TWI557831B - 微組件的傳送方法 - Google Patents

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Description

微組件的傳送方法
本發明是有關於一種微組件的傳送方法。
微型發光二極體陣列(Micro Light-Emitting Diode Array)為將尺寸微小(小於100微米)的微型發光二極體以陣列方式排列設置於具有畫素電路的陣列基板上。透過定址化驅動技術，每個微型發光二極體可以定址控制、單獨驅動點亮，因而可以作為點畫素，於是，微型發光二極體陣列將能發揮顯示器之功能。
除了具有高效率、高亮度、高可靠度及反應時間快等特點，微型發光二極體陣列更具節能、機構簡易、體積小、薄型等優勢。比起同樣是自發光的有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode)顯示器，微型發光二極體陣列有較佳的材料穩定性、壽命長、且無影像烙印等問題。
在製作微型發光二極體陣列時，可以先分別形成微型發光二極體與陣列基板，然後再透過封裝技術如覆晶封裝方式(Flip Chip Bonding)形成電性連結。微型發光二 極體亦能藉由整合微透鏡陣列(Microlens Array)，提高亮度及對比度。
為了進一步改善微型發光二極體陣列的各項特性，相關領域莫不費盡心思開發。如何能提供一種具有較佳特性的微型發光二極體陣列與其相關製程，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前相關領域亟需改進的目標。
本發明之一技術態樣是在提供一種微組件的傳送方法，藉由整合製程方式，減少製造成本並增加製程良率。
根據本發明一實施方式，一種微組件的傳送方法，包含以下步驟。首先，提供承載基板，並形成複數個微組件於承載基板上。接著，形成固定層於承載基板上，固定層至少接觸微組件之底部。然後，圖案化固定層，選擇性地裸露部份的微組件。再來，提供轉置裝置，並對應位於承載基板上，且經由轉置裝置提取裸露的微組件。最後，提供接收基板，並移轉提取裸露的微組件至接收基板上。
於本發明之一或多個實施方式中，形成固定層為一種光感應有機材包括光阻材料或感光材料，光阻材料包括正型光阻材料(Positive Photoresist)或負型光阻材料(Negative Photoresist)。
於本發明之一或多個實施方式中，經由轉置裝置提取裸露的微組件，更包括轉置裝置提供提取面，且提取面與裸露的微組件接觸，讓轉置裝置進行提取。
於本發明之一或多個實施方式中，轉置裝置藉由超距力提取裸露的微組件。
於本發明之一或多個實施方式中，轉置裝置之提取面具有金屬層，提供外電路於金屬層產生靜電力藉以提取裸露的微組件。
於本發明之一或多個實施方式中，轉置裝置之提取面具有導電磁化層，提供外電路於導電磁化層層產生磁力藉以提取裸露的微組件。
於本發明之一或多個實施方式中，轉置裝置之提取面具有彈性黏著層，轉置裝置以彈性黏著層提取裸露的微組件。
於本發明之一或多個實施方式中，形成複數個微組件於承載基板上時，位於承載基板上的微組件間更形成第一間距；移轉提取裸露的微組件至接收基板上時，位於接收基板上的微組件間更形成第二間距，且第二間距為第一間距的整數倍，其中整數較佳為大於二。
於本發明之一或多個實施方式中，傳送方法更包括以下步驟。首先，再次圖案化固定層，選擇性地裸露其他部分的微組件。接著，經由轉置裝置提取裸露的其他部分微組件。然後，移轉提取裸露的其他部份微組件至另一接收基板上。最後，重複進行多次前述之圖案化固定層與移轉提取裸露的微組件至複數個其他接收基板。
於本發明之一或多個實施方式中，承載基板更包含離型層與本體，其中離型層暫時性地將微組件固定於本體 上。
於本發明之一或多個實施方式中，離型層材料為一種有機聚合物、金屬、合金、或減黏膠帶。
於本發明之一或多個實施方式中，在經由轉置裝置提取裸露的微組件前，藉由照射紫外光、照射雷射或加熱使離型層脫離本體。
於本發明之一或多個實施方式中，接收基板包含連接層與陣列基板，在移轉提取裸露的微組件後，利用連接層固定移轉的微組件於陣列基板上，其中連結層的材料包括熔融態的金屬、導電膠或黏著膠。
於本發明之一或多個實施方式中，一種顯示面板的形成方法，包含以下步驟。首先，提供第一承載基板，並形成複數個紅色微型發光二極體於第一承載基板上。接著，形成並圖案化固定層於第一承載基板上，因而選擇性地裸露部分的紅色微型發光二極體。然後，經由轉置裝置提取裸露的紅色微型發光二極體，並移轉提取與固定裸露的紅色微型發光二極體至接收基板上。再來，提供第二承載基板，並形成複數個綠色微型發光二極體於第二承載基板上。然後，形成並圖案化固定層於第二承載基板上，因而選擇性地裸露部分的綠色微型發光二極體。接著，經由轉置裝置提取裸露的綠色微型發光二極體，並移轉提取與固定裸露的綠色微型發光二極體至接收基板上。再來，提供第三承載基板，並形成複數個藍色微型發光二極體於第三承載基板上。然後，形成並圖案化固定層於第三承載基板上，因而選擇性地裸露部分的藍色微型發光二極體。接 著，經由轉置裝置提取裸露的藍色微型發光二極體，並移轉提取與固定裸露的藍色微型發光二極體至接收基板上。最後，形成上電極於設置於接收基板上之紅色微型發光二極體、綠色微型發光二極體以及藍色微型發光二極體，因而形成顯示面板。
藉由固定層固定部份之微組件，再以轉置裝置提取裸露之微組件的方式來傳送微組件，因此在使用此方法時，將可減少添購新的操作設備，因而減少製造成本，同時因為製程為熟悉常用，亦可以增加製程良率。
110‧‧‧承載基板
110r‧‧‧第一承載基板
110g‧‧‧第二承載基板
110b‧‧‧第三承載基板
112‧‧‧本體
114‧‧‧離型層
120、120r、120g、120b‧‧‧微組件
121‧‧‧第一電極
122‧‧‧第一半導體層
123‧‧‧活性層
124‧‧‧第二半導體層
126‧‧‧輔助電極
130、130r、130g、130b‧‧‧固定層
140‧‧‧上電極
200、300‧‧‧轉置裝置(第一轉置裝置)
200’‧‧‧第二轉置裝置
202、301‧‧‧提取面
302‧‧‧彈性黏著層
400‧‧‧接收基板
402‧‧‧陣列基板
404‧‧‧連接層
406‧‧‧畫素電路
408‧‧‧絕緣層
410‧‧‧凸起部
490‧‧‧容置空間
502、504、506、508、512、514、516、518、522、524、 526、528、532、702、704、706、712、714、716、722、724、726、732‧‧‧步驟
900‧‧‧顯示面板
L‧‧‧邊長
P、P’‧‧‧間距
第1圖繪示本發明一實施方式之第一承載基板、第二承載基板、第三承載基板、接收基板、設置於其上的微組件以及轉置裝置的不同立體示意圖。
第2A~2G圖繪示本發明一實施方式之微組件的傳送方法各步驟的剖面圖。
第3A圖繪示本發明一實施方式之微組件的上視圖。
第3B圖繪示本發明另一實施方式之微組件的上視圖。
第3C圖繪示本發明又一實施方式之微組件的上視圖。
第4圖繪示本發明另一實施方式之微組件的傳送方法其中一步驟的剖面圖。
第5圖繪示本發明又一實施方式之微組件的傳送方法其中一步驟的剖面圖。
第6圖繪示本發明一實施方式之顯示面板的剖面圖。
第7圖繪示本發明一實施方式之顯示面板的形成方法的流程示意圖。
第8圖繪示本發明另一實施方式之顯示面板的形成方法的流程示意圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1圖繪示依照本發明一實施方式之第一承載基板110r、第二承載基板110g、第三承載基板110b、接收基板400、設置於其上的微組件120r、120g、120b以及轉置裝置200的不同立體示意圖。如第1圖所繪示，第一承載基板110r、第二承載基板110g、第三承載基板110b上分別設置有微組件120r、120g、120b，微組件120r、120g、120b可為微型發光二極體(Micro Light-Emitting Diode)。在製造由微型發光二極體所組成之顯示面板的過程中，需要進行傳送微型發光二極體的動作，即預先設置於第一承載基板110r上的微組件120r、預先設置於第二承載基板110g上的微組件120g與預先設置於第三承載基板110b上的微組件120b必需 經由轉置裝置200而轉置於接收基板400上，藉此形成顯示面板。微組件120r、120g、120b可為但不限於垂直型微型發光二極體或水平型微型發光二極體，其中垂直型微型發光二極體陰極與陽極位於微型發光二極體的上下兩側，水平型微型發光二極體陰極與陽極位於微型發光二極體面向接收基板400的另一側上，本發明並不以此為限。
具體而言，微組件120r為紅色微型發光二極體，微組件120g為綠色微型發光二極體，微組件120b為藍色微型發光二極體。因為在第一承載基板110r、第二承載基板110g、第三承載基板110b上通常僅會分別設置有同種顏色的微型發光二極體例如微組件120r、120g、120b，因此微組件120r、120g、120b需要經由轉置裝置200批次轉置於接收基板400上，藉此形成顯示面板。更具體地說，經由轉置裝置200批次將設置於第一承載基板110r上的微組件120r轉置於接收基板400上，經由轉置裝置200批次將設置於第二承載基板110g上的微組件120g轉置於接收基板400上，經由轉置裝置200批次將設置於第三承載基板110b上的微組件120b轉置於接收基板400上，於是微組件120r、120g、120b將以陣列方式排列設置於接收基板400上。應了解到，以上所舉之轉置裝置的立體示意圖僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，可選擇例如轉置微組件120r、120g、120b的先後次序等具體實施方式。
於另一變化實施例中，第一承載基板110r、第 二承載基板110g與第三承載基板110b可為同一個承載基板。於其他變化實施例中，轉置裝置200也可視需求為複數個，提高傳送效率縮短製程時間。
第2A~2G圖繪示依照本發明一實施方式之微組件120的傳送方法各步驟的剖面圖。具體而言，微組件120可為微型發光二極體，且微組件120的邊長L≦100微米。另外，微組件120可對應於前述之微組件120r、120g、120b(即紅色微型發光二極體、綠色微型發光二極體或藍色微型發光二極體)，但並不限於此。
如第2A圖所繪示，首先提供承載基板110，並形成複數個微組件120設置於承載基板110上。具體而言，承載基板110包含離型層114與本體112。離型層114設置於本體112上，且微組件120設置於離型層114上。離型層114的功能為暫時性地將微組件120固定於本體112上。
在本實施方式中，離型層114為經過圖案化，因而僅有微組件120下方設置有離型層114。在其他實施方式中，離型層114可以為未經圖案化的整層結構。
具體而言，微組件120以陣列方式排列設置於承載基板110上，相鄰之微組件120之間具有間距P，其中間距P之大小為微組件120之邊緣與相鄰的微組件120之相對應邊緣的距離，或者，間距P之大小為相鄰之微組件120之中心的距離。
具體而言，微組件120包含第一電極(或稱導體層)121、第一半導體層122、活性層123以及第二半導體層 124。第一半導體層122設置於第一電極121上。第二半導體層124設置於第一半導體層122上。活性層123設置於第一半導體層122與第二半導體層124之間。
微組件120更可包含輔助電極(或稱導體層)126。輔助電極126設置於第二半導體層124上且可為透明金屬氧化物材料例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁銦(AIO)、氧化銦(InO)與氧化鎵(Gallium Oxide，GaO)之其中至少一者，或其它透明導電材料例如奈米碳管、奈米銀顆粒、厚度小於60奈米(nm)的金屬或合金、有機透明導電材料。
第3A圖繪示本發明一實施方式之微組件的上視圖。第3B圖繪示本發明另一實施方式之微組件的上視圖。第3C圖繪示本發明又一實施方式之微組件的上視圖。如第3A圖、第3B圖以及第3C圖所繪示，輔助電極126可以為整面或局部的形式，局部的形式如第3A圖、第3B圖以及第3C圖的形狀可為矩型、環狀線型以及多個橢圓形。然而當吸引力為靜電力或接觸力時，微組件120可以不需要輔助電極126，此實施方式將於後面說明。應了解到，以上所舉之輔置電極126的具體實施方式僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇輔助電極126的具體實施方式。
如第2B圖所繪示，形成固定層130於承載基板110上，固定層130至少接觸微組件120之底部。具體而言，固定層130的厚度大於微組件120的高度，因此固定層130 覆蓋微組件120。
具體而言，固定層130為形成於本體112上，但並不限於此。在其他實施方式中，離型層114可以為未經圖案化的整層結構，固定層130形成於離型層114上。
固定層130為光阻材料或感光材料，光阻材料包括正型正型光阻材料(Positive Photoresist)或負型光阻材料(Negative Photoresist)利用其材料的感光特性圖案化固定層130。舉例而言，固定層130主要成分包括酚甲醛、酚醛樹脂或聚亞醯胺。應了解到，以上所舉之固定層130的材質僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇固定層130的材質。
固定層130之厚度為3微米~20微米。應了解到，以上所舉之固定層130之厚度僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇固定層130之厚度。
如第2C圖所繪示，圖案化固定層130，是藉用曝光顯影的方式選擇性地裸露部分的微組件120。具體而言，圖案化固定層130的步驟依序包含以下步驟。首先，軟烤固定層130，其中軟烤的溫度為約攝氏80度至100度。接著，曝光固定層130。然後，顯影固定層130，並因此選擇性地裸露部分的微組件120。另外，在顯影固定層130後，可以硬烤固定層130，使固定層130硬化，其中硬烤的溫度為約攝氏100度至120度。
如第2D圖所繪示，提供轉置裝置200，並對應 位於承載基板110上。具體而言，設置轉置裝置200於固定層130上。然後，如第2E圖所繪示，經由轉置裝置200，提取裸露的微組件120。
具體而言，轉置裝置200提供提取面202，轉置裝置200藉由提取面202與裸露的微組件120接觸，讓轉置裝置200進行選擇性提取裸露的微組件120(因為僅有部份之微組件120為裸露，因此轉置裝置200為選擇性提取微組件120)。應了解到，以上所舉之轉置裝置200的具體實施方式僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇轉置裝置200的具體實施方式。
在本實施方式中，轉置裝置200藉由超距力提取裸露的微組件120，其中超距力可為磁力或靜電力，但並不限於此。在其他實施方式中，轉置裝置200可以藉由接觸力提取裸露微組件120。當超距力為靜電力時，轉置裝置200之提取面202可具有金屬層，轉置裝置200提供外電路電連接於金屬層，於是金屬層產生靜電力藉以提取裸露微組件120，並且微組件120可以不需要輔助電極126。當超距力為磁力時，轉置裝置200之提取面202可具有導電磁化層，轉置裝置200提供外電路電連接於導電磁化層，於是導電磁化層產生磁力藉以提取裸露微組件120。具體而言，導電磁化層產生磁力以吸引裸露微組件120的輔助電極126。本發明並不限於此，在其他實施方式中，轉置裝置200之提取面202可具有軟磁鐵層，軟磁鐵層產生磁力藉以提取裸露微組 件120(磁力吸引輔助電極126)。另外，需要注意的是，轉置裝置200的提取面202為一平面結構。因此可以節省轉置裝置的設備成本，避免產品尺寸變化時，轉置裝置200會隨著尺寸不同而需要更換，此外此全平面的轉置裝置更可以省去對位的問題，一但對位不準，微組件120可能會損壞或是產生電路不導通等問題。
另外，在經由轉置裝置200提取裸露的微組件120前，給予離型層114外加能量，因而使離型層114的黏度小於外加能量前。於是，離型層114失去固定微組件120於本體112的能力，轉置裝置200將可以提取裸露之微組件120並使微組件120脫離本體112。
離型層114之材質可為有機聚合物、金屬、合金、或減黏膠帶。給予離型層114外加能量的方式依照離型層114的性質不同可為照射紫外光、照射雷射或加熱。舉例來說，離型層114之材質為錫，在轉置裝置200提取裸露之微組件120之前，對離型層114加熱因而使離型層114熔化，於是微組件120得以脫離本體112(部份之離型層114可能會在微組件120脫離本體112的同時脫離本體112)。應了解到，以上所舉之離型層114之材質與給予離型層114能量的方式僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇離型層114之材質與給予離型層114能量的方式。
本體112的材質可為塑膠、矽基材或高分子材料。應了解到，以上所舉之本體112的材質僅為例示，並非 用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇本體112的材質。
由於離型層114不再固定微組件120於本體112，所以裸露之微組件120可被轉置裝置200提取，而關於被固定層130覆蓋的微組件120，因為被固定層130固定於本體112上，因此將不會被轉置裝置200提取。
如第2F圖所繪示，提供接收基板400，並藉由轉置裝置200，將微組件120轉移提取至接收基板400上。具體而言，接收基板400包含陣列基板402與連接層404。陣列基板402包括複數個薄膜電晶體(圖未示)，用以驅動微組件120。連接層404設置於陣列基板402上，微組件120為轉置於連接層404上。
連結層404的材料包括熔融態的金屬、導電膠或黏著膠。舉例來說，當連結層404的材料為熔融態的金屬，將給予連接層404能量，於是連接層404得以固定微組件120於陣列基板402上。熔融態的金屬可為例如銦(In)、鉍(Bi)、錫(Sn)、銀(Ag)、金、銅、鎵(Ga)與銻(Sb)之其中至少一者，但不以此為限。在微組件120轉置於接收基板400之後，對於連接層404加熱因而使連接層404熔化，於是連接層404得以固定微組件120於陣列基板402上。給予連接層404能量的方式可為照射紫外光、照射雷射或加熱焊接等方式。黏著膠可為任何具有黏性的薄膜層例如封裝膠、矽膠或光阻材。
如第2G圖所繪示，移除轉置裝置200。將轉置 裝置200之超距力移除，使得微組件120置於接收基板400上。
具體而言，陣列基板402包含畫素電路406與絕緣層408。絕緣層408為設置於畫素電路406上。連接層404電連接畫素電路406。絕緣層408更可具有凸起部410，於是凸起部410與連接層404形成容置空間490，容置空間490容置轉置於連接層404上的微組件120。另外，凸起部410的高度與轉置於連接層404上的微組件120的高度大致相同。
如第2A圖與第2G圖所繪示，設置於接收基板400上的微組件120具有間距P’，設置於承載基板110上之微組件120的間距P與設置於接收基板400上之微組件120的間距P’不同。具體而言，如第2E圖所繪示，設置於接收基板400上之微組件120的間距P’應為承載基板110上之微組件120的間距P的整數倍，整數大於二。
因為形成並圖案化固定層130的製程均為常規製程，因此在使用此方法時，將可減少添購新的操作設備，因而減少製造成本。同時因為製程為常規製程，亦可以增加製程良率。
另外，如第2D圖所繪示，由於固定層130的厚度大於微組件120的高度，所以可以避免轉置裝置200直接撞擊微組件120而使微組件120受損的情況，因而得以增加製程良率。
再者，由於轉置裝置200僅能提取裸露之微組 件120，因此不用擔心轉置裝置200與微組件120之間的對位問題，而微組件120的裸露選擇為由固定層130的圖案化決定，固定層130的圖案化具有相當高的精度，因此不易產生誤差。
至於被固定層130覆蓋的微組件120，因為這些微組件120為被固定層130包覆，所以不受外在的微塵粒子污染，方便在後續的製程中使用，並提升相關製程良率。
第4圖繪示依照本發明另一實施方式之微組件120的傳送方法其中一步驟的剖面圖。本實施方式與前述實施方式大致相同，主要差異在於，本實施方式的轉置裝置300藉由接觸力提取裸露微組件120。具體而言，如第4圖所繪示，轉置裝置300之提取面301具有彈性黏著層302，轉置裝置300以彈性黏著層302黏著提取裸露之微組件120。由於固定層130的厚度大於微組件120的高度，所以在轉置裝置300設置於固定層130上時，部份之彈性黏著層302將凸出於固定層130，因而得以接觸裸露之微組件120，進而黏著微組件120。因為此時固定層130為固定於本體112上(固定層130為設置於本體112上)，所以在轉置裝置300黏著提取裸露之微組件120時固定層130將不會被提取。
第5圖繪示依照本發明又一實施方式之微組件120的傳送方法其中一步驟的剖面圖。本實施方式與第2A圖至第2G圖中的實施方式大致相同，主要差異在於，本實施方式的固定層130僅覆蓋微組件120之底部。換句話說，如第5圖所繪示，固定層130的厚度小於微組件120的高度。雖然在此實 施方式中所有的微組件120的頂部皆裸露於固定層130，然而被固定層130所部份覆蓋的微組件120，因為被固定層130固定於本體112上(固定層130為設置於本體112上)，因此將不會被轉置裝置200提取。
本發明還包括一種顯示面板的製作方法，如第1圖所示，提供第一承載基板110r，並形成複數個第一微型發光二極體120r於第一承載基板110r上。如第2A圖~第2E圖所示，形成並圖案化固定層130於第一承載基板110r上，因而選擇性地裸露部分第一微型發光二極體120r，經由第一轉置裝置200提取裸露的第一微型發光二極體120r至接收基板400上，並固定裸露的第一微型發光二極體120r於接收基板400上。提供第二承載基板110g，並形成複數個第二微型發光二極體120g於第二承載基板110g上。如第2A圖~第2E圖所示，形成並圖案化固定層130於第二承載基板110g上，因而選擇性地裸露部分第二微型發光二極體120g，經由第二轉置裝置200’提取裸露的第二微型發光二極體110g，並移轉提取與固定裸露的第二微型發光二極體120g至接收基板400。以及，如第6圖所示，形成上電極140於設置於接收基板400上之第一微型發光二極體120r與第二微型發光二極體120b上，其中第一微型發光二極體120r與第二微型發光二極體120b係發出不同的顏色光。於一變化實施例中，第一轉置裝置200與第二轉置裝置200’可為同一個轉置裝置，本領域的人員可依照需求使用不同數量的轉置裝置與承載基板，轉置裝置與承載基板數量並非用以限制本發明。
第6圖繪示依照本發明一實施方式之顯示面板900的剖面圖。如第6圖所繪示，顯示面板900包含接收基板400、微組件120r(即紅色微型發光二極體)、微組件120g(即綠色微型發光二極體)、微組件120b(即藍色微型發光二極體)以及上電極140。微組件120r、微組件120g以及微組件120b設置於接收基板400上。上電極140設置於微組件120r、微組件120g以及微組件120b上，且分別電連接微組件120r、120g、120b。
具體而言，接收基板400包含陣列基板402與連接層404。連接層404設置於陣列基板402上，微組件120r、120g、120b設置於於不同連接層404上(各連接層404之間沒有電連接)。更具體地說，陣列基板402包含畫素電路406與絕緣層408。絕緣層408為設置於畫素電路406上。連接層404電連接畫素電路406。絕緣層408更可具有凸起部410，於是凸起部410與連接層404形成容置空間490，容置空間490容置設置於連接層404上的微組件120r、120g、120b。另外，凸起部410的高度與設置於連接層404的微組件120的高度大致相同，且上電極140更設置於凸起部410上。
具體而言，上電極140的材料可包括透明金屬氧化物材料例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁銦(AIO)、氧化銦(InO)與氧化鎵(Gallium Oxide，GaO)之其中至少一者，或其它透明導電材料例如奈米碳管、奈米銀顆粒、厚度小於60奈米(nm)的 金屬或合金、有機透明導電材料。應了解到，以上所舉之上電極140之材質僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇上電極140之材質。
具體而言，在形成顯示面板時，會需要將三種不同顏色(紅色、綠色以及藍色)的微型發光二極體分別設置於接收基板上，以下分別介紹兩種不同的顯示面板的形成方法。
第7圖繪示依照本發明一實施方式之顯示面板的形成方法的流程示意圖。如第7圖所繪示，步驟502為提供第一承載基板，並形成複數個紅色微型發光二極體於第一承載基板上。步驟502可以對應於第2A圖。
步驟504為形成並圖案化固定層於第一承載基板上，因而選擇性地裸露部分的紅色微型發光二極體。步驟504可以對應於第2B圖與第2C圖。
具體而言，首先塗布固定層於第一承載基板上，固定層至少接觸紅色微型發光二極體之底部。接著，軟烤固定層(實質溫度約80~100度)。然後，曝光與顯影固定層，因而選擇性地裸露部分的紅色微型發光二極體。最後，硬烤固定層(實質溫度約100~120度)，使固定層硬化。步驟504照明環境需要在黃光製程下進行，避免固定層受到照明的干擾。由於此實施例中，固定層使用硬烤的方式，為一次性消耗使用。待步驟508移除第一承載基板上的固定層後，必須進行重覆地進行步驟504形成並圖案化固定層於第一承載基板上。待步驟506紅色微型發光二極體轉置完成後才進行步驟512。同樣地 形成綠色微型發光二極體，重覆步驟514與步驟518，才進行步驟522。類似地形成藍色微型發光二極體，重覆步驟524與步驟528，才進行步驟532。
步驟506為經由轉置裝置提取裸露的紅色微型發光二極體，並移轉提取與固定裸露的紅色微型發光二極體至接收基板上。步驟506可以對應於第2D圖、第2E圖、第2F圖以及第2G圖。
步驟508為移除第一承載基板上的固定層。未被轉置裝置移轉提取的紅色微型發光二極體此時仍會設置於第一承載基板上。
步驟512為提供第二承載基板，並形成複數個綠色微型發光二極體於第二承載基板上。步驟512可以對應於第2A圖。
步驟514為形成並圖案化固定層於第二承載基板上，因而選擇性地裸露部分的綠色微型發光二極體。步驟514可以對應於第2B圖與第2C圖。
具體而言，形成固定層於第二承載基板上，固定層至少接觸綠色微型發光二極體之底部。接著，軟烤固定層。然後，曝光與顯影固定層，因而選擇性地裸露部分的綠色微型發光二極體。最後，硬烤固定層，使固定層硬化。步驟514照明環境需要在黃光製程下進行。
步驟516為經由轉置裝置提取裸露的綠色微型發光二極體，並移轉提取與固定裸露的綠色微型發光二極體至接收基板上。步驟516可以對應於第2D圖、第2E圖、第2F圖以 及第2G圖。
由於在移轉提取綠色微型發光二極體時，固定層已經硬化，因此步驟516不需要在照明環境為黃光製程的條件下進行。
步驟518為移除第二承載基板上的固定層。未被轉置裝置移轉提取的綠色微型發光二極體此時仍會設置於第二承載基板上。
步驟522為提供第三承載基板，並形成複數個藍色微型發光二極體為設置於第三承載基板上。步驟522可以對應於第2A圖。
步驟524為形成並圖案化固定層於第三承載基板上，因而選擇性地裸露部分的藍色微型發光二極體。步驟524可以對應於第2B圖與第2C圖。
具體而言，形成固定層於第三承載基板上，固定層至少接觸藍色微型發光二極體之底部。接著，軟烤固定層。然後，曝光與顯影固定層，因而選擇性地裸露部分的藍色微型發光二極體。最後，硬烤固定層，使固定層硬化。此處需要注意的是，步驟524照明環境需要在黃光製程條件下進行。
步驟526為經由轉置裝置提取裸露的藍色微型發光二極體，並移轉提取與固定裸露的藍色微型發光二極體至接收基板上。步驟526可以對應於第2D圖、第2E圖、第2F圖以及第2G圖。
步驟528為移除第三承載基板上的固定層。未被 轉置裝置移轉提取的藍色微型發光二極體此時仍會設置於第三承載基板上。
步驟532為形成上電極於設置於接收基板上之紅色微型發光二極體、綠色微型發光二極體以及藍色微型發光二極體與絕緣層的凸起部上，因而形成顯示面板(見第6圖)。
第8圖繪示依照本發明另一實施方式之顯示面板的形成方法的流程示意圖。如第8圖所繪示，步驟702為提供第一承載基板，並形成複數個紅色微型發光二極體於第一承載基板上。步驟702可以對應於第2A圖。
步驟704為形成並圖案化固定層於第一承載基板上，因而選擇性地裸露部分的紅色微型發光二極體。步驟704可以對應於第2B圖與第2C圖。
具體而言，首先形成固定層於第一承載基板上，固定層至少接觸紅色微型發光二極體之底部。接著，軟烤固定層。然後，曝光與顯影固定層，因而選擇性地裸露部分的紅色微型發光二極體。步驟704照明環境需要在黃光製程條件下進行。
步驟706為經由轉置裝置提取裸露的紅色微型發光二極體，並移轉提取與固定裸露的紅色微型發光二極體至接收基板上。步驟706可以對應於第2D圖、第2E圖、第2F圖以及第2G圖。
由於在移轉提取紅色微型發光二極體時，固定層沒有硬化，因此步驟706照明環境需要在黃光製程條件下進行，使避免固定層受到照明的干擾。另外，未被轉置裝置移轉 提取的紅色微型發光二極體此時仍會設置於第一承載基板上。步驟710將第一承載基板上的固定層重覆的進行曝光顯影，相較於第7圖的實施方式，因固定層不需移除可重覆利用，因此可降低生產的成本與減少製程中的站點較為省時。另外，在後續之移轉提取綠色微型發光二極體與藍色微型發光二極體時亦可以進行類似於步驟710的步驟。
步驟712為提供第二承載基板，並形成複數個綠色微型發光二極體於第二承載基板上。步驟712可以對應於第2A圖。
步驟714為形成並圖案化固定層於第二承載基板上，因而選擇性地裸露部分的綠色微型發光二極體。步驟714可以對應於第2B圖與第2C圖。
具體而言，首先形成固定層於第二承載基板上，固定層至少接觸綠色微型發光二極體之底部。接著，軟烤固定層。然後，曝光與顯影固定層，因而選擇性地裸露部分的綠色微型發光二極體。
步驟716為經由轉置裝置提取裸露的綠色微型發光二極體，並移轉提取與固定裸露的綠色微型發光二極體至接收基板上。步驟716可以對應於第2D圖、第2E圖、第2F圖以及第2G圖。
由於在移轉提取綠色微型發光二極體時，固定層沒有硬化，因此步驟716照明環境需要在黃光製程條件下進行。另外，未被轉置裝置移轉提取的綠色微型發光二極體此時仍會設置於第二承載基板上。
步驟722為提供第三承載基板，並形成複數個藍色微型發光二極體為設置於第三承載基板上。步驟722可以對應於第2A圖。
步驟724為形成並圖案化固定層於第三承載基板上，因而選擇性地裸露部分的藍色微型發光二極體。步驟724可以對應於第2B圖與第2C圖。
具體而言，首先形成固定層於第三承載基板上，固定層至少接觸藍色微型發光二極體之底部。接著，軟烤固定層。然後，曝光與顯影固定層，因而選擇性地裸露部分的藍色微型發光二極體。步驟724照明環境需要在黃光製程條件下進行。
步驟726為經由轉置裝置提取裸露的藍色微型發光二極體，並移轉提取與固定裸露的藍色微型發光二極體至接收基板上。步驟726可以對應於第2D圖、第2E圖、第2F圖以及第2G圖。
由於在移轉提取藍色微型發光二極體時，固定層沒有硬化，因此步驟726照明環境需要在黃光製程條件下進行。另外，未被轉置裝置移轉提取的藍色微型發光二極體此時仍會設置於第三承載基板上。
步驟732為形成上電極於設置於接收基板上之紅色微型發光二極體、綠色微型發光二極體以及藍色微型發光二極體與絕緣層的凸起部上，因而形成顯示面板(見第6圖)。
如第7圖與第8圖所繪示，在這兩個形成顯示面板的流程中，主要差異在於，步驟504、514、524有硬烤固定層 而使固定層硬化，步驟704、714、724沒有硬烤固定層而使固定層硬化。於是，步驟506、516、526照明環境可以不需在黃光製程條件下進行，但並非用以限制本發明。而步驟704、714、724照明環境需要在黃光製程條件下進行。另外，第6圖的形成方法在移轉一次提取微型發光二極體後，便會將承載基板上的固定層移除(步驟508、518、528)，第8圖的形成方法在移轉提取微型發光二極體後固定層可重覆利用達到減省成本與時間。
應了解到，以上所舉之顯示面板的形成方法僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，可自由組合轉置紅色微型發光二極體、綠色微型發光二極體以及藍色微型發光二極體的先後次序。
如第2E圖所繪示，在轉置裝置200提取裸露之微組件120後，剩下未被提取的微組件120亦可以在後續製程中被提取轉置於另一接收基板。轉置此次未被提取的微組件120的製程可以藉由進一步再次圖案化固定層130而裸露出其他至少部份之微組件120，之後再以類似前述製程的方式轉置微組件120至另一接收基板；或者可以藉由先移除固定層130，再形成並圖案化新的固定層而裸露出其他至少部份之微組件120，之後再以類似前述製程的方式轉置微組件120至另一接收基板。轉置微組件120至另一接收基板的動作可以重複進行，即在轉置裝置200提取裸露之微組件120後，剩下未被提取的微組件120可以重複進行多次前述 之圖案化固定層130與移轉提取裸露的微組件120至複數個其他接收基板；或者剩下未被提取的微組件120可以重複進行多次前述之移除固定層、形成並圖案化新的固定層與移轉提取裸露的微組件至複數個其他接收基板。
前述之製程若以第7圖來討論，即在進行步驟532後，再次依序進行步驟504、506、508、514、516、518、524、526、528、532，並因而形成另一顯示面板。
前述之製程若以第8圖來討論，即在進行步驟732後，再次依序進行步驟704、706、714、716、724、726、732，並因而形成另一顯示面板。因為在第一承載基板、第二承載基板以及第三承載基板上的固定層沒有被移除，所以在執行步驟704、714、724時，沒有再另外形成新的固定層於第一承載基板、第二承載基板以及第三承載基板上。換句話說，第一承載基板、第二承載基板以及第三承載基板上的固定層在形成不同顯示面板時為重複使用。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
110‧‧‧承載基板
112‧‧‧本體
114‧‧‧連接層
120‧‧‧微組件
130‧‧‧固定層
200‧‧‧轉置裝置
202‧‧‧提取面

Claims (15)

  1. 一種微組件的傳送方法，包含：提供一承載基板，並形成複數個微組件於該承載基板上；形成一固定層於該承載基板上，該固定層至少接觸該些微組件之底部；圖案化該固定層，選擇性地裸露部分的該些微組件；提供一轉置裝置，並對應位於該承載基板上，且經由該轉置裝置提取裸露的該些微組件；以及提供一接收基板，並移轉提取裸露的該些微組件至該接收基板上。
  2. 如請求項1所述之微組件的傳送方法，其中形成該固定層為一種光感應有機材。
  3. 如請求項1所述之微組件的傳送方法，其中經由該轉置裝置提取裸露的該些微組件，更包括該轉置裝置提供一提取面，且該提取面與裸露的該些微組件接觸，讓該轉置裝置進行提取。
  4. 如請求項3所述之微組件的傳送方法，其中該轉置裝置藉由一超距力提取裸露的該些微組件。
  5. 如請求項4所述之微組件的傳送方法，其中該轉置裝置之該提取面具有一金屬層，提供一外電路於該金屬層產生靜電力藉以提取裸露的該些微組件。
  6. 如請求項4所述之微組件的傳送方法，其中該轉置裝置之該提取面具有一導電磁化層，提供一外電路於該導電磁化層層產生磁力藉以提取裸露的該些微組件。
  7. 如請求項3所述之微組件的傳送方法，其中該轉置裝置之該提取面具有一彈性黏著層，該轉置裝置以該彈性黏著層提取裸露的該些微組件。
  8. 如請求項1所述之微組件的傳送方法，其中該些微組件於該承載基板上時，位於該承載基板上的該些微組件間更形成一第一間距；該轉置裝置提取裸露的該些微組件至該接收基板上時，位於該接收基板上的該些微組件間更形成一第二間距，且該第二間距為該第一間距的整數倍。
  9. 如請求項1所述之微組件的傳送方法，更包括：再次圖案化該固定層，選擇性地裸露其他部分的該些微組件；經由該轉置裝置提取裸露的其他部分該些微組件；移轉提取裸露的其他部份該些微組件至另一接收基板上；以及重複進行多次前述之圖案化該固定層與移轉提取裸露的該些微組件至複數個其他接收基板。
  10. 如請求項1所述之微組件的傳送方法，其中該承載基板更包含一離型層與一本體，其中該離型層暫時性地將該些微組件固定於該本體上。
  11. 如請求項10所述之微組件的傳送方法，該離型層材料為一種有機聚合物、金屬、合金、或減黏膠帶。
  12. 如請求項10所述之微組件的傳送方法，其中在經由該轉置裝置提取裸露的該些微組件前，藉由照射紫外光、照射雷射或加熱使該離型層脫離該本體。
  13. 如請求項1所述之微組件的傳送方法，其中該接收基板包含一連接層與一陣列基板，在移轉提取裸露的該些微組件後，該連接層固定移轉的該些微組件於該陣列基板上。
  14. 如請求項13所述之微組件的傳送方法，該連結層的材料包括熔融態的金屬、導電膠或黏著膠。
  15. 一種顯示面板的製作方法，包含：提供一第一承載基板，並形成複數個第一微型發光二極體於該第一承載基板上； 形成並圖案化一固定層於該第一承載基板上，因而選擇性地裸露部分該些第一微型發光二極體；經由一第一轉置裝置提取裸露的該些第一微型發光二極體至一接收基板上，並固定裸露的該些第一微型發光二極體於該接收基板上；提供一第二承載基板，並形成複數個第二微型發光二極體於該第二承載基板上；形成並圖案化一固定層於該第二承載基板上，因而選擇性地裸露部分該些第二微型發光二極體；經由一第二轉置裝置提取裸露的該些第二微型發光二極體，並移轉提取與固定裸露的該些第二微型發光二極體至該接收基板上；以及形成一上電極於設置於該接收基板上之該些第一微型發光二極體與該些第二微型發光二極體上，其中該第一微型發光二極體與該第二微型發光二極體係為不同的顏色。
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