部分的平面視形狀成為直徑202mm的圓形，第2片的平面視形狀成為內徑為202mm、寬為39mm的圓環形狀的方式，變更第1半切割(half-cutting)方法，除此以外，採用與實施例1-1的製造方法同樣的製造方法，製作DR積層體的捲取體。
〔實施例1-4〕
將在實施例1-1中提供第2片的基材膜樹脂系膜變更為聚丙烯(PP)膜(厚度：25μm，表面的算術平均粗糙度Ra：0.5μm)，除此以外，採用與實施例1-1的製造方法同樣的製造方法，製作DR積層體的捲取體。
〔實施例1-5〕
為製造實施例1-1中提供第1片的樹脂系膜，首先，合成作為材料之一的聚氨酯丙烯酸酯寡聚物。以4：5：2的重量比，準備聚丙二醇(PPG，Mw=400)、異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)、羥基甲基丙烯酸乙酯(HEMA)，在觸媒存在下，使PPG與IPDI進行反應。使HEMA結合於所得到的聚氨酯寡聚物的殘存異氰酸酯基上，得到Mw=8000的聚氨酯丙烯酸酯寡聚物。用此，得到下面配合的樹脂組成物。
聚氨酯丙烯酸酯寡聚物100質量份、單官能單體(丙烯酸異冰片酯)110質量份、以及光聚合起始劑(BASF公司製造「IRGACURE184」)2.2重量 份
將聚乙烯對苯二甲酸酯膜作為支持膜，在長尺的剝離片(LINTEC公司製造「SP-PET3811」，厚度：38μm)的剝離面上，以厚度成為100μm的量，塗佈上述調製的樹脂組成物。向所得到的塗膜照射紫外線(1500mJ/cm2)，使其重合，得到由剝離片以及積層於該剝離面上的聚氨酯丙烯酸酯(PUA)膜所構成的積層體。再準備一片與上述剝離片同樣的剝離片，在該積層體的聚氨酯丙烯酸酯膜側的面，貼附該剝離片的剝離面，得到剝離片、聚氨酯丙烯酸酯膜以及剝離片所構成的積層體。以下，將該積層體亦稱為中間積層體。
該中間積層體中一邊剝離一側的剝離片，一邊使表出的聚氨酯丙烯酸酯膜的面，貼附於實施例1-1中作製的剝離片與黏著劑層的積層體的黏著劑層側的面上。這樣將得到的積層體中貼附於含有聚氨酯丙烯酸酯膜的樹脂系膜上的剝離片剝離，得到第1積層體。
以下，以環內露出部分的平面視形狀成為直徑為205mm的圓形，第2片的平面視形狀成為內徑為205mm、寬為37.5mm的圓環形狀的方式，變更第1半切割(half-cutting)方法，除此以外，採取與實施例1-1的製造方法同樣的製造方法，得到DR積層體的捲取體。再者，另外製作上述中間積層體，將該中間積層體中雙方的剝離片剝離，所得到的厚度100μm的聚氨酯丙烯酸酯膜的特性為如下所述。
表面的算術平均粗糙度Ra：0.09μm
在波長1064nm的直線透過率：92.5%
在波長1064nm的相位差：0.8nm
楊氏模量：380MPa
〔比較例1-1〕
將實施例1-1中提供第1片的樹脂系膜，變更為具有下記特性的厚度為80μm的低密度聚乙烯(LDPE)膜，除此以外，採取與實施例1-1的製造方法同樣的製造方法，製作DR積層體的捲取體。
表面的算術平均粗糙度Ra：0.5μm
在波長1064nm的直線透過率：87%
在波長1064nm的相位差：425nm
楊氏模量：100MPa
〔比較例1-2〕
將實施例1-1中提供第2片的基材膜的樹脂系膜，變更為聚氯乙烯(PVC)膜(厚度25：μm，表面的算術平均粗糙度Ra：0.05μm)，除此以外，採取與實施例1-1的製造方法同樣的製造方法，製作DR積層體的捲取體。
〔比較例1-3〕
將實施例1-1中提供第1片的樹脂系膜，變更為具有下記特性的厚度80μm的聚氯乙烯(PVC)膜，除此以外，採取與實施例1-1的製造方法同樣的製造方法，製作DR積層體的捲取體。
表面的算術平均粗糙度Ra：0.6μm
在波長1064nm的直線透過率：35.2%
在波長1064nm的相位差：48nm
楊氏模量：260MPa
〔比較例1-4〕
實施例1-1中，不製作第2積層體，對於第1積層體，從提供第1片的樹脂系膜側，進行將提供第1片的樹脂系膜以及黏著劑層切斷的半切割(half-cutting)，製作以平面視形成直徑為270mm的圓形切斷線。除去在該切斷線的外側的第1積層體。
這樣，在剝離片的剝離面上，得到了平面視形狀為270mm的圓形且不具有第2片的雷射切割片使其黏著劑層形成與剝離片的接觸面的方式所積層的DR積層體的捲取體。
〔試驗例1-1〕楊氏模量之測定
關於在實施例以及比較例中使用的提供第1片的樹脂系膜，使用萬能拉伸試驗機(ORIENTEC公司製造Tensiron RTA-T-2M)，基於JIS K7161：1994，在23℃、相對濕度50%的環境下，以拉伸速度200mm/分鐘的條件，測定楊氏模量。其結果為如上所述。
〔試驗例1-2〕直線透過率之測定
關於在實施例以及比較例中使用的提供第1片的樹脂系膜，使用紫外．可視．近赤外分光光度計(島津製作所製「UV-3101PC」)，測定波長200nm~1200nm範圍的直線透過率，讀取1064nm的值。其結果如上所述。
〔試驗例1-3〕相位差之測定
關於在實施例以及比較例使用的提供第1片的樹脂系膜，使用相位差膜檢查裝置(大塚電子公司製造「RETS-100」(檢出 器「MCPD-7700」))，在800nm~1100nm的範圍，進行相位差的測定，讀取波長1064nm的相位差的值。其結果如上所述。
〔試驗例1-4〕算術平均粗糙度Ra之測定
關於將實施例以及比較例中使用的第1片作為提供樹脂系膜中第1片時成為第1片背面的面，以及將第2片的基材膜作為提供樹脂系膜中第2片的一部分時成為第2片背面的面，使用接觸式表面粗糙度計(Mitsutoyo公司製造「SURFTEST SV-3000」)，基於JIS B0601-2001，在面內測定10個點的算術平均粗糙度Ra，算出其平均值。再者，測定條件為如下所述。
(Ra≦1.0時)
截止值(cutoff value)λc：0.25mm，評價長度Ln：1.25mm
(Ra>1.0時)
截止值(cutoff value)λc：0.8mm，評價長度Ln：4mm
測定結果如上所述，也歸納示於表1中。
〔試驗例1-5〕剝離力之測定
另外準備於實施例1-1至1-4以及比較例1-1至1-3中製作的第2積層體，裁斷成50mm×150mm的尺寸，作為試驗用的積層體。再者，關於比較例1-4中的DR積層體，在提供第1片的樹脂系膜中成為第1片時，在對向於黏著劑層一側的面上，積層與第2片的接著劑層為同組成的接著劑層，所得到的積層體也作為試驗用積層體之一，作為參考值。將這些試驗用積層體的各自中的接著劑層側的面貼附於SUS製平板的一側的面上，得到以樹脂系膜、接著劑層以及SUS製平板的順序積層的積層體。
將該積層體載於置試驗臺上，在其樹脂系膜側的面上，重疊與DR積層體的剝離片同材料所構成的試驗用剝離片(LINTEC社製「SP-PET3811」)的剝離面和相反側的面(剝離片背面)，在所得到的重積體中的剝離片的剝離面側放置2kg的荷重。在40℃相對濕度80%的環境下，將該狀態維持1小時。進一步除去荷重，在23℃相對濕度50%的環境下，以無荷重的狀態靜置1小時。在23℃相對濕度50%的環境下，通過萬能拉伸試驗機(ORIENTEC公司製造Tensiron RTA-T-2M)，以180°的角度用300mm/分鐘的速度，剝離該靜置後的重積體的試驗用剝離片，作為剝離力。測定結果示於表1。
〔試驗例1-6〕DR積層體供給性之評價
將實施例以及比較例各自所涉及的DR積層體的捲取體放置於晶圓貼合裝置(LINTEC社製「RAD-2500m/12」)上，使用同裝置，從DR積層體中的剝離片上將雷射切割片進行剝離，同時在該剝離了的每個雷射切割片上，貼附直徑200mm、厚度100μm的矽樹脂晶圓以及8英寸晶圓用環形框架(ring frame)。其結果是，將適當地從剝離片剝離沒有向矽樹脂晶圓貼合的雷射切割片為4片以下的情況視為「良好」，將有其不適當貼合的雷射切割片為5片以上的情況視為「不良」。將評價結果示於表2。
〔試驗例1-7〕擴展(expand)性以及切割性之評價
在實施例以及比較例中，從DR積層體上剝離剝離片，將所得到的雷射切割片通過與試驗例1-6同樣的方法，與試驗例 1-6同樣，貼附於矽樹脂晶圓以及環形框架(ring frame)上。 貼附於實施例1-1至1-4以及比較例1-1至1-3所涉及的雷射切割片上的矽樹脂晶圓，以平面視，全體位於第1片的環內露出區域內。
使用雷射照射裝置(DISCO公司製造「DFL7360」，波長：1064nm)，從對向於矽樹脂晶圓的黏著劑層面側，透過雷射切割片，使在晶圓內部集光的雷射，以形成2mm×2mm晶片體的方式，沿著所設定的切斷預定線一邊掃描一邊照射。向全部的切斷預定線照射雷射後，使用擴展(expand)裝置(DISCO公司製造「DDS2010」)，以300mm/分鐘的速度，剝離雷射切割片，使雷射切割片的黏著劑層側的面中貼附有矽樹脂晶圓的區域，在主面內向外的方向伸長15mm。
其結果是，在雷射切割片沒有問題地伸長的情況時，將擴展(expand)性判定為「良好」；實際上被分割成各個晶片的晶片數，相對於用矽樹脂晶圓的全部切斷預定線分割晶圓形成晶片體的情形時所得到的晶片數的比例(晶片的收率)為90%以上的情形時，將切割性判定為「良好」。對此，在雷射切割片從環形框架(ring frame)上脫落，或者雷射切割片斷裂的情況時，將擴展(expand)性判定為「不可」。再者，矽樹脂晶圓的分割中晶片的收率為未滿90%的情況時，將切割性判定為「不可」。將評價結果示於表2。
【表1】
從表1以及表2可知，滿足本發明條件的實施例的DR積層體，預切割(precut)性優異，難以產生DR積層體供給不良。再者，切割性或擴展(expand)性也優異。
〔實施例2-1〕
(1)調製用於形成黏著劑層之塗佈用組成物
對於丙烯系共聚合物(丙烯酸-2-乙基己酯/乙酸乙烯酯/丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/2-羥基甲基丙烯酸乙酯=23.5/70/1/5/0.5(質量比)、Mw=60萬、Mw/Mn=6.0、Tg=3℃)100重量份，作為能量線聚合性化合物，配合聚丙二醇(Mw=700)、異佛爾酮二異氰酸酯以及2-羥基丙烯酸丙酯的共聚合物所構成的2官能聚氨酯丙烯酸酯寡聚物(Mw=4000)80重量份、光聚合起始劑(BASF公司製造「IRGACURE184」)3重量份以及異氰酸酯系交聯劑(日本聚氨酯公司製造「CORONATE L」)2重量份(全部為根據固形分換算的配合比)，作為用於形成黏著劑層的塗佈用組成物。
(2)準備提供基材之樹脂系膜
準備具有下述特性的厚度為80μm的長尺的聚氯乙烯膜，作為提供基材的樹脂系膜。
表面的算術平均粗糙度Ra：0.03μm
在波長1064nm的直線透過率：92%
在波長1064nm的相位差：32nm
楊氏模量：280MPa
(3)DR積層體原料之製作
將聚乙烯對苯二甲酸酯膜作為支持膜，將上述所調製的用於形成黏著劑層的塗佈用組成物，以乾燥後的厚度成為5μm的量，塗佈在厚度為38μm的長尺剝離片(LINTEC公司製造「SP-PET3811」)的剝離面上。將所得到的塗膜在100℃乾燥1分鐘，得到剝離片與黏著劑層的積層體。該積層體的黏著劑層側 的面上，貼附提供基材的樹脂系膜的一側的面(與上述具有表面算術平均粗糙度Ra的面相反側的面)，得到DR積層體的原料(original fabric)。
(4)第2區域之製作
對於上述DR積層體的原料(original fabric)中提供基材的樹脂系膜側的面，在直徑為210mm的圓狀區域，貼附再剝離性的黏著膜，進行遮蔽(masking)之後，使用噴砂(Sandblasting)裝置(不二製作所公司製造PNEUMA BLASTER SFK-2)，實施噴砂(Sandblasting)處理。接著，剝離除去再剝離性的黏著膜，將表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計成為0.7μm的被粗面化了的區域(為外徑280mm、內徑210mm的環狀，其中心與原料寬方向的中心一致。)，作為第2區域而得到。該第2區域內的表面粗糙度與進行噴砂(Sandblasting)處理之前相等，以算術表面高度Ra計為0.03μm。將該噴砂(Sandblasting)處理，在原料(original fabric)的長尺方向以300mm為間隔反複進行，形成共計100個圓環狀的被粗面化了的區域。
(5)DR積層體之製作
對於上述噴砂(Sandblasting)處理後的DR積層體的原料(original fabric)，從基材側的面，進行將提供基材的樹脂系膜以及黏著劑層切斷的半切割(half-cutting)，製作100本以平面視形成直徑為270mm的圓形的切斷線(閉曲線)。使這些切斷線形成的圓的中心，分別與先前通過噴砂(Sandblasting)處理所形成的圓環狀的第2區域的中心一致。而且，除去在形成這些直徑為270mm的圓形的切斷線外側的樹脂系膜以及黏著劑層。
這樣，在長尺剝離片的剝離面上，得到具有下述形狀以及配置的雷射切割片100片，在長尺方向並列配置所成的DR積層體。
雷射切割片的平面視形狀：直徑270mm的圓形
第1區域的平面視形狀：直徑210mm的圓形
第2區域的平面視形狀：包含第1區域的外徑為270mm，
內徑為210mm的圓環
配置於最近位元元2的雷射切割片彼此的長尺方向的間隔：30mm
在長尺方向捲取該DR積層體，作為捲取體的形態。
〔實施例2-2至2-4以及比較例2-2〕
將實施例2-1中噴砂(Sandblasting)處理範圍的內徑，變更為表3所示的內徑，除此以外，與實施例2-1進行同樣的操作，得到DR積層體的捲取體。
〔比較例2-1〕
在實施例2-1中，不進行噴砂(Sandblasting)處理，除此以外，與實施例2-1進行同樣的操作，得到將基材背面含有第1區域的雷射切割片積層於100片剝離片的剝離面上而成的DR積層體的捲取體。
〔比較例2-3〕
在實施例2-1，在基材整面上實施噴砂(Sandblasting)處理，除此以外，與實施例2-1進行同樣的操作，得到將基材背面含有第2區域的雷射切割片積層於100片剝離片的剝離面上而成的DR積層體的捲取體。
〔試驗例2-1〕楊氏模量之測定
關於在實施例以及比較例中使用的提供基材的樹脂系膜，使用萬能拉伸試驗機(ORIENTEC公司製造TENSIRON RTA-T-2M)，基於JIS K7161：1994，在23℃相對濕度50%的環境下，以拉伸速度200mm/分的條件，測定楊氏模量。其結果如上所述。
〔試驗例2-2〕直線透過率之測定
關於在實施例以及比較例中使用的提供基材的樹脂系膜，使用紫外．可視．近赤外分光光度計(島津製作所製造「UV-3101PC」)，測定波長200nm~1200nm範圍的直線透過率，讀取1064nm的值。其結果如上所述。
〔試驗例2-3〕相位差之測定
關於在實施例以及比較例使用的提供基材的樹脂系膜，使用相位差膜檢查裝置(大塚電子公司製造「RETS-100」(檢出器「MCPD-7700」))，在800nm~1100nm範圍，進行相位差的測定，讀取波長1064nm的相位差的值。其結果如上所述。
〔試驗例2-4〕算術平均粗糙度Ra之測定
關於將實施例以及比較例中使用的基材作為提供樹脂系膜中雷射切割片時成為基材背面的面，以及通過在實施例2-1至2-4及比較例2-2至23中進行的噴砂(Sandblasting)處理所形成的基材背面的第2區域，使用接觸式表面粗糙度計(Mitsutoyo公司製造「SURFTEST SV-3000」)，基於JIS B0601-2001，在面內測定10個點的算術平均粗糙度Ra，算出其平均值。另外，測定條件如下所述。
(Ra≦1.0時)
截止值(cutoff value)λc：0.25mm，評價長度Ln：1.25mm
(Ra>1.0時)
截止值(cutoff value)λc：0.8mm，評價長度Ln：4mm
〔試驗例2-5〕DR積層體供給性之評價
將實施例以及比較例的各自所涉及的DR積層體的捲取體放置於晶圓貼合裝置(LINTEC公司製造「RAD-2500m/12」)上，使用同裝置，從DR積層體中的剝離片上將雷射切割片進行剝離，同時在直徑200mm、厚度100μm的矽樹脂晶圓以及8英寸晶圓用環形框架(ring frame)上，貼附該剝離了的每個雷射切割片。
其結果是，將適當地從剝離片剝離沒有向矽樹脂晶圓貼合的雷射切割片為4片以下的情況視為「良好」，將有其不適當的貼合的雷射切割片為5片以上的情況視為「不良」。將評價結果示於表3。
〔試驗例2-6〕擴展(expand)性以及切割性之評價
從實施例以及比較例中的DR積層體上剝離剝離片，將所得到的雷射切割片通過與試驗例2-5同樣的方法，與試驗例2-5同樣，貼附於矽樹脂晶圓以及環形框架(ring frame)上。貼附於實施例2-1至2-4以及比較例2-1至23所涉及的雷射切割片上的矽樹脂晶圓，以平面視，全體位於基材背面的第1區域內部。
使用雷射照射裝置(DISCO公司製造「DFL7360」，波長：1064nm)，從對向於矽樹脂晶圓的黏著劑層面側，透過雷射切割片，將在晶圓內部集光的雷射，以形成2mm×2mm晶 片體的方式，沿著所設定的切斷預定線一邊掃描一邊照射。此時的雷射照射區域，在任意的雷射切割片，均包含在基材背面的第1區域。向全部的切斷預定線照射雷射後，使用擴展(expand)裝置(DISCO公司製造「DDS2010」)，以300mm/分鐘的速度剝離雷射切割片，使雷射切割片的黏著劑層側的面中貼附有矽樹脂晶圓的區域，在主面內向外方向伸長15mm。
其結果是，在雷射切割片沒有問題地伸長的情況時，將擴展(expand)性判定為「良好」；在矽樹脂晶圓的全部切斷預定線晶圓被分割形成了晶片體的情形時，將切割性判定為「良好」。對此，在雷射切割片從環形框架(ring frame)上脫落，或者雷射切割片斷裂的情況時，將擴展(expand)性判定為「不可」。再者，在矽樹脂晶圓的分割不充分的情況時，將切割性判定為「不可」。將評價結果示於表3。
由表3可知，滿足本發明條件的實施例的DR積層體，預切割(precut)性優異，難以發生DR積層體供給不良。而 且，切割性和擴展(expand)性也優異。再者，比較例2-2的切割性的「一部分不可」是指，由於第1區域的外徑比半導體晶圓的外徑(200mm)小，所以在半導體晶圓的最外周端部近傍雷射照射不充分，在該部分用與切割預定線不同的線，切斷半導體晶圓。
【產業上之可利用性】
本發明所涉及之雷射切割片-剝離片積層體，適宜用作在隱形切割等含有以透過切割片地進行雷射照射作業的切割工程中所使用的雷射切割片與剝離片的積層體。
100‧‧‧DR積層體
10‧‧‧雷射切割片
1‧‧‧第1片
2‧‧‧第2片
21‧‧‧基材膜
22‧‧‧接著劑層
3‧‧‧黏著劑層
11‧‧‧剝離片

Claims (20)

  1. 一種雷射切割片-剝離片積層體，其為具備具有第1片、積層於上述第1片一側的面上的第2片、以及積層於上述第1片另一側的面上的黏著劑層的雷射切割片，和以其剝離面對向於上述雷射切割片的上述黏著劑層側的面的方式所積層的剝離片的雷射切割片-剝離片積層體，其特徵在於：上述第2片平面視形狀為環狀，在上述第1片一側的面中以平面視被上述第2片包圍，沒有積層上述第2片的環內露出區域，包含在使用上述雷射切割片時進行雷射照射的雷射照射區域；上述第1片在23℃的楊氏模量為30MPa以上600MPa以下，上述第1片一側的面至少上述雷射照射區域的算術平均粗糙度Ra為未滿0.1μm；上述剝離片的剝離面，具有沒有積層上述雷射切割片的區域；關於在上述第2片一側的面上載置與上述剝離片的剝離面相反側的面所得到的重積體，在40℃、相對濕度80%的環境下，從上述試驗用剝離片的剝離面側印加19.6N荷重1小時；並且，在23℃、相對濕度50%的環境下，以無荷重的狀態靜置1小時，將靜置後的上述重積體的上述試驗用剝離片剝離180°時所測定的剝離力為50mN/50mm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之雷射切割片-剝離片積層體， 關於上述第1片至少在使用雷射切割片時進行雷射照射的部分，在上述波長1064nm的直線透過率為80%以上，同時在波長1064nm的相位差為100nm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之雷射切割片-剝離片積層體，其中在上述第2片中與對向於上述第1片的一側相反側的面，算術平均粗糙度Ra為0.3μm以上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之雷射切割片-剝離片積層體，其中在上述第2片中與對向於上述第1片的一側相反側的面，由聚酯系膜的面所構成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之雷射切割片-剝離片積層體，其中在上述剝離片中與對向於上述雷射切割片的一側相反側的面，算術平均粗糙度Ra為0.1μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之雷射切割片-剝離片積層體，其中上述剝離片由長尺體構成，上述雷射切割片其複數片相互隔開地配置於上述剝離片的長尺方向上，具有在長尺方向被捲取而得到的捲取體形態。
  7. 一種雷射切割片，其為從申請專利範圍第1至6項中任一項所述之雷射切割片-剝離片積層體，將上述剝離片剝離所得到的雷射切割片，其特徵在於：與上述黏著劑層的對向於上述第1片一側的相反側的面中和上述第1片的上述環內露出區域以平面視重複的區域，含有在使用上述雷射切割片時，貼附板狀構件之區域。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之雷射切割片，其中上述第1 片的上述環內露出區域以平面視為內接圓的半徑，比上述板狀構件所貼附的區域以平面視為外接圓的半徑大2mm以上。
  9. 一種晶片體之製造方法，其特徵在於：在申請專利範圍第7項所述之雷射切割片的上述黏著劑層中與對向於上述第1片的一側相反側的面的規定區域，貼附上述板狀構件；將上述雷射切割片的上述第1片的上述環內露出區域作為入射面，以透過上述第1片以及上述黏著劑層到達上述板狀構件的方式，照射雷射；使照射上述雷射後的貼附有上述板狀構件的上述雷射切割片在主面內方向伸長，來個片化上述板狀構件，得到晶片體。
  10. 一種雷射切割片，其為具有基材與積層於上述基材一側的面上的黏著劑層的雷射切割片，其特徵在於：上述基材的與對向於上述黏著劑層的一側相反側的面即背面，具有其表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.1μm未滿的第1區域以及0.3μm以上的第2區域；上述第1區域含有在使用時照射雷射的雷射入射區域；上述第2區域相比於上述雷射入射區域，被設置在以平面視為上述雷射切割片的外周側。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的雷射切割片，其中上述第2區域的表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.5μm以上。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之雷射切割片，其中上述第2區域以平面視為環狀，上述雷射入射區域相比於構成環狀的上述第2區域以平面視的內周，為位於上述第2區域的面內方向中心側。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之雷射切割片，其中上述基材的背面由上述第1區域與上述第2區域構成。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之雷射切割片，其中上述基材於23℃之楊氏模量為30MPa以上600MPa以下。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之雷射切割片，其中上述第2區域為對於上述基材之背面實施粗面化處理而形成者。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之雷射切割片，其中上述第1區域，於上述波長1064nm之直線透過率為80%以上，同時於波長1064nm之相位差為100nm以下。
  17. 一種雷射切割片-剝離片積層體，其具有申請專利範圍第10項至第16項的任意一項所記載之雷射切割片，與以其剝離面對向於上述雷射切割片之上述黏著劑層側的面的方式被積層之剝離片，在上述剝離片之剝離面，具有未積層上述雷射切割片之區域。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之雷射切割片-剝離片積層體，其中在上述剝離片中，與對向於上述雷射切割片一側相反側之面，算術平均粗糙度Ra為0.1μm以下。
  19. 一種晶片體之製造方法，其特徵在於：從申請專利範圍第17項所記述之雷射切割片-剝離片積層體，剝離上述剝離片，使上述雷射切割片之上述黏著劑層 側之面露出；在上述雷射切割片之上述露出之黏著劑層側之面，以平面視與上述第1區域重複之區域貼附板狀構件；將上述第1區域作為雷射入射面，以透過上述基材以及上述黏著劑層到達上述板狀構件之方式照射雷射；使照射上述雷射後的貼附有上述板狀構件的上述雷射切割片在主面內方向伸長，來個片化上述板狀構件，得到晶片體。
  20. 一種晶片體之製造方法，其特徵在於：從申請專利範圍第18項所記述之雷射切割片-剝離片積層體，剝離上述剝離片，使上述雷射切割片之上述黏著劑層側之面露出；在上述雷射切割片之上述露出之黏著劑層側之面，以平面視與上述第1區域重複之區域貼附板狀構件；將上述第1區域作為雷射入射面，以透過上述基材以及上述黏著劑層到達上述板狀構件之方式照射雷射；使照射上述雷射後的貼附有上述板狀構件所的上述雷射切割片在主面內方向伸長，而個片化上述板狀構件，得到晶片體。
TW102134037A 2012-09-20 2013-09-23 Laser cutting sheet - Stripping sheet laminate, laser cutting sheet and wafer manufacturing method TWI571346B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012206769A JP5583724B2 (ja) 2012-09-20 2012-09-20 レーザーダイシングシート−剥離シート積層体、レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法
JP2012206770A JP5583725B2 (ja) 2012-09-20 2012-09-20 レーザーダイシングシート−剥離シート積層体、レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201424908A TW201424908A (zh) 2014-07-01
TWI571346B true TWI571346B (zh) 2017-02-21

Family

ID=50341431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102134037A TWI571346B (zh) 2012-09-20 2013-09-23 Laser cutting sheet - Stripping sheet laminate, laser cutting sheet and wafer manufacturing method

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TWI571346B (zh)
WO (1) WO2014046121A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6319438B2 (ja) * 2014-06-10 2018-05-09 リンテック株式会社 ダイシングシート
JP6590164B2 (ja) * 2014-12-29 2019-10-16 株式会社ディスコ 半導体サイズのウェーハの処理に使用するための保護シート、保護シート構成、ハンドリングシステムおよび半導体サイズのウェーハの処理方法
JP6831831B2 (ja) * 2016-03-02 2021-02-17 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP7042211B2 (ja) * 2016-03-04 2022-03-25 リンテック株式会社 半導体加工用シート
KR20180122317A (ko) * 2016-03-04 2018-11-12 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공용 시트
US20200243588A1 (en) * 2016-05-30 2020-07-30 China Wafer Level Csp Co., Ltd. Packaging structure and packaging method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123404A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法
JP2009239298A (ja) * 2009-06-11 2009-10-15 Nitto Denko Corp ロール状ウエハ加工用粘着シート
JP2011243613A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及び半導体ウェハ保護用粘着フィルムロール
JP2012015236A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123404A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法
JP2009239298A (ja) * 2009-06-11 2009-10-15 Nitto Denko Corp ロール状ウエハ加工用粘着シート
JP2011243613A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及び半導体ウェハ保護用粘着フィルムロール
JP2012015236A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014046121A1 (ja) 2014-03-27
TW201424908A (zh) 2014-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI571346B (zh) Laser cutting sheet - Stripping sheet laminate, laser cutting sheet and wafer manufacturing method
JP5583724B2 (ja) レーザーダイシングシート−剥離シート積層体、レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法
JP5583725B2 (ja) レーザーダイシングシート−剥離シート積層体、レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法
JP4970863B2 (ja) 被加工物の加工方法
KR102544301B1 (ko) 수지막 형성용 시트 적층체
JP6018730B2 (ja) ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
TWI811763B (zh) 黏接片以及加工物之製造方法
TWI741335B (zh) 切割片
TWI657550B (zh) 可延伸片材以及積層晶片之製造方法
JP2007220694A (ja) ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
TWI568825B (zh) A backing substrate for a polishing film and a sheet for bonding, a method for manufacturing the substrate and the sheet, and a method of manufacturing the workpiece
JP2003261842A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
US11437243B2 (en) Mask material for plasma dicing, mask-integrated surface protective tape and method of producing semiconductor chip
TW201114875A (en) Surface protective sheet
CN107236473B (zh) 玻璃切割用粘着片材及其制造方法
TW201729276A (zh) 遮罩一體型表面保護帶
JP2009016538A (ja) ウエハ表面保護テープおよびウエハ研削方法
JP2007250790A (ja) 半導体チップの製造方法
TWI747985B (zh) 切割片
JP7402052B2 (ja) 長尺積層シートおよびその巻収体
CN107236474B (zh) 玻璃切割用粘着片材及其制造方法
JP2019033214A (ja) 半導体デバイスの製造方法
TWI791424B (zh) 玻璃切割用黏著板片及其製造方法
TW202239036A (zh) 工件處理片及裝置製造方法
TW202237771A (zh) 半導體加工用黏著帶及半導體裝置的製造方法