TWI529228B - 黏接劑組成物及光學構件用薄膜 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種黏接劑組成物及光學構件用薄膜。
近年來,液晶顯示面板由於薄型輕量、且耗電少等,已被利用作為各種資料相關設備,例如個人電腦等之畫面顯示裝置。如此的液晶顯示面板,係同時使用為主要部分之內藏液晶的玻璃晶槽(液晶胞)以及偏光板或相位差板等之光學構件。
此等之光學構件係通常以表面保護薄膜加以黏接被覆且作為長形光學構件疊層體而形成,以避免其表面在經歷衝壓加工、檢查、輸送、組配液晶顯示面板等各步驟之期間受到污染或損傷。並且,表面保護薄膜在不需要表面保護之階段從光學構件加以剝離移除。
光學構件用之表面保護薄膜在光學構件之表面保護係必要的期間,需要以具有不致於在該構件之表面上發生偏移、或從表面脫落的程度黏接於其表面的黏接力,且在裁切光學構件疊層體的步驟等中,也需要具有已捲起的表面保護薄膜之端部會自然地回復到原先狀態的性質(順應性(conformability))。
此外,表面保護薄膜係為使得光學構件不致於受到污染或損傷而貼附以保護光學構件表面,且保護薄膜表面係處於易受到物品彼此的碰撞、彼此磨擦等外部應力的環境。因此,黏接劑層也需要具有即使受到如此的外部應力時也不致於轉移黏結(transferring and bonding)於光學構件而可加以剝離的性質(耐糊轉移黏結性)。
並且,通常光學構件或表面保護薄膜係由塑膠所構成,因此電絕緣性高、在摩擦或剝離時會產生靜電。因此,在從光學構件剝離表面保護薄膜時靜電的產生係無法避免。當從表面保護薄膜剝離光學構件時,靜電一旦產生,則灰塵或塵埃會被吸附在光學薄膜表面而對製品造成不利的情況。此外,在剝離保護薄膜時,若產生大的靜電時,則也有會破壞顯示構件之電路的顧慮。
與上述有關,在日本特開第2009-275128號公報中,揭示一種包含丙烯酸系共聚物、金屬鹽及具有聚環氧烷基(polyoxyalkylene group)之有機聚矽氧烷的黏接劑。然而,在日本特開第2009-275128號公報中所揭述之黏接劑組成物,欲全部滿足抑制由於剝離帶電而產生的靜電、黏接性及耐糊轉移黏結性有困難。
本發明之課題係提供一種由於剝離帶電而產生的靜電受抑制、且黏接性及耐糊轉移黏結性優異之黏接劑組成物,以及使用其之光學構件用薄膜。
本發明係包括下列態樣:
(1)一種黏接劑組成物,其係包含:丙烯酸系共聚物(A),其係含有源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元40質量%~80質量%、源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元10質量%~59.9質量%、及源自具有羥基之單體的結構單元0.1質量%~10質量%;含聚環氧烷基之共聚物(B),其係含有源自環氧烷(alkylene oxide)單元之平均加成莫耳數為20以上的含聚環氧烷基之單體的結構單
元、及源自該含聚環氧烷基之單體以外之單體的結構單元,且該源自含聚環氧烷基之單體的結構單元之含有率為60質量%以下、重量平均分子量為3,000~100,000;鹼金屬鹽(C);以及二甲基聚矽氧烷(dimethylpolysiloxane)化合物(D),其係在分子內具有聚環氧烷基且HLB值為9以下。
(2)如上述第(1)項之黏接劑組成物,其中該二甲基聚矽氧烷化合物(D)之HLB值為5以上8以下。
(3)如上述第(1)或(2)項之黏接劑組成物,其中對於該丙烯酸系共聚物(A)100質量份,該含聚環氧烷基之共聚物(B)的含量、及該鹼金屬鹽(C)的含量係分別為0.05質量份~2.0質量份、及0.01質量份~0.6質量份。
(4)如上述第(1)至(3)項中任一項之黏接劑組成物,其中對於該丙烯酸系共聚物(A)100質量份,該二甲基聚矽氧烷化合物(D)的含量為0.01質量份~1.0質量份。
(5)如上述第(1)至(4)項中任一項之黏接劑組成物,其中該具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯係(甲基)丙烯酸正丁酯。
(6)如上述第(1)至(5)項中任一項之黏接劑組成物,其中該具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯係丙烯酸2-乙基己酯。
(7)一種光學構件用薄膜,其係包含:基材;以及黏接劑層,係設置於該基材上且為如上述第(1)至(6)項中任一項之黏接劑組成物的塗膜。
根據本發明,可提供一種由於剝離帶電而產生的靜電受抑制、且黏接性及耐糊轉移黏結性優異之黏接劑組成物,以及使用其之光學構件用薄膜。
本發明之黏接劑組成物係包含:丙烯酸系共聚物(A),其係含有源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元40質量%~80質量%、源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元10質量%~59.9質量%、及源自具有羥基之單體的結構單元0.1質量%~10質量%;含聚環氧烷基之共聚物(B),其係含有源自環氧烷單元之平均加成莫耳數為20以上的含聚環氧烷基之單體的結構單元、及源自該含聚環氧烷基之單體以外之單體的結構單元,且該源自含聚環氧烷基之單體的結構單元之含有率為60質量%以下、重量平均分子量為3,000~100,000;鹼金屬鹽(C);以及二甲基聚矽氧烷化合物(D),其係在分子內具有聚環氧烷基且HLB值為9以下。該黏接劑組成物因應需要也可含有其他的成份。
具有上述特定的構成之黏接劑組成物,由於剝離帶電而產生的靜電受抑制、且黏接性及耐糊轉移黏結性優異。
在本說明書中所謂「(甲基)丙烯酸基[(meth)acrylic]」係用於表示「丙烯酸基(acrylic)」及「甲基丙烯酸基(methacrylic)」之至少一者。此外,相同地所謂的「(甲基)丙烯酸酯[(meth)acrylate]」係用於表示「丙烯酸酯(acrylate)」及「甲基丙烯酸酯(methacrylate)」之至少一者。此外,使用「~」所表示之數值範圍係表示分別含有記載於「~」之前後的數值作為最小值及
最大值的範圍。並且,在組成物中之各成分的量係意謂在組成物中相當於各成分的物質係存在多數時,除非另有特別指示,則其係意謂存在於組成物中的該多數物質之合計量。
上述黏接劑組成物係包含:具有含有率為40質量%~80質量%之源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元、含有率為10質量%~59.9質量%之源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元、及含有率為0.1質量%~10質量%之源自具有羥基之單體的結構單元之丙烯酸系共聚物中之至少一種,其係。在此,所謂的「源自(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元」係意謂(甲基)丙烯酸烷酯與其他的單體加成聚合所形成的結構單元,關於「源自單體之結構單元」等也係相同。
上述丙烯酸系共聚物(A)係以40質量%~80質量%之含有率含有源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元。藉此,在需要光學構件之表面保護的期間,則具有以不致於在該構件的表面上發生偏離或從表面脫落的程度而黏接於表面之黏接力。上述(甲基)丙烯酸烷酯之烷基係碳數為1~5,但是較佳為碳數為1~4之烷基,特佳為碳數為4之烷基。
上述具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯係可列舉:例如,(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯等。其中,從黏接性與順應性的平衡性優異之觀點,具有碳數為4之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯即(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯較理想,較佳為(甲基)丙烯酸正丁酯。
上述丙烯酸系共聚物(A)也可為含有源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之單獨一種或兩種以上。
在上述丙烯酸系共聚物(A)中,源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之含有率為40質量%~80質量%,但是較佳為40質量%~70質量%,更佳為40質量%~60質量%。若具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯之含有率在丙烯酸系共聚物(A)之總質量中少於40質量%時,則在需要光學構件之表面保護的期間會有在該光學構件之表面上發生偏離或從表面脫落的情況。此外,若具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯之含有率在丙烯酸系共聚物(A)之總質量中為超過80質量%時,則有順應性與耐糊轉移黏結性降低的傾向。
上述丙烯酸系共聚物(A)係以10質量%~59.9質量%之含有率含有源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元。上述(甲基)丙烯酸烷酯之烷基係碳數為6~18,但是從基材密合性的觀點,較佳為碳數為6~10之烷基,特佳為碳數為8之烷基。
上述具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯係可列舉:例如,(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸正十二酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。其中,較佳為選自由具有碳數為8之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯即(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯所構成的群組中之至少一種,特佳為丙烯酸2-乙基己酯。
上述丙烯酸系共聚物(A)也可含有源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之單獨一種或兩種以上。
在上述丙烯酸系共聚物(A)中,源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之含有率為10質量%~59.9質量
%,但是較佳為30質量%~58質量%,更佳為40質量%~58質量%。若源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之含有率在丙烯酸系共聚物(A)之總質量中少於10質量%時,則有順應性降低的傾向。此外,若具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯之含有率在丙烯酸系共聚物(A)之總質量中為超過59.9質量%時,則有基材密合性降低的傾向。
上述丙烯酸系共聚物(A)係以0.1質量%~10質量%之含有率含有源自具有羥基之單體的結構單元。藉此,對於被黏著物可具適度的黏接力、且再剝離性也為優異。具有羥基之單體係可列舉:具有羥基之(甲基)丙烯酸酯單體、及具有羥基之其他單體。
上述具有羥基之(甲基)丙烯酸酯單體係可使用:例如,(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-甲基-3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸1,1-二甲基-3-丁酯、(甲基)丙烯酸1,3-二甲基-3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2,2,4-三甲基-3-羥基戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-3-羥基己酯、單(甲基)丙烯酸甘油酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚(乙二醇-丙二醇)單(甲基)丙烯酸酯等。具有羥基之其他單體係可列舉:N-羥甲基丙烯醯胺、烯丙醇、甲基烯丙醇等。
在此等具有羥基之單體中,從在合成丙烯酸系共聚物(A)時與其他的單體之互溶性及共聚合性為良好、以及與交聯劑之交聯反應為良好的觀點,較佳為使用選自由(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯構成的群組中之至少一種。
上述丙烯酸系共聚物(A)可含有源自具有羥基之單體的結構單元之單獨一種或兩種以上。
在上述丙烯酸系共聚物(A)中,源自具有羥基之單體的結構單元之含有率係在丙烯酸系共聚物(A)之總質量中為0.1~10質量%,但是更佳為2質量%~5質量%。若源自具有羥基之單體的結構單元之含有率少於0.1質量%時,則有凝集力不足、發生被黏著物之污染的傾向。在另一方面,若超過10質量%時,則有順應性降低的傾向。
上述丙烯酸系共聚物(A)係除了源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元、源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元、及源自具有羥基之單體的結構單元以外,可因應需要而進一步含有源自其他的單體的結構單元。上述丙烯酸系共聚物(A)可含有源自其他的單體的結構單元之單獨一種或兩種以上。
其他的單體係可列舉:丙烯酸系單體以外的單體、具有羥基以外之官能基的單體等。具有羥基以外之官能基的單體係可列舉:例如,含羧基之單體、含環氧丙基之單體、含醯胺基或經N-取代之醯胺基之單體、含三級胺基之單體等。
丙烯酸系單體以外的單體係可列舉:例如,苯乙烯、α-甲基苯乙烯、三級丁基苯乙烯、對氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等之芳香族單乙烯基單體;例如,丙烯腈、甲基丙烯腈等之氰化乙烯基單體;例如,甲酸乙烯酯、醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、叔碳酸乙烯酯(vinyl versatate)等之乙烯酯單體;以及此等之各種衍生物。
含羧基之單體係可列舉:例如,丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、馬來酸酐、富馬酸、巴豆酸、伊康酸、檸康酸、桂皮酸、(甲基)丙烯酸琥珀酸單羥基乙酯、(甲基)丙烯酸馬來酸單羥基乙酯、(甲基)丙烯酸富馬酸單羥基乙酯、(甲基)丙烯酸鄰苯
二甲酸單羥基乙酯、(甲基)丙烯酸1,2-二羧基環己烷單羥基乙酯、(甲基)丙烯酸二聚物、ω-羧基-聚己內酯單(甲基)丙烯酸酯等。
含環氧丙基之單體係可列舉:例如,(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、環氧丙基乙烯醚、3,4-環氧環己基乙烯醚、環氧丙基(甲基)烯丙醚、3,4-環氧環己基(甲基)烯丙醚等。
含醯胺基或經N-取代之醯胺基之單體係可列舉:例如,丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙基(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丙氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-三級丁基丙烯醯胺、N-辛基丙烯醯胺、二丙酮丙烯醯胺等。
含三級胺基之單體係可列舉:例如,(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙基胺基乙酯、二甲基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺等。
在上述丙烯酸系共聚物(A)係進一步含有源自其他的單體的結構單元的情況,其含有率較佳為10質量%以下,更佳為3質量%以下。
在上述丙烯酸系共聚物(A)中,相對於源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元,源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之含有比率(源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元/源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元)係並無特殊的限制。例如從可抑制由於剝離而產生的靜電、黏接性及耐糊轉移
黏結性的觀點,上述含有比率較佳為0.35~1.5,更佳為0.7~1.5。
此外,在上述丙烯酸系共聚物(A)中,相對於源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元,源自具有羥基之單體的結構單元之含有比率(源自具有羥基之單體的結構單元/源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元)並無特殊的限制。例如從由於剝離而產生的靜電受抑制、黏接性及轉移黏結性的觀點,上述含有比率較佳為0.04~0.13。
並且,在上述丙烯酸系共聚物(A)中,相對於源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元及源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元(在下文中,也合稱為「源自(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元」)之總含量,源自具有羥基之單體的結構單元之含有比率(源自具有羥基之單體的結構單元/源自(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元)並無特殊的限制。例如從由於剝離而產生的靜電受抑制、黏接性及耐糊轉移黏結性的觀點,上述含有比率較佳為0.02~0.05。
上述丙烯酸系共聚物(A)較佳為重量平均分子量(Mw)為20萬~100萬之丙烯酸系共聚物(A),更佳為重量平均分子量(Mw)為30萬~70萬。若該重量平均分子量(Mw)為該下限值以上時,則在再剝離時之黏接力不會過大,可容易地剝離表面保護薄膜,因此為較佳。在另一方面,若為該上限值以下時,則所獲得黏接劑組成物層之流動性優異,即使使用於表面具有微小凹凸的偏光板等被黏著物時,黏接劑組成物也可充分地使得偏光板等被黏著物表面濕潤而順應性優異,因此為較佳。
此外,上述丙烯酸系共聚物(A)之數量平均分子量(Mn)較佳為3萬~10萬。若數量平均分子量(Mn)為該下限值以上時,則在再剝離時之黏接力不會過大,可容易地剝離表面保護薄膜,因此為
較佳。在另一方面,若為該上限值以下時,所獲得黏接劑組成物層之流動性優異,即使使用於表面具有微小凹凸的偏光板等被黏著物時,黏接劑組成物也可充分地使得偏光板等被黏著物表面濕潤,順應性優異,因此為較佳。
並且,上述丙烯酸系共聚物(A)之重量平均分子量(Mw)相對於數量平均分子量(Mn)的比率即分散度(Mw/Mn)並無特殊的限制。例如從可抑制由於剝離而產生的靜電、黏接性及耐糊轉移黏結性的觀點,較佳為3~10。
另外,上述丙烯酸系共聚物(A)之重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)係以下列方法測定之值。
丙烯酸系共聚物(A)之重量平均分子量(Mw)係依照下列第(1)至(3)項之程序而測定:
(1)將丙烯酸系共聚物溶液塗布在剝離片上,並在100℃下乾燥2分鐘,以獲得薄膜狀之丙烯酸系共聚物。
(2)將上述第(1)項所獲得薄膜狀之丙烯酸系共聚物以四氫呋喃加以溶解成固體成分為0.2質量%。
(3)以下述條件,使用凝膠透層析法(GPC)測定丙烯酸系共聚物之重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)。
GPC:HLC-8220 GPC〔東曹公司(Tosoh Corporation)製〕
管柱:使用TSK-GEL GMHXL 4支
移動互溶媒:四氫呋喃
流速:0.6 ml/min
管柱溫度:40℃
此外,上述丙烯酸系共聚物(A)之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-45℃以下,更佳為-80℃~-45℃,進一步更佳為-80℃~-60℃。若Tg為-45℃以下時,則具有充分的順應性,因此為較佳。
另外,丙烯酸系共聚物(A)之玻璃轉移溫度(Tg)係將經下式1之計算所獲得之絕對溫度(K)換算成攝氏溫度(℃)之值。
式1 1/Tg=w1/Tg1+w2/Tg2+...+w(k-1)Tg(k-1)+wk/Tgk
在式1中,Tg1、Tg2、...、Tg(k-1)、Tgk係分別表示構成丙烯酸系共聚物之各單體成分的均聚物之玻璃轉移溫度(K)。w1、w2、...、w(k-1)、wk係分別表示構成丙烯酸系共聚物之各單體成分的質量分率,且w1+w2+...+w(k-1)+wk=1。
在上述黏接劑組成物中,上述丙烯酸系共聚物(A)之含有率,例如從可抑制由於剝離而產生的靜電、黏接性及耐糊轉移黏結性的觀點,則在黏接劑組成物之總質量中較佳為90~98質量%。
上述黏接劑組成物係包含:含聚環氧烷基之共聚物(B)中之至少一種,其係含有源自環氧烷單元之平均加成莫耳數為20以上的含聚環氧烷基之單體的結構單元、及源自該含聚環氧烷基之單體以外之單體的結構單元,且該源自含聚環氧烷基之單體的結構單元之含有率為60質量%以下、重量平均分子量為3,000~100,000。
上述含聚環氧烷基之單體係可列舉:例如,具有聚環氧乙烷基、聚環氧丙烷基的含聚環氧烷基之(甲基)丙烯酸系單體等。含聚環氧烷基之(甲基)丙烯酸系單體係可列舉:具體而言,聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等。其中,較佳為選自由甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、及甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯所構成的群組中之至少一種,
更佳為甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯。
此外,在前述含聚環氧烷基之單體中,環氧烷單元之平均加成莫耳數為20以上即可,並無特殊的限制。若環氧烷單元之平均加成莫耳數為小於20時,有時會有無法藉由後述鹼金屬鹽的組合而充分地發揮抗靜電功效的情況。該環氧烷單元之平均加成莫耳數較佳為20~100,更佳為20~50。若該環氧烷單元之平均加成莫耳數為在上述範圍時,則可發揮更優異的抗靜電功效與黏接性。
在上述含聚環氧烷基之共聚物(B)中,源自含聚環氧烷基之單體的結構單元之含有率係在該含聚環氧烷基之共聚物(B)之總質量中為60質量%以下,但是較佳為10質量%~60質量%,更佳為10質量%~30質量%。若源自含聚環氧烷基之單體的結構單元之含有率為超過60質量%時,則有黏接性降低的傾向。
上述含聚環氧烷基之共聚物(B)係進一步含有源自含聚環氧烷基之單體的結構單元以外之其他結構單元中之至少一種。可形成其他結構單元之單體係可列舉:例如,(甲基)丙烯酸烷酯、具有羧基、羥基等官能基之單體等。
上述(甲基)丙烯酸烷酯係可列舉:例如,在上述丙烯酸系共聚物(A)中,具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯、具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯等。在此等中,從基材密合性的觀點,較佳為具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯中之至少一種,更佳為具有碳數為3~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯中之至少一種,進一步更佳為具有碳數為4之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯中之至少一種。該具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯之具體實例係與上述相同。
此外,具有羧基、羥基等官能基之單體的實例係可列舉:在
上述丙烯酸系共聚物(A)中具有羥基之單體、及其他的單體。
上述含聚環氧烷基之共聚物(B)較佳為除了源自含聚環氧烷基之單體的結構單元以外,尚作為其他結構單元而含有源自(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元中之至少一種,更佳為含有源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元中之至少一種,進一步更佳為源自具有碳數為3~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元中之至少一種,特佳為含有源自選自由(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、及(甲基)丙烯酸三級丁酯所構成的群組中之至少一種的結構單元。
上述含聚環氧烷基之共聚物(B)中之其他結構單元之含有率,在含聚環氧烷基之共聚物(B)之總質量中,較佳為40~90質量%,更佳為70~90質量%。若其他結構單元之含有率為在該範圍,則有可顯示更優異的抑制由於剝離帶電而產生的靜電、更優良的黏接性的傾向。
上述含聚環氧烷基之共聚物(B),除了源自含聚環氧烷基之單體的結構單元以外,又含有源自(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元作為其他結構單元的情況,則在含聚環氧烷基之共聚物(B)中,相對於源自含聚環氧烷基之單體的結構單元,源自(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之含有比率,從可抑制所產生的靜電與黏接性的觀點,較佳為0.1~0.5。
上述含聚環氧烷基之共聚物(B),重量平均分子量(Mw)為3,000~100,000,但是較佳為5,000~60,000,更佳為5,000~30,000。若重量平均分子量(Mw)為小於3,000時,有時會有無法獲得充分的黏接力的情況。此外,若重量平均分子量(Mw)超過100,000時,有時會有黏接劑組成物中之互溶性降低的情況。
另外,上述含聚環氧烷基之共聚物(B)之重量平均分子量(Mw)係可以與上述丙烯酸系共聚物(A)之重量平均分子量(Mw)之測定方法相同的方法測定。
上述含聚環氧烷基之共聚物(B)在黏接劑組成物中的含量,相對於上述丙烯酸系共聚物(A)100質量份,較佳為0.05質量份~2.0質量份,更佳為0.1質量份~1.5質量份,進一步更佳為0.2質量份~1.0質量份。含聚環氧烷基之共聚物(B)的含量,相對於丙烯酸系共聚物(A)100質量份,若為0.05質量份以上時,則有可獲得更優異的抗靜電功效的傾向。此外,含聚環氧烷基之共聚物(B)的含量,相對於丙烯酸系共聚物(A)100質量份,若為2.0質量份以下時,則有可更有效地抑制被黏著物之污染的傾向。
上述丙烯酸系共聚物(A)及含聚環氧烷基之共聚物(B)(在下文中,有時候也總稱此等為「共聚物」),可藉由將可形成包含在此等共聚物的結構單元之單體的混合物加以聚合來製造。上述共聚物之聚合方法係並無特殊的限制,可從溶液聚合法、乳化聚合法、懸浮聚合法等習知的方法中適當地選擇。使用經聚合所獲得之共聚物來製造本發明之黏接劑組成物時,由於處理步驟比較簡單且可以短時間實施,較佳為以溶液聚合法實施聚合。
溶液聚合法係通常可使用在聚合槽內裝入預定的有機溶媒、單體、聚合引發劑、及因應需要而使用的鏈轉移劑,並在氮氣氣流中、有機溶媒之回流溫度下,邊攪拌邊加熱反應數小時來實施等公知的方法。
另外,上述丙烯酸系共聚物(A)及含聚環氧烷基之共聚物(B)之重量平均分子量及分散度係可容易地藉由反應溫度、時間、溶劑量、觸媒之種類或使用量而加以調節。
在前述丙烯酸系共聚物(A)及含聚環氧烷基之共聚物(B)之聚合中所使用的聚合用之有機溶劑係可列舉:例如,苯、甲苯、乙苯、正丙苯、三級丁苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、四氫萘、十氫萘、芳香族石油腦等之芳香族烴類;例如,正己烷、正庚烷、正辛烷、異辛烷、正癸烷、雙戊烯、石油精、石油腦、松節油(turpentine)等之脂肪系或脂環族系烴類;例如,醋酸乙酯、醋酸正丁酯、醋酸正戊酯、醋酸2-羥基乙酯、醋酸2-丁氧基乙酯、醋酸3-甲氧基丁酯、苯甲酸甲酯等之酯類;例如,丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、異佛酮、環己酮、甲基環己酮等之酮類;例如,乙二醇單甲醚、乙二醇單***、乙二醇單丁醚、二甘醇單甲醚、二乙二醇單***、二乙二醇單丁醚等之二醇醚類;例如,甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、二級丁醇、三級丁醇等之醇類等。此等之有機溶劑係可以各自單獨或混合兩種以上而使用。
前述聚合引發劑係可使用在一般的溶液聚合法中所使用的有機過氧化物、偶氮化合物等。有機過氧化物係可列舉:例如,三級丁基過氧化氫、異丙苯過氧化氫、二異丙苯基過氧化物、苯甲醯基過氧化物、月桂醯基過氧化物、己醯基過氧化物、過氧二碳酸二異丙酯、過氧二碳酸二-2-乙基己酯、過氧化三甲基乙酸三級丁酯、2,2-雙(4,4-二-三級丁基過氧環己基)丙烷、2,2-雙(4,4-二-三級戊基過氧環己基)丙烷、2,2-雙(4,4-二-三級辛基過氧環己基)丙烷、2,2-雙(4,4-二-α-異丙苯基過氧環己基)丙烷、2,2-雙(4,4-二-三級丁基過氧環己基)丁烷、2,2-雙(4,4-二-三級辛基過氧環己基)丁烷等。偶氮化合物係可列舉:例如,2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙-2,4-二甲基戊腈、2,2’-偶氮雙-4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈等。
此外,在進行上述丙烯酸系共聚物(A)及含聚環氧烷基之共
聚物(B)之製造時,通常係不使用鏈轉移劑,但是可在不損及本發明之目的及功效範圍內因應需要而使用。鏈轉移劑係可列舉:例如,氰醋酸;氰醋酸之碳數1~8的烷酯類;溴醋酸;溴醋酸之碳數為1~8的烷酯類;蒽、菲、茀、9-苯基茀等之芳香族化合物類;對硝苯胺、硝苯、二硝苯、對硝苯甲酸、對硝苯酚、對硝甲苯等之芳香族硝基化合物類;苯醌、2,3,5,6-四甲基對苯醌等之苯醌衍生物類;三丁基硼烷等之硼烷衍生物;四溴化碳、四氯化碳、1,1,2,2-四溴乙烷、三溴乙烯、三氯乙烯、溴三氯甲烷、三溴甲烷、3-氯-1-丙烯等之鹵化烴類;氯醛、呋喃甲醛等之醛類;碳數為1~18之烷基硫醇類;硫苯酚、甲苯硫醇等之芳香族硫醇類;巰基醋酸、巰基醋酸之碳數1~10的烷酯類;碳數1~12之羥基烷基硫醇類;蒎烯(pinene)、萜品油烯(terpinolene)等之萜類等。
聚合溫度係通常為在約30~180℃之範圍。
在進行上述丙烯酸系共聚物(A)及含聚環氧烷基之共聚物(B)之製造時,也可設置將經聚合反應所獲得之聚合物加以精製的精製步驟。藉此,若在經溶液聚合法等所獲得之聚合物中含有未反應的單體時,則可將該單體加以移除。精製步驟係可從慣用的精製方法中適當地選擇。例如,可使用以甲醇等進行之再沉澱法來進行精製。
上述黏接劑組成物係包含鹼金屬鹽(C)之至少一種。鹼金屬鹽(C)係以鋰、鈉、鉀等作為陽離子之金屬鹽。具體而言,由Li+、Na+、K+等陽離子、與Cl-、Br-、I-、BF4 -、PF6 -、SCN-、ClO4 -、CF3SO3 -、(CF3SO2)2N-、(C2F5SO2)2N-、(CF3SO2)3C-等陰離子所構成的金屬鹽係適合使用。特別是較佳為使用LiBr、LiI、LiBF4、LiPF6、LiSCN、LiClO4、LiCF3SO3、Li(CF3SO2)2N、Li(C2F5SO2)2N、Li(CF3SO2)3C等之鋰鹽。其中,LiCF3SO3、及
Li(CF3SO2)2N係由於抗靜電功效、金屬腐蝕性良好而為特佳。此等之鹼金屬鹽可單獨使用或混合兩種以上使用。
上述黏接劑組成物之鹼金屬鹽的含量,相對於上述丙烯酸系共聚物(A)100質量份,較佳為0.01質量份~0.6質量份,更佳為0.01質量份~0.2質量份。鹼金屬鹽的含量,相對於丙烯酸系共聚物(A)100質量份,若為0.01質量份以上時,則有可獲得更優異帶電特性的傾向。此外,若為0.6質量份以下時,則有可更有效地抑制被黏著物之污染的傾向。
上述黏接劑組成物係包含:在分子內具有聚環氧烷基且HLB值為9以下的二甲基聚矽氧烷化合物(D)之至少一種。藉由使上述二甲基聚矽氧烷化合物(D)係在其分子內具有聚環氧烷基、且HLB值為在特定的範圍,可顯示優異的抗靜電性能,並且與構成黏接劑組成物的上述共聚物等樹脂之互溶性優異,又可顯現適度的黏接性。
上述聚環氧烷基係可列舉:例如,聚環氧乙烷基、聚環氧丙烷基、聚環氧丁烷基及源自此等之嵌段共聚物之基。
可包含上述聚環氧烷基作為二甲基聚矽氧烷化合物(D)之側鏈、或可包含上述聚環氧烷基作為二甲基聚矽氧烷化合物(D)之末端基,但是從黏接力與抗靜電性的觀點,較佳為包含上述聚環氧烷基作為二甲基聚矽氧烷化合物(D)之側鏈。
此外,上述聚環氧烷基之末端可為羥基、烷氧基、醯氧基中之任一者。
上述二甲基聚矽氧烷化合物(D)的HLB值為9以下。若二甲基
聚矽氧烷化合物(D)之HLB值超過9時,則有耐糊轉移黏結性或抗剝離帶電性能惡化的傾向。在HLB值為超過9之二甲基聚矽氧烷化合物(D),若將添加量增量時,耐糊轉移黏結性或抗剝離帶電性能雖為良好,但是黏接力有降低的傾向。並且,從與共聚物之互溶性、表面不均勻分布性、及黏接性的觀點,則HLB值係較佳為5以上8以下。
上述HLB值代表二甲基聚矽氧烷化合物(D)之親水性與疏水性的平衡之尺度。在本發明係根據以下式2所計算得格力芬法(Griffin method)之定義,但若該二甲基聚矽氧烷化合物(D)係市售品時,則優先採用其商品型錄數據資料。
式2{(親水性基部分之式量的總和)/(界面活性劑之分子量)}×20。
將上述二甲基聚矽氧烷化合物(D)之HLB值調整為在上述範圍的方法係可在並無特殊的限制下使用慣用的方法。例如,可適當地選擇二甲基聚矽氧烷化合物之分子量與屬親水性基的聚環氧烷基之含量的方法等。
具有上述聚環氧烷基、且HLB值為9以下之二甲基聚矽氧烷化合物(D)的具體實例係可列舉:例如,「L-7001」(HLB值5)、「L-7002」(HLB值8)、「SF-8427」(HLB值9)、「SF-8428」(HLB值0)、「SH-3749」(HLB值6)、「SH-3773M」(HLB值8)、「SH-8400」(HLB值7)〔以上是東麗-道康寧矽酮(股)公司製〕等。在此等中,較佳為選自由「L-7001」(HLB值5)、「L-7002」(HLB值8)、「SF-8427」(HLB值9)、「SH-3749」(HLB值6)、「SH-3773M」(HLB值8)、及「SH-8400」(HLB值7)所構成的群組中之至少一種,更佳為選自由「L-7001」(HLB值5)、「SH-8400」(HLB值7)、及「SH-3773M」(HLB值8)所構成的群組中之至少一種。
在上述黏接劑組成物中,二甲基聚矽氧烷化合物(D)之含量,從與共聚物之互溶性、表面偏在性、及黏接性的觀點,相對於上述丙烯酸系共聚物(A)100質量份,較佳為0.01質量份~1.0質量份,更佳為0.1質量份~0.5質量份。
只要上述具有聚環氧烷基之二甲基聚矽氧烷化合物(D)在黏接劑組成物中的含量為上述下限值以上時,即使當保護薄膜表面受到外部應力的情況,黏接劑層也不致於轉移黏結於光學構件而可加以剝離,且有能抑制由於剝離帶電而產生的靜電的傾向,因此為較佳。此外,只要上述具有聚環氧烷基之二甲基聚矽氧烷化合物(D)在黏接劑組成物中的含量為上述上限值以下時,有可抑制黏接性發生經時變化、或在光學構件之表面殘留過量的二甲基矽氧烷化合物而污染表面的傾向,因此為較佳。
上述黏接劑組成物較佳為包含交聯劑中之至少一種。該交聯劑較佳為異氰酸酯化合物中之至少一種,更佳為多元異氰酸酯化合物中之至少一種。藉由將黏接劑組成物之構成成分以交聯劑(較佳為異氰酸酯化合物)加以交聯,可更進一步提高黏接劑組成物之凝集力,可獲得黏接特性更優異之黏接劑組成物。
上述異氰酸酯化合物係可列舉:例如,伸茬基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、三苯基甲烷三異氰酸酯、伸甲苯基二異氰酸酯等之芳香族異氰酸酯;例如,六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、上述芳香族異氰酸酯化合物之氫化物等之脂肪族或脂環族異氰酸酯;源自此等異氰酸酯化合物之二聚物或三聚物、或此等異氰酸酯化合物與三羥甲基丙烷等多元醇之加成物等之各種異氰酸酯的異氰酸酯化合物衍生物。其中,較佳為選自源自六亞甲基二異氰酸酯及六亞甲基二異氰酸酯之異氰酸酯化合物衍
生物中之至少一種。此等異氰酸酯化合物係可以單獨或將兩種以上混合而使用。
上述異氰酸酯化合物可理想地使用:例如「CORONATE HX」、「CORONATE HL-S」、「CORONATE 2234」「AQUANATE 200」、「AQUANATE 210」〔以上是日本聚氨酯工業(股)公司製〕;「DESMODUR N3400」「DESMODUR N3300」〔住友拜耳聚氨酯(股)公司製〕;「DURANATE E-405-80T」、「DURANATE 24A-100」、「DURANATE TSE-100」〔旭化成工業(股)公司製〕;「TAKENATE D-110N」、「TAKENATE D-120N」、「TAKENATE M-631N」「MT-OLESTER NP1200」〔以上是三井武田藥品(股)公司製〕等之商品名市售者。
在上述黏接劑組成物中,此等異氰酸酯化合物的含量,相對於前述丙烯酸系共聚物(A)100質量份,較佳為0.01質量份~15質量份,更佳為0.5質量份~5.0質量份。
此外,上述黏接劑組成物係也可因應需要而進一步含有二月桂酸二丁基錫、二月桂酸二辛基錫等之硬化觸媒。
在上述黏接劑組成物中,除了上述丙烯酸系共聚物(A)、含聚環氧烷基之共聚物(B)、鹼金屬鹽(C)、二甲基聚矽氧烷化合物(D)、以及因應需要而含有的異氰酸酯化合物及硬化觸媒以外,也可進一步包含其他的添加劑。其他的添加劑係可從慣用於黏接劑組成物之添加劑中因應需要而適當地選擇。其他的添加劑係可列舉:例如,耐候性穩定劑、增黏劑、塑化劑、軟化劑、無機填充劑等。
上述黏接劑組成物係也可因應需要而進一步含有溶媒。溶媒係只要可溶解黏接劑組成物者即可,並無特殊的限制。可從先前
揭述的作為聚合用有機溶劑所例示者中因應目的等而適當地選擇使用。
上述黏接劑組成物,可將丙烯酸系共聚物(A)、含聚環氧烷基之共聚物(B)、鹼金屬鹽(C)、二甲基聚矽氧烷化合物(D)、以及因應需要而含有的異氰酸酯化合物及硬化觸媒以慣用的方法加以混合而製備。
本發明之黏接劑組成物係例如為製造光學構件用之表面保護薄膜,在適當的透明表面保護基材之至少一側之面,用以往公知的方法形成黏接劑層而使用。
本發明之光學構件用薄膜係包含:基材;以及黏接劑層,係設置於該基材上且為上述黏接劑組成物的塗膜。上述光學構件用薄膜係也可因應需要而進一步包含其他的構成要素。上述光學構件用薄膜係適合用作為光學構件用之表面保護薄膜。
上述本發明之光學構件用薄膜之基材係只要為可塗布黏接劑組成物之基材即可,並無特殊的限制。在此等中,較佳為含樹脂之基材。從利用透視檢查或管理光學構件之觀點,構成上述基材之樹脂係可列舉:例如,由聚酯系樹脂、醋酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂等所構成的薄膜。其中,從表面保護性能的觀點,較佳為聚酯系樹脂,若考慮實務應用性,則特佳為聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂。
上述基材的厚度係通常可製成為500μm以下,較佳為5μm~500μm,更佳為5μm~300μm,進一步更佳為10μm~200μm。在此等基材,也可為在單面或雙面以剝離時之抗靜電為目的而
設置抗靜電層。此外,在該基材設置有黏接劑層之一側的表面,也可為提高與黏接劑層之密合性而施加電暈放電處理等。
在基材上所形成之黏接劑層的厚度係可因應光學構件用薄膜所需要的黏接力或光學構件表面粗糙度等而適當地設定。通常可製成為1μm~100μm,較佳為5μm~50μm,進一步更佳為15μm~30μm。上述基材上之黏接劑層的厚度係可使用測微計測定三點的厚度,並以其算術平均值而測得。
黏接劑層之形成方法可採用:將上述黏接劑組成物以原狀或因應需要以適當的溶媒加以稀釋,並將其在作為表面保護基材薄膜之基材上直接塗布‧乾燥並移除溶媒之方法。此外,也可首先在經以聚矽氧樹脂等施加脫模處理之紙或由聚酯薄膜等適當的薄膜所構成的剝離片上,塗布該黏接劑組成物,並加熱乾燥而形成黏接劑層,其次,將該剝離片之接著劑層側壓接於表面保護基材薄膜之基材上,使得該接著劑層轉印於該基材上而形成。
黏接劑組成物之塗布方法係並無特殊的限制,可從慣用的塗布方法中適當地選擇使用。塗布方法係可列舉:例如,刮刀式塗布、直接式塗布、刀式塗布等。
藉由上述所獲得光學構件用薄膜係疊層於光學構件之表面,保護該光學構件之表面不致於被污染或損傷,且該光學構件在被加工成液晶顯示面板等時,則以該光學構件用薄膜係仍舊疊層於光學構件的狀態而供應至衝壓加工、檢查、輸送、液晶顯示面板之組裝等各步驟,並且因應需要而可施加高壓釜處理或高溫熟成處理等加熱加壓處理,且在不需要表面保護的階段從光學構件加以剝離移除。
在下文中,列舉實施例及比較例以更具體地說明本發明之功
效,但是本發明係並不受限於此等實施例者。另外,除非另有說明以外,則「份」及「%」係以質量為基準。
在配備溫度計、攪拌機、氮氣導入管及回流冷凝器之反應容器內,裝入醋酸乙酯35.0質量份。在另一容器中,裝入丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)55.0質量份、丙烯酸正丁酯(BA)42.0質量份、及丙烯酸4-羥基丁酯(4HBA)3.0質量份,並加以混合而製備單體混合物,將其中之15質量%添加至反應容器中,接著在氮氣氛圍下邊攪拌邊加熱至回流溫度。然後,將剩餘的單體混合物之總量、與醋酸乙酯10質量份、甲苯10質量份、及偶氮雙異丁腈0.1質量份加以混合之混合液,以歷時100分鐘逐次添加至在回流溫度之反應容器中,接著仍維持在回流溫度下進行反應歷時45分鐘。然後更進一步,將醋酸乙酯15質量份與過氧三甲基乙酸三級丁酯0.2質量份加以混合之溶液以歷時60分鐘逐次添加至在回流溫度之反應容器中,接著再在回流狀態進行反應歷時80分鐘。反應結束後,以醋酸乙酯適當地加以稀釋,以獲得固體成分為50質量%之丙烯酸系共聚物(A-1)溶液。所獲得丙烯酸系共聚物(A-1)溶液之固體成分、玻璃轉移溫度(Tg)、重量平均分子量(Mw)、黏度、及重量平均分子量(Mw)相對於數量平均分子量之比率即分散度(Mw/Mn)係展示於表1。另外,表1中之「-」係表示未摻合。
此外,所謂的「固體成分」係指丙烯酸系共聚物溶液經移除溶媒後之殘留物量。黏度係使用BH型黏度計在25℃、轉速10 rpm下加以測定。玻璃轉移溫度(Tg)係以先前揭述的方法所計算得者,重量平均分子量(Mw)係以先前揭述的方法所測得者。
除了將單體組成變更為如表1所示之單體組成、且適當地調整引發劑量等以外,其餘則以與製造例A-1相同的方式製造丙烯
酸系共聚物(A-2)至(A-12)溶液。所獲得丙烯酸系共聚物溶液之固體成分、玻璃轉移溫度(Tg)、重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)係展示於表1。
[表1]
在配備攪拌葉片、溫度計、氮氣導入管、冷凝器、滴液漏斗之反應容器內,裝入甲基乙基酮100.0質量份,並在氮氣氛圍下邊攪拌邊加熱至回流溫度。在滴液漏斗中,裝入經預先混合之聚甲氧基乙二醇甲基丙烯酸酯(環氧烷單元之平均加成莫耳數:23)10質量份、甲基丙烯酸三級丁酯90質量份、甲基乙基酮100質量份、及偶氮雙異丁腈5.0質量份的混合溶液,並以歷時120分鐘逐次添加至在回流溫度之反應容器中。然後,在仍維持在回流溫度下進行反應歷時240分鐘,以結束反應。所獲得含聚環氧烷基之共聚物(B-1)溶液之固體成分、重量平均分子量(Mw)係展示於表2。
除了將單體組成變更為如表2所示之單體組成、且適當地調整引發劑量等以外,其餘則以與製造例B-1相同的方式製造含聚環氧烷基之共聚物(B-2)、(B-3)溶液。所獲得含聚環氧烷基之共聚物溶液之固體成分、重量平均分子量(Mw)係展示於表2。
另外,在表1、2中各摻合物之簡稱係如下所示。此外,在表1中玻璃轉移溫度(Tg)之計算係分別使用如下所示各單體之均聚物的玻璃轉移溫度(Tg):2EHA:丙烯酸2-乙基己酯(Tg:-76℃);n-OA:丙烯酸正辛酯(Tg:-80℃);BA:丙烯酸正丁酯(Tg:-57℃);EA:丙烯酸乙酯(Tg:-27℃);MA:丙烯酸甲酯(Tg:5℃);4HBA:丙烯酸4-羥基丁酯(Tg:-30℃);t-BMA:甲基丙烯酸三級丁酯;MePEGMA:甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯、環氧烷單元之平均加成莫耳數為23。
在配備攪拌葉片、溫度計之四口燒瓶中,裝入製造例A-1所獲得丙烯酸系共聚物(A-1)溶液100質量份(惟固體成分為50質量份)、製造例B-1所獲得含聚環氧烷基之共聚物(B-1)溶液0.6質量份(惟相對於丙烯酸系共聚物(A)100質量份之有效成分為0.4質量份)、作為鹼金屬鹽(C)之LiCF3SO3(在下文中,也簡稱為「LiTFS」)0.05質量份(惟相對於丙烯酸系共聚物(A)100質量份之有效成分為0.1質量份)、二月桂酸二丁基錫0.01質量份(惟相對於丙烯酸系共聚物(A)100質量份之有效成分為0.02質量份),並將燒瓶內之液溫保持在25℃附近而實施混合攪拌歷時4.0小時,以獲得丙烯酸系共聚物混合溶液。對此添加作為二甲基聚矽氧烷化合物(D)之SH-8400 0.075質量份(惟相對於丙烯酸系共聚物(A)100質量份之有效成分為0.15質量份)、作為異氰酸酯化合物之N3300 0.75質量份(住友拜耳聚氨酯(股)公司製之六亞甲基二異氰酸酯三聚物,其係具有異三聚
氰酸酯結構之異氰酸酯化合物,相對於丙烯酸系共聚物(A)100質量份之有效成分為1.5質量份),然後充分地加以攪拌,以獲得如表3所示之光學構件用薄膜用之黏接劑組成物。
使用上述所獲得黏接劑組成物,並以如下方式獲得光學構件用薄膜之試驗用黏接片。
在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜〔商品名;Teijin Tetoron Film、Type G2、厚度38μm;帝人-杜邦薄膜(股)公司製〕上,使用施塗器(applicator)塗布黏接劑組成物成使經乾燥後的塗布量成為20 g/m2,並在100℃以熱風循環式乾燥機乾燥歷時60秒鐘而形成黏接劑層後,載置在經聚矽氧系脫模劑表面處理之脫模薄膜上使該黏接劑層面接觸,並藉由加壓軋輥加以壓接貼合後,在23℃、50% RH進行熟成(aging)歷時3天,以獲得試驗用黏接片。
除了替代實施例1之摻合條件而適用如表3所示各實施例及比較例之摻合條件以外,其餘以與實施例1相同的方式分別製造如表3所示之光學構件用薄膜用之黏接劑組成物。使用此等之黏接劑組成物,根據上述試驗用黏接片之製作方法而分別製作試驗用黏接片。
[表3]
另外,表3中,各摻合物之簡稱係如下所示,以乾料比(Dry ratio)所揭述之值係將丙烯酸系共聚物(A)之固體成分作為100時之各有效成分的質量比率。
LiTFS:LiCF3SO3、鹼金屬鹽(C);LiTFSI:Li(CF3SO2)2N、鹼金屬鹽(C);N-3300:住友拜耳聚氨酯(股)公司製之六亞甲基二異氰酸酯三聚物,其係具有異三聚氰酸酯結構之異氰酸酯化合物、商品名:DESMODUR N3300、有效成分100質量%、交聯劑(異氰酸酯化合物);SH-8400:東麗-道康寧矽酮(股)公司製、在側鏈導入有聚環氧烷基之二甲基矽氧烷化合物、聚環氧烷基之末端為乙醯氧基、HLB值=7、二甲基聚矽氧烷化合物(D)成分;L-7001:東麗-道康寧矽酮(股)公司製、在側鏈導入聚環氧烷基之二甲基矽氧烷化合物、聚環氧烷基之末端為甲氧基、HLB值=5、二甲基聚矽氧烷化合物(D)成分;SH-3773M:東麗-道康寧矽酮(股)公司製、在側鏈導入有聚環氧烷基之二甲基矽氧烷化合物、聚環氧烷基之末端為羥基、HLB值=8、二甲基聚矽氧烷化合物(D)成分;FZ-2104:東麗-道康寧矽酮(股)公司製、在側鏈導入有聚環氧烷基之二甲基矽氧烷化合物、聚環氧烷基之末端為甲氧基、HLB值=14;KP-355:信越化學工業(股)公司製、導入有聚環氧烷基之二甲基聚矽氧烷化合物、HLB值=10;DBTDL:二月桂酸二丁基錫、硬化觸媒。
將上述所製造之試驗用黏接片裁切成25毫米×150毫米後,
將該試驗用黏接板片,使用桌上型層合機,邊將脫模薄膜加以剝離,邊將黏接劑層面壓接於經防眩性處理之偏光薄膜,以作為試驗試樣。將該試驗試樣在23℃、50% RH的條件下放置24小時後,以剝離速度300毫米/分鐘(低速)、或30公尺/分鐘(高速)測定在180°剝離時之黏接力。結果係展示於表4。
若在剝離速度300毫米/分鐘之黏接力為0.07 N/25 mm以上時,則在光學構件之表面保護為必要的期間不會在該構件之表面上發生偏移或從表面脫落,因此為較佳。
此外,若在剝離速度30公尺/分鐘之黏接力為2.0 N/25 mm以下時,則剝離作業性良好,為較佳。
將上述所製造之試驗用黏接片裁切成20毫米×150毫米後,將該試驗用黏接板片,使用桌上型層合機,邊將脫模薄膜加以剝離,邊將黏接劑層面壓接於透明偏光薄膜(未施加表面處理),以作為試驗試樣。將原子筆垂直固定於該試驗試樣之PET薄膜表面上,並在500克之負荷、1毫米/秒鐘之速度,在試樣30毫米的距離以原子筆來回劃痕3次,實施劃痕試驗(scratch test)。劃痕試驗後,從試驗試樣剝離試驗用黏接片,並從透明偏光薄膜之表面以目視觀察黏接劑組成物對於透明偏光薄膜的轉移黏結狀態,且根據下述評估基準加以評估。結果係展示於表4。
A:完全辨識不到黏接劑組成物之轉移黏結
B:幾乎辨識不到黏接劑組成物之轉移黏結,但可辨識有薄的轉移黏結痕跡。
C:多少可辨識到黏接劑組成物之轉移黏結,為在實務應用上有問題的程度。
D:可辨識黏接劑組成物之轉移黏結。
將經上述所製造之試驗用黏接片裁切成200毫米×150毫米後,將脫模薄膜加以剝離,在23℃、50% RH的條件下,將黏接劑層面由中心部分貼合於經防眩性處理之偏光薄膜上,並測定由於自然重力而擴大潤濕的時間,且根據下述評估基準加以評估。結果係展示於表4。
A:完全順應至端部的時間少於45秒鐘。
B:完全順應至端部的時間為45秒鐘以上少於60秒鐘。
C:完全順應至端部的時間為60秒鐘以上、或未完全潤濕至端部。
將上述所製造之試驗用黏接片裁切成25毫米×150毫米後,將該試驗用黏接板片,使用桌上型層合機,邊將脫模薄膜加以剝離,邊將黏接劑層面壓接於經防眩性處理之偏光薄膜,以作為試驗試樣。將該試驗試樣在23℃、50% RH的條件下放置(調理(conditioning)處理)24小時後,以180°剝離、剝離速度30公尺/分鐘(高速剝離條件)下加以剝離。將此時所產生的偏光板表面之電位,如圖1所示以固定於特定位置之電位測定機〔春日電機(股)公司製KSD-0303〕加以測定。測定係在23℃、50% RH之環境下進行。結果係展示於表4。
在以剝離速度30公尺/分鐘加以剝離時,若剝離帶電壓之絕對值為0.3 kV以下時,從光學構件剝離表面保護薄膜時,由於剝離帶電而產生的靜電少,無液晶顯示裝置之電路破壞、或在光學構件表面吸附灰塵或塵埃,為較佳。
將上述所製造之試驗用黏接片所製成的脫模薄膜加以剝離,並以裁切機在黏接劑層形成100個2毫米寬×2毫米寬之橫切(crosscut)部分。以手指頭強烈地摩擦橫切部3次,並以目視觀察所摩擦的位置之黏接劑層是否已從基材剝離。並且,計數剝離的橫切部分之數目,計算其相對於橫切部分之總數的比率(%),且根據下述評估基準加以評估。結果係展示於表4。
A:並無剝離、或觀察到少於5%之剝離部分,但是其係在實務應用上並無問題的程度。
B:可觀察到橫切部分之5%以上的剝離部分,其係在實務應用上會有問題的程度。
C:可全面性地觀察到剝離。
[表4]
由表4可得知,本發明之黏接劑組成物由於剝離帶電所導致產生的靜電少、黏接性及耐糊轉移黏結性優異。並且,順應性及基材密合性也優異。
日本專利申請案第2011-070407號之揭示內容全部作為參考而併入於本說明書。
本說明書之所有文獻、專利申請案、及技術規格,,係與各自之文獻、專利申請案、及技術規格以參考而納入而具體且
分別記載的情形為同程度地納入於本說明書作為參考。
圖1顯示本實施例之剝離帶電壓之測定方法概略圖。
Claims (6)
- 一種黏接劑組成物,其係包含:丙烯酸系共聚物(A),其係含有源自具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元40質量%~80質量%、源自具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元10質量%~59.9質量%、及源自具有羥基之單體的結構單元0.1質量%~10質量%;含聚環氧烷基之共聚物(B),其係含有源自環氧烷單元之平均加成莫耳數為20以上的含聚環氧烷基之單體的結構單元、及源自該含聚環氧烷基之單體以外之單體的結構單元,且該源自含聚環氧烷基之單體的結構單元之含有率為60質量%以下、重量平均分子量為3,000~100,000;鹼金屬鹽(C);以及二甲基聚矽氧烷化合物(D),其係在分子內具有聚環氧烷基且HLB值為5以上8以下。
- 如申請專利範圍第1項之黏接劑組成物,其中,相對於該丙烯酸系共聚物(A)100質量份,該含聚環氧烷基之共聚物(B)的含量、及該鹼金屬鹽(C)的含量係分別為0.05質量份~2.0質量份、及0.01質量份~0.6質量份。
- 如申請專利範圍第1項之黏接劑組成物,其中,相對於該丙烯酸系共聚物(A)100質量份,該二甲基聚矽氧烷化合物(D)的含量為0.01質量份~1.0質量份。
- 如申請專利範圍第1項之黏接劑組成物,其中,該具有碳數為1~5之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯係(甲基)丙烯酸正丁酯。
- 如申請專利範圍第1項之黏接劑組成物,其中,該具有碳數為6~18之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯係丙烯酸2-乙基己酯。
- 一種光學構件用薄膜,其係包含: 基材,以及黏接劑層,係設置於該基材上且為如申請專利範圍第1至5項中任一項之黏接劑組成物的塗膜。
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