TWI541215B - A dielectric ceramic material composition and a multilayer ceramic capacitor comprising the dielectric ceramic material composition - Google Patents

Description

介電陶瓷材料組成物及包含有該介電陶瓷材料組成物之積層陶瓷電容器

本發明係關於一種具有鈣鈦礦結構之金屬複合氧化物(Metal Composite Oxide)作為基本組成之介電陶瓷組成物，尤指一種在還原氣氛環境下燒結，不會造成半導體特性，且具有低壓電特性及優異的溫度特性之介電陶瓷組成物。本發明另關於一種積層陶瓷電容器(Multi Layers Ceramics Capacitor,MLCC)，其係包含有該介電陶瓷材料組成物。

如圖1所示，現有技術之積層陶瓷電容器包含有一堆疊體20，該堆疊體20包含有數個依序重疊的介電層21，相鄰之兩介電層21之間設有一內電極22、23，兩相鄰的內電極22、23係分別露出於該堆疊體20之兩側端。近年來，為了滿足系統端產品在輕薄短小的發展，積層陶瓷電容器係趨向高電容-體積率方向開發。一般而言，最直接的作法係經由減低介電層21的厚度亦即介電層21薄層化來達成。但是，當將介電層21薄層化時，高強度電場會被施加於介電層21，影響介電層21之溫度特性、絕緣性、可靠性及介電常數，電致伸縮效應，進而產生積層陶瓷電容器之耐壓性及耐用性問題。

其中，電致伸縮效應係指施加於該介電層21之兩側端之內電極22、23之間的電場產生時，其將會導致該介電層21之材料結構中的電偶極矩(Dipole moment)產生電致伸縮現象，亦即，該偶極矩將會產生伸張之動作，致使該介電層21堆疊體產生形變；特性上，亦可以利用壓電係數(d₃₃)來表示。

特願平JP11-170961揭露一種不還原介電陶瓷，其係由一主要成份及微量稀土元素與玻璃組成，其主要成分以式ABO₃表示，其中A係選自Ba、Sr、Ca及Mg中之至少一種，且B係選自Ti、Zr及Hf中之至少一種，並該，可具有高度絕緣電阻，於高溫或高濕度下具有較佳負荷特性，其主要平均粒徑大小為0.4 μm，並可應用於還原或中性氣氛進行燒結。

又，為針對高壓直流下或高頻/高電壓交流電場下之材料耐受性進行改善，特願平JP2004-052741提及一種介電陶瓷組合物，其含有以組成為100Ba_mTiO₃+xCuO+aRO_n+bMnO+cMgO(其中R表示選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中之至少一種稀土元素之氧化物)，該專利之揭露其主要成份係為包含有具有鈣鈦礦結構的單純鈦酸鋇之陶瓷組成物。

專利TW-I299727提及，為解決積體陶瓷電容器中介電層21之薄層化至1 μm程度時，所產生的絕緣性、耐壓性、高溫負載壽命降低及元件可靠性降低，與採用縮小陶瓷粒子之平均粒徑所導致的相對介電常數降低等問 題，且該專利揭露一種(Ba,Ca)TiO₃為主體物，加入Mg、Mn、稀土類氧化物、Si、Cu及V為微量添加成份之陶瓷組成物，用以改善上述問題。

然而，上述專利皆未能提供關於施加偏壓下，如何控制介電層21之壓電特性關係或其堆疊體電致伸縮效應之技術手段，進而改善現有之積層陶瓷電容器之耐用度及應用性之問題。

有鑑於現有技術之由大量且密集的介電層堆疊所構成的堆疊體之缺陷，亦即於施加偏壓下因介電層之材料所產生的電致伸縮效應大幅提升，進而影響積層陶瓷電容器的應用性及耐用度之問題，本發明之目的在於提供一種介電陶瓷材料組成物，其係於一鈣鈦礦結構之金屬複合氧化物加入包含有四種成份之添加物，其除了可於還原環境下燒結仍不會轉變呈現半導體特性，而可使其所製成的積層陶瓷電容器可應用卑金屬作為內電極，以及，獲得具有高介電常數且晶粒較小且均勻的介電層外，其係具有低壓電特性而大幅弱化其電致伸縮效應，避免其所構成的堆疊體於偏壓使用下變形，而提升積層陶瓷電容器的應用性及耐用度。

為達成以上的目的，本發明之介電陶瓷材料組成物，其中包含：一主體物，其為具有鈣鈦礦結構的金屬複合氧化物，其包含有鋇(Ba)及鈦(Ti)；一添加物，其係包含有第一成份、第二成份、第三成份及 第四成份，其中，第一成份係選自鉬(Mo)、鉬(Mo)之氧化物、鈮(Nb)及鈮(Nb)之氧化物中之至少一種，第二成份係選自錳(Mn)、錳(Mn)之氧化物、鐵(Fe)及鐵(Fe)之氧化物中之至少一種，第三成份係選自釔(Y)、釔(Y)之氧化物、鐿(Yb)及鐿(Yb)之氧化物中之至少一種，第四成份係選自矽(Si)、矽(Si)之氧化物、鎂(Mg)、鎂(Mg)之氧化物、鋁(Al)及鋁(Al)之氧化物中之至少一種。

較佳的是，該主體物更包含有選自於由銅(Cu)、鎂(Mg)、鈣(Ca)及鋯(Zr)所構成之群組中的至少一種元素；進一步而言，該主體物中，以鋇(Ba)之莫耳數、銅(Cu)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋯(Zr)及鈦(Ti)之莫耳數總合為基礎莫耳，鋇(Ba)之莫耳分率係介於0.4650至0.5100之間，銅(Cu)之莫耳分率介於0.0000至0.0100之間，鎂(Mg)之莫耳分率介於0.0000至0.0200之間，鈣(Ca)之莫耳分率介於0.0000至0.0200之間，鋯(Zr)之莫耳分率介於0.0000至0.0200之間，且鈦(Ti)之莫耳分率介於0.4700至0.4900之間；再進一步而言，該主體物中，以鋇(Ba)之莫耳數、銅(Cu)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋯(Zr)及鈦(Ti)之莫耳數總合為基礎，銅(Cu)之莫耳分率介於0.0005至0.0050之間。較佳的是，本發明之介電陶瓷材料組成物，其一特徵在於，其介電常數介於1500至4500之間，且其壓電常數低於150 pC/N。

其中，為提高本發明之介電陶瓷材料組成物應用於積體陶瓷電容器時之介電特性，乃挑選過渡元素中的鉬(Mo)或鈮(Nb)作為該添加物之第一成份，同時，以該主 體物之含量為1莫耳，該添加物之第一成份之莫耳百分率為0.05至0.14，其可微量置換入該主體物之鈣鈦礦晶體結構中，致使其該結構產生膨脹，晶格結構中之c軸增長，其介電常數亦相對增加。反之，當其含量過高且高於0.14莫耳時，將產生晶格不穩定之狀態，使其破壞原有之極化反應。

即，較佳的，本發明之其中一特徵在於，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第一成份之莫耳百分率為0.05至0.14。

又，該添加物的第二成份乃挑選過渡元素中的錳(Mn)或鐵(Fe)，且以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第二成份之莫耳百分率為0.80至1.46，其可使該主體物之晶體的晶格產生扭曲(Crystal distortion)，更進一步解釋，使晶體呈現不規則狀態導致整體晶格常數下降，此效應會促使本發明之介電陶瓷材料組成物之亂度增加，令其電致伸縮效應減小，並稍微降低其介電常數值。當該添加物之第二成份之莫耳百分率大於1.46之時，使該主體物之晶格常數下降至等軸狀態，使該其結構形成正方晶系而失去介電自發極化反應(Polarization)，雖可令本發明之介電陶瓷材料組成物具有低壓電特性，但反而令其喪失高介電特性；反之，當其莫耳百分率小於0.80之時，其形成亂度之效益並不明顯，乃無法產生多數電偶極矩之伸張拉力相互抵消，則令本發明之介電陶瓷材料組成物較難符合介電陶瓷的相關產品規範。

即，較佳的，本發明之其中一特徵在於，以該 主體物之含量為1莫耳，該添加物之第二成份之莫耳百分率為0.80至1.46。

又，該添加物的第三成份乃挑選過渡元素中的釔(Y)或鐿(Yb))，且以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第三成份之莫耳百分率為0.36至1.50，於該主體物與添加物之燒結過程中，釔或鐿可於擴散至晶粒之孔洞位置，用以作為控制晶界成長且強化晶界強度之條件，進而令本發明之介電陶瓷材料組成物於燒結後具有較小且均勻的晶粒，進一步觀察該現象可發現，平均晶粒粒徑之下降且均勻化可對本發明應用於積體陶瓷電容器時之溫度特性提升，當其莫耳分率大於1.50之時，發現其擴散程度甚況致使原本之晶粒無法於相同的熱驅動能下產生相同的燒結緻密性，因而必須提高燒結溫度也將提高生產成本。

即，較佳的，本發明之其中一特徵在於，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第三成份之莫耳百分率為0.36至1.50。

又，該添加物的第四成份乃挑選熔點較低且非晶質之元素，如矽(Si)、鎂(Mg)或鋁(Al)，且以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第四成份之莫耳百分率為1.28至3.50，乃作為晶粒燒結反應時所需之媒介，藉由該熔點低且非晶質之元素的添加，可使該等元素於高溫燒結時可呈現液態形式流動在晶粒與晶粒之間提升熱傳導效果，降低本發明之介電陶瓷材料組成物的燒結溫度。當該等元素添加莫耳百分率小於1.28之時，其液相元素量之效用不足以降低燒結溫度，反之，當該等元素添加莫耳百分率大於 3.50之時，將使本發明之介電陶瓷材料組成物於燒結時製程中產生過度燒結現象，進而影響本發明之溫度特性。

即，較佳的，本發明之其中一特徵在於，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第四成份之莫耳百分率為1.28至3.50。

更佳的是，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第一成份之含量為0.13至0.14莫耳百分率。

更佳的是，以該主體物之含量為100莫耳，該添加物之第三成份之含量為0.68至1.50莫耳百分率。

更佳的是，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第四成份之含量為2.26至3.50莫耳百分率。

本發明另關於一種積層陶瓷電容器，其係包含有一堆疊體，該堆疊體包含有數個依序重疊的介電層，相鄰之兩介電層之間設有一內電極，兩相鄰的內電極係分別露出於該堆疊體之兩側端；其特徵在於：該介電層係由如前所述之介電陶瓷材料組成物所製成。

此外，依據本發明之較佳實施例，本發明之特徵通式以{[(1-x-y-z-m-n)BaCO₃+xCuO+yMgO+zCaCO₃+mTiO₂+nZrO₂]+[aR₁+bR₂+cR₃+dR₄]}表示之。其中，[(1-x-y-z-m-n)BaCO₃+xCuO+yMgO+zCaCO₃+mTiO₂+nZrO₂]係表示所述的主體物，[aR₁+bR₂+cR₃+dR₄]則表示所述的添加物，R₁係表示所述的添加物之第一成份，其係選自MoO₃或Nb₂O₅中至少一種、R₂係選自MnO或FeO中至少一種、R₃係選自Y₂O₃或Yb₂O₃中至少一種及R₄係選自SiO₂或MgO或Al₂O₃中 至少1種。且該式中各莫耳分率係滿足：0≦x≦1.00，0≦y≦2.00，0≦z≦2.00，47.00≦m≦49.00，0≦n≦2.00，且a,b,c,d分別為以所述的主體物為1莫耳之莫耳百分率0.05≦a≦0.14，0.80≦b≦1.46，0.36≦c≦1.50，1.28≦d≦3.50。

基於上述可知，本發明之介電陶瓷組成物係具有低壓電特性而大幅弱化其電致伸縮效應，避免其所構成的介電層於偏壓使用下變形，而提升積層陶瓷電容器的應用性及耐用度。

其次，本發明之介電陶瓷組成物具有高介電常數，且可滿足電容變化率的相關產品規範，此外本發明之之介電陶瓷組成物可於較低溫度進行燒結，並且仍具有高可靠度及溫度特性。

再者，本發明之介電陶瓷組成物在還原環境下燒結時，並不會產生被還原而轉變為半導體特性的現象，因此如果使用本發明較佳實施例之介電陶瓷組成物來製作積層陶瓷電容器，則積層陶瓷電容器可使用較為廉價的卑金屬來作為電極，因而降低積層陶瓷電容器的成本。

此外，本發明之陶瓷組成物同時具有高介電常數以及較小且較均勻之晶粒，因此本發明之積層陶瓷電容器可達到小型化、薄層化且低壓電性質的目標。

10、20‧‧‧堆疊體

11、21‧‧‧介電層

12、13、22、23‧‧‧內電極

14、15‧‧‧外電極

圖1為本發明之積層陶瓷電容器之側視剖面示意圖。

圖2為現有技術之積層陶瓷電容器之側視剖面示意圖。

本發明之介電陶瓷材料組成物，其中包含有一主體物及一添加物；主體物為具有鈣鈦礦結構(ABO₃)的金屬複合氧化物(Metal Composite Oxide)，其主要包含有鋇(Ba)及鈦(Ti)，且其更可包含有選自於由銅(Cu)、鎂(Mg)、鈣(Ca)及鋯(Zr)所構成之群組的至少一種元素；添加物係包含有第一成份、第二成份、第三成份及第四成份，其中，第一成份係選自鉬(Mo)、鉬(Mo)之氧化物、鈮(Nb)及鈮(Nb)之氧化物中之至少一種，第二成份係選自錳(Mn)、錳(Mn)之氧化物、鐵(Fe)及鐵(Fe)之氧化物中之至少一種，第三成份係選自釔(Y)、釔(Y)之氧化物、鐿(Yb)及鐿(Yb)之氧化物中之至少一種，第四成份係選自矽(Si)、矽(Si)之氧化物、鎂(Mg)、鎂(Mg)之氧化物、鋁(Al)及鋁(Al)之氧化物中之至少一種。

請參閱圖2所示，本發明之積層陶瓷電容器包含有一堆疊體10，該堆疊體10包含有數個依序重疊的介電層11，相鄰之兩介電層11之間設有一內電極12、13，兩相鄰的內電極12、13係分別露出於該堆疊體10之兩端；其特徵在於：該介電層11係由前述之介電陶瓷材料組成物所製成。

以下舉例說明本發明之較佳實施例中，本發明之介電陶瓷材料組成物之製造方式。

於本發明之較佳實施例中，本發明之特徵通式以{[(1-x-y-z-m-n)BaCO₃+xCuO+yMgO+zCaCO₃+mTiO₂+nZrO₂]+[aR1+bR2+cR3+dR4]}表示 之。其中，[(1-x-y-z-m-n)BaCO₃+xCuO+yMgO+zCaCO₃+mTiO₂+nZrO₂]係表示所述的主體物，x、y、m、n分別代表莫耳分率；[aR₁+bR₂+cR₃+dR₄]表示所述的添加物，R₁、R₂、R₃、R₄分別表示所述的添加物之第一成份、第二成份、第三成份及第四成份，a、b、c、d則表示以所述的主體物為1莫耳，該第一成份、第二成份、第三成份及第四成份之莫耳百分率。

首先，準備碳酸鋇(BaCO₃)、氧化鎂(MgO)、氧化銅(CuO)、碳酸鈣(CaCO₃)、二氧化鈦(TiO₂)之水溶液及氧化鋯(ZrO₂)之水溶液，且各者係具有99%以上之純度。接著，加入將聚氧乙烯醚磷酸酯鈉鹽聚乙烯乙醯類(Polyoxyethylene alkylether phosphate sodium salt)，以濕式混合以形成陶瓷漿料(Ceramic slip)。然後，將陶瓷漿料以至少大於120℃之溫度乾燥粉末並進行1000~1150℃於大氣下環境進行2小時的煅燒以得到正方晶系鈣碳礦結構(A-site/B-site>0.965)之金屬複合氧化物，即所述的主體物，且其平均直徑為0.1-0.35微米之粉末；依據配比的不同，分為樣品A、樣品B、樣品C、樣品D，其配比如表一中所示。

最後，模製一種包含所述的主體物之粉末以及所述的添加物之混合物，並進行燒結形成介電陶瓷，各所述的添加物之R₁、R₂、R₃及R₄個別之配比如表二所示，其中，R₁係為氧化鉬(MoO₃)或氧化鈮(Nb₂O₅)，R₂係為氧化錳(MnO)或氧化鐵(FeO)，R₃係為氧化釔(Y₂O₃)或氧化鐿(Yb₂O₃)，R₄係為氧化矽(SiO₂)、氧化鎂(MgO)或氧化鋁 (Al₂O₃)，則得到本發明之介電陶瓷材組成物。

以下舉例說明本發明之較佳實施例中，本發明之積層陶瓷電容器之製造方式。

稱重前述之主體物的樣品A、樣品B、樣品C及樣品D，以及添加物的R₁、R₂、R₃及R₄之粉體，各粉體係具有99%以上之純度，以獲得樣品A₁、樣品A₂、樣品A₃、樣品B₁、樣品B₂、樣品B₃、樣品C₁、樣品C₂、樣品C₃、樣品D₁、樣品D₂及樣品D₃；其中，樣品A_1-3係含有樣品A，B_1-3係含有樣品B、樣品C_1-3係含有樣品C，樣D_1-3係含有樣品D，而各樣品(A_1-3、B_1-3、C_1-3、D_1-3)所含有的添加物(R_1-4)之比例如表二中所示；接著將各樣品(A_1-3、B_1-3、C_1-3、D_1-3)加入一種酸聚胺酰胺(Acid polyamine amides)分散劑、一種聚偏二氯乙烯(Polyvinylidene chloride)黏合劑及一種溶劑如乙醇(Ethanol)進行球磨機濕式混合以形成陶瓷漿料(Ceramic slip)。

請參閱圖2所示，將陶瓷漿料以刮刀(Doctor blade)法或其它塗佈方式製為厚度3.5~5.0微米之薄層狀介電層11。並將一種主成分為鎳金屬之導電性膏狀物印刷於該薄層狀介電層11上以形成內電極12、13。

將數個上述之具有鎳內電極12、13的薄層狀陶瓷介電層11堆疊製成堆疊體10之生胚產品，堆疊的過程中係使薄層狀介電層11之內電極12、13交替露出於側邊。在250~400℃附近的之氮氣環境下將生胚產品中的黏結劑燒除後，並在1150~1250℃的還原環境下使堆疊體10生胚產品進行燒結，進而完成堆疊體10之製作，該還原環境係包含氫氣、氮氣、溼氣及氧分壓為10^-18至10^-7大氣壓 (MPa)的空氣。將此製得的堆疊體10利用掃瞄電子顯微鏡(SEM)加以觀察並測量其晶粒大小。而後將銅膏沾附於該堆疊體10之兩側端，並與各內電極12、13相接，並於720~900℃之氮氣環境使其緻密化，形成具有與內電極12、13連接之外電極14、15的樣品，最後透過電鍍，於各外電極14、15之外表面上形成保護層，則完成本發明之積層陶瓷電容器之製作。

以下說明本發明之特性量測方式及結果。

在室溫下使用自動橋接量測儀器(測試頻率1KHz，測試電壓1V_rms)同時量測各樣品的靜電電容(C)，藉由該靜電電容可計算介電常數(ε)。且，利用自動橋接量測儀器(測試頻率1KHz，測試電壓25V_rms)量測60秒以顯示其絕緣電阻值，其電阻值為符合X7R特性至少須大於60 MΩ(IR)。又，量測樣品其電容隨溫度改變的變化率，溫度範圍係介於-55℃至125℃間相對於25℃下的靜電電容所測得之變化率。其上述電性皆為符合EIA spec.中之X7R特性。且，使用自動橋接量測儀器(測試應力場強度250N)量測此樣品的壓電常數(d₃₃)。

各樣品所計算之介電常數(Dielectric constant；ε[F/m])、絕緣電阻值(Insulation resistance；IR[MΩ])、隨溫度之靜電電容變化率(Ratio of Cap.change due to temperature；△C/C[%])與壓電係數(Piezoelectric constant；d₃₃[pC/N])係如表三所示。

如表三結果所示，本發明之較佳實施例之介電陶瓷材料組成物係具有介電常數於1500 F/m以上之水準，且可滿足EIA spec.中之X7R關於隨溫度改變之電容變化率的產品規範。此外，請參閱圖2所示，本發明之較佳實施例之陶瓷組成物，其壓電常數至少可於低於150pC/N以下之水準，表示其電致伸縮效應相對減小，係令其所形成的介電層11於電場效應下之變形量小，換言之，該介電層11有較佳耐用性與應用性，連帶地，令包含有該介電層11的積層陶瓷電容器具有較佳之耐用性與應用性。且，本發明較佳實施例之陶瓷組成物在還原環境下燒結時，並不會產生被還原而轉變為半導體特性的現象，因此如果使用本發 明較佳實施例之陶瓷組成物來製作積層陶瓷電容器，則積層陶瓷電容器可使用較為廉價的卑金屬來作為內電極12、13，因而降低積層陶瓷電容器的成本。

其中，本發明之較佳實施例中，如表一至表三所示，樣品B₁、樣品B₂及樣品B₃，三者之介電常數、絕緣電阻值、隨溫度之靜電電容變化率，既可達成於其他組份之相同水準亦可達成壓電特性低於100 pC/N以下之水準。因此為本發明之最佳介電陶瓷材料組成物，或其應用於製造小型化積層陶瓷電容器。

10‧‧‧堆疊體

11‧‧‧介電層

12、13‧‧‧內電極

14、15‧‧‧外電極

Claims (10)

1. 一種介電陶瓷材料組成物，其中包含：一主體物，其為具有鈣鈦礦結構的金屬複合氧化物，其包含有鋇(Ba)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鎂(Mg)、鈣(Ca)及鋯(Zr)；一添加物，其係包含有第一成份、第二成份、第三成份及第四成份，其中，第一成份係選自鉬(Mo)、鉬(Mo)之氧化物、鈮(Nb)及鈮(Nb)之氧化物中之至少一種，第二成份係選自錳(Mn)、錳(Mn)之氧化物、鐵(Fe)及鐵(Fe)之氧化物中之至少一種，第三成份係選自釔(Y)、釔(Y)之氧化物、鐿(Yb)及鐿(Yb)之氧化物中之至少一種，第四成份係選自矽(Si)、矽(Si)之氧化物、鎂(Mg)、鎂(Mg)之氧化物、鋁(Al)及鋁(Al)之氧化物中之至少一種；其中，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第一成份之含量為0.05至0.14莫耳百分率，該添加物之第二成份之含量為0.80至1.46莫耳百分率，該添加物之第三成份之含量為0.36至1.50莫耳百分率，該添加物之第四成份之含量為1.28至3.50莫耳百分率；且以該主體物中的鋇(Ba)之莫耳數、銅(Cu)之莫耳數、鎂(Mg)之莫耳數、鈣(Ca)之莫耳數、鋯(Zr)之莫耳數及鈦(Ti)之莫耳數總合為基礎，該主體物中的鋇(Ba)之莫耳百分率係介於46.50至50.25之間，該主體物中的銅(Cu)之莫耳百分率介於0.05至1.00之間，該主體物中的鎂(Mg)之莫耳百分率介於0.40至2.00之間，該主體物中的鈣(Ca)之莫耳百分率介於0.30至2.00之間，該主體物中的鋯(Zr)之莫耳百分率介於0.30至2.00之間，且該主體物中的鈦(Ti)之莫耳百 分率介於47.00至48.70之間。
2. 如請求項1所述之介電陶瓷材料組成物，其中該主體物中，以鋇(Ba)之莫耳數、銅(Cu)之莫耳數、鎂(Mg)之莫耳數、鈣(Ca)之莫耳數、鋯(Zr)之莫耳數及鈦(Ti)之莫耳數總合為基礎，銅(Cu)之莫耳百分率為0.05至0.50。
3. 如請求項1或2所述之介電陶瓷材料組成物，其中，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第一成份之含量為0.13至0.14莫耳百分率。
4. 如請求項1或2所述之介電陶瓷材料組成物，其中，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第三成份之含量為0.68至1.50莫耳百分率。
5. 如請求項3所述之介電陶瓷材料組成物，其中，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第三成份之含量為0.68至1.50莫耳百分率。
6. 如請求項1或2所述之介電陶瓷材料組成物，其中，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第四成份之含量為2.26至3.50莫耳百分率。
7. 如請求項5所述之介電陶瓷材料組成物，其中，以該主體物之含量為1莫耳，該添加物之第四成份之含量為2.26至3.50莫耳百分率。
8. 如請求項1或2所述之介電陶瓷材料組成物，其介電常數介於1500至4500之間，且其壓電常數低於150pC/N。
9. 如請求項7所述之介電陶瓷材料組成物，其介電常數介於1500至4500之間，且其壓電常數低於150pC/N。
10. 一種積層陶瓷電容器，其中包含一堆疊體，該堆疊 體包含有數個依序重疊的介電層，相鄰之兩介電層之間設有一內電極，兩相鄰的內電極係分別露出於該堆疊體之兩側端；其特徵在於：該介電層係由如請求項1至9中任一項所述之介電陶瓷材料組成物所製成。