TWI530744B - LCD Monitor - Google Patents

Description

液晶顯示器

本發明係關於一種液晶顯示器。更詳細而言，本發明係關於較適於具有陣列基板之液晶顯示器之液晶顯示器者，該陣列基板包含對複數個像素供給共用之信號(以下亦稱為共用信號)之電極(以下亦稱為共用電極)。

液晶顯示器包括排列有複數個像素之顯示部及其周圍之邊框部，其係於顯示部中利用液晶分子之光電特性而顯示圖像之裝置，廣泛地普及於行動電話、筆記型電腦、液晶電視等機器中。作為此類液晶顯示器，為人熟知的是主動矩陣驅動方式之液晶顯示器。該方式之液晶顯示器包含主動矩陣基板(以下亦稱為陣列基板)，陣列基板通常包含匯流排線、連接於匯流排線之迴繞線等配線、像素電極、及薄膜電晶體(TFT，Thin Film Transistor)等開關元件。作為匯流排線，通常設置有源極匯流排線及閘極匯流排線。

近年來，特別是於智慧型手機及平板電腦等之用途中，要求液晶顯示器之顯示畫面之高精細化，從而源極匯流排線等匯流排線之間距變得越來越窄。又，亦要求寬視角之顯示。

作為應對上述要求之主要之液晶模式，眾所周知有：垂直配向(VA：Vertical Alignment)模式，對介電常數各向異性為負之液晶分子施加與基板面垂直之方向之電場而控制該液晶分子之配向；及水平配向模式，對介電常數各向異性為正或負之液晶分子施加與基板面成水 平之方向(平行之方向)之電場(橫向電場)而控制該液晶分子之配向。又，作為水平配向模式之液晶顯示器之一種，提出有邊緣場切換(FFS：Fringe Field Switching)方式之液晶顯示器。FFS(Fringe Field Switching，邊緣場切換)方式之液晶顯示器係藉由對液晶層施加邊緣電場(包含橫向電場與縱向電場之兩種成分之斜向電場)而進行顯示。

作為FFS方式之液晶顯示器，例如揭示有如下之FFS模式之液晶顯示器，其以單一之步驟可同時形成複數個接觸孔，且於平坦化膜上配置有像素電極及共用電極(例如參照專利文獻1)。

又，揭示有如下之FFS方式之液晶顯示器，其可充分地確保對共用電極供給共用電位，並且可提高像素之開口率而獲得明亮之顯示(例如參照專利文獻2)。

進而，揭示有使具有狹縫狀開口之共用電極之電阻值變小，並降低閃爍及串擾之FFS方式之液晶面板(例如參照專利文獻3)。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2008-180928號公報

專利文獻2：日本專利特開2008-32899號公報

專利文獻3：日本專利特開2010-8758號公報

於FFS方式之液晶顯示器中，陣列基板通常包含設置於與顯示部對應之區域(以下亦稱為顯示區域)之內與外之共用電極、及設置於顯示區域外且傳輸共用信號之配線(以下亦稱為共用幹配線)，自共用幹配線對共用電極供給共用信號。

於專利文獻1之圖5、7、8(b)等中，揭示有相當於共用幹配線之共用配線16，於專利文獻2之圖1、2、7等中，揭示有相當於共用幹配 線之外周共用電位線50。而且，共用配線16係較設置有掃描線12(相當於閘極匯流排線)之導電層更靠上方之導電層，形成於與信號線15(相當於源極匯流排線)相同之導電層。又，外周共用電位線50係較設置有閘極線14(相當於閘極匯流排線)之導電層更靠上方之導電層，形成於與顯示信號線18(相當於源極匯流排線)相同之導電層。

然而，於以此方式將共用幹配線形成於與源極匯流排線相同之導電層之情形時，為了使源極匯流排線用之引出線與共用幹配線交叉，而需要變更引出線之層，必須相對於各源極匯流排線形成用於其之接觸孔(參照專利文獻2之圖7)。然而，於伴隨顯示畫面之高精細化，源極匯流排線之間距變窄，從而引出線之間隔隨之變窄之情形時，配置該等接觸孔之全部於設計上非常困難。又，即便能夠配置所有接觸孔，亦無法將該等排列為一行，需要以鋸齒狀之方式排列為二行以上。因此，邊框部相應地變大。

進而，於在較共用電極更靠上方處經由絕緣層而配置像素電極，且將共用電極直接連接於共用幹配線之情形時，需要分別用以於共用電極上之該絕緣層上形成接觸孔之圖案化步驟、及用以於較共用電極更靠下方之絕緣層上形成接觸孔之圖案化步驟。因此，於簡化陣列基板之製造步驟之方面有改善之餘地。

本發明係鑒於上述現狀而成立者，其目的在於提供一種可實現顯示畫面之高精細化、邊框部之狹小化、及陣列基板之製造步驟之簡化之液晶顯示器。

本發明者等人對可實現顯示畫面之高精細化、邊框部之狹小化、及陣列基板之製造步驟之簡化之液晶顯示器進行有各種研究，結果著眼於設置有共用幹配線之導電層。而且發現於絕緣基板上依序積層第一導電層、第一絕緣層、及第二導電層，將共用幹配線設置於第 一導電層上，將引出線於共用幹配線上設置於第二導電層上，藉此可不經由接觸孔而將引出線連接於源極匯流排線等匯流排線，又，可將共用幹配線配置於顯示區域之附近。又發現於第二導電層上依序積層第二絕緣層、第三導電層、第三絕緣層、及第四導電層，並將共用電極設置於第三導電層上，經由連接電極將共用電極連接於共用幹配線，將連接電極至少設置於第四導電層上，藉此可於相同之圖案化步驟形成設置於第三絕緣層上之接觸孔與設置於第二絕緣層上之接觸孔。以上之結果，本發明者等人想到可很好地解決上述課題，從而完成本發明。

即，本發明之一方面係一種液晶顯示器(以下亦稱為本發明之液晶顯示器)，其係包含陣列基板、顯示部、及排列於上述顯示部內之複數個像素者，上述陣列基板包括：絕緣基板；上述絕緣基板上之第一導電層；上述第一導電層上之第一絕緣層；上述第一絕緣層上之第二導電層；上述第二導電層上之第二絕緣層；上述第二絕緣層上之第三導電層；上述第三導電層上之第三絕緣層；上述第三絕緣層上之第四導電層；複數個匯流排線，其設置於與上述顯示部對應之區域(顯示區域)內；複數個引出線，其設置於上述區域(顯示區域)外，各自連接於對應之匯流排線；電極(共用電極)，其設置於上述區域(顯示區域)之內與外，對上述複數個像素供給共用信號(共用信號)；配線(共用幹配線)，其設置於上述區域(顯示區域)外，與上述複數個引出線交叉，且傳輸上述信號(共用信號)；以及連接電極，其設置於上述區域(顯示區域)外，將上述電極(共用電極)連接於上述配線(共用幹配線)；且上述配線(共用幹配線)設置於上述第一導電層上，上述複數個引出線於上述配線(共用幹配線)上設置於上述第二導電層上，上述電極(共用電極)設置於上述第三導電層上，上述連接電極至少設置於第四導電層上。

本發明之液晶顯示器只要包含上述作為必需之構成要素，則不受其他構成要素之特別限定。

再者，於本說明書中，自明確化之觀點而言，將匯流排線與引出線之分界設定於顯示區域之輪廓線上，匯流排線設為位於顯示區域內者，引出線設為位於顯示區域之周圍區域(以下亦稱為邊框區域)內。

對本發明之液晶顯示器之較佳實施形態進行以下說明。再者，以下之較佳實施形態可適當地相互組合，又，將以下之2個以上之較佳實施形態相互組合而得之實施形態亦為較佳實施形態之一。

亦可為上述複數個引出線包含相鄰之第一及第二引出線，上述連接電極之與上述配線(共用幹配線)之連接部設置於上述第一與第二引出線之間之區域，上述連接電極之與上述電極(共用電極)之連接部不設置於上述第一與第二引出線之間之上述區域。如此，藉由不將兩個連接部設置於相同之2條引出線之間之區域，可實現顯示畫面之更高精細化。

較佳為如下形態(以下亦稱為形態(1))，即上述陣列基板包含於上述區域(顯示區域)外及上述電極(共用電極)上無上述第三絕緣層之部分，且上述連接電極通過無上述第三絕緣層之上述部分而連接於上述電極(共用電極)。藉此，可容易且確實地將連接電極連接於共用電極。

於上述形態(1)中，無上述第三絕緣層之上述部分亦可不存在於上述複數個引出線上。如此，藉由於俯視陣列基板時，無第三絕緣層之部分不重疊於複數個引出線，而即便於共用電極15存在針孔，亦可防止於第三絕緣層之圖案化步驟中第二絕緣層及引出線被蝕刻。

另一方面，於上述形態(1)中，無上述第三絕緣層之上述部分亦可存在於上述複數個引出線上。如此，藉由於俯視陣列基板時，無第 三絕緣層之部分重疊於複數個引出線，而可提高設計之自由度。

於上述形態(1)中，上述陣列基板包含於上述配線(共用幹配線)上無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之部分，無上述第三絕緣層之上述部分自無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之上述部分上之區域，擴展至上述電極(共用電極)上之區域，上述連接電極亦可設置於上述第四導電層上。藉此，可實現顯示畫面之更高精細化。

於上述形態(1)中也可為，上述陣列基板包含於上述配線(共用幹配線)上無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之複數個部分，無上述第三絕緣層之上述部分於上述配線(共用幹配線)上以帶狀擴展，於俯視上述陣列基板時，無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之上述複數個部分與上述電極(共用電極)之一部分配置於無上述第三絕緣層之上述部分內，上述連接電極設置於上述第四導電層上。藉此，可使連接電極之與共用電極之連接部之面積變大。因此，可減小兩個電極之間之接觸電阻，且可抑制於兩個電極之間產生連接不良。

亦可為上述連接電極包含設置於上述第二導電層之下層部及設置於上述第四導電層之上層部，上述陣列基板包含於上述配線(共用幹配線)上無上述第一絕緣層之部分，且包含於上述下層部上無上述第二絕緣層及上述第三絕緣層之部分，上述下層部通過無上述第一絕緣層之上述部分而連接於上述配線(共用幹配線)，上述上層部通過無上述第二絕緣層及上述第三絕緣層之上述部分而連接於上述下層部。藉此，於用以形成第三導電層之蝕刻時，可以連接電極之下層部保護共用幹配線。因此，可增加第三導電層之材料、用以形成第三導電層之蝕刻劑、及第一導電層之材料之選擇範圍。

另一方面，亦可為上述陣列基板包含於上述配線(共用幹配線)上無上述第一絕緣層、上述第二絕緣層、及上述第三絕緣層之部分，上述連接電極設置於上述第四導電層上，且可通過無上述第一絕緣層、 上述第二絕緣層、及上述第三絕緣層之上述部分而連接於上述配線(共用幹配線)。藉此，可實現顯示畫面之更高精細化。

再者，無上述第一絕緣層、第二絕緣層、及/或第三絕緣層之部分可為例如以開口部之方式閉合之部分，亦可為例如以切口部或絕緣層之外側之部分之方式不閉合之部分。又，上述開口部可為所謂之接觸孔。

上述第三及第四導電層較佳為透明導電層。藉此，可藉由2個透明電極形成保持電容，且可提高開口率。

較佳為上述陣列基板包含薄膜電晶體，上述薄膜電晶體包含半導體層，上述半導體層包含氧化物半導體。於使用氧化物半導體形成TFT之半導體層之情形時，於製造過程中通常形成於陣列基板上之靜電破壞(ESD，electrostatic damage)應對用之元件之尺寸，與使用其他半導體材料(例如非晶矽)之情形相比需要更大。然而，根據本發明之液晶顯示器，可使陣列基板之邊框區域變窄。因此，本發明之液晶顯示器特別適用於使用氧化物半導體作為TFT之半導體層之材料之情形。

較佳為上述第二絕緣層包含有機絕緣層。藉此，可容易地使第二絕緣層之膜厚變厚。因此，可減少寄生電容，從而可抑制顯示中產生異常。

較佳為上述第二絕緣層包含無機絕緣層，上述有機絕緣層積層於上述無機絕緣層上。藉此，可確保第二絕緣層之膜厚，且可確保TFT等之開關元件之可靠性。

較佳為上述第二絕緣層包含可以蝕刻劑進行蝕刻之層，上述第三絕緣層包含可以與上述蝕刻劑相同之蝕刻劑進行蝕刻之層。又，上述第二絕緣層及上述第三絕緣層各自亦可包含使用相同之材料而形成之層。如此，藉由第二及第三絕緣層各自包含可以相同之蝕刻劑進行 蝕刻之層，可容易地將第三絕緣層用之絕緣膜與第二絕緣層用之絕緣膜以相同之步驟進行圖案化。再者，上述蝕刻劑均可為氣體，亦可為液體。

較佳為上述第一絕緣層包含下層及積層於上述下層上之上層。藉此，於顯示區域內，可於下層上設置TFT之閘極絕緣膜，又，可於上層上設置TFT之通道保護層。進而，於使用氧化物半導體作為TFT之半導體層之材料之情形時，較佳為自TFT之特性提高之觀點而言設置通道保護層。因此，該實施形態特別適用於使用氧化物半導體作為TFT之半導體層之材料之情形。

較佳為上述下層及上述上層於上述區域(顯示區域)外覆蓋上述第一導電層。藉此，可更確實地保護設置於第一導電層上之共用幹配線等配線，又，可減少寄生電容。

根據本發明，可實現使顯示畫面之高精細化、邊框部之狹小化、及陣列基板之製造步驟之簡化成為可能之液晶顯示器。

1‧‧‧液晶面板

2‧‧‧顯示部

3‧‧‧像素

4‧‧‧子像素

5‧‧‧源極匯流排線用驅動晶片

6‧‧‧閘極匯流排線用驅動電路

7‧‧‧陣列基板

8‧‧‧對向基板

9‧‧‧顯示區域

10‧‧‧邊框區域

11‧‧‧絕緣基板

12‧‧‧源極匯流排線

13‧‧‧閘極匯流排線

14‧‧‧像素電極

14S‧‧‧狹縫

15‧‧‧共用電極

15a‧‧‧切口部

15b‧‧‧開口

16‧‧‧共用幹配線

17‧‧‧連接電極

17a‧‧‧下層部

17b‧‧‧上層部

17c、17d‧‧‧連接部

18、19‧‧‧引出線

20‧‧‧TFT

21‧‧‧半導體層

22‧‧‧閘極電極

23‧‧‧源極電極

24‧‧‧汲極電極

25、27、61、62、63‧‧‧接觸孔

26‧‧‧通道保護層

31‧‧‧第一配線層(第一導電層)

32‧‧‧第二配線層(第二導電層)

41‧‧‧第一透明導電層(第三導電層)

42‧‧‧第二透明導電層(第四導電層)

51‧‧‧第一絕緣層

51a‧‧‧下層

51b‧‧‧上層

52‧‧‧第二絕緣層

52a‧‧‧下層

52b‧‧‧上層

53‧‧‧第三絕緣層

211‧‧‧絕緣基板

215‧‧‧共用電極

215a‧‧‧切口部

216‧‧‧共用幹配線

217‧‧‧連接電極

218‧‧‧引出線

231‧‧‧第一配線層(第一導電層)

232‧‧‧第二配線層(第二導電層)

241‧‧‧第一透明導電層(第三導電層)

242‧‧‧第二透明導電層(第四導電層)

251‧‧‧第一絕緣層

251a‧‧‧下層

251b‧‧‧上層

252‧‧‧第二絕緣層

252a‧‧‧下層

252b‧‧‧上層

253‧‧‧第三絕緣層

261‧‧‧接觸孔

262‧‧‧接觸孔

311‧‧‧絕緣基板

315‧‧‧共用電極

315a‧‧‧切口部

316‧‧‧共用幹配線

317‧‧‧連接電極

317a‧‧‧下層部

317b‧‧‧上層部

318‧‧‧引出線

331‧‧‧第一配線層(第一導電層)

332‧‧‧第二配線層(第二導電層)

341‧‧‧第一透明導電層(第三導電層)

342‧‧‧第二透明導電層(第四導電層)

351‧‧‧第一絕緣層

351a‧‧‧下層

351b‧‧‧上層

352‧‧‧第二絕緣層

352a‧‧‧下層

352b‧‧‧上層

353‧‧‧第三絕緣層

361‧‧‧接觸孔

362‧‧‧接觸孔

363‧‧‧接觸孔

411‧‧‧絕緣基板

415‧‧‧共用電極

415a‧‧‧切口部

416‧‧‧共用幹配線

417‧‧‧連接電極

418‧‧‧引出線

431‧‧‧第一配線層(第一導電層)

432‧‧‧第二配線層(第二導電層)

441‧‧‧第一透明導電層(第三導電層)

442‧‧‧第二透明導電層(第四導電層)

451‧‧‧第一絕緣層

451a‧‧‧下層

451b‧‧‧上層

452‧‧‧第二絕緣層

452a‧‧‧下層

452b‧‧‧上層

453‧‧‧第三絕緣層

461‧‧‧開口

462‧‧‧接觸孔

511‧‧‧絕緣基板

515‧‧‧共用電極

515a‧‧‧切口部

516‧‧‧共用幹配線

517‧‧‧連接電極

518‧‧‧引出線

531‧‧‧第一配線層(第一導電層)

532‧‧‧第二配線層(第二導電層)

541‧‧‧第一透明導電層(第三導電層)

542‧‧‧第二透明導電層(第四導電層)

551‧‧‧第一絕緣層

551a‧‧‧下層

551b‧‧‧上層

552‧‧‧第二絕緣層

552a‧‧‧下層

552b‧‧‧上層

561‧‧‧開口

562‧‧‧接觸孔

611‧‧‧絕緣基板

615‧‧‧共用電極

615a‧‧‧切口部

616‧‧‧共用幹配線

617‧‧‧連接電極

617a‧‧‧下層部

617b‧‧‧上層部

618‧‧‧引出線

631‧‧‧第一配線層(第一導電層)

641‧‧‧第一透明導電層(第三導電層)

642‧‧‧第二透明導電層(第四導電層)

651‧‧‧第一絕緣層

651a‧‧‧下層

651b‧‧‧上層

652‧‧‧第二絕緣層

652a‧‧‧下層

652b‧‧‧上層

653‧‧‧第三絕緣層

661‧‧‧接觸孔

662‧‧‧接觸孔

663‧‧‧接觸孔

圖1係包含於實施形態1之液晶顯示器之液晶面板之平面模式圖。

圖2係包含於實施形態1之液晶顯示器之陣列基板之平面模式圖，且係將圖1中之單點劃線所包圍之區域放大而得之圖。

圖3係包含於實施形態1之液晶顯示器之陣列基板之平面模式圖，且表示共用幹配線附近之構造。

圖4係沿圖3中之A-B線之剖面模式圖。

圖5係包含於實施形態1之液晶顯示器之陣列基板之平面模式圖，且表示子像素區域之構造。

圖6係沿圖5中之C-D線之剖面模式圖。

圖7係包含於實施形態1之液晶顯示器之陣列基板之平面模式圖，且表示共用幹配線附近之構造。

圖8係包含於實施形態1之液晶顯示器之陣列基板之平面模式圖，且表示共用幹配線附近之構造。

圖9係包含於實施形態2之液晶顯示器之陣列基板之平面模式圖，且表示共用幹配線附近之構造。

圖10係沿圖9中之G-H線之剖面模式圖。

圖11係包含於實施形態3之液晶顯示器之陣列基板之平面模式圖，且表示共用幹配線附近之構造。

圖12係沿圖11中之J-K線之剖面模式圖。

圖13係包含於實施形態4之液晶顯示器之陣列基板之平面模式圖，且表示共用幹配線附近之構造。

圖14係沿圖13中之M-N線之剖面模式圖。

圖15係包含於實施形態5之液晶顯示器之陣列基板之平面模式圖，且表示共用幹配線附近之構造。

圖16係沿圖15中之P-Q線之剖面模式圖。

圖17係包含於實施形態6之液晶顯示器之陣列基板之剖面模式圖，且表示共用幹配線附近之構造。

以下揭示實施形態，並參照圖式對本發明更詳細地進行說明，但本發明並不僅限定於該等實施形態。

(實施形態1)

實施形態1之液晶顯示器係主動矩陣驅動方式、且透過型之液晶顯示器，如圖1所示，其包括：液晶面板1；背光源(未圖示)，其配置於液晶面板1之後方；控制部(未圖示)，其驅動並控制液晶面板1及背光源單元；以及軟性基板(未圖示)，其將液晶面板1連接於控制部。

本實施形態之液晶顯示器包含顯示圖像之顯示部2，於顯示部2以矩陣狀配置有複數個像素3。各像素3由複數種色(例如紅、綠、及藍之3色)之子像素4構成。但本實施形態之液晶顯示器亦可為單色液晶顯示器，於此情形時，無需將各像素3分割為複數個子像素。

再者，像素及子像素之間距並無特別限定，例如，子像素之間距亦可為28 μm×84 μm，下述之源極匯流排線12之間隔亦可未達20 μm。

液晶面板1包括：主動矩陣基板(陣列基板)7；對向基板8，其與陣列基板7對向，且包含濾色器、黑矩陣等構件；液晶層(未圖示)，其設置於基板7、8之間；水平配向膜(未圖示)，其設置於陣列基板7之液晶層側之表面上；水平配向膜(未圖示)，其設置於對向基板8之液晶層側之表面上；以及源極匯流排線用驅動晶片5，其安裝於陣列基板7上。陣列基板7設置於液晶顯示器之背面側，對向基板8設置於觀察者側。於各基板7、8之與液晶層為相反側之表面上貼附有偏光板(未圖示)。該等偏光板通常配置於正交偏光鏡。驅動晶片5藉由COG(Chip On Glass，玻璃覆晶)技術，安裝於陣列基板7之不與對向基板8對向之區域、即自對向基板8伸出之區域(以下亦稱為突出區域)。

陣列基板7包括與顯示部2對應之區域(顯示區域)9、及顯示區域9之周圍區域(邊框區域)10。陣列基板7包含：閘極匯流排線用驅動電路6，其於顯示區域9之左右形成為單一積體電路；複數個端子(未圖示，以下亦稱為陣列端子)，其形成於突出區域內；源極匯流排線12及閘極匯流排線13，其等分別形成於顯示區域9內；源極匯流排線用引出線18及閘極匯流排線用引出線19，其等分別形成於邊框區域10內；共用幹配線16，其以包圍顯示區域9之方式形成於邊框區域10內；以及複數個輸入配線(未圖示)，其分別形成於邊框區域10內。源 極匯流排線12與閘極匯流排線13相互交叉，且以格子狀配置。閘極匯流排線13包含連接於右側之驅動電路6之閘極匯流排線13、及連接於左側之驅動電路6之閘極匯流排線13，該等交替配置。於陣列端子包含：連接於驅動晶片5之輸出端子之端子(以下亦稱為第一陣列端子)；連接於驅動晶片5之輸入端子之端子(以下亦稱為第二陣列端子)；及連接於軟性基板之端子之端子(以下亦稱為第三陣列端子)。各引出線18將對應之源極匯流排線12連接於第一陣列端子，各引出線19將對應之閘極匯流排線13連接於驅動電路6之輸出部。共用幹配線16連接於第三陣列端子，經由軟性基板自控制部對共用幹配線16輸入共用信號。再者，所謂共用信號係指共用地施加於所有像素之信號。各輸入配線將第二陣列端子或驅動電路6之輸入部連接於第三陣列端子。再者，代替形成為單一積體電路之驅動電路6，亦可於陣列基板7上安裝具有相同之功能之驅動晶片。

如圖2所示，藉由源極匯流排線12及閘極匯流排線13所劃分之區域(以下亦稱為子像素區域)對應於子像素。陣列基板7包含以覆蓋顯示區域9之方式而形成之共用電極15、及形成於共用幹配線16上之連接電極17。連接電極17包含下層部17a及上層部17b。共用電極15於邊框區域10中，經由連接電極17而連接於共用幹配線16。各引出線18以與共用幹配線16交叉之方式通過共用幹配線16上方。又，引出線18之一部分繞過下層部17a。

參照圖3及圖4對共用幹配線16附近之構造進行詳細介紹。

陣列基板7包含透明之絕緣基板11，於絕緣基板11上，依序積層有相當於上述第一導電層之第一配線層31、第一絕緣層51、相當於上述第二導電層之第二配線層32、第二絕緣層52、相當於上述第三導電層之第一透明導電層41、第三絕緣層53、及相當於上述第四導電層之第二透明導電層42。第一絕緣層51包括下層51a及積層於下層51a上之 上層51b。第二絕緣層52包括下層52a及積層於下層52a上之上層52b。第一絕緣層51、第二絕緣層52、及第三絕緣層53於共用幹配線16附近，作為層間絕緣膜而發揮功能。

共用幹配線16形成於第一配線層31上，引出線18於共用幹配線16上形成於第二配線層32上，下層部17a形成於第二配線層32上，上層部17b形成於第二透明導電層42上，共用電極15形成於第一透明導電層41上。下層部17a設置於相鄰之2條引出線18之間，上層部17b以橫穿複數個引出線18之方式而設置。

第三絕緣層53於共用電極15上形成有接觸孔61。第二絕緣層52及第三絕緣層53於下層部17a上形成有接觸孔62。以共用電極15不重疊於接觸孔62之方式於共用電極15上形成有切口部15a。第一絕緣層51於共用幹配線16上形成有接觸孔63，接觸孔63設置於相鄰之2條引出線18之間。

上層部17b通過接觸孔61而連接於共用電極15，並且通過接觸孔62而連接於下層部17a。下層部17a通過接觸孔63而連接於共用幹配線16。如此，共用電極15於邊框區域10中，經由連接電極17而連接於共用幹配線16，並自共用幹配線16對共用電極15供給共用信號。

再者，如圖1所示，於在陣列基板7上將驅動電路6形成為單一積體電路之情形時，驅動電路6之輸出部設置於第二配線層32上，輸出信號自其處輸出。因此，將閘極匯流排線13連接於驅動電路6之輸出部之引出線19包含設置於第二配線層32上且連接於輸出部之部分、及設置於第一配線層31上且連接於閘極匯流排線13之部分，該等部分於共用幹配線16與顯示區域9之間之區域中，經由形成於第一絕緣層51上之接觸孔(未圖示)而相互連接。如此，經由引出線19而自驅動電路6向閘極匯流排線13供給輸出信號。因此，即便於引出線18所通過之顯示區域9之除下邊以外之邊、即顯示區域9之左右邊與位於源極匯流 排線12之延長線上之顯示區域9之上邊的附近，亦可將共用幹配線16形成於第一配線層31上。另一方面，於代替驅動電路6而於陣列基板7上安裝上述驅動晶片之情形時，於引出線18所通過之顯示區域9之除下邊及上邊以外之邊、即顯示區域9之左右邊之附近，將共用幹配線16形成於第二配線層32上，由此可於第一配線層31上不經由接觸孔而與閘極匯流排線13一體地形成引出線19。因此，於顯示區域9之四角附近，共用幹配線16通過形成於第一絕緣層51上之接觸孔(未圖示)而自第一配線層31升高至第二配線層32。而且，形成於第一配線層31上之閘極匯流排線13用之引出線19通過共用幹配線16之設置於第二配線層32上之部分之下方。又，共用電極15經由設置於第二透明導電層42上之其他連接電極(未圖示)而連接於共用幹配線16之設置於第二配線層32上之部分。

其次，說明陣列基板7之子像素區域之構造。

如圖5、圖6所示，陣列基板7包含連接於源極匯流排線12及閘極匯流排線13之TFT20、及連接於TFT20之像素電極14。於像素電極14形成有相互平行之狹縫14S，像素電極14具有相互平行之線狀部分。共用電極15以覆蓋全部子像素區域之方式而設置。像素電極14形成於第二透明導電層42上，經由第三絕緣層53而設置於共用電極15上。閘極匯流排線13形成於第一配線層31上，源極匯流排線12形成於第二配線層32上。

液晶層中之液晶分子(通常為向列型液晶)於未施加電壓時，於相對於狹縫14S形成特定角度之方向，且相對於基板7、8之表面而平行地配向。

TFT20作為開關元件而發揮功能，其包含半導體層21、通道保護層26、閘極電極22、源極電極23、及汲極電極24。閘極電極22藉由與閘極匯流排線13一體地形成而連接於閘極匯流排線13，源極電極23藉 由與源極匯流排線12一體地形成而連接於源極匯流排線12，汲極電極24連接於像素電極14。源極電極23及汲極電極24各自連接於半導體層21。TFT20於接通狀態時，於半導體層21內形成通道。通道保護層26形成於半導體層21上，於源極電極23及汲極電極24圖案化時，保護通道免遭蝕刻劑之蝕刻。通道保護層26形成於第一絕緣層51之上層51b上。第一絕緣層51之下層51a存在於閘極電極22與半導體層21之間，作為TFT20之閘極絕緣膜而發揮功能。第二絕緣層52之下層52a作為鈍化膜而發揮功能，上層52b作為平坦化膜而發揮功能。汲極電極24形成於第二配線層32上，像素電極14通過貫通第二絕緣層52及第三絕緣層53之接觸孔25，而連接於汲極電極24。又，以共用電極15不重疊於接觸孔25之方式，於共用電極15上形成有開口15b。

經由TFT20自源極匯流排線12對像素電極14施加圖像信號。另一方面，對共用電極15施加共用信號。因此，若對像素電極14施加圖像信號，則於像素電極14與共用電極15之間以抛物線狀產生電力線，於液晶層中產生與圖像信號對應之橫向邊緣電場。而且，藉由該橫向邊緣電場控制液晶分子(通常具有正介電常數各向異性)之配向。如此，共用電極15與像素電極14成為一對，作為驅動液晶層之對向電極而發揮功能。

又，像素電極14與共用電極15重疊，於兩個電極14、15之間存在有第三絕緣層53。進而，對共用電極15施加共用信號。因此，若對像素電極14施加圖像信號，則藉由該等透明之構件形成保持電容。如此，像素電極14及共用電極15作為保持電容用之電極而發揮功能。又，第三絕緣層53於子像素區域中，作為鈍化膜、及保持電容之介電體而發揮功能。

繼而，對本實施形態之液晶顯示器之製造方法進行說明。首先，對陣列基板7之製造步驟進行說明。

首先準備絕緣基板11，然後進行下述(1)~(7)之步驟。作為絕緣基板11之具體例，例如可列舉玻璃基板、塑膠基板等。

(1)第一配線層之形成步驟

使用濺鍍法、真空蒸鍍法等方法於絕緣基板11上形成第一導電膜。作為第一導電膜之材料，例如可列舉鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、銅(Cu)、及該等之合金等，第一導電膜亦可為該等材料之膜之積層膜。繼而，使用光微影法將第一導電膜圖案化，形成共用幹配線16、閘極匯流排線13、輸入配線等之第一配線層31。

(2)第一絕緣層及半導體層之形成步驟

其次，使用CVD法(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積法)、濺鍍法等方法形成第一絕緣膜。作為第一絕緣膜之具體例，例如可列舉氮化矽膜、氧化矽膜、及該等之積層膜等。於形成第一絕緣膜之後，使用CVD法、濺鍍法等方法形成半導體膜。作為半導體膜之材料，例如可列舉矽等之14屬元素之半導體、氧化物半導體等，其中較佳為氧化物半導體。較佳為氧化物半導體含有選自銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、鋁(Al)、及矽(Si)所組成之群中至少一種之元素及氧(O)，更佳為含有In、Ga、Zn、及O。其後，使用光微影法將半導體膜圖案化，形成半導體層21。再者，半導體層21之結晶性並無特別限定，半導體層21亦可為單晶、多晶、非晶質、或微晶，亦可包含該等中之2種以上之結晶構造。其次，使用CVD法、濺鍍法等方法形成第二絕緣膜。作為第二絕緣膜之具體例，例如可列舉氮化矽膜、氧化矽膜、及該等之積層膜等。繼而，使用光微影法將第一絕緣膜及第二絕緣膜圖案化，形成包括下層51a及上層51b之第一絕緣層51。又，形成通道保護層26及接觸孔63。

再者，於本實施形態中，第一絕緣層51之上層51b亦可省略，於使用氧化物半導體作為TFT20之半導體層21之材料之情形時，自 TFT20之特性提高之觀點而言，較佳為設置上層51b，且形成通道保護層26。又，藉由設置上層51b，可於邊框區域10中，藉由下層51a及上層51b之2層覆蓋第一配線層31。藉此，可更確實地保護第一配線層31之配線，又，可減少寄生電容。

(3)第二配線層之形成步驟

繼而，使用濺鍍法、真空蒸鍍法等方法形成第二導電膜。作為第二導電膜之材料，例如可列舉Mo、Ti、Al、Cu、及該等之合金等，第二導電膜亦可為該等材料之膜之積層膜。繼而，使用光微影法將第二導電膜圖案化，形成引出線18、源極匯流排線12、下層部17a等之第二配線層32。

(4)第二絕緣層之上層之形成步驟

繼而，使用CVD法、濺鍍法等方法形成第三絕緣膜。作為第三絕緣膜之具體例，例如可列舉氮化矽膜、氧化矽膜、及該等之積層膜等。繼而，使用旋轉塗佈法、狹縫式塗佈法等方法形成第四絕緣膜。作為第四絕緣膜之材料，較佳為有機材料，其中，較佳為感光性丙烯酸系樹脂等感光性樹脂。而且，使用光微影法將第四絕緣膜圖案化，形成第二絕緣層52之上層52b。又，於成為接觸孔62之區域及成為接觸孔25之區域除去第四絕緣膜。藉由使用有機材料而形成第四絕緣膜，可容易地使第二絕緣層52之膜厚變厚。因此，可減少共用電極15與形成於源極匯流排線12等之第二配線層32上之配線之間的寄生電容，從而可抑制顯示中產生異常。又，藉由使用感光性樹脂作為第四絕緣膜之材料，僅以曝光處理及顯影處理便可完成第四絕緣膜之圖案化。

(5)第一透明導電層之形成步驟

繼而，使用濺鍍法形成第一透明導電膜。作為第一透明導電膜之材料，例如可列舉氧化銦錫(ITO：Indium Tin Oxide)、氧化銦鋅 (IZO：Indium Zinc Oxide)等。繼而，使用光微影法將第一透明導電膜圖案化，形成共用電極15等之第一透明導電層41。

(6)第二絕緣層之下層及第三絕緣層之形成步驟

其次，使用CVD法、濺鍍法等方法形成第五絕緣膜。作為第五絕緣膜之具體例，例如可列舉氮化矽膜、氧化矽膜、及該等之積層膜等。然後，使用光微影法將第三絕緣膜及第五絕緣膜以相同之步驟進行圖案化，形成第二絕緣層52之下層52a及第三絕緣層53。此時，藉由相同之蝕刻劑對第三絕緣膜及第五絕緣膜連續地進行蝕刻。又，於成為接觸孔62之區域及成為接觸孔25之區域除去第三絕緣膜，於成為接觸孔61之區域及成為接觸孔25之區域除去第五絕緣膜，於此階段，完成接觸孔62、25。藉由第二絕緣層52及第三絕緣層53各自包含可以相同之蝕刻劑進行蝕刻之層，而可容易地將第三絕緣膜與第五絕緣膜以相同之步驟進行圖案化。

又，於本實施形態中，接觸孔61未形成於引出線18上。因此，於接觸孔61內，即便於共用電極15上存在針孔，亦可有效地防止第五絕緣膜用之蝕刻劑通過針孔而蝕刻第二絕緣層52及引出線18。

再者，於本實施形態中，第二絕緣層52之上層52b亦可省略，於此情形時，與未省略之情形相比，下層52a之膜厚設定地較大。若第二絕緣層52之膜厚較小，則共用電極15與形成於源極匯流排線12等之第二配線層32上之配線之間的寄生電容變大，有顯示中產生異常之虞。但是，於僅形成下層52a之情形時，通常，第三絕緣膜之成膜時間變長，由此自時間縮短之觀點而言較佳為形成上層52b。又，亦考慮第二絕緣層52僅由有機絕緣膜形成，於此情形時，可容易地使第二絕緣層52之膜厚變大。然而，成為於TFT20之正上方形成有機絕緣膜之情況，有損害TFT20之可靠性之虞。另一方面，藉由使用氮化矽、氧化矽等無機絕緣材料而形成第二絕緣層52之下層52a，可防止 TFT20之可靠性之降低。因此，自容易地確保第二絕緣層52之膜厚並且確保TFT20之可靠性之觀點，較佳為第二絕緣層52包含無機絕緣層及積層於無機絕緣層上之有機絕緣層。

(7)第二透明導電層之形成步驟

其次，使用濺鍍法形成第二透明導電膜。作為第二透明導電膜之材料，例如可列舉ITO、IZO等。繼而，使用光微影法將第二透明導電膜圖案化，形成像素電極14、上層部17b等之第二透明導電層42。

其後，於元件組裝步驟中，於陣列基板7與另外製作之對向基板8之各表面上，塗佈形成含有聚醯亞胺等有機樹脂之水平配向膜。然後，使用摩擦處理、光配向處理等方法，以液晶分子初期配置於特定方向之方式對各配向膜實施配向處理。

繼而，於陣列基板7及對向基板8之任一者上，以包圍顯示區域之方式塗佈密封材料，以相互之配向膜對向之方式重疊陣列基板7與對向基板8，然後，藉由密封材料貼合兩個基板。再者，於陣列基板7及對向基板8之任一者上，預先形成用以保持單元間隙之柱狀隔片。其結果，於兩個基板之間形成數μm左右之間隙(單元間隙)。其後，於由密封材料所包圍之空間中填充液晶材料而形成液晶層。

於以此方式形成之液晶元件之兩個表面上，貼附偏光板及相位板(任意)之後，安裝驅動晶片5而完成液晶面板1。

其後，於液晶面板1上連接軟性基板，安裝控制部及背光源單元，藉由將該等收納於框體而完成實施形態1之液晶顯示器。

於本實施形態中，共用幹配線16形成於第一配線層31上，引出線18形成於第二配線層32上。因此，於形成於第二配線層32上之源極匯流排線12與共用幹配線16之間，無需形成用以將各引出線18交替連接於下方之配線層之接觸孔。因此，即便伴隨顯示畫面之高精細化而 源極匯流排線12之間距變窄，亦可與引出線18交叉而配置共用幹配線16，可於與引出線18交叉之區域中確保共用信號向共用電極15之輸入路徑。又，由於無需形成用於交替連接各引出線18之接觸孔，因此可使顯示區域9與共用幹配線16之間隔變窄，其結果，可使邊框區域10變窄。

又，於本實施形態中，將接觸孔61與接觸孔62夾持1條以上之引出線18而分開配置。即，如圖4所示，未將連接電極17之與共用幹配線16之連接部17c、及連接電極17之與共用電極15之連接部17d設置於相同之2條引出線18之間之區域。因此，可實現顯示畫面之更高精細化。又，由於可充分地確保各接觸孔61、62、63之大小，因此可防止產生接觸不良，從而可對共用電極15穩定地輸入共用信號。其結果，可抑制產生陰影、閃爍等顯示不良。

再者，於本實施形態中，配置於接觸孔61與接觸孔62之間的引出線18之條數並無特別限定，例如，可為圖7所示之2條，亦可為圖8所示之1條。

此處，關於共用幹配線16之配置場所，如專利文獻2之圖3~6所示，亦考慮不於源極匯流排線12用之引出線18所通過之區域中設置共用幹配線16。然而，於此情形時，於共用電極15內電位不穩定，其結果，有產生陰影、閃爍等顯示不良之虞。其原因在於，由電阻較大之透明導電膜形成共用電極15。針對此，於本實施形態中，如上所述，可於與源極匯流排線12用之引出線18交叉之區域中確保共用信號向共用電極15之輸入路徑。因此，可對共用電極15穩定地輸入共用信號，且可抑制產生陰影、閃爍等顯示不良。

又，於使用氧化物半導體形成半導體層21之情形時，於製造過程中通常形成於陣列基板上之靜電破壞(ESD)應對用之元件的尺寸，與使用其他半導體材料(例如非晶矽)之情形相比需要變大。然而，根 據本實施形態，可使陣列基板7之邊框區域10變窄。因此，本實施形態之液晶顯示器特別適用於使用氧化物半導體作為TFT20之半導體層21之材料之情形。

又，於本實施形態中，由於連接電極17包含下層部17a，於用以形成第一透明導電層41之蝕刻時，可以連接電極之下層部17a保護共用幹配線16。因此，可增加對第一透明導電層41之材料、用以形成第一透明導電層41之蝕刻劑、及第一配線層31之材料之選擇範圍。

又，於本實施形態中，如圖2所示，引出線18於較共用幹配線16更靠外側之區域中，每隔一條線變經由接觸孔27而交替連接於第一配線層。而且，位於第一配線層31上之引出線18與位於第二配線層32上之引出線18交替配置。藉此，可使引出配線18之間隔變得非常窄。再者，接觸孔27形成於第一絕緣層51上。

(實施形態2)

實施形態2之液晶顯示器除共用幹配線附近之構造不同以外，與實施形態1之液晶顯示器實質上相同。

本實施形態之液晶顯示器所包含之陣列基板，如圖9、10所示，具有透明之絕緣基板211，於絕緣基板211上依序積層有相當於上述第一導電層之第一配線層231、第一絕緣層251、相當於上述第二導電層之第二配線層232、第二絕緣層252、相當於上述第三導電層之第一透明導電層241、第三絕緣層253、及相當於上述第四導電層之第二透明導電層242。第一絕緣層251包括下層251a及積層於下層251a上之上層251b。第二絕緣層252包括下層252a及積層於下層252a上之上層252b。

又，本實施形態之陣列基板包含：形成於第一配線層231上之共用幹配線216；於共用幹配線216上形成於第二配線層232上之引出線218；形成於第二透明導電層242上之連接電極217；及形成於第一透 明導電層241上之共用電極215。連接電極217以橫穿複數個引出線218之方式設置。

於第三絕緣層253，在共用電極215上形成有接觸孔261。第一絕緣層251、第二絕緣層252、及第三絕緣層253於共用幹配線216上形成有接觸孔262，接觸孔262設置於相鄰之2條引出線218之間。以共用電極215不重疊於接觸孔262之方式於共用電極215上形成有切口部215a。

連接電極217通過接觸孔261而連接於共用電極215，並且通過接觸孔262而連接於共用幹配線216。如此，共用電極215於邊框區域中，經由連接電極217而連接於共用幹配線216，自共用幹配線216對共用電極215供給共用信號。

本實施形態之液晶顯示器係除陣列基板以外，可藉由實施形態1中所說明之方法而製作。又，關於本實施形態之陣列基板之製造方法，除以下點以外，與實施形態1中所說明之方法實質上相同。於本實施形態中，不於形成半導體層之後將第一及第二絕緣膜圖案化，於第三及第五絕緣膜之圖案化時，同時將第一及第二絕緣膜圖案化。

根據本實施形態，可省略實施形態1中所設置之下層部17a與接觸孔63。因此，與實施形態1相比，可實現更高精細之液晶顯示器。

(實施形態3)

實施形態3之液晶顯示器除共用幹配線附近之構造不同以外，與實施形態1之液晶顯示器實質上相同。

包含於本實施形態之液晶顯示器之陣列基板，如圖11、12所示，具有透明之絕緣基板311，於絕緣基板311上，依序積層有相當於上述第一導電層之第一配線層331、第一絕緣層351、相當於上述第二導電層之第二配線層332、第二絕緣層352、相當於上述第三導電層之第一透明導電層341、第三絕緣層353、及相當於上述第四導電層之第二透 明導電層342。第一絕緣層351包括下層351a及積層於下層351a上之上層351b。第二絕緣層352包括下層352a及積層於下層352a上之上層352b。

又，本實施形態之陣列基板包含：形成於第一配線層331上之共用幹配線316；於共用幹配線316上形成於第二配線層332上之引出線318；連接電極317；及形成於第一透明導電層341上之共用電極315。連接電極317包括：形成於第二配線層332上之下層部317a、及形成於第二透明導電層342上之上層部317b。下層部317a設置於相鄰之2條引出線318之間，上層部317b自下層部317a上之區域延伸至與下層部317a鄰接之引出線318上之區域。

第三絕緣層353於共用電極315上形成有接觸孔361。第二絕緣層352及第三絕緣層353於下層部317a上形成有接觸孔362。以共用電極315不重疊於接觸孔362之方式於共用電極315上形成有切口部315a。第一絕緣層351於共用幹配線316上形成有接觸孔363，接觸孔363設置於相鄰之2條引出線318之間。

上層部317b通過接觸孔361而連接於共用電極315，並且通過接觸孔362而連接於下層部317a。下層部317a通過接觸孔363而連接於共用幹配線316。如此，共用電極315於邊框區域中，經由連接電極317而連接於共用幹配線316，自共用幹配線316對共用電極315供給共用信號。

本實施形態之液晶顯示器可藉由實施形態1中所說明之方法而製作。

於本實施形態中，接觸孔361設置於引出線318上，無需將用以配置接觸孔361之空間設置於相鄰之2條引出線318之間。因此，與實施形態1相比，可實現更高精細之液晶顯示器。又，可提高設計之自由度。

(實施形態4)

實施形態4之液晶顯示器除共用幹配線附近之構造不同以外，與實施形態1之液晶顯示器實質上相同。

包含於本實施形態之液晶顯示器之陣列基板，如圖13、14所示，具有透明之絕緣基板411，於絕緣基板411上，依序積層有相當於上述第一導電層之第一配線層431、第一絕緣層451、相當於上述第二導電層之第二配線層432、第二絕緣層452、相當於上述第三導電層之第一透明導電層441、第三絕緣層453、及相當於上述第四導電層之第二透明導電層442。第一絕緣層451包括下層451a及積層於下層451a上之上層451b。第二絕緣層452包括下層452a及積層於下層452a上之上層452b。

又，本實施形態之陣列基板包含：形成於第一配線層431上之共用幹配線416；於共用幹配線416上形成於第二配線層432上之引出線418；形成於第二透明導電層442上之連接電極417；及形成於第一透明導電層441上之共用電極415。連接電極417自一條引出線418上之區域延伸至與其鄰接之引出線418上之區域。

第一絕緣層451及第二絕緣層452於共用幹配線416上形成有接觸孔462。以共用電極415不重疊於接觸孔462之方式於共用電極415上形成有切口部415a。第三絕緣層453於共用幹配線416上形成有開口461，開口461於與接觸孔462相同之場所，較接觸孔426更大地形成。又，開口461之一部分位於共用電極415上，共用電極415之一部分未被第三絕緣層453覆蓋。

連接電極417藉由以覆蓋開口461之方式形成而與共用電極415接觸，且連接於共用電極415。又，連接電極417通過接觸孔462而連接於共用幹配線416。如此，共用電極415於邊框區域中，經由連接電極417而連接於共用幹配線416，自共用幹配線416對共用電極415供給共 用信號。

本實施形態之液晶顯示器可藉由實施形態2中所說明之方法而製作。

根據本實施形態，可省略實施形態1中所設置之下層部17a與接觸孔63。又，由於開口461自接觸孔462上之區域擴展至共用電極415上之區域，即，由於連接電極417之與共用幹配線416之連接部及連接電極417之與共用電極415之連接部之間無第三絕緣層453，因此可將兩個連接部相互非常近地配置。因此，與實施形態1及2相比，可實現更高精細之液晶顯示器。

(實施形態5)

實施形態5之液晶顯示器除共用幹配線附近之構造不同以外，與實施形態1之液晶顯示器實質上相同。

包含於本實施形態之液晶顯示器之陣列基板，如圖15、16所示，具有透明之絕緣基板511，於絕緣基板511上，依序積層有相當於上述第一導電層之第一配線層531、第一絕緣層551、相當於上述第二導電層之第二配線層532、第二絕緣層552、相當於上述第三導電層之第一透明導電層541、第三絕緣層(未圖示)、及相當於上述第四導電層之第二透明導電層542。第一絕緣層551包括下層551a及積層於下層551a上之上層551b。第二絕緣層552包括下層552a及積層於下層552a上之上層552b。

又，本實施形態之陣列基板包含：形成於第一配線層531上之共用幹配線516；於共用幹配線516上形成於第二配線層532上之引出線518；形成於第二透明導電層542上之連接電極517；及形成於第一透明導電層541上之共用電極515。連接電極517以橫穿複數個引出線518之方式設置。

第一絕緣層551及第二絕緣層552於共用幹配線516上形成有接觸 孔562，接觸孔562於相鄰之2條引出線518之間各設有1個。以共用電極515不重疊於接觸孔562之方式於共用電極515上形成有切口部515a。第三絕緣層於共用幹配線516上以帶狀形成有開口561。於俯視陣列基板時，於開口561內配置有複數個接觸孔562。又，開口561之一部分位於共用電極515上。

連接電極517藉由以覆蓋開口561之方式形成而與共用電極515接觸，且連接於共用電極515。又，連接電極517通過接觸孔562而連接於共用幹配線516。如此，共用電極515於邊框區域中，經由連接電極517而連接於共用幹配線516，自共用幹配線516對共用電極515供給共用信號。

本實施形態之液晶顯示器可藉由實施形態2中所說明之方法而製作。

根據本實施形態，可省略實施形態1中所設置之下層部17a與接觸孔63。又，由於開口561於共用幹配線516上以帶狀擴展，於俯視陣列基板時，接觸孔562與共用電極515之一部分配置於開口561內，即於連接電極517之與共用幹配線516之連接部和連接電極517之與共用電極515之連接部之間無第三絕緣層453，因此可將兩個連接部相互非常靠近地配置。因此，與實施形態1及2相比，可實現更高精細之液晶顯示器。

進而，可將連接電極517之與共用電極515之連接部之面積變大。因此，與實施形態1~4相比，可減小兩個電極之間之接觸電阻，且可抑制於兩個電極之間產生連接不良。

(實施形態6)

實施形態6之液晶顯示器除共用幹配線附近之構造不同以外，與實施形態1之液晶顯示器實質上相同。

包含於本實施形態之液晶顯示器之陣列基板，如圖17所示，具 有透明之絕緣基板611，於絕緣基板611上，依序積層有相當於上述第一導電層之第一配線層631、第一絕緣層651、相當於上述第二導電層之第二配線層632、第二絕緣層652、相當於上述第三導電層之第一透明導電層641、第三絕緣層653、及相當於上述第四導電層之第二透明導電層642。第一絕緣層651包括下層651a及積層於下層651a上之上層651b。第二絕緣層652包括下層652a及積層於下層652a上之上層652b。

又，本實施形態之陣列基板包含：形成於第一配線層631上之共用幹配線616；於共用幹配線616上形成於第二配線層632上之引出線618；形成於第二透明導電層642上之連接電極617；及形成於第一透明導電層641上之共用電極615。連接電極617包括形成於第二配線層632上之下層部617a、及形成於第二透明導電層642上之上層部617b。連接電極617(下層部617a及上層部617b)設置於相鄰之2條引出線618之間。

於第三絕緣層653，在共用電極615上形成有接觸孔661。第二絕緣層652及第三絕緣層653於下層部617a上形成有接觸孔662。以共用電極615不重疊於接觸孔662之方式於共用電極615上形成有切口部615a。第一絕緣層651於共用幹配線616上形成有接觸孔663，接觸孔661、662、663設置於相鄰之2條引出線618之間。

上層部617b通過接觸孔661而連接於共用電極615，並且通過接觸孔662而連接於下層部617a。下層部617a通過接觸孔663而連接於共用幹配線616。如此，共用電極615於邊框區域中，經由連接電極617而連接於共用幹配線616，自共用幹配線616對共用電極615供給共用信號。

本實施形態之液晶顯示器可藉由實施形態1中所說明之方法而製作。

於本實施形態中，由於相鄰之2條引出線618之間配置有3個接觸孔661、662、663，因此與實施形態1相比不利於高精細化。然而，由於連接電極617無需配置於相鄰之2條引出線618之間的各區域中，若與於各匯流排線上設置接觸孔之情形相比則有利於高精細化。

再者，於各實施形態中，將共用電極與共用幹配線相互連接之連接構造之數量及配置場所並無特別限定，可適當地設定。又，於配置複數個連接構造之情形時，至少一個連接構造具有上述任一特徵即可，無需全部連接構造具有上述任一特徵。

又，實施形態1~6可相互組合，例如，可將不同實施形態之連接構造設置於相同之陣列基板上。

又，於實施形態1~6中對FFS方式之液晶顯示器進行了說明，但各顯示器之顯示方式並無特別限定。例如，亦可為使用各自具有梳齒結構之共用電極及像素電極之平面內切換(IPS：In-Plane Switching)方式、TBA(Transverse Bend Alignment，橫向彎曲排列)方式等顯示方式。再者，於TBA方式中，液晶層包含具有負介電常數各向異性之向列型液晶分子，該液晶分子於未施加電壓時垂直配向，陣列基板包含一對電極(例如，各自具有梳齒結構之共用電極及像素電極)，藉由於該電極之間產生之橫向電場而使液晶分子以彎曲狀配向。其中，作為實施形態1~6之液晶顯示器之顯示方式，較佳為包含透明之共用電極、透明之像素電極、及兩電極間之介電體(以下亦將此種結構稱為透明Cs結構)，並藉由該等構件形成保持電容之顯示方式，作為此種顯示方式，例如可列舉具有透明Cs結構之CPA(Continuous Pinwheel Alignment，連續焰火狀排列)方式。再者，於具有透明Cs結構之CPA方式中，液晶層包含具有負介電常數各向異性之向列型液晶分子，該液晶分子於未施加電壓時垂直配向，陣列基板包含透明之共用電極、該共用電極上之絕緣層、及該絕緣層上之透明之像素電極，對向基板 包含與像素電極對向之透明之對向電極、及設置於該對向電極上之點狀之突起(鉚接點)，藉由於該像素電極與該對向電極之間產生之縱向電場而使液晶分子以突起為中心呈放射狀配向。

又，於實施形態1中對於在顯示區域之全周配置共用幹配線之情形進行了說明，但於各實施形態中，只要共用幹配線以與設置於第二導電層上之引出線交叉之方式而配置，則其配置場所並無特別限定，例如，共用幹配線亦可僅配置於顯示區域之下邊附近。

又，於實施形態1~6中對透過型之液晶顯示器進行了說明，但各液晶顯示器亦可為反射型或半透過型。於反射型之情形時，例如，可代替相當於第三導電膜之第一透明導電膜而使用表面為高反射率之導電膜。作為此種導電膜之材料，例如可列舉Al、銀(Ag)、鉑(Pt)、及該等之合金等，該導電膜亦可為該等材料之膜之積層膜。

又，於實施形態1~6中，於共用幹配線上，在共用電極上形成有切口部，但亦可代替其而設置開口部。

11‧‧‧絕緣基板

15‧‧‧共用電極

15a‧‧‧切口部

16‧‧‧共用幹配線

17a‧‧‧下層部

17b‧‧‧上層部

17c、17d‧‧‧連接部

18‧‧‧引出線

31‧‧‧第一配線層(第一導電層)

32‧‧‧第二配線層(第二導電層)

41‧‧‧第一透明導電層(第三導電層)

42‧‧‧第二透明導電層(第四導電層)

51‧‧‧第一絕緣層

51a‧‧‧下層

51b‧‧‧上層

52‧‧‧第二絕緣層

52a‧‧‧下層

52b‧‧‧上層

53‧‧‧第三絕緣層

61、62、63‧‧‧接觸孔

Claims (20)

1. 一種液晶顯示器，其係具備陣列基板、顯示部、及排列於上述顯示部內之複數個像素者，且上述陣列基板包括：絕緣基板；上述絕緣基板上之第一導電層；上述第一導電層上之第一絕緣層；上述第一絕緣層上之第二導電層；上述第二導電層上之第二絕緣層；上述第二絕緣層上之第三導電層；上述第三導電層上之第三絕緣層；上述第三絕緣層上之第四導電層；複數個匯流排線，其設置於與上述顯示部對應之區域內；複數個引出線，其設置於上述區域外，各自連接於對應之匯流排線；電極，其設置於上述區域之內與外，對上述複數個像素供給共用信號；配線，其設置於上述區域外，與上述複數個引出線交叉，且傳輸上述信號；以及連接電極，其設置於上述區域外，將上述電極連接於上述配線；且上述配線設置於上述第一導電層，上述複數個匯流排線設置於上述第二導電層，上述複數個引出線於上述配線上設置於上述第二導電層，上述電極設置於上述第三導電層， 上述連接電極至少設置於第四導電層，位於經由上述連接電極之自上述電極至上述配線之路徑之至少一個接觸孔，其係設置於上述複數個引出線中相鄰之2條引出線之間之區域。
2. 如請求項1之液晶顯示器，其中上述複數個引出線包含相鄰之第一及第二引出線，上述連接電極之與上述配線之連接部設置於上述第一與第二引出線之間之區域，上述連接電極之與上述電極之連接部不設置於上述第一與第二引出線之間之上述區域。
3. 如請求項1之液晶顯示器，其中上述陣列基板包含於上述區域外及上述電極上無上述第三絕緣層之部分，上述連接電極通過無上述第三絕緣層之上述部分而連接於上述電極。
4. 如請求項2之液晶顯示器，其中上述陣列基板包含於上述區域外及上述電極上無上述第三絕緣層之部分，上述連接電極通過無上述第三絕緣層之上述部分而連接於上述電極。
5. 如請求項3之液晶顯示器，其中無上述第三絕緣層之上述部分不存在於上述複數個引出線上。
6. 如請求項4之液晶顯示器，其中無上述第三絕緣層之上述部分不存在於上述複數個引出線上。
7. 如請求項3之液晶顯示器，其中無上述第三絕緣層之上述部分存在於上述複數個引出線上。
8. 如請求項4之液晶顯示器，其中無上述第三絕緣層之上述部分存在於上述複數個引出線上。
9. 如請求項3之液晶顯示器，其中上述陣列基板包含於上述配線上無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之部分，無上述第三絕緣層之上述部分自無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之上述部分上之區域，擴展至上述電極上之區域，上述連接電極設置於上述第四導電層。
10. 如請求項4之液晶顯示器，其中上述陣列基板包含於上述配線上無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之部分，無上述第三絕緣層之上述部分自無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之上述部分上之區域，擴展至上述電極上之區域，上述連接電極設置於上述第四導電層。
11. 如請求項3之液晶顯示器，其中上述陣列基板包含複數個於上述配線上無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之部分，無上述第三絕緣層之上述部分於上述配線上以帶狀擴展，於俯視上述陣列基板時，無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之上述複數個部分與上述電極之一部分，配置於無上述第三絕緣層之上述部分內，且上述連接電極設置於上述第四導電層。
12. 如請求項4之液晶顯示器，其中上述陣列基板包含複數個於上述配線上無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之部分，無上述第三絕緣層之上述部分於上述配線上以帶狀擴展，於俯視上述陣列基板時，無上述第一絕緣層及上述第二絕緣層之上述複數個部分與上述電極之一部分，配置於無上述第三絕緣層之上述部分內，且上述連接電極設置於上述第四導電層。
13. 如請求項1至12中任一項之液晶顯示器，其中上述連接電極包含設置於上述第二導電層之下層部及設置於上述第四導電層之上 層部，上述陣列基板包含於上述配線上無上述第一絕緣層之部分，且包含於上述下層部上無上述第二絕緣層及上述第三絕緣層之部分，上述下層部通過無上述第一絕緣層之上述部分而連接於上述配線，上述上層部通過無上述第二絕緣層及上述第三絕緣層之上述部分而連接於上述下層部。
14. 如請求項1至12中任一項之液晶顯示器，其中上述陣列基板包含於上述配線上無上述第一絕緣層、上述第二絕緣層、及上述第三絕緣層之部分，上述連接電極設置於上述第四導電層，且通過無上述第一絕緣層、上述第二絕緣層、及上述第三絕緣層之上述部分而連接於上述配線。
15. 如請求項1至12中任一項之液晶顯示器，其中上述陣列基板包含薄膜電晶體，上述薄膜電晶體包含半導體層，上述半導體層包含氧化物半導體。
16. 如請求項1至12中任一項之液晶顯示器，其中上述第二絕緣層包含有機絕緣層。
17. 如請求項16之液晶顯示器，其中上述第二絕緣層包含無機絕緣層，上述有機絕緣層積層於上述無機絕緣層上。
18. 如請求項1至12中任一項之液晶顯示器，其中上述第二絕緣層包含可以蝕刻劑進行蝕刻之層，上述第三絕緣層包含可以與上述蝕刻劑相同之蝕刻劑進行蝕 刻之層。
19. 如請求項1至12中任一項之液晶顯示器，其中上述第一絕緣層包含下層及積層於上述下層上之上層。
20. 如請求項19之液晶顯示器，其中上述下層及上述上層於上述區域外覆蓋上述第一導電層。