TWI549286B - 有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2011年6月28日於韓國智慧財產局(KIPO)提出之韓國專利申請號10-2011-0062891之優先權，其內容於此全部納入以作為參考。
本揭露係關於一種有機發光顯示(OLED)裝置及製造有機發光顯示裝置之方法。更具體來說，一些實施例是關於一種包含間隔件及平坦化圖樣之有機發光顯示裝置以及製造包含間隔件及平坦化圖樣之有機發光顯示裝置之方法。
有機發光顯示(OLED)裝置通常可包含形成於基板上之薄膜電晶體(TFT)、像素電極、發光結構及共同電極。發光結構可包含產生白光、紅光、綠光或藍光之發射層(EL)，發光結構可另外包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)及其他有機發光顯示裝置領域具通常知識者所習知之特徵。
有機發光結構通常可以雷射引發熱成像(LITI)製程而形成。在此製程中，包含有機轉移層之施體基板可提供於有機發光顯示裝置之像素電極上，且有機轉移層可接著藉由雷射之熱能轉移至像素區域。在此情況中，相鄰於像素區域形成之接觸孔可具有高度差，使得有機轉移層可能非均勻地轉移於像素區域中。因此，於有機發光顯示裝置中可能容易發生像素的損壞。
一些實施例提供一種有機發光顯示裝置，其具改善之可靠度及增強之結構穩定度而沒有像素之損壞。
一些實施例提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，其具改善之可靠度及增強之結構穩定度而沒有像素之損壞。
根據一態樣，其提供一種有機發光顯示裝置。在有機發光顯示裝置中，薄膜電晶體可設置於基板上。具有第一接觸孔至第三接觸孔之絕緣中間層可設置於基板上以部份地暴露薄膜電晶體。電性連接於薄膜電晶體之第一電極可設置於絕緣中間層上及第一接觸孔至第三接觸孔之側壁。定義像素區域之像素定義層可設置於絕緣中間層、第一電極之一部份及第一接觸孔至第三接觸孔之側壁上。發光結構可設置於像素區域中的第一電極上。第二電極可設置於發光結構上。平坦化圖樣可設置於像素定義層上，且可填充第一接觸孔及第二接觸孔。間隔件可設置於像素定義層上，且可填充第三接觸孔。
間隔件之上表面可實質上高於平坦化圖樣之上表面。
平坦化圖樣之上表面可實質上與像素定義層之上表面為共平面。
間隔件及平坦化圖樣可包含共同之材料。
各薄膜電晶體可包含設置於基板上具通道區域、源極區域及汲極區域之半導體圖樣；於半導體圖樣上之閘極絕緣層；於閘極絕緣層上之閘極電極；電性連接於源極區域之源極電極；以及電性連接於汲極區域之汲極電極。
根據另一態樣，其提供一種製造有機發光顯示裝置之方法。在此方法中，薄膜電晶體可形成於基板上。絕緣中間層可形成於基板上以覆蓋薄膜電晶體。暴露薄膜電晶體之電極之第一接觸孔、第二接觸孔及第三接觸孔可形成通過絕緣中間層。第一電極可形成於絕緣中間層、第一接觸孔至第三接觸孔之側壁及薄膜電晶體之暴露之電極上。像素定義層可形成於絕緣中間層至第一電極之一部份上。第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣可形成於像素定義層上，以分別填充第一接觸孔及第二接觸孔。發光結構可形成於第一電極之經暴露之部份上。第二電極可形成於發光結構上。
平坦化層可形成於像素定義層上以填充第一接觸孔及第二接觸孔，且接著平坦化層可利用半色調遮罩圖樣化以形成分別填充第一接觸孔及第二接觸孔之第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣。在此情況下，平坦化層可形成於像素定義層上以填充第三接觸孔，且接著平坦化層可圖樣化以形成可實質上填充第三接觸孔且可突出於第三接觸孔之間隔件。
第一接觸孔及第二接觸孔中的第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣可具有實質上水平之上表面。
間隔件之上表面可實質上高於第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣之上表面。
平坦化層可形成於像素定義層上以填充第一接觸孔至第三接觸孔，且接著平坦化層可利用半色調遮罩而圖樣化以形成第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣，以及形成間隔件。
平坦化層可利用感光材料而形成。
半色調遮罩可包含穿透區域、光阻區域及半透射區域。
平坦化層可利用正型感光材料而形成。半色調遮罩之半透射區域可對應至第一接觸孔及第二接觸孔。半色調遮罩之光阻區域可對應至第三接觸孔。半色調遮罩之穿透區域可對應至未形成第一接觸孔至第三接觸孔的像素定義層之一部份。
平坦化層可利用負型感光材料而形成。半色調遮罩之半透射區域可對應至第一接觸孔及第二接觸孔。半色調遮罩之穿透區域可對應至第三接觸孔。半色調遮罩之光阻區域可對應至未形成第一接觸孔至第三接觸孔的像素定義層之一部份。
第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣之上表面可實質上與相鄰於第一接觸孔及第二接觸孔之像素定義層之上表面為共平面。間隔件之上表面可實質上高於相鄰於第三接觸孔之像素定義層之上表面。
根據另一態樣，其提供ㄧ種有機發光顯示裝置。在有機發光顯示裝置中，基板可具有紅色子像素區域、綠色子像素區域及藍色子像素區域。紅色發光區域及第一接觸孔可設置於基板之紅色子像素區域中。綠色發光區域及第二接觸孔可設置於基板之綠色子像素區域中。藍色發光區域及第三接觸孔可設置於基板之藍色子像素區域中。具有高度實質上相同或相似於第一及第二接觸孔之第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣可分別填充第一接觸孔及第二接觸孔。實質上突出於第三接觸孔之間隔件可填充第三接觸孔。
薄膜電晶體可提供於基板上。
間隔件可包含與第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣實質上相同之材料。
各間隔件、第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣可包含感光材料。
根據一些實施例，有機發光顯示裝置可包含實質上填充第一接觸孔及第二接觸孔之第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣，且可包含實質上填充第三接觸孔之間隔件。因此，圍繞第一接觸孔至第三接觸孔之像素定義層之高度差可防止或顯著地降低。當發光結構藉由雷射引發熱成像製程而獲得時，施體基板之有機轉移層可均勻且有效地轉移於第一電極及像素定義層上。因此，有機發光顯示裝置可因為第一平坦化圖樣及第二平坦化圖樣而具有均勻的像素且沒有發光結構之損壞。此外，有機發光顯示裝置可藉由間隔件確保改善之結構穩定度。另外，第一平坦化圖樣、第二平坦化圖樣及間隔件可同時獲得，使得用於有機發光顯示裝置之製造製程可簡化。
於此將參照其中繪示部份實施例之附圖而更詳細地說明各種實施例。然而，本發明可以許多不同形式實施，且不應詮釋為限於此所述之實施例。相反地，此些實施例係提供以使得本說明將徹底且完整，且將充分傳達本發明之範疇予所屬領域具有通常知識者。於圖式中，層及區域之尺寸及相對尺寸可為了清楚而誇大。
其將理解的是當一元件或層被稱為在另一元件或層之“上”、“連接於”或“耦合於”另一元件或層時，其可直接位於其他元件或層“上”、“連接於”或“耦合於”其他元件或層，或可存在中介元件或層。當元件被稱為“直接位於”其他元件或層“上”、“直接連接”或“直接耦合”於其他元件或層時，則無中介元件或層存在。全文中相同的參考符號一般代表相同的元件。當在此使用時，詞彙“及/或”包含一或多個相關條列項目之任何及所有組合。
其將理解的是，儘管可於此使用第一、第二、第三、第四等詞彙來描述各種元件、組件、區域、層及/或區段，此些元件、組件、區域、層及/或區段不應受此些詞彙所限制。此些詞彙僅用於區分一元件、組件、區域、層或區段與另一區域、層或區段。因此，下文中所述之第一元件、組件、區域、層或區段可稱為第二元件、組件、區域、層或區段，而不脫離本發明之教示。
空間相對詞彙如“下(beneath)”、“下(below)”、“下(lower)”、“上(above)”、“上(upper)”等可為了便於說明而於此用以說明圖中所繪示之元件或特徵與另一元件或特徵之關係。其將理解的是空間相對詞彙係旨在涵蓋圖中所繪示之定向以外，裝置於使用或操作中的不同定向。舉例而言，如果圖中的裝置翻轉，則描述為於其他元件或特徵之“下(below)”或“下(beneath)”之元件將接著定向為在其他元件或特徵之“上(above)”。因此，例示性詞彙“下(below)”可涵蓋上及下之兩種定向。裝置可另外定向(旋轉90度或其他定向)，且於此使用之空間相對詞彙係作對應地解釋。
於此使用之詞彙係僅為了說明特定實施例之目的而非旨在為本發明之限制。當在此使用時，“一(a)”、“一(an)”及“該(the)”之單數形式亦旨在包含複數形式，除非文中明確地另行指示。其將更理解的是，當用於說明書中時，“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)”之詞彙係表明所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或構件之存在，而非排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、構件及/或其群組之存在或增加。
實施例於此參照為實施例之示意圖之剖面圖(及中間結構)而說明。因此，舉例來說作為製造技術及/或公差而與圖式之形狀之差異是可預期的。因此，實施例將非詮釋為限於此處所繪示之區域之特定形狀，而包含例如來自製造之結果的形狀差異。舉例而言，以長方型描繪之佈植區域將通常具有圓形或曲形特徵及/或於邊緣之佈植濃度梯度，而非由佈植區域至非佈植區域之二分化變化。相同地，藉由佈植而形成之埋置區域可能會造成介於埋置區域與進行佈植而通過之表面之間之區域的部份佈植。因此，繪示於圖中之區域為自然示意且其形狀係非旨在繪示裝置之區域之真實形狀，且非旨在限制本發明之範疇。
除非另行定義，於此使用之所有詞彙(包含技術性及科學性詞彙)具有與本發明所屬領域具有通常知識者一般理解之相同意義。將進一步理解的是如那些常用字典中所定義之詞彙，應詮釋為具有與相關領域之內容之意義相符之意義，且除非於此說明地定義否則將不以理想化或過度正式之意義詮釋。
第1圖為有機發光顯示裝置之實施例之平面圖。第2圖及第3圖為有機發光顯示裝置之實施例之剖面圖。第2圖所示之有機發光顯示裝置可藉由沿著第1圖之線段A-A'截取而獲得，而第3圖所示之有機發光顯示裝置可藉由沿著第1圖之線段B-B'截取而獲得。
參閱第1圖，有機發光顯示裝置可具有分為紅色子像素區域10R、綠色子像素區域10G及藍色子像素區域10B之像素區域。紅色子像素區域10R、綠色子像素區域10G及藍色子像素區域10B可實質上相互平行。在一些實施例中，有機發光顯示裝置之像素區域可更包含白色子像素區域(未繪示)。在一些實施例中，白色子像素區域可排列與紅色子像素區域10R、綠色子像素區域10G及藍色子像素區域10B實質上平行。在其他實施例中，白色子像素區域可排列以相鄰於紅色子像素區域10R、綠色子像素區域10G及/或藍色子像素區域10B。在一些實施例中，各紅色子像素區域10R、綠色子像素區域10G及藍色子像素區域10B可以實質上四角型結構或實質上五角型結構而列置。
紅色子像素區域10R可包含紅色發光區域20R及實質上圍繞紅色發光區域20R之隔離圖樣40。綠色子像素區域10G可包含綠色發光區域20G及實質上圍繞綠色發光區域20G之隔離圖樣40。藍色子像素區域10B可包含藍色發光區域20B、間隔件50及隔離圖樣40。紅色子像素區域10R、綠色子像素區域10G及藍色子像素區域10B可分別包含第ㄧ接觸孔30R、第二接觸孔30G及第三接觸孔30B。
間隔件50可設置於藍色子像素區域10B之第三接觸孔30B。間隔件50可藉由隔離圖樣40而與藍色發光區域20B分隔。
第一平坦化圖樣45R可設置於紅色子像素區域10R之第一接觸孔30R中。第二平坦化圖樣45G可位於綠色子像素區域10G之第二接觸孔30G中。
第1圖所示之有機發光顯示裝置可包含設置於藍色子像素區域10B之第三接觸孔30B之間隔件50。在其他實施例中，間隔件(未繪示)而非第二平坦化圖樣45G可位於綠色子像素區域10G之第二接觸孔30G。在這樣的實施例中，平坦化圖樣(未繪示)可提供於紅色子像素區域10R之第ㄧ接觸孔30R及藍色子像素區域10B之第三接觸孔30B。在一些實施例中，間隔件(未繪示)而非第一平坦化圖樣45R可位於紅色子像素區域10R之第ㄧ接觸孔30R。在這樣的實施例中，平坦化圖樣(未繪示)可位於綠色子像素區域10G及藍色子像素區域10B之第二接觸孔30G及第三接觸孔30B。
參照第2圖及第3圖，有機發光顯示裝置可包含第一基板100、緩衝層110、薄膜電晶體(TFTs)、第一絕緣中間層150、第二絕緣中間層170、第一電極180R、180G及180B、像素定義層190、發光結構230、第二電極240、第ㄧ平坦化圖樣210R、第二平坦化圖樣210G及間隔件220。
第一基板100可包含透明基板如玻璃基板、石英基板、透明陶瓷基板、透明塑膠基板等。透明塑膠基板之示例可包含聚亞醯胺(polyimide)、丙烯醯基(acryl)、乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酯(polyether)等。
緩衝層110可設置於第一基板100上。緩衝層110可防止雜質及/或金屬原子由第一基板100擴散，並可於形成半導體圖樣120之結晶製程中調節熱傳導速率。在一些實施例中，緩衝層110可包含矽化合物像是如氧化矽(silicon oxide, SiOx)、氮化矽(silicon nitride, SiNx)、氮氧化矽(silicon oxynitride, SiOxNy)等。緩衝層110可具包含至少一矽化合物薄膜之單層結構或多層結構。
薄膜電晶體可提供於第一基板100上。各薄膜電晶體可包含半導體圖樣120、閘極絕緣層130、閘極電極140、源極電極163及汲極電極165。在一些實施例中，薄膜電晶體可包含提供於第一基板100上之切換電晶體及驅動電晶體。切換電晶體可由資料線提供資料訊號。驅動電晶體可由切換電晶體接收資料訊號且可控制流至發光結構230之電流。
各薄膜電晶體之半導體圖樣120可包含源極區域123、汲極區域125及位於源極區域123與汲極區域125間的通道區域121。在一些實施例中，半導體圖樣120可包含多晶矽(polysilicon)。
閘極絕緣層130可設置於第一基板100上以覆蓋半導體圖樣120。在一些實施例中，閘極絕緣層130可包含氧化矽及氧化金屬等。閘極絕緣層130中之氧化金屬之示例可包含氧化鋁(aluminum oxide, AlOx)、氧化鉿(hafnium oxide, HfOx)、氧化鋯(zirconium oxide, ZrOx)及氧化鉭(tantalum oxide, TaOx)等。
閘極電極140可位於閘極絕緣層130上。在一些實施例中，閘極電極140可包含多晶矽及/或金屬如鉻(Cr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)及銀(Ag)等。閘極線(未繪示)可設置於閘極絕緣層130上。閘極線可與閘極電極140電性接觸，且可沿預定方向延伸於閘極絕緣層130上。
第一絕緣中間層150可位於閘極絕緣層130上以覆蓋閘極電極140。在一些實施例中，第一絕緣中間層150可包含矽化合物如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等。
源極電極163及汲極電極165可設置於第一絕緣中間層150上。源極電極163及汲極電極165可通過第一絕緣中間層150及閘極絕緣層130而電性連接至半導體圖樣120之源極區域123及汲極區域125。在一些實施例中，源極電極163及汲極電極165各可包含金屬及/或合金。在一些實施例中，源極電極163及汲極電極165可包含鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鎢、銅、銀、其合金等。其可單獨或以其組合使用。
第二絕緣中間層170可設置於第一絕緣中間層150上以覆蓋源極電極163及汲極電極165。第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B可形成通過第二絕緣中間層170以暴露薄膜電晶體之汲極電極165。在一些實施例中，第二絕緣中間層170可包含無機材料像是如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等。在一些實施例中，第二絕緣中間層170可包含有機材料如丙烯醯系樹脂(acryl-based resin)、聚亞醯胺系樹脂(polyimide-based resin)、矽氧烷系樹脂(siloxane-based resin)、苯環丁烯(benzocyclobutene, BCB)等。
如第2圖所示，第一電極180R、180G及180B可設置於第二絕緣中間層170及第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B之側壁上。第一電極180R、180G及180B可分別電性連接至薄膜電晶體之汲極電極165。各第一電極180R、180G及180B可包含透明導電材料及/或金屬。在一些實施例中，各第一電極180R、180G及180B可包含氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化鋅錫(zinc tin oxide, ZTO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnOx)、氧化鎵(gallium oxide, GaOx)、氧化錫(tin oxide, SnOx)、銀、鋁、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦及鈀等。在不同實施例中，第一電極180R、180G及180B各可具有單層結構或多層結構。在一些實施例中，第一電極180R、180G及180B各可具有包含第ㄧ氧化銦錫膜、銀膜及第二氧化銦錫膜之多層結構。
像素定義層190可位於第二絕緣中間層170及第一電極180R、180G及180B之一部份上。像素定義層190可定義有機發光顯示裝置之紅色發光區域20R、綠色發光區域20G及藍色發光區域20B。藉由像素定義層190所暴露之第一電極180R、180G及180B之一部份可分別對應至紅色發光區域20R、綠色發光區域20G及藍色發光區域20B。像素定義層190可包含有機材料像是如聚丙烯醯系樹脂、環氧系樹脂(epoxy-based resin)、苯酚系樹脂(phenol-based resin)、聚醯胺系樹脂(polyamide-based resin)、聚亞醯胺系樹脂、不飽和聚酯系樹脂(unsaturated polyester-based resin)、聚伸苯系樹脂(polyphenylene-based resin)、聚苯硫醚系樹脂(poly(phenylenesulfide)-based resin)、苯環丁烯等。在一些實施例中，像素定義層190可包含無機材料如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等。
在一些實施例中，第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B可具有深度實質上大於第一電極180R、180G及180B及像素定義層190之深度。在這樣的實施利中，第一電極180R、180G及180B及像素定義層190可沿著第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B之輪廓共形地(conformally)形成。因此，位於第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B之底面上的像素定義層190之部份上表面可實質上低於位於第二絕緣中間層170的像素定義層190之部份上表面。像素定義層190在與第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B相鄰之部份具有高度差。在一些實施例中，像素定義層190之高度差可於約1um至約3um之範圍內。
第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G可設置於像素定義層190上。第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G可實質上分別填充紅色子像素區域10R之第一接觸孔175R及綠色子像素區域10G之第二接觸孔175G。第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G之上表面可具有位階實質上相同或相似於像素定義層190。在一些實施例中，各第一平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G可包含聚丙烯醯系樹脂、環氧系樹脂、苯酚系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、不飽和聚酯系樹脂、聚伸苯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂、苯環丁烯等。在第一接觸孔175R、第二接觸孔175G及像素定義層190間之高度差可藉由第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G而補償，使得發光結構230可精確地由施體基板之有機轉移層轉移。
間隔件220可設置於像素定義層190上。間隔件220可實質上填充藍色子像素區域10B之第三接觸孔175B。間隔件220之上表面可具有高度實質上高於像素定義層190之上表面。當間隔件220突出像素定義層190之上表面時，間隔件220可確保介於第一基板100與結合第一基板100之第二基板(未繪示)之間之預定間隔。由於間隔件220，即使施加壓力或應力於第二基板，有機發光顯示裝置可不被破壞，從而確保有機發光顯示裝置改善之結構可靠度。在一些實施例中，間隔件220可包含聚丙烯醯系樹脂、環氧系樹脂、苯酚系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、不飽和聚酯系樹脂、聚伸苯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂、苯環丁烯等。在一些實施例中，間隔件220可包含材料實質上相同或實質上相似於第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G。
發光結構230可分別設置於藉由像素定義層190所暴露之第一電極180之一部份。各發光結構230可包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發射層(EL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等。在一些實施例中，位於紅色子像素區域10R之第一電極180的發光結構230可包含紅色發射層以用以產生紅光，且位於綠色子像素區域10G之第一電極180的發光結構230可包含綠色發射層以用以產生綠光。此外，設置於藍色子像素區域10B之第一電極180之發光結構230可包含藍色發射層以用以產生藍光。
至於一些實施例之發光結構230，電洞注入層可包含芳胺系(arylamine-based)化合物、鈦菁(phthalocyanine)化合物、星狀系胺(starburst-based amine)化合物等。在一些實施例中，電洞注入層可包含4,4',4''-三(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺(4,4,4 tris(3-methylphenyleamino)triphenylamino, m-MTDATA)、銅鈦菁(copper phthalocyanine, CuPC)、1,3,5-三[4-(3-甲基苯基胺)苯基]苯(1,3,5-tris[4-(3-methylphenylamino)phenyl]benzene, m-MTDATB)等。電洞傳輸層可包含亞芳基二胺衍生物(arylenediamine derivatives)、星狀化合物及具有螺基(spiro-group)或梯型化合物(ladder-type compound)之聯苯二胺(biphenyldiamine derivates)衍生物。在一些實施例中，電洞傳輸層可包含N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,
1'-biphenyl
-4,4'diamine, TPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'二苯基聯苯胺(N,N'-di(naphthalene-1-il)-N,N'-diphenyl benzidine, α-NPD)及4,4'-二(1-萘基苯胺基)聯苯(4,4'-bis(1-naphthylphenylamino)biphenyl, NPB)等。發射層可包含主體型式(host-type)發射層及摻雜於主體型式發射層之摻雜材料。在一些實施例中，主體型式發射層可包含4,4'-N,N'-雙咔唑-二苯(4,4-N,N'-dicarbazole-biphenyl, CBP)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯苯-4-羥基)鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolato)
-(4-phenylphenolato)aluminium, BAlq)、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, BCP)、N,N'-雙咔唑-1,4-二亞甲基-苯(N,N'-dicarbazolyl-1,4-dimethene-benzene, DCB)、紅螢烯(rubrene)、聯苯乙烯(distyryl arylene, DSA)衍生物、噁二唑(oxydiazole)衍生物及蔥(anthracene)衍生物等。當摻雜材料包含螢光摻雜物時，摻雜材料可包含聯苯乙烯胺(distyrylamine)衍生物、苯甲菲(pyrene)衍生物、迫聯萘(perylene)衍生物、二苯乙烯聯苯(distyrylbiphenyl, DSBP)衍生物、(10-(2-苯并噻唑基)-2,3,6,7-四氫-1,1,7,7,- 四甲基l-1H,5H,11H-[1]苯并哌喃[6,7,8-ij]喹嗪-11-酮(10-(2-benzothia- zolyl)-2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl l-1H,5H,11H-[1] benzopyrano[6,7,8-ij] quinolizin-11-one, C545T)、喹吖酮(quinacridone)衍生物、4-(二氰-乙烯基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基-久落尼定基-9-乙烯基)-4H-吡喃(4-(dicyano-methylene)-2-t-butyl-6-
(1,1,7,7-tetramethyl-julolidyl-9-enyl)-4H-pyran, DCJTB)及4-二氰-乙烯基-2-甲基-6-p-二甲氨基-苯乙烯-4H-吡喃(4-dicyano-methylene-2-methyl-6-p-dimethyl amino-styrl-4H-pyran, DCM)等。當摻雜材料包含磷光摻雜物時，摻雜材料可包含雙(3,5-二氟-2-(2-吡啶)苯基-(2-吡啶甲醯)合銥(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-
(2-carboxypyridyl)iridium, F2Irpic)、PQIr、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(piq)2(acac)、三(2-苯基吡啶)合銥(tris(2-phenylpiridine)iridium(III), Ir(PPy)3)、Btp2Ir(acac)及2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟吩鉑(2,3,7,8,12,13,17,18-
Octaethyl-21H,23H-porphine,platinum(II), PtOEP)等。電子傳輸層可包含TAZ、PBD、螺-PBD、Alq3、BAlq、SAlq，且電子注入層可包含氟化鋰(LiF)、鎵(Ga)複合物、Liq及氟化銫(CsF)等。
第二電極240可位於像素定義層190及發射結構230上。第二電極可包含透明導電材料。在一些實施例中，第二電極240可包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅銦、氧化鋅、氧化錫及氧化鎵等。其可單獨使用或以其組合使用。
在一些實施例中，第二電極240可從紅色發光區域20R、綠色發光區域20G及藍色發光區域20B延伸至隔離圖樣40上。在一些實施例中，第二電極240可只位於紅色發光區域20R、綠色發光區域20G及藍色發光區域20B。在一些實施例中，第二電極240可設置於發光結構230及像素定義層190之一部份(舉例而言，如像素定義層190之側壁)上。此外，第二電極240之上表面可實質上低於間隔件220之上表面。
保護層(未繪示)可位於第二電極240上。此外，第二基板可設置於保護層及間隔件220上。第二基板可與第一基板100結合。在一些實施例中，間隔件220可突出於介於第一基板100及第二基板間的第二電極240。
在一些實施例中，有機發光顯示裝置可更包含提供於第一基板100上之儲存電容。當切換電晶體關閉時，儲存電容可提供薄膜電晶體一預定電流。
根據一些實施例，有機發光顯示裝置可包含實質上填充第一接觸孔175R及第二接觸孔175G之第一平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G。有機發光顯示裝置可更包含實質上填充第三接觸孔175B之間隔件220。因此，第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B周圍之像素定義層190之高度差可避免或顯著地降低。當發光結構230藉由雷射引發熱成像(LITI)製程而獲得時，施體基板之有機轉移層可均勻地且有效地轉移於具有像素定義層190之第一基板100上。因此，可防止有機發光顯示裝置之像素之損壞，並且可改善有機發光顯示裝置之結構穩定度。
第4圖至第10圖為製造有機發光顯示裝置之方法之實施例之剖面圖。
參照第4圖，緩衝層110可形成於第一基板100上。第一基板100可包含透明絕緣基板。在一些實施例中，第一基板100可包含玻璃基板、石英基板、透明陶瓷基板及透明塑膠基板等。用於第一基板100之透明塑膠基板可包含聚亞醯胺樹脂、丙烯醯樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚酯樹脂、乙烯對苯二甲酸酯樹脂及磺酸酯樹脂等。其可單獨使用或以其組合使用。
緩衝層110可預防接續製程中雜質及/或金屬原子由第一基板100擴散。此外，緩衝層110可在用於形成半導體圖樣120之接續結晶製程中控制熱傳導速率，從而改善半導體圖樣120之自由性(informality)。此外，當第一基板具有相對粗糙之表面時，緩衝層110可增加第一基板100之平坦度。在一些實施例中，緩衝層110可使用矽化合物而形成。在不同實施例中，緩衝層110可使用氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽及碳氮化矽等所形成。其可單獨使用或以其組合使用。緩衝層110可具有單層結構或多層結構。
半導體圖樣120可形成於緩衝層110上。在一些實施例中，半導體層(未繪示)可藉由化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)製程、電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced CVD, PECVD)製程、低壓化學氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition)製程及濺鍍(sputtering)製程等形成於第一基板110上。接著，半導體層可圖樣化以在緩衝層110上形成初步半導體圖樣(未繪示)。此初步半導體圖樣可藉由雷射照射(laser irradiation)製程、熱退火(thermal annealing)製程及催化劑輔助熱退火(catalyst-aided thermal annealing)製程等而結晶。因此，在緩衝層110上可獲得半導體圖樣120。當半導體層包含非晶矽時，各半導體圖樣120可包含多晶矽。
在一些實施例中，去氫(dehydrogenation)製程可對半導體層及/或初步半導體圖樣執行。在去氫製程中，氫原子可從半導體層及/或初步半導體圖樣去除。換言之，半導體層及/或初步半導體圖樣可具有降低之氫濃度。因此，半導體圖樣120可確保改善之電性特性。
參照第5圖，閘極絕緣層130可形成於緩衝層110上以覆蓋半導體圖樣120。閘極絕緣層130可藉由化學氣相沉積製程、旋轉塗佈(spin coating)製程、電漿增強化學氣相沉積製程、濺鍍製程、真空蒸鍍(vacuum evaporation)製程、高密度電漿化學氣相沉積製程(high density plasma-chemical vapor deposition, HDP-CVD)及印刷(printing)製程等而形成。閘極絕緣層130可利用氧化矽及氧化金屬等所形成。閘極絕緣層130之氧化金屬之示例可包含氧化鉿、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦及氧化鉭等。其可單獨使用或以其組合使用。
閘極絕緣層130可共形地形成於沿著半導體圖樣120之輪廓之緩衝層110上。當閘極絕緣層130具有相對較小之厚度時，閘極絕緣層130可具有形成相鄰於半導體圖樣120之階梯部份。在一些實施例中，閘極絕緣層130可具有相對較大的厚度，使得閘極絕緣層130可具有實質上水平之上表面以充分覆蓋半導體圖樣120。
閘極電極140可形成於閘極絕緣層130上。閘極電極140可位於其下座落半導體圖樣120之閘極絕緣層130之一部份上。在一些實施例中，第一導電層(未繪示)可形成於閘極絕緣層130上，且接著第一導電層可使用額外蝕刻遮罩以微影(photolithography)製程或蝕刻(etching)製程而圖樣化，藉此形成閘極絕緣層130上之閘極電極140。第一導電層可藉由濺鍍製程、印刷製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積(pulsed laser deposition, PLD)製程及原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)製程等而形成。
各閘極電極140可利用金屬、合金、氮化金屬、氧化導電金屬及透明導電材料等而形成。在一些實施例中，閘極電極140可利用鋁、含鋁合金、氮化鋁、銀、含銀合金、鎢、氮化鎢、銅、含銅合金、鎳、鉻、氮化鉻、鉬、含鉬合金、鈦、氮化鈦、鉑、鉭、氮化鉭、釹、鈧、氧化鍶釕(strontium ruthenium oxide, SrRuxOy)、氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵及氧化銦鋅等而形成。其可單獨使用或以其組合使用。在一些實施例中，各閘極電極140可具有單層結構，其包含金屬膜、合金膜、氮化金屬膜、氧化金屬導電膜或透明導電材料膜。在一些實施例中，各閘極電極140可具有多層結構，其包含金屬膜、合金膜、氮化金屬膜、氧化金屬導電膜及/或透明導電材料膜。
閘極線(未繪示)可形成於閘極絕緣層130上。閘極線可連接於閘極電極140。閘極線可沿著第一方向延伸於閘極絕緣層130上。閘極線可利用實質上與各閘極電極140相同之材料而形成。
雜質可利用閘極電極140作為離子佈植遮罩而佈植至半導體圖樣120內，使得源極區域123及汲極區域125可形成於半導體圖樣120之側邊部份。當離子佈植製程的離子佈植能量增加時，雜質可滲透進入閘極絕緣層130且可佈植入半導體圖樣120之側邊部份。雜質可不會摻雜於其上座落閘極電極140之半導體圖樣120之中央部份。因此，半導體圖樣120之中央部份可作為薄膜電晶體之通道區域121。各通道區域121可位於各源極區域123及各汲極區域125之間。換言之，半導體圖樣120之通道區域121可以源極區域123及汲極區域125而定義。在一些實施例中，遮罩可設置於閘極絕緣層130上，以暴露鄰近於閘極電極140之閘極絕緣層130之一部份，而接著遮罩及閘極電極140可用於作為形成源極區域123及汲極區域125之離子佈植遮罩。
在一些實施例中，閘極電極140可具有實質上分別小於半導體圖樣120之寬度。各閘極電極140可具有實質上相同或相似於各通道區域121之寬度。在其他實施例中，閘極電極140及/或通道區域121之尺寸可根據薄膜電晶體所需之電性特性而改變。
參閱第6圖，第一絕緣中間層150可形成於閘極絕緣層130上，以覆蓋閘極電極140。第一絕緣中間層150可沿著閘極電極140之輪廓共形地形成。因此，第一絕緣中間層150可具有相鄰於閘極電極140之階梯部份。第一絕緣中間層150可使用矽化合物而形成。在一些實施例中，第一絕緣中間層150可使用氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氮碳化矽及碳氧化矽等而形成。其可單獨使用或以其組合使用。第一絕緣中間層150可具有單層結構或多層結構。此外，第一絕緣中間層150可藉由旋轉塗佈製程、化學氣相沉積製程、電漿增強化學氣相沉積製程及高密度電漿化學氣相沉積製程等而形成。第一絕緣中間層150可電性絕緣閘極電極140與可在接續製程中形成之源極電極163及汲極電極165。
源極電極163及汲極電極165可形成於第一絕緣中間層150上。各源極電極163及汲極電極165可以各閘極電極140為中心以預定距離相互分隔。在一些實施例中，源極電極163及汲極電極165可由源極區域123及汲極區域125上之第一絕緣中間層150之一部份延伸至閘極電極140上之第一絕緣中間層150之一部份。源極電極163及汲極電極165可通過第一絕緣中間層150分別電性連接於源極區域123及汲極區域125。
在一些實施例中，第一絕緣中間層150可部份地蝕刻以分別形成部份地暴露源極區域123及汲極區域125之開口。在形成第二導電層(未繪示)於第一絕緣中間層150上以填充開口後，如第6圖所示，第二導電層可圖樣化以形成源極電極163及汲極電極165。第二導電層可藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積製程、真空蒸鍍製程及原子層沉積製程而形成。源極電極163及汲極電極165可包含金屬、合金、氮化金屬、氧化導電金屬及/或透明導電材料。源極電極163及汲極電極165可利用鋁、含鋁合金、氮化鋁、銀、含銀合金、鎢、氮化鎢、銅、含銅合金、鎳、鉻、氮化鉻、鉬、含鉬合金、鈦、氮化鈦、鉑、鉭、氮化鉭、釹、鈧、氧化鍶釕、氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵及氧化銦鋅等。其可單獨使用或以其組合使用。各源極電極163及汲極電極165可具有單層結構或多層結構。因此，包含半導體圖樣120、閘極絕緣層130、閘極電極140、源極電極163及汲極電極165之薄膜電晶體可提供於第一基板100上。
以第二方向延伸之資料線(未繪示)可形成於第一絕緣層150上。第二方向可實質上垂直於閘極線可延伸之第一方向。資料線可連接於薄膜電晶體之源極電極163。
參閱第7圖，第二絕緣中間層170可形成於第一絕緣中間層150上，以覆蓋源極電極163及汲極電極165。第二絕緣中間層170可具有相對大之厚度，以足以覆蓋源極電極163及汲極電極165。第二絕緣中間層170可使用有機材料或無機材料而形成。第二絕緣中間層170可使用光阻、丙烯醯系高分子、聚亞醯胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、包含感光丙烯醯羧基之樹脂(resin containing photosensitive acryl carboxyl group)、酚醛樹脂(novolac resin)、鹼可溶性樹脂(alkali-soluble resin)、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳化矽、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿及氧化鋯等而形成。其可單獨或以其組合使用。第二絕緣中間層170可藉由旋轉塗佈製程、印刷製程、濺鍍製程、化學氣相沉積製程、原子層沉積製程、電漿增強化學氣相沉積製程、高密度電漿化學氣相沉積製程及真空蒸鍍製程等而形成。
第一接觸孔175R、第二接觸孔175G及第三接觸孔175B可分別形成通過第二絕緣中間層170以暴露汲極電極165之一部份。當第二絕緣中間層170包含感光材料時，第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B可藉由暴露製程及顯影製程而形成，而不用執行額外的製程，如遮罩形成製程、蝕刻及清洗等。感光材料可藉由旋轉塗佈製程、印刷製程及擴散(spreading)製程等沉積於源極電極163、汲極電極165及第一絕緣中間層150上。接著，沉積之感光材料可使用具預定圖樣之遮罩曝光。遮罩可包含傳輸區域及光阻區域。當感光材料為正型感光材料時，遮罩之傳輸區域可位於第二絕緣中間層170可形成第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B之一部份上。第二絕緣中間層170之一部份可曝光，並接著可利用顯影製程將第二絕緣中間層170暴露之部份移除。當感光材料具負型時，遮罩之光阻區域可放置於第二絕緣中間層170可能形成第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B之一部份上。接著，暴露製程及顯影製程可使用遮罩於第二絕緣中間層170之暴露部份上執行暴露製程及顯影製程。因此，暴露汲極電極165之第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B可形成通過第二絕緣中間層170。
當第二絕緣中間層170包含無機材料時，第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B可利用微影製程形成。光阻圖樣(未繪示)可形成於第二絕緣中間層170上，且接著第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B可利用光阻圖樣作為蝕刻光罩形成通過第二絕緣中間層170直到汲極電極165可暴露為止。
參閱第8圖，電性接觸於汲極電極165之第一電極180R、180G及180B可形成於第二絕緣中間層170上及第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B之側壁上。
當有機發光顯示裝置具頂部發射型時，各第一電極180R、180G及180B可利用反射材料形成。第一電極180R、180G及180B可使用鋁、銀、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦、鈀及銥等形成。其可單獨使用或以其組合使用。此外，第一電極180R、180G及180B可具有單層結構或多層結構。
在一些實施例中，第一電極層(未繪示)可形成於第二絕緣中間層170上及暴露汲極電極165之第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B之側壁上。接著，第一電極層可圖樣化以形成第一電極180R、180G及180B於第二絕緣中間層170上及汲極電極165上。第一電極層可由濺鍍製程、真空蒸鍍製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積製程、印刷製程及原子層沉積製程等而形成。第一電極180R、180G及180B可分別於相鄰有機發光顯示裝置之發光區域之非發光區域之一部份上延伸。
像素定義層190可形成於第二絕緣中間層170上及第一電極180R、180G及180B之一部份上。其上未形成像素定義層190之第一電極180R、180G及180B之一部份可定義為有機發光顯示裝置之發光區域(對應至第1圖之紅色發光區域20R、綠色發光區域20G及藍色發光區域20B)。像素定義層190可使用有機材料或無機材料形成。像素定義層190可使用丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、包含感光丙烯醯羧基之樹脂、酚醛樹脂、鹼可溶性樹脂、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳化矽、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿及氧化鋯等而形成。
參照第9圖及第10圖，平坦化層200可形成於第一電極180R、180G及180B及像素定義層190上。平坦化層200可使用丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、包含感光丙烯醯羧基之樹脂、酚醛樹脂及鹼可溶性樹脂等所形成。
平坦化層200可藉由使用半色調遮罩300或半色調狹縫遮罩之蝕刻製程而圖樣化以分別形成實質上填充第一接觸孔175R及第二接觸孔175G之第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G。同時，間隔件220可形成於像素定義層190上以實質上填充第三接觸孔175B。
在一些實施例中，半色調遮罩300可具有複數個具不同光穿透度之區域。半色調遮罩300可包含穿透區域(I)、半透射區域(II)及光阻區域(III)。當平坦化層200包含正型感光材料時，第9圖所示之半色調遮罩300可用以圖樣化平坦化層200。
在一些實施例中，半色調遮罩300可包含實質上對應至第一接觸孔175R及第二接觸孔175G之半透射區域(II)，且可包含實質上對應至第三接觸孔175B之光阻區域(III)。半色調遮罩300之穿透區域(I)可對應至未座落第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B之像素定義層190之一部份。當包含正型感光材料之平坦化層200曝光時，感光材料暴露之部份可具分解或斷裂之化學鍵，或具有對預定溶液增加的溶解度，藉此感光材料暴露之部份可藉由顯影製程去除。
在第一接觸孔175R及第二接觸孔175B中的部份平坦化層200可使用半色調遮罩300之半透射區域(II)而部份地移除，使得平坦化層200之一部份可具預定厚度而保留。藉由調整半透射區域(II)之光穿透度及/或平坦化層200之曝光時間，可進行暴露製程直到第一接觸孔175R及第二接觸孔175G中的平坦化層200可具有上表面實質上與像素定義層190之上表面為共平面。因此，第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G可分別形成於第一接觸孔175R及第二接觸孔175G中。第一接觸孔175R及第二接觸孔175G可實質上以第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G所填充。
由於半色調遮罩300之光阻區域(III)在第三接觸孔175B中的部份平坦化層200可不曝光，以致於第三接觸孔175B中的部份平坦化層200可保持原本的厚度。由於半色調遮罩300之穿透區域(I)，未座落第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B之平坦化層200之暴露的部份可移除，使得間隔件220可形成於第三接觸孔175B中。第三接觸孔175B中的間隔件220可具有上表面實質上高於像素定義層190之上表面。間隔件220可突出於像素定義層190。間隔件220之上表面可實質上高於在接續製程中形成於像素定義層190上的第二電極240。
在一些實施例中，第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G可具有水平面實質上相同或相似於像素定義層190之上表面。第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G可分別形成於第一接觸孔175R及第二接觸孔175G上。因此，第一接觸孔175R及第二接觸孔175G中的像素定義層190可不具有高度差。所以，當發光結構230以雷射引發熱成像製程而獲得時，發光結構230可均勻地且有效地轉移於第一電極180及像素定義層190上而沒有發光結構230之損壞。此外，包含第ㄧ平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G之有機發光顯示裝置可具有改善之均勻像素。
在一些實施例中，間隔件220可實質上突出於像素定義層190，預定間隙可提供於第一基板100與結合第一基板100之第二基板(未繪示)之間。即使可能施以壓力或應力於第二基板，有機發光顯示裝置由於間隔件220可不會被破壞。因此，包含間隔件220之有機發光顯示裝置可確保增強之結構穩定度。
當平坦化層200包含負型感光材料時，半色調遮罩300可具有對應至第三接觸孔175B之穿透區域，對應至第一接觸孔及第二接觸孔175R、175G之半透射區域，對應至未座落第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B之部份像素定義層190之光阻區域。在平坦化層200包含負型感光材料之情況下，感光材料之暴露部份可藉由鍵結或聚合而修復或變硬，使得感光材料未暴露之部份可以顯影製程去除。未座落第一接觸孔至第三接觸孔175R，175G及175B之部份平坦化層200可去除，而在第三接觸孔175B中的平坦化層200可不會去除。因此，間隔件220可形成於第一電極180上，以填充第三接觸孔175B。在第一接觸孔175R及第二接觸孔175G中的剩餘之部份平坦化層200可具有上表面實質上與像素定義層190之上表面共平面，以使第一平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G可分別形成於第一接觸孔175R及第二接觸孔175G。
發光結構230可形成於發光區域中之像素定義層190及第一電極180上。發光結構230之較低部份可位於第一電極180上且發光結構230之側邊部份可接觸像素定義層190。在一些實施例中，各發光結構230可具有多層結構，其包含發射層(EL)、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)。在子像素區域中的發光結構230可使用用於發射不同顏色之光的發光材料而形成，即紅光、綠光及藍光。在一些實施例中，各發光結構230可具有多層結構，其具包含發光材料之複數層堆疊，以從而發射白光。
如第3圖所示，第二電極240可形成於發光結構230及像素定義層190上。第二電極240在發光結構230及像素定義層190上可具有實質上均勻之厚度。當有機發光顯示裝置具頂部發光型時，第二電極240可使用透明導電材料形成。第二電極240可使用氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅錫、氧化鋅、氧化錫及氧化鎵等所形成。其可單獨或以其組合使用。
在一些實施例中，第二電極240可由發光區域延伸至非發光區域。在一些實施例中，第二電極240可僅形成於發光區域中。第二電極240可形成於發光結構230上及部份像素定義層190(舉例而言，如穿過像素定義層190形成之開口之側壁)上。在一些實施例中，第二電極層(未繪示)可形成於發光結構230及像素定義層190上，且接著第二電極層可圖樣化以形成發光區域中的第二電極240。
保護層(未繪示)可額外形成於第二電極上。保護層亦可由發光區域延伸至非發光區域。保護層可使用有機材料或無機材料而形成。保護層可使用丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、包含感光丙烯醯羧基之高分子、酚醛樹酯、鹼可溶性樹脂、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳化矽、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿及氧化鋯等。此外，保護層可藉由旋轉塗佈製程、印刷製程、濺鍍製程、化學氣相沉積製程、原子層沉積製程、電漿增強化學氣相沉積製程、高密度電漿化學氣相沉積製程及真空蒸鍍製程等形成。
第二基板(未繪示)可藉由於其間插設保護層及間隔件220而提供於第一基板100上。第二基板可包含透明絕緣基板，如玻璃、透明塑膠及透明陶瓷等。在一些實施例中，在發光區域中的第一基板100與第二基板間的間隙可以空氣及/或惰性氣體如氮氣所填充。在一些實施例中，間隙可以包含吸濕特性之透光材料所填充。
根據一些實施例，有機發光顯示裝置可包含實質上填充第一接觸孔175R及第二接觸孔175G之第一平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G，且可包含實質上填充第三接觸孔175B之間隔件220。因此，第一接觸孔至第三接觸孔175R、175G及175B周圍之像素定義層190之高度差可預防或顯著地減少。當發光結構230以雷射引發熱成像製程而獲得時，施體基板之有機轉移層可均勻地且有效地轉移於第一電極180及像素定義層190上。因此，由於第一平坦化圖樣210R及第二平坦化圖樣210G，有機發光顯示裝置可具有均勻像素而沒有發光結構230之損壞。此外，由於間隔件220，有機發光顯示裝置可確保改善之結構穩定度。此外，第一平坦化圖樣210R、第二平坦化圖樣210G及間隔件220可同時地形成，使得用於有機發光顯示裝置之製造過程可簡化。
根據一些實施例，有機發光顯示裝置可包含實質上填充在像素區域中的接觸孔之平坦化圖樣及間隔件。因此，有機發光顯示裝置可包含在像素區域中均勻之發光結構而沒有發光結構之損壞。此外，由於間隔件插設於兩基板間，有機發光顯示裝置可具有增強之結構穩定度。
所述為一些實施例之說明，而非詮釋為其限制。雖然已說明少數實施例，所屬領域具有通常知識者將輕易地了解在不實質上脫離本發明之新教示及優勢下，許多對實施例之修改係為可行的。因此，任何這樣的修改係旨在包含於申請專利範圍所定義之本發明之範疇中。在申請專利範圍中，功能手段用語係旨在涵蓋於此說明作為執行所述功能之結構，及不僅其結構等效物，而亦含其等效結構。因此，其將理解的是上述為各種實施例之說明且非詮釋為限制於所揭露之具體實施例，且對所揭露之實施例之修改以及其他實施例係旨在包含於後附之申請專利範圍之範疇中。
175R、30R．．．第一接觸孔
175G、30G．．．第二接觸孔
175B、30B．．．第三接觸孔
210R、45R．．．第一平坦化圖樣
210G、45G．．．第二平坦化圖樣
100．．．第一基板
110．．．緩衝層
130．．．閘極絕緣層
140．．．閘極電極
163．．．源極電極
165．．．汲極電極
121．．．通道區域
123．．．源極區域
125．．．汲極區域
150．．．第一絕緣中間層
170．．．第二絕緣中間層
190．．．像素定義層
200．．．平坦化層
220、50．．．間隔件
230．．．發光結構
180、180R、180G、180B．．．第一電極
240．．．第二電極
300．．．半色調光罩
120．．．半導體圖樣
20R．．．紅色發光區域
20G．．．綠色發光區域
20B．．．藍色發光區域
10R．．．紅色子像素區域
10G．．．綠色子像素區域
10B．．．藍色子像素區域
40．．．隔離圖樣
部份實施例將由上述詳細說明連同其附圖而更清楚地解釋。第1圖至第10圖代表此處所述之非限制性實施例。
第1圖為有機發光顯示裝置之實施例之平面圖。
第2圖及第3圖為有機發光顯示裝置之實施例之剖面圖。
第4圖至第10圖為製造有機發光顯示裝置之方法之實施例之剖面圖。
175R．．．第一接觸孔
175G．．．第二接觸孔
175B．．．第三接觸孔
180R、180G、180B．．．第一電極
210R．．．第一平坦化圖樣
210G．．．第二平坦化圖樣
100．．．第一基板
110．．．緩衝層
130．．．閘極絕緣層
140．．．閘極電極
150．．．第一絕緣中間層
163．．．源極電極
165．．．汲極電極
170．．．第二絕緣中間層
190．．．像素定義層
220．．．間隔件
120．．．半導體圖樣
121．．．通道區域
123．．．源極區域
125．．．汲極區域

Claims (20)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：
    一薄膜電晶體，係位於一基板上；
    一絕緣中間層，係位於該薄膜電晶體上，該絕緣中間層具有一第一接觸孔、一第二接觸孔及一第三接觸孔，其中該第一接觸孔至該第三接觸孔係分別部份地暴露該薄膜電晶體；
    一第一電極，係設置於該絕緣中間層及該第一接觸孔至該第三接觸孔之側壁上，該第一電極係電性連接於該薄膜電晶體；
    一像素定義層，係設置於該絕緣中間層、該第一電極之一部份以及該第一接觸孔至該第三接觸孔之側壁上，該像素定義層定義一像素區域；
    一發光結構，係位於該像素區域中之該第一電極上；
    一第二電極，係位於該發光結構上；
    一平坦化圖樣，係位於該像素定義層上，該平坦化圖樣填充該第一接觸孔及該第二接觸孔；以及
    一間隔件，係位於該像素定義層上，該間隔件填充該第三接觸孔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該間隔件之一上表面高於該平坦化圖樣之一上表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該平坦化圖樣之一上表面係與該像素定義層之一上表面為共平面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該間隔件及該平坦化圖樣包含共同之一材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中各該薄膜電晶體包含：
    一半導體圖樣，係位於該基板上，該半導體圖樣具有一通道區域、一源極區域及一汲極區域；
    一閘極絕緣層，係位於該半導體圖樣上；
    一閘極電極，係位於該閘極絕緣層上；
    一源極電極，係電性連接於該源極區域；以及
    一汲極電極，係電性連接於該汲極區域。
  6. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：
    形成一薄膜電晶體於一基板上；
    形成一絕緣中間層於該基板上，以覆蓋該薄膜電晶體；
    形成一第一接觸孔、一第二接觸孔及一第三接觸孔而通過該絕緣中間層，該第一接觸孔至該第三接觸孔係分別部份地暴露該薄膜電晶體之一電極；
    形成一第一電極於該絕緣中間層、該第一接觸孔至該第三接觸孔之側壁及該薄膜電晶體之暴露之該電極上；
    形成一像素定義層於該絕緣中間層上，以暴露該第一電極之一部份；
    形成一第一平坦化圖樣及一第二平坦化圖樣於該像素定義層上，以分別填充該第一接觸孔及該第二接觸孔；
    形成一發光結構於該第一電極之經暴露之該部份上；以及
    形成一第二電極於該發光結構上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中形成該第ㄧ平坦化圖樣及該第二平坦化圖樣包含：
    形成一平坦化層於該像素定義層上，以填充該第一接觸孔及該第二接觸孔；以及
    利用一半色調遮罩圖樣化該平坦化層，以形成該第ㄧ平坦化圖樣及該第二平坦化圖樣。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該第ㄧ平坦化圖樣及該第二平坦化圖樣具有水平之一上表面。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之方法，更包含形成一間隔件以填充該第三接觸孔，其中形成該間隔件包含：
    形成一平坦化層於該像素定義層上，以填充該第三接觸孔；以及
    圖樣化該平坦化層以形成填充該第三接觸孔並突出於該第三接觸孔之該間隔件。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該間隔件之一上表面高於該第ㄧ平坦化圖樣及該第二平坦化圖樣之一上表面。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中形成該第ㄧ平坦化圖樣、該第二平坦化圖樣及該間隔件包含：
    形成該平坦化層於該像素定義層上，以填充該第一接觸孔至該第三接觸孔；以及
    利用一半色調遮罩圖樣化該平坦化層，以形成該第一接觸孔中之該第一平坦化圖樣、形成該第二接觸孔中之該第二平坦化圖樣及形成該第三接觸孔中之該間隔件。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該平坦化層係使用一感光材料而形成。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該半色調遮罩包含一穿透區域、ㄧ光阻區域及一半透射區域。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該平坦化層係使用一正型感光材料而形成，以及
    其中該半透射區域對應至該第一接觸孔及該第二接觸孔，該光阻區域對應至該第三接觸孔，而該穿透區域對應至未形成該第一接觸孔至該第三接觸孔之該像素定義層之一部份。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該平坦化層係使用一負型感光材料而形成，以及
    其中該半透射區域對應至該第一接觸孔及該第二接觸孔，該穿透區域對應至該第三接觸孔，而該光阻區域對應至未形成該第一接觸孔至該第三接觸孔之該像素定義層之一部份。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第一平坦化圖樣及該第二平坦化圖樣之一上表面與相鄰於該第一接觸孔及該第二接觸孔之該像素定義層之一上表面係為共平面，以及
    其中該間隔件之一上表面高於相鄰於該第三接觸孔之該像素定義層之一上表面。
  17. 一種有機發光顯示裝置，其包含：
    一基板，係具有一紅色子像素區域、一綠色子像素區域及一藍色子像素區域；
    一紅色發光區域及一第一接觸孔，係設置於該紅色子像素區域；
    一綠色發光區域及一第二接觸孔，係設置於該綠色子像素區域；
    一藍色發光區域及一第三接觸孔，係設置於該藍色子像素區域；
    一第一平坦化圖樣及一第二平坦化圖樣，係分別填充該第一接觸孔及該第二接觸孔，該第一平坦化圖樣及該第二平坦化圖樣具有與該第一接觸孔及該第二接觸孔相同之高度；以及
    一間隔件，係填充該第三接觸孔，該間隔件突出於該第三接觸孔。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光顯示裝置，更包含一薄膜電晶體設置於該基板上。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光顯示裝置，其中該間隔件以及該第一平坦化圖樣及該第二平坦化圖樣包含共同之一材料。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光顯示裝置，其中各該間隔件、該第一平坦化圖樣及該第二平坦化圖樣包含一感光材料。
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