TWI545689B - 製程後端金屬互連層狀結構之形成方法與積體晶片 - Google Patents

製程後端金屬互連層狀結構之形成方法與積體晶片 Download PDF

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TWI545689B
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郭子駿
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Description

製程後端金屬互連層狀結構之形成方法與積體晶片
本發明提供一種半導體元件與其形成方法，且特別係有關於一種製程後端金屬互連層狀結構之形成方法。
目前的積體晶片(integrated chip)包含數百萬個半導體元件。這些半導體元件係藉由製程後端金屬互連層狀結構(back-end-of-line metal interconnect layers)彼此電性互連，其中製程後端金屬互連層狀結構係形成於積體晶片上的元件上方。一個典型的積體晶片包括複數個製程後端金屬互連層狀結構，這些製程後端金屬互連層狀構包括不同尺寸的金屬導線，其中這些金屬導線與金屬接觸插塞(亦即，通孔(vias))垂直耦合在一起。
通常是使用雙鑲嵌製程(dual damascene process)形成製程後端金屬互連層狀結構。在雙鑲嵌製程中，沉積介電材料(例如，低介電常數(low k)介電材料，超低介電常數(ultra low k)介電材料)於半導體基板的表面上。接著選擇性地蝕刻此介電材料，藉以在介電材料中形成使用於通孔層及相鄰金屬層的腔體(cavities)。在一個典型的通孔優先雙鑲嵌製程(via-first dual damascene process)中，首先在介電材料中蝕刻一個通孔(via hole)，接著形成金屬線溝槽於該通孔的頂部之上。通孔及 溝槽形成之後，沉積擴散阻障層及晶種層於空腔之中。接著，利用電化學電鍍製程(electro chemical platting process)，同時填充金屬(例如，銅)於通孔及金屬溝槽之中。最後，利用化學機械研磨(chemical mechanical polishing)製程平坦化基板的表面，以除去任何多餘的金屬。
本發明提供一種製程後端金屬互連層狀結構(metal back-end-of-the-line interconnect layer)的形成方法。該方法包括沉積一或複數層自組裝單分子層於一半導體基板之上，藉以定義出一金屬互連層狀結構區域。該方法尚包括選擇性地沉積一金屬互連層狀結構，其中該金屬互連層狀結構包括複數個金屬結構位於該半導體基板之上的該金屬互連層狀結構區域之內。該方法尚包括沉積一層間介電層到該半導體基板之上介於該些金屬結構之間的區域。
本發明另提供一種製程後端金屬互連層狀結構(metal back-end-of-the-line interconnect layer)的形成方法。該方法包括選擇性地沉積一第一自組裝單分子層於一底部第一層間介電層之上，其中該第一層間介電層位於一半導體基板之上，以及選擇性地沉積一第二自組裝單分子層於一底部金屬互連層狀結構之上，其中該金屬互連層狀結構位於該半導體基板之上。該方法尚包括選擇性地曝光該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層於輻射之中，其中該輻射使該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層劣化。該方法尚包括移除該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層的劣化區域。該 方法尚包括無電電鍍一金屬互連層狀結構於該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層受到移除之區域，其中該金屬互連層狀結構包括一個或複數個金屬結構。該方法尚包括沉積一第二層間介電層到該半導體基板之上介於該些金屬結構之間的區域。該方法尚包括在形成該第二層間介電層之後，退火該基板，其中退火該基板將形成一自形成阻障層介於該些金屬結構與該第二層間介電層之間。
本發明亦提供一種積體晶片，包括一第一金屬互連層狀結構設置在一第一層間介電層之內。一第一自組裝單分子層位於該第一層間介電層之上，其中該第一自組裝單分子層具有一個或複數個開口。一第二層間介電層位於該第一自組裝單分子層之上。一第二金屬互連層狀結構設置在該第二層間介電層之中，並且位於該第一自組裝單分子層的該開口或該些開口之中。
100‧‧‧剖面圖
102‧‧‧半導體基板
104‧‧‧層間介電層
104a‧‧‧第一層間介電層
104b‧‧‧第二層間介電層
104c‧‧‧第三層間介電層
106‧‧‧第一自組裝單分子層
108‧‧‧自形成阻障層
110‧‧‧金屬催化劑層
112‧‧‧第二自組裝單分子層
114a‧‧‧開口
114b‧‧‧開口
116a‧‧‧開口
116b‧‧‧開口
V0‧‧‧第一金屬互連層狀結構
M1‧‧‧第二金屬互連層狀結構
V1‧‧‧第三金屬互連層狀結構
200‧‧‧在積體晶片上形成製程後端互連層狀結構的方法
202‧‧‧提供半導體基板
204‧‧‧利用一或複數層自組裝單分子層在半導體基板上定義出金屬互連層狀結構區域
206‧‧‧選擇性地沉積一金屬互連層狀結構於金屬互連層狀結構區域之內
208‧‧‧形成層間介電層於半導體基板之上
210‧‧‧加熱半導體基板以形成自形成阻障層
300‧‧‧在積體晶片上形成製程後端金屬互連層狀結構之方法
302‧‧‧提供半導體基板
304‧‧‧形成第一金屬互連層狀結構在位於半導體基板上方的第一層間介電 層之內
306‧‧‧選擇性地沉積第一自組裝單分子層於第一層間介電層之上
308‧‧‧選擇性地沉積第二自組裝單分子層於第一金屬互連層狀結構之上
310‧‧‧選擇性地暴露第一自組裝單分子層及第二自組裝單分子層於輻射源中
312‧‧‧移除第一自組裝單分子層及第二自組裝單分子層的暴露區域以定義出金屬互連層狀結構區域
314‧‧‧選擇性地沉積金屬催化劑層於金屬互連層狀結構區域被選擇的部分之中
316‧‧‧實施無電電鍍製程以形成第二金屬互連層狀結構於金屬互連層狀結構區域之中
318‧‧‧沉積第二層間介電層於半導體基板之上
320‧‧‧平坦化半導體基板
322‧‧‧對半導體基板進行退火步驟以形成自形成阻障層
400‧‧‧與步驟302相對應的剖面圖
500‧‧‧與步驟304相對應的剖面圖
600‧‧‧與步驟306步驟及308相對應的剖面圖
700‧‧‧剖面圖
702‧‧‧首端基團
704‧‧‧分子鏈
706‧‧‧末端基團
708‧‧‧剖面圖
710‧‧‧首端基團
712‧‧‧分子鏈
714‧‧‧末端基團
716‧‧‧金屬互連層狀結構
800‧‧‧與步驟310相對應的剖面圖
802‧‧‧光罩
804‧‧‧紫外線輻射
900‧‧‧與步驟312相對應的剖面圖
1000‧‧‧與步驟314相對應的剖面圖
1100‧‧‧與步驟316相對應的剖面圖
1102‧‧‧無電電鍍溶液(electroless solution)
1104‧‧‧金屬離子
1106‧‧‧合金摻雜劑
1200‧‧‧與步驟318相對應的剖面圖
1300‧‧‧剖面圖
1400‧‧‧剖面圖
1500‧‧‧剖面圖
1600‧‧‧與步驟320相對應的剖面圖
1602‧‧‧熱能
第1圖為一剖面圖，用以顯示積體晶片的部份實施例。
第2圖為一流程圖，用以顯示在積體晶片上形成製程後端互連層狀結構的方法之部份實施例。
第3圖為一流程圖，用以顯示在積體晶片上形成製程後端金屬互連層狀結構之方法的部份實施例。
第4~6、7A~7B、8-16圖為一系列剖面圖，用以顯示某些示範性半導體基板的實施例。
雙鑲嵌金屬化製程(dual damascene metallization processes)容易產生部份潛在的蝕刻缺陷，這些蝕刻缺陷可能會影響金屬互連層狀結構的品質。舉例而言，為了避免金屬線溝槽下方的通孔受到進一步蝕刻，進行金屬線溝槽的蝕刻之前，會在該通孔之中***一光阻插塞(photoresist plug)。若光阻插塞形成的高度太高，介電材料會因蝕刻不足(under-etched)而留下柵狀缺陷(fence defects)。反之，若光阻形成插塞高度太低，介電材料會因蝕刻過度(over-etched)而留下刻面缺陷(facet defects)。此外，在光阻剝離期間，蝕刻步驟可能會傷害介電材料(例如，對介電溝槽側壁造成傷害)。這樣的蝕刻缺陷可能會產生空洞缺陷(voids defects)或凹坑缺陷(pit defects)，這些缺陷將對金屬互連線的可靠性產生負面影響。
因此，本發明係關於一種形成製程後端金屬互連層狀結構的方法，此製程後端金屬互連層狀結構能夠減少對金屬互連層狀結構周圍之介電材料造成的傷害。此方法的實施是在半導體基板上沉積一或複數層的自組裝單分子層(self-assembled monolayers)，藉此定義金屬互連層狀結構區域。具有複數個金屬結構的金屬互連層狀結構形成於半導體基板上的金屬互連層狀結構區域之內。接著，層間介電層(inter-level dielectric layer)形成在半導體基板上介於複數個金屬結構之間的區域。在沉積層間介電層之前，使用一或複數層的自組裝單分子層形成金屬互連層狀結構，藉此減少對層間介電層造成的蝕刻傷害。
第1圖為一剖面圖100，用以顯示積體晶片的部份 實施例，其中此積體晶片具有本發明所揭露的製程後端金屬互連堆疊。
此積體晶片包括半導體基板102。第一層間介電層(ILD)104a設置於半導體基板102之上，以及第一金屬互連層狀結構V0設置於第一層間介電層104a之內，其中第一金屬互連層狀結構V0包括：複數個金屬結構。在第一金屬互連層狀結構V0可包括接觸插塞/通孔層(contact/via layer)，藉此提供延伸通過第一層間介電層104a的垂直互連。在部份實施例中，第一金屬互連層狀結構V0可包括複數個導電接觸插塞(例如，鎢、銅等等)，這些導電接觸可將製程後端金屬互連堆疊(例如，金屬互連層狀結構M1、V1，等)連接到位於半導體基板102內的複數個半導體元件。
第一自組裝單分子層(self-assembled monolayer,SAM)106位於第一層間介電層104a之上。第一自組裝單分子層106包括有機分子的有序組裝集合體(ordered assembly)，此有機分子的有序組裝集合體包括一個首端基團(head group)以及一個末端基團(terminal group)，其中首端基團與第一層間介電層104a接觸，而末端基團藉由分子鏈與首端基團連接。第一自組裝單分子層106沿著第一層間介電層104a的頂部表面延伸，並且包括複數個開口114a-114b，其中開口114a-114b使位於其下方的材料暴露出來。第二層間介電層104b設置於第一自組裝單分子層106之上。包括複數個金屬結構的第二金屬互連層狀結構M1設置於第二層間介電層104b之內，並且設置在位於第一自組裝單分子層106中的複數個開口114a-114b的至少一個開 口之內。第二金屬互連層狀結構M1可包括第一銅金屬薄層。
在部份實施例中，金屬催化劑層110位於第二金屬互連層狀結構M1的底部，其中第二金屬互連層狀結構M1位於開口114a-114b的一個或複數個開口之內。金屬催化劑層110使第二金屬互連層狀結構M1位於其下方的材料彼此分隔。舉例而言，金屬催化劑層110可位於銅或合金互連層狀結構M1的底部，其中銅或合金互連層狀結構M1設置於第一層間介電層104a之上，或者金屬催化劑層110可位於銅互連層狀結構M1的底部，其中銅互連層狀結構M1設置於由導電性材料(例如，鎢、銅等等)所製成的第一金屬互連層狀結構V0之上。在部份實施例中，所述金屬催化劑層110包括鈀(palladium)。
第一自組裝單分子層106也位於第二層間介電層104b之上。第一自組裝單分子層106沿著第二層間介電層104b的頂部表面延伸，並且包括複數個開口116a-116b，其中開口116a-116b使位於其下方的材料暴露出來。第二自組裝單分子層112位於第二金屬互連層狀結構M1之上，其中第二金屬互連層狀結構M1位於第一自組裝單分子層106中的至少一個開口116b之內。第二自組裝單分子層112包括一個有機分子的有序組裝集合體，此有機分子的有序組裝集合體包括一個首端基團以及一個末端基團，其中首端基團與第二金屬互連層狀結構M1接觸，而末端基團藉由分子鏈與首端基團連接。
第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112包括首端基團(位於底部表面之上)及末端基團(位於頂部表面之上)。在部份實施例中，第一自組裝單分子層106及第二自 組裝單分子層112包括疏水性(hydrophobic)的末端基團(亦即，避免黏附)。舉例而言，金屬催化劑層110不會附著在第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112的疏水性表面上，因此，金屬催化劑層110將形成於第一自組裝單分子層106或第二自組裝單分子層112的開口(例如，114或116)之中。在部份實施例中，第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112包括首端基團，其中此首端基團用以決定自組裝單分子層將附著於其下方的金屬表面，抑或是附著於其下方的介電材料表面。舉例而言，第一自組裝單分子層106可包括首端基團，其中此首端基團允許第一自組裝單分子層106附著於其下方的介電材料表面，而第二自組裝單分子層112可包括首端基團，其中此首端基團允許第二自組裝單分子層112附著於其下方的金屬表面。
第三金屬互連層狀結構V1包括複數個金屬結構，並且位於第一自組裝單分子層106之開口116a中的第二金屬互連層狀結構M1之上。第三金屬互連層狀結構V1垂直耦合到下方的第二金屬互連層狀結構M1，並垂直地延伸通過第三層間介電層104c及第一自組裝單分子層106。第三層間介電層104c位於第一自組裝單分子層106之上，並且位於第三金屬互連層狀結構V1的複數個金屬結構之間的區域中。
在部份實施例中，兩個相鄰的金屬互連層狀結構可包括相同的材料。舉例而言，第二金屬互連層狀結構M1及第三金屬互連層狀結構V1可包括銅。在此類實施例中，相鄰的金屬互連層狀結構形成一個連續不間斷的金屬結構(例如，第 二金屬互連層狀結構M1及第三金屬互連層狀結構V1形成一個沒有任何金屬催化劑層設置於兩者之間的連續不間斷之銅材料構)。
一種自形成阻障層(self-forming barrier layer)108位於金屬互連層狀結構V0、金屬互連層狀結構M1、金屬互連層狀結構V1與層間介電層104a-104c之間。自形成阻障層108避免金屬互連層狀結構V0、金屬互連層狀結構M1、金屬互連層狀結構V1內的金屬分子擴散到層間介電層104a-104c。在部份實施例中，自形成阻障層108包括金屬氧化物或金屬矽酸鹽氧化物(metal silicate oxide)。
第2圖為一流程圖，用以顯示在積體晶片上形成製程後端互連層狀結構的方法200之部份實施例。應可理解的是，可替代地執行方法200的步驟204-208，以形成複數個金屬互連層狀結構於製程後端金屬互連堆疊之內。
在步驟202中，提供半導體基板。
在步驟204中，利用一或複數層自組裝單分子層在半導體基板上定義出金屬互連層狀結構區域。此金屬互連層狀結構區域是隨後形成金屬互連層狀結構之金屬結構(例如，金屬溝槽或金屬通孔)的區域。在半導體基板的表面上沉積一或複數層自組裝單分子層，藉此定義出金屬互連層狀結構區域。
在部份實施例中，沉積自組裝單分子層於金屬互連層狀結構區域的外側，藉以定義出金屬互連層狀結構區域，其中此金屬互連層狀結構區域具有一末端基團，此末端基團的界面特性(interfacial property)能夠避免金屬輕易地附著到自 組裝單分子層。在此類實施例中，自組裝單分子層能夠使金屬積聚於金屬互連層狀結構區域內，同時避免金屬積聚於金屬互連層狀結構區域以外的區域。
在部份其他實施例中，沉積一或複數層自組裝單分子層於半導體基板上，並且接著在此半導體基板表面上的金屬互連層狀結構區域製造開口，藉以定義出金屬互連層狀結構區域。在此所使用的一或複數層自組裝單分子層具有一末端基團，此末端基團的界面特性不允許金屬輕易地附著到所使用的一或複數層自組裝單分子層，同時金屬互連層狀結構區域的開口具有另一界面特性，此界面特性允許金屬輕易地附著在金屬互連層狀結構區域的開口。
在步驟206中，一個金屬互連層狀結構包括複數個金屬結構，其中這些金屬結構選擇性地沉積在半導體基板上的金屬互連層狀結構區域之內。金屬互連層狀結構可包括金屬線層或金屬通孔層，其中金屬線層的設置用以提供水平互連，而金屬通孔層的設置用以提供垂直互連。在部份實施例中，利用無電電鍍製程(electroless plating process)形成金屬互連層狀結構，其中無電電鍍製程利用位於金屬互連層狀結構區域的晶種材料產生複數個金屬結構。在部份實施例中，晶種材料可包括基底(underlying)金屬互連層狀結構，而在其他實施例中，晶種材料可包括金屬催化劑層。在部份實施例中，金屬互連層狀結構可包括具有摻雜合金(doping alloy)摻雜於其中的第一金屬(例如，銅)，其中摻雜合金包括具有濃度較第一金屬的濃度更低的第二金屬(例如，鉬)。
在步驟208中，形成層間介電層(ILD)於半導體基板之上。層間介電層形成於半導體基板上的方式為填充金屬互連層狀結構的複數個金屬結構之間的區域。在部份實施例中，在層間介電層可包括低介電常數(low-k)介電材料層或超低介電常數(ultra low-k)介電材料層。
在步驟210中，加熱半導體基板以形成自形成阻障層(self-forming barrier layer)。藉由摻雜合金與層間介電層之間的反應，可形成自形成阻障層於金屬互連層狀結構與層間介電層之間的界面處。自形成阻障層可避免從金屬互連層狀結構進入到層間介電層的擴散。
因此，使用方法200形成金屬互連層狀結構，是藉由在一或複數層自組裝單分子層所定義出的區域中形成複數個金屬結構，接著形成層間介電層於這些金屬結構之間。本發明所屬技術區域中具有同常知識者應可理解，由於層間介電層形成於金屬結構之上，存在於習知的雙鑲嵌製程中的蝕刻問題(例如，過度蝕刻超低介電常數介電材料、刻面缺陷、柵狀缺陷等)因而得以消除。
第3圖為一流程圖，用以顯示在積體晶片上形成製程後端金屬互連層狀結構之方法300的部份實施例。
雖然在本說明書中本發明所揭露的方法(例如，方法200及方法300)以一系列的步驟或項目進行描述或呈現，應可理解的是，這些步驟或項目的說明順序並非用以限制本發明。例如，部份步驟可以採取不同的順序進行及/或同時與本文所顯示及/或所描述以外的其他步驟或項目一起進行。此 外，實施本發明所描述的一個或複數個實施例時，並非本發明所顯示的所有步驟皆為必需。此外，對於本發明所描述的步驟中之一個或複數個步驟而言，可在一個步驟中進行或是在複數個步驟及/或階段中分開進行。
在步驟302中，提供半導體基板。此半導體基板可包括任何類型的半導體基材(例如，矽、矽鍺、絕緣層上覆矽(SOI))，例如半導體晶圓及/或一個或複數個晶粒位於晶圓之上，以及任何其他類型的半導體及/或與其相關的磊晶層。在部份實施例中，半導體基板包括矽的起始材料，如具有晶向<100>的單晶矽。在其他實施例中，半導體基板可以是在基板表面上生長的磊晶層。
在步驟304中，形成第一金屬互連層狀結構於第一層間介電層之內，其中第一層間介電層設置於半導體基板上方。在部份實施例中，第一金屬互連層狀結構可包括通孔/接觸層(via/contact layer)，其中通孔/接觸層將製程後端金屬互連堆疊(例如，金屬互連層狀結構M1、V1等等)連接到位於半導體基板之內的複數個半導體元件。
在步驟306中，選擇性地沉積第一自組裝單分子層於第一層間介電層之上。第一自組裝單分子層包括首端基團，其中此首端基團藉由分子鏈連接到末端基團。在部份實施例中，首端基團包括一個親水性的界面特性，此界面特性導致第一自組裝單分子層受到第一層間介電層的吸引，因而使第一自組裝單分子層輕易地附著到第一層間介電層，而非附著到第一金屬互連層狀結構。在部份實施例中，末端基團提供疏水性的 界面特性。此疏水性界面特性對金屬產生排斥作用，因而避免金屬附著到第一自組裝單分子層。
在步驟308中，選擇性地沉積第二自組裝單分子層於第一金屬互連層狀結構之上。第二自組裝單分子層首端基團，其中此首端基團藉由分子鏈連接到末端基團。在部份實施例中，首端基團包括一個親水性的界面特性，此親水性的界面特性導致第二自組裝單分子層受到第一金屬互連層狀結構的吸引，因而使第二自組裝單分子層輕易地附著到第一金屬互連層狀結構，而非附著到第一層間介電層。在部份實施例中，末端基團提供疏水性的界面特性，此疏水性界面特性對金屬產生排斥作用，因而避免金屬附著到所述第二自組裝單分子層。
在步驟310中，將第一自組裝單分子層及/或第二自組裝單分子層選擇性地曝光於輻射源中，藉以光學圖案化第一自組裝單分子層及第二自組裝單分子層。在部份實施例中，輻射源可包括紫外線輻射源，此紫外線輻射源可進行紫外線(UV)輻射圖案化。選擇性地曝光第一自組裝單分子層及/或第二自組裝單分子層於紫外線輻射中進行圖案化，可使曝光區域劣化，因此，可以選擇性地移除曝光區域，而不會移除第一自組裝單分子層及/或第二自組裝單分子層的非曝光區域。
在步驟312中，選擇性地移除第一自組裝單分子層及第二自組裝單分子層的曝光(亦即，劣化)區域，以形成一個或複數個開口，其中此開口定義出即將形成第二金屬互連層狀結構的金屬互連層狀結構區域。
在步驟314中，選擇性地沉積金屬催化劑層於金屬 互連層狀結構區域之中。利用金屬催化劑層作為晶種層，藉由金屬電鍍製程(metal plating process)形成金屬互連層狀結構。在部份實施例中，金屬催化劑層可包括鈀(palladium)層。
在步驟316中，實施無電電鍍製程以形成第二金屬互連層狀結構於金屬互連層狀結構區域之中，其中第二金屬互連層狀結構包括複數個獨立的(freestanding)金屬結構。利用金屬鍍覆過程(metal plating process)中不使用電極的無電電鍍製程形成第二金屬互連層狀結構。
在步驟318中，第二層間介電層形成於半導體基板上，並且位於這些第二金屬互連層狀結構的獨立金屬結構區域之間。
在部份實施例中，半導體基板可在步驟320中進行平坦化。在半導體基板的平坦化過程中，從基板上移除多餘的介電材料及金屬材料，藉以使金屬互連層狀結構具有適當的高度與平坦化的表面，並可以在此表面上形成後續的金屬互連層狀結構。在部份實施例中，可以反覆地重複步驟304到步驟320，以形成複數個金屬互連層狀結構(例如，第一金屬互連層狀結構、位於第一金屬互連層狀結構上方的第二金屬互連層狀結構，等等)於半導體基板上。
在步驟322中，對半導體基板進行退火步驟以形成自形成阻障層。在退火過程中，在半導體基板暴露於高溫之下。自形成阻障層可避免金屬結構擴散進入到相鄰的介電材料中。
第4圖到第15圖為剖面圖，用以顯示某些示範性半 導體基板的實施例，在這些實施例中，方法300實施於這些示範性半導體基板上。
第4圖為剖面圖400，用以顯示與步驟302相對應的部份實施例。剖面圖400顯示一個半導體基板102的示範例。半導體基板102包括非磊晶的矽基板。
第5圖為剖面圖500，用以顯示與步驟304相對應的部份實施例。如剖面圖500所示，第一層間介電層104a形成於半導體基板102之上。第一金屬互連層狀結構V0形成於第一層間介電層104a之內。在部份實施例中，第一金屬互連層狀結構V0包括一個接觸插塞/通孔層(contact/via layer)。舉例而言，此接觸插塞/通孔層可包括鎢材料。
第6圖為剖面圖600，用以顯示與步驟306步驟及308相對應的部份實施例。如剖面圖500所示，選擇性地沉積第一自組裝單分子層106於第一層間介電層104a之上，並且沉積第二自組裝單分子層112到第一金屬互連層狀結構V0之上。在部份實施例中，第一自組裝單層及106第二自組裝單層112的沉積厚度基本上是相同的。
在部份實施例中，第一自組裝單分子層106包括首端基團附著到第一層間介電層104a，而非附著到第一金屬互連層狀結構V0，然而，第二自組裝單分子層112包括首端基團附著到第一金屬互連層狀結構V0。在此類實施例中，第一自組裝單層及106第二自組裝單層112也可藉由旋轉塗佈法(spin coating)沉積到半導體基板102上。當塗佈於半導體基板上時，第一自組裝單分子層106將附著到第一層間介電層104a，而非 附著到第一金屬互連層狀結構V0。接著塗佈第二自組裝單分子層112到半導體基板102的第一金屬互連層狀結構V0上方。
第7A圖第7B圖顯示如本文所提供之第一自組裝單分子層及第二自組裝單分子層的部份實施例。
如圖700所示，第一自組裝單分子層106形成於一基板之上，其中該基板包括層間介電層104。第一自組裝單分子層106包括首端基團702，其中該首端基團702藉由分子鏈704(亦即，尾狀部份)連接到末端基團706(亦即，官能基團)。首端基團702具有親水性的界面特性，此界面特性導致第一自組裝單分子層106受到層間介電層104吸引。在部份實施例中，首端基團702可包括三氯矽烷(trichlorosilicon,SiCl3)或三甲氧基矽烷(Si(OCH3)3)等官能基，其中這些官能基提供親水性的界面特性。舉例而言，在部份實施例中，分子鏈704可包括烷基鏈，例如亞甲基(CH2)n。末端基團706具有排斥金屬的疏水性界面特性，因而避免金屬附著到第一自組裝單分子層106。在部份實施例中，末端基團706可包括甲基(CH3)，其中甲基可提供疏水性的界面特性。
如圖708所示，第二自組裝單分子層112形成於一基板上，其中該基板包括金屬互連層狀結構716。第二自組裝單分子層112包括首端基團710，其中該首端基團710藉由分子鏈712(亦即，尾狀部份)連接到末端基團714(亦即，官能基團)。首端基團710具有親水性的界面特性，該界面特性導致第二自組裝單分子層112受到金屬互連層狀結構716吸引。在部份實施例中，首端基團710可包括巰基(sulfhydryl)或硫醇(thiol)等官能 基，其中這些官能基提供親水性的界面特性。舉例而言，在部份實施例中，分子鏈712可包括烷基鏈，例如亞甲基(CH2)n。末端基團714具有排斥金屬的疏水性界面特性，因而避免金屬附著到第二自組裝單分子層112。在部份實施例中，末端基團714可包括甲基(CH3)，其中甲基可提供疏水性的界面特性。
第8圖為剖面圖800，用以顯示與步驟312相對應的部份實施例。如剖面圖800所示，使用光罩(photomask)802，以選擇性地曝光第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112於紫外線輻射804中。在第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112曝光於紫外線輻射804的區域中，自組裝單分子層的分子受到光氧化(photo oxidized)作用，因而削弱自組裝單分子層。
第9圖為剖面圖900，用以顯示與步驟312相對應的部份實施例。如剖面圖900所示，從基板上移除第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112曝光於紫外線輻射804的區域，產生複數個開口114a-114b。在部份實施例中，可使用極性溶劑沖去第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112曝光於紫外線輻射804的區域之自組裝單分子層的分子。從第一層間介電層104a之上移除第一自組裝單分子層106之後，第一層間介電層104a所暴露出的表面可包括羥基(OH)鍵。位於第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112中的複數個開口114a-114b定義出金屬互連層狀結構區域，在此金屬互連層狀結構區域中接著將形成第二金屬互連層狀結構。
第10圖為剖面圖1000，用以顯示與步驟314相對應 的部份實施例。如剖面圖1000所示，沉積金屬催化劑層110於第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112中的開口114a-114b之內。在部份實施例中，第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112的末端基團(例如，CH3)包括一個疏水性的表面，此疏水性的表面可避免金屬催化劑層(例如，鈀)附著在受到第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112覆蓋的區域。在此類實施例中，金屬催化劑層(例如，鈀)可以選擇性地沉積於親水性區域中，其中位於此親水性區域內的第一自組裝單分子層106及第二自組裝單分子層112已經移除。
第11圖為剖面圖1100，用以顯示與步驟316相對應的部份實施例。如剖面圖1100所示，利用無電電鍍製程從金屬催化劑層110中形成第二金屬互連層狀結構M1的獨立金屬結構。在部份實施例中，將基板浸在無電電鍍溶液(electroless solution)1102中，其中無電電鍍溶液1102包括金屬離子1104(例如，銅離子)以及一種還原劑。在不使用外部電源的情況下，無電電鍍溶液中的還原劑使無電電鍍溶液1102中的金屬離子1104沉積在金屬催化劑層110上。在部份實施例中，金屬離子1104包括銅離子。舉例而言，在其他實施例中，金屬離子1104可包括鋁(aluminum)、鎢(tungsten)、鉬(molybdenum)、鈦(titanium)、氮化鈦(titanium nitride)、氮化鉭(tantalum nitride)或金屬矽化物(metal silicide)。
在部份實施例中，無電電鍍溶液1102尚包括一種合金摻雜劑(alloy dopant)1106。將合金摻雜劑1106與金屬離子1104混合，如此一來所得到的獨立金屬結構包括帶有合金摻雜 劑1106的金屬離子1104。接著藉由退火(anneal)步驟(例如，步驟320)活化合金摻雜劑1106，以形成自形成阻障層。在各種不同實施例中，合金摻雜劑1106可包括下列材料之一種或多種：鎂(magnesium,Mg)、鋁(aluminum,Al)、鉻(chromium,Cr)、錳(manganese,Mn)、鈦(titanium,Ti)、鋯(zirconium,Zr)、銀(silver,Ag)、鈮(niobium,Nb)、硼(boron,B)、銦(indium,In)、錫(tin,Sn)、鉬(molybdenum,Mo)。
第12圖為剖面圖1200，用以顯示與步驟318相對應的部份實施例。如剖面圖1200所示，第二層間介電層104b填充於第二金屬互連層狀結構M1的獨立金屬結構之間的區域。在部份實施例中，第二層間介電層104b可包括一個超低介電常數(ultra low-k,ULK)旋轉塗佈玻璃(例如，具有介電常數k2.2)。這種超低介電常數旋轉塗佈玻璃(spin-on glass,SOG)是一種層間介電材料，可以液體形式應用於基板。超低介電常數旋轉塗佈玻璃可藉由旋轉塗佈法沉積在基板的表面上，並且填充於獨立金屬結構之間的區域，因而形成一個大致上平坦化的超低介電常數材料於既有之金屬及/或接觸結構的周圍。
在部份實施例中，沉積第二層間介電層104b之後，可平坦化半導體基板的表面。舉例而言，在部份實施例中，可使用化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)製程平坦化半導體基板，藉以從基板的表面移除經過先前處理步驟之後所殘存的多餘材料(例如：金屬、介電材料)。化學機械研磨製程形成大致上平坦的基板表面。
第13圖到第15圖為剖面圖1300-1500之部份實施 例，用以顯示出方法300的替代操作(iterative operation)，其中方法300係用以在後端製程堆疊中形成額外的金屬互連層狀結構(例如，V1)。
請參照剖面圖1300，第一自組裝單分子層106沉積到第二層間介電層104b之上，且第二自組裝單分子層112沉積到第二金屬互連層狀結構M1之上。在開口116a之中，從第二金屬互連層狀結構M1之上移除第二自組裝單分子層112，其中開口116a定義出即將形成第三金屬互連層狀結構的金屬互連層狀結構區域。
請參照剖面圖1400，第三金屬互連層狀結構V1形成於第二金屬互連層狀結構M1上的開口116a之中。由於第二金屬互連層狀結構M1是導電性材料或催化劑材料，所以沒有必要沉積金屬催化劑層於開口116a之中。因此，所得到的金屬堆疊不包括金屬催化劑層介於第二金屬互連層狀結構M1及第三金屬互連層狀結構V1之間。此外，由於第三金屬互連層狀結構V1未形成於第二金屬互連層狀結構M1之上，所以不會從第二金屬互連層狀結構M1之上移除第二自組裝單分子層112。
請參照剖面圖1500，第三層間介電層104c填充在介於金屬結構與第三金屬互連層狀結構V1之間的區域。
第16圖為剖面圖1600，用以顯示與步驟320相對應的部份實施例。如剖面圖1600所示，將基板暴露在熱能1602之中藉以提升基板的溫度，進行基板的退火步驟。退火步驟將導致金屬互連層狀結構V0、金屬互連層狀結構M1以及金屬互連層狀結構V1中的合金摻雜劑，與周圍的層間介電層104a、層間 介電層104b以及層間介電層104c進行反應，形成自形成阻障層108。自形成阻障層108位於金屬互連層狀結構與層間介電層之間。在部份實施例中，自形成阻障層108包括金屬氧化物(metal oxide)或金屬矽酸鹽氧化物(metal silicate oxide)。
在部份實施例中，半導體基板暴露在小於或等於400℃的溫度之中。退火步驟的持續時間可能會有所不同，端視用以形成自形成阻障層之合金摻雜劑的元素而定。可藉由改變退火步驟的溫度及持續時間，改變自形成阻障層的厚度。
應可理解的是，參考整個本文件所描述的各個示範性結構，討論本文所描述的方法時，這些方法並未受到相對應的結構所限制。舉例而言，第15圖中所列舉的方法，並不限於第6圖到第15圖所提出的結構。更確切地說，本文所描述之方法結構可視為彼此獨立的，能夠獨立且不需考慮任何圖中所描述的特定結構而加以實施。此外，本文所描述的層狀結構可利用任何合適的方式形成，例如旋轉塗佈法(spin on)、濺鍍法(sputtering)、成長法(growth)及/或沉積(deposition)技術等等。
此外，本發明所屬技術領域中具有通常知識者在閱讀及/或理解本說明書及附加的圖式之後，可能會得到等效的變更及/或修改。本發明所揭露的內容包括所有因此產生的修改及變更，並未受到限制。舉例而言，雖然本文中所提供的數字顯示及描述為具有一種特定的摻雜類型，應可理解的是，本發明所屬技術領域中具有通常知識者將能理解，可以使用其他替代性的摻雜類型。
此外，在數個實施方式之中，可能已經公開特定 的特徵或結構，這些特徵或結構可視需要而與一個或複數個其他實施方式中的其他特徵及/或結構結合。此外，本文所用的術語「包括」、「具有」「有」、「帶有」及/或上述術語之變化形，此類術語旨在表達包容性的意義，就像「包括」。此外，「示範性」僅僅是指一個例子，而非最佳的例子。應可理解的是，本文所描述的特徵、層狀結構及/或組成成分係以特定的尺寸及/或排列方式表示，僅是為了簡單便於理解，至於實際的尺寸及/或排列方式可能不同於本發明所揭露。
因此，本發明係關於形成製程後端金屬互連層狀結構的方法，其中此方法能夠減少對金屬互連層狀結構周圍之介電材料所造成的傷害。
在部份實施例中，本發明提供一種製程後端金屬互連層狀結構(metal back-end-of-the-line interconnect layer)的形成方法。該方法包括沉積一或複數層自組裝單分子層於一半導體基板之上，藉以定義出一金屬互連層狀結構區域。該方法尚包括選擇性地沉積一金屬互連層狀結構，其中該金屬互連層狀結構包括複數個金屬結構位於該半導體基板之上的該金屬互連層狀結構區域之內。該方法尚包括沉積一層間介電層到該半導體基板之上介於該些金屬結構之間的區域。
在其他實施例中，本發明提供一種製程後端金屬互連層狀結構(metal back-end-of-the-line interconnect layer)的形成方法。該方法包括選擇性地沉積一第一自組裝單分子層於一底部第一層間介電層之上，其中該第一層間介電層位於一半導體基板之上，以及選擇性地沉積一第二自組裝單分子層於一 底部金屬互連層狀結構之上，其中該金屬互連層狀結構位於該半導體基板之上。該方法尚包括選擇性地曝光該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層於輻射之中，其中該輻射使該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層劣化。該方法尚包括移除該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層的劣化區域。該方法尚包括無電電鍍一金屬互連層狀結構於該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層受到移除之區域，其中該金屬互連層狀結構包括一個或複數個金屬結構。該方法尚包括沉積一第二層間介電層到該半導體基板之上介於該些金屬結構之間的區域。該方法尚包括在形成該第二層間介電層之後，退火該基板，其中退火該基板將形成一自形成阻障層介於該些金屬結構與該第二層間介電層之間。
在其他實施例中，本發明提供一種積體晶片，包括一第一金屬互連層狀結構設置在一第一層間介電層之內。一第一自組裝單分子層位於該第一層間介電層之上，其中該第一自組裝單分子層具有一個或複數個開口。一第二層間介電層位於該第一自組裝單分子層之上。一第二金屬互連層狀結構設置在該第二層間介電層之中，並且位於該第一自組裝單分子層的該開口或該些開口之中。
100‧‧‧剖面圖
102‧‧‧半導體基板
104a‧‧‧第一層間介電層
104b‧‧‧第二層間介電層
104c‧‧‧第三層間介電層
106‧‧‧第一自組裝單分子層
108‧‧‧自形成阻障層
110‧‧‧金屬催化劑層
112‧‧‧第二自組裝單分子層
114a‧‧‧開口
114b‧‧‧開口
116a‧‧‧開口
116b‧‧‧開口
V0‧‧‧第一金屬互連層狀結構
M1‧‧‧第二金屬互連層狀結構
V1‧‧‧第三金屬互連層狀結構

Claims (10)

  1. 一種製程後端金屬互連層狀結構(metal back-end-of-the-line interconnect layer)之形成方法，包括：沉積一或複數層自組裝單分子層(self-assembled monolayers)於一半導體基板之上，藉以定義出一金屬互連層狀結構區域；選擇性地沉積一金屬互連層狀結構，其中該金屬互連層狀結構包括複數個金屬結構位於該半導體基板之上的該金屬互連層狀結構區域之內；以及在選擇性地沉積該金屬互連層狀結構之後，沉積一層間介電層到該半導體基板之上介於該些金屬結構之間的區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製程後端金屬互連層狀結構之形成方法，其中沉積一或複數層自組裝單分子層，包括：選擇性地沉積一第一自組裝單分子層於一底部層間介電層之上；選擇性地沉積一第二自組裝單分子層於一底部金屬互連層狀結構之上；選擇性地曝光該半導體基板於紫外線輻射中進行圖案化，其中該紫外線輻射圖案化步驟劣化一部分的該第一自組裝單分子層或一部分的該第二自組裝單分子層；以及移除該第一自組裝單分子層或該第二自組裝的劣化部分，藉以形成一金屬互連層狀結構區域。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之製程後端金屬互連層狀結構之形成方法，其中該第一自組裝單分子層包括： 一首端基團(head group)，其中該首端基團包括三氯矽烷(trichlorosilicon,SiCl3)或三甲氧基矽烷(Si(OCH3)3)；一分子鏈；以及一末端基團(terminal group)，其中該末端基團包括甲基。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之製程後端金屬互連層狀結構之形成方法，其中該第二自組裝單分子層包括：一首端基團，其中該首端基團包括巰基(sulfhydryl)或硫醇(thiol)；一分子鏈；以及一末端基團，其中該末端基團包括甲基。
  5. 一種製程後端金屬互連層狀結構之形成方法。包括：選擇性地沉積一第一自組裝單分子層於一底部第一層間介電層之上，其中該第一層間介電層位於一半導體基板之上；選擇性地沉積一第二自組裝單分子層於一底部金屬互連層狀結構之上，其中該底部金屬互連層狀結構位於該半導體基板之上；選擇性地曝光該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層於輻射之中，其中該輻射使該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層劣化；移除該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層的劣化區域；無電電鍍一金屬及一合金摻雜劑，以形成一金屬互連層狀結構於該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層受到移除之區域，其中該金屬互連層狀結構包括一個或複數 個金屬結構；選擇性地形成一第二層間介電層到該半導體基板之上介於該些金屬結構之間的區域；以及在形成該第二層間介電層之後，退火該基板，其中退火該基板將形成一自形成阻障層介於該些金屬結構與該第二層間介電層之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之製程後端金屬互連層狀結構之形成方法，尚包括：在移除該第一自組裝單分子層或該第二自組裝單分子層的劣化區域之後，選擇性地沉積一鈀(palladium)層。
  7. 一種積體晶片，包括：一第一金屬互連層狀結構設置在一第一層間介電層之內；一第一自組裝單分子層位於該第一層間介電層之上，其中該第一自組裝單分子層具有一個或複數個開口；一第二層間介電層位於該第一自組裝單分子層之上；以及一第二金屬互連層狀結構設置在該第二層間介電層之中，並且位於該第一自組裝單分子層的該開口或該些開口之中。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之積體晶片，尚包括：一第二自組裝單分子層選擇性地設置於部分的該第一金屬互連層狀結構或該第二金屬互連層狀結構之上。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之積體晶片，尚包括：一鈀層垂直地設置在介於該第一層間介電層與該第二金屬互連層狀結構之間，並且水平地設置在介於該第一自組裝 單分子的該開口或該些開口的其中一個之中。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之積體晶片，尚包括：一自形成阻障層包括金屬氧化物或金屬矽酸鹽氧化物，其中該自形成阻障層設置在介於該第一金屬互連層狀結構與該第一層間介電層之間。
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