TWI537921B

TWI537921B - 場效電晶體工作點狀態重置電路、方法及其oled顯示器

Info

Publication number: TWI537921B
Application number: TW104111167A
Authority: TW
Inventors: 王煥楠
Original assignee: 上海和輝光電有限公司
Priority date: 2014-05-08
Filing date: 2015-04-07
Publication date: 2016-06-11
Also published as: CN103956140A; TW201543442A; JP2015215612A; CN103956140B

Description

場效電晶體工作點狀態重置電路、方法及其OLED顯示器

本申請涉及一種場效電晶體工作點狀態重置電路、場效電晶體工作點狀態重置方法、以及使用這種工作點狀態重置電路的有機發光二極體（OLED）顯示器。

在OLED顯示器中，主動式有機發光二極體（AMOLED）像素驅動電路採用場效電晶體，尤其採用薄膜場效電晶體（TFT）來形成像素電路，以驅動OLED進行畫面顯示。然而，場效電晶體，尤其是TFT在工作過程中存在特有的滯後現象，會引起顯示面板的發光響應特性不佳。

場效電晶體的滯後特性是指在場效電晶體的閘源電壓變化的場合下，雖然施加的是相同大小的電壓，然而通過場效電晶體的工作電流值會根據變化之前的工作點狀態呈現出不同的大小。

圖1示例性示出了現有技術中場效電晶體工作電流滯後現象的示意圖。如圖1中所示，例如，某種場效電晶體工作時的閘源電壓的變化範圍處於橫坐標上的‒Vgs至0電壓之間，即圖中箭頭所示的區間。可以看到，同樣大小的閘源電壓在從低到高變化時對應的汲極電流Id不同於在從高到低變化時對應的汲極電流。

具體地，圖2示例性示出了一種現有技術中的OLED顯示器的像素電路的一部分的示意圖。圖3示例性示出了可用於圖2中所示的像素電路的發光控制信號和掃描信號的時序波形的示意圖。

在圖2和圖3所示的現有技術中的OLED顯示器的像素電路中，顯示數據Data被寫到發光驅動電晶體（即場效電晶體）To的源極，並最終通過發光驅動電晶體To和寫入控制電晶體T5寫入存儲電容Cst，以作爲發光驅動電晶體To驅動OLED Do發光時的閘源電壓，從而驅動OLED Do發光，來進行畫面顯示。這裏，發光驅動電晶體To的工作點狀態是從前一個顯示數據對應的閘源電壓的狀態直接變化到新的顯示數據對應的閘源電壓狀態。

具體地，如圖2中所示，現有技術中的OLED顯示器的像素電路主要包括OLED Do、發光驅動電晶體To、發光控制電晶體T1和T2、顯示數據清除電晶體T3、顯示數據輸入電晶體T4、顯示數據寫入控制電晶體T5、存儲電容Cst、電源正極+Vcc、電源負極‒Vss、以及顯示數據清除電壓Vres，其連接關係如圖中所示。爲便於說明，這裏發光驅動電晶體To、發光控制電晶體T1和T2、顯示數據清除電晶體T3、顯示數據輸入電晶體T4、顯示數據寫入控制電晶體T5都是以P溝道金屬氧化物半導體（PMOS）場效電晶體爲例，分別具有閘極G、源極S和汲極D。這裏，發光控制電晶體T1和T2的閘極連接在一起並施加有發光控制信號EMD，顯示數據輸入電晶體T4和顯示數據寫入控制電晶體T5的閘極連接在一起並施加有相應於本像素所在行的掃描信號Sn，顯示數據清除電晶體T3的閘極施加有相應於本像素所在行相鄰的前一行的掃描信號Sn-1，以及顯示數據輸入電晶體T4的源極輸入有顯示數據信號Data。

結合圖3中所示的發光控制信號和掃描信號的時序波形，可以看到，在圖2中所示的現有技術中的OLED顯示器的像素電路中，當進行顯示數據寫入動作的時候，由於發光驅動電晶體To的源極和汲極在t1至t4期間同時被所連接的發光控制電晶體T1和T2阻斷，所以發光驅動電晶體To在處理前一個顯示數據時的閘源電壓被保持住。這樣，當輸入新的顯示數據時，在t3時刻，發光驅動電晶體To的工作點狀態只能從處理前一個顯示數據時所對應的狀態開始變化，從而使得從較暗的畫面到明亮的畫面變化的時候，畫面會偏暗，從明亮畫面到較暗的畫面變化的時候，畫面會偏亮。

也就是說，由於在前的顯示數據導致發光驅動電流出現殘存，新的顯示數據交換寫入之後被期待的驅動電流無法得到。結果，在所切換的畫面的最初部分中，會遭受切換之前的畫面的影響，在顯示動態畫面時，屏幕上會出現畫面模糊。特別是在顯示畫面上有文字滾動時，會表現出非常顯著的畫質低下的不良效果。

爲了解决上述技術問題之一，本申請提供一種場效電晶體工作點狀態重置電路，包括：場效電晶體，具有源極、汲極和閘極；第一開關單元，具有第一端、第二端和第一控制端，其中，所述第一端連接到第一電位，所述第二端連接到所述場效電晶體的源極，所述第一控制端用於接收第一控制信號；第二開關單元，具有第三端、第四端和第二控制端，其中，所述第三端連接到所述場效電晶體的汲極，所述第四端通過負載接地，所述第二控制端用於接收第二控制信號；以及第三開關單元，具有第五端、第六端和第三控制端，其中，所述第五端連接到所述場效電晶體的閘極，所述第六端連接到第二電位，所述第三控制端用於接收第三控制信號，其中，所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號的時序被安排成在所述場效電晶體每次開始控制所述負載工作之前的預定時間內通過所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元使所述場效電晶體經歷一次重置操作，其中，在所述重置操作期間，所述第二開關單元處於截止狀態，同時所述第一開關單元和所述第三開關單元處於導通狀態，使得所述第一電位通過所述第一開關單元施加到所述場效電晶體的源極，所述第二電位通過所述第三開關單元施加到所述場效電晶體的閘極，從而使得所述場效電晶體的工作點狀態被重置，以及在所述重置操作之後，所述第三開關單元處於截止狀態，使得所述場效電晶體能夠開始控制所述負載工作。

本申請還提供一種有機發光二極體顯示器，包括多個像素、分別爲所述多個像素提供數據信號的多個數據線、以及分別爲所述多個像素提供掃描信號的多個掃描線，其中所述多個像素的每一個包括：場效電晶體工作點狀態重置電路，包括：場效電晶體，具有源極、汲極和閘極；第一開關單元，具有第一端、第二端和第一控制端，其中，所述第一端連接到第一電位，所述第二端連接到所述場效電晶體的源極，所述第一控制端用於接收第一控制信號；第二開關單元，具有第三端、第四端和第二控制端，其中，所述第三端連接到所述場效電晶體的汲極，所述第四端通過有機發光二極體接地，所述第二控制端用於接收第二控制信號；以及第三開關單元，具有第五端、第六端和第三控制端，其中，所述第五端連接到所述場效電晶體的閘極，所述第六端連接到第二電位，所述第三控制端用於接收第三控制信號，其中，所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號的時序被安排成在所述場效電晶體每次開始控制所述有機發光二極體工作之前的預定時間內通過所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元使所述場效電晶體經歷一次重置操作，其中，在所述重置操作期間，所述第二開關單元處於截止狀態，同時所述第一開關單元和所述第三開關單元處於導通狀態，使得所述第一電位通過所述第一開關單元施加到所述場效電晶體的源極，所述第二電位通過所述第三開關單元施加到所述場效電晶體的閘極，從而使得所述場效電晶體的工作點狀態被重置，以及在所述重置操作之後，所述第三開關單元處於截止狀態，使得所述場效電晶體能夠開始控制所述有機發光二極體工作；第四開關單元，具有第七端、第八端和第四控制端，其中，所述第七端連接到與所述像素相對應的數據線以接收與所述像素相對應的數據信號，所述第八端連接到所述場效電晶體的源極，所述第四控制端連接到與所述像素相對應的掃描線以接收與所述像素相對應的掃描信號；第五開關單元，具有第九端、第十端和第五控制端，其中，所述第九端連接到所述場效電晶體的閘極，所述第十端連接到所述場效電晶體的汲極，所述第五控制端連接到與所述像素相對應的掃描線以接收與所述像素相對應的掃描信號；以及存儲電容，具有第十一端和第十二端，其中，所述第十一端連接到所述場效電晶體的閘極，所述第十二端連接到所述第一開關單元的第一端，其中，在所述重置操作之後，所述第一控制信號、所述第二控制信號、所述第三控制信號和與所述像素相對應的掃描信號的時序被安排成使得與所述像素相對應的數據信號能夠寫入所述存儲電容，並使得所述場效電晶體能夠控制所述有機發光二極體工作。

本申請還提供一種場效電晶體工作點狀態重置方法，用於一種場效電晶體工作點狀態重置電路，所述場效電晶體工作點狀態重置電路包括：場效電晶體，具有源極、汲極和閘極；第一開關單元，具有第一端、第二端和第一控制端；第二開關單元，具有第三端、第四端和第二控制端；以及第三開關單元，具有第五端、第六端和第三控制端，所述場效電晶體工作點狀態重置方法包括：步驟S100：由所述第一控制端接收第一控制信號，所述第二控制端接收第二控制信號，所述第三控制端接收第三控制信號，並將所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號的時序安排成在所述場效電晶體每次開始控制負載工作之前的預定時間內通過所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元使所述場效電晶體經歷一次重置操作，其中，在所述重置操作期間，所述第二開關單元處於截止狀態，同時所述第一開關單元和所述第三開關單元處於導通狀態，使得所述第一端連接到的第一電位通過所述第一開關單元施加到所述場效電晶體的源極，所述第六端連接到第二電位通過所述第三開關單元施加到所述場效電晶體的閘極，從而使得所述場效電晶體的工作點狀態被重置；以及步驟S200：在所述重置操作之後，使所述第三開關單元處於截止狀態，使得所述場效電晶體能夠開始控制所述負載工作。

通過本申請的場效電晶體工作點狀態重置電路、方法及其OLED顯示器中的像素電路和時序波形的搭配，在重置電壓Vres寫入後，發光驅動電晶體To的閘源間電壓Vgs被電源和重置電壓Vres的差值的絕對值電壓重置，從而改變了現有技術中發光驅動電晶體To的閘源間電壓在前一個畫面顯示數據基礎上直接寫入新數據的工作方式，能夠用新數據的電壓沿固定的線性關係來驅動發光驅動電晶體To。由於驅動電晶體To的閘源電壓在每次寫入新數據前都被固定的電壓（例如深度負的或大的電壓）所重置，所以場效電晶體滯後的幅度大部分消失。也就是說，每當下一個顯示數據的電壓被寫入時，驅動電晶體To的工作點狀態僅在圖1所示的一條曲線上變化，因此本申請可以避免在同樣的閘源電壓的情况下從較暗的畫面到明亮的畫面變化的時候偏暗，從明亮畫面到較暗的畫面變化的時候會偏亮，從而使得在所顯示的畫面中，動畫能夠更好地連貫成像，文字的滾動模糊感消失，得到高品質像素的顯示效果。

下面將結合圖4至圖9詳細描述本申請，其中，相同的附圖標記表示相同或相似的設備或信號，另外，作爲連接導線的線段之間如果存在交叉點，那麽交叉點上帶有黑點“•”則表示該交叉點是連接點，交叉點上不帶有黑點“•”則表示該交叉點不是連接點而僅僅是相互穿越；各元件的符號不但代表該元件自身，還可以表示該元件的容量的代數符號。

圖4示例性示出了根據本申請的一個實施例的場效電晶體工作點狀態重置電路的示意圖。如圖4中所示，本申請的場效電晶體工作點狀態重置電路包括：場效電晶體100，具有源極S、汲極D和閘極G；第一開關單元110，具有第一端a1、第二端a2和第一控制端s1，其中，所述第一端a1連接到第一電位V1，所述第二端a2連接到所述場效電晶體100的源極S，所述第一控制端s1用於接收第一控制信號；第二開關單元120，具有第三端a3、第四端a4和第二控制端s2，其中，所述第三端a3連接到所述場效電晶體100的汲極D，所述第四端a4通過負載R接地Gr，所述第二控制端a3用於接收第二控制信號；以及第三開關單元130，具有第五端a5、第六端a6和第三控制端s3，其中，所述第五端a5連接到所述場效電晶體100的閘極G，所述第六端a6連接到第二電位V2，所述第三控制端s3用於接收第三控制信號。

其中，例如，所述第一電位V1與所述第二電位V2的差值的絕對值大於所述場效電晶體100控制所述負載R正常工作時的閘源電壓Vgs的範圍的絕對值，例如，所述場效電晶體100控制所述負載R正常工作時的閘源電壓Vgs的範圍是-5V至0V，V1是+5V，則V2例如可以是-5V。

其中，例如，所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號的時序被安排成在所述場效電晶體100每次開始控制所述負載R正常工作之前的預定時間t內通過所述第一開關單元110、所述第二開關單元120和所述第三開關單元130使所述場效電晶體100經歷一次重置操作。

其中，例如，在所述重置操作期間，例如圖5中從t2至t3期間，通過針對不同類型的開關器件施加相應極性和大小的控制電平，使所述第二開關單元120處於截止狀態，同時所述第一開關單元110和所述第三開關單元130處於導通狀態，使得所述第一電位V1通過所述第一開關單元110施加到所述場效電晶體100的源極S，所述第二電位V2通過所述第三開關單元130施加到所述場效電晶體100的閘極G，從而使得所述場效電晶體100的工作點狀態被重置。

在所述重置操作之後，例如圖5中從t3之後，通過針對不同類型的開關器件施加相應極性和大小的控制電平，使所述第三開關單元130處於截止狀態，使得所述場效電晶體100能夠開始控制所述負載R正常工作。

應當理解，圖4中的第一開關單元110、第二開關單元120和第三開關單元130可以採用各種類型的開關器件來實現。爲便於理解，下面假設圖4中的第一開關單元110、第二開關單元120和第三開關單元130是PMOS場效電晶體，並結合圖5來描述圖4中的場效電晶體工作點狀態重置電路的操作過程。

圖5示例性示出了可用於圖4中所示的場效電晶體工作點狀態重置電路的控制信號的時序波形的一個實施例的示意圖。如圖5中所示，從t1時刻開始，第二開關單元120的第二控制端（例如閘極）s2上開始施加高電平，使第二開關單元120進入截止狀態。從t2時刻開始，第一開關單元110的第一控制端s1保持低電平，使第一開關單元110保持導通狀態，第三開關單元130的第三控制端s3上開始施加低電平，使第三開關單元130也進入導通狀態，這樣，使得第一電位V1通過第一開關單元110施加到場效電晶體100的源極S，第二電位V2通過第三開關單元130施加到場效電晶體100的閘極G，使得場效電晶體100的閘源電壓Vgs被V1與V2的差值電壓重置，從而使得場效電晶體100的工作點狀態被重置。

在t3時刻之後，第三控制端s3處於高電平使得第三開關單元130處於截止或阻塞狀態，從而不影響場效電晶體100加載其它控制信號以開始控制負載R正常工作。

第一控制端s1和第二控制端s2上的電平在t3時刻之後可以根據實際需要而設置。例如，在實際應用中，在對場效電晶體100重置操作之後，可以存在其它的數據或信號的處理過程和相應的電路操作。例如，在t4時刻之後，第一控制端s1和第二控制端s2可以處於低電平使得第一開關單元110和第二開關單元120處於導通狀態。這裏不對這些其它的各種具體數據或信號的處理過程和相應的電路進行更多的描述。

作爲本申請的一個實施例，圖4中的場效電晶體100是TFT。

作爲本申請的一個實施例，圖4中的負載R是OLED。

作爲本申請的一個實施例，圖4中的第一開關單元110、第二開關單元120和第三開關單元130是開關型場效電晶體。

作爲本申請的一個實施例，圖4中的場效電晶體100、第一開關單元110、第二開關單元120和第三開關單元130是PMOS場效電晶體。

作爲本申請的一個實施例，圖4中的第一電位V1是電源的正極，接地Gr是電源的負極，以及第二電位V2是負電位。

進一步，可以採用圖4和圖5所示的本申請的場效電晶體工作點狀態重置電路來構建AMOLED像素驅動電路，從而構建本申請的OLED顯示器。

圖6A示例性示出了根據本申請的一個實施例的OLED顯示器的像素安排的示意圖。圖6B示例性示出了根據本申請的一個實施例的OLED顯示器的像素電路的一部分的示意圖。圖7示例性示出了可用於圖6B中所示的像素電路的發光控制信號和掃描信號的時序波形的一個實施例的示意圖。

如圖6A中所示，本申請的有機發光二極體顯示器1000可以包括：多個像素，例如由n行m列像素P11、P12…P1m、P21…Pn1…Pnm構成的像素陣列；分別爲所述多個像素提供數據信號的多個數據線，例如m條數據線Data 1、Data 2…Data m；以及分別爲所述多個像素提供掃描信號的多個掃描線，例如n條掃描線Scan 1、Scan 2…Scan n；以及分別爲所述多個像素提供發光控制信號的多條發光線，例如2n條發光線EM 1、EM 2、EM3、EM 4…EM2n‒1和EM 2n。

爲便於說明，圖6A中所示的多個像素的每一個（以第n行的一個像素爲例）可以包括如下單元：（1）如圖6B中所示的場效電晶體工作點狀態重置電路。圖6中所示的場效電晶體工作點狀態重置電路包括：場效電晶體（即發光驅動電晶體）To，具有源極S、汲極D和閘極G。第一開關單元（即發光控制電晶體）T1，具有第一端、第二端和第一控制端，其中，第一端連接到第一電位，第二端連接到場效電晶體To的源極S，第一控制端用於接收第一控制信號（即發光控制信號）EM1。第二開關單元（即發光控制電晶體）T2，具有第三端、第四端和第二控制端，其中，第三端連接到場效電晶體To的汲極D，第四端通過OLED Do接地，所述第二控制端用於接收第二控制信號（即發光控制信號）EM2。第三開關單元（即顯示數據清除電晶體）T3，具有第五端、第六端和第三控制端，其中，所述第五端連接到所述場效電晶體To的閘極G，所述第六端連接到第二電位Vres，所述第三控制端用於接收第三控制信號。

其中，例如，所述第一電位與所述第二電位Vres的差值的絕對值大於所述場效電晶體To控制所述OLED Do正常工作時的閘源電壓Vgs的範圍的絕對值，例如，所述場效電晶體To控制所述OLED Do正常工作時的閘源電壓Vgs的範圍是-5V至0V，所述第一電位是+5V，則所述第二電位Vres例如可以是-5V。

其中，例如，所述第一控制信號EM1、所述第二控制信號EM2和所述第三控制信號的時序被安排成在所述場效電晶體To每次開始控制所述OLED Do正常工作之前的預定時間t內通過所述第一開關單元T1、所述第二開關單元T2和所述第三開關單元T3使所述場效電晶體To經歷一次重置操作。其中，在所述重置操作期間，例如圖7中從t2至t3期間，通過針對不同類型的開關器件施加相應極性和大小的閘極電平，使所述第二開關單元T2處於截止狀態，同時所述第一開關單元T1和所述第三開關單元T3處於導通狀態，使得所述第一電位通過所述第一開關單元T1施加到所述場效電晶體To的源極S，所述第二電位Vres通過所述第三開關單元T3施加到所述場效電晶體To的閘極G，從而使得所述場效電晶體To的工作點狀態被重置。在所述重置操作之後，例如圖7中從t3之後，通過針對不同類型的開關器件施加相應極性和大小的閘極電平，使所述第三開關單元T3處於截止狀態，使得所述場效電晶體To能夠開始控制所述OLED Do正常工作。

（2）第四開關單元（即顯示數據輸入電晶體）T4，具有第七端、第八端和第四控制端，其中，所述第七端連接到與本像素相對應的數據線以接收與本像素相對應的數據信號Data，所述第八端連接到所述場效電晶體To的源極S，所述第四控制端連接到與本像素相對應的掃描線Scan n以接收與本像素相對應的掃描信號Sn。

（3）第五開關單元（即顯示數據寫入控制電晶體）T5，具有第九端、第十端和第五控制端，其中，所述第九端連接到所述場效電晶體To的閘極G，所述第十端連接到所述場效電晶體To的汲極D，所述第五控制端G連接到與本像素相對應的掃描線Scan n以接收與本像素相對應的掃描信號Sn。

（4）存儲電容Cst，具有第十一端和第十二端，其中，所述第十一端連接到所述場效電晶體To的閘極G，所述第十二端連接到所述第一開關單元T1的第一端。

其中，例如，在所述重置操作之後，例如圖7中從t3之後，所述第一控制信號EM1、所述第二控制信號EM2、所述第三控制信號和與本像素相對應的掃描信號Sn的時序被安排成使得與本像素相對應的數據信號Data能夠寫入所述存儲電容Cst，並使所述場效電晶體To能夠控制所述OLED Do正常工作。

可以看到，圖6B中所示的場效電晶體工作點狀態重置電路是圖4中所示的場效電晶體工作點狀態重置電路在OLED顯示器中的一個更具體的應用。爲了描述方便，圖6B中的開關單元都以PMOS場效電晶體爲例，但應當明白，圖6B中的各個開關單元不限於PMOS場效電晶體。

圖6B與圖2的不同在於，在本申請的OLED顯示器的像素電路中，將圖2中的發光控制信號EMD分離成爲兩個發光控制信號，即第一控制信號EM1和第二控制信號EM2，並分離地分別施加到兩個發光控制電晶體，即第一開關單元T1和第一開關單元T2。

作爲用於圖6B中所示的像素電路的發光控制信號和掃描信號的時序波形的一個實施例，圖7與圖3的不同在於，將圖3中的發光控制信號EMD分離成爲兩個發光控制信號，即第一控制信號EM1和第二控制信號EM2，並分離地分別施加到第一開關單元T1和第一開關單元T2。而且，圖7中的第一控制信號EM1、第二控制信號EM2和第三控制信號（這裏第三控制信號例如可以是與像素相對應的掃描線Scan n相鄰的前一個掃描線Scan n-1的掃描信號Sn-1）的時序波形的安排分別相當於圖5中的在第一控制端s1、第二控制端s2和第三控制端s3上施加的第一控制信號、第二控制信號和第三控制信號。

具體地，從t1時刻開始，第二控制信號EM2變爲高電平，第二開關單元T2變爲截止或阻塞狀態。

從t2時刻開始，重置時的掃描信號Sn-1爲低電平，使第三開關單元T3變爲導通。第二電位，即重置電壓Vres被連接到存儲電容Cst負極（即前述的第十一端），也即場效電晶體To的閘極G；同時，第一控制信號EM1爲低電平，第一開關單元T1爲導通狀態，使得在對存儲電容Cst中存儲的顯示數據進行清零的同時，場效電晶體To的閘源電壓Vgs也被第一電位與第二電位的差值電壓重置，從而使得場效電晶體To的工作點狀態也被重置。

從t3時刻開始，重置時的掃描信號Sn-1變爲高電平之後，可以使第一控制信號EM1變爲高電壓，第一開關單元T1變爲截止或阻塞狀態。

從t4時刻開始，與本像素相對應的掃描線Scan n上的與本像素相對應的掃描信號Sn爲低電平，第四開關單元T4、場效電晶體To和第五開關單元T5變爲導通，於是，基於顯示數據的電壓被保持在數據電壓保持電容，即存儲電容Cst中。

在t5時刻之後，即掃描信號Sn爲高電平之後，可以使第一控制信號EM1和第二控制信號EM2爲低電壓，第一開關單元T1和第二開關單元T2爲導通狀態，這時可以將存儲電容Cst中保持的電壓加入到場效電晶體To的閘源之間，來控制場效電晶體To的汲極電流從場效電晶體To流向OLED Do，以控制OLED Do以一定亮度發光。

作爲本申請的一個實施例，圖6B中的場效電晶體是TFT。

作爲本申請的一個實施例，圖6B中的第三控制信號是與本像素相對應的掃描線Scan n相鄰的前一個掃描線Scan n-1的掃描信號Sn-1。

作爲本申請的一個實施例，圖6B中的第一開關單元T1、第二開關單元T2、第三開關單元T3、第四開關單元T4和第五開關單元T5是開關型場效電晶體。

作爲本申請的一個實施例，圖6B中的場效電晶體To、第一開關單元T1、第二開關單元T2、第三開關單元T3、第四開關單元T4和第五開關單元T5是PMOS場效電晶體。

作爲本申請的一個實施例，圖6B中的第一電位是電源的正極+Vcc，接地是所述電源的負極-Vss，以及所述第二電位是負電位。

圖8示例性示出了根據本申請的另一個實施例的OLED顯示器的像素電路的一部分的示意圖。圖8與圖6B的不同在於，作爲本申請的一個實施例，圖8中的第三開關單元T3可以由兩個相同的開關型場效電晶體依次串聯組成，其中所述兩個相同的開關型場效電晶體的閘極G連接在一起作爲所述第三控制端；以及第五開關單元T5可以由兩個相同的開關型場效電晶體依次串聯組成，其中所述兩個相同的開關型場效電晶體的閘極G連接在一起作爲所述第五控制端。圖8中的連接方式可以减小第三開關單元T3和第三開關單元T3的漏電流。

進一步，本申請還提供了一種場效電晶體工作點狀態重置方法，用於如圖4和圖5所示的場效電晶體工作點狀態重置電路。如圖4和圖5中所示，所述場效電晶體工作點狀態重置電路包括：場效電晶體100，具有源極S、汲極D和閘極G；第一開關單元110，具有第一端a1、第二端a2和第一控制端s1，其中，所述第一端a1連接到第一電位V1，所述第二端a2連接到所述場效電晶體100的源極S，所述第一控制端s1用於接收第一控制信號；第二開關單元120，具有第三端a3、第四端a4和第二控制端s2，其中，所述第三端a3連接到所述場效電晶體100的汲極D，所述第四端a4通過負載R接地Gr，所述第二控制端s2用於接收第二控制信號；以及第三開關單元130，具有第五端a5、第六端a6和第三控制端s3，其中，所述第五端a5連接到所述場效電晶體的閘極G，所述第六端a6連接到第二電位V2，所述第三控制端s3用於接收第三控制信號。

其中，例如，所述第一電位V1與所述第二電位V2的差值的絕對值大於所述場效電晶體100控制所述負載R工作時的閘源電壓Vgs的範圍的絕對值，例如，所述場效電晶體To控制所述OLED Do正常工作時的閘源電壓Vgs的範圍是-5V至0V，所述第一電位是+5V，則所述第二電位Vres例如可以是-5V。

圖9示例性示出了對應於圖4的場效電晶體工作點狀態重置電路的場效電晶體工作點狀態重置方法的流程圖。如圖9所示，本申請的場效電晶體工作點狀態重置方法包括：步驟S100：將所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號的時序安排成在所述場效電晶體100每次開始控制所述負載R正常工作之前的預定時間t內通過所述第一開關單元110、所述第二開關單元120和所述第三開關單元130使所述場效電晶體100經歷一次重置操作，其中，在所述重置操作期間，通過針對不同類型的開關器件施加相應極性和大小的控制電平，使所述第二開關單元120處於截止狀態，同時所述第一開關單元110和所述第三開關單元130處於導通狀態，使得所述第一電位V1通過所述第一開關單元110施加到所述場效電晶體100的源極S，所述第二電位V2通過所述第三開關單元130施加到所述場效電晶體100的閘極G，從而使得所述場效電晶體100的工作點狀態被重置。步驟S200：在所述重置操作之後，通過針對不同類型的開關器件施加相應極性和大小的控制電平，使所述第三開關單元130處於截止狀態，使得所述場效電晶體100能夠開始控制所述負載R正常工作。

作爲本申請的一個實施例，在本申請的場效電晶體工作點狀態重置方法中，所述場效電晶體是TFT。

作爲本申請的一個實施例，在本申請的場效電晶體工作點狀態重置方法中，所述負載是有機發光二極體。

作爲本申請的一個實施例，在本申請的場效電晶體工作點狀態重置方法中，所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元是開關型場效電晶體。

作爲本申請的一個實施例，在本申請的場效電晶體工作點狀態重置方法中，所述場效電晶體、所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元是PMOS場效電晶體。

作爲本申請的一個實施例，在本申請的場效電晶體工作點狀態重置方法中，所述第一電位是電源的正極，所述接地是所述電源的負極，以及所述第二電位是負電位。

雖然已參照典型實施例描述了本申請，但應當理解，這裏所用的術語是說明性和示例性、而非限制性的術語。由於本申請能夠以多種形式具體實施，所以應當理解，上述實施例不限於任何前述的細節，而應在隨附申請專利範圍所限定的範圍內廣泛地解釋，因此落入申請專利範圍或其等同範圍內的全部變化和改型都應爲隨附申請專利範圍所涵蓋。

100‧‧‧場效電晶體
110‧‧‧第一開關單元
120‧‧‧第二開關單元
130‧‧‧第三開關單元
步驟S100
步驟S200
a1‧‧‧第一端
a2‧‧‧第二端
s1‧‧‧第一控制端
V1‧‧‧第一電位
V2‧‧‧第二電位
a3‧‧‧第三端
a4‧‧‧第四端
s2‧‧‧第二控制端
a5‧‧‧第五端
a6‧‧‧第六端
s3‧‧‧第三控制端
Vgs‧‧‧閘源電壓
R‧‧‧負載
Gr‧‧‧接地
Id‧‧‧汲極電流
To‧‧‧發光驅動電晶體
T5‧‧‧寫入控制電晶體
Cst‧‧‧存儲電容
+Vcc‧‧‧電源正極
‒Vss‧‧‧電源負極
Vres‧‧‧顯示數據清除電壓
T1、T2‧‧‧發光控制電晶體
T3‧‧‧顯示數據清除電晶體
T4‧‧‧顯示數據輸入電晶體
T5‧‧‧顯示數據寫入控制電晶體
G‧‧‧閘極
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
EMD‧‧‧發光控制信號
Sn‧‧‧掃描信號
Sn-1‧‧‧相應於本像素所在行相鄰的前一行的掃描信號
Data‧‧‧顯示數據信號
P11、P12…P1m、P21…Pn1‧‧‧Pnmn行m列像素
EM1‧‧‧第一控制信號
EM2‧‧‧第二控制信號

下面將參照所附附圖來描述本申請的實施例，其中：圖1示例性示出了現有技術中場效電晶體工作電流滯後現象的示意圖；圖2示例性示出了一種現有技術中的OLED顯示器的像素電路的一部分的示意圖；圖3示例性示出了可用於圖2中所示的像素電路的發光控制信號和掃描信號的時序波形的示意圖；圖4示例性示出了根據本申請的一個實施例的場效電晶體工作點狀態重置電路的示意圖；圖5示例性示出了可用於圖4中所示的場效電晶體工作點狀態重置電路的控制信號的時序波形的一個實施例的示意圖；圖6A示例性示出了根據本申請的一個實施例的OLED顯示器的像素安排的示意圖；圖6B示例性示出了根據本申請的一個實施例的OLED顯示器的像素電路的一部分的示意圖；圖7示例性示出了可用於圖6B中所示的像素電路的發光控制信號和掃描信號的時序波形的一個實施例的示意圖；圖8示例性示出了根據本申請的另一個實施例的OLED顯示器的像素電路的一部分的示意圖；以及圖9示例性示出了對應於圖4的場效電晶體工作點狀態重置電路的場效電晶體工作點狀態重置方法的流程圖。

100‧‧‧場效電晶體

110‧‧‧第一開關單元

120‧‧‧第二開關單元

130‧‧‧第三開關單元

a1‧‧‧第一端

a2‧‧‧第二端

s1‧‧‧第一控制端

V1‧‧‧第一電位

V2‧‧‧第二電位

a3‧‧‧第三端

a4‧‧‧第四端

s2‧‧‧第二控制端

a5‧‧‧第五端

a6‧‧‧第六端

s3‧‧‧第三控制端

R‧‧‧負載

Gr‧‧‧接地

G‧‧‧閘極

S‧‧‧源極

D‧‧‧汲極

Claims

一種場效電晶體工作點狀態重置電路，包括：一場效電晶體，具有一源極、一汲極和一閘極；一第一開關單元，具有一第一端、一第二端和一第一控制端，其中，所述第一端連接到一第一電位，所述第二端連接到所述場效電晶體的源極，所述第一控制端用於接收一第一控制信號；一第二開關單元，具有一第三端、一第四端和一第二控制端，其中，所述第三端連接到所述場效電晶體的汲極，所述第四端通過一負載接地，所述第二控制端用於接收一第二控制信號；以及一第三開關單元，具有一第五端、一第六端和一第三控制端，其中，所述第五端連接到所述場效電晶體的閘極，所述第六端連接到一第二電位，所述第三控制端用於接收一第三控制信號；其中，所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號的時序被安排成在所述場效電晶體每次開始控制所述負載於工作之前的預定時間內通過所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元使所述場效電晶體經歷一次重置操作；其中，在所述重置操作期間，所述第二開關單元處於截止狀態，同時所述第一開關單元和所述第三開關單元處於導通狀態，使得所述第一電位通過所述第一開關單元施加到所述場效電晶體的源極，所述第二電位通過所述第三開關單元施加到所述場效電晶體的閘極，從而使得所述場效電晶體的工作點狀態被重置，以及在所述重置操作之後，所述第三開關單元處於截止狀態，使得所述場效電晶體能夠開始控制所述負載工作。
根據申請專利範圍第1項所述的場效電晶體工作點狀態重置電路，其中，所述第一電位與所述第二電位的差值的絕對值大於所述場效電晶體控制所述負載工作時的所述閘極和源極的電壓範圍的絕對值。
根據申請專利範圍第1或2項所述的場效電晶體工作點狀態重置電路，其中，所述場效電晶體是一薄膜場效電晶體。
根據申請專利範圍第1或2項所述的場效電晶體工作點狀態重置電路，其中，所述負載是一有機發光二極體。
根據申請專利範圍第1或2項所述的場效電晶體工作點狀態重置電路，其中，所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元是一開關型場效電晶體。
根據申請專利範圍第1或2項所述的場效電晶體工作點狀態重置電路，其中，所述場效電晶體、所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元是一PMOS場效電晶體。
根據申請專利範圍第6項所述的場效電晶體工作點狀態重置電路，其中，所述第一電位是一電源的正極，所述接地是所述電源的負極，以及所述第二電位是一負電位。
一種有機發光二極體顯示器，包括多個像素、分別爲所述多個像素提供數據信號的多個數據線、以及分別爲所述多個像素提供掃描信號的多個掃描線，其中每一所述多個像素包括：一場效電晶體工作點狀態重置電路，包括：一場效電晶體，具有一源極、一汲極和一閘極；一第一開關單元，具有一第一端、一第二端和一第一控制端，其中，所述第一端連接到一第一電位，所述第二端連接到所述場效電晶體的源極，所述第一控制端用於接收一第一控制信號；一第二開關單元，具有一第三端、一第四端和一第二控制端，其中，所述第三端連接到所述場效電晶體的汲極，所述第四端通過一有機發光二極體接地，所述第二控制端用於接收一第二控制信號；以及第三開關單元，具有一第五端、一第六端和一第三控制端，其中，所述第五端連接到所述場效電晶體的閘極，所述第六端連接到一第二電位，所述第三控制端用於接收一第三控制信號；其中，所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號的時序被安排成在所述場效電晶體每次開始控制所述有機發光二極體於工作之前的預定時間內通過所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元使所述場效電晶體經歷一次重置操作；其中，在所述重置操作期間，所述第二開關單元處於截止狀態，同時所述第一開關單元和所述第三開關單元處於導通狀態，使得所述第一電位通過所述第一開關單元施加到所述場效電晶體的源極，所述第二電位通過所述第三開關單元施加到所述場效電晶體的閘極，從而使得所述場效電晶體的工作點狀態被重置，以及在所述重置操作之後，所述第三開關單元處於截止狀態，使得所述場效電晶體能夠開始控制所述有機發光二極體工作；一第四開關單元，具有一第七端、一第八端和一第四控制端；其中，所述第七端連接到與所述像素相對應的數據線以接收與所述像素相對應的數據信號，所述第八端連接到所述場效電晶體的源極，所述第四控制端連接到與所述像素相對應的掃描線以接收與所述像素相對應的掃描信號；一第五開關單元，具有一第九端、一第十端和一第五控制端；其中，所述第九端連接到所述場效電晶體的閘極，所述第十端連接到所述場效電晶體的汲極，所述第五控制端連接到與所述像素相對應的掃描線以接收與所述像素相對應的掃描信號；以及一存儲電容，具有一第十一端和一第十二端，其中，所述第十一端連接到所述場效電晶體的閘極，所述第十二端連接到所述第一開關單元的第一端；其中，在所述重置操作之後，所述第一控制信號、所述第二控制信號、所述第三控制信號和與所述像素相對應的掃描信號的時序被安排成使得與所述像素相對應的數據信號能夠寫入所述存儲電容，並使得所述場效電晶體能夠控制所述有機發光二極體工作。
根據申請專利範圍第8項所述的有機發光二極體顯示器，其中，所述第一電位與所述第二電位的差值的絕對值大於所述場效電晶體控制所述有機發光二極體工作時的所述閘極和源極的電壓範圍的絕對值。
根據申請專利範圍第8或9項所述的有機發光二極體顯示器，其中，所述場效電晶體是一薄膜場效電晶體。
根據申請專利範圍第8或9項所述的有機發光二極體顯示器，其中，所述第三控制信號是與所述像素相對應的掃描線相鄰的前一個掃描線的掃描信號。
根據申請專利範圍第8或9項所述的有機發光二極體顯示器，其中，所述第一開關單元、所述第二開關單元、所述第三開關單元、所述第四開關單元和所述第五開關單元是一開關型場效電晶體。
根據申請專利範圍第12項所述的有機發光二極體顯示器，其中，所述第三開關單元是由兩個相同的所述開關型場效電晶體依次串聯組成；其中兩個相同的所述開關型場效電晶體的閘極連接在一起作爲所述第三控制端；以及所述第五開關單元是由兩個相同的所述開關型場效電晶體依次串聯組成，其中兩個相同的所述開關型場效電晶體的閘極連接在一起作爲所述第五控制端。
根據申請專利範圍第8或9項所述的有機發光二極體顯示器，其中，所述場效電晶體、所述第一開關單元、所述第二開關單元、所述第三開關單元、所述第四開關單元和所述第五開關單元是一PMOS場效電晶體。
根據申請專利範圍第14項所述的有機發光二極體顯示器，其中，所述第一電位是一電源的正極，所述接地是所述電源的負極，以及所述第二電位是一負電位。
一種場效電晶體工作點狀態重置方法，用於一種場效電晶體工作點狀態重置電路，所述場效電晶體工作點狀態重置電路包括：一場效電晶體，具有一源極、一汲極和一閘極；一第一開關單元，具有一第一端、一第二端和一第一控制端；一第二開關單元，具有一第三端、一第四端和一第二控制端；以及一第三開關單元，具有一第五端、一第六端和一第三控制端，所述場效電晶體工作點狀態重置方法包括：步驟S100：由所述第一控制端接收一第一控制信號，所述第二控制端接收一第二控制信號，所述第三控制端接收一第三控制信號，並將所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號的時序安排成在所述場效電晶體每次開始控制一負載工作之前的預定時間內通過所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元使所述場效電晶體經歷一次重置操作，其中，在所述重置操作期間，所述第二開關單元處於截止狀態，同時所述第一開關單元和所述第三開關單元處於導通狀態，使得所述第一端連接到的一第一電位通過所述第一開關單元施加到所述場效電晶體的源極，所述第六端連接到的一第二電位通過所述第三開關單元施加到所述場效電晶體的閘極，從而使得所述場效電晶體的工作點狀態被重置；以及步驟S200：在所述重置操作之後，使所述第三開關單元處於截止狀態，使得所述場效電晶體能夠開始控制所述負載工作。
根據申請專利範圍第16項所述的場效電晶體工作點狀態重置方法，其中，所述第一電位與所述第二電位的差值的絕對值大於所述場效電晶體控制所述有機發光二極體工作時的所述閘極和源極的電壓範圍的絕對值。
根據申請專利範圍第16項所述的場效電晶體工作點狀態重置方法，其中，所述場效電晶體是一薄膜場效電晶體。
根據申請專利範圍第16項所述的場效電晶體工作點狀態重置方法，其中，所述負載是一有機發光二極體。
根據申請專利範圍第16項所述的場效電晶體工作點狀態重置方法，其中，所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元是一開關型場效電晶體。
根據申請專利範圍第16項所述的場效電晶體工作點狀態重置方法，其中，所述場效電晶體、所述第一開關單元、所述第二開關單元和所述第三開關單元是一PMOS場效電晶體。
根據申請專利範圍第21項所述的場效電晶體工作點狀態重置方法，其中，所述第一電位是一電源的正極，所述接地是所述電源的負極，以及所述第二電位是一負電位。