JP7066445B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

液晶表示装置において、絶縁層を挟んで対向した共通電極と画素電極とは、液晶に印加される信号電位を保持するための容量を形成している。近年、液晶表示装置の高精細化に伴い、画素電極の面積が小さくなっている。このため、各画素において、共通電極と画素電極との間で十分な容量を形成することが困難となっている。また、画素電極の微細化に伴い、画素電極の面積のばらつきに起因した容量のばらつきが無視できなくなる場合がある。

特開２００９－５８９１３号公報

本実施形態の目的は、高精細化に伴う表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、
基板と、前記基板の上に設けられ、中継電極を有するスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上に設けられた第１電極と、前記第１電極の上に設けられ、第１厚さを有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に設けられた第２電極と、前記第２電極の上に設けられ、第２厚さを有する第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に設けられ、前記第１電極と同電位の第３電極と、を備え、前記第２厚さは、前記第１厚さより大きい、表示装置が提供される。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の基本構成及び等価回路を示す平面図である。 図２は、図１に示すスイッチング素子ＳＷの構成例を示す平面図である。 図３は、図２に示すＡ－Ａ’線に沿った断面図である。 図４は、図３に示す第１電極Ｅ１の構成例を示す平面図である。 図５は、図３に示す第２電極Ｅ２の構成例を示す平面図である。 図６は、図３に示す第３電極Ｅ３の構成例を示す平面図である。 図７は、図１に示す電位供給線６と、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、及び第３電極Ｅ３の配置例を示す平面図である。 図８は、図７に示すＢ－Ｂ’線に沿った断面図である。 図９は、第１実施形態の第１変形例を示す平面図である。 図１０は、第１実施形態の第２変形例を示す平面図である。 図１１は、第１実施形態の第３変形例を示す平面図である。 図１２は、第１実施形態の第３変形例における第２電極Ｅ２を示す平面図である。 図１３は、第１実施形態の第３変形例における第３電極Ｅ３を示す平面図である。 図１４は、第１実施形態の第４変形例を示す断面図である。 図１５は、第２実施形態に係る表示装置を示す断面図である。 図１６は、図１５に示す第１電極Ｅ１の構成例を示す平面図である。 図１７は、図１５に示す第２電極Ｅ２の構成例を示す平面図である。 図１８は、図１５に示す第３電極Ｅ３の構成例を示す平面図である。 図１９は、図１に示す電位供給線６と、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、及び第３電極Ｅ３の配置例を示す平面図である。 図２０は、図１９に示すＣ－Ｃ’線に沿った断面図である。 図２１は、第２実施形態の第１変形例を示す平面図である。 図２２は、第２実施形態の第２変形例を示す平面図である。 図２３は、第２実施形態の第３変形例を示す平面図である。 図２４は、第２実施形態の第３変形例における第１電極Ｅ１を示す平面図である。 図２５は、第２実施形態の第３変形例における第３電極Ｅ２を示す平面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置１の基本構成及び等価回路を示す平面図である。図に示す第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに交差し、第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差している。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、互いに９０度以外の角度で交差していてもよい。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を「上」と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を「下」と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置１を観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

表示装置１は、表示パネル２を備えている。表示パネル２は、一例では液晶表示パネルである。図示した例では、表示パネル２は、略長方形状であり、第１方向Ｘに沿って延出した端部２Ｘａ及び２Ｘｂと、第２方向Ｙに沿って延出した端部２Ｙａ及び２Ｙｂとを有している。表示パネル２は、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び液晶層ＬＣを備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、互いに対向し、シールによって貼り合わされている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持され、表示素子として機能する。表示パネル２は、第１基板ＳＵＢ１が第２基板ＳＵＢ２よりも延出した実装部２０１を有している。図示した例では、実装部２０１は、端部２Ｘａに沿って形成されている。

表示パネル２は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側に位置する非表示領域ＮＤＡとを有している。表示領域ＤＡは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが重畳する領域に位置し、液晶層ＬＣが設けられた領域に相当する。非表示領域ＮＤＡは、図示した例では、表示領域ＤＡを囲む額縁状に形成されている。

表示パネル２は、表示領域ＤＡにおいて、複数の走査線Ｇと、複数の信号線Ｓとを備えている。図示した例では、走査線Ｇは、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って間隔を置いて並んでいる。信号線Ｓは、第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに沿って間隔を置いて並んでいる。また、表示パネル２は、走査線Ｇと信号線Ｓとの交差部近傍に画素ＰＸを備えている。ここで、画素ＰＸとは、画像信号に対して個別に制御できる最小単位に相当する。図示した例では、画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配置されている。

画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、及び液晶層ＬＣを備えている。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。信号線Ｓに供給される信号電位は、スイッチング素子ＳＷを介して画素電極ＰＥに供給される。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。液晶層ＬＣは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界に応じて駆動される。本実施形態において、表示領域ＤＡは、画素電極ＰＥが配置された領域に相当する。

表示パネル２は、非表示領域ＮＤＡにおいて、電位供給線６を備えている。図示した例では、電位供給線６は、略長方形の環状に形成され、表示領域ＤＡを囲んでいる。換言すると、電位供給線６は、すべての画素電極ＰＥを囲んでいる。電位供給線６には、実装部２０１に形成された端子部ＴＥ１及びＴＥ２を介して、共通電位が供給される。本実施形態において、共通電極ＣＥは、非表示領域ＮＤＡまで延出し、非表示領域ＮＤＡにおいて電位供給線６に接続されている。図示した例では、共通電極ＣＥは、第１方向Ｘに沿って延出している。なお、電位供給線６は、表示領域ＤＡの一部を包囲しない構成、例えば表示領域ＤＡの下辺部（端部２Ｘａ側の辺部）には沿わず、残りの３辺にのみ沿って設けられる構成も採用可能である。

また、表示パネル２は、非表示領域ＮＤＡにおいて、ソースドライバ３、ゲートドライバ４ａ及び４ｂ、ドライバＩＣ５などを備えている。ソースドライバ３、ゲートドライバ４ａ及び４ｂ、及びドライバＩＣ５は、電位供給線６よりも外側に位置している。一例では、ソースドライバ３は、実装部２０１と電位供給線６との間に設けられている。ゲートドライバ４ａは、端部２Ｙａと電位供給線６との間に設けられている。ゲートドライバ４ｂは、端部２Ｙｂと電位供給線６との間に設けられている。信号線Ｓは、非表示領域ＮＤＡまで延出し、ソースドライバ３に接続されている。走査線Ｇは、非表示領域ＮＤＡまで延出し、ゲートドライバ４ａ及び４ｂに接続されている。ドライバＩＣ５は、実装部２０１に実装されている。ドライバＩＣ５は、ソースドライバ３、ゲートドライバ４ａ及び４ｂを制御する。

図２は、図１に示すスイッチング素子ＳＷの構成例を示す平面図である。スイッチング素子ＳＷは、一例では、ダブルゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２、中継電極ＲＥ、などを備えている。

半導体層ＳＣは、第１部分ＳＣ１、第２部分ＳＣ２、及び第３部分ＳＣ３を有している。第１部分ＳＣ１は、信号線Ｓの直下に位置している。第１部分ＳＣ１は、第２方向Ｙに沿って延出し、走査線Ｇと交差している。第２部分ＳＣ２は、隣り合う信号線Ｓの間に位置している。第２部分ＳＣ２は、第２方向Ｙに沿って延出し、走査線Ｇと交差している。第３部分ＳＣ３は、第１方向Ｘに沿って延出し、第１部分ＳＣ１と第２部分ＳＣ２とを繋いでいる。なお、第２部分ＳＣ２の一部と第３部分とは、当該スイッチング素子ＳＷに対応する画素ＰＸと第２方向Ｙに隣り合う画素ＰＸに位置している。

半導体層ＳＣは、コンタクトホールＣＨ１において、信号線Ｓと接続されている。信号線Ｓは、スイッチング素子ＳＷの例えばソース電極として機能する。また、半導体層ＳＣは、コンタクトホールＣＨ２において中継電極ＲＥと接続されている。中継電極ＲＥは、スイッチング素子ＳＷの例えばドレイン電極として機能する。ゲート電極ＧＥ１は、走査線Ｇのうち、第１部分ＳＣ１と重なる部分に相当する。ゲート電極ＧＥ２は、走査線Ｇのうち、第２部分ＳＣ２と重なる部分に相当する。

図３は、図２に示すＡ－Ａ’線に沿った断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ、絶縁膜１１乃至１５、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、第３電極Ｅ３、配向膜ＡＬ１などを備えている。

スイッチング素子ＳＷは、図示した例では、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２、半導体層ＳＣ、及び中継電極ＲＥを備えている。ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、絶縁基板１０の上に設けられ、絶縁膜１１によって覆われている。半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に設けられ、絶縁膜１２によって覆われている。信号線Ｓと中継電極ＲＥとは、絶縁膜１２の上に設けられ、絶縁膜（有機絶縁膜）１３によって覆われている。信号線Ｓ及び中継電極ＲＥは、絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２において、半導体層ＳＣとそれぞれ接している。

半導体層ＳＣは、例えば多結晶シリコンによって形成されている。ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２、中継電極ＲＥ、及び信号線Ｓは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成されている。ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２、中継電極ＲＥ、及び信号線Ｓは、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。

絶縁膜１３は、中継電極ＲＥまで貫通したコンタクトホール（第３貫通孔）ＣＨ３を有している。第１電極Ｅ１は、コンタクトホールＣＨ３の近傍を除き、絶縁膜１３の上に形成されている。絶縁膜（第１絶縁膜）１４は、第１電極Ｅ１を覆うとともに、絶縁膜１３の上にも形成されている。絶縁膜１４は、一部がコンタクトホールＣＨ３内まで延在しているが、中継電極ＲＥの一部を露出している。第２電極Ｅ２は、絶縁膜１４の上に形成されている。第２電極Ｅ２は、コンタクトホールＣＨ３において、中継電極ＲＥと接している。これにより、信号線Ｓに供給される信号電位は、中継電極ＲＥを介して第２電極Ｅ２に供給される。

絶縁膜（第２絶縁膜）１５は、第２電極Ｅ２を覆っている。絶縁膜１５は、コンタクトホールＣＨ３内にも設けられている。図示した例では、絶縁膜１５は、絶縁膜１４の上にも形成されている。第３電極Ｅ３は、絶縁膜１５の上に形成されている。一例では、第３電極Ｅ３は、複数の開口ＯＰを有している。開口ＯＰは、各々が第２電極Ｅ２と対向している。第３電極Ｅ３は、配向膜ＡＬ１によって覆われている。配向膜ＡＬ１は、開口ＯＰにおいて絶縁膜１５の上にも設けられている。

絶縁膜１１、１２、１４、及び１５は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁材料によって形成されている。絶縁膜１３は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料によって形成されている。なお、絶縁膜１４と絶縁膜１５とは、有機絶縁材料によって形成されてもよい。本実施形態において、絶縁膜１５の厚さ（第２厚さ）Ｔ１５は、絶縁膜１４の厚さ（第１厚さ）Ｔ１４より大きい。一例では、厚さＴ１５は、厚さＴ１４の２倍以上である。

第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、及び第３電極Ｅ３は、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。

本実施形態において、第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３とは同電位である。第２電極Ｅ２は、第１電極Ｅ１及び第３電極Ｅ２と異なる電位である。一例では、第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３には、共通電位が供給される。第２電極Ｅ２には、信号電位が供給される。すなわち、本実施形態において、第１電極Ｅ１及び第３電極Ｅ３は、図１に示す共通電極ＣＥとして機能する。一方、第２電極Ｅ２は、図１に示す画素電極ＰＥとして機能する。液晶層ＬＣを駆動するためのフリンジ電界は、主に、絶縁膜１５を介して対向する第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３とによって形成される。信号電位を保持するための容量は、絶縁膜１５を介して対向する第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３とによって形成されることはもちろん、絶縁膜１４を介して対向する第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２とによっても形成される。

第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層２１、カラーフィルタ層２２、オーバーコート層２３、及び配向膜ＡＬ２を備えている。遮光層２１及びカラーフィルタ層２２は、絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に設けられている。遮光層２１は、例えば黒色に着色された樹脂によって形成されており、各画素ＰＸを区画している。図示した例では、遮光層２１は、信号線Ｓ、スイッチング素子ＳＷ、コンタクトホールＣＨ３などと対向している。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ層２２を覆っている。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層２３を覆っている。

以上のように形成された第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２とが対向するように配置される。配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間には、図示しないスペーサによって所定のセルギャップが形成される。液晶層ＬＣは、このセルギャップ内に充填される。

図４は、図３に示す第１電極Ｅ１の構成例を示す平面図である。第１電極Ｅ１は、第１方向Ｘに沿って並ぶ複数の画素ＰＸと重なっている。より具体的には、第１電極Ｅ１は、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って間隔を置いて並んでいる。第１電極Ｅ１は、ほぼ一定の幅ＷＥ１を有する帯状に形成されている。幅ＷＥ１は、隣り合う走査線ＧのピッチＰ１より小さい。ここで、幅ＷＥ１及びピッチＰ１は、いずれも第２方向Ｙに沿って規定される。第１電極Ｅ１は、走査線Ｇ、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、及び中継電極ＲＥとそれぞれ部分的に重なっているが、コンタクトホールＣＨ３とは重なっていない。すなわち、第１方向Ｘに沿って並ぶコンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに沿って隣り合う第１電極Ｅ１の間に位置している。

図５は、図３に示す第２電極Ｅ２の構成例を示す平面図である。第２電極Ｅ２は、画素ＰＸ毎に配置されている。すなわち、第２電極Ｅ２は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配置されている。第２電極Ｅ２は、少なくとも中継電極ＲＥ及びコンタクトホールＣＨ３と重なっている。図示した例では、第２電極Ｅ２は、第２方向Ｙに沿った長辺を有する略長方形状であり、画素ＰＸのほぼ全体に亘って形成されている。第２電極Ｅ２は、走査線Ｇの一部と重なっているが、信号線Ｓと重なっていない。すなわち、第２電極Ｅ２は、隣り合う信号線Ｓの間に配置されている。

図６は、図３に示す第３電極Ｅ３の構成例を示す平面図である。第３電極Ｅ３は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿って並ぶ複数の画素ＰＸと重なっている。第３電極Ｅ３は、一例では、単一の部材で形成されている。第３電極Ｅ３は、各画素ＰＸにおいて、複数の開口ＯＰを有している。開口ＯＰは、図５に示す第２電極Ｅ２と重畳する。開口ＯＰは、隣り合う信号線Ｓの間、及び隣り合う走査線Ｇの間に位置し、第２方向Ｙに沿って間隔を置いて並んでいる。開口ＯＰは、中継電極ＲＥと重なっていない。図示した例では、開口ＯＰは、第１方向Ｘに沿った長辺を有する略長方形状である。開口ＯＰを有しているため、第３電極Ｅ３と第２電極Ｅ２とが重畳する面積は、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２とが重畳する面積より小さい。

図７は、図１に示す電位供給線６と、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、及び第３電極Ｅ３の配置例を示す平面図である。ここでは、ソースドライバ３、ゲートドライバ４ａ及び４ｂ、信号線Ｓ、走査線Ｇなどの図示を省略している。

上述したように、電位供給線６は、表示領域ＤＡの外側に位置している。すなわち、電位供給線６は、画素電極ＰＥとして機能する第２電極Ｅ２よりも表示パネル２の端部２Ｘａ、２Ｘｂ、２Ｙａ及び２Ｙｂに近接している。図示した例では、電位供給線６は、端部２Ｘａ、２Ｘｂ、２Ｙａ及び２Ｙｂに沿った略長方形の環状に形成されている。電位供給線６は、第１方向Ｘに沿って延出した部分６Ｘａ及び６Ｘｂと、第２方向Ｙに沿って延出した６Ｙａ及び６Ｙｂとを有している。第２電極Ｅ２は、電位供給線６によって囲まれた領域の内側に位置し、電位供給線６と重なっていない。

第１電極Ｅ１は、第１方向Ｘに沿って延出し、端部（第２端部）Ｅ１ａと、端部Ｅ１ａと反対側の端部（第３端部）Ｅ１ｂとを有している。端部Ｅ１ａは、電位供給線６の部分６Ｙａと重なっている。端部Ｅ１ｂは、電位供給線６の部分６Ｙｂと重なっている。第３電極Ｅ３は、表示領域ＤＡのほぼ全体に亘って設けられるともに、少なくとも部分６Ｙａ及び６Ｙｂと重なっている。第１電極Ｅ１及び第３電極Ｅ３は、端部Ｅ１ａと重なる位置に設けられたコンタクトホール（第１貫通孔）ＣＨ４ａ、及び端部Ｅ１ｂと重なる位置に設けられたコンタクトホール（第２貫通孔）ＣＨ４ｂにおいて、電位供給線６と接続されている。これにより、第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３には、電位供給線６から共通電位が供給される。

本実施形態において、コンタクトホールＣＨ４ａ及びＣＨ４ｂは、表示領域ＤＡには設けられていない。したがって、第１方向Ｘにおいて、すべての第２電極Ｅ２は、コンタクトホールＣＨ４ａとコンタクトホールＣＨ４ｂとの間に位置している。

図８は、図７に示すＢ－Ｂ’線に沿った断面図である。図８は、第１基板ＳＵＢ１のみを示している。上述の表示パネル２の端部（第１端部）２Ｙａは、第１基板ＳＵＢ１が備える絶縁基板１０の端部に相当する。電位供給線６は、非表示領域ＮＤＡにおいて、絶縁膜１２の上に形成され、絶縁膜１３によって覆われている。絶縁膜１３は、電位供給線６まで貫通したコンタクトホールＣＨ４ａを有している。

第１電極Ｅ１は、第１方向Ｘに沿って延出し、コンタクトホールＣＨ４ａ内に形成されている。第１電極Ｅ１は、コンタクトホールＣＨ４ａ内で、電位供給線６と接している。絶縁膜１４及び絶縁膜１５は、コンタクトホールＣＨ４ａの近傍には形成されていない。第３電極Ｅ３は、第１方向Ｘに沿って延出し、コンタクトホールＣＨ４ａにおいて、第１電極Ｅ１と接している。これにより、第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３とは、電位供給線６と同電位となる。なお、コンタクトホールＣＨ４ｂ近傍の構造は、図８と同様であるため、説明を省略する。

本実施形態によれば、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、及び第３電極Ｅ３が、この順で積層されている。第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３には共通電位が供給され、第２電極Ｅ２には信号電位が供給される。第３電極Ｅ３は、複数の開口ＯＰを有し、第２電極Ｅ２との間で液晶層ＬＣを駆動するためのフリンジ電界を形成する。一方、第２電極Ｅ２は、開口を有しておらず、画素ＰＸのほぼ全体に亘って形成されている。また、第１電極Ｅ１は、コンタクトホールＣＨ３の近傍を除き、表示領域ＤＡの全体に亘って形成されている。したがって、第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３とが重畳する領域の面積が小さいために第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間で十分な容量が形成されない場合であっても、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間で信号電位を保持するための十分な保持容量を形成することができる。この結果、各画素における画素信号の保持状態の劣化を抑制することができる。

さらに、本実施形態によれば、第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間に設けられた絶縁膜１５の厚さＴ１５は、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に設けられた絶縁膜１４の厚さＴ１４より大きい。このため、第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間に形成される容量は、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に形成される容量よりも小さくなる。したがって、第３電極Ｅ３が有する開口の大きさにばらつきがあった場合、すなわち各画素ＰＸにおいて第３電極Ｅ３と第２電極Ｅ２とが重畳する領域の面積にばらつきがあった場合であっても、第３電極Ｅ３と第２電極Ｅ２との間で形成される容量のばらつきの影響を低減することができる。一方で、絶縁膜１４の厚さＴ１４を小さくすることで、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間で十分な容量を形成することができる。

また、絶縁膜１５の厚さＴ１５を大きくすることで、コンタクトホールＣＨ３の近傍のカバレージ性を向上することができる。すなわち、絶縁膜１５の厚さＴ１５を大きくすることで、コンタクトホールＣＨ３において第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間の絶縁性を向上することができる。さらに、このような絶縁膜１５を設けることにより、有機絶縁材料からなる絶縁膜１３からのガス等の放出を抑制することができる。

さらに、本実施形態によれば、第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３とは、表示領域ＤＡの外側で電位供給線６と接続されている。すなわち、第１電極Ｅ１及び第３電極Ｅ３と電位供給線６とを接続するためのコンタクトホールＣＨ４ａ及びＣＨ４ｂは、表示領域ＤＡに設けられていない。このため、表示領域ＤＡの開口率を減少させることなく、第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３とに共通電位を供給することができる。

以上のように、本実施形態によれば、高精細化に伴う表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置が提供される。

以下では、図９乃至図１４を参照して、第１実施形態の変形例にについて説明する。
図９は、第１実施形態の第１変形例を示す平面図である。第１変形例は、第３電極Ｅ３が各画素ＰＸにおいて１つの開口ＯＰを有している点で、図６に示す例と相違している。開口ＯＰは、第１方向Ｘに沿って延出した部分ＯＰ１と、第２方向Ｙに沿って延出した部分ＯＰ２とを有している。部分ＯＰ１の配置は、図６に示す開口ＯＰの配置と同様である。部分ＯＰ２は、第２方向Ｙに沿って並ぶ複数の部分ＯＰ１を繋いでいる。

第１変形例においても、共通電位が供給された第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３との間に、信号電位が供給された第２電極Ｅ２が設けられており、絶縁膜１５の厚さＴ１５は、絶縁膜１４の厚さより大きい。また、第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３とは、非表示領域ＮＤＡにおいて電位供給線６に接続されている。したがって、第１変形例においても、図１乃至図８に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１０は、第１実施形態の第２変形例を示す平面図である。第２変形例は、第３電極Ｅ３が有する開口ＯＰが、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する方向に沿って延出している点で、図６に示す例と相違している。一例では、開口ＯＰは、略平行四辺形状であり、第２方向Ｙに沿って並んでいる。図示した例では、第１方向Ｘに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、開口ＯＰの延出方向は、等しい。一方、第２方向Ｙに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、開口ＯＰの延出方向は、異なっている。第２変形例においても、図１乃至図８に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１１は、第１実施形態の第３変形例を示す平面図である。第３変形例は、信号線Ｓが屈曲している点で、図４に示す例と相違している。信号線Ｓは、第１方向Ｘと反対方向に突出した屈曲部ＳＳａと、第１方向Ｘに突出した屈曲部ＳＳｂとを有している。屈曲部ＳＳａと屈曲部ＳＳｂとは、第２方向Ｙに沿って交互に並んでいる。スイッチング素子ＳＷを構成する半導体層ＳＣのうち、第１部分ＳＣ１と第２部分ＳＣ２とは、信号線Ｓに沿って延出している。中継電極ＲＥは、一例では、平行四辺形状である。

なお、第３変形例において、第１電極Ｅ１は、図４に示す例と同様の形状である。すなわち、第１電極Ｅ１は、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って並んでいる。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに沿って隣り合う第１電極Ｅ１の間に位置している。

図１２は、第１実施形態の第３変形例における第２電極Ｅ２を示す平面図である。第３変における第２電極Ｅ２は、平行四辺形状である点で、図５に示す例と相違している。第２電極Ｅ２は、信号線Ｓに沿って延出している。第１方向Ｘに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、第２電極Ｅ２の延出方向は、等しい。一方、第２方向Ｙに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、第２電極Ｅ２の延出方向は、異なっている。

図１３は、第１実施形態の第３変形例における第３電極Ｅ３を示す平面図である。第３変形例における第３電極Ｅ３は、信号線Ｓに沿って延出した開口ＯＰを有している点で、図６に示す例と相違している。開口ＯＰは、一例では、平行四辺形状である。開口ＯＰは、図１２に示す第２電極Ｅ２と重畳している。第１方向Ｘに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、開口ＯＰの延出方向は、等しい。一方、第２方向Ｙに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、開口ＯＰの延出方向は、異なっている。図示した例では、第３電極Ｅ３は、各画素ＰＸにおいて１つのＯＰを有しているが、２つ以上の開口を有していてもよい。第３変形例においても、図１乃至図８に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１４は、第１実施形態の第４変形例を示す断面図である。図１４は、コンタクトホールＣＨ３の近傍を拡大して示している。第４変形例は、絶縁膜１５が第１層１５１と第２層１５２とを含んでいる点で、図３に示す例と相違している。

第１層１５１は、第２電極Ｅ２を覆うとともに、絶縁膜１４の上にも形成されている。第２層１５２は、第１層１５１の上に形成されている。さらに、図示した例では、絶縁膜１５は、第１層１５１と第２層１５２との間に位置する第３層１５３を有している。第３層１５３は、コンタクトホールＣＨ３の直上に設けられ、コンタクトホールＣＨ３によって形成された凹部を埋めている。

一例では、第１層１５１及び第２層１５２は、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコン等の無機絶縁材料によって形成されている。第３層１５３は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料によって形成されている。

第４変形例においても、図１乃至図８に示す例と同様の効果を得ることができる。さらに第４変形例によれば、コンタクトホールＣＨ３によって形成された凹部が第３層１５３によって埋められている。したがって、コンタクトホールＣＨ３に起因して形成される第２電極Ｅ２近傍の凹凸を緩和することができる。

［第２実施形態］
図１５は、第２実施形態に係る表示装置１を示す断面図である。第２実施形態は、第１電極Ｅ１及び第３電極Ｅ３に信号電位が供給され、第２電極Ｅ２に共通電位が供給される点で、第１実施形態と相違している。すなわち、第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３とは、図１に示す画素電極ＰＥとして機能する。第２電極Ｅ２は、図１に示す共通電極ＣＥとして機能する。

図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。すなわち、半導体層ＳＣは、絶縁基板１０の上に設けられ、絶縁膜１１によって覆われている。ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、絶縁膜１１の上に設けられ、絶縁膜１２によって覆われている。信号線Ｓ及び中継電極ＲＥは、絶縁膜１２の上に形成され、絶縁膜１３によって覆われている。信号線Ｓと絶縁膜１２とは、絶縁膜１１及び１２を貫通するコンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２において、半導体層ＳＣとそれぞれ接している。

絶縁膜１３は、中継電極ＲＥまで貫通したコンタクトホールＣＨ３を有している。第１電極Ｅ１は、絶縁膜１３の上に形成されるとともに、コンタクトホールＣＨ３内にも設けられ、中継電極ＲＥと接している。絶縁膜１４は、コンタクトホールＣＨ３の直上を除き第１電極Ｅ１を覆っている。すなわち、絶縁膜１４は、コンタクトホールＣＨ３内に形成された第１電極Ｅ１を露出している。図示した例では、絶縁膜１４は、絶縁膜１３の上にも形成されている。

第２電極Ｅ２は、コンタクトホールＣＨ３の近傍を除き、絶縁膜１４の上に形成されている。絶縁膜１５は、第２電極Ｅ２を覆っている。絶縁膜１５は、第２電極Ｅ２の端部を覆っているが、コンタクトホールＣＨ３内には形成されていない。すなわち、絶縁膜１５は、絶縁膜１４と同様に、コンタクトホールＣＨ３内に形成された第１電極Ｅ１を露出している。第３電極Ｅ３は、絶縁膜１５の上に形成されている。第３電極Ｅ３は、コンタクトホールＣＨ３内まで延出し、第１電極Ｅ１と接している。これにより、信号線Ｓから供給される信号電位は、中継電極ＲＥを介して第１電極Ｅ１及び第３電極Ｅ３に供給される。図示した例では、第３電極Ｅ３は、複数のスリットＳＴを有している。スリットＳＴは、各々が第２電極Ｅ２と対向している。第３電極Ｅ３は、配向膜ＡＬ１によって覆われている。

本実施形態において液晶層ＬＣを駆動するためのフリンジ電界は、主に、絶縁膜１５を介して対向する第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３とによって形成される。一方、信号電位を保持するための容量は、絶縁膜１５を介して対向する第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３とによって形成されることはもちろん、絶縁膜１４を介して対向する第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２とによっても形成される。本実施形態においても、絶縁膜１５の厚さＴ１５は、絶縁膜１４の厚さＴ１４より大きい。その他の構成は、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。

図１６は、図１５に示す第１電極Ｅ１の構成例を示す平面図である。第１電極Ｅ１は、画素ＰＸ毎に配置されている。すなわち、第１電極Ｅ１は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配置されている。第１電極Ｅ１は、少なくとも中継電極ＲＥ及びコンタクトホールＣＨ３と重なっている。図示した例では、第１電極Ｅ１は、第２方向Ｙに沿った長辺を有する略長方形状であり、画素ＰＸのほぼ全体に亘って形成されている。第１電極Ｅ１は、走査線Ｇの一部と重なっているが、信号線Ｓと重なっていない。すなわち、第１電極Ｅ１は、隣り合う信号線Ｓの間に配置されている。

図１７は、図１５に示す第２電極Ｅ２の構成例を示す平面図である。第２電極Ｅ２は、第１方向Ｘに沿って並ぶ複数の画素ＰＸと重なっている。より具体的には、第２電極Ｅ２は、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って間隔を置いて並んでいる。第２電極Ｅ２は、ほぼ一定の幅ＷＥ２を有する帯状に形成されている。幅ＷＥ２は、隣り合う走査線ＧのピッチＰ１より小さい。ここで、幅ＷＥ２及びピッチＰ１は、いずれも第２方向Ｙに沿って規定される。第２電極Ｅ２は、走査線Ｇ、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、及び中継電極ＲＥとそれぞれ部分的に重なっているが、コンタクトホールＣＨ３とは重なっていない。すなわち、第１方向Ｘに沿って並ぶコンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに沿って隣り合う第２電極Ｅ２の間に位置している。

図１８は、図１５に示す第３電極Ｅ３の構成例を示す平面図である。第３電極Ｅ３は、画素ＰＸ毎に配置されている。すなわち、第３電極Ｅ３は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配置されている。

第３電極Ｅ３は、コンタクト部Ｅ３１、接続部Ｅ３２、及び電極部Ｅ３３を有している。コンタクト部Ｅ３１は、中継電極ＲＥ及びコンタクトホールＣＨ３のすべてと重なっている。コンタクト部Ｅ３１は、コンタクトホールＣＨ３において、中継電極ＲＥと第１電極Ｅ１を介して接続されている。接続部Ｅ３２は、第２電極Ｅ２を介して信号線Ｓの直上に位置し、コンタクト部Ｅ３１から第２方向Ｙに沿って延出している。電極部Ｅ３３は、接続部Ｅ３２から第１方向Ｘに沿って延出している。電極部Ｅ３３は、図１７に示す第２電極Ｅ２と重畳している。電極部Ｅ３３は、ほぼ一定の幅Ｗ３３を有する帯状に形成され、第２方向Ｙに沿って間隔を置いて並んでいる。図示した例では、第３電極Ｅ３は、４つの電極部Ｅ３３を有しているが、電極部Ｅ３３の数は、これに限定されない。図１５に示すスリットＳＴは、隣り合う電極部Ｅ３３の間の領域に相当する。第３電極Ｅ３がスリットＳＴを有しているため、第３電極Ｅ３と第２電極Ｅ２とが重畳する面積は、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２とが重畳する面積より小さい。なお、第３電極の接続部Ｅ３２を平面視で隣り合う信号線間に設ける構成も採用可能である。

図１９は、図１に示す電位供給線６と、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、及び第３電極Ｅ３の配置例を示す平面図である。ここでは、ソースドライバ３、ゲートドライバ４ａ及び４ｂ、信号線Ｓ、走査線Ｇなどの図示を省略している。

第１実施形態と同様に、電位供給線６は、表示領域ＤＡの外側に位置している。電位供給線６は、画素電極ＰＥとして機能する第１電極Ｅ１及び第３電極Ｅ３よりも表示パネル２の端部２Ｘａ、２Ｘｂ、２Ｙａ及び２Ｙｂに近接している。電位供給線６は、略長方形の環状に形成され、第１方向Ｘに沿って延出した部分６Ｘａ及び６Ｘｂと、第２方向Ｙに沿って延出した６Ｙａ及び６Ｙｂとを有している。第１電極Ｅ１及び第３電極Ｅ３は、電位供給線６によって囲まれた領域の内側に位置し、電位供給線６と重なっていない。

第２電極Ｅ２は、第１方向Ｘに沿って延出し、端部（第４端部）Ｅ２ａと、端部Ｅ２ａと反対側の端部（第５端部）Ｅ２ｂとを有している。端部Ｅ２ａは、電位供給線６の部分６Ｙａと重なっている。端部Ｅ２ｂは、電位供給線６の部分６Ｙｂと重なっている。第２電極Ｅ２は、端部Ｅ２ａ及び端部Ｅ２ｂとそれぞれ重なる位置に設けられたコンタクトホールＣＨ４ａ及びＣＨ４ｂにおいて、電位供給線６と接続されている。これにより、第２電極Ｅ２には、電位供給線６から共通電位が供給される。

コンタクトホールＣＨ４ａ及びＣＨ４ｂは、表示領域ＤＡには設けられていない。したがって、第１方向Ｘにおいて、すべての第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３とは、コンタクトホールＣＨ４ａとコンタクトホールＣＨ４ｂとの間に位置している。

図２０は、図１９に示すＣ－Ｃ’線に沿った断面図である。図２０は、第１基板ＳＵＢ１のみを示している。電位供給線６は、非表示領域ＮＤＡにおいて、絶縁膜１２の上に形成され、絶縁膜１３によって覆われている。絶縁膜１３は、電位供給線６まで貫通したコンタクトホールＣＨ４ａを有している。絶縁膜１４は、第１電極Ｅ１を覆うとともに、絶縁膜１３の上にも形成されている。絶縁膜１４は、図示した例では非表示領域ＮＤＡまで延出しているが、コンタクトホールＣＨ４ａ内には形成されていない。

第２電極Ｅ２は、絶縁膜１４の上、及び絶縁膜１３の上に形成されている。第２電極Ｅ２は、第１方向Ｘに沿って延出し、コンタクトホールＣＨ４ａ内にも形成されている。第２電極Ｅ２は、コンタクトホールＣＨ４ａ内で、電位供給線６と接している。これにより、第２電極Ｅ２と電位供給線６とは、同電位になる。絶縁膜１５は、非表示領域ＮＤＡまで延出し、第２電極Ｅ２を覆っている。第３電極Ｅ３は、絶縁膜１５の上で、且つ第１電極Ｅ１の直上に設けられている。なお、コンタクトホールＣＨ４ｂ近傍の構造は、図２０と同様であるため、説明を省略する。

本実施形態によれば、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、及び第３電極Ｅ３が、この順で積層されている。第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３には信号電位が供給され、第２電極Ｅ２には共通電位が供給される。第３電極Ｅ３は、複数の電極部Ｅ３３を有し、第２電極Ｅ２との間で液晶層ＬＣを駆動するためのフリンジ電界を形成する。一方、第２電極Ｅ２は、コンタクトホールＣＨ３の近傍を除き、表示領域ＤＡの全体に亘って形成されている。また、第１電極Ｅ１は、画素ＰＸのほぼ全体に亘って形成されている。したがって、第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３とが重畳する領域の面積が小さいために第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間で十分な容量が形成されない場合であっても、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間で信号電位を保持するための十分な保持容量を形成することができる。この結果、各画素における画素信号の保持状態の劣化を抑制することができる。

また、本実施形態においても第１実施形態と同様に、絶縁膜１５の厚さＴ１５は、絶縁膜１４の厚さＴ１４より大きい。このため、第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間に形成される容量は、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に形成される容量よりも小さくなる。したがって、第３電極Ｅ３が有する電極部Ｅ３３の幅Ｗ３３にばらつきがあった場合であっても、各画素ＰＸにおいて第３電極Ｅ３と第２電極Ｅ２とによって形成される容量のばらつきの影響を低減することができる。一方で、絶縁膜１４の厚さＴ１４を小さくすることで、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間で十分な容量を形成することができる。また、絶縁膜１５の厚さＴ１５を大きくすることで、コンタクトホールＣＨ３の近傍のカバレージ性を向上することができる。

さらに、本実施形態によれば、第２電極Ｅ２は、表示領域ＤＡの外側で電位供給線６と接続されている。すなわち、第２電極Ｅ２と電位供給線６とを接続するためのコンタクトホールＣＨ４ａ及びＣＨ４ｂは、表示領域ＤＡに設けられていない。このため、表示領域ＤＡの開口率を減少させることなく、第２電極Ｅ２に共通電位を供給することができる。

以上のように、本実施形態によれば、高精細化に伴う表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置が提供される。

以下では、図２１乃至図２５を参照して、第２実施形態の変形例にについて説明する。
図２１は、第２実施形態の第１変形例を示す平面図である。第１変形例は、第３電極Ｅ３の接続部Ｅ３２が信号線Ｓと重なっていない点で、図１８に示す例と相違している。図示した例では、接続部Ｅ３２は、隣り合う信号線Ｓの略中央に位置している。

第１変形例においても、信号電位が供給された第１電極Ｅ１と第３電極Ｅ３との間に、共通電位が供給された第２電極Ｅ２が設けられており、絶縁膜１５の厚さＴ１５は、絶縁膜１４の厚さより大きい。また、第２電極Ｅ２は、非表示領域ＮＤＡにおいて電位供給線６に接続されている。したがって、第１変形例においても、図１５乃至図２０に示す例と同様の効果を得ることができる。

図２２は、第２実施形態の第２変形例を示す平面図である。第２変形例は、電極部Ｅ３３が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する方向に沿って延出している点で、図１８に示す例と相違している。図示した例では、第１方向Ｘに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、電極部Ｅ３３の延出方向は、等しい。一方、第２方向Ｙに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、電極部Ｅ３３の延出方向は、異なっている。第２変形例においても、図１５乃至図２０に示す例と同様の効果を得ることができる。

図２３は、第２実施形態の第３変形例を示す平面図である。第３変形例は、信号線Ｓが屈曲している点で、図１７に示す例と相違している。信号線Ｓは、第１方向Ｘと反対方向に突出した屈曲部ＳＳａと、第１方向Ｘに突出した屈曲部ＳＳｂとを有している。屈曲部ＳＳａと屈曲部ＳＳｂとは、第２方向Ｙに沿って交互に並んでいる。スイッチング素子ＳＷを構成する半導体層ＳＣのうち、第１部分ＳＣ１と第２部分ＳＣ２とは、信号線Ｓに沿って延出している。中継電極ＲＥは、一例では、平行四辺形状である。

なお、第３変形例において、第２電極Ｅ２は、図１７に示す例と同様の形状である。すなわち、第２電極Ｅ２は、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って並んでいる。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに沿って隣り合う第２電極Ｅ２の間に位置している。

図２４は、第２実施形態の第３変形例における第１電極Ｅ１を示す平面図である。第３変形例における第１電極Ｅ１は、平行四辺形状である点で、図１６に示す例と相違している。第１電極Ｅ１は、信号線Ｓに沿って延出している。第１方向Ｘに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、第１電極Ｅ１の延出方向は、等しい。一方、第２方向Ｙに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、第１電極Ｅ１の延出方向は、異なっている。

図２５は、第２実施形態の第３変形例における第３電極Ｅ２を示す平面図である。第３変形例における第３電極Ｅ３は、信号線Ｓに沿って延出した電極部Ｅ３３を有している点で、図１８に示す例と相違している。第３電極Ｅ３は、接続部Ｅ３２を有しておらず、電極部Ｅ３３は、コンタクト部Ｅ３１から延出ている。電極部Ｅ３３は、図２３に示す第２電極Ｅ２と重畳している。第１方向Ｘに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、電極部Ｅ３３の延出方向は、等しい。一方、第２方向Ｙに沿って隣り合う画素ＰＸにおいて、電極部Ｅ３３の延出方向は、異なっている。図示した例では、第３電極Ｅ３は、１つの電極部Ｅ３３を有しているが、２つ以上の電極部Ｅ３３を有していてもよい。第３変形例においても、図１５乃至図２０に示す例と同様の効果を得ることができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…表示装置、２…表示パネル、２Ｙａ…端部（第１端部）、６…電位供給線、１０…絶縁基板、１３…絶縁膜（有機絶縁膜）１４…絶縁膜（第１絶縁膜）、１５…絶縁膜（第２絶縁膜）、１５１…第１層、１５２…第２層、１５３…第３層、Ｔ１４…厚さ（第１厚さ）、Ｔ１５…厚さ（第２厚さ）、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、Ｅ３…第３電極、Ｅ１ａ…端部（第２端部）、Ｅ１ｂ…端部（第３端部）、Ｅ２ａ…端部（第４端部）、Ｅ２ｂ…端部（第５端部）、ＣＨ３…コンタクトホール（第３貫通孔）、ＣＨ４ａ…コンタクトホール（第１貫通孔）、ＣＨ４ｂ…コンタクトホール（第２貫通孔）、ＳＷ…スイッチング素子、ＰＥ…画素電極、ＲＥ…中継電極。

Claims (10)

1. 基板と、
   画像を表示する表示領域において前記基板の上に設けられ、中継電極を有するスイッチング素子と、
   前記表示領域の外側の非表示領域において前記基板の上に設けられた電位供給線と、
   前記スイッチング素子及び前記電位供給線の上に設けられた有機絶縁膜と、
   前記表示領域及び前記非表示領域において前記有機絶縁膜の上に設けられるとともに、前記非表示領域で前記電位供給線に重なる第２端部を有する第１電極と、
   前記第１電極の上に設けられ、第１厚さを有する第１絶縁膜と、
   前記表示領域において前記第１絶縁膜の上に設けられ、前記中継電極に接続された第２電極と、
   前記第２電極の上に設けられ、第２厚さを有する第２絶縁膜と、
   前記表示領域及び前記非表示領域において前記第２絶縁膜の上に設けられるとともに、前記第２端部に重なり、且つ、前記第１電極と同電位の第３電極と、
   を備え、
   前記有機絶縁膜は、前記第２端部と重なり前記電位供給線まで貫通した第１貫通孔を有し、
   前記第１電極及び前記第３電極は、前記第１貫通孔内で前記電位供給線と接続されている、表示装置。
2. 前記第２厚さは、前記第１厚さより大きい、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２厚さは、前記第１厚さの２倍以上である、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記電位供給線は、平面視で、前記第２電極を囲み、
   前記第１電極と前記第３電極とは、平面視で、前記電位供給線と重なっている、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１電極は、前記表示領域において間隔を置いて並び、
   前記有機絶縁膜は、平面視で、隣り合う前記第１電極の間に設けられた第３貫通孔を有し、
   前記第２電極は、前記第３貫通孔内で、前記中継電極と接続されている、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第２絶縁膜は、前記第２電極を覆う第１層と、前記第１層の上に位置する第２層と、前記第１層と前記第２層との間に位置し、前記第３貫通孔と重なる第３層と、を含んでいる、請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１層と前記第２層とは、無機絶縁材料によって形成され、
   前記第３層は、有機絶縁材料によって形成されている、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第１電極は、第１方向に沿って延出し、前記非表示領域の前記第２端部の反対側で前記電位供給線に重なる第３端部を有している、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第３電極は、前記非表示領域において前記第３端部に重なっている、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記有機絶縁膜は、前記第３端部と重なり前記電位供給線まで貫通した第２貫通孔を有し、
    前記第１電極及び前記第３電極は、前記第２貫通孔内で前記電位供給線と接続されている、請求項９に記載の表示装置。

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