TWI552300B - 半導體封裝件及用於一半導體封裝件之製造方法及光學模組 - Google Patents
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Description
本所揭示的技術係關於一種半導體封裝件，諸如，一WCSP(晶圓級晶片尺寸封裝)及使用一半導體封裝件之一WLCM(晶圓級相機模組)。
隨著最近幾年整合技術之增強，已迅速發展電子設備之尺寸及重量之減小，操作電壓之減小及電力消耗之減小及操作頻率之增加。因此，對於區域陣列型封裝件(諸如，一BGA(球狀柵格陣列)、一LGA(平台柵格陣列)及一CSP(一晶片尺寸封裝件))之需求日益增加。最近，諸如使用一貫通電極(through-electrode)之一WCSP之一先進技術亦開始普及。
一WCSP為藉由在切割前的一晶圓階段實施密封樹脂或外部終端之一形成處理步驟而形成之一半導體封裝件。以如剛描述之此一WCSP，當在一印刷板(諸如，一母板)上安裝一晶片時，該晶片上的墊及該印刷板上的墊可透過焊球接合(joining)在一起。此消除至一結合線(bonding wire)或一***器之連接之需要。該WCSP適當地用作為(例如)用於一光接收元件或一MEMS(微機電系統：微機械)元件之一電子部件封裝件。
然而，需要此一半導體封裝件作為上文所描述之WCSP以確保一印刷板之EMC(電磁適應性：電磁不干擾性)，且已採取各種對策。例如，一方法係揭示於日本專利特許公開案第2009-158853號(在下文稱為專利文獻1)中，其中由一金屬片或類似物形成之一電磁屏蔽係設置於使用一貫通電極之一半導體封裝件之一外周邊上。
然而，如專利文獻1中所揭示之此一方法包含加工一金屬片之一程序，例如，回應於一晶片尺寸以形成一圍封體且將適當位置中的一晶片安裝至該圍封體中或將該經加工之金屬片層壓至該晶片之一外周邊。因此，該方法具有處理步驟之數量或成本增加之一問題。
因此，期望提供可維持的一印刷板之良好的EMC且可藉由一簡單且容易的程序以一低成本製造之一半導體封裝件、用於製造該半導體封裝件之一製造方法及併入該半導體封裝件之一光學模組。
根據所揭示技術之一實施例，提供一種半導體封裝件，其包含一支撐基板；一功能元件及一第一接合元件，其形成於該支撐基板之一第一主要表面上；一密封基板，其經設置以與具有插置於其中之該功能元件及該第一接合元件之該支撐基板呈一對置關係；一第二接合元件，其設置於該支撐基板之一第二主要表面上；一貫通電極，其設置於該支撐基板中且延伸穿過該支撐基板且經調適以電連接該第一接合元件及該第二接合元件；及一第一電磁屏蔽膜，其塗敷於垂直延伸至該第一主要表面及該第二主要表面之該支撐基板之一側面之一整體區域中。
根據所揭示技術之另一實施例，提供一種用於一半導體封裝件之製造方法，其包含：將一密封基板層壓至具有其上設置有一功能元件及一第一接合元件之一第一主要表面之一支撐基板，在對應於該第一接合元件之該支撐基板之一區域中形成一貫通電極，在該支撐基板之一第二主要表面側上形成電連接至該貫通電極之一第二接合元件，及將一導電材料散佈至垂直延伸至該第一主要表面及該第二主要表面之該第一支撐基板之一側面之一整體區域以形成一第一電磁屏蔽膜。
根據所揭示技術之一進一步實施例，提供一種光學模組，其包含一支撐基板；一光接收元件及一第一接合元件，其等形成於該支撐基板之一第一主要表面上；一密封基板，其經設置以與具有插置於其間之該光接收元件及該第一接合元件之該支撐基板呈一對置關係；一第二接合元件，其設置於該支撐基板之一第二主要表面上；一貫通電極，其設置於該支撐基板中且延伸穿過該支撐基板且經調適以電連接該第一接合元件及該第二接合元件；一透鏡單元，其設置於該密封基板上；及一第一電磁屏蔽膜，其塗敷於垂直延伸至該第一主要表面及該第二主要表面之該支撐基板之一側面之一整體區域中。
在所揭示技術之半導體封裝件、用於一半導體封裝件之製造方法及光學模組中，形成於該支撐基板之兩個不同主要表面上的第一接合元件及第二接合元件係透過貫通電極相互電連接。此外，外部連接終端自該支撐基板之第一主要表面側導出至該支撐基板之第二主要表面側。一導電材料係散佈至如上文所描述之此一半導體封裝件或光學模組之側面之整體區域以形成第一電磁屏蔽膜。該第一電磁屏蔽膜抑制半導體封裝件或光學模組與(例如)其上安裝有半導體封裝件或光學模組之一印刷板之間的其他可能發生之電磁干擾。
藉由該半導體封裝件、用於一半導體封裝件及光學模組之製造方法，形成於該支撐基板之不同主要表面上的第一接合元件及第二接合元件係透過貫通電極相互電連接，且第一電磁屏蔽膜係藉由將導電材料散佈至該半導體封裝件或光學模組之側面之整體區域而形成。由於該第一電磁屏蔽膜係藉由以此方式散佈而形成，故相較於加工一金屬片或類似物以形成一電磁屏蔽之一替代情況之方式，可減少步驟數量且可減少成本。因此，一印刷板之半導體封裝件或光學模組之良好的EMC可通過一簡單且容易程序而維持在一低成本。
結合圖式，從以下描述及隨附申請專利範圍，該所揭示技術之以上及其他特徵及優點將變得顯而易見，其中相同部件或元件藉由相同參考符號表示。
在下文中，參考附圖詳細描述所揭示技術之一較佳實施例。應注意，描述按照以下順序給定。
圖1展示一相機模組1之一橫截面組態，該相機模組為根據所揭示技術之一實施例之一光學模組。參考圖1，該相機模組1與一光學設備(舉例而言，諸如一影像感測器設備)一起使用且包含併入於為一半導體封裝件之一晶圓級封裝件10中的一透鏡單元20。該相機模組1係安裝於一印刷板(諸如，一母板)的一下部面側(即，該晶圓級封裝件10側)上，且自其之上部面側(即，自其之透鏡單元20側)接納光以接收光。
該晶圓級封裝件10為一WCSP(晶圓級晶片尺寸封裝件)，其中(例如)一光接收元件15密封於一支撐基板14與充當一密封基板之一玻璃基板11之間。該支撐基板14及該玻璃基板11係透過一黏著層12相互層壓於其等之外圍邊緣部分。被該支撐基板14、玻璃基板11及黏著層12圍繞之一區域形成用於將該光接收元件15密封為不透氣的一腔室12a。
該支撐基板14為用於支撐該光接收元件15等等之一基板且包含形成於(例如)一矽基板140a上的一SiO2層140b。該支撐基板14具有一正面(即，一第一主要表面)及一背面(即，一第二主要表面)，其等係以下列方式構造。
在該支撐基板14之正面或第一主要表面上，該光接收元件15係經設置以與該腔室12a及複數個電極墊13呈一對置關係，該等電極墊為第一接合元件，其等經設置以與該黏著層12呈一對置關係。圖2A繪示該支撐基板14之正面之一平面組態之一實例。參考圖2A，在所示之實例中，該光接收元件15係設置於在具有一矩形形狀之該支撐基板14之正面之中央附件的一位置處，且該等電極墊13係設置於該支撐基板14之一周邊(即，沿著該支撐基板14之外圍邊緣)。應注意，周邊電路(未展示)係形成於該光接收元件15與該等電極墊13之間的一區域中。
該等電極墊13係藉由配接線(未展示)連接至該光接收元件15及周邊電路且用於外部連接以將電信號輸入至該光接收元件15及周邊電路且提取自該光接收元件15及周邊電路輸出之電信號。該等電極墊13係由(例如)鋁(Al)形成。
該光接收元件15為一固態影像拾取元件，舉例而言，諸如，一CCD(電荷耦合裝置)元件或一CMOS(互補型金屬氧化物半導體)元件。在該光接收元件15之光接收面上設置一彩色濾光器(未展示)。在該光接收元件15中，曝露於光且讀出一接收光信號係回應於透過該等電極墊13輸入至其之一電信號而實施，且該所讀出之光接收信號係透過該等電極墊13輸出至外部。
在具有如上文所描述之此一組態之支撐基板14之背面側(即，第二主要表面側)上設置複數個焊球17，該等焊球為第二接合元件。此外，形成具有對應於該等焊球17之開口之一密封樹脂層18及一電磁阻光屏蔽膜或第二電磁屏蔽膜30a。圖2B繪示支撐基板14之背面之一平面組態之一實例。參考圖2B，在所繪示之實例中，複數個焊球17係在該支撐基板14之正方形形狀之背面上以一預定節距P有規律地排列。該等焊球17之陣列係回應於待安裝之印刷板(未展示)側上的連接墊之位置而適當設定。因此，該等電極墊13之陣列轉換成該等焊球17之陣列，且其等可直接安裝於一印刷板(諸如，一母板)上。應注意，儘管根據陣列之該等焊球17未形成於該支撐基板14之背面之中央之附近，然該等焊球17可另外設置於該支撐基板14之背面之中央之附近或亦可僅設置於該支撐基板14之背面之一周邊區域中。
該等焊球17用作用於係安裝於一印刷板上的外部連接終端且由無鉛高熔點焊料(舉例而言，諸如，Sn-Ag-Cu)形成。形成該等焊球17使得其等從該支撐基板14之背面側上的電磁阻光屏蔽膜30a突出且透過下文所描述之一重新配接線層16電連接至該等電極墊13。
密封樹脂層18係由(例如)一基於環氧、基於聚醯亞胺、基於矽或基於丙烯酸之樹脂材料或類似物製成且保護該重新配接線層16。該密封樹脂層18具有一開口，該開口具有大於該電磁阻光屏蔽膜30a之一直徑。
該電磁阻光屏蔽膜30a係由具有(例如)導電性(例如，電阻值低於104歐姆)及一阻光性質之一材料(舉例而言，諸如碳黑)形成。該電磁阻光屏蔽膜30a之開口之直徑係經設定小於該重新配接線層16之下文所描述之一焊接面(solder land)16c之直徑，且適當設定該電磁阻光屏蔽膜30a之厚度至一程度使得其不超過該等焊球17之厚度。應注意，儘管該電磁阻光屏蔽膜30a不僅具有導電性亦具有一阻光性質，然若該電磁阻光屏蔽膜30a至少具有導電性，則其可展現一功能作為一電磁屏蔽。
該支撐基板14具有設置於其對應於一電極墊13之一位置上且充當一第一穿孔之一通孔14a。該通孔14a自該支撐基板14之正面延伸穿過該支撐基板14至該支撐基板14之背面使得該電極墊13部分曝露於背面側。為一配接線層之重新配接線層16之一部分係形成於該通孔14a之內部使得其覆蓋曝露的電極墊13之表面。此外，該重新配接線層16延伸或自該通孔14a之內部導出至該支撐基板14之正面上的一焊球17之一形成區域。該通孔14a及該重新配接線層16對應於所揭示技術中的貫通電極之一特定實例。應注意，在該支撐基板14之背面與該重新配接線層16之間形成圖1中未展示且下文所描述之一絕緣膜141及一晶種層142。
該重新配接線層16係由一金屬材料(舉例而言，諸如銅(Cu)、鋁、鎢(W)、鈦(Ti)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鉬(Mo)或TiW)形成。儘管在下文中描述細節，然該重新配接線層16包含覆蓋該通孔14a之內部之一墊連接部分16a、充當焊球17之一形成區域之一焊接面16c及互連該墊連接部分16a及該焊接面16c之一引導配接線部分16b。
透鏡單元20係以置於其間之一黏著層21層壓至具有如上文所描述之此一結構之該晶圓級封裝件10之玻璃基板11。一阻光膜20a係以一預定圖案形成於該透鏡單元20之上部面上。
該透鏡單元20包含一通用型的一定焦透鏡或一變焦透鏡且具有將一入射光束聚集至該光接收元件15之一功能。該阻光膜20a僅容許來自一所需方向之一光束選擇性地引入至該透鏡單元20及該光接收元件15且係由(例如)鉻組態。
一電磁阻光屏蔽膜30b(其為一第一電磁屏蔽膜)係塗敷於具有如上文所描述之此一組態之相機模組1之一側面之一整體區域上(即，塗敷於垂直於該支撐基板14之正面及背面之一側面上)。該電磁阻光屏蔽膜30b係由類似於該電磁阻光屏蔽膜30a之具有(例如)導電性及一阻光性質之一材料組態且具有(例如)5微米(μm)至30微米之一厚度。此電磁阻光屏蔽膜30b係藉由將上文所提及之材料直接施加至如下文所描述之側面形成。該等電磁阻光屏蔽膜30a及30b較佳在該支撐基板14之背面側上相互連接，即，相互電連接。
如上文所描述之此一相機模組1可(例如)以如下文所描述之此一方式製造。圖3A至圖14B繪示該相機模組1之一製程。
首先，準備一支撐基板或晶圓14(其正面上形成有一光接收元件15、若干電極墊13及未展示之周邊電路用於各晶片)及一玻璃基板11。接著，如圖3A至圖3B所見，該支撐基板14及該玻璃基板11係透過一黏著層12互相層壓。因此，在除了該支撐基板14之正面上的光接收元件15之形成區域外的一區域(即，沿著一切割線DL之一區域)中形成該黏著層12以密封腔室12a中的該光接收元件15。
接著，如圖3C所見，該支撐基板14之背面(即，矽基板140a)係經刨平使得該矽基板140a變薄。應注意，在圖3B及圖3C中，出於簡單繪示，僅展示晶圓之部分之一截面組態。
接著，對於以如上文所描述之此一方式用該玻璃基板11密封之該支撐基板14，在晶圓級上(即，在藉由切割切除之前的階段中)以此順序實施通孔形成、絕緣膜及晶種層形成、重新配接線形成、密封樹脂層形成及焊球形成之步驟。繪示所提及之步驟之圖4A至圖10之截面圖僅展示對應於圖3C中的區域S之部分。此外，展示該支撐基板14使得其之背面側定向向上且其之正面側定向向下。
首先，如圖4A所見，在該支撐基板14之背面上形成一光阻膜110且接著藉由在對置於該等電極墊13之該光阻膜110之位置處圖案化形成開口。接著，如圖4B所見，例如，藉由RIE(反應離子蝕刻)選擇性移除僅對應於該等電極墊13之區域中的該支撐基板14之矽基板140a。隨後，如圖4C所見，該光阻膜110自該支撐基板14之背面脫落。因此，SiO2層140b曝露於該支撐基板14之背面側。
隨後，如圖4D所見，例如，藉由RIE將該曝露之SiO2層140b蝕刻至該等電極墊13之正面。因此，在對應於各電極墊13之一位置處形成自該支撐基板14之背面延伸至該支撐基板14之正面之一通孔14a。換言之，該電極墊13曝露於該支撐基板14之背面側。
接著，如圖5A所見，例如，藉由CVD(化學汽相沈積)在其中形成有通孔14a之該支撐基板14之背面之一整體區域上形成由(例如)SiO2製成之一絕緣膜141。隨後，如圖5B所見，例如，藉由光微影蝕刻選擇性移除該絕緣膜141之通孔14a之底部以便曝露該電極墊13之正面。
隨後，如圖5C所見，例如，藉由濺鍍以覆蓋該絕緣膜141及該等曝露的電極墊13之此一方式形成由(例如)銅製成之一晶種層142。
隨後，一重新配接線層16係經連續形成或透過該通孔14a自各電極墊13上的一位置伸展至該支撐基板14之背面側上的一預定區域(即，一焊球17之一形成區域)。特定言之，如圖6A所見，在如上文所描述之該晶種層142上形成一光阻膜111且實施圖案化以形成對應於該重新配接線層16之形成區域(即，圖6A至圖6C中未展示之墊連接部分16a、引導配接線部分16b及焊接面16c)之一開口。隨後，如圖6B所見，例如，藉由電鍍而在該晶種層142上的光阻膜111之開口部分處形成由上文所描述之任意材料製成之一重新配接線層16。
接著，如圖6C所見，該光阻膜111脫落，且接著，如圖6D所見，例如，藉由濕洗滌移除曝露於該支撐基板14之背面側之晶種層142。該重新配接線層16係以此方式形成於該支撐基板14之背面側上。
圖7A中示意性地展示其上形成有該重新配接線層16之該支撐基板14之背面側之一組態。應注意，出於簡單繪示，僅展示對應於經定位而相互鄰近之四個晶片之區域。同時，圖7B展示一重新配接線層16之一放大形式。以此方式，在重新配接線層形成步驟中，在對置於一通孔14a之一位置處(即，一電極墊13)特定形成一墊連接部分16a，及在對置於一焊球17之一位置處形成一焊接面16c。此外，形成用於相互連接該墊連接部分16a及該焊接面16c之一引導配接線部分16b。該焊接面16c係形成於回應於印刷板等等上的連接墊之陣列而設定之一位置處。該引導配接線部分16b使得該等焊球17可形成於不同於該等電極墊13之陣列之一陣列中。因此，用於外部連結之終端自該支撐基板14之正面側上的電極墊轉換成該支撐基板14之背面側上的焊球17，且使用該等焊球17直接安裝於一印刷板上變為可能。
此外，當形成對應於電極墊13及焊球17之數量之複數個此重新配接線層16時，形成該等重新配接線層16之一些使得其等在晶片之鄰近者之間互相連接。例如，在各晶片之一角隅部分處，形成不同的重新配接線層16藉以相互連接之一部分，即，一屏蔽連接部分16d。因此，當在下文所描述之一切割步驟中切除各晶片時，該屏蔽連接部分16d可曝露於該晶片之一側面，且因此，可建立該屏蔽連接部分16d與在一稍後步驟中形成於側面上的電磁阻光屏蔽膜30b之間的電連接。
接著，如圖8A及8B所見，一密封樹脂層18係經散佈且形成於該支撐基板14之背面之一整體區域上，且藉由光微影蝕刻，在對置於該焊接面16c之該重新配接線層16之一區域中形成一開口18a。該開口18a之直徑D2係經設定為(例如)小於下文所描述之電磁阻光屏蔽膜30a中的一開口30a1之直徑。
隨後，如圖9A及圖9B所見，在該密封樹脂層18之一整體區域上形成由上文所描述之任意材料製成之一電磁阻光屏蔽膜30a，且藉由光微影蝕刻，在對應於該焊接面16c及該密封樹脂層18之開口18a之電磁阻光屏蔽膜30a之一區域中形成一開口30a1。因此，該開口30a1之直徑D3係經設定為大於該密封樹脂層18之開口18a之直徑D2大約幾十微米，使得焊球17可不與其接觸。然而，該開口30a1之直徑D3係經較佳設定為小於該重新配接線層16之焊接面16c之直徑D1。此係因為，若該開口30a1之直徑D3大於該焊接面16c之直徑D1，則可發生自該焊球17之一周邊區域至印刷板側之光洩露。
接著，在該重新配接線層16之焊接面16c之若干區域中形成若干焊球17，該等區域係透過該密封樹脂層18之開口18a及該電磁阻光屏蔽膜30a之開口30a1而曝露。
接著，如圖11所見，在於晶圓級上的該支撐基板14上形成該等焊球17後，藉由切割沿著切割線DL切除晶片。因此，在重新配接線層形成步驟中形成用於該等晶片之鄰近者之間的連接之一屏蔽連接部分16d係曝露於各晶片之一側面。更特定言之，一屏蔽連接部分16d係曝露於各晶片之一角隅部分A。如圖12所見，以此方式形成晶圓級封裝件10。
隨後，如圖13所見，對於各晶片，即，對於各晶圓級封裝件10，一透鏡單元20係透過一黏著層21層壓至該玻璃基板11。出於描述方便，經該透鏡單元20所層壓至之一晶圓級封裝件10在下文稱為結合體。
最後，藉由使用(例如)一散佈設備噴射或散佈，在以如上文所描述之此一方式形成之結合體之側面之一整體區域上形成由上文所描述之材料(舉例而言，諸如，碳黑)製成之一電磁阻光屏蔽膜30b。因此，例如，如圖14A所見，該結合體係放置於一散佈設備中，其中用於噴射的四個噴嘴130係沿著互相垂直之不同方向設置。隨後，如圖14B所見，碳黑130a係自該等噴嘴130噴射至該結合體之整個四個側面。應注意，在圖14A及圖14B中，在左側的視圖展示如自上觀看之結合體及在右側的視圖展示如自側面觀看之結合體。因此，該結合體之整個側面係以由碳黑130a製成之一電磁阻光屏蔽膜30b塗敷。此處，曝露於側面之該等屏蔽連接部分16d係以該電磁阻光屏蔽膜30b覆蓋使得其等相互電連接。以此完成圖1中展示之該相機模組1。
為安裝以如上文所描述之此一方式生產之該相機模組1，該相機模組1及一印刷板係與定向向下之該晶圓級封裝件10連接在一起且與相對於彼此而定位之印刷板上的焊球17及連接墊連接在一起。接著，該等電磁阻光屏蔽膜30a及30b係連接至(例如)該印刷板之一接地終端使得該等電磁阻光屏蔽膜30a及30b可保持在接地電位上。
如上文所描述，在本實施例中，形成於該支撐基板14之正面側上的該等電極墊13及形成於該支撐基板14之背面側上的該等焊球17係透過通孔14a及該重新配接線層16互相電連接且外部連接終端係自該支撐基板14之正面側導出至該支撐基板14之背面側。換言之，該等外部連接終端係自電極墊13轉換成焊球17。此外，藉由在該相機模組1(即，該晶圓級封裝件10)之側面之整體區域上散佈形成電磁阻光屏蔽膜30b。藉由該電磁阻光屏蔽膜30b，可抑制與一經安裝之印刷板或與在一組中的一不同部分或類似物之電磁干擾之發生。換言之，相較於加工一金屬片或類似物以形成一電磁屏蔽之一替代情況，可減少步驟數目且可減少成本。因此，一印刷板之良好的EMC可以一低成本且通過一簡單且容易的程序維持。
此外，由於該電磁阻光屏蔽膜30b不僅具有導電性亦具有一阻光性質，故可防止來自模組之一側面之一光束之侵入。由於通常該相機模組1之側面係經常由一透明材料(諸如，支撐基板14、玻璃基板11、透鏡單元20及黏著層21)組態，故形成於側面上的該電磁阻光屏蔽膜30b較佳具有一阻光性質。此外，藉由散佈而形成係可能的，且碳黑適當地應用為具有導電性及一阻光性質之材料。
此外，由於該電磁阻光屏蔽膜30a係設置於該支撐基板14之背面側上，故進一步有效地抑制印刷板之電磁干擾。特定言之，在該支撐基板14之背面側上，互連該墊連接部分16a及該焊接面16c之該引導配接線部分16b係形成為一重新配接線層16，且該引導配接線部分16b與印刷板上的一配接線之間有時會發生電串擾，導致尤其高速信號傳送時無法進行正確差動傳輸。此外，在該晶圓級封裝件10中，焊球係設置於一晶片尺寸內的一有限區域中，且該重新配接線層16之引導配接線部分16b之配接線路徑受到限制。因此，為抑制串擾，需要調整印刷板上的配接線位置。然而，在增加層數尤其增加接針數以保持減小尺寸的發展的情況下可能使得成本增加。然而，在本實施例中，由於該電磁阻光屏蔽膜30a亦係設置於該支撐基板14之背面側上，故可抑制如上文所描述之此串擾之發生。
此外，由於如上文所描述之此一電磁阻光屏蔽膜30a除了導電性外亦具有一阻光性質，故可防止光透過該支撐基板14洩露至印刷板側。
圖15A至圖15D繪示用於建立該重新配接線層16與該電磁阻光屏蔽膜30b之間的連通之一不同方法之一過程。在該上文所描述之實施例中，為建立該重新配接線層16與該電磁阻光屏蔽膜30b之間的連通，形成該重新配接線層16之一些以便在經定位而彼此鄰近之晶片之間相互連接且藉由切割而曝露於該等晶片之側面。相反，在本修改中，為建立該重新配接線層16與該電磁阻光屏蔽膜30b之間的連通，在通孔形成步驟中，在各晶片之支撐基板14之一角隅部分處亦形成一通孔，且接著，在重新配接線層形成步驟中，一些重新配接線層部分係經連續形成至通孔之內部。
特定言之，如圖15A所見，在通孔形成步驟中，另一通孔或第二穿孔14b與若干通孔14a首先同時形成於該支撐基板14之背面上。然而，該通孔14b係設置於第四晶片之中央，該等第四晶片係在其之各自角隅部分處(即，在切割線之一相交點處)經定位而鄰近彼此。接著，如圖15B所見，在重新配接線層形成步驟中，在該等晶片之各者之一角隅部分處，一些重新配接線層16係經連續形成至該通孔14b之內部。該重新配接線層16之部分稱為屏蔽連接部分16d1。隨後，以類似於上文所描述之實施例之一方式實施一密封樹脂層之形成及一電磁阻光屏蔽膜30a之形成。隨後，如圖15C所見，沿著一切割線DL實施切割。因此，如圖15D所見，該屏蔽連接部分16d1曝露於各晶片之四個角隅處。隨後，藉由在該相機模組之一側面上散佈形成一電磁阻光屏蔽膜30b以將該等屏蔽連接部分16d1電連接至該電磁阻光屏蔽膜30b。
可使用如在本實施例中的通孔14b建立該重新配接線層16與該電磁阻光屏蔽膜30b之間的連通。
儘管上文已描述所揭示技術之實施例及修改，但所揭示之技術不限於該實施例或該修改。特定言之，可隨意修改該相機模組1或該光學模組之組態、關於其等之製造方法之程序等等，只要可達成類似於藉由上文所描述之實施例及修改達成之該等之效應即可。
例如，儘管在上文所描述之該實施例及該修改中，具有導電性及阻光特性之該等電磁阻光屏蔽膜30a及30b分別被描述為所揭示技術中的第一電磁屏蔽膜及第二電磁屏蔽膜，然即使其等至少具有導電性，亦可達成所揭示之技術之效應。此外，當無必然需要在該相機模組1之下部面側上(即，該支撐基板14之背面側上)形成電磁阻光屏蔽膜30a時，僅需在該相機模組1之側面側上提供來自該電磁阻光屏蔽膜30a與30b之間的至少電磁阻光屏蔽膜30a。
此外，儘管在上文所描述之該實施例及該修改中，如該相機模組1之一製造方法，一透鏡單元首先層壓至以一晶圓形式自一密封主體切除之各晶片或晶圓級封裝件10，且接著在該晶片之側面之整體區域上形成該電磁阻光屏蔽膜30b。然而，若不提供透鏡單元，則可(例如)以下列方式形成該電磁阻光屏蔽膜。特定言之，在切除各晶片後，可在該晶片之側面之整體區域上形成一電磁阻光屏蔽膜。
此外，儘管上文已描述該實施例及該修改，將一光接收元件視為該所揭示技術中的功能元件之一實例，然該功能元件不限於光接收元件，亦可為一MEMS元件或類似物。亦在一MEMS元件之一半導體封裝件待安裝於一印刷板上之情況中，若使用該所揭示技術之電磁屏蔽膜，則可抑制一印刷板之電磁干擾之發生。
本發明包含揭示於2010年9月7日在日本專利局申請之日本優先專利申請案第JP 2010-200067號中的相關標的，該案之全文以引用的方式併入本文中。
儘管本發明之較佳實施例係使用特定術語予以描述，然此描述僅處於繪示目的，且應瞭解，在不脫離以下申請專利範圍之精神或範疇之情況下，可進行改變及變更。
1．．．相機模組
10．．．晶圓級封裝件
11．．．玻璃基板
12．．．黏著層
12a．．．腔室
13．．．電極墊
14．．．支撐基板
14a．．．通孔
14b．．．通孔
15．．．光接收元件
16．．．重新配接線層
16a．．．墊連接部分
16b．．．引導配接線部分
16c．．．焊接面
16d．．．屏蔽連接部分
16d1．．．屏蔽連接部分
17．．．焊球
18．．．密封樹脂層
18a．．．開口
20．．．透鏡單元
20a．．．阻光膜
21．．．黏著層
30a．．．電磁阻光屏蔽膜
30a1．．．開口
30b．．．電磁阻光屏蔽膜
110．．．光阻膜
111．．．光阻膜
130．．．噴嘴
130a．．．碳黑
140a．．．矽基板
140b．．．SiO2層
141．．．絕緣膜
142．．．晶種層
A．．．晶片之角隅部分
D1．．．直徑
D2．．．直徑
D3．．．直徑
DL．．．切割線
P．．．節距
S．．．區域
圖1係展示根據所揭示技術之一實施例之一WLCM之一一般組態之一截面圖；
圖2A及圖2B係展示圖1中展示之WLCM之一矽基板之一正面及一背面之一般組態之示意性平面圖；
圖3A至圖3C、圖4A至圖4D、圖5A至圖5C及圖6A至圖6D係繪示圖1中展示之WLCM之一製程之連續步驟之示意性截面圖；
圖7A及圖7B係展示在圖6D中所繪示之步驟之後的矽基板之背面之一組態之平面圖；
圖8A及圖8B及圖9A及圖9B分別係繪示接續於圖6D中所繪示之步驟之後的連續步驟之截面圖及平面圖；
圖10及圖11分別係繪示接續於圖9A及圖9B中所繪示之步驟之後的連續步驟之一截面圖及一平面圖；
圖12係藉由圖11中所繪示之步驟而形成的一WCSP之一截面圖；
圖13係繪示接續於圖11中所繪示之步驟之後的一步驟之一截面圖；
圖14A及圖14B係繪示接續於圖13中所繪示之步驟之後的一步驟之示意圖；及
圖15A至圖15D係繪示根據實施例之一修改之配接線層形成過程之連續步驟之平面圖及截面圖。
1．．．相機模組
10．．．晶圓級封裝件
11．．．玻璃基板
12．．．黏著層
12a．．．腔室
13．．．電極墊
14．．．支撐基板
14a．．．通孔
15．．．光接收元件
16．．．重新配接線層
17．．．焊球
18．．．密封樹脂層
20．．．透鏡單元
20a．．．阻光膜
21．．．黏著層
30a．．．電磁阻光屏蔽膜
30b．．．電磁阻光屏蔽膜
140a．．．矽基板
140b．．．SiO2層
Claims (14)
- 一種半導體封裝件，其包括：一支撐基板；一功能元件及一第一接合元件，其等形成於該支撐基板之一第一主要表面上；一密封基板，其經設置以與該支撐基板呈對置關係，在該密封基板與該支撐基板之間插置有該功能元件及該第一接合元件；一第二接合元件，其設置於該支撐基板之一第二主要表面上；一貫通電極，其設置於該支撐基板中且延伸穿過該支撐基板且經調適以電連接該第一接合元件及該第二接合元件；及一第一電磁屏蔽膜，其塗敷於垂直延伸至該第一主要表面及該第二主要表面之該支撐基板之一側面之一整體區域中，其中該第一電磁屏蔽膜具有一阻光性質且其中該第一電磁屏蔽膜係由碳黑製成。
- 如請求項1之半導體封裝件，其中該貫通電極具有一穿孔，其經設置以與該支撐基板之該第一接合元件呈一對置關係，及一配接線層，其連接至該穿孔中的該第一接合元件且自該穿孔之內部延伸至其中形成有該第二接合元件之該第二主要表面之一區域。
- 如請求項2之半導體封裝件，其中該配接線層係部分曝 露於該側面且連接至該第一電磁屏蔽膜。
- 如請求項2之半導體封裝件，其進一步包括設置於該支撐基板之該第二主要表面上且具有對應於該第二接合元件之一開口之一第二電磁屏蔽膜。
- 如請求項4之半導體封裝件，其中該第二電磁屏蔽膜具有一阻光性質。
- 如請求項1之半導體封裝件，其中該功能元件為一光接收元件。
- 一種用於一半導體封裝件之一製造方法，其包括：將一密封基板層壓至具有其上設置有一功能元件及一第一接合元件之一第一主要表面之一支撐基板；在對應於該第一接合元件之該支撐基板之一區域中形成一貫通電極；在該支撐基板之一第二主要表面側上形成電連接至該貫通電極之一第二接合元件；及將一導電材料散佈至垂直延伸至該第一主要表面及該第二主要表面之該第一支撐基板之一側面之一整體區域以形成一第一電磁屏蔽膜，其中，當形成該第一電磁屏蔽膜時，具有一阻光性質之一材料係用作為該導電材料，且其中碳黑係用作為該導電材料。
- 如請求項7之製造方法，其中，當形成該貫通電極時，一第一穿孔係經形成而與該支撐基板中的該第一接合元件呈一對置關係，及一配接線層係經形成而與該第一穿孔中的該第一接合 元件接觸且係自該第一穿孔之內部連續地形成至其中形成有該第二接合元件之該第二主要表面之一區域。
- 如請求項8之製造方法，其中一第二電磁屏蔽膜係以一方式形成於該支撐基板之該第一主要表面側上以便具有對應於該第二接合元件之一開口。
- 如請求項9之製造方法，其中具有一阻光性質之一材料係用於該第二電磁屏蔽膜。
- 如請求項7之製造方法，其中該支撐基板為由複數個晶片形成之一晶圓，各晶片包含該功能元件，該貫通電極及該第二接合元件係形成於該晶圓級上，及在形成該第二接合元件後，在一切割步驟後形成該第一屏蔽膜。
- 如請求項11之製造方法，其中，當形成該貫通電極時，形成該配接線層使得其之若干部分在該等晶片之鄰近者之間互相連接，藉此以在切割後將該配接線層之部分曝露於該等晶片之側面。
- 如請求項12之製造方法，其中，當形成該貫通電極時，在對應於一切割線之該支撐基板之一區域內形成一第二穿孔，及該配接線層之部分係自該第一穿孔連續地形成至該第二穿孔之內部。
- 一種光學模組，其包括：一支撐基板； 一光接收元件及一第一接合元件，其等形成於該支撐基板之一第一主要表面上；一密封基板，其經設置以與該支撐基板呈一對置關係，其中該密封基板與該支撐基板之間插置有該光接收元件及該第一接合元件；一第二接合元件，其設置於該支撐基板之一第二主要表面上；一貫通電極，其設置於該支撐基板中且延伸穿過該支撐基板且經調適以電連接該第一接合元件及該第二接合元件；一透鏡單元，其設置於該密封基板上；及一第一電磁屏蔽膜，其塗敷於垂直延伸至該第一主要表面及該第二主要表面之該支撐基板之一側面之一整體區域中，其中該第一電磁屏蔽膜具有一阻光性質且其中該第一電磁屏蔽膜係由碳黑製成。
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