JP6989383B2 - 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 - Google Patents
半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6989383B2 JP6989383B2 JP2017548674A JP2017548674A JP6989383B2 JP 6989383 B2 JP6989383 B2 JP 6989383B2 JP 2017548674 A JP2017548674 A JP 2017548674A JP 2017548674 A JP2017548674 A JP 2017548674A JP 6989383 B2 JP6989383 B2 JP 6989383B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- semiconductor
- resin
- translucent material
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 195
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 132
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 132
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 57
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 39
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 30
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 18
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Dicing (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
(A)第1の実施形態:
(B)第2の実施形態:
(C)第3の実施形態:
(D)電子機器の一例:
本実施形態に係る半導体装置100は、チップサイズパッケージング(CSP)で作製された半導体素子10と、半導体素子10の光学素子形成面を覆うように接着剤で接着された透光材20と、半導体素子10と透光材20の層構造が露出した側面全体を覆う側面保護樹脂50と、を備えている。なお、チップサイズパッケージング(CSP)には、ウェハレベルチップサイズパッケージ(WCSP)が含まれる。
図6は、本実施形態に係る半導体装置200の模式的な断面構成を示す図である。なお、半導体装置200は、側面保護樹脂の形状を除くと半導体装置100と同様の構成であるため、側面保護樹脂以外の構成については半導体装置100と同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
図8は、本実施形態に係る半導体装置300の模式的な断面構成を示す図である。半導体装置300は、側面保護樹脂が透光材20の表面付近で主構造体Mの側に庇状に張り出して形成されており透光材20の縁部を側面保護樹脂が覆う形状である点で上述した半導体装置100と相違する。なお、この構造を除くと半導体装置300は半導体装置100とほぼ同様の構成であり、半導体装置100と共通又は対応する構成については、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
図11は、上述した各実施形態に係る半導体装置を搭載した電子機器の一例としての撮像装置600の一例の概略構成を示すブロック図である。撮像装置600は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カメラ付き携帯電話等である。
チップサイズパッケージングで作製された半導体素子と、
半導体素子の光学素子形成面を覆うように接着剤で接着された透光材と、
前記半導体素子と前記透光材の層構造が露出した側面全体を覆う側面保護樹脂と、を備える、半導体装置。
前記側面保護樹脂は、前記接着剤により形成される接着層に比べて透湿性及び透水性が低い樹脂で形成されている、前記(1)に記載の半導体装置。
前記側面保護樹脂は、不透明である、前記(1)又は前記(2)に記載の半導体装置。
前記側面保護樹脂は、前記半導体素子及び前記透光材に対向する面と反対側の面全体に切削器具による切断痕を有する、前記(1)〜前記(3)の何れか1項に記載の半導体装置。
前記側面保護樹脂は、前記半導体素子及び前記透光材に対向する面からその反対側の面までの厚みが、前記半導体素子及び前記透光材の積層方向の全体に亘って略一定である、前記(1)〜前記(4)の何れか1項に記載の半導体装置。
前記側面保護樹脂は、前記透光材の表面に沿って庇状に延設された庇状部を有し、
当該庇状部は、前記光学素子形成面の非受光領域又は非発光領域を覆うように形成されている、前記(1)〜前記(5)の何れか1項に記載の半導体装置。
チップサイズパッケージングで複数の半導体素子を形成された半導体基板と、前記半導体素子の光学素子形成面を覆うように前記半導体基板に透光材を接着剤で接着してワークを形成するワーク形成工程と、
前記ワークをダイシングシートに固定した状態で複数の半導体装置の主構造体に個片化する第1切削工程と、
前記ダイシングシートに固定された複数の前記主構造体の隙間の第1溝に樹脂を充填硬化させて複数の前記主構造体を再連結する再連結工程と、
前記第1溝の略中央に沿って前記樹脂に前記第1溝より狭い第2溝を形成して、複数の前記主構造体の側面に前記樹脂を残しつつ複数の半導体装置として個片化する第2切削工程と、を含んで構成される半導体装置の製造方法。
チップサイズパッケージングで複数の半導体素子を形成された半導体基板と、前記半導体素子の光学素子形成面を覆うように前記半導体基板に透光材を接着剤で接着してワークを形成するワーク形成工程と、
前記透光材の側から前記半導体素子の境界に沿ってV字溝を形成するV字溝形成工程と、
前記ワークをダイシングシートに固定した状態で前記V字溝の尖端に沿って切断して複数の半導体素子の主構造体に個片化する第1切削工程と、
前記ダイシングシートに固定された複数の前記主構造体の隙間の第1溝及び前記V字溝に樹脂を充填硬化させて複数の前記主構造体を再連結する再連結工程と、
前記第1溝の略中央に沿って前記樹脂に前記第1溝より狭い第2溝を形成して、複数の前記主構造体の側面に前記樹脂を残しつつ複数の半導体装置として個片化する第2切削工程と、を含んで構成される半導体装置の製造方法。
チップサイズパッケージングで作製された半導体素子と、
半導体素子の光学素子形成面を覆うように接着剤で接着された透光材と、
前記半導体素子と前記透光材の層構造が露出した側面全体を覆う側面保護樹脂と、を有する半導体装置を備える、電子機器。
Claims (3)
- チップサイズパッケージングで作製された半導体素子と、
前記半導体素子の光学素子形成面を覆うように接着剤で接着された透光材と、
前記半導体素子と前記透光材の層構造が露出した側面全体を覆う側面保護樹脂と、を備え、
前記接着剤により形成された接着層を間に挟んで前記半導体素子と前記透光材を積層した部分を主構造体とし、
前記主構造体は、側面の上部を、角を斜めに切断して形成された斜面とし、
前記側面保護樹脂は、前記主構造体の側面の下部を覆う略均一な厚みの部分と、前記略均一な厚みの部分とともに前記半導体素子及び前記透光材の積層方向に沿う側面をなし前記主構造体の側面の上部を覆う部分と、を有し、前記主構造体の側面の上部を覆う部分に、前記斜面に沿って庇状に延設された庇状部を有し、
当該庇状部は、前記光学素子形成面の非受光領域又は非発光領域を覆うように形成されている、半導体装置。 - チップサイズパッケージングで複数の半導体素子を形成された半導体基板と、前記半導体素子の光学素子形成面を覆うように前記半導体基板に透光材を接着剤で接着してワークを形成するワーク形成工程と、
前記ワークをダイシングシートに固定した状態で複数の半導体装置の主構造体に個片化するとともに、前記ダイシングシートに固定された複数の前記主構造体の隙間の第1溝に連続した溝を前記ダイシングシートに形成する第1切削工程と、
前記第1溝及び前記第1溝に連続した溝に樹脂を充填硬化させて複数の前記主構造体を再連結する再連結工程と、
前記第1溝の略中央に沿って前記樹脂に前記第1溝より狭い第2溝を形成して、複数の前記主構造体の側面に前記樹脂を残しつつ複数の半導体装置として個片化する第2切削工程と、を含んで構成される半導体装置の製造方法。 - チップサイズパッケージングで作製された半導体素子と、
前記半導体素子の光学素子形成面を覆うように接着剤で接着された透光材と、
前記半導体素子と前記透光材の層構造が露出した側面全体を覆う側面保護樹脂と、を備え、
前記接着剤により形成された接着層を間に挟んで前記半導体素子と前記透光材を積層した部分を主構造体とし、
前記主構造体は、側面の上部を、角を斜めに切断して形成された斜面とし、
前記側面保護樹脂は、前記主構造体の側面の下部を覆う略均一な厚みの部分と、前記略均一な厚みの部分とともに前記半導体素子及び前記透光材の積層方向に沿う側面をなし前記主構造体の側面の上部を覆う部分と、を有し、
前記側面保護樹脂は、前記主構造体の側面の上部を覆う部分に、前記斜面に沿って庇状に延設された庇状部を有し、
当該庇状部は、前記光学素子形成面の非受光領域又は非発光領域を覆うように形成されている、半導体装置を備える、電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021196366A JP7364653B2 (ja) | 2015-11-05 | 2021-12-02 | 半導体装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015217638 | 2015-11-05 | ||
JP2015217638 | 2015-11-05 | ||
PCT/JP2016/078620 WO2017077792A1 (ja) | 2015-11-05 | 2016-09-28 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021196366A Division JP7364653B2 (ja) | 2015-11-05 | 2021-12-02 | 半導体装置及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017077792A1 JPWO2017077792A1 (ja) | 2018-09-13 |
JP6989383B2 true JP6989383B2 (ja) | 2022-01-05 |
Family
ID=58661841
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017548674A Active JP6989383B2 (ja) | 2015-11-05 | 2016-09-28 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2021196366A Active JP7364653B2 (ja) | 2015-11-05 | 2021-12-02 | 半導体装置及び電子機器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021196366A Active JP7364653B2 (ja) | 2015-11-05 | 2021-12-02 | 半導体装置及び電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10636714B2 (ja) |
JP (2) | JP6989383B2 (ja) |
CN (1) | CN108352388B (ja) |
WO (1) | WO2017077792A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108352388B (zh) | 2015-11-05 | 2022-11-18 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体装置、半导体装置制造方法和电子设备 |
JP2019024038A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7093210B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2022-06-29 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
JP2020027837A (ja) | 2018-08-09 | 2020-02-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体パッケージ、その搬送用トレイおよび半導体パッケージの製造方法 |
JP7164411B2 (ja) | 2018-11-15 | 2022-11-01 | 株式会社ディスコ | 積層体の加工方法 |
JP7164412B2 (ja) * | 2018-11-16 | 2022-11-01 | 株式会社ディスコ | 積層体の加工方法 |
JP7413294B2 (ja) * | 2019-08-23 | 2024-01-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP7370215B2 (ja) * | 2019-10-25 | 2023-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR102396489B1 (ko) * | 2020-05-08 | 2022-05-10 | (주)에이피텍 | 카메라 패키징 장치 |
KR102396490B1 (ko) * | 2020-05-08 | 2022-05-10 | (주)에이피텍 | 반도체 칩을 포함하는 카메라 패키징 장치 |
CN114446805A (zh) * | 2020-11-04 | 2022-05-06 | 中强光电股份有限公司 | 电子元件的接合方法 |
WO2022151115A1 (zh) | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种led发光装置及其制造方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0750037A (ja) * | 1993-06-04 | 1995-02-21 | Canon Inc | 光情報記録媒体の製造方法 |
JP4152062B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2008-09-17 | 株式会社リコー | 固体撮像装置、その製造方法、画像読取ユニット及び画像走査装置 |
JP4698874B2 (ja) * | 2001-04-24 | 2011-06-08 | ローム株式会社 | イメージセンサモジュール、およびイメージセンサモジュールの製造方法 |
JP4606063B2 (ja) * | 2004-05-14 | 2011-01-05 | パナソニック株式会社 | 光学デバイスおよびその製造方法 |
JP4838501B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2011-12-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 撮像装置及びその製造方法 |
JP4365743B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2009-11-18 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
CN101107710B (zh) * | 2005-01-25 | 2010-05-19 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
KR100738730B1 (ko) * | 2005-03-16 | 2007-07-12 | 야마하 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치 |
KR100730726B1 (ko) * | 2006-04-14 | 2007-06-21 | 옵토팩 주식회사 | 카메라 모듈 |
JP2008166632A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Manabu Bonshihara | 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラモジュール |
US8013350B2 (en) * | 2007-02-05 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device |
JP5245135B2 (ja) * | 2007-06-30 | 2013-07-24 | 株式会社ザイキューブ | 貫通導電体を有する半導体装置およびその製造方法 |
JP2009032929A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009064839A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Panasonic Corp | 光学デバイス及びその製造方法 |
US7923298B2 (en) * | 2007-09-07 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Imager die package and methods of packaging an imager die on a temporary carrier |
KR20090048920A (ko) * | 2007-11-12 | 2009-05-15 | 삼성전자주식회사 | 카메라 모듈 및 이를 구비한 전자 기기 |
JP2009176824A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Kyocera Chemical Corp | モジュール基板、及びカメラモジュール |
JP5344336B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2013-11-20 | 株式会社ザイキューブ | 半導体装置 |
JP2010040672A (ja) | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100982270B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2010-09-15 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 및 이의 제조 방법 |
JP5317586B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-10-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | カメラモジュール及びその製造方法 |
JP5498684B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2014-05-21 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
JP2011054925A (ja) * | 2009-01-14 | 2011-03-17 | Panasonic Corp | 光学デバイス、固体撮像装置、及び方法 |
JP2010177569A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Panasonic Corp | 光学デバイス及びその製造方法 |
JP5318634B2 (ja) | 2009-03-30 | 2013-10-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | チップサイズパッケージ状の半導体チップ及び製造方法 |
JP5356980B2 (ja) | 2009-11-06 | 2013-12-04 | シャープ株式会社 | 電子素子モジュールおよびその製造方法、電子素子ウエハモジュールおよびその製造方法、並びに電子情報機器 |
TWI466278B (zh) * | 2010-04-06 | 2014-12-21 | Kingpak Tech Inc | 晶圓級影像感測器構裝結構及其製造方法 |
WO2011141976A1 (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5682185B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2015-03-11 | ソニー株式会社 | 半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法ならびに光学モジュール |
JP5398759B2 (ja) | 2011-02-16 | 2014-01-29 | 富士フイルム株式会社 | 遮光膜及びその製造方法、並びに固体撮像素子 |
CN102683311B (zh) * | 2011-03-10 | 2014-12-10 | 精材科技股份有限公司 | 晶片封装体及其形成方法 |
JP2012222546A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP5753446B2 (ja) * | 2011-06-17 | 2015-07-22 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置の製造方法 |
WO2013179766A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | オリンパス株式会社 | 撮像装置、半導体装置および撮像ユニット |
TWI536547B (zh) * | 2013-01-10 | 2016-06-01 | 精材科技股份有限公司 | 影像感測晶片封裝體之製作方法 |
CN103367382B (zh) * | 2013-07-23 | 2016-03-09 | 格科微电子(上海)有限公司 | 一种图像传感器芯片的晶圆级封装方法 |
CN108352388B (zh) | 2015-11-05 | 2022-11-18 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体装置、半导体装置制造方法和电子设备 |
-
2016
- 2016-09-28 CN CN201680062816.4A patent/CN108352388B/zh active Active
- 2016-09-28 US US15/771,547 patent/US10636714B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-09-28 WO PCT/JP2016/078620 patent/WO2017077792A1/ja active Application Filing
- 2016-09-28 JP JP2017548674A patent/JP6989383B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-02 US US16/838,892 patent/US10950515B2/en active Active
-
2021
- 2021-01-13 US US17/148,224 patent/US11527453B2/en active Active
- 2021-12-02 JP JP2021196366A patent/JP7364653B2/ja active Active
-
2022
- 2022-11-22 US US17/992,766 patent/US12014968B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11527453B2 (en) | 2022-12-13 |
US10950515B2 (en) | 2021-03-16 |
WO2017077792A1 (ja) | 2017-05-11 |
US10636714B2 (en) | 2020-04-28 |
US20200235021A1 (en) | 2020-07-23 |
JP7364653B2 (ja) | 2023-10-18 |
CN108352388A (zh) | 2018-07-31 |
US12014968B2 (en) | 2024-06-18 |
US20180350707A1 (en) | 2018-12-06 |
US20230090278A1 (en) | 2023-03-23 |
JP2022019935A (ja) | 2022-01-27 |
JPWO2017077792A1 (ja) | 2018-09-13 |
US20210134691A1 (en) | 2021-05-06 |
CN108352388B (zh) | 2022-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6989383B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 | |
JP4764941B2 (ja) | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 | |
JP5047243B2 (ja) | 光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 | |
JP4768060B2 (ja) | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 | |
JP4764942B2 (ja) | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 | |
JP4819152B2 (ja) | 光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 | |
TWI467747B (zh) | 固態攝影裝置及其製造方法 | |
JP2006005029A (ja) | 撮像装置及びその製造方法 | |
JP5721370B2 (ja) | 光センサの製造方法、光センサ及びカメラ | |
JP2008219854A (ja) | 光学デバイス,光学デバイスウエハおよびそれらの製造方法、ならびに光学デバイスを搭載したカメラモジュールおよび内視鏡モジュール | |
JP2009290031A (ja) | 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器 | |
US11177300B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus, method of manufacturing solid-state image pickup apparatus, and electronic apparatus | |
WO2016203923A1 (ja) | モジュール、モジュールの製造方法、及び、電子機器 | |
JP2009251249A (ja) | ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 | |
JP2006295481A (ja) | 半導体撮像装置およびその製造方法 | |
JP5061579B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2008047665A (ja) | 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置 | |
JP2009044494A (ja) | 撮像デバイス | |
JP5061580B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2011176105A (ja) | 光学デバイス装置及びその製造方法 | |
KR101353127B1 (ko) | 이미지 센서 패키지 | |
JP6990317B2 (ja) | 撮像ユニット及び撮像装置 | |
KR102138182B1 (ko) | 카메라 모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20180717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180801 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210719 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211102 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6989383 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |