TWI570957B - 半導體發光元件之製造方法 - Google Patents

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Description

半導體發光元件之製造方法
本發明係關於一種使用金屬基板之半導體發光元件之製造方法，特別是關於在氮化物半導體上形成金屬基板之半導體發光元件之製造方法。
氮化物半導體元件可發出高輸出之短波長的光，作為藍色、綠色LED或與螢光體組合成之白色LED(Light Emitting Diode：發光二極體)被廣泛利用。
又，氮化物半導體元件，亦作為HEMT(High Electron Mobility Transistor：高電子移動度電晶體)等之高速電子設備而在近年來盛行研究。
氮化物半導體元件雖可藉由於與欲使成長之半導體同種之GaN基板上使氮化物半導體層同質磊晶成長而製造，但GaN基板價格較高。因此，氮化物半導體元件一般係於與欲使成長之半導體異種之藍寶石等之基板(成長基板)上使氮化物半導體層異質磊晶成長而製造。
然而，存在因藍寶石係絕緣性者而難以形成垂直型之半導體元件之問題，或因藍寶石之熱傳導率低而未能對應流動大電流之半導體元件之問題等。
針對上述問題，已知有於氮化物半導體層上形成導電性基板之氮化物半導體元件(參照專利文獻1)。記載於專利文獻1中之氮化物半導體元件係在同時製造複數之元件之晶圓步驟中，於在藍寶石基板上異質磊晶成長之氮化物半導體層之上，將作為異種基板之導電性基板積層，且剝離藍寶石基板，藉此將氮化物半導體層移向導電性基板，再藉由切割將其個片化。
又，作為代替金屬板而將鍍敷層作為基板進行利用者，討論有於氮化物半導體層上藉由鍍敷法形成具導電性且熱傳導率高的金屬基板之氮化物半導體元件(例如，參照專利文獻2~4)。
例如，專利文獻3記載之氮化物半導體元件之製造方法，係在製造複數之元件時，藉由於成長基板上形成溝，對應欲製造之各元件預先分割氮化物半導體層，且以犧牲層充填氮化物半導體層，並於p型半導體層上及犧牲層上利用鍍敷法形成鍍敷基板，且在剝離成長基板後除去犧牲層，並對應各元件分割鍍敷基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-244503號公報
[專利文獻2]日本特開2007-142368號公報
[專利文獻3]日本特開2007-081312號公報
[專利文獻4]日本特開2007-088048號公報
然而，例如專利文獻1所記載之製造方法，於氮化物半導體層上以金屬鍍敷形成支持基板並進行晶圓步驟之情形，因鍍敷層較金屬板更薄，故存在各種問題。例如，剝離成長基板後，若因金屬鍍敷之應力引起之翹曲變形，使氮化物半導體層與鍍敷基板發生翹曲，則會使其後之步驟變得困難。又，亦存在例如切割金屬鍍敷困難之問題。再者，為避免晶圓步驟中的問題，若以個別元件之狀態形成藉由金屬鍍敷之支持基板，則會導致量產性變差。
例如，根據專利文獻3所記載之技術，藉由於成長基板上設置溝且對應各元件預先分割氮化物半導體層，可減輕剝離成長基板後之半導體層之翹曲之影響，但為此須進行以犧牲層充填預先設置之溝之步驟、與其後除去犧牲層之步驟，故製造方法複雜。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可減小半導體層與鍍敷基板之翹曲、量產性優良且構造簡單的半導體發光元件之製造方法。
為解決上述問題，本發明之半導體發光元件之製造方法，其係使用鍍敷基板作為支持基板來製造複數之元件者，其特徵在於進行：於成長基板上形成至少以n型氮化物半導體層、包含氮化物半導體之活性層、p型氮化物半導體層之順序積層之氮化物半導體層之步驟；於上述氮化物半導體層之上面對應各元件形成p電極層之步驟；在形成於上述氮化物半導體層之上面之p電極層間形成p保護層而覆蓋上述氮化物半導體層之上面之步驟；於上述p電極層及p保護層之上形成種晶層之步驟；在上述種晶層之上面元件間之邊界線上之一部份形成絕緣層之步驟；於上述種晶層上形成鍍敷層之步驟；藉由除去上述絕緣層，在元件間之邊界線上之上述鍍敷層之一部份形成縫隙部，作為鍍敷基板之步驟；自上述氮化物半導體層剝離上述成長基板之步驟；自藉由剝離上述成長基板而顯現之氮化物半導體層之n型氮化物半導體層側之表面，沿元件間之邊界線，於上述氮化物半導體層上形成溝之步驟；於上述氮化物半導體層之n型氮化物半導體層側之表面上對應各元件而形成n電極層之步驟；及沿元件間之邊界線切斷上述鍍敷基板之步驟。
根據該程序，半導體發光元件之製造方法，係於氮化物半導體層之p側，在元件間之邊界線上鍍敷層之一部份形成縫隙部而作為鍍敷基板，因此，該狀態下，各元件係在形成於鍍敷基板上之縫隙部間相連接。且，如此由鍍敷層形成鍍敷基板，進而自氮化物半導體層剝離成長基板後，藉由鍍敷基板之縫隙部緩和金屬鍍敷之應力，故可減小氮化物半導體層與鍍敷基板之翹曲。又，因如此減小氮化物半導體層於鍍敷基板之翹曲，故在成長基板剝離後，可於鍍敷基板上之氮化物半導體層上容易地形成溝。且，在沿元件間之邊界線切斷鍍敷基板之步驟中，無須切斷氮化物半導體層，且，可在鍍敷基板之縫隙部之位置部位切斷p保護層及種晶層。因此，可容易地切斷將鍍敷基板之縫隙部與縫隙部之間鄰接之元件連接之部份。因此，無須如先前之減小翹曲之技術般，進行自氮化物半導體層剝離成長基板前於氮化物半導體層上形成溝且以犧牲層充填之步驟、或除去犧牲層之步驟。
又，本發明之半導體發光元件之製造方法，宜以相同材料組成上述種晶層與上述鍍敷層。藉此，提高鍍敷層之密著性。
又，上述鍍敷基板宜包含選自Ni、Cu、Au中至少一者。藉此，利用電解鍍敷法，可於未形成有絕緣層之部位選擇性地容易地形成鍍敷層。又，絕緣層宜為可容易除去之抗蝕劑。
根據本發明，可提供一種晶圓步驟中之翹曲變形減少、亦容易切割之具有高量產性之金屬鍍敷基板之半導體發光元件之製造方法。
以下，結合圖面詳細說明用以實施本發明之半導體發光元件之製造方法之形態。圖1係顯示藉由本發明實施形態之半導體發光元件之製造方法在分離各元件之前生成之元件集合體，圖2係顯示經分離之半導體發光元件。
[半導體發光元件之構成概要]
如圖2所示，半導體發光元件1，於鍍敷基板8之表面上形成有包含氮化物半導體層10、p電極層4、p保護層7、及種晶層9之氮化物半導體。氮化物半導體層10具備n型氮化物半導體層11、包含氮化物半導體之活性層12、及p型氮化物半導體層13。此處，p電極層4及p保護層7之上，有p型氮化物半導體層13、活性層12、n型氮化物半導體層11依此順序積層。氮化物半導體層10之上面形成有n電極層5。氮化物半導體層10之上面之n電極層5以外之部份、與側面上，以覆蓋氮化物半導體層10之方式形成有n保護層6。另，關於半導體發光元件之各部份之細節請容後述。
[元件集合體之構成]
在圖1所示之元件集合體2中，與半導體發光元件1相同之構成中，附有相同之符號。元件集合體2表示形成n保護層6前之狀態。圖1(a)作為一例係將3×3之9個元件之部份作為元件集合體2顯示。另，該等元件之周圍亦同樣並設有元件。氮化物半導體層10以平面觀察呈大致矩形。
元件集合體2之發光側(表面側)上，如圖1(b)所示，沿元件間之邊界線分別形成有縱方向與橫方向之特定寬度之溝35。平面而視，如圖1(a)所示，縱方向之溝35之寬度與橫方向之溝35之寬度相等，溝35與橫方向之溝35交差之交差點上形成有十字形狀部。藉由以該等溝35之中心線切斷而個片化為各半導體發光元件1。切割道係較該等溝35之寬度更窄之通過溝35之中心線之區域。將以該切割道為邊界線，對應半導體發光元件1而形成之區域單稱為元件。各元件以平面觀察呈大致矩形。
又，元件集合體2之基板側(裏面側)，如圖1(c)所示，有元件之鍍敷基板8與鄰接之元件之鍍敷基板8以一部份鍍敷層連接。又，元件間之邊界線上之一部份形成有縫隙部40。該縫隙部40呈十字之形狀，分別形成於元件集合體2之發光側所形成之縱方向之溝35與橫方向之溝35交差之交差點中與十字形狀部對向之位置上。縫隙部40為切割道之一部份，對向於溝35之縫隙部40之十字之寬度較溝35之寬度更窄。即，溝35之寬度係設置為較縫隙部40之寬度更寬。縫隙部40之厚度係以與鍍敷基板8之厚度相等之方式形成，且未貫通。又，於2×2之4個元件之間各形成有1個縫隙部40。即，鍍敷基板8中，鄰接之2個元件係以邊界線上之縫隙部40與縫隙部40之間之鍍敷層連接。元件集合體2係藉由縫隙部40緩和金屬鍍敷之應力，故能夠減小氮化物半導體層10與鍍敷基板8之翹曲。
[半導體發光元件之各部分的構成] (p電極層)
P電極層4，通常能舉例可作為電極使用之材料。例如，可舉出鋅(Zn)、鎳(Ni)、白金(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、釕(Ru)、鋨(Os)、銥(Ir)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鈷(Co)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鎢(W)、鑭(La)、銅(Cu)、銀(Ag)、釔(Y)等之金屬或Ni-Au、Ni-Pt等之合金。
(n電極層)
n電極層5，通常能舉例可作為電極使用之材料。又，例如，亦可以自鍍敷基板8之側以Ti/Al之順序積層之2種金屬構成。同樣，亦可以如Ti/Pt/Au、Ti/Al/Pt/Au、W/Pt/Au、V/Pt/Au之順序積層之3種以上之金屬構成。
(n保護層、p保護層)
n保護層6包含絕緣膜，特別宜包含氧化膜。n保護層6例如宜包含Zr氧化膜(ZrO2)或SiO2。
n保護層6可以例如濺鍍法、ECR(Electron Cyclotron Resonance：電子迴旋加速器共鳴)濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相成長)法、ECR-CVD法、ECR-電漿CVD法、蒸鍍法、EB法(Electron Beam：電子樑蒸鍍法)等之已知之方法而形成。其中較好為以ECR濺鍍法、ECR-CVD法、ECR-電漿CVD法等形成。
P保護層7亦與n保護層6相同。
(鍍敷基板)
作為鍍敷基板8之材料，可使用能夠鍍敷之金屬。作為鍍敷基板8之材料，例如宜包含選自Ni、Cu、Au中至少一者。藉此，利用電解鍍敷法，能夠於未形成有絕緣層之部位選擇性地容易地形成鍍敷層。因此，以金屬作為材料使用電解鍍敷法形成鍍敷基板8之步驟中，於作為鍍敷基板8之縫隙部40而未形成鍍敷層之部位預先設置絕緣層。
(種晶層)
作為種晶層9之材料，對應鍍敷基板8之材料，例如，能夠使用Ni、Cu、Au等之金屬或合金。種晶層9之材料若與鍍敷層之材料相同，則可提高密著性，故較好為使用相同材料。種晶層9例如可使用已知之濺鍍法或蒸鍍法等而形成。
(氮化物半導體層)
氮化物半導體層10中，n型氮化物半導體層11及p型氮化物半導體層13中之一方或雙方亦可以複數之氮化物半導體層構成。又，活性層12為單層或多層均可。因此，例如，n型氮化物半導體層11及p型氮化物半導體層13可分別以對應接觸層、熔覆層等之必要功能之複數之層而構成，能夠實現對應用途之發光特性。
作為n型氮化物半導體層11之接觸層，例如可舉出摻雑Si之n型GaN層，作為n型氮化物半導體層11之熔覆層，例如例可舉出摻雑Si之n型AlGaN層。作為p型氮化物半導體層13之接觸層，例如可舉出摻雑Mg之p型GaN層，作為p型氮化物半導體層13之熔覆層，例如可舉出摻雑Mg之p型AlGaN層。作為活性層12，可為InGaN層、GaN與InGaN之單一或多重量子井層、包含InGaN障壁層、與該層組成比不同之InGaN井層之單一或多重量子井層等。又，n型氮化物半導體層11及p型氮化物半導體層13亦可進而包含不摻雑之氮化物半導體層。
[半導體發光元件之製造方法]
本發明實施形態之半導體發光元件之製造方法係使用鍍敷基板作為支持基板來製造複數之半導體發光元件之方法。參照圖3~圖10說明切割成各半導體發光元件1前之製造步驟。
首先，如圖3(a)所示，例如在藍寶石等之成長基板30上，例如藉由有機金屬氣相成長法(MOCVD法)使氮化物半導體層10成長。此時，於成長基板30上，藉由以n型氮化物半導體層11、活性層12、p型氮化物半導體層13之順序積層而形成氮化物半導體層10。即，氮化物半導體層10之上面為p型氮化物半導體層13，與圖2(b)之剖面圖上下反轉。
其次，如圖3(b)、(c)所示，在氮化物半導體層10之上面對應各元件形成p電極層4。即，例如，於圖1(b)所示之氮化物半導體層10之下的位置上形成p電極層4。此時，在之後之步驟中位於形成n電極層5之部份之下的部位、或位於形成溝35之部份之下的部位，不成膜而留出縫隙。此處，係令位於形成溝35之部份之下的部位之縫隙的寬度，較之後之步驟中形成之縫隙部40之寬度更寬。P電極層4之成膜方式並無特別限定，例如可使用磁控濺鍍法。另，圖3(a)、圖3(c)以後之剖面圖主要為圖3(b)之B-B線剖面圖。
其次，如圖4(a)、(b)所示，於氮化物半導體層10之上面所形成之p電極層4與p電極層4之間形成p保護層7並覆蓋氮化物半導體層10之上面。即，此時，於之後之步驟中位於形成n電極層5之部份之下的部位形成p保護層7。藉此，能夠提高發光效率。又，同時，p保護層7亦形成於之後之步驟中位於形成切割道之溝35之部份之下的部位。形成於位於相當切割道之部份之下的部位上之p保護層7之寬度係形成為較切割道之寬度更大。即，形成於該部位之p保護層7之寬度係較之後之步驟中形成之縫隙部40之寬度更寬。藉此，能夠防止洩露。p保護層7之成膜方法無特別限定，例如可使用ECR濺鍍法。
其次，如圖5(a)、(b)所示，在p電極層4及p保護層7上形成種晶層9。種晶層9雖較好為經由p電極層4及p保護層7而覆蓋氮化物半導體層10之上面整體，但在之後之步驟中若能夠覆蓋形成之縫隙部40之部位，則覆蓋一部份亦可。種晶層9例如可以濺鍍法形成。
其次，如圖6(a)所示，於種晶層9之上面元件間之邊界線上之一部份，形成絕緣層20。該絕緣層20係在之後之步驟中為於鍍敷層之一部份形成縫隙部40而設置者。絕緣層20，例如可使用遮罩處理或圖案化通常使用之抗蝕劑，以可在之後之步驟中容易地除去。例如，如一般的圖案化中使用眾所周知之光微影技術之情形下，圖1(c)所示之成為縫隙部40之部位例如係利用光致抗蝕劑覆蓋。即，該情形下，種晶層9上，元件之鍍敷基板8、與鄰接之元件之鍍敷基板8以一部份連接之部份以外係利用光致抗蝕劑覆蓋。藉此，如圖6(a)以剖面所示，p保護層7之中，形成於相當切割道之部份之下之p保護層7之上，經由種晶層9而形成有絕緣層20。另，在之後之步驟中，於相當n電極層5之部份之下所形成之p保護層7上未形成有絕緣層20。
其次，如圖6(b)所示，於種晶層9上形成鍍敷層。使用鍍敷法之情形下，可使用電解鍍敷、無電解鍍敷任一之方法。例如藉由以電解鍍敷法形成Ni鍍敷，於種晶層9上之被絕緣層20覆蓋之部份以外形成藉由Ni鍍敷之鍍敷基板8。
此處，參照圖7說明鍍敷基板8之形狀。
於圖7(a)顯示被絕緣層20覆蓋之部份以外所形成之鍍敷基板8之上面圖。於圖7(b)顯示圖7(a)之B-B線剖面。又，於圖7(c)顯示圖7(a)之C-C線剖面，於圖7(d)顯示圖7(a)之D-D線剖面。
圖7(b)所示之B-B線剖面與圖7(d)所示之D-D線剖面中，鍍敷層中於鄰接之元件間形成有絕緣層20。與此相對，如圖7(c)所示，C-C線剖面中，鍍敷層中鄰接之元件間連續地形成有鍍敷基板8。另，如圖7(d)所示，D-D線剖面中，p保護層7僅形成於絕緣層20之下，如圖7(b)所示，B-B線剖面中，p保護層7係形成於絕緣層20之下及相當於後續步驟中之n電極層5之部份之下。
鍍敷層形成後，如圖6(c)所示，藉由除去絕緣層20，在元件間之邊界線上之鍍敷層之一部份形成縫隙部40，作為鍍敷基板8。
其次，如圖6(d)所示，自於成長基板30上形成有氮化物半導體層10之側的相反側之面，朝氮化物半導體層10以符號100之箭頭所示之方式，照射特定波長之雷射。藉此，自氮化物半導體層10剝離成長基板30。此處，本步驟中可使用可透過包含藍寶石之成長基板30而於n型氮化物半導體層11吸收之雷射光。即，若將雷射光以例如600 mJ/cm2左右之特定強度自成長基板30側進行照射，則可於位於成長基板30與n型氮化物半導體層11(參照圖2(b))之邊界附近之n型氮化物半導體層11吸收，且於其邊界附近發熱，而藉由該熱分離。例如，在n型氮化物半導體層11為GaN之情形下，由於該GaN會吸收365 nm以下之波長之光，故例如可使用KrF準分子雷射光(248 nm)。
此處，參照圖8說明鍍敷基板8之形狀。
圖8(a)顯示自氮化物半導體層10剝離成長基板30後之鍍敷基板8之上面圖。圖8(b)顯示圖8(a)之B-B線剖面，圖8(c)顯示圖8(a)之C-C線剖面。
如圖8(a)所示，自上觀察之情形下，在縫隙部40上能夠看見種晶層9，但在其他部份能夠看見鍍敷基板8。
如圖8(b)所示，於B-B線剖面，鍍敷基板8中，於鄰接之元件間形成有縫隙部40。與此相對，如圖8(c)所示，於C-C線剖面，鍍敷基板8中，鄰接之元件間連續地形成有鍍敷基板8。如圖8(c)所示，由於鄰接之元件間藉由連接鍍敷基板8之部份而將所有元件連結，故即使有圖8(b)所示之縫隙部40仍可保持晶圓形狀。
關於之後之步驟參照圖9予以說明。自藉由上下反轉鍍敷基板8且剝離成長基板30而顯現之氮化物半導體層10之n型氮化物半導體層11(參照圖2(b))側之表面，沿元件間之邊界線對氮化物半導體層10實施蝕刻形成溝35，並以預先決定之元件尺寸進行元件分離。形成溝35後之上面圖如圖9(a)所示。圖9(a)之B-B線剖面如圖9(b)所示，圖9(a)之C-C線剖面如圖9(c)所示。此處，於氮化物半導體層10之上面，以覆蓋相當於p電極層4所處部份之上之部位的方式形成遮罩45，用該遮罩45形成溝35。此時，溝35之寬度較縫隙部40之寬度更寬。此處，遮罩45之材料可使用例如SiO2。且，於溝35形成後除去遮罩45。另，圖9(b)及圖9(c)係顯示形成溝35後之狀態，故遮罩45以虛線顯示。
其次，如圖10(a)所示，於氮化物半導體層10之n型氮化物半導體層11側之表面(上面)上對應各元件形成n電極層5。此時，位於形成n電極層5之部份之下之部位，夾著氮化物半導體層10而配置有p保護層7。藉此，可獲得圖1所示之元件集合體2。
其次，如圖10(b)所示，於氮化物半導體層10之上面未形成有n電極層5之部份的上面整體、與氮化物半導體層10之側面，形成包含絕緣構件之n保護層6。藉此，因氮化物半導體層10之側面形成有n保護層6，故能夠防止p電極層4與活性層12或n型氮化物半導體層11之短路、或p型氮化物半導體層13與n型氮化物半導體層11之間之短路。另，n保護層6亦可形成於n電極層5之側面及n電極層5之上面之緣部。
再者，使上下反轉返回至原樣，以沿元件間之邊界線之切割道切斷鍍敷基板。藉此，可獲得如圖2所示之半導體發光元件1。此處，作為切斷方法，例如可使用切割鋸來切斷。另，不限於切割鋸，利用雷射或水刀切斷亦可。
根據本實施形態之半導體發光元件之製造方法，在晶圓步驟中，製作將對應半導體發光元件1之複數之元件集合之元件集合體2，且在該元件集合體2中於元件間之邊界線上的鍍敷層之一部份形成縫隙部40，作為鍍敷基板8。藉此，自氮化物半導體層10剝離成長基板30後，藉由縫隙部40緩和金屬鍍敷之應力，故可發揮減小氮化物半導體層10與鍍敷基板8之翹曲之效果。又，於沿元件間之邊界線切斷鍍敷基板8之步驟，可在縫隙部40所處部位僅切斷p保護層7及種晶層9，可容易地切斷鍍敷基板8之縫隙部40與縫隙部40之間連接鄰接之元件之部份。因此，可製造晶圓步驟中之翹曲變形減少、亦容易切割之具有高量產性之金屬鍍敷基板之半導體發光元件。
以上就本實施形態進行了說明，但本發明不限於此，在不改變其宗旨之範圍內可實施多種變形。例如，上述說明了自氮化物半導體層10剝離成長基板30後，縫隙部40之B-B線剖面成為圖8(b)所示之狀態，但本發明不限定於此。氮化物半導體層10、p保護層7及種晶層9，根據厚度或材質，自氮化物半導體層10剝離成長基板30後，如圖11(a)所示，在縫隙部40之B-B線剖面中，藉由氮化物半導體層10或鍍敷基板8等之應力，切割例如氮化物半導體層10、p保護層7、種晶層9，而產生連通於縫隙部40之龜裂50之情形亦存在。但，即使在該情形下，鍍敷基板8中縫隙部40以外之部份係如圖8(c)所示之C-C線剖面，氮化物半導體層10、p保護層7、種晶層9仍不會裂開。即，由於所有元件係藉由鍍敷基板8之各元件間之連接部份而連結，故能夠保持晶圓形狀。
又，如圖11(a)所示，在縫隙部40之B-B線剖面中產生龜裂50之情形下，若上下反轉，繼續進行於氮化物半導體層10上形成溝之步驟，則縫隙部40之B-B線剖面會成為圖11(b)所示之狀態。該情形下，氮化物半導體層10上，即使在剝離成長基板30後存在龜裂50，但因係將圖9(b)所示之溝35之寬度設計為較縫隙部40之寬度更大，故圖11(b)所示之溝60與圖9(b)所示之溝35為相同之寬度。即，龜裂50不會影響半導體發光元件1之形狀(特別是氮化物半導體層10之形狀)。又，如圖1(c)所示縫隙部40係貫通至氮化物半導體層10、p保護層7、種晶層9。由於該經貫通之縫隙部40亦可緩和金屬鍍敷之應力，故可減小氮化物半導體層10與鍍敷基板8之翹曲。
又，根據本實施形態，係於成長基板30上直接形成氮化物半導體層10，但於成長基板30上，例如形成使GaN以低溫成長之GaN緩衝層，且於其上使n型氮化物半導體層11、活性層12、p型氮化物半導體層13成長亦可。藉此，可形成結晶性更佳之氮化物半導體層10。
1．．．半導體發光元件
2．．．元件集合體
4．．．p電極層
5．．．n電極層
6．．．n保護層
7．．．p保護層
8．．．鍍敷基板
9．．．種晶層
10．．．氮化物半導體層
11．．．n型氮化物半導體層
12．．．活性層
13．．．p型氮化物半導體層
20．．．絕緣層
30．．．成長基板
35．．．溝
40．．．縫隙部
60．．．溝
圖1係顯示本發明之半導體發光元件之製造中途獲得之分割前之元件集合體的外觀圖，(a)係自發光側所視之平面圖，(b)係自發光側所視之立體圖，(c)係自基板側所視之立體圖；
圖2係顯示本發明之半導體發光元件之構成圖，(a)係自發光側所視之平面圖，(b)係(a)之A-A線剖面向視圖；
圖3係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例的說明圖，(a)係顯示氮化物半導體層形成步驟之剖面圖，(b)係顯示p電極層形成步驟之平面圖，(c)係顯示(b)之B-B線剖面向視圖；
圖4係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例的說明圖，(a)係顯示p保護層形成步驟之平面圖，(b)係顯示(a)之B-B線剖面向視圖；
圖5係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例的說明圖，(a)係顯示種晶層形成步驟之平面圖，(b)係顯示(a)之B-B線剖面向視圖；
圖6係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例的B-B線剖面向視圖，(a)係顯示絕緣層形成步驟，(b)係顯示鍍敷層形成步驟，(c)係顯示絕緣層除去步驟，(d)係顯示基板剝離步驟；
圖7係顯示圖6(b)之鍍敷層形成步驟之說明圖，(a)係平面圖，(b)係(a)之B-B線剖面向視圖，(c)係(a)之C-C線剖面向視圖，(d)係(a)之D-D線剖面向視圖；
圖8係顯示圖6(d)之基板剝離步驟後之狀態的說明圖，(a)係平面圖，(b)係(a)之B-B線剖面向視圖，(c)係(a)之C-C線剖面向視圖；
圖9係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例的說明圖，(a)係顯示上下反轉後之元件區劃形成步驟之平面圖，(b)係(a)之B-B線剖面向視圖，(c)係(a)之C-C線剖面向視圖；
圖10係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之一例的B-B線剖面向視圖，(a)係顯示n電極層形成步驟，(b)係顯示n保護層形成步驟；及
圖11係顯示本發明之半導體發光元件之製造步驟之另一例之B-B線剖面向視圖，(a)係顯示基板剝離步驟後之狀態，(b)係顯示上下反轉後之元件區劃形成步驟。
2．．．元件集合體
5．．．n電極層
7．．．p保護層
8．．．鍍敷基板
9．．．種晶層
10．．．氮化物半導體層
35．．．溝
40．．．縫隙部

Claims (10)

  1. 一種半導體發光元件之製造方法，其係使用鍍敷基板作為支持基板而製造複數之元件者，其特徵在於進行：於成長基板上形成至少以n型氮化物半導體層、包含氮化物半導體之活性層、p型氮化物半導體層之順序積層之氮化物半導體層之步驟；於上述氮化物半導體層之上面對應各元件形成p電極層之步驟；於形成於上述氮化物半導體層之上面的p電極層間形成p保護層而覆蓋上述氮化物半導體層之上面之步驟；於上述p電極層及p保護層上形成種晶層之步驟；在上述種晶層之上面元件間之邊界線上之一部份形成絕緣層之步驟；於上述種晶層上形成鍍敷層之步驟；藉由除去絕緣層，在元件間之邊界線上之上述鍍敷層之一部份形成縫隙部，作為鍍敷基板之步驟；自上述氮化物半導體層剝離上述成長基板之步驟；自藉由剝離上述成長基板而顯露之氮化物半導體層之n型氮化物半導體層側之表面，沿元件間之邊界線，於上述氮化物半導體層上形成溝之步驟；於上述氮化物半導體層之n型氮化物半導體層側之表面上對應各元件而形成n電極層之步驟；及沿元件間之邊界線切斷上述鍍敷基板之步驟。
  2. 如請求項1之半導體發光元件之製造方法，其中上述種 晶層與上述鍍敷層係由同種材料組成。
  3. 如請求項1之半導體發光元件之製造方法，其中上述鍍敷基板至少包含選自Ni、Cu、Au中之一者。
  4. 如請求項2之半導體發光元件之製造方法，其中上述鍍敷基板至少包含選自Ni、Cu、Au中之一者。
  5. 如請求項1之半導體發光元件之製造方法，其中上述絕緣層為抗蝕劑。
  6. 如請求項2之半導體發光元件之製造方法，其中上述絕緣層為抗蝕劑。
  7. 如請求項3之半導體發光元件之製造方法，其中上述絕緣層為抗蝕劑。
  8. 如請求項4之半導體發光元件之製造方法，其中上述絕緣層為抗蝕劑。
  9. 如請求項1至請求項8中任一項之半導體發光元件之製造方法，其中係以下列方式形成上述p保護層：形成於上述p電極層之間的上述p保護層之寬度較形成於上述鍍敷層之一部分的上述縫隙部之寬度更寬。
  10. 如請求項1至請求項8中任一項之半導體發光元件之製造方法，其中除去上述絕緣層後，對應於上述半導體發光元件之鍍敷基板係以一部份之鍍敷層相互連接。
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