TWI533445B - 電致發光顯示裝置 - Google Patents

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TWI533445B
TWI533445B TW102138003A TW102138003A TWI533445B TW I533445 B TWI533445 B TW I533445B TW 102138003 A TW102138003 A TW 102138003A TW 102138003 A TW102138003 A TW 102138003A TW I533445 B TWI533445 B TW I533445B
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豐田裕訓
藤吉純
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日本顯示器股份有限公司
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Description

電致發光顯示裝置
本發明係關於一種電致發光顯示裝置。
於JP2004-227853A中記載了一種底部發光形式之濾色片方式之電致發光(EL)顯示裝置。該文獻記載之EL顯示裝置係於絕緣性基板上形成EL元件驅動用TFT，於其更上層依序形成濾色片層與白色有機EL層。此EL顯示裝置係將白色有機EL層所產生之發光從絕緣性基板側取出。
於JP2011-65948A中記載了頂部發光形式之濾色片方式之EL顯示裝置。本文獻記載之EL顯示裝置係使得絕緣基板(形成有切換元件與配置於其上層之反射層、進而其上層所形成之白色有機EL元件)與密封基板(形成有黑矩陣以及濾色片)隔著空間或是樹脂層而對向著。此EL顯示裝置係將白色有機EL層所產生之發光從密封基板側取出。
JP2004-227853A所示底部發光形式之構造，由於並未從配置著TFT等電路要素之區域取出發光，故對於個別畫素微細化之高精細或是小型顯示裝置而言，畫素之開口率會降低而無法得到充分的亮度。
此外，JP2011-65948A所示頂部發光形式之構造，尤其對於各個畫素微細化之高精細或是小型顯示裝置而言，由於畫素尺寸與濾色片厚度尺寸相對接近，故白色有機EL層所產生之發光會於絕緣基板與密封基板之間的空間或是樹脂層中傳遞而進入鄰接畫素中造成混色問題。
本發明有鑑於前述觀點所得，其目的在於提供一種濾色片方式之EL顯示裝置，即使畫素微細化也可得到充分亮度以及對比，同時不易發生混色。
針對本申請案所揭示之發明當中代表性之概要來簡單說明則如以下所示。
(1)一種EL顯示裝置，具備有：第1基板；電路層，係形成於該第1基板上；選色反射層，係形成於該電路層之上層；下部電極，係形成於該選色反射層之上層；白色發光之EL層，係形成於該下部電極之上層；上部電極，係形成於該EL層之上層；以及密封層，係形成於該上部電極之上層。
(2)於(1)中，該選色反射層包含有反射層、以及於該反射層之上層處所形成之濾色片。
(3)於(1)中，該選色反射層為雙色鏡層。
(4)於(3)中，於該選色反射層之下層處形成有光吸收層。
(5)於(1)至(4)任一者中，該上部電極為陰極。
(6)於(1)至(5)任一者中，於該上部電極之上層處形成有部分反射膜。
(7)於(6)中，係形成有將鄰接之該下部電極間加以隔開之畫素分離膜；該部分反射膜為設置於該畫素分離膜正上方之輔助電極。
(8)於(1)至(7)任一者中，係具有：形成該選色反射層之畫素、以及未形成該選色反射層之白色發光畫素。
(9)於(1)至(8)任一者中，係具備有：上部濾色片，係配置於該密封層之上層處；以及第2基板，其表面形成有該上部濾色片。
(10)於(9)中，係於該密封層與該上部濾色片之間形成有保護層。
(11)於(1)至(10)任一者中，係於該選色反射層與該下部電極之間形成有保護層。
(12)於(1)至(11)任一者中，屬於鄰接畫素之該選色反射層間之交界成為錐面形狀。
(13)於(1)至(12)任一者中，該上部電極係藉由貫通孔來和該電路層所含配線做電性連接，而成為共通電位。
(14)於(13)中，該貫通孔係配置於未形成該選色反射層之區域處。
依據上述(1)至(3)中任一者，則於濾色片方式之EL顯示裝置中，即便畫素微細化仍可得到充分亮度以及對比，同時不易發生混色。
依據上述(4)，可防止穿透雙色鏡層之光線被反射而視讀。
依據上述(5)，可提高上部電極之反射率，提升EL顯示裝置之發光的色純度。
依據上述(6)，可提高EL顯示裝置之發光的色純度。
依據上述(7)，無須用以形成部分反射膜之追加製程。
依據上述(8)，可得到亮度以及對比高之EL顯示裝置。
依據上述(9)，可提高EL顯示裝置之發光的色純度。
依據上述(10)至(12)，可提高EL顯示裝置之可靠性。
依據上述(13)，上部電極之電位成為均勻，得到無不均之顯示。
依據上述(14)，不會對EL層造成損傷而可得到上述(13)之效果。
1‧‧‧第1基板
2‧‧‧電路層
3‧‧‧反射層
4R,4G,4B‧‧‧濾色片
5‧‧‧下部電極
6‧‧‧畫素分離膜
7‧‧‧EL層
8‧‧‧上部電極
9‧‧‧密封層
10,10W‧‧‧畫素
11‧‧‧選色反射層
12R,12G,12B‧‧‧雙色鏡層
13‧‧‧輔助電極
14R,14G,14B‧‧‧上部濾色片
15‧‧‧第2基板
16‧‧‧黑矩陣
17‧‧‧第1保護層
18‧‧‧第2保護層
19‧‧‧區域
20‧‧‧貫通孔
21‧‧‧顯示區域
22‧‧‧掃描電路
23‧‧‧掃描訊號線
24‧‧‧驅動電路
25‧‧‧影像訊號線
26‧‧‧FPC
100,200,300,400,
500,600,700,800‧‧‧EL顯示裝置
圖1係顯示本發明之第1實施形態之EL顯示裝置之畫素部分的概略截面圖。
圖2係本發明之第1實施形態之EL顯示裝置之概略立體圖。
圖3係顯示本發明之第2實施形態之EL顯示裝置之畫素部分之概略截面圖。
圖4係顯示本發明之第3實施形態之EL顯示裝置之畫素部分之概略截面圖。
圖5係顯示本發明之第4實施形態之EL顯示裝置之畫素部分之概略截面圖。
圖6係顯示本發明之第5實施形態之EL顯示裝置之畫素部分之概略截面圖。
圖7係本發明之第5實施形態之EL顯示裝置之概略分解立體圖。
圖8係顯示本發明之第6實施形態之EL顯示裝置之畫素部分之概略截面圖。
圖9係顯示本發明之第7實施形態之EL顯示裝置之畫素部分之概略截面圖。
圖10係顯示本發明之第8實施形態之EL顯示裝置之畫素部分之概略截面圖。
以下，參見圖式說明本發明之各種實施形態之EL顯示裝置。
[實施例1]
圖1係顯示本發明之第1實施形態之EL顯示裝置100之畫素部分之概略截面圖。
EL顯示裝置100係於絕緣性第1基板1上規則性配置多數畫素10，對於和各畫素10相對應之位置處的EL層7之發光量進行控制以形成畫像。是以，於第1基板1上形成電路層2，電路層2係規則性(本實施形態之情況為格子狀)配置用以控制流經各畫素10之電流量的TFT(Thin Film Transistor)等所構成之電氣電路。此外，第1基板1於本實施形態為玻璃基板，但只要是絕緣性基板則其材質並無特別限定，亦可為合成樹脂等其他材質。此外，不問其屬於透明或不透明。
電路層2包含有：適宜的絕緣層；由掃描訊號線、影像訊號線、電源線以及接地線等所構成之配線；以及閘極、源極、汲極個別電極與半導體層所構成之TFT。構成電路層之電氣電路及其截面構造為眾知者，故此處省略其詳細說明，將此等單純化僅以電路層2來顯示。
於電路層2上針對每個畫素10獨立設置有反射層3。反射層3所具有之功能為：將設置於其更上層處之EL層7所來之發光加以反射。反射層3只要以適宜的金屬膜來形成即可，可使用例如鋁、鉻、銀或是此等合金。此外，反射層3於本實施形態係以相對於每個畫素10來獨立配置，亦即，對應於各畫素之反射層3以相互不接觸之態樣配置著，但以使其相互接觸之形式而言，亦可例如將EL顯示裝置100之配置著畫素10之區域全面加以覆蓋。
於反射層3之更上層對應於各畫素10處設有濾色片4R、4G、4B。各濾色片係使得各畫素10所欲發色之色光線穿透而被著色之膜，此處濾色片4R對應於紅色，濾色片4G對應於綠色，濾色片4B對應於藍色。各濾色片4R、4G、4B乃聚醯亞胺或丙烯酸樹脂等有機材料中添加有染料或是顏料者。
濾色片4R、4G、4B之更上層處對應於每個畫素10設有下部電極5。下部電極5係由畫素分離膜6(也被稱為堤部)所相互隔離而絕緣。下部電極5為透明導電膜，較佳使用ITO(氧化銦錫)或InZnO(氧化銦鋅)等導電性金 屬氧化物、或是該導電性金屬氧化物中混入有銀等金屬者。此外，畫素分離膜6只要是絕緣性材料可為任意者，能以聚醯亞胺或丙烯酸樹脂等有機絕緣材料或是氮化矽所形成。畫素分離膜6係沿著各畫素10之交界配置，使得各畫素10相互分離。各畫素10中，被畫素分離膜6所圍繞之部分為發光區域，此稱為開口區域。
於下部電極5以及畫素分離膜6之上層設有EL層7。EL層7並非於每個畫素獨立存在，而是以覆蓋EL顯示裝置100中配置著畫素10之區域全面的方式來設置。此外，EL層7之發光色為白色。該白色發光一般而言可使得發出複數色例如紅、綠、藍各色或是發出黄色與藍色之EL材料進行積層而得到合成色，於本實施形態中EL層7之具體構成並無特別限定，關於其單層/積層之區別或是其層構造只要結果可得到白色發光則可為任意。此外，構成EL層之材料可為有機材料亦可為無機材料，本實施形態係使用有機材料。
再者，於EL層7上部設有上部電極8。上部電極8也非於每個畫素獨立存在，而是以覆蓋EL顯示裝置100中配置著畫素10之區域全面的方式設置。上部電極8也為透明導電膜，可適用於ITO、InZnO等導電性金屬氧化物混入有銀、鎂等金屬者，或是使得銀、鎂等金屬薄膜與導電性金屬氧化物進行積層所得者。
進而於其上層設有密封層9，以防止氧、水分侵入以EL層7為首之各層而進行保護。密封層9能以氮化矽、環氧系樹脂等適宜有機材料所構成，此外，也可將不同種材料做複數積層而構成密封層9。密封層9係選擇透明材料。
依據如此之構造，位於EL顯示裝置100中對應於各畫素10之位置處的EL層7，一旦受配置於電路層2之電氣電路所控制之量的電洞以及電子藉由下部電極5以及上部電極8注入其中，則會產生因應於其電流量之亮度的發光。下部電極5以及上部電極8之極性並無特別限定，但於本實施形態中，下部電極5係發揮陽極功能，此外，上部電極8係發揮陰極功能。此外，EL顯示裝置100為所謂的頂部發光形式，相對於第1基板1從形成有EL層7之側取出發光。從而，將此相對於第1基板1形成有EL層7之側稱為前側，將其相反側稱為後側。圖1中，上側係成為前側。
此外，例如，圖1中央所示畫素10中由EL層7所產生發光之一部分係如圖中箭頭A所示般朝向前側而穿透上部電極8以及密封層9從前側被取出。此光線由於未通過濾色片4G故為白色。相對於此，於EL層7所產生發光之其他一部分係如圖中箭頭B所示般朝向後側而通過濾色片4G後由反射層3所反射，再度通過濾色片4G而從前側被取出。是以，此光線成為綠色。對於EL顯示裝置100之觀察者而言，圖1中央畫素10之發光方面乃看到由此光線A與光線B所合成者。
此結果，各畫素10之發光色，由於成為和該畫素10之對應濾色片相對應之顏色的光線中混雜白色光，故色純度未必夠高，但由於不會有從和特定畫素10對應之濾色片相鄰接之畫素10進入而來之光線，而不會發生混色問題。
此外，於上述議論中，為了說明簡明起見係將於EL層7所生發光當中朝向前側者直接以圖中箭頭A所示從前側被取出者來說明，但並不正確。其原因在於，上部電極8係基於提高導電率之目的而於導電性金屬氧化物中混入銀、鎂等金屬、或是將金屬薄膜與導電性金屬氧化物加以積層所形成，但該上部電極8並不會成為完全的透明膜，而具有將入射光線之一部分加以反射之半透明反射鏡(half mirror)之性質。是以，從EL層7入射於上部電極8之光線A的相當程度部分(此比例係取決於上部電極8之反射率)被上部電極8所反射，而和圖中箭頭B所示光線同樣地通過濾色片4G後從前側被取出。從而，藉由圖示EL顯示裝置100所得發光色之色純度會比被認為從EL層7朝向前側之光線全部直接從前側被取出之情況來得高。從而，上部電極8係發揮將入射光線之一部分加以反射而讓剩餘者穿透之形成於EL層7上層的部分反射膜之功能。此外，此時，上部電極8為陰極更佳。於此情況，雖上部電極8被供給電子，而成為對EL層7注入電子之側的電極，但於此情況下上部電極8中將存在多數之自由電子，而更容易將入射於上部電極8之光線加以反射。
此外，一般而言EL層7之厚度雖相對地接近發光光線之波長，此時，若如一般頂部發光型EL顯示裝置常見般，於EL層7正下方(亦即下部電極5之正下側)配置反射層3，則會因為和反射光之干渉而產生所謂的微腔效應，而出現EL層7朝法線方向之發光強度變高但相對地朝其他方向之發光 強度則降低之現象。此現象在獲得廣視野角上為不利者，但本實施形態之EL顯示裝置100中，於EL層7與反射層3之間設有濾色片4R、4G、4B，此等濾色片4R、4G、4B之厚度較發光光線之波長來得充分地大，故不會發生前述微腔效應。是以，本實施形態之EL顯示裝置100之視野角取決性小(斜向觀看EL顯示裝置100之時之亮度變化小)。
此外，從和一般頂部發光型EL顯示裝置之比較觀點而言，本實施形態之EL顯示裝置100，入射於濾色片4R、4G、4B之光線被反射層3所反射，而必定2度通過濾色片4R、4G、4B。此事意味著為了得到相同色純度於濾色片所必要之厚度相較於光線僅1度通過濾色片者能以一半的厚度即可解決。是以，相較於濾色片配置於EL層之上層的一般頂部發光型EL顯示裝置，本實施形態之EL顯示裝置100之濾色片4R、4G、4B之厚度可薄化。
此外，本實施形態之EL顯示裝置100從製造上容易度之觀點上來看也有利益。亦即，尤其個別畫素微細化之高精細或是小型顯示裝置，由於各畫素10之尺寸小，而難以將EL層7區分塗成和各畫素10顏色對應者，而不得不如本實施形態般做成為白色發光之單一層。相對於此，由於濾色片之形成係使用光微影手法，故針對個別畫素10區分塗色變得容易。但是，光微影製程中包含有對EL層7造成損傷者，故難以於EL層7前側直接形成濾色片。關於此點，本實施形態之EL顯示裝置100之構造中，只要於第1基板1上形成濾色片4R、4G、4B之後再形成EL層7即可，其製造容易。
此外，本實施形態之EL顯示裝置100，密封層9之上面雖成為EL顯示裝置100之觀察面，但亦可於此密封層9之上層進而配置玻璃或是合成樹脂製透明基板。
圖2係本發明之第1實施形態之EL顯示裝置100之概略立體圖。EL顯示裝置100係於矩形第1基板1上設有配置著畫素10之區域亦即矩形顯示區域21。鄰接於顯示區域21左右其中一邊或是兩邊配置有掃描電路22。本實施形態中，掃描電路22僅設置於顯示區域21左側。從掃描電路22有多數的掃描訊號線23往顯示區域延伸。此外，掃描電路22可如圖示般將電路本身以所謂的SOG(System On Glass)等手法直接作在第1基板1之表面上來設置，亦可構裝半導體晶片來設置。此外，鄰接於顯示區域之近側邊設有驅動電路24。從驅動電路24有多數的影像訊號線25往顯示區域延伸， 而和掃描訊號線23成為正交。由此掃描訊號線23與影像訊號線25所包圍之區域係成為一個畫素10。此外，驅動電路24可和掃描電路22同樣地直接作在第1基板1之表面來設置，但於本實施形態中係藉由構裝半導體晶片來設置。於驅動電路24連接著FPC(Flexible Printed Circuit)26，從外部機器將畫像資料供給於驅動電路24。
從外部機器所供給之畫像資料係藉由驅動電路24而變換為表示個別畫素10亮度的電壓訊號後往影像訊號線25輸出，而被供給到和掃描電路22所選擇之掃描訊號線23相對應之畫素10處。畫素10藉由設置於個別畫素10之畫素電路而以和被供給之電壓訊號相應之亮度來發光。如此般，顯示區域21中設置為格子狀之多數畫素10以對應於特定畫像資料之亮度來發光，藉此，EL顯示裝置100於顯示區域21形成畫像。
另一方面，從以上說明可明白，本實施形態之EL顯示裝置100只要於EL層7以及下部電極5之下層形成可將特定色彩之光線選擇性地往前側反射之選色反射層即可滿足該功能。圖1所示第1實施形態，濾色片4R、4G、4B與反射層3係協同構成選色反射層11。
[實施例2]
相對於此，圖3所示本發明之第2實施形態之EL顯示裝置200係以單層形成選色反射層11之例。圖3係顯示本發明之第2實施形態之EL顯示裝置200之畫素部分的概略截面圖。於本實施形態中，針對和前面第1實施形態為共通之部分係賦予同一符號而省略重複說明。
EL顯示裝置200中，做為選色反射層11係設置有雙色鏡層12R、12G、12B。雙色鏡層12R具有僅選擇性反射紅色光而讓其他光穿透之性質。雙色鏡層12G、12B同樣地分別反射綠色光、藍色光。此外，本實施形態中，穿透雙色鏡層12R、12G、12B之光線係到達電路層2而被吸收，但為了防止此穿透光之反射，只要於雙色鏡層12R、12G、12B之下層設置吸收光之例如黒色的光吸收層即可。
此外，本實施形態之EL顯示裝置200之外觀係和前面第1實施形態之EL顯示裝置100之概略立體圖所示圖2為同樣。
另一方面，於前述第1實施形態之說明中，上部電極8(參見圖1)係發揮部分反射膜之功能，而具有可提高EL顯示裝置100所得發光色之色純度 的作用。再者，為了追加得到同樣的效果以獲得更高色純度，亦可於上部電極8之上層進而形成追加之部分反射膜。此追加之部分反射膜只要是可將入射光線之一部分予以反射而讓剩餘者穿透的構造即可，可為任意者。亦即，只要是可將來自上部電極8往前側射出之光線當中的一部往後側被反射，而讓剩餘者穿透即可。此種膜可考慮例如讓銀或鋁等金屬薄膜所構成之半透明反射鏡在上部電極8前面之全面來形成。或是，也可新形成將畫素10之開口區域之一部分加以覆蓋之反射層。
[實施例3]
圖4所示本發明之第3實施形態之EL顯示裝置300乃於上部電極8之上層形成有將畫素10之開口區域之一部分加以覆蓋之反射層的例。圖4係顯示本發明之第3實施形態之EL顯示裝置300之畫素部分的概略截面圖。即便於本實施形態，針對和前面第1實施形態為共通之部分係賦予同樣符號而省略重複說明。
本實施形態之EL顯示裝置300中，係於上部電極8之上層、畫素分離膜6正上方設有輔助電極13。輔助電極13為銀或鋁等導電性金屬膜，由於電阻小，而可發揮讓上部電極8全體之電位均勻保持、對EL層7充分供給電子(或是電洞)之功能。同時，輔助電極13其一部分係以覆蓋畫素10開口區域的方式形成為較畫素分離膜6之寬度來得寬。因此，畫素10之開口區域之一部分係由輔助電極13所覆蓋隠藏。
此處，輔助電極13為金屬膜，而可發揮將光加以反射之反射膜功能。是以，於輔助電極13後側所發光之光係如圖中箭頭C所示般照至輔助電極13後面而被反射，入射於濾色片4G後由反射層3所再度反射，從未形成輔助電極13之區域往前側射出。從而，輔助電極13係發揮追加之部分反射膜的功能。如此般，可更為增加入射於濾色片4R、4G、4B之光線比例而提高色純度。
此外，本實施形態中，輔助電極13雖兼具作為追加之部分反射膜，但不限定於此，亦可使得輔助電極13與追加之部分反射膜成為分別之物，亦可不形成輔助電極13。此外，追加之部分反射膜的開口部分之形狀以及配置並無特別限定，可為圖4所示般畫素中央部呈開口之形狀，亦可為多數孔橫跨前面而配置之形狀。不論何種情況，於畫素10之開口區域處，其一 部分會被追加之部分反射膜所被覆，剩餘部分則未被追加之部分反射膜所被覆而是呈現開口。此外，從EL層7射出而照到追加之部分反射膜的光線係藉由追加之部分反射膜與反射層3而視情況被反射複數次，從追加之部分反射膜的開口往前側射出。
此外，本實施形態之EL顯示裝置300之外觀係和前面作為第1實施形態之EL顯示裝置100之概略立體圖顯示之圖2者為同樣。
[實施例4]
圖5係顯示本發明之第4實施形態之EL顯示裝置400之畫素部分的概略截面圖。於本實施形態中，針對和前面第1實施形態為共通之部分係賦予相同符號而省略重複說明。同實施形態之EL顯示裝置400除了有發出紅、藍以及綠各色光之畫素10，尚設置有發出白色光之畫素10W。
如圖示般，於畫素10W並未設置濾色片，而於反射層3最接近的上層處形成有下部電極5。白色發光之畫素10W，由於EL層7所致發光之大致全部可從前側取出，而可得到亮度高之發光。藉由設置相關白色發光之畫素10W，可得到亮度高、對比大之畫像顯示。
此外，本實施形態之EL顯示裝置400之外觀係和前面作為第1實施形態之EL顯示裝置100之概略立體圖所顯示之圖2者同樣。
到目前為止所說明之第1至第4實施形態之EL顯示裝置，濾色片僅配置於EL層之下層處，但可進而於EL層之上層處追加濾色片。
[實施例5]
圖6所示本發明之第5實施形態之EL顯示裝置500係於EL層7之上層進而追加上部濾色片14R、14G、14B之例。圖6係顯示本發明之第5實施形態之EL顯示裝置500之畫素部分之概略截面圖。本實施形態同樣地針對和前面第1實施形態為共通之部分係賦予相同符號而省略重複說明。
本實施形態之EL顯示裝置500係於密封層9之前側配置作為玻璃或是合成樹脂製透明基板之第2基板15。此外，於第2基板15之後面、對應於各畫素10之位置處形成有和各畫素10之發光色相對應之顏色的上部濾色片14R、14G、14B。上部濾色片14R被著色為紅色，上部濾色片14G以及14B分別被著色為綠色、藍色。此外，於第2基板15之後面、在和畫素10成為交界之部分係形成有黑矩陣16，但並非必要者，若無需亦可省略。
相關構造，從EL層7朝向後側之光線係如圖中箭頭D所示，於反射層3受反射之前後2度通過濾色片4G，進而通過上部濾色片14G，合計至少3度通過濾色片。因此，本實施形態之EL顯示裝置500相較於前面所提到之實施形態，可進而薄化濾色片之厚度。此外，如圖中箭頭E所示，從EL層7朝向前側之光線至少通過上部濾色片14G，而可更為提高色純度。
此外，本構造中，從EL層7朝向前側之白色光有可能入射於鄰接之畫素10的上部濾色片造成混色發生，但促成混色之白色光的比例較一般頂部發光方式之EL顯示裝置來得小，其影響有限。
此外，本構造之上部濾色片14R、14G、14B由於形成於第2基板15上，故其製造過程中不會對EL層7造成損害。
圖7係本發明之第5實施形態之EL顯示裝置500之概略分解立體圖。於EL顯示裝置500之第1基板1處係和前面第1實施形態之EL顯示裝置100同樣，配置有：配置著多數畫素10之顯示區域21、延伸於顯示區域21內之用以區劃畫素10之多數的掃描訊號線23與影像訊號線25、和掃描訊號線23相連接之掃描電路22、和影像訊號線25連接之驅動電路24、以及FPC26。
再者，於第1基板1之前面側配置有第2基板15。於第2基板之後面，上部濾色片14R、14G、14B係形成於和顯示區域21之各畫素10相對應之位置處(圖中以虛線顯示)。此外，第2基板15尺寸較第1基板1來得小，驅動電路24以及FPC26並未被第2基板15所被覆而露出。本實施形態中，第2基板15往圖中深處方向之尺寸較第1基板1往深處方向之尺寸來得小。第2基板15之圖中寬度方向之尺寸和第1基板1之寬度方向之尺寸相同。
[實施例6]
圖8所示本發明之第6實施形態之EL顯示裝置600乃於前面第5實施形態之EL顯示裝置500追加保護層之例。圖8係顯示本發明之第6實施形態之EL顯示裝置600之畫素部分的概略截面圖。本實施形態同樣地，和前面第1實施形態為共通之部分係賦予相同符號而省略重複說明。
同圖所示般，於下部電極5與濾色片4R、4G、4B之間形成有絕緣性之第1保護層17。此外，於第2基板15之後面所形成之上部濾色片14R、 14G、14B之表面處形成有第2保護層18。
如此般，藉由配置保護層，可更為確實地遮斷對於EL層7之影響，提高EL顯示裝置600之可靠性。此外，第1保護層17以及第2保護層18之材質可使用氮化矽或適宜的有機絕緣膜，未必需要設置雙保護層的兩者，可僅形成其中一者。
此外，本實施形態之EL顯示裝置600之外觀係和前面作為第5實施形態之EL顯示裝置500之概略立體圖來顯示之圖7者同樣。
[實施例7]
圖9係顯示本發明之第7實施形態之EL顯示裝置700之畫素部分的概略截面圖。本實施形態中同樣地針對和前面第1實施形態為共通之部分係賦予相同符號而省略重複說明。
如圖示般，本實施形態中鄰接之濾色片、此處為濾色片4R與濾色片4G之間以及濾色片4G與濾色片4B之間的交界相對於第1基板1表面呈現傾斜而成為錐面形狀。如此之構造，係於形成濾色片4R、4G、4B之際的光微影製程中，使用半色調罩體等而調整曝光條件以及蝕刻條件來得到，藉由相關構造，可減少鄰接濾色片因彼此相重疊或產生間隙而形成之凹凸，可得到更平坦之表面。藉此，由於可穩定形成更上層之構造(亦即下部電極5、畫素分離膜6、EL層7以及上部電極8)，可更為提高EL顯示裝置700之可靠性。
此外，本實施形態之EL顯示裝置700之外觀係和前面作為第1實施形態之EL顯示裝置100之概略立體圖所顯示之圖2同樣。
[實施例8]
圖10係顯示本發明之第8實施形態之EL顯示裝置800之畫素部分的概略截面圖。本實施形態同樣地針對和前面第1實施形態為共通之部分係賦予相同符號而省略重複說明。
EL顯示裝置800中，在第1基板1上配置著畫素之區域亦即顯示區域內並未形成反射層3以及濾色片4R、4G、4B，亦即，設置了未形成選色反射層之區域19。此外，此區域19中係形成貫通孔20，藉此，上部電極8和電路層2內之配線成為短路而成為共通電位(圖中描繪成上部電極8與電路層2相接觸著)。本實施形態中，共通電位為接地電位。該區域19以及貫 通孔20係複數設置於顯示區域內。藉此，上部電極8全體之電位保持均勻，對EL層7充分供給電子(或是電洞)。
此外，區域19中未形成反射層3以及濾色片4R、4G、4B之理由在於，為了形成貫通孔20而將此等層加以剝離之製程對於EL層7造成損害之可能性高。在不致對於EL層7造成影響的前題下可將此等層加以剝離之情況，可無須區域19，貫通孔20之配置為任意。
此外，本實施形態之EL顯示裝置800之外觀係和前面作為第1實施形態之EL顯示裝置100之概略立體圖來顯示之圖2同樣。
以上說明之各實施形態中所示構成亦可相互組合。例如，可於第4實施形態所示具有白色畫素10W(參見圖5)之構成中組合第5實施形態所示上部濾色片14R、14G、14B(參見圖6)。此外，以上說明之各實施形態中所示各構件之具體形狀、配置、數量等為一例，本發明不限定於此。業界人士於實施本發明之際，可因應於實施態樣而將此等各構件之形狀等做任意設計以及變更。此外，關於本發明之特定實施形態於現階段雖以上述方式做了說明，但當然可在不超脫本發明精神之範圍內進行各種變形，本發明希望將所有的變形均包含在本專利申請專利範圍中。
1‧‧‧第1基板
2‧‧‧電路層
3‧‧‧反射層
4R,4G,4B‧‧‧濾色片
5‧‧‧下部電極
6‧‧‧畫素分離膜
7‧‧‧EL層
8‧‧‧上部電極
9‧‧‧密封層
10‧‧‧畫素
11‧‧‧選色反射層
100‧‧‧EL顯示裝置

Claims (13)

  1. 一種EL顯示裝置，具備有：第1基板；電路層，係形成於該第1基板上；選色反射層，係形成於該電路層之上層；下部電極，係形成於該選色反射層之上層；白色發光之EL層，係形成於該下部電極之上層；上部電極，係形成於該EL層之上層；以及密封層，係形成於該上部電極之上層；於該上部電極之上層處形成有部分反射膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之EL顯示裝置，其中該選色反射層包含有反射層、以及於該反射層之上層處所形成之濾色片。
  3. 如申請專利範圍第1項之EL顯示裝置，其中該選色反射層係雙色鏡層。
  4. 如申請專利範圍第3項之EL顯示裝置，其中該選色反射層之下層處形成有光吸收層。
  5. 如申請專利範圍第1項之EL顯示裝置，其中該上部電極為陰極。
  6. 如申請專利範圍第5項之EL顯示裝置，係形成有將鄰接之該下部電極間加以隔開之畫素分離膜；該部分反射膜為設置於該畫素分離膜正上方之輔助電極。
  7. 如申請專利範圍第1項之EL顯示裝置，係具有：形成該選色反射層之畫素、以及未形成該選色反射層之白色發光畫素。
  8. 如申請專利範圍第1項之EL顯示裝置，係具備有：上部濾色片，係配置於該密封層之上層處；以及第2基板，其表面形成有該上部濾色片。
  9. 如申請專利範圍第8項之EL顯示裝置，係於該密封層與該上部濾色片之間形成有保護層。
  10. 如申請專利範圍第1項之EL顯示裝置，係於該選色反射層與該下部電極之間形成有保護層。
  11. 如申請專利範圍第1項之EL顯示裝置，其中屬於鄰接畫素之該選色反射層間之交界係成為錐面形狀。
  12. 如申請專利範圍第1項之EL顯示裝置，其中該上部電極係藉由貫通孔來和該電路層所含配線做電性連接，而成為共通電位。
  13. 如申請專利範圍第12項之EL顯示裝置，其中該貫通孔係配置於未形成該選色反射層之區域處。
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