TWI545741B - 有機發光顯示設備 - Google Patents
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Description
實施例關於一種有機發光顯示設備。
最近，顯示設備作為輕薄可攜的平板顯示設備來形成。因為由於寬廣的視角、良好的對比度和快速的響應速度等優勢，有機電致發光顯示設備(如這些平板顯示設備中的自發光顯示裝置)已作為下一代顯示設備而引起關注。使用有機化合物作為發光層的有機發光顯示設備與使用無機化合物作為發光層的無機發光設備相比具有較高的亮度、驅動電壓、響應時間特性，並且能實現多彩顯示器。
在有機發光顯示設備中，有機發光層挿入在陽極和陰極之間，並且當電壓施加至陰極和陽極時，連接到陰極和陽極的有機發光層發出可見光。
從有機發光層發出的可見光連續穿過陽極和陰極或其他構件(如極化層)而消失。因此，從使用者的觀點而論，有機發光顯示設備的發光效率是有限制性的。
實施例的特點提供了一種具有提高發光效率的有機發光顯示設備。
以上和額外的特點和優勢中的至少一個可透過提供一種有機發光顯示設備來實現，其包括基板；光轉換層，其係在該基板上，該光轉換層包括氧化物半導體；鈍化層，其係覆蓋層該光轉換層；第一電極，其係在該鈍化層上；中間層，其係在該第一電極上，該中間層包括有機發光層；以及第二電極，其係在該中間層上。
該光轉換層可配置在藉由該中間層所產生的光行進的路徑上。
該光轉換層可具有比該鈍化層的折射率還高的折射率。
該鈍化層可包括氧化矽。
該有機發光顯示設備可進一步包括配置在該基板和該光轉換層之間的緩衝層。
該緩衝層可包括氮化矽。
該光轉換層可以預定圖案來形成，使其包括複數個通孔。
該有機發光顯示設備可進一步包括配置在該鈍化層和該基板之間的薄膜電晶體，該薄膜電晶體電連接到該第一電極，並且該薄膜電晶體包括閘極電極、主動層、源極電極和汲極電極。
該主動層可由形成該光轉換層的材料來形成。
該主動層可形成在該光轉換層所形成的層上。
閘極絕緣膜可將該閘極電極與該主動層絕緣，以及該閘極絕緣膜可位在該基板和該光轉換層之間。
該閘極絕緣膜可包括氧化矽。
該有機發光顯示設備可進一步包括在該主動層、該源極電極和該汲極電極之間的蝕刻停止物。
該蝕刻停止物可位在該光轉換層和該鈍化層之間。
該蝕刻停止物可包括複數個通孔，該通孔暴露部分的該光轉換層。
該蝕刻停止物可包括氧化矽。
該源極電極或該汲極電極可擴展，從而達到該光轉換層的邊緣，以阻止光線從該光轉換層周圍的區域流入，並且經擴展而達到該光轉換層的邊緣的該源極電極或該汲極電極可包括面對該光轉換層的通孔。
經擴展而達到該光轉換層的邊緣的該源極電極或該汲極電極可環繞該光轉換層的周圍。
該有機發光顯示設備可進一步包括配置在該基板和該光轉換層之間的光阻擋層，該光阻擋層阻擋光線流入該光轉換層周圍的區域。
光阻擋層可包括面對該光轉換層的通孔。
該光阻擋層可由形成該閘極電極的材料來形成。
藉由該中間層所產生的光可朝該基板發射。
一種有機發光顯示設備，其包括在基板上的第一子像素、第二子像素和第三子像素。每個第一、第二和第三子像素可包括在該基板上的鈍化層、在該鈍化層上的第一電極、在該第一電極上並且包括有機發光層的中間層以及在該中間層上的第二電極。該第二子像素可進一步包括第二子像素光轉換層，其包括氧化物半導體，該第二子像素光轉換層位在該基板上，並且第二子像素鈍化層位在該光轉換層上。該第三子像素可進一步包括在該基板上的第三子像素光轉換層，並且進一步包括在該第三子像素光轉換層上的絕緣層，該第三子像素光轉換層包括氧化物半導體，並且第三子像素鈍化層位在該光轉換層上。
100‧‧‧有機發光顯示設備
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧閘極電極
105‧‧‧閘極絕緣層
106‧‧‧主動層
107‧‧‧光轉換層
108‧‧‧蝕刻停止物
109‧‧‧源極電極
110‧‧‧汲極電極
111‧‧‧鈍化層
112‧‧‧第一電極
113‧‧‧像素定義膜
114‧‧‧中間層
115‧‧‧第二電極
200‧‧‧有機發光顯示設備
201‧‧‧基板
202‧‧‧緩衝層
203‧‧‧閘極電極
205‧‧‧閘極絕緣層
206‧‧‧主動層
207‧‧‧光轉換層
208‧‧‧蝕刻停止物
209‧‧‧源極電極
210‧‧‧汲極電極
211‧‧‧鈍化層
212‧‧‧第一電極
213‧‧‧像素定義膜
214‧‧‧中間層
215‧‧‧第二電極
300‧‧‧有機發光顯示設備
301‧‧‧基板
302‧‧‧緩衝層
303‧‧‧閘極電極
305‧‧‧閘極絕緣層
306‧‧‧主動層
307‧‧‧光轉換層
307a‧‧‧通孔
308‧‧‧蝕刻停止物
309‧‧‧源極電極
310‧‧‧汲極電極
311‧‧‧鈍化層
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400‧‧‧有機發光顯示設備
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406‧‧‧主動層
407‧‧‧光轉換層
407a‧‧‧通孔
408‧‧‧蝕刻停止物
409‧‧‧源極電極
410‧‧‧汲極電極
411‧‧‧鈍化層
412‧‧‧第一電極
413‧‧‧像素定義膜
414‧‧‧中間層
415‧‧‧第二電極
500‧‧‧有機發光顯示設備
501‧‧‧基板
502‧‧‧緩衝層
503‧‧‧閘極電極
505‧‧‧閘極絕緣層
506‧‧‧主動層
507‧‧‧光轉換層
508‧‧‧蝕刻停止物
508a‧‧‧通孔
509‧‧‧源極電極
510‧‧‧汲極電極
511‧‧‧鈍化層
512‧‧‧第一電極
513‧‧‧像素定義膜
514‧‧‧中間層
515‧‧‧第二電極
600‧‧‧有機發光顯示設備
601‧‧‧基板
602‧‧‧緩衝層
603‧‧‧閘極電極
605‧‧‧閘極絕緣層
606‧‧‧主動層
607‧‧‧光轉換層
608‧‧‧蝕刻停止物
609‧‧‧源極電極
610‧‧‧汲極電極
610a‧‧‧通孔
611‧‧‧鈍化層
612‧‧‧第一電極
613‧‧‧像素定義膜
614‧‧‧中間層
615‧‧‧第二電極
700‧‧‧有機發光顯示設備
701‧‧‧基板
702‧‧‧緩衝層
703‧‧‧閘極電極
704‧‧‧光阻擋層
704a‧‧‧通孔
705‧‧‧閘極絕緣層
706‧‧‧主動層
707‧‧‧光轉換層
708‧‧‧蝕刻停止物
709‧‧‧源極電極
710‧‧‧汲極電極
711‧‧‧鈍化層
712‧‧‧第一電極
713‧‧‧像素定義膜
714‧‧‧中間層
715‧‧‧第二電極
800‧‧‧有機發光顯示設備
801‧‧‧基板
802‧‧‧緩衝層
803‧‧‧閘極電極
805‧‧‧閘極絕緣層
806‧‧‧主動層
807‧‧‧光轉換層
808‧‧‧蝕刻停止物
809‧‧‧源極電極
810‧‧‧汲極電極
811‧‧‧鈍化層
812‧‧‧第一電極
813‧‧‧像素定義膜
814‧‧‧中間層
814a-c‧‧‧中間層
815‧‧‧第二電極
SP1‧‧‧第一子像素
SP2‧‧‧第二子像素
SP3‧‧‧第三子像素
該領域中通常技術人士可參考所附圖式來詳細描述示範性實施例以對上述的其他特點和優點更加明顯，其中：圖1說明根據實施例的有機發光顯示設備的橫截面圖；圖2說明根據另一實施例的有機發光顯示設備的橫截面圖；圖3說明根據另一實施例的有機發光顯示設備的橫截面圖；圖4說明根據另一實施例的有機發光顯示設備的橫截面圖；圖5說明根據另一實施例的有機發光顯示設備的橫截面圖；圖6說明根據另一實施例的有機發光顯示設備的橫截面圖；圖7說明根據另一實施例的有機發光顯示設備的橫截面圖；以及圖8說明根據另一實施例的有機發光顯示設備的橫截面圖。
韓國專利申請案第10-2010-0018567號，於2010年3月2日在韓國知識產權局提申，名稱為“ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS(有機發光顯示設備)”，其以參考形式將它全部內容併入於此。
示範性實施例現在將參照以下所附的圖式以更加充分地描述，但是他們可能會以不同的形式來實施，並且不應被解釋為僅限於此處本描述的實施例。相反地，提供這些實施例使這這些披露將更徹底和完整，並且對該領域中的技術人士充分表達本發明的範圍。
在圖式中，層和區域的尺寸可被誇大以清晰的說明。它也可以理解成，當層或元素被稱為是“在另一層或基板上”，它可以直接在其他層或基
板上，或者也可以***層來呈現。進一步，當層被稱為是“在另一層下”，它可以直接在其他層上，並且也可以***一個或多個層來呈現。此外，它也可以理解成，當層被稱為是“在兩個層之間”，它可以是在兩個層之間的唯一層，或者也可以***一個或多個層來呈現。相似的參考數字是指整個相似的元素。
圖1說明根據實施例的有機發光顯示設備100的橫截面圖。
在圖1所示的示範性實施例中，有機發光顯示設備100包括基板101、薄膜電晶體TFT、光轉換層107、鈍化層111、第一電極112、中間層114和第二電極115。薄膜電晶體TFT包括閘極電極103、主動層106、源極電極109和汲極電極110。雖然沒有在圖1所示，實施例可應用於包括無薄膜電晶體的被動矩陣(passive matrix，PM)型有機發光顯示設備。
在更詳細中，在圖1所示的實施例中，基板101可由例如包括氧化矽(SiO2)的透明玻璃作為主要組成部分來形成。基板101不限於此，並且基板101可由透明塑料所形成。用來形成基板101的透明塑料可為有機材料，例如，絕緣的有機材料，諸如聚醚碸(polyethersulphone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚對苯二甲酸乙酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚苯硫(polyphenylene sulfide，PPS)、聚烯丙酸酯(polyallylate)、聚亞醯胺、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、纖維素三酯酸酯(cellulose triacetate，TAC)或纖維素醋酸丙酸酯(cellulose acetate propionate，CAP)。
在圖1所示的示範性實施例中，緩衝層102是形成在基板101上。緩衝層102提供平的表面在基板101的上面上並且防止水分和雜質滲透到基板101。緩衝層102可包括具有較高折射率的氮化矽(SiNx)。
在圖1所示的示範性實施例中，閘極電極103形成在緩衝層102上。閘極電極103可由金屬或金屬合金所形成，諸如Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、Al：Nd合金、Mo：W合金或類似物。然而，本發明不限於此，並且閘極電極103可由任何各種導電材料所形成。
在圖1所示的示範性實施例中，閘極絕緣膜105形成在閘極電極103上。閘極電極103和主動層106藉由閘極絕緣膜105相互隔離。閘極絕緣膜105包括具有比緩衝層102的折射率還低的折射率的材料，其接觸閘極絕緣膜105。例如，閘極絕緣膜105可包括氧化矽(SiOx)。
在圖1所示的示範性實施例中，主動層106形成在閘極絕緣膜105上。主動層106可包括任何各種材料。主動層106可包括氧化物半導體。
在圖1所示的示範性實施例中，光轉換層107形成在閘極絕緣膜105上，並且包括如同用來形成主動層106的材料之相同的材料。換句話說，光轉換層107包括用於形成主動層106的氧化物半導體。包括氧化物半導體的光轉換層107可吸收特定波長帶的光。由於氧化物半導體的折射率是高於氧化矽的折射率，包括氧化物半導體的光轉換層107反射一部分從中間層114發射的可見光，從而獲得光線可共振的微腔(microcavity)效應。
在圖1所示的示範性實施例中，蝕刻停止物108形成在主動層106上。源極電極109和汲極電極110形成在蝕刻停止物108上。源極電極109和汲極電極110電接觸部分的主動層106，其未以蝕刻停止物108覆蓋並且暴露出來。因此，如通道運作的主動層106的上表面的部分藉由蝕刻停止物108所保護。當源極電極109和汲極電極110藉由蝕刻來圖案化時，主動層106的上表面可被損壞。這種損壞可由蝕刻停止物108所防止。
在圖1所示的示範性實施例中，蝕刻停止物108包括比光轉換層107的折射率還低的折射率的材料。具體而言，蝕刻停止物108可包括氧化矽(SiO2)。
源極電極109和汲極電極110可由諸如Au、Pd、Pt、Ni、Rh、Ir或Os的金屬或者可由諸如Al、Mo、Al：Nd合金、Mo：W合金或類似物的各種材料的金屬合金所形成，但是本實施例不限於此。
在圖1所示的示範性實施例中，鈍化層111形成在光轉換層107、源極電極109和汲極電極110上。鈍化層111可由任何各種絕緣材料所形成。鈍化層111可由絕緣材料所形成，該絕緣材料具有比形成光轉換層107的材料的折射率還低的折射率。具體而言，鈍化層111可包括氧化矽。
在圖1所示的示範性實施例中，第一電極112形成在鈍化層111上。第一電極112電連接汲極電極110。第一電極112可包括ITO、IZO、ZnO、AZO(摻雜鋁的氧化鋅)或In2O3，每個具有相對高的功函數。第一電極112可具有包括銀的多層薄膜結構。
在圖1所示的示範性實施例中，像素定義膜113形成在第一電極112上。像素定義膜113包括任何各種絕緣材料，是形成以暴露第一電極112的預定部分，並且形成中間層114在第一電極112的暴露部分。第二電極115形成在中間層114上。
在圖1所示的示範性實施例中，中間層114包括有機發光層(未顯示)。當電壓施加到第一電極112和第二電極115時，可見光從有機發光層發出。有機發光層可是有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)的發光層。
當中間層114的有機發光層由低分子量的有機材料所形成時，電洞傳輸層(hole transport layer，HTL)和電洞注入層(hole injection layer，HIL)可堆疊在有機發光層和第一電極112之間，並且電子傳輸層(electron transport layer，ETL)和電子注入層(electron injection layer，EIL)堆疊在有機發光層和第二電極115之間。各種其他層可以根據需要進行堆疊。中間層114可包括任何一種材料，諸如酞花青(phthalocyanine，CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine，NPB)、三-8-羥基奎林鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3)或類似物。當中間層114的有機發光層是由高分子有機材料所形成，只有電洞傳輸層(HTL)可***在有機發光層和第一電極112之間。電洞傳輸層(HTL)可藉噴墨印刷或旋轉塗佈由聚(2,4)-乙烯-二羥基噻吩(poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene，PEDOT)、聚苯胺(polyaniline，PANI)或類似物來形成在第一電極112上。
中間層114的有機發光層可由PPV、可溶性PPV、氰基-PPV、聚茀(polyfluorene)或類似物所形成。透過使用典型的圖案化的方法，如噴墨打印、旋轉塗佈或熱傳遞，可形成中間層114的有機發光層以具有圖案。
在圖1所示的示範性實施例中，形成第二電極115以覆蓋所有像素。在實現中，顯示設備可是底部發光，並且第二電極115可反射。然而，實施例不限於此。第二電極115可由各種導電材料所形成。第二電極115可形成Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或類似物。
密封構件(未顯示)可配置在第二電極115上。可形成密封構件以保護中間層114和其他層的外部水分、氧氣或類似物的滲透，並且可由透明材
料所形成。為此，密封構件可具有藉由玻璃、塑料或無機材料和有機材料的堆疊結構得到多層結構。
根據本實施例的有機發光顯示設備100中，光轉換層107形成在藉由中間層114行進光所產生的路徑上。例如，光轉換層107配置在第一電極112之下。光轉換層107包括具有比包括在鈍化層111中的氧化矽較高的折射率的氧化物半導體。因此，從藉由中間層114所產生的光中朝向基板101的光是藉由在鈍化層111和光轉換層107之間的介面部分地反射。藉由在鈍化層111和光轉換層107之間的介面反射的光朝著中間層114走回並且再次藉由第一電極112或中間層114所反射。因此，藉由中間層114所產生的光可在中間層114和光轉換層107之間的空間內共振。因此，微腔效應可會產生。由於共振所得到的放大光朝基板101發出，從使用者的觀點來看提高了發光效率。
光轉換層107可吸收特定頻率的光。換句話說，光轉換層107包括從藉由中間層114所產生的光中吸收特定頻率的光的氧化物半導體。例如，光轉換層107吸收對應於可見光主要波段以外的波段的光。因此，可以獲得具有改善的光學頻譜的有機發光顯示設備100。
在根據本實施例的有機發光顯示設備100中，閘極絕緣膜105和緩衝層102配置在光轉換層107和基板101之間。在藉由中間層114發出的光中朝向基板走的光是藉由光轉換層107部分地反射並且藉由光轉換層107部分地穿透由。藉由光轉換層107所穿透的光是藉由在閘極絕緣膜105和緩衝層102之間的介面所反射，例如，其中包括氮化矽的緩衝層102具有比包括氧化矽的閘極絕緣膜105還要高的折射率。因此，光所行進的有效路徑長度可以藉由改變在層之間和/或改變折射率的差異來改變。
藉由在緩衝層102和光轉換層105之間的介面所反射的光朝向中間層114走回並且藉由第一電極112或中間層114所反射。因此，從中間層114發
出的光在中間層114和緩衝層102之間的空間內共振。由於共振所得到的放大光發出並且朝基板101輸出，從使用者的觀點來看提高了發光效率。
如上所述，在根據本實施例的有機發光顯示設備100，光共振發生在中間層114和光轉換層107之間的空間以及在中間層114和緩衝層102之間的空間。由於這兩個光共振所發生的空間具有不同的有效長度，所以在不同波長範圍的發光效率可以有所改善。
此外，當形成光轉換層107以達到光共振，並且光轉換層107形成在與主動層106所形成的層的同一層上以及由與主動層106的相同材料所形成，則製程便利度增加並且整體有機發光顯示設備100的厚度是沒有增加，從而促進有機發光顯示設備100的輕薄。
圖2說明根據另一實施例的有機發光顯示設備200的橫截面圖。為了方便解釋，圖2的實施例現在將重點描述在本實施例和圖1的實施例之間差異。
在圖2所示的示範性實施例中，有機發光顯示設備200包括基板201、薄膜電晶體液晶、光轉換層207、鈍化層211、第一電極212、中間層214和第二電極215。薄膜電晶體TFT包括閘極電極203、主動層206、源極電極209和汲極電極210。
在圖2所示的示範性實施例中，緩衝層202形成在基板201上。閘極電極203形成在緩衝層202上。閘極絕緣膜205形成在閘極電極203上。主動層206形成在閘極絕緣膜205上。
在圖2所示的示範性實施例中，光轉換層207形成在閘極絕緣膜205上，並且包括與用來形成主動層206相同材料的材料。
在圖2所示的示範性實施例中，蝕刻停止物208形成在主動層206上。此時，蝕刻停止物208形成以覆蓋光轉換層207。因此，蝕刻停止物208亦配置在光轉換層207和鈍化層211之間。
在圖2所示的示範性實施例中，源極電極209和汲極電極210形成在蝕刻停止物208上。在源極電極209和汲極電極210接觸未以蝕刻停止物208覆蓋並且暴露的部分的主動層206。
在圖2所示的示範性實施例中，鈍化層211形成在源極電極209、汲極電極210和覆蓋光轉換層207的部分蝕刻停止物208。
在圖2所示的示範性實施例中，第一電極212形成在鈍化層211上。第一電極212電連接到汲極電極210。像素定義膜213形成在第一電極212上。像素定義膜213形成以暴露預定部分的第一電極212，並且在第一電極212的暴露部分上形成中間層214。第二電極215形成在中間層214上。
在圖2所示的示範性實施例中，中間層214包括有機發光層(未顯示)。當電壓施加到第一電極212與第二電極215，可見光從有機發光層發出。
密封構件(未顯示)可配置在第二電極215上。密封構件可形成以保護中間層214和其他層免於外部水氣、氧氣或類似物，並可由透明的材料所形成。為此，密封構件可具有多層結構，其藉由玻璃、塑料或無機材料和有機材料的堆疊結構所得到。
使用以形成根據本實施例的有機發光顯示設備200的元件的材料與在前面的實施例中使用的材料相同，因此，其詳細的描述將不再重覆。
在根據本實施例的有機發光顯示設備200中，藉由中間層214所產生的光在中間層214和光轉換層207之間的空間內共振，因此發光效率提高。
光轉換層207可吸收特定頻率的光，因此，可獲得具有改善的光學頻譜的有機發光顯示設備200。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備200中，從中間層214所發射的光也在中間層214和緩衝層202之間的空間共振，因此發光效率提高。
此外，光轉換層207形成在與主動層206所形成的層的同一層上，並且由與主動層206的相同材料所形成。因此，製程便利度增加，有機發光顯示設備200的整體厚度沒有增加，從而促進有機發光顯示設備200的輕薄。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備200中，因為蝕刻停止物208配置在光轉換層207上，光共振的空間延長。相較於圖1，在中間層214和光轉換層207之間發生光共振的空間的長度藉由對應於蝕刻停止物208的厚度的量而增加。同樣，比較圖1，在中間層214和緩衝層202之間發生光共振的空間的長度藉由對應於蝕刻停止物208的厚度的量所增加。
根據光共振發生的空間的長度，改變了發出的光的特性。在本實施例中，光共振發生的空間的長度通過調整蝕刻停止物208的厚度來控制，所以，最佳的發光效率可以從發生在長度控制的空間中的光共振來輕易獲得。
圖3說明根據另一實施例的有機發光顯示設備300的橫截面圖。為了方便解釋，圖3的實施例現在將重點描述在本實施例和圖1與圖2的實施例之間差異。
在圖3所示的示範性實施例中，有機發光顯示設備300包括基板301、薄膜電晶體TFT、光轉換層307、鈍化層311、第一電極312、中間層314和第二電極315。薄膜電晶體TFT包括閘極電極303、主動層306、源極電極309和汲極電極310。
在圖3所示的示範性實施例中，緩衝層302形成在基板301上。閘極電極303形成在緩衝層302上。閘極絕緣膜305形成在閘極電極303上。主動層306形成在閘極絕緣膜305上。
在圖3所示的示範性實施例中，光轉換層307形成在閘極絕緣膜305上，並且包括與使用以形成主動層306的材料的相同的材料。
在圖3所示的示範性實施例中，光轉換層307具有預定的圖案，例如，形成複數個的通孔307a。由於光轉換層307的圖案，在光轉換層307上入射的光被散射。
在圖3所示的示範性實施例中，蝕刻停止物308形成在主動層306上。在源極電極309和汲極電極310形成在蝕刻停止物308上。源極電極309和汲極電極310接觸未以蝕刻停止物308覆蓋並且暴露的部分的主動層306。
在圖3所示的示範性實施例中，鈍化層311形成在光轉換層307、源極電極309和汲極電極310上。
在圖3所示的示範性實施例中，第一電極312形成在鈍化層311上。第一電極312電連接到汲極電極310。像素定義膜313形成在第一電極312上。像素定義膜313形成以暴露預定部分的第一電極312，並且在第一電極312的暴露部分上形成中間層314。第二電極315形成在中間層314上。
在圖3所示的示範性實施例中，中間層314包括有機發光層(未顯示)。當電壓施加到第一電極312與第二電極315時，可見光從有機發光層發出。
密封構件(未顯示)可配置在第二電極315上。密封構件可形成以保護中間層314和其他層免於外部的水氣、氧氣或類似物，並且可由透明材料所形成。為此，密封構件可具有藉由玻璃、塑料或無機材料和有機材料的堆疊結構所得到的多層結構。
使用以形成根據本實施例的有機發光顯示設備300的元件的材料與在前面的實施例中使用的材料相同，因此，其詳細的描述將不再重覆。
在根據本實施例的有機發光顯示設備300中，藉由中間層314所產生的光在中間層314和光轉換層307之間的空間內共振，因此發光效率提高。
光轉換層307可吸收特定頻率的光，因此，可獲得具有改善的光學頻譜的有機發光顯示設備300。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備300中，從中間層314所發射的光也在中間層314和緩衝層302之間的空間共振，因此發光效率提高。
此外，光轉換層307形成在與主動層306所形成的層的同一層上，並且由與主動層306的相同材料所形成。因此，製程便利度增加，有機發光顯示設備300的整體厚度沒有增加，從而促進有機發光顯示設備300的輕薄。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備300中，光轉換層307包括形成於預定的圖案中的複數個通孔307a。由於光轉換層307的圖案，藉由中間層314所產生並且走向光轉換層307的光的部分被散射在光轉換層307的通孔307a的角落和內表面。因此，發出大量的光，從使用者的觀點來看從提高了發光效率。
圖4說明根據另一實施例的有機發光顯示設備400的橫截面圖。為了方便解釋，圖4的實施例現在將重點描述在本實施例和圖1、2與3的實施例之間差異。
在圖4所示的示範性實施例中，有機發光顯示設備400包括基板401、薄膜電晶體TFT、光轉換層407、鈍化層411、第一電極412、中間層4145和第二電極41。薄膜電晶體TFT包括閘極電極403、主動層406、源極電極409和汲極電極410。
在圖4所示的示範性實施例中，緩衝層402形成在基板401上。閘極電極403形成在緩衝層402上。閘極絕緣膜405形成在閘極電極403上。主動層406形成在閘極絕緣膜405上。
在圖4所示的示範性實施例中，光轉換層407形成在閘極絕緣膜405上，並且包括與使用以形成主動層406的材料的相同的材料。
在圖4所示的示範性實施例中，光轉換層407具有預定的圖案，例如，形成複數個的通孔407a。由於光轉換層407的圖案，在光轉換層407上入射的光被散射。
在圖4所示的示範性實施例中，蝕刻停止物408形成在主動層406上。此時，蝕刻停止物408形成以覆蓋光轉換層407。因此，蝕刻停止物408亦配置在光轉換層407和鈍化層411之間。源極電極409和汲極電極410接觸未以蝕刻停止物408覆蓋並且暴露的部分的主動層406。
在圖4所示的示範性實施例中，鈍化層411形成在源極電極409、汲極電極410以及覆蓋光轉換層407的蝕刻停止物408的部分上。
在圖4所示的示範性實施例中，第一電極412形成在鈍化層411上。第一電極412電連接到汲極電極410。像素定義膜413形成在第一電極412上。像素定義膜413形成以暴露預定部分的第一電極412，並且在第一電極412的暴露部分上形成中間層414。第二電極415形成在中間層414上。
在圖4所示的示範性實施例中，中間層414包括有機發光層(未顯示)。當電壓施加到第一電極412與第二電極415時，可見光從有機發光層發出。
密封構件(未顯示)可配置在第二電極415上。密封構件可形成以保護中間層414和其他層免於外部水氣、氧氣或類似物，並可由透明的材料所形成。為此，密封構件可具有多層結構，其藉由玻璃、塑料或無機材料和有機材料的堆疊結構所得到。
使用以形成根據本實施例的有機發光顯示設備400的元件的材料與在前面的實施例中使用的材料相同，因此，其詳細的描述將不再重覆。
在根據本實施例的有機發光顯示設備400中，藉由中間層414所產生的光在中間層414和光轉換層407之間的空間內共振，因此發光效率提高。
光轉換層407可吸收特定頻率的光，因此，可獲得具有改善的光學頻譜的有機發光顯示設備400。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備400中，從中間層414所發射的光也在中間層214和緩衝層402之間的空間共振，因此發光效率提高。
此外，光轉換層407形成在與主動層406所形成的層的同一層上，並且由與主動層406的相同材料所形成。因此，製程便利度增加，有機發光顯示設備400的整體厚度沒有增加，從而促進有機發光顯示設備400的輕薄。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備400中，光轉換層407包括形成於預定的圖案中的複數個通孔407a。由於光轉換層407的圖案，藉由中間層414所產生並且走向光轉換層407的光的部分被散射在光轉換層407的通孔407a的角落和內表面。因此，發出大量的光，從使用者的觀點來看從提高了發光效率。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備400中，因為蝕刻停止物408配置在光轉換層407上，光共振的空間延長。相較於圖1，在發生光共振的空間的長度藉由對應於蝕刻停止物408的厚度的量所增加。光共振發生的空間的長度通過調整蝕刻停止物408的厚度來控制，所以，最佳的發光效率可以從發生在長度控制的空間中的光共振來輕易獲得。
圖5說明根據另一實施例的有機發光顯示設備500的橫截面圖。為了方便解釋，圖5的實施例現在將重點描述在本實施例和圖1至4的實施例之間差異。
在圖5所示的示範性實施例中，有機發光顯示設備500包括基板501、薄膜電晶體TFT、光轉換層507、鈍化層511、第一電極512、中間層514和第二電極515。薄膜電晶體TFT包括閘極電極503、主動層506、源極電極509和汲極電極510。
在圖5所示的示範性實施例中，緩衝層502形成在基板501上。閘極電極503形成在緩衝層502上。閘極絕緣膜505形成在閘極電極503上。主動層506形成在閘極絕緣膜505上。
在圖5所示的示範性實施例中，光轉換層507形成在閘極絕緣膜505上，並且包括與使用以形成主動層506的材料的相同的材料。
在圖5所示的示範性實施例中，蝕刻停止物508形成在主動層506上。此時，蝕刻停止物508形成以覆蓋光轉換層507。蝕刻停止物508具有預定的圖案，以形成複數個通孔508a，以暴露光轉換層507的預定部分。所有的通孔508a面對光轉換層507。由於蝕刻停止物508的圖案，在光轉換層507上入射的光被散射。
在圖5所示的示範性實施例中，源極電極509和汲極電極510接觸未以蝕刻停止物508覆蓋並且暴露的部分的主動層506。
在圖5所示的示範性實施例中，鈍化層511形成在源極電極409、汲極電極510以及覆蓋光轉換層507的蝕刻停止物508的部分上。
在圖5所示的示範性實施例中，第一電極512形成在鈍化層511上。第一電極512電連接到汲極電極510。像素定義膜513形成在第一電極512上。像素定義膜513形成以暴露第一電極512的預定部分，並且在第一電極512的暴露部分上形成中間層514。第二電極515形成在中間層514上。
在圖5所示的示範性實施例中，中間層514包括有機發光層(未顯示)。當電壓施加到第一電極512與第二電極515時，可見光從有機發光層發出。
密封構件(未顯示)可配置在第二電極515上。密封構件可形成以保護中間層514和其他層免於外部水氣、氧氣或類似物，並可由透明的材料所形成。為此，密封構件可具有多層結構，其藉由玻璃、塑料或無機材料和有機材料的堆疊結構所得到。
使用以形成根據本實施例的有機發光顯示設備500的元件的材料與在前面的實施例中使用的材料相同，因此，其詳細的描述將不再重覆。
在根據本實施例的有機發光顯示設備500中，藉由中間層514所產生的光在中間層514和光轉換層507之間的空間內共振，因此發光效率提高。
光轉換層507可吸收特定頻率的光，因此，可獲得具有改善的光學頻譜的有機發光顯示設備500。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備500中，從中間層514所發射的光也在中間層514和緩衝層502之間的空間共振，因此發光效率提高。
此外，光轉換層507形成在與主動層506所形成的層的同一層上，並且由與主動層506的相同材料所形成。因此，製程便利度增加，有機發光顯示設備500的整體厚度沒有增加，從而促進有機發光顯示設備500的輕薄。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備500中，蝕刻停止物508包括形成於預定的圖案中的複數個通孔508a。由於蝕刻停止物508的圖案，藉由中間層514所產生並且走向光轉換層507的光的部分被散射在蝕刻停止物508的通孔508a的角落和內表面。因此，發出大量的光，從使用者的觀點來看從提高了發光效率。
此外，光共振發生的空間的長度通過調整蝕刻停止物508的厚度來控制，所以，最佳的發光效率可以從發生在長度控制的空間中的光共振來輕易獲得。
圖6說明根據另一實施例的有機發光顯示設備600的橫截面圖。為了方便解釋，圖6的實施例現在將重點描述在本實施例和圖1至5的實施例之間差異。
在圖6所示的示範性實施例中，有機發光顯示設備600包括基板601、薄膜電晶體TFT、光轉換層607、鈍化層611、第一電極612、中間層614和
第二電極615。薄膜電晶體TFT包括閘極電極603、主動層606、源極電極609和汲極電極610。
在圖6所示的示範性實施例中，緩衝層602形成在基板601上。閘極電極603形成在緩衝層602上。閘極絕緣膜605形成在閘極電極603上。主動層606形成在閘極絕緣膜605上。
在圖6所示的示範性實施例中，光轉換層607形成在閘極絕緣膜605上，並且包括與使用以形成主動層606的材料的相同的材料。
在圖6所示的示範性實施例中，蝕刻停止物608形成在主動層606上。此時，蝕刻停止物608形成以覆蓋光轉換層607。
在圖6所示的示範性實施例中，源極電極609和汲極電極610形成在蝕刻停止物608上。源極電極609和汲極電極610接觸未以蝕刻停止物608覆蓋並且暴露的部分的主動層606。
源極電極609和汲極電極610可延伸以達到光轉換層607的邊緣。在本實施例中，汲極電極610延伸以達到光轉換層607的邊緣，即汲極電極610延伸到在光轉換層607的邊緣附近的區域。
在圖6所示的示範性實施例中，汲極電極610包括形成以面對光轉換層607的通孔610a。因此，從中間層614發出的光不經過光轉換層607周圍的區域，但通過通孔610a，以朝光轉換層607傳遞。
在圖6所示的示範性實施例中，鈍化層611形成在源極電極609、汲極電極610以及覆蓋光轉換層607的蝕刻停止物608的部分上。
在圖6所示的示範性實施例中，第一電極612形成在鈍化層611上。第一電極612電連接到汲極電極610。像素定義膜613形成在第一電極612上。像素定義膜613形成以暴露第一電極612的預定部分，並且在第一電極612的暴露部分上形成中間層614。第二電極615形成在中間層614上。
在圖6所示的示範性實施例中，中間層614包括有機發光層(未顯示)。當電壓施加到第一電極612和的第二電極615時，可見光從有機發光層發出。
密封構件(未顯示)可配置在第二電極615上。密封構件可形成以保護中間層614和其他層免於外部水氣、氧氣或類似物，並可由透明的材料所形成。為此，密封構件可具有多層結構，其藉由玻璃、塑料或無機材料和有機材料的堆疊結構所得到。
使用以形成根據本實施例的有機發光顯示設備600的元件的材料與在前面的實施例中使用的材料相同，因此，其詳細的描述將不再重覆。
在根據本實施例的有機發光顯示設備600中，藉由中間層614所產生的光在中間層614和光轉換層607之間的空間內共振，因此發光效率提高。從中間層614所發出的光也在中間層614和緩衝層602之間的空間共振，因此發光效率提高。
光轉換層607可吸收特定頻率的光，因此，可獲得具有改善的光學頻譜的有機發光顯示設備600。
此外，光轉換層607形成在與主動層606所形成層的的同一層上，並且由與主動層606的相同材料所形成。因此，製程便利度增加，有機發光顯示設備600的整體厚度沒有增加，從而促進有機發光顯示設備600的輕薄。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備600中，蝕刻停止物608配置在光轉換層607上，並且光共振發生的空間的長度通過調整蝕刻停止物608的厚度來控制，所以，最佳的發光效率可以從發生在長度控制的空間中的光共振來輕易獲得。
此外，汲極電極610延伸至光轉換層607的邊緣。因此，從中間層614所產生的光無法穿過光轉換層607周圍的區域，並且這樣較高比例的穿過光轉換層607的光，從而提高了發光效率。因此，提高顯示對比度。
雖然沒有顯示，本實施例的結構可應用於沒有任何蝕刻停止物608安裝在光轉換層607上的結構、光轉換層607是圖案化的結構以及其他各種結構。
圖7說明根據另一實施例的有機發光顯示設備700的橫截面圖。為了方便解釋，圖7的實施例現在將重點描述在本實施例和圖1至6的實施例之間差異。
在圖7所示的示範性實施例中，有機發光顯示設備700包括基板701、光阻擋層704、薄膜電晶體TFT、光轉換層707、鈍化層711、第一電極712、中間層714和第二電極715。薄膜電晶體TFT包括閘極電極703、主動層706、源極電極709和汲極電極710。
在圖7所示的示範性實施例中，緩衝層702形成在基板701上。閘極電極703形成緩衝層702上。光阻擋層704也形成在緩衝層702上，以脫離閘極電極703。光阻擋層704由用來以形成閘極電極703的相同材料所形成。光阻擋層704包括用於阻擋入射到光轉換層707周圍的區域的通孔704a，並且詳細說明將說明如下。
在圖7所示的示範性實施例中，閘極絕緣膜705形成在閘極電極703和光阻擋層704上。主動極層706形成在閘極絕緣膜705上。
在圖7所示的示範性實施例中，光轉換層707形成在閘極絕緣膜705上，並且包括與使用以形成主動層706的材料的相同的材料。形成光轉換層707以面對光阻擋層704的通孔704a。因此，從中間層714所發射的光中不行經光轉換層707周圍的區域但朝著光轉換層707行進的光通過通孔704a發出。
在圖7所示的示範性實施例中，蝕刻停止物708形成在主動層706上。此時，形成蝕刻停止物708以覆蓋光轉換層707。
在圖7所示的示範性實施例中，源極電極709和汲極電極710形成在蝕刻停止物708上。源極電極709和汲極電極710接觸未以蝕刻停止物708覆蓋並且暴露的部分的主動層706。
在圖7所示的示範性實施例中，鈍化層711形成在源極電極709、汲極電極710和覆蓋光轉換層707的蝕刻停止物708的部分上。
在圖7所示的示範性實施例中，第一電極712形成在鈍化層711上。第一電極712電連接到汲極電極710。像素定義膜713形成在第一電極712上。像素定義膜713形成以暴露第一電極712的預定部分，並且在第一電極712的暴露部分上形成中間層714。第二電極715形成在中間層714上。
在圖7所示的這示範性實施例中，中間層714包括有機發光層(未顯示)。當電壓施加到第一電極712與第二電極715時，可見光從有機發光層發出。
密封構件(未顯示)可配置在第二電極715上。密封構件可形成以保護中間層714和其他層免於外部水氣、氧氣或類似物，並可由透明的材料所形成。為此，密封構件可具有多層結構，其藉由玻璃、塑料或無機材料和有機材料的堆疊結構所得到。
使用以形成根據本實施例的有機發光顯示設備700的元件的材料與在前面的實施例中使用的材料相同，因此，其詳細的描述將不再重覆。
在根據本實施例的有機發光顯示設備700中，藉由中間層714所產生的光在中間層714和光轉換層707之間的空間內共振，因此發光效率提高。從中間層714所發射的光也在中間層714和緩衝層702之間的空間共振，因此光效率提高。
此外，光轉換層707可吸收特定頻率的光，因此，可獲得具有改善的光學頻譜的有機發光顯示設備700。
此外，光轉換層707形成在與主動層706所形成的層的同一層上，並且由與主動層706的相同材料所形成。因此，製程便利度增加，有機發光顯示設備700的整體厚度沒有增加，從而促進有機發光顯示設備700的輕薄。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備700中，蝕刻停止物708配置在光轉換層707上，並且光共振發生的空間的長度通過調整蝕刻停止物708的厚度來控制，所以，最佳的發光效率可以從發生在長度控制的空間中的光共振來輕易獲得。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備700中，光阻擋層704形成在緩衝層702上。因此，從中間層714所產生的光無法穿過光轉換層707周圍的區域，並且這樣較高比例的穿過光轉換層707的光，從而提高了發光效率。因此，提高顯示對比度。
雖然沒有顯示，本實施例的結構可應用於沒有任何蝕刻停止物708安裝在光轉換層707上的結構、光轉換層707是圖案化的結構以及其他各種結構。
圖8說明根據另一實施例的有機發光顯示設備800的橫截面圖。為了方便解釋，圖8的實施例現在將重點描述在本實施例和圖1至7的實施例之間差異。
在圖8所示的這示範性實施例中，有機發光顯示設備800包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3可是不同顏色的子像素。
為了方便解釋，單一第一子像素SP1、單一第二子像素SP2和單一第三子像素SP3是說明在圖8。然而，有機發光顯示設備800可包括複數個第一子像素SP1、複數個第二子像素SP2和複數個第三子像素SP3。
在圖8所示的這示範性實施例中，第一子像素SP1包含鈍化層811、第一電極812、包括第一有機發光層的第一中間層814a和第二電極815。第二子像素SP2包括包含氧化物半導體的光轉換層807、鈍化層811、第一電極812、包括第二有機發光層的第二中間層814b和第二電極815。第三子像素SP3包含光轉換層807、蝕刻停止物808、鈍化層811、第一電極812、包括第三有機發光層的第三中間層814c和第二電極815。
在圖8所示的這示範性實施例中，第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3包括薄膜電晶體TFT。每個薄膜電晶體TFT包括閘極電極803、主動層806、源極電極809和汲極電極810。
在圖8所示的這示範性實施例中，緩衝層802形成在基板801上。閘極電極803形成在緩衝層802上。閘極絕緣膜805形成在閘極電極803上。主動層806形成在閘極絕緣膜805上。
在圖8所示的這示範性實施例中，光轉換層807形成在閘極絕緣膜805上，包括與使用以形成主動層806的材料的相同的材料。光轉換層807形成於第二和第三子像素SP2和SP3中。
在圖8所示的這示範性實施例中，蝕刻停止物808形成在主動層806上。此時，形成蝕刻停止物808以覆蓋第三子像素SP3的光轉換層807。
在圖8所示的這示範性實施例中，源極電極809和汲極電極810形成在蝕刻停止物808上。源極電極809和汲極電極810接觸未以蝕刻停止物808覆蓋並且暴露的部分的主動層806。
在圖8所示的這示範性實施例中，鈍化層811形成在光轉換層807、蝕刻擋808、源極電極809和汲極電極810上。
在圖8所示的這示範性實施例中，第一電極812形成在鈍化層811上。第一電極812電連接到汲極電極810。像素定義膜813形成在第一電極812上。像素定義膜813形成以暴露第一電極812的預定部分，在第一電極812的暴露部分上形成中間層814。
在圖8所示的這示範性實施例中，中間層814包括有機發光層(未顯示)。當電壓施加到第一電極812與第二電極815時，可見光從有機發光層發出。中間層814包括第一中間層814a、第二中間層814b和第三中間層814c。在第一子像素SP1中，形成第一中間層814a。在第二子像素SP2中，形成第二中間層814b。在第三子像素SP3中，形成第三中間層814c。第一中間層814a包括第一有機發光層，第二中間層814b包括第二有機發光層，第三中間層814c包括第三有機發光層，這樣第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以發出不同的顏色。在一實施中，白光的光源可以藉由驅動第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3以同時顯示彩色光來形成。因此，白光所顯示的色溫可以藉由例如改變在一個或多個第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3中的光共振效應來調整。
在圖8所示的這示範性實施例中，第二電極815形成在橫跨第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3的中間層814上。
密封構件(未顯示)可配置在第二電極815上。密封構件可形成以保護中間層814和其他層免於外部水氣、氧氣或類似物，並可由透明的材料所形成。為此，密封構件可具有多層結構，其藉由玻璃、塑料或無機材料和有機材料的堆疊結構所得到。
使用以形成根據本實施例的有機發光顯示設備800的元件的材料與在前面的實施例中使用的材料相同，因此，其詳細的描述將不再重覆。
在根據目前的實施例的有機發光顯示設備800中，在第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3中的中間層814和緩衝層802之間的距離是不同的。換句話說，在第一子像素SP1中的第一電極812和閘極絕緣膜805之間的距離、在第二子像素SP2中的第一電極812和光轉換層807之間的距離以及在第三子像素SP3中的第一電極812和覆蓋光轉換層807的蝕刻停止物808之間的距離可以是相同的。因此，第一電極812和緩衝層802之間的距離在第一子像素SP1中是最短的和在第三子像素SP3中是最長的。因此，藉由緩衝層802所反射而走向基板801以及從中間層814所產生的光中朝向中間層814走回的光的光路徑長度是作為每個子像素而不同，使光線共振獨立發生在每個子像素。因此，各自的最佳光共振效應可在發出不同顏色的子像素中獲得。
另一個實施中，在各自子像素中的光路徑長度的有效差異可藉由層內不同配置來提供，例如，通過實施不同的層和/或不同層的厚度，從而改變部分反射光的折射係數介面的相對位置。例如，第二和第三子像素SP2、SP3在各自第一電極812和緩衝層802之間可具有相同的距離。在第二子像素SP2中，光轉換層807可藉由預定的距離與第一電極812分隔，並且有效路徑長度可被定義在第一電極812和光轉換層807/鈍化層811的介面之間。在第三子像素SP3中，光轉換層807也可藉由預定的距離與第一電極812分隔，但不同的有效路徑長度可被定義在第三子像素SP3中的第一電極812和層蝕刻停止層808/鈍化層811的介面之間。因此，在每個子像素中的各自的第一電極和緩衝層之間的距離可是不變的，在同一時間，在每個子像素中提供不同的有效路徑長度和不同共振頻率。
此外，在第二子像素SP2和第三子像素SP3中，中間層814所產生的光在中間層814和光轉換層807之間的空間共振，因此發光效率提高。特別是在第三子像素SP3中，蝕刻停止物808被配置在光轉換層807和鈍化層811之間，
因而光發生共振的距離增加。因此，發生在中間層814和光轉換層807之間的光共振可在第二子像素SP2和第三子像素SP3是有所不同。
此外，光轉換層807可吸收特定頻率的光，因此，可獲得具有改善的光學頻譜的有機發光顯示設備800。
示範性實施例已揭露於此，雖然特定的用語是使用的，並且它們被使用且以通用且能描述的理解來解釋，而不是用於限制的目的。因此，在該領域中通常技藝者將是理解成各種形式的變化和細節可在不偏離下列所規定的申請專利範圍中的本發明的精神和範圍內完成。
100‧‧‧有機發光顯示設備
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧閘極電極
105‧‧‧閘極絕緣層
106‧‧‧主動層
107‧‧‧光轉換層
108‧‧‧蝕刻停止物
109‧‧‧源極電極
110‧‧‧汲極電極
111‧‧‧鈍化層
112‧‧‧第一電極
113‧‧‧像素定義膜
114‧‧‧中間層
115‧‧‧第二電極
Claims (23)
- 一種有機發光顯示設備，包括：基板；光轉換層，其係在該基板上，該光轉換層包括氧化物半導體；鈍化層，其係覆蓋該光轉換層；第一電極，其係在該鈍化層上；中間層，其係在該第一電極上，該中間層包括有機發光層；以及第二電極，其係在該中間層上，其中，該中間層包括一區域，在該區域內該中間層覆蓋且接觸該第一電極，且該光轉換層的一部分覆蓋該中間層的該區域。
- 根據申請專利範圍第1項的有機發光顯示設備，其中該光轉換層被配置在藉由該中間層所產生的光行進的路徑上。
- 根據申請專利範圍第1項的有機發光顯示設備，其中該光轉換層具有比該鈍化層的折射率還高的折射率。
- 根據申請專利範圍第1項的有機發光顯示設備，其中該鈍化層包括氧化矽。
- 根據申請專利範圍第1項的有機發光顯示設備，進一步包括配置在該基板和該光轉換層之間的緩衝層。
- 根據申請專利範圍第5項的有機發光顯示設備，其中該緩衝層包括氮化矽。
- 根據申請專利範圍第1項的有機發光顯示設備，其中該光轉換層以預定圖案來形成，使其包括複數個通孔。
- 根據申請專利範圍第1項的有機發光顯示設備，進一步包括配置在該鈍化層和該基板之間的薄膜電晶體，該薄膜電晶體電連接到該第一電極，並且該薄膜電晶體包括閘極電極、主動層、源極電極和汲極電極。
- 根據申請專利範圍第8項的有機發光顯示設備，其中該主動層由形成該光轉換層的材料來形成。
- 根據申請專利範圍第8項的有機發光顯示設備，其中該主動層形成在該光轉換層所形成的層上。
- 根據申請專利範圍第8項的有機發光顯示設備，其中：閘極絕緣膜將該閘極電極與該主動層絕緣，以及該閘極絕緣膜是位在該基板和該光轉換層之間。
- 根據申請專利範圍第11項的有機發光顯示設備，其中該閘極絕緣膜包括氧化矽。
- 根據申請專利範圍第8項的有機發光顯示設備，進一步包括在該主動層、該源極電極和該汲極電極之間的蝕刻停止物。
- 根據申請專利範圍第13項的有機發光顯示設備，其中該蝕刻停止物位在該光轉換層和該鈍化層之間。
- 根據申請專利範圍第14項的有機發光顯示設備，其中該蝕刻停止物包括複數個通孔，該通孔暴露部分的該光轉換層。
- 根據申請專利範圍第13項的有機發光顯示設備，其中該蝕刻停止物包括氧化矽。
- 根據申請專利範圍第8項的有機發光顯示設備，其中：該源極電極或該汲極電極擴展，從而達到該光轉換層的邊緣，以阻止光線從該光轉換層周圍的區域流入，以及經擴展從而達到該光轉換層的邊緣的該源極電極或該汲極電極包括面對該光轉換層的通孔。
- 根據申請專利範圍第17項的有機發光顯示設備，其中經擴展從而達到該光轉換層的邊緣的該源極電極或該汲極電極環繞該光轉換層的周圍。
- 根據申請專利範圍第8項的有機發光顯示設備，進一步包括配置在該基板和該光轉換層之間的光阻擋層，該光阻擋層阻擋光線流入該光轉換層周圍的區域。
- 根據申請專利範圍第19項的有機發光顯示設備，其中光阻擋層包括面對該光轉換層的通孔。
- 根據申請專利範圍第19項的有機發光顯示設備，其中該光阻擋層由形成該閘極電極的材料來形成。
- 根據申請專利範圍第1項的有機發光顯示設備，其中藉由該中間層所產生的光朝該基板發射。
- 一種有機發光顯示設備，其包括：在基板上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中：每個第一、第二和第三子像素包括在該基板上的鈍化層、在該鈍化層上的第一電極、在該第一電極上並且包括有機發光層的中間層以及在該中間層上的第二電極， 該第二子像素進一步包括第二子像素光轉換層，其包括氧化物半導體，該第二子像素光轉換層位在該基板上，並且第二子像素鈍化層位在該光轉換層上，以及該第三子像素進一步包括在該基板上的第三子像素光轉換層，並且進一步包括在該第三子像素光轉換層上的絕緣層，該第三子像素光轉換層包括氧化物半導體，並且第三子像素鈍化層位在該光轉換層上。
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